JP2001185492A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液体ソースの流量制御、安定供給を可能と
し、コンパクト化、低コスト化を実現する。 【解決手段】 被処理物に成膜を施す反応室に、成膜用
の液体ソースを導入するソース供給配管３３が設けられ
る。このソース供給配管３３に、成膜用の液体ソースの
流量を計測する液体流量計３４と、液体ソースを瞬時に
ガス化するベーパコントローラ３５とを設ける。さらに
ベーパコントローラ３５によりガス化したソース流量が
前記液体流量計３４の計測値により一定量となるように
フィードバック制御するフィードバック制御系３６を設
ける。
し、コンパクト化、低コスト化を実現する。 【解決手段】 被処理物に成膜を施す反応室に、成膜用
の液体ソースを導入するソース供給配管３３が設けられ
る。このソース供給配管３３に、成膜用の液体ソースの
流量を計測する液体流量計３４と、液体ソースを瞬時に
ガス化するベーパコントローラ３５とを設ける。さらに
ベーパコントローラ３５によりガス化したソース流量が
前記液体流量計３４の計測値により一定量となるように
フィードバック制御するフィードバック制御系３６を設
ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に係
り、特に液体ソースを気化して反応室へ供給する液体ソ
ース供給装置を改善したものに関する。
り、特に液体ソースを気化して反応室へ供給する液体ソ
ース供給装置を改善したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の反応室でＳｉウェハに
成膜するには、反応室にソースを一定量連続して供給す
る必要がある。このソースにはガスと液体との２種があ
る。液体ソースの場合はガスソースと異なり、そのまま
の状態で供給できないから気化する必要がある。従来の
液体ソース供給装置にはバブリング方式とベーキング方
式とがあり、これらは反応室の圧力条件や液体ソースの
蒸気圧により使い分けられる。
成膜するには、反応室にソースを一定量連続して供給す
る必要がある。このソースにはガスと液体との２種があ
る。液体ソースの場合はガスソースと異なり、そのまま
の状態で供給できないから気化する必要がある。従来の
液体ソース供給装置にはバブリング方式とベーキング方
式とがあり、これらは反応室の圧力条件や液体ソースの
蒸気圧により使い分けられる。
【０００３】バブリング方式は、熱ＣＶＤ装置を示す図
６を用いて説明すれば次の通りである。左側の半分はソ
ース供給ラインで、ＣＶＤソースとなるものである。ソ
ースが気体の場合、ガスボンベに入ったソースは純化装
置１で純化後、流量制御装置（ＭＦＣ）２で所定の流量
に制御され反応室３に導かれる。ソースが液体の場合
（例えばＳｉＣｌ4、キャリアガスＨ2）、液体ソース５
はバブラ４とＭＦＣ２を通して反応室３へ導かれる。バ
ブラ４は、泡を出し、その中に液体ソース５を蒸気とし
て含ませる機器である。反応室３に空気が入っている場
合など置換ガスを用いて置換し、ついでソースガスを導
入する。液体ソース５の温度（符号Ｔは温度センサ）・
バブリングガスの流量およびバブラ４内の圧力を制御
し、液体ソース５の蒸発流量をコントロールする。
６を用いて説明すれば次の通りである。左側の半分はソ
ース供給ラインで、ＣＶＤソースとなるものである。ソ
ースが気体の場合、ガスボンベに入ったソースは純化装
置１で純化後、流量制御装置（ＭＦＣ）２で所定の流量
に制御され反応室３に導かれる。ソースが液体の場合
（例えばＳｉＣｌ4、キャリアガスＨ2）、液体ソース５
はバブラ４とＭＦＣ２を通して反応室３へ導かれる。バ
ブラ４は、泡を出し、その中に液体ソース５を蒸気とし
て含ませる機器である。反応室３に空気が入っている場
合など置換ガスを用いて置換し、ついでソースガスを導
入する。液体ソース５の温度（符号Ｔは温度センサ）・
バブリングガスの流量およびバブラ４内の圧力を制御
し、液体ソース５の蒸発流量をコントロールする。
【０００４】ベーキング方式は、ＴｉＣｌ4を液体ソー
スとするプラズマＣＶＤ装置を示す図７を用いて説明す
れば次の通りである。左側はソース供給ラインで、ＣＶ
Ｄソースとなるものである。ソースが気体（ＳｉＨ4、
Ｎ2、Ｈ2）の場合、ソースは流量制御装置（ＭＦＣ）１
２で所定の流量に制御され反応室１３に導かれる。ソー
スが液体（ＴｉＣｌ4）の場合、高温（７５℃）の加熱
