JP2002203839A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JP2002203839A JP2002203839A JP2001000052A JP2001000052A JP2002203839A JP 2002203839 A JP2002203839 A JP 2002203839A JP 2001000052 A JP2001000052 A JP 2001000052A JP 2001000052 A JP2001000052 A JP 2001000052A JP 2002203839 A JP2002203839 A JP 2002203839A
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- Japan
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- plasma
- plasma processing
- processing chamber
- silica
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマ処理装置に繋がる真空容器内にもプラ
ズマが広がり、該真空容器内面の金属元素が飛散してプ
ラズマ処理したウエハ上に付着する。該付着した重金属
は半導体デバイスの特性を劣化させる。 【解決手段】プラズマ処理室１０５の下方の排気系に繋
がるステンレス鋼製の真空容器内の内壁をシリカ系皮膜
１１９でことにより、プラズマ処理室１０５から広がっ
てきたプラズマによる金属元素の飛散を抑制する。 【効果】被プラズマ処理ウエハ上への金属汚染レベルを
１０９個／ｃｍ２以下に低減でき、Ｓｉデバイスの性能
及び信頼性を向上させることができる。
ズマが広がり、該真空容器内面の金属元素が飛散してプ
ラズマ処理したウエハ上に付着する。該付着した重金属
は半導体デバイスの特性を劣化させる。 【解決手段】プラズマ処理室１０５の下方の排気系に繋
がるステンレス鋼製の真空容器内の内壁をシリカ系皮膜
１１９でことにより、プラズマ処理室１０５から広がっ
てきたプラズマによる金属元素の飛散を抑制する。 【効果】被プラズマ処理ウエハ上への金属汚染レベルを
１０９個／ｃｍ２以下に低減でき、Ｓｉデバイスの性能
及び信頼性を向上させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理装置に
係わり、特に半導体デバイス或いは液晶デバイスの製造
工程において、腐食性ガスを用いたプラズマエッチング
処理を施すプラズマ処理装置及び該プラズマ装置に用い
る部品の製作方法に関する。
係わり、特に半導体デバイス或いは液晶デバイスの製造
工程において、腐食性ガスを用いたプラズマエッチング
処理を施すプラズマ処理装置及び該プラズマ装置に用い
る部品の製作方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスで用いられる代表的
なプラズマ処理装置として、図２に示すようなマイクロ
波プラズマエッチング装置がある。本装置ではマグネト
ロン２００からのマイクロ波が導波管２０１と該経路に
具備したオートチューナ２０２、アイソレータ２０３に
より制御され石英窓２０４を透過して真空排気されたプ
ラズマ処理室２０５に導入される。該マイクロ波と複数
のコイル２０６により形成された磁場との相互作用ＥＣ
Ｒ（Electron Cyclotron Resonance）により低圧雰囲気
中で低〜高密度プラズマを形成することを可能にしてい
る。エッチングに用いるガスはガス流量コントローラ２
０７を具備したガス導入系２０８及び複数の開孔部２０
９を有するガス分散板２１０を通してプラズマ処理室２
０５に導入され、バリアブルバルブ２１１により所望の
圧力に調整される。ウエハ２１２は別系統により排気さ
れた準備室２１３からゲートバルブ２１４を介して上下
動可能な電極２１５上に静電吸着方式で固定され、高周
波電源２１６によりバイアス用電力が印加される。該高
周波バイアスを安定に制御するためにアース電極２１７
