KR20060113959A - 질화규소의 열화학기상증착 - Google Patents

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Abstract

처리 영역, 기판 지지부, 가스 전달 시스템, 가스 혼합 영역, 면판에 고정된 어댑터 링을 원하는 온도로 가열하도록 위치된 가열 소자, 및 온도 제어된 배기 시스템을 포함하는 장치가 개시된다. 또한, 비스(테시어리-부틸아미노)실란을 기화시키는 단계, 처리 챔버로 비스(테시어리-부틸아미노)실란과 암모니아를 유동시키는 단계, 어댑터 링과 둘 이상의 차단 플레이트에 의해 형성된 추가의 혼합 영역을 갖는 두 가지 반응물질을 결합시키는 단계, 어댑터 링을 가열하는 단계, 및 가스 분배 플레이트를 통하여 처리 영역으로 비스(테시어리-부틸아미노)실란을 유동시키는 단계를 포함하는 방법 및 장치가 개시된다.

Description

질화규소의 열화학기상증착{THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF SILICON NITRIDE}
본 발명의 실시예는 대체로 기판 처리에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 화학기상증착 챔버 및 처리과정에 관한 것이다.
화학기상증착(CVD)된 박막은 집적 회로 내에 재료층을 형성하는데 사용된다. 열 CVD 박막은 절연체, 확산 소스, 확산 및 주입 마스크, 스페이서, 그리고 최종 패시베이션 층으로서 사용된다. 종종 열 CVD 박막은 챔버 내에 증착되는데, 챔버는 특정한 열 및 물질 전달 특성으로 인하여 기판과 같이 복잡한 회로 캐리어의 표면에 걸쳐 물리적 및 화학적으로 균일한 박막의 증착을 최적화하도록 설계된다. 종종 챔버는 더 큰 통합도구의 일부이며, 기판 표면상에 복수의 소자들을 제조한다. 챔버는 한번에 하나의 기판을 처리하거나 복수의 기판들을 처리하도록 설계된다.
소자의 외형이 축소되어 회로를 더 빨리 집적할 수 있음에 따라, 높은 생산성, 새로운 박막 특성 및 적은 이물질에 대해 증가하는 요구를 만족시키면서 증착된 박막의 열 예산(thermal budgets)을 경감시키는 것이 바람직하다. 역사적으로 열 CVD는 몇 시간에 걸쳐 저압 상태로 증착이 일어나는 배치로(batch furnace) 내 에서 700℃ 또는 그보다 높은 온도로 실시되었다. 저열 예산은 저온 프리커서(low temperautre precursors)의 사용 또는 증착 시간의 감소를 요하는 증착 온도를 낮춤으로써 이룰 수 있다. 열 CVD 처리는 반응률 제어하에서 작동하는 경우, 온도 변화에 민감하고, 또는 물질 전달 제어하에서 작동하는 경우 유동 불균일성에 민감하거나, 반응률 및 물질 전달의 혼합 제어하에서 작동하는 경우 양쪽 모두에 민감하다. 효과적인 챔버 설계는 기판상에 균일한 박막을 증착시킬 수 있도록 온도 변화의 정확한 제어와 유동의 적절한 분배를 요한다. 처리 챔버와 배기(exhaust) 하드웨어 설계는 프리커서와 반응 부산물의 특성을 기초로 검사된다.
본 발명은 단일 웨이퍼 열 CVD 챔버의 기계 설계를 변화시킴으로써 균일한 열 분배, 균일한 처리 화학물질, 효율적인 프리커서 전달, 및 효과적인 잔류물 및 배기 처리를 제공하는 CVD 챔버이다. 본 발명의 개선예는 처리 영역을 형성하는 챔버 본체와 챔버 덮개, 상기 처리 영역 내에 배치된 기판 지지부, 상기 챔버 덮개 상에 장착되고, 가스 혼합 영역을 형성하는 어댑터 링과 두 개의 차단 플레이트, 그리고 상기 어댑터 링에 고정된 면판을 포함하는 가스 전달 시스템, 상기 어댑터 링을 원하는 온도로 가열하도록 위치된 가열 소자, 및 온도 제어된 배기 시스템을 포함하는 처리 챔버를 포함한다.
또한, 본 발명의 개선예는 기판상에 질화규소층 또는 탄소 도핑 또는 탄소 함유 질화규소 층을 증착하는 방법을 포함하며, 이 방법은 비스(테시어리-부틸아미노)실란(BTBAS) 또는 다른 규소 프리커서를 기화시키는 단계, 처리 챔버 내부로 비스(테시어리-부틸아미노)실란을 유동시키는 단계, 처리 챔버 내부로 암모니아 및/또는 다른 질소 프리커서를 유동시키는 단계, 챔버 덮개 내의 혼합기에서 두 반응물을 결합시키는 단계, 어댑터 링과 둘 이상의 차단 플레이트에 의해 형성된 추가의 혼합영역을 구비하는 단계, 상기 어댑터 링을 가열하는 단계, 및 가스 분배 플레이트를 통하여 기판 상부의 처리 영역으로 비스(테시어리-부틸아미노)실란을 유동시키는 단계를 포함한다. 이 개선예는 기판 표면 전체의 결함을 감소시키며 제품 수율을 향상시킨다.
본 발명의 전술한 특징을 상세히 이해할 수 있도록, 상기에 간략히 요약된 본 발명의 보다 상세한 설명은 일부가 첨부도면에 도시되어 있는 실시예를 참조할 수 있다. 그러나 첨부 도면은 본 발명의 통상적인 실시예만을 도시하고 있으므로 본 발명의 범주를 제한하는 것으로 간주되지 않으며, 다른 동등한 효과의 실시예를 인정할 수 있음에 주의한다.
도 1은 가스 분배 조립체 및 기판 지지부 조립체를 포함하는 처리 챔버 일 실시예의 단면도,
도 2는 처리 키트의 다수의 구성요소와 처리 챔버의 분해도,
도 3은 면판 가스 유입구의 도면,
도 4는 슬릿 밸브 라이너의 3차원도,
도 5는 배기 펌핑 플레이트의 3차원도,
도 6은 배기 펌핑 플레이트용 덮개의 3차원도,
도 7은 단일 웨이퍼 열 CVD 처리 챔버를 위한 대안적인 처리 키트와, 처리 가스를 챔버로 전달하기 위한 액체 전달 시스템의 3차원 개략도, 및
도 8은 기판 표면 전체에서 샘플이 수집되는 것을 나타내고 있는 기판의 표면을 도시하는 도면이다.