タンク１１に入れて気化させ、ガス化したソースガスを
高温（８０℃）に保った制御室１４に導き、ＭＦＣ１２
を通して反応室１３へ導かれる。制御室１４から反応室
１３にガスを導くガス供給管１５を、テープヒータ１６
により液化温度よりも高い温度に加熱して、ＴｉＣｌ4
ガスを気体状態で反応室１３に導入する。
スとするプラズマＣＶＤ装置を示す図７を用いて説明す
れば次の通りである。左側はソース供給ラインで、ＣＶ
Ｄソースとなるものである。ソースが気体（ＳｉＨ4、
Ｎ2、Ｈ2）の場合、ソースは流量制御装置（ＭＦＣ）１
２で所定の流量に制御され反応室１３に導かれる。ソー
スが液体（ＴｉＣｌ4）の場合、高温（７５℃）の加熱
タンク１１に入れて気化させ、ガス化したソースガスを
高温（８０℃）に保った制御室１４に導き、ＭＦＣ１２
を通して反応室１３へ導かれる。制御室１４から反応室
１３にガスを導くガス供給管１５を、テープヒータ１６
により液化温度よりも高い温度に加熱して、ＴｉＣｌ4
ガスを気体状態で反応室１３に導入する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来のバブリング方式とベーキング方式とには、次のよ
うな問題がある。
従来のバブリング方式とベーキング方式とには、次のよ
うな問題がある。
【０００６】（１）バブリング方式 制御因子（キャリアガス流量、温度、気圧等）が多いた
め安定制御が難しく、ソースの消費量により定量再現性
に問題が生じる。また、供給系が複雑である。
め安定制御が難しく、ソースの消費量により定量再現性
に問題が生じる。また、供給系が複雑である。
【０００７】（２）ベーキング方式 加熱タンクが必要となるのでコストが高くシステムが大
型化する。また、低蒸気圧材料への対応が困難である。
高温（６００℃以上）に耐えられない既存の膜の上に窒
化膜を生成する場合に、成膜温度の低い窒化膜材料が要
請される。窒化膜材料としてチクロールシランでは成膜
温度が８００℃近くになるが、ＢＴＢＡＳ（ビスターシ
ャルブチルアミノシラン）を用いれば５００〜６００℃
という低い成膜温度が得られる。しかし、ＢＴＢＡＳは
低蒸気圧材料であるため、ベーキング方式が使えない。
型化する。また、低蒸気圧材料への対応が困難である。
高温（６００℃以上）に耐えられない既存の膜の上に窒
化膜を生成する場合に、成膜温度の低い窒化膜材料が要
請される。窒化膜材料としてチクロールシランでは成膜
温度が８００℃近くになるが、ＢＴＢＡＳ（ビスターシ
ャルブチルアミノシラン）を用いれば５００〜６００℃
という低い成膜温度が得られる。しかし、ＢＴＢＡＳは
低蒸気圧材料であるため、ベーキング方式が使えない。
【０００８】本発明の課題は、液体ソース供給装置にお
いて上述した従来技術の問題点を解消して、液体ソース
の流量制御、安定供給を可能とし、コンパクト化、低コ
スト化を実現した半導体製造装置を提供することにあ
る。
いて上述した従来技術の問題点を解消して、液体ソース
の流量制御、安定供給を可能とし、コンパクト化、低コ
スト化を実現した半導体製造装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、被処理物に成
膜を施す反応室と、前記反応室へ成膜用の液体ソースを
導入するソース供給ラインと、前記ソース供給ラインに
流れる成膜用の液体ソースを流量制御する液体流量制御
装置と、前記液体流量制御装置で流量制御された液体ソ
ースをガス化する蒸気圧制御装置とを備えた半導体製造
装置である。
膜を施す反応室と、前記反応室へ成膜用の液体ソースを
導入するソース供給ラインと、前記ソース供給ラインに
流れる成膜用の液体ソースを流量制御する液体流量制御
装置と、前記液体流量制御装置で流量制御された液体ソ
ースをガス化する蒸気圧制御装置とを備えた半導体製造
装置である。
【００１０】被処理物は半導体ウェハ特にシリコンウェ
ハであるが、ガラス基板等であってもよい。液体流量制
御装置は、液体の流量を一定に制御する機能を有し、一
般にはマスフローコントローラと呼ばれている。蒸気圧
制御装置は、液体を瞬時に気化させる機能を有し、一般
にはベーパコントローラと呼ばれている。
ハであるが、ガラス基板等であってもよい。液体流量制
御装置は、液体の流量を一定に制御する機能を有し、一
般にはマスフローコントローラと呼ばれている。蒸気圧
制御装置は、液体を瞬時に気化させる機能を有し、一般
にはベーパコントローラと呼ばれている。
【００１１】ソース供給ラインに流れる成膜用の液体ソ
ースは液体流量制御装置によってその流量が制御され
