JP2002359233A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマ処理におけるウエハへの金属汚染量を
低減する。 【解決手段】プラズマ処理室１０５の下方の排気系に繋
がるステンレス鋼製の真空容器内の内壁を、シリカ系皮
膜１１９及び高純度アルミナ皮膜１２０でコーティング
することにより、プラズマ処理室１０５から広がってき
たプラズマによる金属元素の飛散を抑制する。
低減する。 【解決手段】プラズマ処理室１０５の下方の排気系に繋
がるステンレス鋼製の真空容器内の内壁を、シリカ系皮
膜１１９及び高純度アルミナ皮膜１２０でコーティング
することにより、プラズマ処理室１０５から広がってき
たプラズマによる金属元素の飛散を抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理装置に
係り、特に半導体デバイス或いは液晶デバイスの製造工
程において、腐食性ガスを用いたプラズマエッチング処
理を施すプラズマ処理装置に関するものである。
係り、特に半導体デバイス或いは液晶デバイスの製造工
程において、腐食性ガスを用いたプラズマエッチング処
理を施すプラズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスで用いられる代表的
なプラズマ処理装置として、図３に示すようなマイクロ
波プラズマエッチング装置がある。本装置ではマグネト
ロン１００からのマイクロ波が導波管１０１と該経路に
具備したオートチューナ102,アイソレータ１０３により
制御され石英窓１０４を透過して真空排気されたプラズ
マ処理室１０５に導入される。該マイクロ波と複数のコ
イル１０６により形成された磁場との相互作用ＥＣＲ
（Electron Cyclotron Resonance）により低圧雰囲気中
で低〜高密度プラズマを形成することを可能にしてい
る。エッチングに用いるガスはガス流量コントローラ１
０７を具備したガス導入系１０８及び複数の開孔部１０
９を有するガス分散板１１０を通してプラズマ処理室１
０５に導入され、バリアブルバルブ１１１により所望の
圧力に調整される。ウエハ１１２は別系統により排気さ
れた準備室１１３からゲートバルブ１１４を介して上下
動可能な電極１１５上に静電吸着方式で固定され、高周
波電源１１６によりバイアス用電力が印加される。該高
周波バイアスを安定に制御するためにアース電極１１７
を設置している。プラズマ処理室１０５はアルミ合金等
で作製されており、その内側には石英製内筒１１８が具
備されている。
なプラズマ処理装置として、図３に示すようなマイクロ
波プラズマエッチング装置がある。本装置ではマグネト
ロン１００からのマイクロ波が導波管１０１と該経路に
具備したオートチューナ102,アイソレータ１０３により
制御され石英窓１０４を透過して真空排気されたプラズ
マ処理室１０５に導入される。該マイクロ波と複数のコ
イル１０６により形成された磁場との相互作用ＥＣＲ
（Electron Cyclotron Resonance）により低圧雰囲気中
で低〜高密度プラズマを形成することを可能にしてい
る。エッチングに用いるガスはガス流量コントローラ１
０７を具備したガス導入系１０８及び複数の開孔部１０
９を有するガス分散板１１０を通してプラズマ処理室１
０５に導入され、バリアブルバルブ１１１により所望の
圧力に調整される。ウエハ１１２は別系統により排気さ
れた準備室１１３からゲートバルブ１１４を介して上下
動可能な電極１１５上に静電吸着方式で固定され、高周
波電源１１６によりバイアス用電力が印加される。該高
周波バイアスを安定に制御するためにアース電極１１７
を設置している。プラズマ処理室１０５はアルミ合金等
で作製されており、その内側には石英製内筒１１８が具
備されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体製造工程におけ
るウエハの重金属汚染量は、例えばＦｅ，Ｎｉについて
は５×１０10個／cm2 以下であることが要求されてい
る。これは、金属元素が半導体デバイス中に入り込むと
素子性能の劣化を引き起こすためである。デバイス性能
向上とコスト低減を図るために、デバイスの設計ルール
は０.３μｍ レベルから０.１３μｍ レベルへと微細化