본 발명의 실시예는 기판상에 층을 증착하는 장치와 기판상에 층을 증착하는 방법을 제공한다. 먼저, 실시예의 예시적인 도면들을 포함하는 하드웨어 논의가 제공된다. 하드웨어 논의 후 처리 변화와 테스트 결과가 설명된다.
도 1은 벽부(106)와 덮개(110)를 구비하는 단일 웨이퍼 CVD 처리 챔버의 단면도이다. 챔버의 벽부는 실질적으로 원통형이다. 벽부 구역은 가열될 수도 있다. 웨이퍼 또는 다른 기판의 유입을 위해 벽부에 슬릿 밸브 개구(114)가 위치된다.
기판 지지부(111)는 기판을 지지하며 챔버에 열을 제공할 수 있다. 기판 지지부 외에도, 챔버의 베이스는 기판 지지부 조립체, 반사 플레이트 또는 열전달을 돕도록 조정된 다른 기구, 챔버 상태를 측정하는 프로브, 배기 조립체, 및 기판을 지지하고 챔버 환경을 조절하는 다른 장비를 포함할 수 있다.
공급 가스는 덮개(110) 내의 혼합기(113)와 제 1 차단 플레이트(104)를 통과한 후 가스 전달 시스템을 통하여 챔버에 유입될 수 있다. 공급 가스는 액체 증기와 가스를 포함할 수 있는 가스이다. 그 후 가스는 제 1 차단 플레이트(104)와 제 2 차단 플레이트(105) 사이에 생성된 혼합 영역(102)을 통하여 이동한다. 제 2 차 단 플레이트(105)는 어댑터 링(103)에 의해 구조적으로 지지된다. 가스가 제 2 차단 플레이트(105) 내의 구멍(미도시)을 통과하고 난 다음, 가스는 면판(108)을 통과하여 유동한 후 챔버 벽부(106), 면판(108) 및 기판 지지부(111)에 의해 형성된 주요 처리영역으로 유입된다. 그 후 가스는 배기 플레이트(109)를 통하여 챔버를 빠져나간다. 덮개(110)는 가스 공급 유입구, 가스 혼합기, 플라즈마원, 및 하나 이상의 가스 분배 조립체를 더 포함할 수 있다. 선택적으로, 챔버는 혼합 영역(102)과 면판(108)을 가열하기 위해 어댑터 링(103)에 열을 제공하도록 가열되는, 덮개(110)와 챔버 벽부(106) 사이의 삽입부(101)를 포함할 수 있다. 도 1에 의해 도시된 다른 하드웨어 선택은 배기 펌핑 플레이트(109)의 상부에 놓인 배기판 덮개(112)이다. 최종적으로, 슬릿 밸브 개구(114)를 통한 열손실을 감소시키도록 슬릿 밸브 라이너(115)가 선택적으로 사용될 수 있다.
도 2는 가스 공급 시스템의 분해도이다. 도 2는 챔버의 처리 영역으로 가스가 들어가기 전에 가스를 가열하고 혼합하기 위해 표면이 가열된 공간을 제공하도록 덮개(110), 복수의 차단 플레이트(104,105), 어댑터 링(103) 및 면판(108)이 어떤 상태로 형성되는가를 도시하고 있다.
도 3은 면판(108)의 도면이다. 면판(108)은 어댑터 링(103)에 의해 지지된다. 면판(108)은 나사에 의해 어댑터 링(103)에 연결되며 챔버의 처리 영역 내부로 가스 유입구를 적절히 분포시키는 구멍들을 갖도록 형성된다.
도 4는 임의의 슬릿 밸브 라이너(115)의 3차원도이다. 슬릿 밸브 라이너(115)는 슬릿 밸브 개구(114)를 통과하는 열손실을 감소시킨다.
도 5는 챔버의 처리 영역으로부터 배기 유동을 제어하는 배기 플레이트(109)의 3차원 개략도이다. 이 개략도는 슬릿 밸브의 존재로 인해 생성된 챔버 내부의 열전달 왜곡을 보상하기 위해 배기 플레이트가 어떠한 상태로 형성되어 챔버로부터의 왜곡을 조절하는지를 도시하고 있다.
도 6은 배기 플레이트(109)용 배기 플레이트 덮개(112)의 3차원 개략도이다. 이 도면은 챔버 내의 임의의 배기 유동 왜곡을 보상하기 위해 특정한 구멍 양식을 갖도록 덮개가 설계되는 상태를 도시하고 있다.
도 7은 대안적인 실시예의 덮개 조립체 분해도이다. 덮개(209)는 단열 부재(212)에 의해 챔버의 나머지로부터 분리될 수 있다. 단열 부재(212)는 히터 재킷(203)의 상부 및 하부 표면상에 있다. 또한, 히터 재킷(203)은 차단 플레이트(205)와 면판(208)에 연결될 수 있다. 선택적으로, 덮개의 일부 또는 덮개 구성요소는 원하는 온도로 가열될 수 있다.
덮개 조립체는 공급 가스를 예비혼합하는 초기 가스 유입구(213)와, 덮개(209), 단열 부재(212), 히터 재킷(203) 및 차단 플레이트(204,205)에 의해 한정된 공간(202)을 형성하는 부분을 포함한다. 공간(202)은 챔버의 기판 처리부로 유입되기 전에 반응 가스를 혼합하도록 체류시간을 증가시킨다. 히터(210)에 의하여 공간(202)을 형성하는 표면으로 가해질 수 있는 열은 원료, 응축물 및 공간의 표면을 따르는 부산물의 조성을 방지하게 한다. 또한, 가열된 표면은 반응 가스를 예열하여, 가스가 면판(208)을 빠져나와 챔버의 기판 처리부로 유입되면, 보다 우수한 열 및 물질 전달을 촉진할 수 있다.
