CN108470692B - 粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置，其中，能够避免晶圆的破损、电路的损伤、同时将新的粘合带精度良好地粘贴于在一个面粘贴有粘合带的晶圆的另一个面。在将保护带(PT)粘贴在安装框(MF)的结构中，夹持安装框(MF)的支承带(DT)而形成腔室(7)。使对保护带(PT)进行保持的保持台(37)与支承带(DT)接近，使保护带(PT)与晶圆(W)之间的距离维持在(D2)。在维持着该距离的状态下使腔室7的内部减压，利用压差进行保护带(PT)的粘贴。即使气泡在支承带(DT)与晶圆(W)之间膨胀而晶圆(W)被按压，晶圆(W)也被维持接近位置的保持台迅速地承接。因而，能够避免由晶圆的变形导致的晶圆的破损、电路的损伤。

Description

粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置

技术领域

本发明涉及以保护在半导体晶圆形成的电路图案的保护带、跨环框与载置到该环框的中央的半导体晶圆的背面粘贴的切割带为例的粘合带的粘贴方法和粘合带粘贴装置。

背景技术

在由半导体晶圆(以下适当称为“晶圆”)制造芯片零部件的情况下，在电路图案形成处理于晶圆的表面之后，在晶圆表面粘贴保护用的粘合带(保护带)，实施背面磨削加工而被薄型化。薄型加工后的晶圆在保护带被剥离了之后，跨该晶圆的背面和环框地粘贴支承用的粘合带。通过支承用的粘合带、即切割带的粘贴，晶圆借助切割带与环框一体化(安装在一起)。

在将各种粘合带粘贴于晶圆的情况下，除了使粘贴辊滚动而将粘合带按压于晶圆来粘贴的结构之外，为了谋求装置的小型化，使用了使收纳晶圆的腔室的内部减压而将粘合带粘贴的结构。即、利用粘合带将由上下一对外壳构成的腔室分隔而形成两个空间，一边使一侧的空间的气压比另一侧的空间的气压低，一边将该粘合带粘贴于晶圆(参照例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-49626号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述以往装置中存在如下问题。

近年来，由于晶圆的加工工序的多样化，存在将新的粘合带粘贴于在一个面粘贴有粘合带的晶圆的另一个面的情况。作为其中一个例子，可列举出再次将粘合带粘贴于安装到环框的晶圆的表面的情况。此时，若使用专利文献1的以往的结构来进行将粘合带粘贴于晶圆表面的操作，则产生晶圆破损、电路损伤这样的问题。

针对这样的问题的产生进行了深入研究的结果，以至于获得以下的见解。即、在微小的气泡卷入到粘贴于晶圆的背面的切割带与晶圆之间的情况下，在为了将粘合带粘贴于晶圆的表面而使腔室的内部减压之际，该气泡膨胀。

气泡在膨胀之际按压晶圆，因此，想到作为结果，产生电路的损伤、晶圆的破损等这样的问题。在大气压下在晶圆粘贴了切割带的情况下，这样的问题更显著地产生。另外，近年来，进行晶圆的薄型化，因此，更易于产生由气泡的按压导致的晶圆的破损。

本发明是鉴于这样的状况而做成的，主要目的在于提供一种粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置，其中，能够避免晶圆的破损、电路的损伤、同时将新的粘合带精度良好地粘贴于在一个面粘贴有粘合带的晶圆的另一个面。

用于解决问题的方案

本发明为了达成这样的目的，采取以下构成。

即、本发明是一种粘合带粘贴方法，在该粘合带粘贴方法中，将第2粘合带粘贴于在一个面粘贴有第1粘合带的半导体晶圆的另一个面，其特征在于，该粘合带粘贴方法具备：

带保持过程，在该带保持过程中，利用保持台保持所述第2粘合带；

腔室形成过程，在该腔室形成过程中，通过利用一对外壳夹持所述第1粘合带的超出所述半导体晶圆的外缘的部分并进行接合，从而形成腔室；

第1接近过程，在该第1接近过程中，使所述保持台与所述半导体晶圆接近，使所述半导体晶圆与所述第2粘合带的粘合面之间的距离维持在预先设定好的第1预定值；

粘贴过程，在该粘贴过程中，在利用一对外壳夹持着所述第1粘合带的状态下，一边使所述腔室内的所述半导体晶圆侧的空间的气压比另一侧的空间的气压低，一边将所述第2粘合带粘贴于半导体晶圆。

(作用·效果)根据该方法，在第1接近过程中，保持台与半导体晶圆接近，半导体晶圆与第2粘合带的粘合面之间的距离被维持在预先设定好的第1预定值。因此，在粘贴过程中，即使是卷入到半导体晶圆与第1粘合带之间的气泡膨胀而按压了半导体晶圆的情况下，所按压的半导体晶圆也被维持在接近位置的保持台承接。即、由按压导致的半导体晶圆的翘曲被保持台迅速地抑制，因此，能够恰当地避免起因于该翘曲的半导体晶圆的变形和破损。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述半导体晶圆借助所述第1粘合带与环框粘接保持，在所述腔室形成过程中，一边利用框架保持部保持所述环框，一边利用一对外壳夹持所述第1粘合带的位于所述环框与所述半导体晶圆之间的部分而形成腔室。在该情况下，对于在一个面粘贴有第1粘合带的安装框，能够避免该半导体晶圆的变形、破损、同时执行对半导体晶圆的另一个面粘贴第2粘合带的工序。

另外，在上述的发明中，优选的是，具备第2接近过程，在该第2接近过程中，使具有扁平面的抑制构件与所述第1粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述第1粘合带之间的距离维持在预先设定好的第2预定值。

(作用·效果)根据该构成，在第2接近过程中，抑制构件与第1粘合带接近，抑制构件与第1粘合带之间的距离被维持在预先设定好的第2预定值。因此，在粘贴过程中，即使是卷入到半导体晶圆与第1粘合带之间的气泡膨胀了的情况下，该气泡在与半导体晶圆的面垂直的方向上的膨胀也被抑制构件的扁平面抑制。因而，能够大幅度降低由于气泡的膨胀而作用于半导体晶圆的面的按压力，因此，能够恰当地避免起因于气泡的膨胀的晶圆W的损伤。另外，能够抑制起因于气泡的膨胀的第1粘合带的拉伸，因此，能够避免第1粘合带的基材、粘合材料劣化。

本发明为了达成这样的目的，也可以采用如下那样的构成。

即、本发明是一种粘合带粘贴方法，在该粘合带粘贴方法中，将第2粘合带粘贴于在一个面粘贴有第1粘合带的半导体晶圆的另一个面，其特征在于，该粘合带粘贴方法具备：

晶圆保持过程，在该晶圆保持过程中，利用保持台保持所述半导体晶圆；

第1粘贴过程，在该第1粘贴过程中，将所述第2粘合带粘贴于构成腔室的一对外壳的一者的接合部；

第1接近过程，在该第1接近过程中，使所述保持台与所述第2粘合带接近，使所述半导体晶圆与所述第2粘合带的粘合面之间的距离维持在预先设定好的第1预定值；

第2接近过程，在该第2接近过程中，使具有扁平面的抑制构件与所述第2粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述第2粘合带之间的距离维持在第2预定值；

第2粘贴过程，在该第2粘贴过程中，在通过利用一对外壳夹持所述第2粘合带并进行接合而形成了所述腔室的状态下，一边使所述腔室内的所述半导体晶圆侧的空间的气压比另一侧的空间的气压低，一边使所述第2粘合带粘贴于半导体晶圆。

(作用·效果)根据该构成，在第1接近过程中，保持台与第2粘合带接近，半导体晶圆与第2粘合带的粘合面之间的距离被维持在预先设定好的第1预定值。因此，在粘贴过程中，即使是卷入到半导体晶圆与第1粘合带之间的气泡膨胀而按压了半导体晶圆的情况下，所按压的半导体晶圆也被维持在接近位置的保持台承接。即、由按压导致的半导体晶圆的翘曲被保持台迅速地抑制，因此，能够恰当地避免起因于该翘曲的半导体晶圆的变形和破损。

另外，在第2接近过程中，抑制构件接近第2粘合带，抑制构件与第2粘合带之间的距离被维持在预先设定好的第2预定值。因此，在粘贴过程中，即使是卷入到半导体晶圆与第1粘合带之间的气泡膨胀了的情况下，该气泡在与半导体晶圆的面垂直的方向上的膨胀也被抑制构件的扁平面抑制。因而，能够大幅度降低由于气泡的膨胀而作用于半导体晶圆的面的按压力，因此，能够恰当地避免起因于气泡的膨胀的晶圆W的损伤。另外，能够抑制起因于气泡的膨胀的第2粘合带的拉伸，因此，能够避免第2粘合带的基材、粘合材料劣化。

另外，在上述的发明中，优选的是，具备利用框架保持部保持环框的框架保持过程，在所述第1粘贴过程中，跨构成腔室的一对外壳的一者的接合部和通过所述框架保持过程保持着的所述环框地粘贴所述第2粘合带。

(作用·效果)根据该构成，对于在一个面粘贴有第1粘合带的半导体晶圆，能够避免该半导体晶圆的变形、破损、同时执行使用腔室而跨半导体晶圆的另一个面和环框地粘贴第2粘合带的工序。因此，能够保护半导体晶圆的一个面、同时执行更优选的安装框的制作工序。

本发明为了达成这样的目的，也可以采取如下那样的构成。

即、本发明是一种粘合带粘贴方法，在该粘合带粘贴方法中，将第2粘合带粘贴于在一个面粘贴有第1粘合带的半导体晶圆的另一个面，其特征在于，该粘合带粘贴方法具备：

带保持过程，在该带保持过程中，利用保持台保持所述第2粘合带；

晶圆保持过程，在该晶圆保持过程中，利用晶圆保持部保持所述半导体晶圆；

腔室形成过程，在该腔室形成过程中，通过将一对外壳接合，形成用于收纳所述保持台和所述晶圆保持部的腔室；

第1接近过程，在该第1接近过程中，使第1抑制构件与所述半导体晶圆接近，使所述半导体晶圆与所述第1抑制构件之间的距离维持在预先设定好的第1预定值，该第1抑制构件收纳于所述腔室，具有扁平面；

第2接近过程，在该第2接近过程中，使第2抑制构件与所述第1粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述第1粘合带之间的距离维持在预先设定好的第2预定值，该第2抑制构件收纳于所述腔室，具有扁平面；

第2接近过程后的粘贴过程，在该粘贴过程中，在形成有所述腔室的状态下，一边使所述腔室内部的气压降低，一边将所述第2粘合带粘贴于半导体晶圆。

(作用·效果)根据该构成，在第1接近过程中，第1抑制构件与半导体晶圆接近，半导体晶圆与第1抑制构件的粘合面之间的距离被维持在预先设定好的第1预定值。因此，在粘贴过程中，即使是卷入到半导体晶圆与第1粘合带之间的气泡膨胀而按压了半导体晶圆的情况下，所按压的半导体晶圆也被维持在接近位置的第1抑制构件承接。即、由按压导致的半导体晶圆的翘曲被保持台迅速地抑制，因此，能够恰当地避免起因于该翘曲的半导体晶圆的变形和破损。

另外，在第2接近过程中，第2抑制构件与第1粘合带接近或接触，第2抑制构件与第1粘合带之间的距离被维持在预先设定好的第2预定值。因此，在粘贴过程中，即使是卷入到半导体晶圆与第1粘合带之间的气泡膨胀了的情况下，该气泡在与半导体晶圆的面垂直的方向的膨胀也被第2抑制构件的扁平面抑制。因而，能够大幅度降低由于气泡的膨胀而作用于半导体晶圆的面的按压力，因此，能够恰当地避免起因于气泡的膨胀的晶圆W的损伤。另外，能够抑制起因于气泡的膨胀的第1粘合带的拉伸，因此，能够避免第1粘合带的基材、粘合材料劣化。本构成只要是在使用腔室而减压了之后将第2粘合带粘贴的构成，就并不限于使用压差来粘贴的构成，因此，能够将本发明的特征适用于更多样的腔室的结构。

另外，在上述的发明中，优选的是，具备利用框架保持部保持环框的框架保持过程，所述腔室收纳所述框架保持部。在该情况下，对于环框和框架保持部收纳于腔室的构成，也能够避免该半导体晶圆的变形、破损、同时执行将第2粘合带粘贴于半导体晶圆的工序。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述第1抑制构件是所述保持台，在所述第1接近过程中，所述第2粘合带与所述保持台一起接近所述半导体晶圆。在该情况下，保持台兼备作为第1抑制构件的功能，因此，能够避免装置的复杂化。