が進められている。デバイス寸法の縮小に伴い、上述し
た重金属汚染に対する許容レベルは厳しくなり、５×１
０9個／cm2以下に抑える必要が出てくる。図３に示した
マイクロ波プラズマエッチング装置ではアルミ合金製の
プラズマ処理室１０５の内面には高純度のアルマイトを
被覆し、さらに石英製内筒１１８を載置することでウエ
ハ１１２へ飛来する金属元素を抑制している。しかしな
がら、プラズマ及びマイクロ波の一部はプラズマ処理室
１０５内部に留まらず、プラズマ処理室１０５と繋がる
真空容器内にも拡がる。該真空容器内に拡がったプラズ
マは金属製の内面をスパッタリングし、真空容器内まで
伝播したマイクロ波（高周波）はパッシェンの法則（Pa
schen's law）を満たすような金属部品の間隙において
局所放電を誘発し、該金属部品表面をスパッタリングす
る。また、ウエハ１１２の出し入れのためのゲートバル
ブ１１４では金属部品の物理的な衝撃により僅かではあ
るが表面の金属が飛散する。このように放電によるスパ
ッタリング及び物理的な衝撃により飛散した金属元素が
ウエハ１１２上に飛来、付着するため重金属汚染量を５
×１０9個／cm2以下にすることが困難な場合がある。
るウエハの重金属汚染量は、例えばＦｅ，Ｎｉについて
は５×１０10個／cm2 以下であることが要求されてい
る。これは、金属元素が半導体デバイス中に入り込むと
素子性能の劣化を引き起こすためである。デバイス性能
向上とコスト低減を図るために、デバイスの設計ルール
は０.３μｍ レベルから０.１３μｍ レベルへと微細化
が進められている。デバイス寸法の縮小に伴い、上述し
た重金属汚染に対する許容レベルは厳しくなり、５×１
０9個／cm2以下に抑える必要が出てくる。図３に示した
マイクロ波プラズマエッチング装置ではアルミ合金製の
プラズマ処理室１０５の内面には高純度のアルマイトを
被覆し、さらに石英製内筒１１８を載置することでウエ
ハ１１２へ飛来する金属元素を抑制している。しかしな
がら、プラズマ及びマイクロ波の一部はプラズマ処理室
１０５内部に留まらず、プラズマ処理室１０５と繋がる
真空容器内にも拡がる。該真空容器内に拡がったプラズ
マは金属製の内面をスパッタリングし、真空容器内まで
伝播したマイクロ波（高周波）はパッシェンの法則（Pa
schen's law）を満たすような金属部品の間隙において
局所放電を誘発し、該金属部品表面をスパッタリングす
る。また、ウエハ１１２の出し入れのためのゲートバル
ブ１１４では金属部品の物理的な衝撃により僅かではあ
るが表面の金属が飛散する。このように放電によるスパ
ッタリング及び物理的な衝撃により飛散した金属元素が
ウエハ１１２上に飛来、付着するため重金属汚染量を５
×１０9個／cm2以下にすることが困難な場合がある。
【０００４】本発明の目的は、試料への金属汚染量を低
減することのできるプラズマ処理装置を提供することに
ある。
減することのできるプラズマ処理装置を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマ処理
室に繋がる真空容器を構成する金属内壁及び該真空容器
内の金属部品、及びゲートバルブの表面を、Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｒ及びＣｕ等の金属濃度が１０ppm 未満であるシ
リカ系皮膜及びアルミナ皮膜を用いて被覆することによ
り、ウエハの金属汚染レベルを５×１０9個／cm2以下の
レベルまで安定して低減することができる。
室に繋がる真空容器を構成する金属内壁及び該真空容器
内の金属部品、及びゲートバルブの表面を、Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｒ及びＣｕ等の金属濃度が１０ppm 未満であるシ
リカ系皮膜及びアルミナ皮膜を用いて被覆することによ
り、ウエハの金属汚染レベルを５×１０9個／cm2以下の
レベルまで安定して低減することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１により説
明する。図１はプラズマ処理装置の一つであるマイクロ
波プラズマエッチング装置の概略図を示す。本図におい
て図３と同符号は同一部材を示し、説明を省略する。本
図が図３と異なる点は、プラズマ処理室１０５の下方の