또한, 도 7은 CVD 챔버에 BTBAS와 같은 아미노-실리콘 화합물 가하기 위한 가스 공급 시스템 구성요소의 도면이다. BTBAS는 벌크 앰플(bulk ampoule; 401) 내에 저장된다. BTBAS는 벌크 앰플(401)로부터 처리 앰플(402)로 유동한다. BTBAS는 액체 유량계(403)로 유동한다. 계량된 BTBAS는 피에조 제어된 직접 액체 인젝터와 같은 증발기(404)로 유동한다. 선택적으로, BTBAS는 가스원(405)으로부터의 질소와 같은 캐리어 가스와 증발기(404) 내에서 혼합될 수 있다. 또한, 캐리어 가스는 증발기에 가해지기 전에 예열될 수 있다. 그 후 최종 가스는 CVD 챔버의 덮개(209) 내의 가스 유입구(213)로 유입된다. 선택적으로, 증발기(404)와 혼합기(113)를 연결하는 배관(piping)이 가열될 수 있다.
도 8은 기판 표면 전체에 걸쳐서 샘플이 수집되었음을 나타내는 기판의 도면이다.
면판(108,208) 아래의 챔버의 처리부 내에서, 면판, 챔버 벽부, 배기 플레이트 및 기판 지지부와 같은 표면에 열을 제공함으로써 열 분배가 제어된다. 또한, 열 분배는 배기 플레이트의 설계, 배기 플레이트 덮개의 선택적 삽입 및 슬릿 밸브의 선택적 삽입에 의해 제어된다. 챔버의 처리부 내의 화학물질 분배는 면판과 배기 플레이트의 설계 및 선택적인 배기 플레이트 덮개에 의해 영향을 받는다. 또한, 플라즈마 세척은 덮개 내의 가스 유입구와 면판 사이에 실질적인 공간이 있을 때와, 면판이 가열될 때 향상된다.
제 2 차단 플레이트(105)와 면판(108)은 가열되어 차단 플레이트의 표면상에 화학물질이 증착되는 것을 방지하고 챔버 내의 가스를 예열하며 덮개에 대한 열손 실을 감소시킨다. 제 2 차단 플레이트와 면판을 덮개에 부착하는 어댑터 링(103)은 제 2 차단 플레이트와 면판을 덮개로부터 열적으로 차단하게 한다. 예를 들면, 덮개는 약 30 내지 70℃의 온도로 유지될 수 있으며, 반면, 제 2 차단 플레이트와 면판은 약 100 내지 350℃의 온도로 유지될 수 있다. 어댑터 링은 열 초크(thermal choke)와 같이 작용하면서 덮개에 대한 열손실을 제한하도록 불균일한 두께로 설계될 수 있다. 덮개로부터의 제 2 차단 플레이트 및 면판의 열 분리는 덮개 표면 전체에 걸쳐 존재할 수 있는 온도 변화로부터 제 2 차단 플레이트와 면판을 보호한다. 따라서, 제 2 차단 플레이트와 면판은 통상적인 챔버보다 덮개를 덜 가열할 것이며, 통상적인 챔버의 면판과 차단 플레이트보다 더 높은 온도에서 유지될 수 있다. 제 2 차단 플레이트와 면판에 의해 제공된 보다 균일한 가스 가열은 챔버 내의 기판상에 박막을 보다 균일하게 증착시킨다. 통상적으로, 제 2 차단 플레이트와 면판은 약 150 내지 300℃ 사이와 같이 약 100 내지 350℃ 또는 그보다 높은 온도로 가열된다. 관찰된 고온의 제 2 차단 플레이트와 면판의 한가지 이점은 챔버 내에서의 높은 박막 증착률이다. 제 2 차단 플레이트와 면판의 높은 온도가 챔버 내에서 프리커서의 분해를 가속함으로써 증착률을 향상시킬 수 있는 것으로 생각된다. 제 2 차단 플레이트와 면판의 높은 온도로 인한 다른 이점은 제 2 차단 플레이트와 면판상에 CVD 반응 부산물의 증착이 감소하는 것이다.
또한, 배기 시스템은 챔버 내부로의 열 및 화학물질 분배에 기여한다. 펌핑 플레이트(109)는 슬릿 밸브에 의해 생성된 열 분배 문제를 보상하기 위해 불균일하게 분포된 개구들을 갖도록 형성될 수 있다. 펌핑 플레이트는 플레이트의 표면상 에 배기 화학물질과 부산물의 증착을 방지하기 위해 기판 지지부 조립체에 의해 챔버의 처리부에 제공된 열을 유지하는 재료로 제조될 수 있다. 펌핑 플레이트는 슬릿 밸브의 방사율 왜곡(emissivity distortion)을 또한 보상하도록 전략적으로 배치된 복수의 슬릿들을 특징으로 한다. 배기 시스템은 챔버 내에 10 내지 350 Torr의 압력을 유지하게 한다. 배기 시스템은 스로틀 밸브와 차단 밸브를 이용하여 압력을 조절한다. 이들 밸브는 부산물과 미사용 가스, 및 잔류물 형성을 방지하도록 원하는 온도로 가열될 수 있다.
기판 지지부 조립체(111)는 균일한 박막 분포를 가능하게 하는 복수의 설계 기구를 갖는다. 기판과 접촉하는 지지부 표면은 기판의 반경을 가로질러 가변적인 열을 분포시키기 위한 복수의 열전달 구역을 특징으로 할 수 있다. 예를 들면, 기판 지지부 조립체는 500 내지 800℃, 예를 들면, 600 내지 700℃의 처리 온도에서 유지될 수 있는 2중 구역 세라믹 히터(dual zone ceramic heater)를 포함할 수 있다. 통상적으로 기판의 온도는 측정된 히터의 온도보다 약 20 내지 30℃ 더 낮다. 지지부는 챔버의 처리부의 내부를 가로질러 열 및 화학물질 가변성을 보상하도록 회전될 수 있다. 지지부는 챔버 내에서의 수평, 수직 또는 회전 운동을 특징으로 하여 챔버 내부에서 수동으로 또는 기계적으로 기판을 중심에 둘 수 있다.