而且，在第1接近过程中，第2粘合带与半导体晶圆接近，因此，即使是气泡卷入到第2粘合带与保持台之间的情况下，该气泡在与粘合带的面垂直的方向上的膨胀也被半导体晶圆迅速地抑制。因此，能够更可靠地防止第2粘合带的一部分拉伸而产生凹凸、褶皱。其结果，能够可靠地避免第2粘合带向半导体晶圆不均匀地粘贴的事态、第2粘合带与半导体晶圆之间的密合性降低的事态。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述第2抑制构件是所述晶圆保持部。在该情况下，晶圆保持部兼备作为第2抑制构件的功能，因此，能够避免装置的复杂化。而且，晶圆保持部与粘贴于半导体晶圆的第1粘合带接触或更加接近，因此，能够更可靠地防止起因于气泡的膨胀的晶圆W的损伤、第1粘合带的拉伸。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述第1预定值是0.1mm以上且0.5mm以下。在该情况下，使保持台充分地接近，因此，能够更加降低由于卷入到半导体晶圆与第1粘合带之间的气泡的膨胀而作用于半导体晶圆的按压力。因而，能够更可靠地避免由按压导致的半导体晶圆的变形和破损。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述第2预定值是0.5mm以下。在该情况下，使抑制构件充分地接近，因此，能够更可靠地抑制气泡在与半导体晶圆的面垂直的方向上的膨胀。因此，能够更可靠地避免起因于气泡的膨胀的晶圆W的损伤。

本发明为了达成这样的目的，也可以采取如下那样的构成。

即、本发明是一种粘合带粘贴方法，在该粘合带粘贴方法中，将粘合带粘贴于半导体晶圆，其特征在于，该粘合带粘贴方法具备：

带保持过程，在该带保持过程中，利用保持台保持所述粘合带；

晶圆保持过程，在该晶圆保持过程中，利用晶圆保持部保持所述半导体晶圆；

腔室形成过程，在该腔室形成过程中，通过将一对外壳接合，形成用于收纳所述保持台和所述晶圆保持部的腔室；

第1接近过程，在该第1接近过程中，使保持着所述半导体晶圆的晶圆保持部与所述粘合带接近，使所述粘合带的粘合面与所述半导体晶圆之间的距离维持在预先设定好的第1预定值；

第2接近过程，在该第2接近过程中，使抑制构件与所述粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述粘合带之间的距离维持在预先设定好的第2预定值，该抑制构件收纳于所述腔室，具有扁平面；

第2接近过程后的粘贴过程，在该粘贴过程中，在形成有所述腔室的状态下，一边降低所述腔室内部的气压，一边将所述粘合带粘贴于半导体晶圆。

(作用·效果)根据该构成，在将粘合带粘贴于半导体晶圆之际，保持有半导体晶圆的晶圆保持部在第1接近过程中与粘合带接近，半导体晶圆与粘合带的粘合面之间的距离被维持在预先设定好的第1预定值。并且，在第2接近过程中，抑制构件与粘合带的非粘合面接近或接触，抑制构件与粘合带的非粘合面之间的距离被维持在预先设定好的第2预定值。

因此，在粘贴过程中，即使是卷入到保持台与粘合带之间的气泡膨胀而按压了粘合带的情况下，所按压的粘合带也被维持在接近位置的半导体晶圆承接。另外，该气泡在与粘合带的面垂直的方向上的膨胀被抑制构件的扁平面抑制。

因而，能够更可靠地防止由于气泡的膨胀而粘合带的一部分被向与粘合带的面垂直的方向按压而拉伸、产生凹凸、褶皱的情况。其结果，能够可靠地避免粘合带被向半导体晶圆不均匀地粘贴的事态、粘合带与半导体晶圆之间的密合性降低的事态。另外，也能够避免起因于粘合带的拉伸的粘合带的基材、粘合材料的劣化。另外，本构成只要是使腔室内减压而将粘合带粘贴于半导体晶圆的构成，就并不限于预先在半导体晶圆的一个面粘贴有带的构成，因此，能够将本发明的特征适用于更多样的构成。

本发明为了达成这样的目的，也可以采取如下那样的结构。

即、本发明是一种粘合带粘贴装置，其将第2粘合带粘贴于在一个面粘贴有第1粘合带的半导体晶圆的另一个面，其特征在于，该粘合带粘贴装置具备：

带供给部，其供给所述第2粘合带；

保持台，其保持所述第2粘合带；

腔室，其是利用一对外壳夹持所述第1粘合带的超出所述半导体晶圆的外缘的部分而形成的，收纳所述保持台；

第1接近机构，其进行如下控制：使所述保持台与所述半导体晶圆接近，使所述半导体晶圆与所述第2粘合带的粘合面之间的距离维持在预先设定好的第1预定值；

粘贴机构，其在所述第1接近机构工作着的状态下使所述腔室内的由所述第1粘合带分隔成的两个空间产生压差，将所述第2粘合带粘贴于所述半导体晶圆的另一个面。

(作用·效果)根据该构成，利用第1接近机构使保持台与半导体晶圆接近，半导体晶圆与第2粘合带的粘合面之间的距离被维持在预先设定好的第1预定值。因此，在利用粘贴机构将第2粘合带粘贴于半导体晶圆之际，即使是卷入到半导体晶圆与第1粘合带之间的气泡膨胀而按压了半导体晶圆的情况下，所按压的半导体晶圆也被维持在接近位置的保持台承接。即、由按压导致的半导体晶圆的翘曲被保持台迅速地抑制，因此，能够恰当地避免起因于该翘曲的半导体晶圆的变形和破损。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述半导体晶圆借助所述第1粘合带与环框粘接保持，具备保持所述环框的框架保持部，所述腔室是利用一对外壳夹持所述第1粘合带的位于由所述框架保持部保持着的所述环框与所述半导体晶圆之间的部分而形成的。在该情况下，对于在一个面粘贴有第1粘合带的安装框，能够避免该半导体晶圆的变形、破损、同时执行相对于半导体晶圆的另一个面粘贴第2粘合带的工序。

另外，在上述的发明中，优选的是，具备：抑制构件，其具有扁平面；第2接近机构，其进行如下控制：使所述抑制构件与所述第1粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述第1粘合带之间的距离维持在预先设定好的第2预定值。

(作用·效果)根据该结构，利用第2接近机构使抑制构件与第1粘合带接近，抑制构件与第1粘合带之间的距离被维持在预先设定好的第2预定值。因此，在利用粘贴机构将第2粘合带粘贴于半导体晶圆之际，即使是卷入到半导体晶圆与第1粘合带之间的气泡膨胀了的情况下，该气泡在与半导体晶圆的面垂直的方向上的膨胀也被抑制构件的扁平面抑制。因而，能够大幅度降低由于气泡的膨胀而作用于半导体晶圆的面的按压力，因此，能够恰当地避免起因于气泡的膨胀的晶圆W的损伤。另外，能够抑制起因于气泡的膨胀的第1粘合带的拉伸，因此，能够避免第1粘合带的基材、粘合材料劣化。

本发明为了达成这样的目的，也可以采取如下那样的结构。

即、本发明是一种粘合带粘贴装置，其将第2粘合带粘贴于在一个面粘贴有第1粘合带的半导体晶圆的另一个面，其特征在于，该粘合带粘贴装置具备：

带供给部，其供给所述第2粘合带；

保持台，其保持所述半导体晶圆；

抑制构件，其具有扁平面；

由一对外壳构成的腔室，其收纳所述保持台和所述抑制构件；

第1粘贴机构，其将所述第2粘合带粘贴于所述外壳的一者的接合部；

第1接近机构，其进行如下控制：使所述保持台与所述第2粘合带接近，使所述半导体晶圆与所述第2粘合带的粘合面之间的距离维持在预先设定好的第1预定值；

第2接近机构，其使所述抑制构件与所述第2粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述第2粘合带之间的距离维持在预先设定好的第2预定值；

第2粘贴机构，其在所述第1接近机构和所述第2接近机构工作着的状态下使所述腔室内的由所述第2粘合带分隔成的两个空间产生压差，将所述第2粘合带粘贴于所述半导体晶圆的另一个面。

(作用·效果)根据该结构，利用第1接近机构使保持台与第2粘合带接近，半导体晶圆与第2粘合带的粘合面之间的距离被维持在预先设定好的第1预定值。因此，在将第2粘合带粘贴于半导体晶圆之际，即使是卷入到半导体晶圆与第1粘合带之间的气泡膨胀而按压了半导体晶圆的情况下，所按压的半导体晶圆也被维持在接近位置的保持台承接。即、由按压导致的半导体晶圆的翘曲被保持台迅速地抑制，因此，能够恰当地避免起因于该翘曲的半导体晶圆的变形和破损。

另外，利用第2接近机构使抑制构件与第2粘合带接近，抑制构件与第2粘合带之间的距离被维持在预先设定好的第2预定值。因此，在将第2粘合带粘贴于半导体晶圆之际，即使是卷入到半导体晶圆与第1粘合带之间的气泡膨胀了的情况下，该气泡在与半导体晶圆的面垂直的方向上的膨胀也被抑制构件的扁平面抑制。因而，能够大幅度降低由于气泡的膨胀而作用于半导体晶圆的面的按压力，因此，能够恰当地避免起因于气泡的膨胀的晶圆W的损伤。另外，能够抑制起因于气泡的膨胀的第2粘合带的拉伸，因此，能够避免第2粘合带的基材、粘合材料劣化。

另外，在上述的发明中，优选的是，具备保持环框的框架保持部，所述第1粘贴机构跨所述外壳的一者的接合部和由所述框架保持部保持着的所述环框地粘贴所述第2粘合带。

(作用·效果)根据该结构，对于在一个面粘贴有第1粘合带的半导体晶圆，能够避免该半导体晶圆的变形、破损、同时执行使用腔室而跨半导体晶圆的另一个面和环框地粘贴第2粘合带的工序。因此，能够保护半导体晶圆的一个面、同时执行更优选的安装框的制作工序。

本发明为了达成这样的目的，也可以采取如下那样的结构。

即、本发明是一种粘合带粘贴装置，其将第2粘合带粘贴于在一个面粘贴有第1粘合带的半导体晶圆的另一个面，其特征在于，该粘合带粘贴装置具备：

带供给部，其供给所述第2粘合带；

保持台，其保持所述第2粘合带；

晶圆保持部，其保持所述半导体晶圆；

第1抑制构件，其具有扁平面；

第2抑制构件，其具有扁平面；

由一对外壳构成的腔室，其收纳所述保持台、所述晶圆保持部、所述第1抑制构件、以及所述第2抑制构件；

第1接近机构，其进行如下控制：使所述第1抑制构件与所述半导体晶圆的另一个面接近，使所述半导体晶圆与所述第1抑制构件之间的距离维持在预先设定好的第1预定值；

第2接近机构，其使所述第2抑制构件与所述第1粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述第1粘合带之间的距离维持在预先设定好的第2预定值；

减压机构，其在所述第1接近机构和所述第2接近机构工作着的状态下使所述腔室的内部减压；

粘贴机构，其在所述腔室的内部减压后的状态下将所述第2粘合带粘贴于所述半导体晶圆的另一个面。

(作用·效果)根据该结构，利用第1接近机构使第1抑制构件与半导体晶圆接近，半导体晶圆与第1抑制构件的粘合面之间的距离被维持在预先设定好的第1预定值。因此，在由粘贴机构进行粘贴之际，即使是卷入到半导体晶圆与第1粘合带之间的气泡由于减压而膨胀、按压了半导体晶圆的情况下，所按压的半导体晶圆也被维持在接近位置的第1抑制构件承接。即、由按压导致的半导体晶圆的翘曲被保持台迅速地抑制，因此，能够恰当地避免起因于该翘曲的半导体晶圆的变形和破损。

另外，利用第2接近机构使第2抑制构件与第1粘合带接近或接触，第2抑制构件与第1粘合带之间的距离被维持在预先设定好的第2预定值。因此，在利用粘贴机构进行粘贴之际，即使是卷入到半导体晶圆与第1粘合带之间的气泡由于减压而膨胀了的情况下，该气泡在与半导体晶圆的面垂直的方向上的膨胀也被第2抑制构件的扁平面抑制。因而，能够大幅度降低由于气泡的膨胀而作用于半导体晶圆的面的按压力，因此，能够恰当地避免起因于气泡的膨胀的晶圆W的损伤。另外，能够抑制起因于气泡的膨胀的第1粘合带的拉伸，因此，能够避免第1粘合带的基材、粘合材料劣化。本结构只要是使用腔室而在减压了之后粘贴第2粘合带的结构，就并不限于使用压差来粘贴的结构，因此，能够将本发明的特征适用于更多样的腔室的结构。

另外，在上述的发明中，优选的是，具备保持环框的框架保持部，所述腔室收纳所述框架保持部。在该情况下，对于环框和框架保持部收纳于腔室的结构，也能够避免该半导体晶圆的变形、破损、同时执行将第2粘合带粘贴于半导体晶圆的工序。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述第1抑制构件是所述保持台，利用所述第1接近机构使所述第2粘合带与所述保持台一起与所述半导体晶圆接近。在该情况下，保持台兼备作为第1抑制构件的功能，因此，能够避免装置的复杂化。