る。流量制御された液体ソースは蒸気圧制御装置に供給
されると瞬時に気化する。このため液体ソースは、液体
からダイレクトにガス化されて流量制御された状態で反
応室に導入されることになる。
ースは液体流量制御装置によってその流量が制御され
る。流量制御された液体ソースは蒸気圧制御装置に供給
されると瞬時に気化する。このため液体ソースは、液体
からダイレクトにガス化されて流量制御された状態で反
応室に導入されることになる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の縦型半導体製造装
置に係る実施の形態を説明する。図４は実施の形態によ
る熱ＣＶＤ装置の概略図を示す。左側の半分はソース供
給ライン２１でＣＶＤソースとなるものであり、右側は
反応室２２で、基板例えばＳｉウェハの表面に窒化膜を
形成するものである。窒化膜用のソースには気体、図示
例ではＮ2、ＧＡＳ１（所定のガス種）、ＮＨ3、ＮＦ3
と、液体、図示例ではＢＴＢＡＳ（ビスターシャルブチ
ルアミノシラン）とがある。
置に係る実施の形態を説明する。図４は実施の形態によ
る熱ＣＶＤ装置の概略図を示す。左側の半分はソース供
給ライン２１でＣＶＤソースとなるものであり、右側は
反応室２２で、基板例えばＳｉウェハの表面に窒化膜を
形成するものである。窒化膜用のソースには気体、図示
例ではＮ2、ＧＡＳ１（所定のガス種）、ＮＨ3、ＮＦ3
と、液体、図示例ではＢＴＢＡＳ（ビスターシャルブチ
ルアミノシラン）とがある。
【００１３】ソースが気体の場合、気体ソースは純化装
置（図示略）で純化後、ガスソース供給ライン２１の途
中に設けられた流量制御装置（ＭＦＣ）２３で所定の流
量に制御され、反応室２２に導かれる。
置（図示略）で純化後、ガスソース供給ライン２１の途
中に設けられた流量制御装置（ＭＦＣ）２３で所定の流
量に制御され、反応室２２に導かれる。
【００１４】ソースが液体の場合、液体ソースは液体ソ
ース供給ライン２４の途中に設けられた液体流量制御装
置（ＬＦ）２５と蒸気圧制御装置（ＶＣ）２６を通して
反応室２２へ導かれる。蒸気圧制御装置（ＶＣ）２６か
ら反応室２２に至るガスソース供給ライン２７の外周囲
にはヒータ２８が設けられ、ガス化した液体ソースが再
び液化しないように加熱し、気体状態で反応室２２に供
給されるようにしてある。なお、図中、ラインに設けら
れた黒丸印はバルブを示す。上記液体ソース供給ライン
２４、液体流量制御装置（ＬＦ）２５、蒸気圧制御装置
（ＶＣ）２６、ガスソース供給ライン２７およびヒータ
２８は、液体を気化して反応室２２に供給する液体供給
装置を構成している。
ース供給ライン２４の途中に設けられた液体流量制御装
置（ＬＦ）２５と蒸気圧制御装置（ＶＣ）２６を通して
反応室２２へ導かれる。蒸気圧制御装置（ＶＣ）２６か
ら反応室２２に至るガスソース供給ライン２７の外周囲
にはヒータ２８が設けられ、ガス化した液体ソースが再
び液化しないように加熱し、気体状態で反応室２２に供
給されるようにしてある。なお、図中、ラインに設けら
れた黒丸印はバルブを示す。上記液体ソース供給ライン
２４、液体流量制御装置（ＬＦ）２５、蒸気圧制御装置
（ＶＣ）２６、ガスソース供給ライン２７およびヒータ
２８は、液体を気化して反応室２２に供給する液体供給
装置を構成している。
【００１５】液体ソース供給装置は図１の詳細図に示す
ように、液体ソースを溜めるソースタンク３１と、ソー
ス供給ラインである複数のバルブ３２を設けた液体ソー
ス供給配管３３と、液体流量制御装置である流量制御及
び安定供給を行うための液体流量計（リキッドマスフロ
ーメータ（ＬＦＭ））３４と、蒸気圧制御装置である液
体を瞬時に気化させるためのベーパコントローラ（Ｖ
Ｃ）３５と、ベーパコントローラ３５と液体流量計３４
とを関連づけるフィードバック制御系３６と、ベーパコ
ントローラ３５と反応室をつなぐ区間のガスソース供給
配管３７に巻装されたテープヒータ３８とで構成され
る。上記液体ソース供給配管３３及びガスソース供給配
管３７はＳＵＳ配管などで構成される。
ように、液体ソースを溜めるソースタンク３１と、ソー
ス供給ラインである複数のバルブ３２を設けた液体ソー
ス供給配管３３と、液体流量制御装置である流量制御及
び安定供給を行うための液体流量計（リキッドマスフロ
ーメータ（ＬＦＭ））３４と、蒸気圧制御装置である液
体を瞬時に気化させるためのベーパコントローラ（Ｖ
Ｃ）３５と、ベーパコントローラ３５と液体流量計３４