처리 챔버의 표면과 구성요소는 양극 산화된 알루미늄(anodized aluminum)으로 제조될 수 있다. 양극 산화된 알루미늄은 응축 및 고체 재료 증착을 억제한다. 양극 산화된 알루미늄은 다수의 물질들보다 열을 유지하는데 더 우수하여, 재료의 표면이 고온으로 유지되며 그에 따라 응축 또는 생성물질 증착을 억제한다. 또한, 재료는 다수의 통상적인 챔버 표면보다 고체를 증착시키는 화학 반응을 덜 촉진할 것이다. 덮개, 벽부, 스페이서 부분, 차단 플레이트, 면판, 기판 지지부 조립체, 슬릿 밸브, 슬릿 밸브 라이너 및 배기 조립체는 모두 고체 양극 산화된 알루미늄으로 코팅되거나 형성될 수 있다.
희석가스 또는 캐리어 가스는 박막 특성을 맞추기 위한 다른 기구를 제공한다. 질소 또는 헬륨이 개별적으로 또는 공동으로 사용된다. 또한, 수소 또는 아르곤이 사용될 수 있다. 더 무거운 가스가 챔버 내에 열을 분배하게 한다. 더 가벼운 가스는 챔버로 가해지기 전에 프리커서 액체를 증발하게 한다. 또한, 처리 가스의 충분한 희석은 챔버 표면과 배기 시스템 표면에 응축 또는 고체 증착을 방지하게 한다.
반복성 테스트가 실시되었다. 통상적인 챔버 및 여기 설명된 추가적인 및/또는 변형된 구성요소를 특징으로 하는 변형된 챔버에 증착된 박막에 대한 박막층 두께가 비교되었다. 변형된 챔버에서 웨이퍼 균일성의 상당한 개선이 관찰되었다.
여기 설명된 CVD 챔버에 증착될 수 있는 박막의 예시들이 하기에 제공된다. 챔버 내부로의 전체 가스 유량은 200 내지 20,000 sccm일 수 있으며, 통상적인 처리과정은 4,000 sccm의 유량을 가질 수 있다. 박막 조성, 보다 상세하게 질소 대 규소 함유량 비, 굴절률, 습식 식각률, 수소 함유량 및 여기 제시된 임의의 박막의 응력은 복수의 파라미터들을 조정함으로써 수정될 수 있다. 이들 파라미터는 전체 유량, 챔버 내의 간격 및 가열 시간을 포함한다. 시스템의 압력은 10 내지 350 Torr로 조정될 수 있으며, NH3 대 BTBAS의 농도비는 0 내지 100으로 조정될 수 있다.
질화규소 박막(Silicon Nitride Films)
질화규소 박막은 규소 프리커서와 질소 프리커서의 반응에 의해 여기 설명된 챔버 내에 화학기상증착될 수 있다. 사용될 수 있는 규소 프리커서는 디클로로실란(DCS), 헥사클로로디실란(HCD), 비스(테시어리-부틸아미노)실란, 실란(SiH4), 디실란(Si2H6) 및 그 밖의 다수를 포함한다. 사용될 수 있는 질소 프리커서는 암모니아(NH3), 히드라진(N2H4) 및 그 밖의 것을 포함한다. 예를 들면, SiH4와 NH3 화학물질이 사용될 수 있다.
CVD 처리 챔버에서, SiH4는 주로 SiH3, SiH2로 분리되며, SiH로 분리될 수도 있다. NH3는 NH2, NH 및 H2로 분리된다. 이들 중간 생성물은 SiH2NH2 또는 SiH3NH2 또는 가스 경계층을 통해 확산하며 질화규소 박막을 형성하도록 기판 표면에서 또는 기판 표면에 인접하여 반응하는 유사한 아미노-실란 프리커서를 형성하도록 반응한다. 더 고온인 챔버 표면이 챔버로 열을 제공하여 NH2 반응성을 증가시키는것으로 생각된다. 챔버의 덮개 내의 가스 유입구와 제 2 차단 플레이트 사이 공간의 증가된 체적은 공급 가스 잔류 시간을 증가시키며 원하는 아미노-실란 프리커서의 형성 확률을 증가시킨다. 형성된 프리커서의 증가된 양은 패턴 마이크로-로딩 확률(probability of pattern micro-loading), 즉, 기판의 조밀하게 패턴된 영역에서 프리커서의 소모를 감소시킨다.
다른 프리커서의 유량에 비해 NH3 유량을 증가시키는 것이 박막 증착을 향상시킴을 알았다. 예를 들면, 통상적인 시스템은 60 대 1 비율의 NH3 대 SiH4 유량으로 작용할 수 있다. 테스트 결과는 덮개와 제 2 차단 플레이트 사이에 간격이 증가되는 경우, 60 대 1 내지 1000 대 1의 통상적인 비율이 균일한 박막을 제공함을 나타낸다. 또한, 면판과 기판 사이의 750 내지 850 mils의 간격을 이용하는 것이 650 mils로 증착된 박막에 비해 박막 균일성을 향상시킴을 알았다.
탄소가 도핑된 질화규소 박막(Carbon Doped Silicon Nitride Films)
일 실시예에서, BTBAS는 여기 설명된 챔버에 탄소가 도핑된 질화규소 박막을 증착하기 위한 규소 함유 프리커서로서 사용될 수 있다. 다음은 t-부틸아민 부산물을 갖는 탄소가 도핑된 질화규소 박막을 생산하도록 따를 수 있는 하나의 구조식이다. 그 후 BTBAS는 t-부틸아민과 반응하여 이소부틸렌을 형성할 수 있다.
3C8H22N2Si + NH3 → Si3N4 + NH2C4H9
4가지 예시 조건들이 설명된다. 압력, 온도, 간격, 유량 및 다른 조건들이 표 1에 도시되어 있다. 칼럼 1은 다른 예시들과 달리 낮은 BTBAS 농도에서의 일련의 작용 조건들을 나타낸다. 칼럼 2는 낮은 온도와 습식 식각률에서의 작용을 나타낸다. 칼럼 5는 가장 낮은 습식 식각률과 온도를 나타내며, 칼럼 6은 4가지 예시들 중 가장 낮은 패턴 로딩 효과와 가장 높은 증착률의 조합에 대한 작용 파라미터들을 나타낸다. 이 예시들에서, 웨이퍼 가열 온도는 675 내지 700℃이며, 챔버 의 압력은 50 내지 275 Torr였다.