而且，在第1接近过程中第2粘合带与半导体晶圆接近，因此，即使是气泡卷入到第2粘合带与保持台之间的情况下，该气泡在与粘合带的面垂直的方向上的膨胀也被半导体晶圆迅速地抑制。因此，能够更可靠地防止第2粘合带的一部分拉伸而产生凹凸、褶皱。其结果，能够可靠地避免第2粘合带被向半导体晶圆不均匀地粘贴的事态、第2粘合带与半导体晶圆之间的密合性降低的事态。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述第2抑制构件是所述晶圆保持部。在该情况下，晶圆保持部兼备作为第2抑制构件的功能，因此，能够避免装置的复杂化。而且，晶圆保持部与粘贴于半导体晶圆的第1粘合带接触或更接近，因此，能够更可靠地防止起因于气泡的膨胀的晶圆W的损伤、第1粘合带的拉伸。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述第1预定值是0.1mm以上且0.5mm以下。在该情况下，使保持台充分地接近，因此，能够更加降低由于卷入到半导体晶圆与第1粘合带之间的气泡的膨胀而作用于半导体晶圆的按压力。因而，能够更可靠地避免由按压导致的半导体晶圆的变形和破损。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述第2预定值是0.5mm以下。在该情况下，使抑制构件充分地接近，因此，能够更可靠地抑制气泡在与半导体晶圆的面垂直的方向上的膨胀。因此，能够更可靠地避免起因于气泡的膨胀的晶圆W的损伤。

另外，在上述的发明中，优选的是，具备：切断机构，其沿着所述半导体晶圆的外形切断所述第2粘合带；剥离机构，其将所述第2粘合带的裁除所述半导体晶圆的形状后的部分剥离；带回收部，其对剥离后的所述第2粘合带进行回收。在该情况下，粘贴到半导体晶圆的第2粘合带被沿着半导体晶圆的外形切断，因此，第2粘合带不超出半导体晶圆的外缘。因此，能够恰当地避免第2粘合带粘接于其他结构的事态。

本发明为了达成这样的目的，也可以采取如下那样的结构。

即、本发明是一种粘合带粘贴装置，其将粘合带粘贴于半导体晶圆，其特征在于，该粘合带粘贴装置具备：

带供给部，其供给所述粘合带；

保持台，其保持所述粘合带；

晶圆保持部，其保持所述半导体晶圆；

抑制构件，其具有扁平面；

由一对外壳构成的腔室，其收纳所述保持台、所述晶圆保持部、以及所述抑制构件；

第1接近机构，其进行如下控制：使保持着所述半导体晶圆的晶圆保持部与所述粘合带的粘合面接近，使所述粘合带与所述半导体晶圆之间的距离维持在预先设定好的第1预定值；

第2接近机构，其使所述抑制构件与所述粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述粘合带之间的距离维持在预先设定好的第2预定值；

减压机构，其在所述第1接近机构和所述第2接近机构工作着的状态下使所述腔室的内部减压；

粘贴机构，其在所述腔室的内部减压后的状态下将所述粘合带粘贴于所述半导体晶圆。

(作用·效果)根据该结构，在将粘合带粘贴于半导体晶圆之际，保持有半导体晶圆的晶圆保持部利用第1接近机构与粘合带接近，半导体晶圆与粘合带的粘合面之间的距离被维持在预先设定好的第1预定值。并且，利用第2接近机构使抑制构件与粘合带的非粘合面接近或接触，抑制构件与粘合带的非粘合面之间的距离被维持在预先设定好的第2预定值。

因此，在利用粘贴机构进行粘贴之际，即使是卷入到保持台与粘合带之间的气泡由于减压而膨胀、按压了粘合带的情况下，所按压的粘合带也被维持在接近位置的半导体晶圆承接。另外，该气泡在与粘合带的面垂直的方向上的膨胀被抑制构件的扁平面抑制。

因而，能够更可靠地防止由于气泡的膨胀而粘合带的一部分被向与粘合带的面垂直的方向按压而拉伸、产生凹凸、褶皱的情况。其结果，能够可靠地避免粘合带被向半导体晶圆不均匀地粘贴的事态、粘合带与半导体晶圆之间的密合性降低的事态。另外，也能够避免起因于粘合带的拉伸的粘合带的基材、粘合材料的劣化。另外，本结构只要是使腔室内减压而将粘合带粘贴于半导体晶圆的结构，就并不限于预先在半导体晶圆的一个面粘贴有带的结构，因此，能够将本发明的特征适用于更多样的结构。

发明的效果

根据本发明的粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置，能够避免晶圆破损、电路损伤、同时将新的粘合带精度良好地粘贴于在一个面粘贴有粘合带的晶圆的另一个面。

附图说明

图1是说明安装框的结构的图。(a)是表示粘贴工序前后的安装框的结构的剖视图，(b)是安装框的立体图。

图2是表示实施例1的粘合带粘贴装置的整体的主视图。

图3是表示实施例1的粘合带粘贴装置的整体的俯视图。

图4是表示实施例1的旋转驱动机构所具备的结构的纵剖视图。

图5是表示实施例1的腔室的结构的纵剖视图。

图6是表示实施例1的腔室的结构的纵剖视图。

图7是说明各实施例的粘合带粘贴装置的动作的流程图。(a)是说明实施例1的动作的流程图，(b)是说明实施例2的动作的流程图。

图8是表示实施例1的步骤S1的动作的纵剖视图。

图9是表示实施例1的步骤S1的动作的纵剖视图。

图10是表示实施例1的步骤S1的动作的俯视图。

图11是表示实施例1的步骤S1的动作的纵剖视图。

图12是表示实施例1的步骤S1的动作的纵剖视图。

图13是表示实施例1的步骤S1的动作的纵剖视图。

图14是表示实施例1的步骤S1的动作的纵剖视图。

图15是表示实施例1的步骤S2的动作的纵剖视图。

图16是表示实施例1的步骤S3的动作的纵剖视图。

图17是表示实施例1的步骤S3的动作的纵剖视图。

图18是表示实施例1的步骤S4的动作的纵剖视图。

图19是表示实施例1的步骤S5的动作的纵剖视图。

图20是表示实施例1的步骤S6的动作的纵剖视图。

图21是说明实施例1的效果的图。(a)是表示以往例的结构的图，(b)是表示在以往例的结构中产生的问题点的图，(c)是在实施例1中表示维持接近位置的保持台与半导体晶圆之间的位置关系的图，(d)是在实施例1中说明维持接近位置的保持台的效果的图，(e)是在实施例1中表示维持接近位置的抑制构件与第1粘合带之间的位置关系的图，(f)是在实施例1中说明维持接近位置的抑制构件的效果的图。

图22是表示实施例2的粘合带粘贴装置的整体的纵剖视图。

图23是表示实施例2的粘合带粘贴装置的整体的俯视图。

图24是表示实施例2的腔室的结构的纵剖视图。

图25是表示实施例2的步骤S1的动作的纵剖视图。

图26是表示实施例2的步骤S3的动作的纵剖视图。(a)是表示粘贴支承带之前的状态的图，(b)是表示粘贴了支承带之后的状态的图。

图27是表示实施例2的步骤S5的动作的纵剖视图。

图28是表示实施例2的步骤S6的动作的纵剖视图。

图29是表示实施例2的步骤S7的动作的纵剖视图。

图30是表示变形例的粘贴工序的动作的纵剖视图。

图31是表示实施例3的腔室的结构的纵剖视图。

图32是表示实施例3的步骤S4的动作的纵剖视图。

图33是表示实施例3的步骤S5的动作的纵剖视图。

图34是表示变形例(5)的腔室的结构的纵剖视图。

图35是在变形例(5)中表示利用粘贴辊将粘合带粘贴的结构的纵剖视图。

图36是表示变形例(7)的腔室的结构的纵剖视图。

图37是表示变形例(7)的步骤S4的动作的纵剖视图。

图38是表示变形例(8)的腔室的结构的纵剖视图。(a)是表示步骤S3完成后的状态的结构的图，(b)是表示步骤S4的结构的图。

图39是说明变形例(8)的结构的效果的图。(a)是针对不进行使晶圆保持部接近粘合带的控制的以往的结构表示减压前的结构的图，(b)是表示以往结构中的、减压后的气泡和粘合带的状态的图，(c)是表示在以往结构中将粘合带粘贴到晶圆的结构的图，(d)是表示变形例(8)中的、减压后的气泡和粘合带的状态的图。

图40是表示变形例的腔室的结构的纵剖视图。

附图标记说明

4、带供给部；5、载置单元；6、带切断机构；7、腔室；8、抑制单元；9、剥离单元；10、带回收部；20、剥离构件；22、粘贴辊；23、切断单元；33A、上外壳；33B、33C、下外壳；37、保持台；60、控制部；61、抑制构件；77、框架保持台；91、粘贴辊；93、抑制构件；95、晶圆保持部；PT、保护带；W、半导体晶圆；f、环框；DT、支承带。

具体实施方式

【实施例1】

＜整体结构的说明>

以下，参照附图对本发明的实施例1进行说明。此外，在本实施例中，以将表面保护用的粘合带粘贴于安装到环框的半导体晶圆(以下简称为“晶圆”)的电路形成面的情况为例进行说明。

即、如图1的(a)所示，对于在半导体晶圆W(以下简称为“晶圆W”)的背面粘贴支承用的粘合带DT而成的安装框MF，用于在该晶圆W的表面(电路形成面)粘贴保护用的保护带PT。以下，针对支承用的粘合带，设为“支承带DT”，针对保护用的粘合带，设为“保护带PT”。如图1的(b)所示，安装框MF是在晶圆W的背面和环框f粘贴支承带DT而制作的。在实施例1中，支承带DT相当于本发明中的第1粘合带，保护带PT相当于本发明中的第2粘合带。

图2是表示本发明的实施例1的粘合带粘贴装置的整体结构的主视图，图3是实施例1的粘合带粘贴装置的俯视图。

实施例1的粘合带粘贴装置具备晶圆供给/回收部1、晶圆输送机构2、对准台3、带供给部4、载置单元5、带切断机构6、腔室7、抑制单元8、剥离单元9以及带回收部10等。以下，说明上述各构造部和机构等的具体的结构。

在晶圆供给/回收部1并列地载置有两台盒C1、C2。在各盒C中，以晶圆W的电路形成面(表面)朝下的水平姿势呈多层插入收纳有许多张安装框MF。

晶圆输送机构2具备两台机械臂2A、2B。两机械臂2A、2B构成为能水平地进退移动，并且，整体能够回转和升降。并且，在机械臂2A、2B的顶端设置有呈马蹄形的真空吸附式的晶圆保持部。晶圆保持部插入被呈多层收纳到盒C的安装框MF彼此的间隙，吸附保持安装框MF的上表面。所吸附保持的安装框MF被从盒C拉出而按照对准台3、保持台37以及晶圆供给/回收部1的顺序输送。

对准台3构成为，基于在晶圆W的外周形成的凹口、在框架f的外周形成的平面部等对由晶圆输送机构2输入载置的安装框MF进行对位。

如图2所示，带供给部4、载置单元5、隔离膜回收部12以及切断单元23安装固定于相同的纵板14。该纵板14借助可动台15沿着上部的框架16水平移动。

带供给部4构成为，在供给卷轴17装填有卷成卷的宽幅的保护带PT，从该供给卷轴17放出的带隔离膜S的保护带PT向引导辊18卷绕引导，剥离掉隔离膜S的保护带PT向载置单元5引导。另外，构成为，对供给卷轴17赋予适度的旋转阻力而不进行过量的带放出。

隔离膜回收部12构成为，对从保护带PT剥离掉的隔离膜S进行卷取的回收卷轴19被沿着卷取方向旋转驱动。

载置单元5用于使隔离膜S剥离掉后的保护带PT以粘合面朝上的状态载置于保持台37，如图4所示那样具备剥离构件20、升降辊21以及按压辊22。

剥离构件20的顶端具有锋利的边缘。利用使该边缘斜向下的该剥离构件20将隔离膜S折回而将保护带PT剥离。即、使保护带PT从剥离构件20向前方突出。升降辊21与剥离构件20协作而适时地把持保护带PT。按压辊22被实施非粘合处理，按压保护带PT的从剥离构件20的顶端突出的顶端而使其载置于随后叙述的保持台37。

切断单元23具备：可动台25，其沿着设置于剥离构件20的前侧的框架24移动；刀具26，其借助刀具保持件设置于该可动台25的下部。即、切断单元23将保护带PT沿着宽度方向切断。

如图2和图3所示，带切断机构6借助支承臂29设置有刀具单元30，该支承臂29在从可沿着框架27升降的可动台28悬臂支承的臂的顶端下部沿着径向延伸。在刀具单元30，借助刀具保持件安装固定有刀尖朝下的刀具31。此外，刀具单元30可借助支承臂29调整回转半径。带切断机构6将载置到保持台37的保护带PT切断成为与晶圆W大致相同的形状和大小。