とを関連づけるフィードバック制御系３６と、ベーパコ
ントローラ３５と反応室をつなぐ区間のガスソース供給
配管３７に巻装されたテープヒータ３８とで構成され
る。上記液体ソース供給配管３３及びガスソース供給配
管３７はＳＵＳ配管などで構成される。
【００１６】液体流量計３４は、液体の流通管の一部を
冷却し液体の流れによる熱供与を測定し、これを流量換
算することを計測原理としている。供与される熱量は液
体の比熱と質量流量に関連したファクタで表わせ、例え
ば０．０１〜５ｍｌ／ｍｉｎの流量を例えば精度±２％
Ｆ．Ｓ．で計測している。冷却方式の実現により低沸点
液体の流量計測を可能にする他、溶存ガスの放出も抑え
られ、低ノイズ、高安定性が得られている。液体流量計
３４の内部容積は例えば約０．０２ｍｌで、スルーフロ
ー（非分流、単一流路）構造である。液溜まりがなく置
換特性に優れており、仮に液中に気泡が存在しても簡単
に内部を抜ける点が特長である。さらに、スルーフロー
では分流方式で起こるサーマルサイフォニングによる傾
斜影響が現れず、取り付けの方向・姿勢も自由である。
液体流量計３４にはＶＣコントロールバルブの比較制御
及び駆動回路が内蔵されており、ＶＣとの信号接続はコ
ネクタにて行う。
冷却し液体の流れによる熱供与を測定し、これを流量換
算することを計測原理としている。供与される熱量は液
体の比熱と質量流量に関連したファクタで表わせ、例え
ば０．０１〜５ｍｌ／ｍｉｎの流量を例えば精度±２％
Ｆ．Ｓ．で計測している。冷却方式の実現により低沸点
液体の流量計測を可能にする他、溶存ガスの放出も抑え
られ、低ノイズ、高安定性が得られている。液体流量計
３４の内部容積は例えば約０．０２ｍｌで、スルーフロ
ー（非分流、単一流路）構造である。液溜まりがなく置
換特性に優れており、仮に液中に気泡が存在しても簡単
に内部を抜ける点が特長である。さらに、スルーフロー
では分流方式で起こるサーマルサイフォニングによる傾
斜影響が現れず、取り付けの方向・姿勢も自由である。
液体流量計３４にはＶＣコントロールバルブの比較制御
及び駆動回路が内蔵されており、ＶＣとの信号接続はコ
ネクタにて行う。
【００１７】ベーパコントローラ３５も公知のものが使
われる。ここではノンキャリアガスタイプのベーパコン
トローラ（ＶＣ）の内部構造を図２に示す。（ａ）は平
面図、（ｂ）は縦断面図である。ステンレス製のブロッ
ク体４１に液流路４２が形成されており、導入された液
体はオリフィス部４３を通過しダイアフラム部４４のダ
イアフラム面との隙間を経由し外部に導出される。オリ
フィスフラット面とダイアフラムフラット面との間が気
化部４８となる。気化部４８を加熱すると、導出側圧力
が加えられた熱量に対応する液体ソースの蒸気圧より低
い場合には、ソースは連続的に気化されていく。気化流
量（液体流量）の制御は、気化部４８の開度を駆動体で
あるピエゾスタック（圧電素子積層体）４５にて調整す
ることにより行う。加熱にはカートリッジヒータ４６を
用い、近傍に位置する熱電対４７よりフィードバック制
御する。
われる。ここではノンキャリアガスタイプのベーパコン
トローラ（ＶＣ）の内部構造を図２に示す。（ａ）は平
面図、（ｂ）は縦断面図である。ステンレス製のブロッ
ク体４１に液流路４２が形成されており、導入された液
体はオリフィス部４３を通過しダイアフラム部４４のダ
イアフラム面との隙間を経由し外部に導出される。オリ
フィスフラット面とダイアフラムフラット面との間が気
化部４８となる。気化部４８を加熱すると、導出側圧力
が加えられた熱量に対応する液体ソースの蒸気圧より低
い場合には、ソースは連続的に気化されていく。気化流
量（液体流量）の制御は、気化部４８の開度を駆動体で
あるピエゾスタック（圧電素子積層体）４５にて調整す
ることにより行う。加熱にはカートリッジヒータ４６を
用い、近傍に位置する熱電対４７よりフィードバック制
御する。
【００１８】図３に気化部４８の概略を示す。（ａ）は
平面図、（ｂ）は縦断面図である。オリフィス部４３の
オリフィスセンタから導出された液体は、ダイアフラム
部４４のダイアフラム面との間に形成された隙間を、オ
リフィス外周溝４９に向い放射状に拡がって行く。拡が
った液体は、隙間での急激な圧力降下によるキャビテー
ション効果とヒータ４６から与えられる熱効果により、
外周溝４９へ到達するまでに連続的に気化する。気化の
安定性は、気化部４８の構造条件の他に、液体の導入圧
力（一次側圧力）が気化する際に生ずる液体の蒸気圧よ
り高いこと、外周溝４９の圧力が蒸気圧より低く凝縮を