排気系に繋がるステンレス鋼製の真空容器内の内壁をシ
リカ系皮膜１１９及び高純度アルミナ皮膜１２０で覆っ
ている点である。
明する。図１はプラズマ処理装置の一つであるマイクロ
波プラズマエッチング装置の概略図を示す。本図におい
て図３と同符号は同一部材を示し、説明を省略する。本
図が図３と異なる点は、プラズマ処理室１０５の下方の
排気系に繋がるステンレス鋼製の真空容器内の内壁をシ
リカ系皮膜１１９及び高純度アルミナ皮膜１２０で覆っ
ている点である。
【０００７】シリカ系皮膜１１９は、シリカ系溶液の塗
布或いはスプレーにより形成することが可能であり、室
温〜２００℃の範囲で乾燥させることにより安定した皮
膜になる。シリカ系皮膜１１９の厚さは０.０５〜１mm
の範囲であり、金属濃度(Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ及びＣｕ）
は誘導結合プラズマ発光分析法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）での
検出下限以下であり、多く見積もっても１０ppm 以下で
ある。高純度アルミナ皮膜１２０は、不純物濃度＜１０
ppm の原料を用いてプラズマ溶射法を用い、シリカ系皮
膜１１９上にコーティングしている。高純度アルミナ皮
膜１２０中の不純物金属濃度は＜１０ppm であることを
蛍光Ｘ線分析により確認している。
布或いはスプレーにより形成することが可能であり、室
温〜２００℃の範囲で乾燥させることにより安定した皮
膜になる。シリカ系皮膜１１９の厚さは０.０５〜１mm
の範囲であり、金属濃度(Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ及びＣｕ）
は誘導結合プラズマ発光分析法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）での
検出下限以下であり、多く見積もっても１０ppm 以下で
ある。高純度アルミナ皮膜１２０は、不純物濃度＜１０
ppm の原料を用いてプラズマ溶射法を用い、シリカ系皮
膜１１９上にコーティングしている。高純度アルミナ皮
膜１２０中の不純物金属濃度は＜１０ppm であることを
蛍光Ｘ線分析により確認している。
【０００８】本実施例によれば、シリカ系皮膜１１９及
び高純度アルミナ皮膜１２０を用いてプラズマ処理室１
０５に繋がるステンレス鋼製真空容器の内面を覆うこと
により、真空容器部まで回り込んだプラズマによって引
き起こされる金属の飛散，放出を抑止できる。その結
果、エッチング処理中のウエハ１１２上の金属汚染レベ
ルを３〜５×１０9個／cm2 レベルに低減できる。
び高純度アルミナ皮膜１２０を用いてプラズマ処理室１
０５に繋がるステンレス鋼製真空容器の内面を覆うこと
により、真空容器部まで回り込んだプラズマによって引
き起こされる金属の飛散，放出を抑止できる。その結
果、エッチング処理中のウエハ１１２上の金属汚染レベ
ルを３〜５×１０9個／cm2 レベルに低減できる。
【０００９】上述したシリカ系皮膜１１９だけでステン
レス鋼製真空容器の内面を覆うこともウエハ金属汚染の
低減には有効であるが、シリカ系皮膜１１９だけの場合
にはプラズマに曝した時の消耗速度が比較的大きいとい
う問題がある。本実施例では、プラズマ耐性の優れた高
純度アルミナ皮膜１２０をシリカ系皮膜１１９上にコー
ティングすることにより、長期間に渡り金属汚染を低減
できる。また、シリカ皮膜１１９と高純度アルミナ皮膜
１２０により、プラズマエッチング装置のメンテナンス
清掃の純水拭き作業及び大気中からの水分とハロゲンを
含む堆積物による下地金属の侵食反応を防ぐことができ
る。
レス鋼製真空容器の内面を覆うこともウエハ金属汚染の
低減には有効であるが、シリカ系皮膜１１９だけの場合
にはプラズマに曝した時の消耗速度が比較的大きいとい
う問題がある。本実施例では、プラズマ耐性の優れた高
純度アルミナ皮膜１２０をシリカ系皮膜１１９上にコー
ティングすることにより、長期間に渡り金属汚染を低減
できる。また、シリカ皮膜１１９と高純度アルミナ皮膜
１２０により、プラズマエッチング装置のメンテナンス
清掃の純水拭き作業及び大気中からの水分とハロゲンを
含む堆積物による下地金属の侵食反応を防ぐことができ
る。
【００１０】高純度アルミナ皮膜１２０が所定の許容レ