탄소가 도핑된 질화규소 박막을 형성하는 BTBAS 반응은 물질 전달이 제한되지 않고 반응률이 제한될 수 있다. 패터닝된 기판상에 형성된 박막은 패터닝된 기판의 노출된 표면을 균일하게 코팅할 수 있다. BTBAS는, 예를 들면 SiH4와 같이, 통상적인 규소 프리커서보다 더 작은 패턴 로딩 효과(PLE)를 가질 수 있다. 표 1은 동일한 챔버에서 15%보다 큰 SiH4와 NH3 처리에 대한 측벽 PLE에 비하여, BTBAS와 NH3 화학물질에 대한 측벽 PLE가 5% 미만임을 나타낸다. 일부 규소 함유 프리커서에 의해 알게 된 패턴 로딩 효과는, 예를 들면 SiH4 및 NH3와 같이, 이들 프리커서들 사이의 반응에 대한 물질전달 제한에 인한 것으로 생각된다.
표 1. BTBAS 성능 테스트를 위한 작용 조건들
배합명(recipe name) #1 #2 #3 #4
웨이퍼 온도(℃) ~670 ~655 ~660 ~675
히터 온도(℃) 675 675 675 700
압력(Torr) 275 160 80 50
NH3(sccm) 80 80 80 80
BTBAS(grams/min) 0.61 1.2 1.2 1.2
BTBAS(sccm) 78 154 154 154
N2-캐리어 상부(slm) 4 4 4 4
N2-증착-상부(N2-dep-top)(slm) 10 10 6 6
N2-바닥(slm) 10 10 10 10
간격(mils) 700 700 700 700
증착률(A/min) 230 250 170 250
BTBAS 소비량(grams/100A박막) 0.27 0.48 0.71 0.48
습식 식각률 비(%) 25 16 11 12
응력(dynes/sq.cm)-500A박막 1.54 1.54 1.51 1.67
굴절률(RI) 1.865 1.885 1.935 1.985
두께 비균일성 1 시그마(%) <1.5 <1.5 <1.5 <1.5
TEM에 의한 90nm SRAM 칩의 PLE
측벽 PLE(%) 7 9 3 3
바닥 PLE(%) 7 3 3 3
또한, 반응 가스로서 BTBAS를 사용하면 탄소 함유량을 조정할 수 있다. 즉, 압력 및 질소 함유 프리커서 가스 농도와 같은 작용 파라미터를 선택함으로써, 최종 박막의 탄소 함유량이 조절되어 원하는 탄소 함유량과 기판의 직경에 걸쳐 보다 균일한 탄소 농도를 갖는 박막을 생산할 수 있다. BTBAS는 0.05 내지 2.0 g/min의 비율로 시스템에 추가될 수 있으며, 통상적인 시스템은 0.3 내지 0.6 g/min을 이용할 수 있다. 표 2는 세 가지 구성에 대한 유량, 농도 및 최종 박막 특성을 제공한다.
계획된 실험 데이터 분석을 기초로 하는 C 5 내지 6%와 C 12 내지 13% 구성은 예측값이다. C 10.5% 값은 실험 결과이다. VR은 규소 기판용 열원 서셉터로서 사용된 2중 구역 세라믹 히터의 외부 대 내부 구역의 전압비를 나타낸다. RI는 굴절률을 나타낸다. WERR은 참조로 사용되며 열적으로 성장하는 이산화규소 박막의 습식 식각률에 대한 질소 박막의 습식 식각률 비율이다.
표 2. 세 가지 BTBAS 구성과 최종 박막 특성.
C 5 내지 6% (예측값) C 10.5% (실험값) C 12 내지 13% (예측값)
증착률 (Ang/min) 315.4 266.9 399.4
증착 시간 (sec) 136 160 106
타깃 두께 (Ang) 700 700 700
모니터 박막 두께 (Ang) 714.97 711.715 705.545
모니터 N/U 1-시그마 (%) 2.371 1.437 1.492
VR 0.98 0.98 0.98
RI 1.821 1.82 1.817
BTBAS 소비량 (grams/500Ang 박막) 0.897 0.571 0.782
응력 (GPa) - 1.2 -
WERR - 0.5 -
히터 온도 (℃) 675 675 675
챔버 압력 (Torr) 162.5 275 160
BTBAS 유동 (grams/min) 0.566 0.305 0.625
(sccm) 74.2 40 81.9
NH3 유동 (sccm) 300 40 40
N2 캐리어 유동 (slm) 2 2 2
N2 유동 (slm) 1.7 3 2
전체 상부 가스 유동 (slm) ~4 ~5 ~4
N2 바닥 유동 (slm) 3 3 3
간격 (mils) 700 700 700
표 3은 상이한 처리 조건들에 대한 기판 전체의 복수의 지점으로부터 취한 샘플의 요소 합성에 의한 요소를 제공한다. 샘플들의 요소 합성은 핵반응 분석 및 러더포드 후방산란법(Rutherford backscattering spectroscopy)에 의해 측정되었다.
표 3. 기판 표면에 걸친 위치를 기초로 한 원자 합성
NRA/RBS에 의한 300mm BTBAS 박막 합성
위치 SI N H C O
번호 좌표 (%) (%) (%) (%) (%)
1 (0mm. 0°) 31.7% 31.7% 22.2% 12.7% 1.6%
2 (7.5mm. 0°) 31.7% 31.7% 22.2% 12.7% 1.6%
3 (75mm. 90°) 31.7% 31.7% 22.2% 12.7% 1.6%
4 (75mm. 180°) 30.8% 30.8% 21.5% 15.4% 1.5%
5 (75mm. 270°) 31.7% 31.7% 22.2% 12.7% 1.6%
6 (145mm. 45°) 31.7% 31.7% 22.2% 12.7% 1.6%
7 (145mm. 135°) 31.7% 31.7% 22.2% 12.7% 1.6%
8 (145mm. 225°) 31.7% 31.7% 22.2% 12.7% 1.6%
9 (145mm. 315°) 31.7% 31.7% 22.2% 12.7% 1.6%
전체 웨이퍼 평균= 31.6% 31.6% 22.1% 13.0% 1.6%
전체 웨이퍼 표준 편차= 0.326% 0.326% 0.228% 0.895% 0.016%
표 3은 기판 표면에 걸쳐 탄소 함유량 변화가 0.895% 였음을 설명한다. 약 2 내지 18 원자 %의 탄소를 갖는 탄소가 도핑된 질화규소 박막이 여기 설명된 챔버에서 향상된 비율로 증착되었음을 알게 되었다.