起こさないこと、気化に対し充分な熱量を加えることが
ポイントになる。
平面図、（ｂ）は縦断面図である。オリフィス部４３の
オリフィスセンタから導出された液体は、ダイアフラム
部４４のダイアフラム面との間に形成された隙間を、オ
リフィス外周溝４９に向い放射状に拡がって行く。拡が
った液体は、隙間での急激な圧力降下によるキャビテー
ション効果とヒータ４６から与えられる熱効果により、
外周溝４９へ到達するまでに連続的に気化する。気化の
安定性は、気化部４８の構造条件の他に、液体の導入圧
力（一次側圧力）が気化する際に生ずる液体の蒸気圧よ
り高いこと、外周溝４９の圧力が蒸気圧より低く凝縮を
起こさないこと、気化に対し充分な熱量を加えることが
ポイントになる。
【００１９】ベーパコントローラ３５は単体では気化制
御バルブであるので、定流量のソース供給には液体流量
計３４からのフィードバックが必要になる。そのフィー
ドバック制御系３６は図１に示す通り、液体流量計３４
の流量信号をベーパコントローラ３５にフィードバック
し、流量を安定供給する。液体流量のフィードバックに
は液体流量計３４が使用される。フィードバック制御系
３６はベーパコントローラ３５以降の２次側圧力損失が
低減できることより低蒸気圧ソースの気化制御に有効で
ある。
御バルブであるので、定流量のソース供給には液体流量
計３４からのフィードバックが必要になる。そのフィー
ドバック制御系３６は図１に示す通り、液体流量計３４
の流量信号をベーパコントローラ３５にフィードバック
し、流量を安定供給する。液体流量のフィードバックに
は液体流量計３４が使用される。フィードバック制御系
３６はベーパコントローラ３５以降の２次側圧力損失が
低減できることより低蒸気圧ソースの気化制御に有効で
ある。
【００２０】上述したように本実施の形態ではペーパコ
ントローラ３５を用いたダイレクトインジェクション方
式を採用している。半導体製造装置外（例えば客先設
備）より圧送される液体ソースは、半導体製造装置内の
ソース供給配管３３内を通り液体流量計３４で液体流量
を計測されベーパコントローラ３５で気化される。この
とき液体流量計３４の流量信号をベーパコントローラ３
５にフィードバックし、常に目的の流量を安定供給する
ようコントロールが行われる。したがって気化された液
体ソースを反応室へ一定量連続して安定供給できる。こ
のように実施の形態によればダイレクトインジェクショ
ン方式（ＶＣ＋ＬＦ）を採用したので、流量制御、安定
供給、コンパクト化、低コスト化を改善することができ
た。また５００〜６００℃という低温での成膜が可能な
低蒸気圧の液体ソース、例えばＢＴＢＡＳも使用可能で
ある。
ントローラ３５を用いたダイレクトインジェクション方
式を採用している。半導体製造装置外（例えば客先設
備）より圧送される液体ソースは、半導体製造装置内の
ソース供給配管３３内を通り液体流量計３４で液体流量
を計測されベーパコントローラ３５で気化される。この
とき液体流量計３４の流量信号をベーパコントローラ３
５にフィードバックし、常に目的の流量を安定供給する
ようコントロールが行われる。したがって気化された液
体ソースを反応室へ一定量連続して安定供給できる。こ
のように実施の形態によればダイレクトインジェクショ
ン方式（ＶＣ＋ＬＦ）を採用したので、流量制御、安定
供給、コンパクト化、低コスト化を改善することができ
た。また５００〜６００℃という低温での成膜が可能な
低蒸気圧の液体ソース、例えばＢＴＢＡＳも使用可能で
ある。
【００２１】なお、上記の実施の形態では、液体ソース
を気化して反応室へ一定量連続して供給する方法とし
て、液体の流量を制御してから液体を気化するようにし
たが、反対に、液体を気化してから気化ガスの流量を制
御するようにしてもよい。すなわち、図５に示すよう
に、ベーパコントローラ３５の下流側にガス流量計３９
を設けて、液体をガス化した後、その供給量を気化ガス
の流量で制御する。
を気化して反応室へ一定量連続して供給する方法とし
て、液体の流量を制御してから液体を気化するようにし
たが、反対に、液体を気化してから気化ガスの流量を制
御するようにしてもよい。すなわち、図５に示すよう
に、ベーパコントローラ３５の下流側にガス流量計３９
を設けて、液体をガス化した後、その供給量を気化ガス
の流量で制御する。
【００２２】ガス流量計３９には、例えば高温対応自己
加熱型マスフローメータ（ＭＦＭ）が使用される。小型
形状でベーパコントローラ３５との直接結合が可能であ