腔室7由具有比粘合带T的宽度小的外形的上下一对外壳构成。在本实施例中，具备1个上外壳33A和两个下外壳33B、33C。

下外壳33B、33C连结固定于马达等旋转驱动机构34的旋转轴35，分别设置于回转臂36的两端。即、例如，构成为，在一个下外壳33B与上外壳33A形成腔室7时，另一个下外壳33C位于载置单元5侧的带载置位置。另外，下外壳33B、33C的上表面和下表面被实施氟加工等离型处理。

在两下外壳33B、33C内设置有可升降的保持台37。保持台37与贯通下外壳33B、33C的杆38连结。杆38的另一端与由马达等构成的致动器39驱动连结。因而，保持台37在下外壳33B、33C内升降。保持台37的位置由随后叙述的控制部60控制成任意的高度。

保持台37供隔离膜S被剥离而粘合面朝上的保护带PT载置并加以保持。如图5所示，在保持台37的上表面形成有刀具行进槽37a，以使设置于刀具单元30的刀具31回转移动而切断保护带PT。在保持台37的俯视时，刀具行进槽37a形成于成为与晶圆W大致相同的形状和大小的位置。

如图5所示，上外壳33A设置于升降驱动机构40。该升降驱动机构40具备：可动台43，其沿着被纵向配置到纵壁41的背部的轨道42可升降；可动框44，其能调节高度地支承到该可动台43；臂45，其从该可动框44朝向前方延伸。在从该臂45的顶端部向下方延伸的支轴46安装固定有上外壳33A。

可动台43通过利用马达48使丝杠轴47正反转而被螺旋进给升降。

如图6所示，上下外壳33A-33C经由流路50与真空装置51连通连接。此外，在上外壳33A侧的流路50设置有电磁阀52。另外，在各外壳33A-33C分别连通连接有具备大气开放用的电磁阀53、54的流路55。而且，在上外壳33A连通连接有设置有利用泄漏对暂且减压后的内压进行调整的电磁阀56的流路57。此外，这些电磁阀52、53、54、56的开闭操作和真空装置51的工作由控制部60进行。

如图5所示，抑制单元8在上外壳33A内设置有抑制构件61。抑制构件61是具有扁平的底面的板。在该抑制构件的上部连结有缸62，该抑制构件在上外壳33A内升降。另外，抑制构件61的位置由控制部60控制成任意的高度。此外，控制部60相当于本发明的第1接近机构和第2接近机构。

如图2、图3和图17所示，剥离单元9具备：可动台65，其沿着导轨64左右水平地移动；固定支承片66，其在该可动台65上升降；可动片68，其被该固定支承片66与缸67开闭。即、剥离单元9利用固定支承片66和可动片68把持被带切断机构6裁除晶圆W的形状后的不需要的保护带PT的一端侧并剥离开。

在带回收部10配置有回收容器69，该回收容器69位于剥离单元9的剥离结束端侧，对被该剥离单元9剥离下的保护带PT进行回收。

粘合带粘贴装置具备框架保持台77。如图3、图4和图15等所示，框架保持台77是包围下外壳33B、33C的外周的环状，设置于回转臂36上。因而，下外壳33B、33C成为一体而回转。在将环框f载置到该框架保持台77时，以下外壳33B、33C的接合部70的上表面与环框f的上表面平齐的方式设定了高度。框架保持台77相当于本发明中的框架保持部。

＜动作的说明>

接着，对利用上述的实施例装置将保护带PT粘贴于安装框MF的晶圆W的一轮的动作进行说明。图7的(a)是说明第1实施例的将保护带PT粘贴于安装框MF的晶圆W的工序的流程图。

步骤S1(保护带的载置)

按照保护带PT的粘贴开始的指示，首先，带供给部4使带隔离膜S的保护带PT从载置单元5放出。并且，如图8所示，保持台37以其上表面的高度成为与下外壳33B的顶部(接合部)70相同的高度的方式上升而移动到以实线表示的带接受位置。

而且，如图8所示，使载置单元5从以虚线表示的初始位置向以实线表示的按压处理开始位置移动。一边使保护带PT的供给和卷取同步，一边使保护带PT从剥离构件20突出预定长度。之后，使按压辊22下降而将保护带PT的顶端按压于下外壳33B的接合部70。

之后，如图9所示，一边使载置单元5向图的左方向移动，一边将保护带PT向下方按压，从而保护带PT被载置于该接合部70和保持台37的整个面。此时，所载置的保护带PT被保持台37吸附保持。然后，如在图9中以实线所示那样，载置单元5停止在从按压处理终端侧的接合部70超出了预定距离的位置。

切断单元23工作，如图10所示，刀具26将保护带PT的后端侧沿着宽度方向(图中，是y方向)切断。在将保护带PT切断成单张后，载置单元5和切断单元23恢复到初始位置。

在载置单元5和切断单元23恢复到初始位置之后，使带切断机构6工作。即，如图11所示，使刀具单元30下降到预定高度，在保持台37的刀具行进槽37a中使刀具31刺入保护带PT。

若刀具31刺入保护带PT，则支承臂29以纵轴心P为回转中心进行回转。与此相伴刀具31沿着刀具行进槽37a进行回转移动，吸附保持于保持台37的保护带PT被切断成与晶圆W大致相同的形状和大小。此时，保护带PT的表面被水平地保持。若保护带PT的切断完成，则刀具单元30上升而返回待机位置。

在保护带PT被切断了之后，使剥离单元9向剥离开始位置移动。如图12所示，利用固定支承片66和可动片68夹持保护带PT的超出下外壳33B的两端侧。然后，如图13所示，剥离单元9以该状态向斜上方移动了预定距离之后，一边使裁除与晶圆相同形状后的不需要的保护带PT水平移动一边剥离开。

不需要的保护带PT被剥离，从而裁成与晶圆W相同的形状的保护带PT以粘合面朝上地暴露的状态被载置于保持台37。若剥离单元9到达带回收部10，则解除保护带PT的把持而使保护带PT向回收容器69落下。

在不需要的保护带PT被剥离了之后，图14所示那样保持台37一边吸附保持保护带PT一边下降而恢复到初始位置。此时，保持于保持台37的保护带PT的表面位于比接合部70低的位置。通过使载置有保护带的保持台37恢复到初始位置，步骤S1的工序完成。

步骤S2(安装框的载置)

在将保护带PT载置到保持台37之后，开始安装框的载置。即、机械臂2A从盒C1输出安装框MF，载置于对准台3。在利用对准台3进行了对位之后，安装框MF被机械臂2A向保持台37的上方输送。

然后，如图15所示，机械臂2A使安装框MF下降，安装框MF被载置于下外壳33B。此时，支承带DT的位于从环框f到晶圆W的外周之间的部分与下外壳33B的顶部(接合部)70接触，环框f被载置于框架保持台77。因此，支承带DT在与接合部70相同的高度成为平坦的状态。

另外，此时，从保持于保持台37的保护带PT的粘合面到晶圆W的表面的距离D1成为能够足够可靠地避免保护带PT与晶圆W在大气压下接触的程度的距离。作为一个例子，距离D1成为3cm～5cm左右。通过使安装框MF载置于下外壳33B，步骤S2的工序完成。

步骤S3(腔室的形成)

在安装框的载置完成了之后，开始腔室的形成，即，如图16所示，使旋转驱动机34工作而使下外壳33B向上外壳33A的下方回转移动。此时，安装固定到回转臂36的另一端侧的下外壳33C向带载置位置移动。在使下外壳33B回转移动了之后，如图17所示，使上外壳33A下降，通过与下外壳33B一起夹持支承带DT而形成腔室7。

步骤S4(台的接近移动)

在形成了腔室之后，进行台的接近移动。即如图18所示那样按照控制部60的控制使保持台37从以虚线表示的初始位置向以实线表示的粘贴位置上升，使保护带PT与晶圆W接近。其结果，从保护带PT到晶圆W的表面的距离从D1成为D2。控制部60进行各种控制，以使保持台37的位置被维持在粘贴位置。

距离D2被预先设定成预定值Lt1以下，以便能够在随后叙述的保护带PT的粘贴工序中避免晶圆W的损伤。预定值Lt1根据晶圆W的厚度、保护带PT的材料等各条件而变化。在实施例1中，预定值Lt1是0.5mm～1mm左右。

此外，此时，保护带PT和晶圆W的表面处于非接触的状态。即距离D2是预定的正的值Lt2以上，作为一个例子，是0.1mm以上。通过距离D2是预定值Lt2以上，无论是否处于大气压下，都能够避免保护带PT与晶圆W的表面接触这样的事态。预定值Lt1相当于本发明中的第1预定值。

在此，除了保持台37的接近移动之外，优选还进行抑制构件61的接近移动。在进行抑制构件61的接近移动的情况下，缸62按照控制部60的控制驱动。由于该驱动，抑制构件61如图18所示那样从以虚线表示的初始位置向以实线表示的抑制位置下降，与支承带DT接近。其结果，从抑制构件61的扁平面61a到支承带DT的距离从E1成为E2。控制部60进行各种控制，以使抑制构件61的位置被维持在抑制位置。

距离E2被预先设定成预定值Lt3以下，以能够避免与晶圆的面垂直的方向(附图中，是z方向)上的气泡的膨胀的产生。预定值Lt3根据晶圆W的厚度、保护带PT的材料等各条件而变化。在实施例1中，预定值Lt3是0.5mm～1mm左右。此外，出于防止气泡的膨胀这样的观点考虑，更优选支承带DT的非粘合面和扁平面61a维持接触状态。即与距离D2不同，距离E2也可以是零。预定值Lt3相当于本发明中的第2预定值。

步骤S5(保护带的粘贴)

在保持台和抑制构件的接近移动完成了之后，开始保护带的粘贴。即控制部60在使电磁阀53、54、56关闭的状态下使真空装置51工作而对上外壳33A内和下外壳33B内进行减压。此时，对电磁阀52的开度进行调整，以使两外壳33A、33B内以相同的速度进行减压。

若两外壳33A、33B内被减压到预定的气压，则控制部60使电磁阀52关闭，并且，使真空装置51的工作停止。

控制部60一边对电磁阀56的开度进行调整而进行泄漏，一边将下外壳33B内逐渐提高到预定的气压。此时，如图19所示，上外壳33A内的气压比下外壳33B内的气压低，由于该压差，保护带PT从其中心起被拉入上外壳33A内。因此，保护带PT从接近配备后的晶圆W的中心朝向外周逐渐粘贴开去。

此时，支承带DT的非粘合面和抑制构件61的扁平面61a在步骤S4中被靠近。因此，即使是在支承带DT与晶圆W的背面之间含有气泡的情况下，该气泡向与晶圆W的面垂直的方向(z方向)膨胀的情况也被抑制构件61抑制。因而，能够恰当地避免起因于z方向上的气泡的膨胀的晶圆W的损伤。

另外，保护带PT的粘合面和晶圆的表面维持已接近到距离D2的位置。因此，即使气泡在支承带DT与晶圆W的背面之间沿着z方向膨胀而晶圆W被向下方按压了，所按压的晶圆W也迅速地隔着保护带PT被保持台37承接。即晶圆W的向下方的由按压力导致的变形被保持台37抑制，因此，能够恰当地避免由于气泡的膨胀而产生晶圆W的翘曲、破损。

若上外壳33A内达到预先设定好的气压，则控制部60对电磁阀54的开度进行调整而使上外壳33A内的气压与下外壳33B内的气压相同。根据该气压调整使保持台37上升而使保持台37的载置面(上表面)与晶圆W的表面处于相同的高度。

若保护带PT被粘贴于晶圆W的整个表面，则控制部60使上外壳33A上升而使上外壳33A内大气开放，并且，使电磁阀54全开而下外壳33B侧也大气开放。由于该大气开放，步骤S5的保护带的粘贴工序完成。

此外，于在腔室7内将保护带PT粘贴于晶圆W的期间内，能够在移动到带载置位置的下外壳33C中进行步骤S1～S2的工序。即、使剥离掉隔离膜S后的保护带PT以粘合面朝上的状态载置于下外壳33C内的保持台37。然后，将保护带PT裁成与晶圆W相同的形状而剥离去除不需要的保护带PT。之后，使由机械臂2B从盒C2输出来的安装框MF载置于下外壳33C。通过如此设置多个下外壳而交替地进行步骤S1～S2的工序，能够提高保护带PT相对于安装框MF的粘贴效率。

步骤S6(安装框的回收)

若在腔室7内保护带PT的粘贴工序完成，则开始安装框的回收。即，如图20所示，使保持台37向初始位置下降，并且使回转臂36反转。另外，此时，也使抑制构件61向初始位置上升。

由于回转臂36的反转，使一个下外壳33B向载置单元5侧的带载置位置移动，使另一个下外壳33C向上外壳33A的下方的接合位置移动。粘贴有保护带PT的安装框MF被机械臂2A从下外壳33B输送，向盒C1的原始位置回收。