규소 함유 프리커서로서 BTBAS를 사용하는 것은 복수의 최종 박막 특성 이점들을 제공한다. 박막의 탄소 함유량이 증가하면 도펀트 보유(dopant retention) 및 접합 프로파일(junction profile)이 향상되어 결과적으로 소자의 포지티브 채널 금속 산화물 반도체(positive channel metal oxide semiconductor; PMOS) 부분의 성능이 향상된다. 또한, 응력 프로파일의 향상을 돕도록 BTBAS의 사용을 겸할 때, 처리 파라미터가 조정될 수 있다. 향상된 박막 응력은 소자의 네거티브 채널 금속 산화물 반도체(negative channel metal oxide semiconductor; NMOS) 부분의 성능을 향상시킨다. 박막 응력 특성은 챔버 압력, 전체 공급 가스 유동, NH3와 BTBAS 공급 가스 비율, 및 BTBAS의 부피율(volume faction)의 조정에 영향을 받는다.
추가적인 실험 결과는 675℃에서 박막 비균일성에 대한 표준 편차가 1.5 %미만이었음을 나타낸다. 645 내지 675℃의 온도를 넘는 박막 비균일성 혼합의 표준 편차 역시 1.5% 미만이었다. 입자 오염도는 0.12㎛보다 크거나 동일할 때 30 입자 미만이었다.
습식 식각률은 낮은 농도의 NH3와 낮은 압력이 선택될 때 더 낮다. 테스트된 압력 범위는 50 내지 275 Torr였다. 습식 식각률은 0.3 미만으로 측정되었다. 박막의 습식 식각률은 열산화에 대한 박막 식각을 100:1의 HF와 비교함으로써 계산되었다. 400Å에서의 RMS 거칠기는 0.25nm가 되는 것으로 측정되었다.
625 내지 675℃가 넘는 박막 증착률은 125 내지 425Å이었다. 증착률은 더 높은 BTBAS 농도, 더 낮은 NH3 농도 및 더 높은 압력과 온도가 선택될 경우 더 높았다.
박막의 수소 농도는 15 원자 % 미만이었다. 수소는 N-H와 같이 박막 내에서 대부분 결합되는 것으로 추정된다. 박막의 탄소 함유량은 2 내지 8 원자 %였다.
관찰된 응력은 향상된 NMOS I-드라이브에 대해 1 E9 내지 2 E10 dynes/㎠ (0.1 내지 2 GPa)였다. 이러한 응력은 높은 NH3 농도, 낮은 BTBAS 농도 및 낮은 압력으로 인해 더 높았다.
동일한 온도 범위를 넘어서 측정된 굴절률은 1.75 내지 1.95였다. 굴절률은 시스템이 더 낮은 압력과 더 낮은 BTBAS 농도에서 작동될 때 더 높았다.
또한, 관찰되거나 예측된 탄소 농도는 2 내지 18%의 범위였다. 탄소 농도는 NH3 농도가 낮고 BTBAS 농도가 높았을 때 더 높았다.
표 1의 결과는 통상적이며 유사한 시스템에 비교될 수 있다. 표 1의 습식 식각률 비율 테스트 결과는 100:1 HF에 1분간 침지되는 통상적인 로 시스템에서 증착된 질화규소 박막에 비교될 수 있다. 표 3의 응력 테스트 결과는 0.1 내지 2.0 GPa의 결과를 갖는 유사한 작용 조건들에 대한 다른 테스트 결과와 유사하다.
통상적으로, 질소는 열 CVD 반응에 대한 희석 가스로서 뿐만 아니라 BTBAS용 가스원으로부터의 캐리어 가스로서 모두 사용된다. 수소를 희석 가스로 사용하면 30%까지 BTBAS와 NH3의 열 CVD 반응의 증착률이 증가한다. 또한, 수소에 게르만 도핑 가스를 희석 가스로 사용하면 증착률이 더욱더 증가할 수 있다.
BTBAS와 같은 프리커서가 규소와 탄소 모두의 공급원으로서 작용하면, 실란, 디실란, 헥사클로로디실란 및 에틸렌, 부틸렌, 및 다른 알켄 또는 다른 탄소원과 같이 탄소 프리커서를 갖는 디클로로실란과 같은 실란 프리커서를 결합할 수 있으며, 이 두 프리커서는 탄소가 도핑된 질화규소 박막을 형성하도록 단일 웨이퍼 열 CVD 챔버에서 NH3와 반응할 수 있다.
탄소가 도핑된 이산화규소 박막(Carbon Doped silicon Oxide Films)
또한, BTBAS는 약간의 처리 화학 유연성을 제공한다. 산화물 처리를 기초로 하는 BTBAS를 위해, NH3는 N2O와 같은 산화제에 의해 치환될 수 있다. 본 발명에서 설명되는 열 CVD 하드웨어가 산화물 박막을 증착하는데 사용될 수 있다.
BTBAS와 같은 프리커서가 규소와 탄소 모두의 공급원으로서 작용하면, 실란, 디실란, 헥사클로로디실란 및 에틸렌, 부틸렌, 및 다른 알켄 또는 다른 탄소원과 같이 탄소 프리커서를 갖는 디클로로실란과 같이 실란 프리커서를 결합할 수 있으 며, 이 두 프리커서는 탄소가 도핑된 이산화규소 박막을 형성하도록 단일 웨이퍼 열 CVD 챔버에서 N2O와 반응할 수 있다.