る。内部構成はセンサ部、バイパス部、本体ブロック、
継手部、ヒータ、および熱電対からなり、分流比を調整
することにより、例えば１０〜５０００ＣＣＭ（Ｎ2流
量換算）の流量範囲を例えば±１％Ｆ．Ｓ．の精度で対
応している。センサは流通管にコイルを巻いた加熱方式
を使用しており、ガス流が生じた際の熱バランス変化を
測定し流量換算している。電気回路は本体と別置きで
（本体を加熱温調するため）、ＶＣコントロールバルブ
駆動用の比較制御回路が内蔵されている。
加熱型マスフローメータ（ＭＦＭ）が使用される。小型
形状でベーパコントローラ３５との直接結合が可能であ
る。内部構成はセンサ部、バイパス部、本体ブロック、
継手部、ヒータ、および熱電対からなり、分流比を調整
することにより、例えば１０〜５０００ＣＣＭ（Ｎ2流
量換算）の流量範囲を例えば±１％Ｆ．Ｓ．の精度で対
応している。センサは流通管にコイルを巻いた加熱方式
を使用しており、ガス流が生じた際の熱バランス変化を
測定し流量換算している。電気回路は本体と別置きで
（本体を加熱温調するため）、ＶＣコントロールバルブ
駆動用の比較制御回路が内蔵されている。
【００２３】ＭＦＭ３９で検出したガス流量の測定結果
をベーパコントローラ３５に返すフィードバック制御系
４０は、ガス流量としての確実なモニタによりベーキン
グシステムと同一感覚での使用が可能となる。
をベーパコントローラ３５に返すフィードバック制御系
４０は、ガス流量としての確実なモニタによりベーキン
グシステムと同一感覚での使用が可能となる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、液体流量制御装置と蒸
気圧制御装置とを設けるだけの簡単な構造で、従来のよ
うなバブリング方式やベーキング方式を用いずに、液体
ソースを気化して反応室へ一定量連続して安定供給する
ことができる。その結果、小型かつ低コストで成膜性能
を向上することができる。
気圧制御装置とを設けるだけの簡単な構造で、従来のよ
うなバブリング方式やベーキング方式を用いずに、液体
ソースを気化して反応室へ一定量連続して安定供給する
ことができる。その結果、小型かつ低コストで成膜性能
を向上することができる。
【図１】実施の形態による液体ソース供給装置の構成図
である。
である。
【図２】実施の形態によるベーパコントローラ（ＶＣ）
の内部構造を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断
面図である。
の内部構造を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断
面図である。
【図３】実施形態による気化部の概略を示す図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図である。
【図４】実施の形態による熱ＣＶＤ装置の概略図であ
る。
る。
【図５】他の実施の形態による液体ソース供給装置の構
成図である。
成図である。
【図６】従来のバブリング方式による液体ソース供給装
置の構成図である。
置の構成図である。
【図７】従来のベーキング方式による液体ソース供給装
置の構成図である。
置の構成図である。
３１ ソースタンク ３３ 液体ソース供給配管 ３４ 液体流量計 ３５ ベーパコントローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本田 剛一 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA09 AA13 AA18 BA40 CA04 CA06 EA01 FA10 KA41 LA15 5F045 AA03 AB33 AC07 AC12 AD09 AD10 AF03 AF07 BB08 EC07 EC09 EE02 EE04
Claims (1)
- 【請求項１】被処理物に成膜を施す反応室と、 前記反応室へ成膜用の液体ソースを導入するソース供給
ラインと、 前記ソース供給ラインに流れる成膜用の液体ソースを流
量制御する液体流量制御装置と、 前記液体流量制御装置で流量制御された液体ソースをガ
ス化する蒸気圧制御装置とを備えた半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36727599A JP2001185492A (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36727599A JP2001185492A (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001185492A true JP2001185492A (ja) | 2001-07-06 |