此外，于在下外壳33B侧进行安装框MF的回收的期间内，相对于下外壳33C侧的安装框MF进行腔室的形成和保护带PT的粘贴处理等。通过以上步骤，保护带PT向安装框MF的一轮的粘贴动作结束，以后，反复进行相同的处理。

＜实施例1的结构的效果>

根据上述实施例1的结构，在利用腔室的压差而将新的粘合带粘贴于在一个面粘贴有粘合带的晶圆的另一个面的情况下，能够可靠地避免晶圆的损伤等的产生且精度良好地粘贴新的粘合带。

如图21的(a)所示，存在气泡Ar混入到预先粘贴于晶圆W的一个面的粘合带T1与晶圆W之间的情况。在以往的粘合带粘贴装置中，于在腔室内使用压差来将新的粘合带T2粘贴于该晶圆W之际，图21的(b)所示那样气泡Ar沿着全部方向膨胀。

其结果，由膨胀的气泡Ar对晶圆W施加比较大的按压力Ps。另外，保持台等结构不与晶圆W接近，因此，在晶圆W的另一个面形成有较大的空间。因此，在按压力Ps的作用下晶圆W以翘曲的方式变形，进而，产生晶圆W的破损、电路的损伤这样的问题。另外，在气泡Ar沿着z方向膨胀了的情况下，由于该膨胀而粘合带T1拉伸的长度变大，因此，粘合带T1的基材、粘合材料的弹力性丧失而劣化。

在实施例1的装置中，如图21的(c)所示，在腔室7中使压差产生之前使载置有粘合带T2(保护带PT)的保持台37与晶圆W接近相对，使该接近相对状态维持。即、在利用压差进行粘合带T2的粘贴的期间内，各自的位置被控制，以使保持台37与晶圆W之间的距离始终成为预定的小的值D2。

在该情况下，即使是晶圆W被气泡等按压了的情况下，如图21的(d)所示，晶圆W也迅速地被与晶圆W之间的距离维持在D2的保持台37支承。此时，通过控制部60对各构成进行控制，保持台37被保持(被固定)在与半导体晶圆接近的位置。因此，保持台37不会由于气泡的按压而向下方移动。因而，能够抑制晶圆W的变形，并且能够更可靠地避免晶圆W的破损、电路的损伤这样的问题的产生。

另外，以粘合带T2与晶圆W非接触的方式设定距离D2，因此，能够避免在大气压下粘合带T2与晶圆W接触而气泡混入。即使是晶圆W被起因于膨胀了的气泡Ar的按压力Ps按压、而与粘合带T2接触了的情况下，该情况也已经是真空吸引的开始后，因此，气泡不会混入粘合带T2与晶圆之间。因而，能够避免晶圆W的破损、同时将新的粘合带T2向晶圆W精度良好地粘贴。

而且，在实施例1的装置中，如图21的(e)所示，在使压差产生之前使抑制构件61与粘合带T1(支承带DT)接近相对，使该接近相对维持。即、在利用压差进行保护带PT的粘贴的期间内，各自的位置被控制，以使抑制构件61与粘合带T1之间的距离始终成为预定的较小的值E2。

在该情况下，即使是气泡Ar混入支承带DT与晶圆W之间、而该气泡Ar由于减压而膨胀了的情况下，如图21的(f)所示，气泡Ar在与晶圆W的面垂直的方向(z方向)上的膨胀也被接近相对着的抑制构件61的扁平面61a迅速地抑制。

即、要沿着z方向膨胀的气泡Ar由于位置被固定着的抑制构件61的扁平面61a而受到回弹力，因此，沿着z方向的膨胀被限制。此时，通过控制部60对各构成进行控制，抑制构件61被保持(被固定)在扁平面61a与粘合带T1接近的预定的位置。因此，抑制构件61不会由于气泡的按压而向上方移动。

其结果，气泡Ar以沿着晶圆W的面(xy平面)扩展的方式膨胀，因此，与以往的结构相比，z方向上的按压力Ps被降低。因而，能够抑制由过量的按压力Ps导致的晶圆W的变形，并且，能够更可靠地避免晶圆W的破损、电路的损伤这样的问题的产生。另外，能够抑制由于沿着z方向的气泡的膨胀而粘合带T1伸长的事态，因此，能够避免起因于该拉伸的粘合带T1的劣化。

而且，通过维持预定的较短的距离E2，抑制构件61构成为相对于晶圆W保持接近相对状态或接触状态。因此，抑制构件61不会对晶圆W不必要地施加按压力，因此，能够可靠地避免晶圆W损伤的事态、在大气压下晶圆W与粘合带T2接触的事态等的产生。

在实施例1中，使抑制构件61和保持台37这两者接近移动，在维持了与粘合带T2之间的接近相对状态之后使压差产生。因此，在利用压差将粘合带T2粘贴于晶圆W之际，分别获得按压力Ps的降低和晶圆W的变形的抑制这样的效果。其结果，在使腔室7内减压而利用压差进行粘合带T2的粘贴的情况下，能够相辅相成地提高晶圆W的破损防止、电路的损伤防止这样的效果。

【实施例2】

接着，说明本发明的实施例2。在实施例1中，以将保护带PT粘贴于安装框MF的晶圆W的构成为例进行了说明。在实施例2中，以如下安装处理的构成为例进行说明：跨在表面预先粘贴有保护带PT的晶圆W的背面和环框地新粘贴支承带DT而制作安装框MF。此外，对于与实施例1的粘合带粘贴装置相同的结构，标注相同附图标记，详细叙述不同的构成部分。在实施例2中，保护带PT相当于本发明中的第1粘合带，支承带DT相当于本发明中的第2粘合带。

如图22和图23所示，实施例2的粘合带粘贴装置新具备框架供给部75、机械臂76、以及切断单元78。另外，带回收部4的位置和隔离膜回收部12的位置互逆。并且，成为能够省略带切断机构6的结构。

框架供给部75设置于盒C1的旁边。连结有在该空间层叠收纳有环框f的手推车类型的输送车V。该输送车V构成为，在其内部设置有升降台。在该升降台层叠有环框f，以预定间距升降且从上方的开口逐张将环框f向机械臂76交接。

机械臂76利用呈马蹄形的保持部吸附保持环框f的上表面来进行输送。

切断单元78用于沿着环框f切断被跨晶圆W和环框f地粘贴的支承带DT。如图24所示，切断单元78配备于使上外壳33A升降的升降驱动机构40。切断单元78具备借助轴承79绕支轴46旋转的毂部80。在该毂部80的中心设置有沿着径向延伸的4根支承臂81～支承臂84。

水平轴支承有圆板形的刀具85的刀具支架可上下移动地安装固定在一个支承臂81的顶端，并且，在其他支承臂82～支承臂84的顶端借助摆动臂88可上下移动地安装固定有按压辊87。

在毂部80的上部具有连结部89，该连结部89与设置于臂45的马达90的旋转轴驱动连结。

接着，在实施例2的粘合带粘贴装置中，对功能与实施例1的装置的功能不同的结构进行说明。

在晶圆供给/回收部1的盒C1和C2，以表面朝下的水平姿势呈多层插入收纳有许多张晶圆W。在各晶圆W的表面预先粘贴有保护带PT。

晶圆输送机构2的晶圆保持部插入被呈多层收纳到盒C的晶圆W彼此的间隙，从背面吸附保持晶圆W。所吸附保持的晶圆W被从盒C拉出而按照对准台3、保持台37以及晶圆供给/回收部1的顺序输送。

对准台3构成为，基于在晶圆W的外周形成的凹口、定位平面等对由晶圆输送机构2输入载置了的晶圆W进行对位。

带供给部4构成为，在供给卷轴17装填有卷成卷的宽幅的支承带DT，将从该供给卷轴17放出的带隔离膜S的支承带DT向引导辊18卷绕引导，剥离掉隔离膜S后的支承带DT向粘贴单元2A引导。

隔离膜回收部12构成为，用于对从支承带DT剥离下的隔离膜S进行卷取的回收卷轴19被沿着卷取方向旋转驱动。

载置单元5用于将隔离膜S剥离掉的支承带DT以粘合面朝下的状态粘贴于下外壳33B、33C的接合部70，具备剥离构件20、升降辊21以及按压辊22。

剥离构件20的顶端具有锋利的边缘。利用该边缘斜向下的该剥离构件20将隔离膜S折回而将支承带DT剥离。即、使支承带DT从剥离构件20向前方突出。升降辊21与剥离构件20协作而适时地把持支承带DT。按压辊22将保护带PT的从剥离构件20的顶端突出的顶端按压而粘贴于下外壳33B、33C的接合部70。切断单元23沿着宽度方向切断支承带DT。

保持台37以晶圆W的表面朝下的状态吸附保持已粘贴有保护带PT的晶圆W。如图22和图24所示，保持台37内置有多根支承销71。支承销71构成为，可上下移动，能够将其顶端比保持台37的保持面高地顶起。

剥离单元9利用固定支承片66和可动片68把持被切断单元78裁除后的不需要的支承带DT的一端侧并剥离开去。在带回收部10配置有对被剥离单元9剥离下的不需要的支承带DT进行回收的回收容器69。

＜动作的说明>

在此，对利用实施例2的粘合带粘贴装置跨带保护带PT的晶圆W和环框f地粘贴支承带DT而制作安装框MF的一轮的动作进行说明。图7的(b)是说明实施例2的安装处理的动作的工序的流程图。

步骤S1(晶圆的载置)

按照支承带DT的粘贴开始的指示，首先，机械臂2A将晶圆W从盒C1输出，载置于对准台3。在利用对准台3进行了对位之后，机械臂2A向位于带粘贴位置的保持带37输送。

如图25所示，保持台37使多根支承销71顶起得比下外壳33B的顶部(接合部)70高而接受晶圆W。接受晶圆W后的支承销71下降，该晶圆W被保持台37的保持面吸附保持。此时，晶圆W的表面位于比接合部70低的位置。通过保持台37隔着保护带PT吸附保持晶圆W，步骤S1的工序完成。

步骤S2(环框的载置)

在晶圆的载置完成了之后，开始环框的载置。即机械臂76将环框f从框架供给部75输出而载置于位于带粘贴位置的框架保持台77。步骤S2的工序既可以在步骤S1之前进行，也可以在执行步骤S1的期间内进行。

步骤S3(将支承带粘贴于环框)

若晶圆的载置和环框的载置完成，则开始步骤S3的工序。即，如图26的(a)所示，使载置单元5从以虚线表示的初始位置向以实线表示的粘贴处理开始位置移动。一边使支承带DT的供给和卷取同步，一边使支承带DT从剥离构件20突出预定长度。之后，使按压辊22下降而将支承带DT的顶端向环框f的上表面按压。

如图26的(b)所示，载置单元5从以虚线表示的按压处理开始位置向以实线表示的终端位置移动、同时跨环框f和下外壳33B的接合部70地粘贴支承带DT。此时，晶圆W的背面与支承带DT的粘合面隔开预先确定好的距离D1而相对。若载置单元5到达终端位置，则利用切断单元23沿着宽度方向切断支承带DT。实施例2的步骤S3相当于本发明中的第1粘贴过程。

步骤S4(腔室的形成)

若支承带DT被粘贴于环框f，则与实施例1同样地进行腔室的形成。即、在使旋转驱动机34工作而使下外壳33B回转移动到上外壳33A的下方之后，使上外壳33A下降。然后，利用下外壳33B和上外壳33A夹持支承带DT而形成腔室7。此时，从支承带DT的非粘合面到抑制构件61的扁平面61a的距离是E1。

步骤S5(台的接近移动)

在形成了腔室之后，进行台的接近移动。即图27所示那样按照控制部60的控制而使保持台37从以虚线表示的初始位置向以实线表示的粘贴位置上升，使晶圆W与支承带DT接近。其结果，从支承带DT到晶圆W的表面的距离从D1成为D2。控制部60进行各种控制，以使保持台37的位置被维持在粘贴位置。此外，此时，支承带DT和晶圆W的表面是非接触的状态。

距离D2被预先设定成预定值Lt1以下，以便能够在随后叙述的保护带PT的粘贴工序中避免晶圆W的损伤。预定值Lt1根据晶圆W的厚度、保护带PT的材料等各条件而变化。在实施例1中，预定值Lt1是0.5mm～1mm左右。对于距离D2的值，与实施例1相同。

在此，除了保持台37的接近移动之外，优选还进行抑制构件61的接近移动。在进行抑制构件61的接近移动的情况下，缸62按照控制部60的控制驱动。由于该驱动，抑制构件61从图27所示那样以虚线表示的初始位置向以实线表示的抑制位置下降，与支承带DT的非粘合面接近。

其结果，从抑制构件61的扁平面61a到支承带DT的距离从E1成为E2。控制部60进行各种控制，以使抑制构件61的位置被维持在抑制位置。即、被控制成从扁平面61a到支承带DT的距离始终为E2。此外，为了更迅速地抑制晶圆W的变形，优选距离E2更小。尤其是，优选对抑制构件61的高度进行控制以使扁平面61a保持与支承带DT接触的状态。