ベルを超えて消耗した場合は、再度プラズマ溶射するこ
とにより高純度アルミナ皮膜１２０を重ねて被覆するこ
とも可能である。
ベルを超えて消耗した場合は、再度プラズマ溶射するこ
とにより高純度アルミナ皮膜１２０を重ねて被覆するこ
とも可能である。
【００１１】上述した実施例ではプラズマ処理室１０５
に繋がる真空容器はステンレス鋼製であるが、アルミ合
金製の真空容器に対してもシリカ系皮膜１１９及び高純
度アルミナ皮膜１２０で覆うことが可能であり、ウエハ
１１２上の金属汚染レベルも同様に低減できることは言
うまでもない。
に繋がる真空容器はステンレス鋼製であるが、アルミ合
金製の真空容器に対してもシリカ系皮膜１１９及び高純
度アルミナ皮膜１２０で覆うことが可能であり、ウエハ
１１２上の金属汚染レベルも同様に低減できることは言
うまでもない。
【００１２】次に本発明の第２の実施例を図２により説
明する。本図において図３および図１と同符号は同一部
材を示し説明を省略する。本図が図１と異なる点は、プ
ラズマ処理室１０５に繋がるステンレス鋼製真空容器の
内面だけをシリカ系皮膜／高純度アルミナ皮膜２１９で
被覆するだけでなく、ウエハ１１２の搬送口となるゲー
トバルブ１１４の開閉面をシリカ系皮膜／高純度アルミ
ナ皮膜２２０で被覆し、また、圧力調整用のバリアブル
バルブ１１１もシリカ系皮膜／高純度アルミナ皮膜２２
１で被覆している点である。本実施例では真空容器内で
可動するバルブ部品をシリカ系皮膜で覆っており、これ
らの部品に起因する金属元素のウエハ１１２への飛来を
抑制できる。金属元素の飛来源としては、プラズマ処理
室105に繋がるステンレス鋼製真空容器の内面よりもバ
ルブ部品の開閉動作に伴う物理的な衝撃が支配的になる
ことがある。そのような場合にはバルブ部品だけをシリ
カ系皮膜／高純度アルミナ皮膜で覆っても充分な効果が
あることは言うまでもない。
明する。本図において図３および図１と同符号は同一部
材を示し説明を省略する。本図が図１と異なる点は、プ
ラズマ処理室１０５に繋がるステンレス鋼製真空容器の
内面だけをシリカ系皮膜／高純度アルミナ皮膜２１９で
被覆するだけでなく、ウエハ１１２の搬送口となるゲー
トバルブ１１４の開閉面をシリカ系皮膜／高純度アルミ
ナ皮膜２２０で被覆し、また、圧力調整用のバリアブル
バルブ１１１もシリカ系皮膜／高純度アルミナ皮膜２２
１で被覆している点である。本実施例では真空容器内で
可動するバルブ部品をシリカ系皮膜で覆っており、これ
らの部品に起因する金属元素のウエハ１１２への飛来を
抑制できる。金属元素の飛来源としては、プラズマ処理
室105に繋がるステンレス鋼製真空容器の内面よりもバ
ルブ部品の開閉動作に伴う物理的な衝撃が支配的になる
ことがある。そのような場合にはバルブ部品だけをシリ
カ系皮膜／高純度アルミナ皮膜で覆っても充分な効果が
あることは言うまでもない。
【００１３】また、プラズマ処理室１０５に繋がるステ
ンレス鋼製真空容器の内面，ゲートバルブ１１４および
バリアブルバルブ１１１に加えて、電極１１５の下部構
造部に対してもシリカ系皮膜／高純度アルミナ皮膜２２
２を被覆することにより、プラズマ処理室１０５を通過
したマイクロ波（高周波電界）により電極１１５の下部
構造部の間隙がパッシェンの法則（Paschen's law）を
満たし局所放電を誘発した場合においても、金属元素の
飛散を抑制できる。すなわち、電極１１５の下部構造部
には電極上下動或いはメンテナンスのために部品が複数
に分割されており、アセンブリに伴う間隙が存在し、こ
こに局所放電を誘発する場合があり、このときの部品か
らの金属の飛散を防止することができる。このような可
動部品および分割部品の金属製部品と隣接する金属製部
品との間隔が０.５mm〜１００mmとなるところに、シリ
カ系皮膜／高純度アルミナ皮膜を被覆することが有効で
ある。
ンレス鋼製真空容器の内面，ゲートバルブ１１４および
バリアブルバルブ１１１に加えて、電極１１５の下部構
造部に対してもシリカ系皮膜／高純度アルミナ皮膜２２
２を被覆することにより、プラズマ処理室１０５を通過
したマイクロ波（高周波電界）により電極１１５の下部
構造部の間隙がパッシェンの法則（Paschen's law）を
満たし局所放電を誘発した場合においても、金属元素の
飛散を抑制できる。すなわち、電極１１５の下部構造部