Family
ID=18488913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36727599A Pending JP2001185492A (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001185492A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007515060A (ja) * | 2003-11-25 | 2007-06-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 窒化ケイ素の熱化学気相堆積 |
| WO2009122646A1 (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-08 | 株式会社フジキン | 気化器を備えたガス供給装置 |
| JP2018157234A (ja) * | 2013-12-24 | 2018-10-04 | 東京エレクトロン株式会社 | ステージ、ステージの製造方法 |
| US10475686B2 (en) | 2013-12-24 | 2019-11-12 | Tokyo Electron Limited | Stage, stage manufacturing method, and heat exchanger |
| WO2022025588A1 (ko) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 삼성전자주식회사 | 증착 시스템 및 공정 시스템 |
-
1999
- 1999-12-24 JP JP36727599A patent/JP2001185492A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007515060A (ja) * | 2003-11-25 | 2007-06-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 窒化ケイ素の熱化学気相堆積 |
| WO2009122646A1 (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-08 | 株式会社フジキン | 気化器を備えたガス供給装置 |
| JP2009252760A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Fujikin Inc | 気化器を備えたガス供給装置 |
| KR101116118B1 (ko) * | 2008-04-01 | 2012-04-12 | 가부시키가이샤 후지킨 | 기화기를 구비한 가스 공급장치 |
| US8931506B2 (en) | 2008-04-01 | 2015-01-13 | Fujikin Incorporated | Gas supply apparatus equipped with vaporizer |
| JP2018157234A (ja) * | 2013-12-24 | 2018-10-04 | 東京エレクトロン株式会社 | ステージ、ステージの製造方法 |
| US10475686B2 (en) | 2013-12-24 | 2019-11-12 | Tokyo Electron Limited | Stage, stage manufacturing method, and heat exchanger |
| US11437259B2 (en) | 2013-12-24 | 2022-09-06 | Tokyo Electron Limited | Stage, stage manufacturing method, and heat exchanger |
| WO2022025588A1 (ko) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 삼성전자주식회사 | 증착 시스템 및 공정 시스템 |
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