탄소가 도핑된 규소 산화물 질화물 박막(Carbon Doped Silicon Oxide Nitride Films)
대체로, 탄소가 도핑되거나 탄소를 함유한 규소 산화물 질화물 박막은 규소 함유 프리커서, 탄소 함유 프리커서, 산소 함유 프리커서 및 질소 함유 프리커서를 이용하여 증착될 수 있다. 이들 박막은 탄소 함유량 제어 외에도 절연체 함유량 제어를 가능하게 하는 차세대 소자에 사용할 수 있다. 이러한 저유전율(low-k)의 열 증착된 CVD 박막은 소자에 잠재적으로 이익이 될 수 있다.
탄소가 도핑되거나 탄소를 함유한 규소 산화물 질화물 박막을 제조하기 위해, BTBAS는 N2O와 같은 산화제 및 NH3와 사용될 수 있다. 본 발명에서 설명된 열 CVD 하드웨어는 산화물 질화물 박막을 증착하는데 사용될 수 있다.
BTBAS와 같은 프리커서가 규소와 탄소 모두의 공급원으로서 작용하면, 실란, 디실란, 헥사클로로디실란 및 에틸렌, 부틸렌, 및 다른 알켄 또는 다른 탄소원과 같이 탄소 프리커서를 갖는 디클로로실란과 같은 실란 프리커서를 결합할 수 있으며, 이 두 프리커서는 탄소가 도핑된 규소 산화물 질화물 박막을 형성하도록 단일 웨이퍼 열 CVD 챔버에서 NH3 및 N2O 모두와 반응할 수 있다.
트리메틸실란 및 테트라메틸실란과 같이 주로 사용되는 저유전율 프리커서는 규소, 산소 및 탄소를 함유한다. 이들 프리커서는 NH3와 같은 질소 공급원과 반응 되어 단일 웨이퍼 열 CVD 챔버 내에 탄소가 도핑된 규소 산화물 질화물 박막을 형성할 수 있다.
전술한 내용은 본 발명의 실시예에 관한 것이지만, 본 발명의 기본 범주를 벗어남 없이 본 발명의 여타 실시예들이 안출될 수 있으며, 본 발명의 범주는 하기의 특허청구범위에 의해 결정된다.

Claims (52)

  1. 반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치로서,
    처리 영역을 형성하는 챔버 본체와 챔버 덮개;
    상기 처리 영역 내에 배치된 기판 지지부;
    상기 챔버 덮개에 장착되며, 가스 혼합 영역을 형성하는 두 개의 차단 플레이트와 어댑터 링, 그리고 상기 어댑터 링에 고정되는 면판을 포함하는 가스 전달 시스템; 및
    상기 어댑터 링을 가열하도록 위치된 가열 소자;를 포함하는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 차단 플레이트 중 하나가 상기 챔버 덮개에 고정되며, 나머지 차단 플레이트가 상기 어댑터 링에 고정되는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열 소자가 상기 어댑터 링과 접촉하는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 면판이 150 내지 250℃로 가열되는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 지지부가 550 내지 800℃로 가열되는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 덮개가 60 내지 80℃로 가열되는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 챔버 본체의 슬릿 밸브 채널 내에 위치된 슬릿 밸브 라이너를 더 포함하는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 지지부를 둘러싸는 배기 펌핑 플레이트와 상기 배기 펌핑 플레이트 상의 덮개 플레이트를 더 포함하며, 상기 덮개 플레이트가 적절히 분포된 구멍들을 갖는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    30 내지 200℃로 가열되는 배기 밸브 조립체 구성요소를 더 포함하는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 혼합 영역과 유체 연통하는 증발기를 더 포함하는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 증발기가 비스(테시어리-부틸아미노)실란의 공급원과 유체 연통하는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 전달 시스템이 상기 기판 지지부 위에 있는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 기판 지지부가 상기 면판 아래에 있으며, 상기 면판이 상기 차단 플레 이트 아래에 있는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  14. 반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치로서,
    처리 영역을 형성하는 챔버 본체와 챔버 덮개;
    상기 챔버 덮개에 고정된 제 1 차단 플레이트;
    상기 챔버 덮개에 고정된 어댑터 링;
    상기 어댑터 링과 접촉하는 가열 소자;
    상기 어댑터 링에 고정된 제 2 차단 플레이트;
    상기 어댑터 링에 고정된 면판; 및
    상기 처리 영역 내에 배치된 기판 지지부;를 포함하는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 기판 지지부를 둘러싸는 배기 펌핑 플레이트와 상기 배기 펌핑 플레이트 상의 덮개 플레이트를 더 포함하며, 상기 덮개 플레이트가 적절히 분포된 구멍들을 갖는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    30 내지 200℃로 가열되는 배기 밸브 조립체 구성요소를 더 포함하는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 챔버 본체의 슬릿 밸브 개구 내에 위치된 슬릿 밸브 라이너를 더 포함하는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 혼합 영역과 유체 연통하는 증발기를 더 포함하는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 증발기가 비스(테시어리-부틸아미노)실란의 공급원과 유체 연통하는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 증발기가 캐리어 가스 시스템과 유체 연통하는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 가스 전달 시스템이 60 대 1 내지 1000 대 1의 암모니아 대 실란 비율을 제공하는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  22. 제 14 항에 있어서,
    상기 가스 전달 시스템이 상기 기판 지지부 위에 있는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 기판 지지부가 상기 면판 아래에 있으며, 상기 면판이 상기 차단 플레이트 아래에 있는,
    반도체 기판상에 박막을 저온 증착하는 장치하는 장치
  24. 기판상에 규소 및 질소 함유 층을 증착하는 방법으로서,
    비스(테시어리-부틸아미노)실란을 기화시키는 단계;
    혼합 블록, 어댑터 링 및 둘 이상의 차단 플레이트에 의해 형성된 혼합 영역을 갖는 처리 챔버 내부로 비스(테시어리-부틸아미노)실란을 유동시키는 단계;
    상기 어댑터 링을 가열하는 단계; 및
    가스 분배 플레이트를 통하여 기판 위의 처리 영역으로 비스(테시어리-부틸 아미노)실란을 유동시키는 단계;를 포함하는,
    기판상에 규소 및 질소 함유 층을 증착하는 방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    550 내지 800℃의 온도로 질화규소 층을 증착하는 단계를 더 포함하는,
    기판상에 규소 및 질소 함유 층을 증착하는 방법.