步骤S6(将支承带粘贴于晶圆)

在保持台和抑制构件的接近移动完成了之后，开始支承带的粘贴。即控制部60与实施例1同样地，在将电磁阀53、54、56关闭的状态下，使真空装置51工作而对上外壳33A内和下外壳33B内以相同的速度进行减压。若两外壳33A、33B内被减压到预定的气压，则控制部60使电磁阀52关闭，并且，使真空装置51的工作停止。

控制部60一边对电磁阀56的开度进行调整而进行泄漏，一边使上外壳33A内逐渐提高到预定的气压。此时，如图28所示，下外壳33B内的气压比下外壳33B内的气压低，由于该压差，支承带DT从其中心向下外壳33B内拉入。因此，支承带DT从所接近配备的晶圆W的中心朝向外周逐渐粘贴开去。

此时，保持台37吸附保持着保护带PT，因此，被控制成保持台37与保护带PT之间的距离为零。因此，即使是气泡卷入到保护带PT与晶圆W之间的情况下，也能够避免在减压之际该气泡沿着z方向膨胀。因而，能够避免由于过量的按压力向上方作用于晶圆W而晶圆W破损这样的事态。

而且，从晶圆W到抑制构件61的距离被维持在非常小的值(D2+E2)。因此，即使是起因于卷入到保护带PT与晶圆W之间的气泡膨胀而晶圆W被向上方按压了的情况，晶圆W也迅速地被抑制构件61的扁平面61a承接。即、晶圆W的翘曲、变形被抑制构件61恰当地抑制。其结果，能够更可靠地防止晶圆W的变形、破损这样的事态的产生。

若上外壳33A内达到预先设定好的气压，则控制部60对电磁阀54的开度进行调整而使下外壳33B内的气压与上外壳33A内的气压相同。根据该气压调整使保持台37上升，使晶圆W的上表面(在此是晶圆的背面)和环框f的上表面处于相同的高度。

此外，于在腔室7内进行着支承带DT的粘贴处理的期间内切断单元78工作。此时，如图28所示，切断单元78以纵轴心P为回转中心回转。由于该回转，刀具85将粘贴到环框f的支承带DT切断成环框f的形状。并且，按压辊87追随刀具85而一边在环框f上的带切断部位上滚动一边按压。

也就是说，在由下降后的上外壳33A和下外壳33B构成了腔室7之时，切断单元78的刀具85和按压辊87也到达切断作用位置。如此支承带DT被粘贴于晶圆W的背面整体，并且，沿着环框f被切断。

若支承带DT的粘贴和切断完成，则控制部60使上外壳33A上升而使上外壳33A内大气开放，并且，使电磁阀54全开而下外壳33B侧也大气开放。由于该大气开放，步骤S6的支承带的粘贴工序完成。实施例2的步骤S6相当于本发明中的第2粘贴过程。

此外，于在腔室7内将保护带PT粘贴于晶圆W的期间内，利用机械臂2A和机械臂76将晶圆W和环框f载置于处于带载置位置的下外壳33C和框架保持台77，进行粘合带DT的粘贴处理。

步骤S7(安装框的回收)

若在腔室7内支承带DT的粘贴工序完成，则开始安装框的回收。即、使保持台37向初始位置下降，并且，使回转臂36反转。另外，此时，抑制构件61也向初始位置上升(参照图20)。

由于回转臂36的反转，使一个下外壳33B向载置单元5侧的带载置位置移动，使另一个下外壳33C向上外壳33A的下方的接合位置移动。

在使回转臂36反转了之后，使剥离单元9向剥离开始位置移动。如图29所示，利用固定支承片66和可动片68夹持支承带DT的超出环框f的两端侧。在该状态下向斜上方移动了预定距离之后，一边进行水平移动一边将沿着环框f裁除后的不需要的支承带DT剥离开。

若剥离单元9到达带回收部10，则解除支承带DT的把持而使不需要的支承带DT向回收容器69落下。支承带DT被粘贴于晶圆W而制作成的安装框MF被机械臂2A从下外壳33B输送，向盒C1的原始位置回收。

此外，在下外壳33B侧，粘合带DT的剥离处理和回收处理完成，在进行晶圆W和环框f一体地制作成的安装框的输出的期间内，在下外壳33C侧，进行向晶圆W的支承带DT的粘贴处理和切断处理。通过以上步骤，向晶圆W粘贴支承带DT的一轮的动作结束，以后，反复进行相同的处理。

如此，在实施例2的粘合带粘贴装置中，也在利用腔室的压差将支承带DT粘贴于在一个面粘贴有保护带PT的晶圆W的另一个面的工序中，能够更可靠地避免晶圆W的变形、破损。即、在使腔室7的内部减压之际使保持台37与支承带DT的粘合面接近，并且，使抑制构件61与支承带DT的非粘合面接近或接触。

因此，即使是气泡卷入到预先粘贴的保护带PT与晶圆W之间的情况下，也能够使在减压之际由于该气泡沿着z方向膨胀而作用于晶圆W的按压力大幅度降低。另外，即使晶圆W被向上方按压，该晶圆W的变形也被抑制构件61的扁平面61a迅速地抑制。其结果，在支承带DT的粘贴工序中，能够更可靠地防止晶圆W的变形、破损。

另外，保持台37吸附着晶圆W，因此，能够防止被卷入到保护带PT与晶圆W之间的气泡沿着z方向膨胀。因此，能够降低作用于晶圆W的电路面的按压力，并且，能够恰当地避免起因于保护带PT的拉伸的保护带PT的劣化。

【实施例3】

接着，对本发明的实施例3进行说明。在实施例3中，与实施例1同样地，对于支承带DT粘贴到晶圆W的背面而成的安装框MF，成为在晶圆W的表面粘贴保护带PT的结构。但是，腔室7的内部的结构在实施例1和实施例3不同。

在实施例1中，如图17所示，以框架保持台77配置于腔室7的外侧的结构为例进行了说明。即在实施例1中，成为利用一对外壳33A和33B夹持支承带DT的位于环框f与晶圆W之间的部分而形成腔室7的结构。另一方面，在实施例3中，如图31所示，保持环框f的框架保持部77配置于腔室7的内部。即、以安装框MF的整体收纳到腔室7的内部的状态形成腔室7。

另外，在实施例3中，保持保护带PT的保持台37设置于上外壳33A，抑制构件61设置于下外壳33B。具有扁平面61a的抑制构件61能升降移动，具备供晶圆W载置而保持的功能。保持台37构成为可升降移动。此外，与实施例1同样地，也可以是，保持台37设置于下外壳33B、抑制构件61设置于上外壳33A的结构。在实施例3中，保持台37相当于本发明中的带保持部和第1抑制构件，抑制构件61相当于本发明中的晶圆保持部和第2抑制构件。

对利用实施例3的粘合带粘贴装置将保护带PT粘贴于安装框MF的晶圆W的一轮的动作进行说明。实施例3中的动作的流程图依据实施例1。与实施例1同样地，在实施例3中，支承带DT相当于本发明中的第1粘合带，保护带PT相当于本发明中的第2粘合带。

步骤S1(保护带的保持)

按照保护带PT的粘贴开始的指示，首先，带隔离膜S的保护带PT被放出，载置单元5将隔离膜S从保护带PT剥离、同时按压辊22将保护带PT向上方按压到保持台37。由于该按压，保护带PT被载置于保持台37，保持台37对保护带PT进行吸附保持。然后，与实施例1同样地，保护带PT被切断单元23和带切断机构6裁成与晶圆W相同的形状。裁除的不需要的保护带PT被剥离单元9剥离，向回收容器69回收。

步骤S2(安装框的载置)

在保护带PT被保持到保持台37之后，与实施例1同样地安装框MF被输出，在利用对准台3进行了对位之后，安装框MF被载置于下外壳33B。此时，晶圆W被载置于抑制构件61，环框f被载置于框架保持台77。

步骤S3(腔室的形成)

在安装框的载置完成了之后，使下外壳33B向上外壳33A的下方回转移动。然后，使上外壳33A下降，使上外壳33A和下外壳33B密合而形成腔室7。图31表示在实施例3中形成了腔室7之后的状态。此时，从保持于保持台37的保护带PT的粘合面到晶圆W的表面的距离D1成为足够能够可靠地避免保护带PT和晶圆W在大气压下接触的程度的距离。

步骤S4(台的接近移动)

在形成了腔室之后，进行台的接近移动。即如图32所示那样按照控制部60的控制使保持台37从以虚线表示的初始位置向以实线表示的粘贴位置下降，使保持台37和保护带PT与晶圆W接近。其结果，从保护带PT到晶圆W的表面的距离从D1成为D2。控制部60进行各种控制，以使保持台37的位置被维持在粘贴位置。在实施例3中，保持台37相当于本发明中的第1抑制构件，抑制构件61相当于本发明中的第2抑制构件。

距离D2被预先设定成预定值Lt1以下，以能够在随后叙述的保护带PT的粘贴工序中避免晶圆W的损伤。在实施例3中，预定值Lt1设为0.5mm～1mm左右。另外，保护带PT与晶圆W的表面是非接触的状态。即距离D2是预定的正的值Lt2以上，作为一个例子，是0.1mm以上。

步骤S5(保护带的粘贴)

在保持台的接近移动完成了之后，开始保护带的粘贴。即控制部60在将电磁阀53、54、56关闭的状态下使真空装置51工作而对腔室7的内部进行减压。

此时，支承带DT的非粘合面与抑制构件61的扁平面61a接触。因此，即使是在支承带DT与晶圆W的背面之间含有气泡的情况下，在减压之际该气泡沿着与晶圆W的面垂直的方向(z方向)膨胀的情况被抑制构件61抑制。因而，能够恰当地避免起因于z方向上的气泡的膨胀的晶圆W的损伤。另外，通过使距离D2是预定值Lt2以上，无论是否是大气压下，都能够避免保护带PT与晶圆W的表面接触这样的事态。

另外，保护带PT的粘合面与晶圆的表面维持在接近到距离D2的位置。因此，即使气泡在支承带DT与晶圆W的背面之间沿着z方向膨胀而晶圆W被向上方按压了，所按压的晶圆W迅速地隔着保护带PT被保持台37承接。即由向上方的按压力导致的晶圆W的变形被保持台37抑制，因此，能够恰当地避免起因于减压时的气泡的膨胀而产生晶圆W的翘曲、破损。

若腔室7的内部的气压被减压成预定的值，则控制部60使电磁阀52关闭，并且，使真空装置51的工作停止。并且，如图33所示，控制部60使保持台37进一步向下方移动，并且，使由保持台37对保护带PT的吸附保持解除。此时，在减压下，保护带PT被保持台37按压于晶圆W的表面。因此，不卷入气泡，就能够将保护带PT粘贴于晶圆W。

若保护带PT被粘贴于晶圆W的整个表面，则控制部60使电磁阀53、54、56全开而使腔室7大气开放。由于该大气开放，步骤S5的保护带的粘贴工序完成。

步骤S6(安装框的回收)

若在腔室7内保护带PT的粘贴工序完成，则开始安装框的回收。步骤S6的工序与实施例1相同。即，使回转臂36反转而使下外壳33B向载置单元5侧的带载置位置移动。粘贴有保护带PT的安装框MF被机械臂2A从下外壳33B输送，向盒C1的原始位置回收。

在实施例3中，如所示那样，也能够将本发明的结构适用于在将安装框MF收纳到腔室7的内部的状态下使腔室7内减压、将保护带PT粘贴于安装框MF的结构。在将安装框MF在大气压下制作了的情况下，存在微细的气泡Ar卷入到晶圆W与支承带DT之间的情况。若在该状态使安装框MF的周围减压，则气泡Ar膨胀而可能产生晶圆的变形、破损、或支承带DT的变形、劣化。

在本发明的装置中，在使腔室7的内部减压之前使具有扁平面且用于对保护带PT进行保持的保持台37与晶圆W接近。因此，即使由于气泡Ar的膨胀而晶圆W被按压了，晶圆W迅速地被保持台37的扁平面承接。即由膨胀了的气泡的按压力导致的晶圆W的变形被保持台37抑制，因此，能够恰当地避免起因于减压时的气泡Ar的膨胀而产生晶圆W的翘曲、破损。

此外，此时，通过使保持台37与晶圆W接近，保持台37所保持着的保护带PT也与平坦的晶圆W接近。即，即使是卷入到保持台37与保护带PT之间的气泡由于减压而膨胀、保护带PT被沿着z方向按压了的情况下，保护带PT也迅速地被晶圆W和抑制构件61抑制。因而，能够更可靠地避免起因于气泡的膨胀而在保护带PT产生凹凸、褶皱、保护带PT被向晶圆W不均匀地粘贴等不良情况的事态。

而且，在本发明的装置中，在使腔室7的内部减压之前使抑制构件61与支承带DT接触。因此，由气泡Ar的膨胀导致的支承带DT的拉伸被抑制构件61迅速地抑制。因而，能够更可靠地防止由支承带DT的拉伸导致的支承带DT的变形、劣化。