を設置している。プラズマ処理室２０５はアルミ合金等
で作製されており、その内側には石英製内筒２１８が具
備されている。
なプラズマ処理装置として、図２に示すようなマイクロ
波プラズマエッチング装置がある。本装置ではマグネト
ロン２００からのマイクロ波が導波管２０１と該経路に
具備したオートチューナ２０２、アイソレータ２０３に
より制御され石英窓２０４を透過して真空排気されたプ
ラズマ処理室２０５に導入される。該マイクロ波と複数
のコイル２０６により形成された磁場との相互作用ＥＣ
Ｒ（Electron Cyclotron Resonance）により低圧雰囲気
中で低〜高密度プラズマを形成することを可能にしてい
る。エッチングに用いるガスはガス流量コントローラ２
０７を具備したガス導入系２０８及び複数の開孔部２０
９を有するガス分散板２１０を通してプラズマ処理室２
０５に導入され、バリアブルバルブ２１１により所望の
圧力に調整される。ウエハ２１２は別系統により排気さ
れた準備室２１３からゲートバルブ２１４を介して上下
動可能な電極２１５上に静電吸着方式で固定され、高周
波電源２１６によりバイアス用電力が印加される。該高
周波バイアスを安定に制御するためにアース電極２１７
を設置している。プラズマ処理室２０５はアルミ合金等
で作製されており、その内側には石英製内筒２１８が具
備されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体製造工程におけ
るウエハの重金属汚染量は、例えばＦｅ、Ｎｉについて
は１０１０個／ｃｍ２以下であることが要求されてい
る。これは、前記金属元素が半導体デバイス中に入り込
むと素子性能の劣化を引き起こすためである。デバイス
性能向上とコスト低減を図るために、デバイスの設計ル
ールは０．３μｍレベルから０．１３μｍレベルへと微
細化が進められている。デバイス寸法の縮小に伴い、上
述した重金属汚染に対する許容レベルは厳しくなり、１
０９個／ｃｍ２以下に抑える必要が出てくる。図２に示
した従来例のマイクロ波プラズマエッチング装置ではア
ルミ合金製のプラズマ処理室２０５の内面には高純度の
アルマイトを被覆し、さらに石英製内筒２１８を載置す
ることでウエハ２１２の飛来する金属元素を抑制してい
る。しかしながら、プラズマ及びマイクロ波の一部はプ
ラズマ処理室２０５内部に留まらず、プラズマ処理室２
０５と繋がる真空容器内にも拡がる。該真空容器に拡が
ったプラズマは金属製の内面をスパッタリングし、真空
容器内まで伝播したマイクロ波（高周波）はパッシェン
の法則（Paschenslaw）を満たすような金属部品の間隙
において局所放電を誘発し、該金属部品表面をスパッタ
リングする。また、ウエハ２１２の出し入れのためのゲ
ートバルブ２１４では金属部品の物理的な衝撃により僅
かではあるが表面の金属が飛散する。このように放電に
よるスパッタリング及び物理的な衝撃により飛散した金
属元素がウエハ２１２上に飛来、付着するため重金属汚
染量を１０９個／ｃｍ２以下にすることができない。
るウエハの重金属汚染量は、例えばＦｅ、Ｎｉについて
は１０１０個／ｃｍ２以下であることが要求されてい
る。これは、前記金属元素が半導体デバイス中に入り込
むと素子性能の劣化を引き起こすためである。デバイス
性能向上とコスト低減を図るために、デバイスの設計ル
ールは０．３μｍレベルから０．１３μｍレベルへと微
細化が進められている。デバイス寸法の縮小に伴い、上
述した重金属汚染に対する許容レベルは厳しくなり、１
０９個／ｃｍ２以下に抑える必要が出てくる。図２に示
した従来例のマイクロ波プラズマエッチング装置ではア
ルミ合金製のプラズマ処理室２０５の内面には高純度の
アルマイトを被覆し、さらに石英製内筒２１８を載置す
ることでウエハ２１２の飛来する金属元素を抑制してい
る。しかしながら、プラズマ及びマイクロ波の一部はプ
ラズマ処理室２０５内部に留まらず、プラズマ処理室２
０５と繋がる真空容器内にも拡がる。該真空容器に拡が
ったプラズマは金属製の内面をスパッタリングし、真空
容器内まで伝播したマイクロ波（高周波）はパッシェン
の法則（Paschenslaw）を満たすような金属部品の間隙