  26. 제 24 항에 있어서,
    10 내지 350 Torr의 압력에서 질화규소 층을 증착하는 단계를 더 포함하는,
    기판상에 규소 및 질소 함유 층을 증착하는 방법.
  27. 제 24 항에 있어서,
    배기 펌핑 플레이트와 접촉하는 덮개 플레이트를 통하여 가스를 배기시키는 단계를 더 포함하는,
    기판상에 규소 및 질소 함유 층을 증착하는 방법.
  28. 제 24 항에 있어서,
    슬릿 밸브 라이너를 지지하는 슬릿 밸브 개구를 통하여 상기 처리 영역으로 기판을 삽입하는 단계를 더 포함하는,
    기판상에 규소 및 질소 함유 층을 증착하는 방법.
  29. 제 24 항에 있어서,
    상기 비스(테시어리-부틸아미노)실란이 혼합 영역으로 유입되기 전에 암모니아와 혼합되는,
    기판상에 규소 및 질소 함유 층을 증착하는 방법.
  30. 제 29 항에 있어서,
    암모니아 대 비스(테시어리-부틸아미노)실란의 농도비가 0 내지 100인,
    기판상에 규소 및 질소 함유 층을 증착하는 방법.
  31. 제 24 항에 있어서,
    상기 비스(테시어리-부틸아미노)실란이 상기 혼합 영역으로 유입되기 전에 일산화질소와 혼합되는,
    기판상에 규소 및 질소 함유 층을 증착하는 방법.
  32. 제 24 항에 있어서,
    상기 비스(테시어리-부틸아미노)실란이 상기 혼합 영역으로 유입되기 전에 암모니아 및 일산화질소와 혼합되는,
    기판상에 규소 및 질소 함유 층을 증착하는 방법.
  33. 제 24 항에 있어서,
    상기 비스(테시어리-부틸아미노)실란이 상기 혼합 영역으로 유입되기 전에 질소와 혼합되는,
    기판상에 규소 및 질소 함유 층을 증착하는 방법.
  34. 제 24 항에 있어서,
    상기 비스(테시어리-부틸아미노)실란이 상기 혼합 영역을 유입되기 전에 헬륨과 혼합되는,
    기판상에 규소 및 질소 함유 층을 증착하는 방법.
  35. 제 24 항에 있어서,
    상기 비스(테시어리-부틸아미노)실란이 수소 또는 게르만 희석 수소와 혼합되는,
    기판상에 규소 및 질소 함유 층을 증착하는 방법.
  36. 제 24 항에 있어서,
    상기 질화규소 층이 0.1 내지 2.0 GPa의 인장 응력을 갖는,
    기판상에 규소 및 질소 함유 층을 증착하는 방법.
  37. 제 24 항에 있어서,
    기판의 직경에 걸친 상기 질화규소 층의 탄소 함유량이 1% 미만으로 변화되는,
    기판상에 규소 및 질소 함유 층을 증착하는 방법.
  38. 기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법으로서,
    비스(테시어리-부틸아미노)실란을 기화시키는 단계;
    덮개, 어댑터 링 및 둘 이상의 차단 플레이트에 의해 형성된 혼합 영역을 갖는 처리 챔버 내부로 비스(테시어리-부틸아미노)실란을 유동시키는 단계;
    상기 어댑터 링을 가열하는 단계; 및
    규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착할 수 있는 조건에서 가스 분배 플레이트를 통하여 기판 위의 처리 영역으로 비스(테시어리-부틸아미노)실란을 유동시키는 단계;를 포함하는,
    기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법.
  39. 제 38 항에 있어서,
    상기 규소, 질소 및 탄소 함유 층이 2 내지 18의 % 탄소 함유량을 갖는,
    기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법.
  40. 제 38 항에 있어서,
    상기 규소, 질소 및 탄소 함유 층이 550 내지 800℃의 온도에서 증착되는,
    기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법.
  41. 제 38 항에 있어서,
    상기 규소, 질소 및 탄소 함유 층이 10 내지 350 Torr의 압력에서 증착되는,
    기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법.
  42. 제 38 항에 있어서,
    배기 펌핑 플레이트와 접촉하는 덮개 플레이트를 통하여 가스를 배기하는 단계를 더 포함하는,
    기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법.
  43. 제 38 항에 있어서,
    슬릿 밸브 라이너를 지지하는 슬릿 밸브 개구를 통하여 상기 처리 영역으로 기판을 삽입하는 단계를 더 포함하는,
    기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법.
  44. 제 38 항에 있어서,
    상기 비스(테시어리-부틸아미노)실란이 상기 혼합 영역으로 유입되기 전에 암모니아와 혼합되는,
    기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법.
  45. 제 44 항에 있어서,
    암모니아 대 비스(테시어리-부틸아미노)실란의 농도비가 0 내직 100인,
    기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법.
  46. 제 38 항에 있어서,
    상기 비스(테시어리-부틸아미노)실란이 상기 혼합 영역으로 유입되기 전에 일산화질소와 혼합되는,
    기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법.
  47. 제 38 항에 있어서,
    상기 비스(테시어리-부틸아미노)실란이 상기 혼합 영역으로 유입되기 전에 암모니아 및 일산화질소와 혼합되는,
    기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법.
  48. 제 38 항에 있어서,
    상기 비스(테시어리-부틸아미노)실란이 상기 혼합 영역으로 유입되기 전에 질소와 혼합되는,
    기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법.
  49. 제 38 항에 있어서,
    상기 비스(테시어리-부틸아미노)실란이 상기 혼합 영역으로 유입되기 전에 헬륨과 혼합되는,
    기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법.
  50. 제 38 항에 있어서,
    상기 비스(테시어리-부틸아미노)실란이 수소 또는 게르만 희석 수소와 혼합되는,
    기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법.
  51. 제 38 항에 있어서,
    상기 규소, 질소 및 탄소 함유 층이 0.1 내지 2.0 GPa의 인장 응력을 갖는,
    기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법.
  52. 제 38 항에 있어서,
    상기 규소, 질소 및 탄소 함유 층의 기판의 직경에 걸친 탄소 함유량의 변화가 1% 미만인,
    기판상에 규소, 질소 및 탄소 함유 층을 증착하는 방법.
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