通过如此设为在使具有扁平面的构件与保护带PT或支承带DT的两面接近或接触了的状态进行减压的结构，粘合带被沿着面方向按压或变形的情况被具有扁平面的构件抑制。其结果，能够防止起因于在大气压下卷入到粘合带的气泡的膨胀对粘合带或晶圆W的不良影响。

此外，也能够将实施例3那样的、环框f和晶圆W的整体收纳于腔室7的内部的结构适用于实施例2的结构。即，也可以是，将在表面预先粘贴有保护带PT的晶圆W和环框f收纳于腔室7的内部，跨晶圆W的背面和环框f新粘贴支承带DT而制作安装框MF。

此外，本发明也能以以下那样的形态实施。

(1)在上述各个实施例中，均以使用环框f的结构为例进行了说明，但并不限于此。即，如图30所示，只要是利用腔室7的压差将第2粘合带T2粘贴于预先在一个面粘贴有第1粘合带T1的晶圆W的另一个面的工序，就可适用本发明的结构。

(2)在上述各个实施例和变形例中，是具备两台下外壳33B、33C的结构，但也可以是1台。在该情况下，下外壳既可以构成为与上述实施例同样地利用回转臂36进行回转移动，也可以沿着直线轨道滑动移动。

(3)在上述各个实施例和变形例中，保持台37和抑制构件61也可以分别是还内置加热器的结构。作为一个例子，在图24中示出在抑制构件61内置有加热器63的结构。在该情况下，于在腔室7的内部执行粘贴工序之际，构成保护带PT和支承带DT各自的粘合剂和基材被加热器加热而软化。其结果，使各粘合带更易于变形。此外，也可以是在保持台37和抑制构件61中的任一者设置加热器的结构。

(4)在上述实施例1的步骤S1中，对使隔离膜S剥离后的带状的保护带PT载置于保持台37、裁成晶圆W的形状的结构为例进行了说明。不过，只要是使粘合面朝上地暴露了的保护带PT载置于保持台37的结构，步骤S1的工序不会限于此。

作为实施例1的变形例的一个例子，可列举出使预先根据晶圆W的形状而预切割成的保护带PT载置于保持台37的结构等。另外，也可以是，在将载置到保持台37的保护带PT切断成单张的状态下完成步骤S1，在进行了步骤S5的粘贴工序之后沿着晶圆W的外形切断保护带PT。

(5)如图34所示，本发明的结构可广泛地适用于在减压下将第2粘合带T2粘贴于预先在一个面粘贴有第1粘合带T1的晶圆W的另一个面的结构。即、只要是在使具有扁平面的构件与晶圆W的至少一个面(优选两个面)接近了的状态下使晶圆W的周围减压、在减压状态下粘贴第2粘合带T2的结构，进行减压的结构不会限于腔室7。

另外，将第2粘合带T2粘贴于晶圆W的方法不会限于使用压差的构成。作为该方法的另一个例子，可列举出如在图33所示那样的、利用使保持有第2粘合带T2(保护带PT)的扁平的构件(在实施例3中，是保持台37)向晶圆W按压的加压操作来进行粘贴的构成、如图35所示那样的利用被收纳到腔室7的内部的粘贴辊91的滚动来进行粘贴的构成等。

作为使用粘贴辊91的结构的动作的例子，可列举以下那样的例子。即在使保持着保护带PT的保持台37与晶圆W接近了的状态下，进行腔室7内部的减压。在减压完成后，通过使保持台37进一步下降、同时将吸附保持解除，使保护带PT载置于晶圆W。然后，通过使粘贴辊91从图35中的以虚线表示的位置向以实线表示的位置滚动，保护带PT被按压而粘贴于晶圆W。

(6)在实施例3中，例示了通过使安装框MF载置于抑制构件61来使支承带DT与抑制构件61接触的结构，但并不限于在使抑制构件61接触了的状态下进行减压的结构。即也可以是在使具有扁平面61a的抑制构件61与安装框MF接近了的状态下进行减压。在该情况下，在将从扁平面61a到支承带DT的距离控制成预定值Lt3以下的E2的状态下开始减压，在减压状态下进行带的粘贴。

(7)在实施例3中，以保持台37兼备作为第1抑制构件的功能和对保护带PT进行保持的功能的结构为例进行了说明，但如图36所示，作为与保持台37不同的构件，也可以具备具有扁平面的抑制构件93。另外，在实施例3中，抑制构件61兼备作为第2抑制构件的功能和对晶圆W进行保持的晶圆保持部的功能，但作为一个例子，也可以具备环状的晶圆保持部95作为与具有扁平面的抑制构件61不同的构件的结构。在变形例(7)中，抑制构件93相当于本发明中的第1抑制构件，抑制构件61相当于本发明中的第2抑制构件。

在变形例(7)的粘合带粘贴装置中，在将第2粘合带T2粘贴于晶圆W的另一个面的情况下，动作的流程图依据实施例1。首先，使第2粘合带T2保持于保持台37(相当于步骤S1)。接着，使粘贴有第1粘合带T1的晶圆W保持于晶圆保持部95(相当于步骤S2)。然后，将上外壳33A和下外壳接合而形成腔室7(相当于步骤S3)。图36表示在变形例(7)中步骤S3完成后的状态。此时，抑制构件61和抑制构件93与晶圆W分开。

然后，在步骤S4中，如图37所示，使抑制构件61和抑制构件93与晶圆W接近。即、使抑制构件61与粘贴于晶圆W的第1粘合带T1的非粘合面接近(或接触)，并且，使抑制构件93与晶圆W的另一个面接近。其结果，抑制构件93与晶圆W之间的距离从D1成为作为微小距离的D2。另外，抑制构件61与第1粘合带T1之间的距离从E1成为作为微小距离的E2。

在步骤S5中，使腔室7的内部减压。即使是卷入到第1粘合带T1与晶圆W之间的气泡由于减压而膨胀、第1粘合带T1的一部分被沿着z方向按压了的情况下，第1粘合带T1迅速地被抑制构件61抑制。因此，能够防止由于第1粘合带T1的一部分沿着z方向拉伸而第1粘合带T1劣化的事态、第1粘合带T1与晶圆W之间的密合性的降低的事态等。另外，即使晶圆W被沿着z方向按压，也被抑制构件93抑制，因此，能够防止晶圆W的破损、变形等。

若减压完成，则利用保持台37的加压、粘贴辊的滚动等将第2粘合带T2粘贴于晶圆W。此时，根据需要使抑制构件61和第1抑制构件93与晶圆W分开/退避后进行第2粘合带T2的粘贴。在第2粘合带T2的粘贴完成之后进入步骤S6，对在两面粘贴有粘合带的晶圆W进行回收。

(8)本发明的、在使具有扁平面的构件与粘合带T接近了的状态下进行减压的结构也可广泛地适用于在减压下将粘合带T粘贴于晶圆W的结构。将这样的在减压下将粘合带T粘贴于晶圆W的一个面的结构的例子表示在图38的(a)中。

在变形例(8)的粘合带粘贴装置中，保持粘合带T的保持台37设置于下外壳33B，利用吸附等来保持晶圆W的晶圆保持部95设置于上外壳33A。在本结构中，保持台37兼备作为抑制粘合带T被沿着z方向按压而拉伸的抑制构件的功能。

晶圆保持部95具备可利用控制部60进行升降移动的结构。粘合带T以粘贴于平坦的支撑板G的状态被保持于保持台37。一般而言，粘合带T相对于支撑板G的粘贴在大气压下进行。不过，也可以省略支撑板G而使粘合带T直接载置保持于保持台37。

在变形例(8)中，在将粘合带T粘贴于晶圆W的情况下，使保持台37保持已粘贴有粘合带T的支撑板G，在使晶圆W保持到晶圆保持部95之后，形成腔室7(步骤S1～S3)。然后，在对腔室7的内部进行减压之前，如图38的(b)所示那样使晶圆保持部95下降而与粘合带T的粘合面接近。通过该接近控制，使保持有晶圆保持部95的晶圆W与粘合带T之间的距离维持成微小距离D2(步骤S4)。

构成为，在该接近状态下，粘合带T的粘合面与晶圆W隔开微小距离地相对。之后，在使晶圆保持部95与粘合带T接近了的状态下对腔室7的内部进行减压，在减压下，将保持台37和支撑板G向晶圆W按压而将粘合带T粘贴于晶圆W(步骤S5)。

对于在减压下将粘合带T粘贴于晶圆W的结构，在不使晶圆保持部95接近就进行了减压的情况下，以沿着z方向较大的空间与粘合带T接触的状态进行减压。一般而言，粘合带T相对于支撑板G的粘贴在大气压下预先进行，因此，存在微小的气泡Ar卷入粘合带T与支撑板G之间的情况(图39的(a))。

因而，若对腔室7的内部进行减压，则所卷入的气泡Ar膨胀而沿着z方向产生较强的按压力Ps。其结果，在不使晶圆保持部95与粘合带T接近就进行了减压的情况下，粘合带T的一部分被沿着z方向(与粘合带T的面垂直的方向)按压而大幅度拉伸，在粘合带T产生凹凸、褶皱(图39的(b))。其结果，将产生有凹凸、褶皱的粘合带T粘贴于晶圆W，因此，晶圆W与粘合带T之间的密合性降低(图39的(c))。

在变形例(8)的结构中，粘合带T的非粘合面与扁平的保持台37接触，维持扁平的晶圆保持部95(和晶圆W)与粘合带T的粘合面接近的状态。因此，即使是卷入到支撑板G与粘合带T之间的气泡Ar由于减压处理而膨胀了的情况下，要被沿着z方向按压的粘合带T迅速地被保持台37、或晶圆保持部95(和晶圆W)抑制(图39的(d))。另外，沿着z方向的气泡Ar的膨胀被在z方向上与粘合带T接近着的晶圆保持部95和保持台37抑制。

因而，对于在减压下将粘合带T粘贴于晶圆W的结构中，能够避免起因于减压处理时的气泡Ar的膨胀而在粘贴于晶圆W前在粘合带T形成凹凸、褶皱。其结果，能够更可靠地避免起因于凹凸、褶皱的形成的以下事态等：粘合带T的劣化、粘合带T被不均匀地粘贴于晶圆W的事态、产生支撑板G与粘合带T之间的错位的事态等。

此外，各实施例和各变形例的结构也能够适用在变形例(8)中。例如，也可以是保持台37不与粘合带T接触而接近的结构。另外，如图40所示，也可以设置有不同于保持台37的具有扁平面61a的抑制构件61。在该情况下，使抑制构件61与粘合带T的非粘合面接近或接触、维持抑制构件61的扁平面61a抑制粘合带T的非粘合面的状态、同时进行腔室7的减压。

Claims (25)

1.一种粘合带粘贴方法，在该粘合带粘贴方法中，将第2粘合带粘贴于在一个面粘贴有第1粘合带的半导体晶圆的另一个面，其特征在于，该粘合带粘贴方法具备如下过程：

带保持过程，在该带保持过程中，利用保持台保持所述第2粘合带；

腔室形成过程，在该腔室形成过程中，通过利用一对外壳夹持所述第1粘合带的超出所述半导体晶圆的外缘的部分并进行接合，从而形成腔室；

第1接近过程，在该第1接近过程中，使所述保持台与所述半导体晶圆接近，使所述半导体晶圆与所述第2粘合带的粘合面之间的距离维持在预先设定好的第1预定值；

粘贴过程，在该粘贴过程中，在利用一对外壳夹持着所述第1粘合带的状态下，一边使所述腔室内的所述半导体晶圆侧的空间的气压比另一侧的空间的气压低，一边将所述第2粘合带粘贴于半导体晶圆，

所述第1预定值被设定为，能够避免由所述粘贴过程中的气压的降低导致的所述半导体晶圆与所述第1粘合带之间的气泡膨胀而使所述半导体晶圆损伤的情况。

2.根据权利要求1所述的粘合带粘贴方法，其特征在于，

所述半导体晶圆借助所述第1粘合带与环框粘接保持，

在所述腔室形成过程中，一边利用框架保持部保持所述环框，一边利用一对外壳夹持所述第1粘合带的位于所述环框与所述半导体晶圆之间的部分而形成腔室。

3.根据权利要求1所述的粘合带粘贴方法，其特征在于，

该粘合带粘贴方法具备第2接近过程，在该第2接近过程中，使具有扁平面的抑制构件与所述第1粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述第1粘合带之间的距离维持在预先设定好的第2预定值。