には電極上下動或いはメンテナンスのために部品が複数
に分割されており、アセンブリに伴う間隙が存在し、こ
こに局所放電を誘発する場合があり、このときの部品か
らの金属の飛散を防止することができる。このような可
動部品および分割部品の金属製部品と隣接する金属製部
品との間隔が０.５mm〜１００mmとなるところに、シリ
カ系皮膜／高純度アルミナ皮膜を被覆することが有効で
ある。
【００１４】上述したこれら実施例によると、ウエハ１
１２に飛来・付着する金属元素の量を安定して低減する
ことが可能である。
１２に飛来・付着する金属元素の量を安定して低減する
ことが可能である。
【００１５】なお、これら実施例ではプラズマ処理装置
としてマイクロ波によりプラズマ生成する方式の装置に
ついて述べたが、ヘリコン波などを用いた他のプラズマ
放電方式でも同様の効果があることは言うまでも無い。
としてマイクロ波によりプラズマ生成する方式の装置に
ついて述べたが、ヘリコン波などを用いた他のプラズマ
放電方式でも同様の効果があることは言うまでも無い。
【００１６】
【発明の効果】以上、本発明によれば、被処理ウエハ上
への金属汚染レベルを５×１０9個／cm2 以下に低減で
き、Ｓｉデバイスの性能及び信頼性を向上させることが
できる。
への金属汚染レベルを５×１０9個／cm2 以下に低減で
き、Ｓｉデバイスの性能及び信頼性を向上させることが
できる。
【図１】本発明の一実施例であるプラズマ処理装置を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図２】本発明の他の実施例であるプラズマ処理装置を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図３】従来のプラズマ処理装置を示す縦断面である。
１００…マグネトロン、１０１…導波管、１０２…オー
トチューナ、１０３…アイソレータ、１０４…石英窓、
１０５…プラズマ処理室、１０６…コイル、１０７…ガ
ス流量コントローラ、１０８…ガス導入系、１０９…開
孔部、１１０…ガス分散板、１１１…バリアブルバル
ブ、１１２…ウエハ、１１３…準備室、１１４…ゲート
バルブ、１１５…ステージ電極、１１６…高周波電源、
１１７…アース電極、１１８…石英製内筒、１１９…シ
リカ系皮膜、１２０…高純度アルミナ皮膜、２１９，２
２０，２２１，２２２…シリカ系皮膜／高純度アルミナ
皮膜。
トチューナ、１０３…アイソレータ、１０４…石英窓、
１０５…プラズマ処理室、１０６…コイル、１０７…ガ
ス流量コントローラ、１０８…ガス導入系、１０９…開
孔部、１１０…ガス分散板、１１１…バリアブルバル
ブ、１１２…ウエハ、１１３…準備室、１１４…ゲート
バルブ、１１５…ステージ電極、１１６…高周波電源、
１１７…アース電極、１１８…石英製内筒、１１９…シ
リカ系皮膜、１２０…高純度アルミナ皮膜、２１９，２
２０，２２１，２２２…シリカ系皮膜／高純度アルミナ
皮膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 AA51 BA05 BC06 BD14 CA25 CA47 DA01 EC14 EC21 FB01 4K030 DA04 KA08 KA30 KA47 LA15 LA18 5F004 AA14 AA15 BA07 BA09 BA16 BB07 BB18 BB22 BB24 BB28 BB29 BB30
Claims (7)
- 【請求項１】処理室内を減圧排気するとともに所望のガ
スを導入し、該ガスをプラズマ化して、前記処理室内に
配置した試料を処理するプラズマ処理装置において、前
記処理室に繋がる真空容器を構成する金属内壁の少なく
とも一部をシリカ系皮膜及び高純度アルミナ皮膜で覆っ
たことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】請求項１記載のプラズマ処理装置におい
て、前記真空容器を構成する金属内壁がアルミ合金また
はステンレス鋼を主材とした材料で構成されてなるプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項３】処理室内を減圧排気するとともに所望のガ
スを導入し、該ガスをプラズマ化して、前記処理室内に
配置した試料を処理するプラズマ処理装置において、前
記処理室に繋がる真空容器内に具備された金属製部品の