において局所放電を誘発し、該金属部品表面をスパッタ
リングする。また、ウエハ２１２の出し入れのためのゲ
ートバルブ２１４では金属部品の物理的な衝撃により僅
かではあるが表面の金属が飛散する。このように放電に
よるスパッタリング及び物理的な衝撃により飛散した金
属元素がウエハ２１２上に飛来、付着するため重金属汚
染量を１０９個／ｃｍ２以下にすることができない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記プラズマ処理装置に
おいて、プラズマ処理室に繋がる真空容器を構成する金
属内壁及び該真空容器内の金属部品、及びゲートバルブ
の表面をシリカ系皮膜で被覆するすることにより、ウエ
ハの汚染レベルを１０９個／ｃｍ２以下のレベルまで安
定して低減することができる。
おいて、プラズマ処理室に繋がる真空容器を構成する金
属内壁及び該真空容器内の金属部品、及びゲートバルブ
の表面をシリカ系皮膜で被覆するすることにより、ウエ
ハの汚染レベルを１０９個／ｃｍ２以下のレベルまで安
定して低減することができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態を図１に
示すプラズマ処理装置の一つであるマイクロ波プラズマ
エッチング装置の概略図を用いて説明する。装置の基本
構成は図２に示した従来技術によるプラズマ処理装置と
基本的に同じであり、マグネトロン１００からのマイク
ロ波が導波管１０１と該経路に具備したオートチューナ
１０２、アイソレータ１０３により制御され石英窓１０
４を透過して真空排気されたプラズマ処理室１０５に導
入され、コイル１０６による磁場とＥＣＲ相互作用によ
り効率的なプラズマを形成を行う。エッチングガスはガ
ス流量コントローラ１０７を経由してガス導入系１０８
から開孔部１０９を有するガス分散板１１０を通して、
バリアブルバルブ１１１により所望の圧力に調整してプ
ラズマ処理室１０５に導入される。ウエハ１１２は別系
統で真空排気された準備室１１３よりゲートバルブ１１
４を介して上下動可能なステージ電極１１５上に載置さ
れ、高周波電源１１６を用いてバイアスが印加される。
該高周波バイアスを安定に制御するためにアース電極１
１７を設置している。ウエハ１１２が載置されたプラズ
マ処理室１０５のアルミ合金製の内壁にはアルマイト皮
膜が形成されており、該内側には石英製内筒１１８が具
備されている。本実施形態では前記プラズマ処理室１０
５の下方の排気系に繋がるステンレス鋼製の真空容器内
の内壁をシリカ系皮膜１１９で覆っている。該シリカ系
皮膜１１９はシリカ系溶液の塗布或いはスプレーにより
形成することが可能であり、室温〜２００℃の範囲で乾
燥させることにより安定した皮膜になる。シリカ系皮膜
１１９の厚さは０．０５〜１ｍｍの範囲であれば下地金
属の飛散を防止でき、且つ皮膜の形成も容易である。前
記真空容器の部位によりプラズマによるスパッタリング
効果も異なるため、状況に応じてシリカ系皮膜の膜厚を
調整することが有効である。また、スパッタリングによ
りシリカ系皮膜が所定の許容レベルを超えて消耗した場
合は、シリカ系皮膜を重ねて被覆することも可能であ
る。また、シリカ系皮膜中の金属濃度はＦｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ及びＣｕは誘導結合プラズマ発光分析法（ＩＣＰ−Ａ
ＥＳ）での検出下限以下であり、多く見積もっても１０
ｐｐｍ以下である。
示すプラズマ処理装置の一つであるマイクロ波プラズマ
エッチング装置の概略図を用いて説明する。装置の基本
構成は図２に示した従来技術によるプラズマ処理装置と
基本的に同じであり、マグネトロン１００からのマイク
ロ波が導波管１０１と該経路に具備したオートチューナ
１０２、アイソレータ１０３により制御され石英窓１０
４を透過して真空排気されたプラズマ処理室１０５に導
入され、コイル１０６による磁場とＥＣＲ相互作用によ
り効率的なプラズマを形成を行う。エッチングガスはガ
ス流量コントローラ１０７を経由してガス導入系１０８
から開孔部１０９を有するガス分散板１１０を通して、
バリアブルバルブ１１１により所望の圧力に調整してプ