4.一种粘合带粘贴方法，在该粘合带粘贴方法中，将第2粘合带粘贴于在一个面粘贴有第1粘合带的半导体晶圆的另一个面，其特征在于，该粘合带粘贴方法具备如下过程：

晶圆保持过程，在该晶圆保持过程中，利用保持台保持所述半导体晶圆；

第1粘贴过程，在该第1粘贴过程中，将所述第2粘合带粘贴于构成腔室的一对外壳的一者的接合部；

第1接近过程，在该第1接近过程中，使所述保持台与所述第2粘合带接近，使所述半导体晶圆与所述第2粘合带的粘合面之间的距离维持在预先设定好的第1预定值；

第2接近过程，在该第2接近过程中，使具有扁平面的抑制构件与所述第2粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述第2粘合带之间的距离维持在预先设定好的第2预定值；

第2粘贴过程，在该第2粘贴过程中，在通过利用一对外壳夹持所述第2粘合带并进行接合而形成了所述腔室的状态下，一边使所述腔室内的所述半导体晶圆侧的空间的气压比另一侧的空间的气压低，一边将所述第2粘合带粘贴于半导体晶圆，

所述第1预定值被设定为，能够避免由所述第2粘贴过程中的气压的降低导致的所述半导体晶圆与所述第1粘合带之间的气泡膨胀而使所述半导体晶圆损伤的情况，

所述第2预定值被设定为，能够避免由所述第2粘贴过程中的气压的降低导致的所述半导体晶圆与所述第1粘合带之间的气泡在与所述半导体晶圆的面垂直的方向上膨胀的情况。

5.根据权利要求4所述的粘合带粘贴方法，其特征在于，

该粘合带粘贴方法具备利用框架保持部保持环框的框架保持过程，

在所述第1粘贴过程中，跨构成腔室的一对外壳的一者的接合部与通过所述框架保持过程保持着的所述环框地粘贴所述第2粘合带。

6.一种粘合带粘贴方法，在该粘合带粘贴方法中，将第2粘合带粘贴于在一个面粘贴有第1粘合带的半导体晶圆的另一个面，其特征在于，该粘合带粘贴方法具备如下过程：

带保持过程，在该带保持过程中，利用保持台保持所述第2粘合带；

晶圆保持过程，在该晶圆保持过程中，利用晶圆保持部保持所述半导体晶圆；

腔室形成过程，在该腔室形成过程中，通过将一对外壳接合，形成用于收纳所述保持台和所述晶圆保持部的腔室；

第1接近过程，在该第1接近过程中，使第1抑制构件与所述半导体晶圆接近，使所述半导体晶圆与所述第1抑制构件之间的距离维持在预先设定好的第1预定值，该第1抑制构件收纳于所述腔室，具有扁平面；

第2接近过程，在该第2接近过程中，使第2抑制构件与所述第1粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述第1粘合带之间的距离维持在预先设定好的第2预定值，该第2抑制构件收纳于所述腔室，具有扁平面；

第2接近过程后的粘贴过程，在该粘贴过程中，在形成有所述腔室的状态下，一边降低所述腔室的内部的气压，一边将所述第2粘合带粘贴于半导体晶圆，

所述第1预定值被设定为，能够避免由所述粘贴过程中的气压的降低导致的所述半导体晶圆与所述第1粘合带之间的气泡膨胀而使所述半导体晶圆损伤的情况，

所述第2预定值被设定为，能够避免由所述粘贴过程中的气压的降低导致的所述半导体晶圆与所述第1粘合带之间的气泡在与所述半导体晶圆的面垂直的方向上膨胀的情况。

7.根据权利要求6所述的粘合带粘贴方法，其特征在于，

该粘合带粘贴方法具备利用框架保持部保持环框的框架保持过程，

所述腔室收纳所述框架保持部。

8.根据权利要求6或7所述的粘合带粘贴方法，其特征在于，

所述第1抑制构件是所述保持台，在所述第1接近过程中，所述第2粘合带与所述保持台一起接近所述半导体晶圆。

9.根据权利要求6或7所述的粘合带粘贴方法，其特征在于，

所述第2抑制构件是所述晶圆保持部。

10.根据权利要求3～7中任一项所述的粘合带粘贴方法，其特征在于，

所述第2预定值是0.5mm以下。

11.根据权利要求1～7中任一项所述的粘合带粘贴方法，其特征在于，

所述第1预定值是0.1mm以上且0.5mm以下。

12.一种粘合带粘贴方法，在该粘合带粘贴方法中，将粘合带粘贴于半导体晶圆，其特征在于，该粘合带粘贴方法具备如下过程：

带保持过程，在该带保持过程中，利用保持台保持所述粘合带；

晶圆保持过程，在该晶圆保持过程中，利用晶圆保持部保持所述半导体晶圆；

腔室形成过程，在该腔室形成过程中，通过将一对外壳接合，形成用于收纳所述保持台和所述晶圆保持部的腔室；

第1接近过程，在该第1接近过程中，使保持着所述半导体晶圆的晶圆保持部与所述粘合带接近，使所述粘合带的粘合面与所述半导体晶圆之间的距离维持在预先设定好的第1预定值；

第2接近过程，在该第2接近过程中，使具有扁平面的抑制构件与所述粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述粘合带之间的距离维持在预先设定好的第2预定值，该抑制构件收纳于所述腔室；

第2接近过程后的粘贴过程，在该粘贴过程中，在形成有所述腔室的状态下，一边降低所述腔室内部的气压，一边将所述粘合带粘贴于半导体晶圆，

所述第1预定值被设定为，能够避免由所述粘贴过程中的气压的降低导致的所述保持台与所述粘合带之间的气泡膨胀的情况，

所述第2预定值被设定为，能够避免由所述粘贴过程中的气压的降低导致的所述保持台与所述粘合带之间的气泡在与所述半导体晶圆的面垂直的方向上膨胀的情况。

13.一种粘合带粘贴装置，其将第2粘合带粘贴于在一个面粘贴有第1粘合带的半导体晶圆的另一个面，其特征在于，该粘合带粘贴装置具备：

带供给部，其供给所述第2粘合带；

保持台，其保持所述第2粘合带；

腔室，其是利用一对外壳夹持所述第1粘合带的超出所述半导体晶圆的外缘的部分而形成的，收纳所述保持台；

第1接近机构，其进行如下控制：使所述保持台与所述半导体晶圆接近，使所述半导体晶圆与所述第2粘合带的粘合面之间的距离维持在预先设定好的第1预定值；

粘贴机构，其在所述第1接近机构工作着的状态下使所述腔室内的由所述第1粘合带分隔成的两个空间产生压差，将所述第2粘合带粘贴于所述半导体晶圆的另一个面，

所述第1预定值被设定为，能够避免由所述粘贴机构处的气压的降低导致的所述半导体晶圆与所述第1粘合带之间的气泡膨胀而使所述半导体晶圆损伤的情况。

14.根据权利要求13所述的粘合带粘贴装置，其特征在于，

所述半导体晶圆借助所述第1粘合带与环框粘接保持，

该粘合带粘贴装置具备保持所述环框的框架保持部，

所述腔室是利用一对外壳夹持所述第1粘合带的位于由所述框架保持部保持着的所述环框与所述半导体晶圆之间的部分而形成的。

15.根据权利要求13所述的粘合带粘贴装置，其特征在于，

该粘合带粘贴装置具备：

抑制构件，其具有扁平面；

第2接近机构，其进行如下控制：使所述抑制构件与所述第1粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述第1粘合带之间的距离维持在预先设定好的第2预定值。

16.一种粘合带粘贴装置，其将第2粘合带粘贴于在一个面粘贴有第1粘合带的半导体晶圆的另一个面，其特征在于，该粘合带粘贴装置具备：

带供给部，其供给所述第2粘合带；

保持台，其保持所述半导体晶圆；

抑制构件，其具有扁平面；

由一对外壳构成的腔室，其收纳所述保持台和所述抑制构件；

第1粘贴机构，其将所述第2粘合带粘贴于所述外壳的一者的接合部；

第1接近机构，其进行如下控制：使所述保持台与所述第2粘合带接近，使所述半导体晶圆与所述第2粘合带的粘合面之间的距离维持在预先设定好的第1预定值；

第2接近机构，其使所述抑制构件与所述第2粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述第2粘合带之间的距离维持在预先设定好的第2预定值；

第2粘贴机构，其在所述第1接近机构和所述第2接近机构工作着的状态下使所述腔室内的由所述第2粘合带分隔开的两个空间产生压差，将所述第2粘合带粘贴于所述半导体晶圆的另一个面，

所述第1预定值被设定为，能够避免由所述第2粘贴机构处的气压的降低导致的所述半导体晶圆与所述第1粘合带之间的气泡膨胀而使所述半导体晶圆损伤的情况，

所述第2预定值被设定为，能够避免由所述第2粘贴机构处的气压的降低导致的所述半导体晶圆与所述第1粘合带之间的气泡在与所述半导体晶圆的面垂直的方向上膨胀的情况。

17.根据权利要求16所述的粘合带粘贴装置，其特征在于，

该粘合带粘贴装置具备保持环框的框架保持部，

所述第1粘贴机构跨所述外壳的一者的接合部与由所述框架保持部保持着的所述环框地粘贴所述第2粘合带。

18.一种粘合带粘贴装置，其将第2粘合带粘贴于在一个面粘贴有第1粘合带的半导体晶圆的另一个面，其特征在于，该粘合带粘贴装置具备：

带供给部，其供给所述第2粘合带；

保持台，其保持所述第2粘合带；

晶圆保持部，其保持所述半导体晶圆；

第1抑制构件，其具有扁平面；

第2抑制构件，其具有扁平面；

由一对外壳构成的腔室，其收纳所述保持台、所述晶圆保持部、所述第1抑制构件、以及所述第2抑制构件；

第1接近机构，其进行如下控制：使所述第1抑制构件与所述半导体晶圆的另一个面接近，使所述半导体晶圆与所述第1抑制构件之间的距离维持在预先设定好的第1预定值；

第2接近机构，其使所述第2抑制构件与所述第1粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述第1粘合带之间的距离维持在预先设定好的第2预定值；

减压机构，其在所述第1接近机构和所述第2接近机构工作着的状态下使所述腔室的内部减压；

粘贴机构，其在所述腔室的内部减压后的状态下将所述第2粘合带粘贴于所述半导体晶圆的另一个面，

所述第1预定值被设定为，能够避免由所述粘贴机构处的气压的降低导致的所述半导体晶圆与所述第1粘合带之间的气泡膨胀而使所述半导体晶圆损伤的情况，

所述第2预定值被设定为，能够避免由所述粘贴机构处的气压的降低导致的所述半导体晶圆与所述第1粘合带之间的气泡在与所述半导体晶圆的面垂直的方向上膨胀的情况。

19.根据权利要求18所述的粘合带粘贴装置，其特征在于，

该粘合带粘贴装置具备保持环框的框架保持部，

所述腔室收纳所述框架保持部。

20.根据权利要求18或19所述的粘合带粘贴装置，其特征在于，

所述第1抑制构件是所述保持台，所述第1接近机构使所述第2粘合带与所述保持台一起与所述半导体晶圆接近。

21.根据权利要求18或19所述的粘合带粘贴装置，其特征在于，

所述第2抑制构件是所述晶圆保持部。

22.根据权利要求16～19中任一项所述的粘合带粘贴装置，其特征在于，

所述第2预定值是0.5mm以下。

23.根据权利要求13～19中任一项所述的粘合带粘贴装置，其特征在于，

所述第1预定值是0.1mm以上且0.5mm以下。

24.根据权利要求13～19中任一项所述的粘合带粘贴装置，其特征在于，

该粘合带粘贴装置具备：

切断机构，其沿着所述半导体晶圆的外形切断所述第2粘合带；

剥离机构，其将所述第2粘合带的裁除所述半导体晶圆的形状后的部分剥离；

带回收部，其将剥离后的所述第2粘合带回收。

25.一种粘合带粘贴装置，其将粘合带粘贴于半导体晶圆，其特征在于，该粘合带粘贴装置具备：

带供给部，其供给所述粘合带；

保持台，其保持所述粘合带；

晶圆保持部，其保持所述半导体晶圆；

抑制构件，其具有扁平面；

由一对外壳构成的腔室，其收纳所述保持台、所述晶圆保持部、以及所述抑制构件；

第1接近机构，其进行如下控制：使保持着所述半导体晶圆的晶圆保持部与所述粘合带的粘合面接近，使所述粘合带与所述半导体晶圆之间的距离维持在预先设定好的第1预定值；

第2接近机构，其使所述抑制构件与所述粘合带的非粘合面接近或接触，使所述扁平面与所述粘合带之间的距离维持在预先设定好的第2预定值；

减压机构，其在所述第1接近机构和所述第2接近机构工作着的状态下使所述腔室的内部减压；

粘贴机构，其在所述腔室的内部减压后的状态下将所述粘合带粘贴于所述半导体晶圆，

所述第1预定值被设定为，能够避免由所述粘贴机构处的气压的降低导致的所述保持台与所述粘合带之间的气泡膨胀的情况，

所述第2预定值被设定为，能够避免由所述粘贴机构处的气压的降低导致的所述保持台与所述粘合带之间的气泡在与所述半导体晶圆的面垂直的方向上膨胀的情况。