表面の少なくとも一部をシリカ系皮膜及び高純度アルミ
ナ皮膜で覆ったことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項４】請求項３記載のプラズマ処理装置におい
て、前記真空容器内に具備された金属製部品の表面がア
ルミ合金またはステンレス鋼を主材とした材料で構成さ
れてなるプラズマ処理装置。 - 【請求項５】請求項４記載のプラズマ処理装置におい
て、金属製部品が開閉バルブ或いは開度調整バルブであ
るプラズマ処理装置。 - 【請求項６】請求項５記載のプラズマ処理装置におい
て、前記金属製部品と隣接する金属製部品との間隔が
０.５mm 〜１００mmであるプラズマ処理装置。 - 【請求項７】請求項１および３記載のプラズマ処理装置
において、前記シリカ系皮膜及び高純度アルミナ皮膜に
おけるＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ及びＣｕ濃度が１０ppm 未満で
あるプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001166012A JP2002359233A (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001166012A JP2002359233A (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002359233A true JP2002359233A (ja) | 2002-12-13 |
Family
ID=19008609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001166012A Pending JP2002359233A (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002359233A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007515060A (ja) * | 2003-11-25 | 2007-06-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 窒化ケイ素の熱化学気相堆積 |
| JP2009049047A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-03-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2017010972A (ja) * | 2015-06-17 | 2017-01-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
-
2001
- 2001-06-01 JP JP2001166012A patent/JP2002359233A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007515060A (ja) * | 2003-11-25 | 2007-06-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 窒化ケイ素の熱化学気相堆積 |
| JP4801591B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2011-10-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 窒化ケイ素の熱化学気相堆積 |
| JP2009049047A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-03-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2017010972A (ja) * | 2015-06-17 | 2017-01-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
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