ラズマ処理室１０５に導入される。ウエハ１１２は別系
統で真空排気された準備室１１３よりゲートバルブ１１
４を介して上下動可能なステージ電極１１５上に載置さ
れ、高周波電源１１６を用いてバイアスが印加される。
該高周波バイアスを安定に制御するためにアース電極１
１７を設置している。ウエハ１１２が載置されたプラズ
マ処理室１０５のアルミ合金製の内壁にはアルマイト皮
膜が形成されており、該内側には石英製内筒１１８が具
備されている。本実施形態では前記プラズマ処理室１０
５の下方の排気系に繋がるステンレス鋼製の真空容器内
の内壁をシリカ系皮膜１１９で覆っている。該シリカ系
皮膜１１９はシリカ系溶液の塗布或いはスプレーにより
形成することが可能であり、室温〜２００℃の範囲で乾
燥させることにより安定した皮膜になる。シリカ系皮膜
１１９の厚さは０．０５〜１ｍｍの範囲であれば下地金
属の飛散を防止でき、且つ皮膜の形成も容易である。前
記真空容器の部位によりプラズマによるスパッタリング
効果も異なるため、状況に応じてシリカ系皮膜の膜厚を
調整することが有効である。また、スパッタリングによ
りシリカ系皮膜が所定の許容レベルを超えて消耗した場
合は、シリカ系皮膜を重ねて被覆することも可能であ
る。また、シリカ系皮膜中の金属濃度はＦｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ及びＣｕは誘導結合プラズマ発光分析法（ＩＣＰ−Ａ
ＥＳ）での検出下限以下であり、多く見積もっても１０
ｐｐｍ以下である。
【０００６】本発明の実施形態によれば、シリカ系皮膜
１１９がプラズマ処理室１０５に繋がるステンレス鋼製
真空容器の内面を覆うことにより、該真空容器まで回り
込んだプラズマによる金属の飛散、放出を抑止できる。
その結果、エッチング処理中のウエハ１１２上の金属汚
染レベルを３〜８×１０９個／ｃｍ２レベルに低減でき
る。
１１９がプラズマ処理室１０５に繋がるステンレス鋼製
真空容器の内面を覆うことにより、該真空容器まで回り
込んだプラズマによる金属の飛散、放出を抑止できる。
その結果、エッチング処理中のウエハ１１２上の金属汚
染レベルを３〜８×１０９個／ｃｍ２レベルに低減でき
る。
【０００７】上述した実施形態ではプラズマ処理室１０
５に繋がる真空容器はステンレス鋼製であるが、アルミ
合金製の真空容器に対してもシリカ系皮膜１１９で覆う
ことが可能であり、ウエハ１１２上の金属汚染レベルも
同様に低減できることは言うまでもない。
５に繋がる真空容器はステンレス鋼製であるが、アルミ
合金製の真空容器に対してもシリカ系皮膜１１９で覆う
ことが可能であり、ウエハ１１２上の金属汚染レベルも
同様に低減できることは言うまでもない。
【０００８】本発明の第２の実施形態を図３に示すプラ
ズマ処理装置の概略図を用いて説明する。プラズマ処理
装置の基本構成は上述の実施形態（図１）と同じであ
る。本実施形態では、プラズマ処理室３０５に繋がるス
テンレス鋼製真空容器の内面だけをシリカ系皮膜３１９
で被覆するだけでなく、ウエハ３１２の搬送口となるゲ
ートバルブ３１４の開閉面もシリカ系皮膜３２０で被覆
している。また、圧力調整用のバリアブルバルブ３１１
もシリカ系皮膜３２１で被覆している。本実施形態では
真空容器内で可動するバルブ部品をシリカ系皮膜で覆っ
ており、これらの部品に起因する金属元素のウエハ３１
２への飛来を抑制できる。金属元素の飛来源としては、
プラズマ処理室３０５に繋がるステンレス鋼製真空容器
の内面よりもバルブ部品の開閉動作に伴う物理的な衝撃
が支配的になることがある。そのような場合にはバルブ
部品だけをシリカ系皮膜で覆っても充分な効果があるこ
とは言うまでもない。
ズマ処理装置の概略図を用いて説明する。プラズマ処理
装置の基本構成は上述の実施形態（図１）と同じであ
る。本実施形態では、プラズマ処理室３０５に繋がるス
テンレス鋼製真空容器の内面だけをシリカ系皮膜３１９
で被覆するだけでなく、ウエハ３１２の搬送口となるゲ
ートバルブ３１４の開閉面もシリカ系皮膜３２０で被覆
している。また、圧力調整用のバリアブルバルブ３１１
もシリカ系皮膜３２１で被覆している。本実施形態では
真空容器内で可動するバルブ部品をシリカ系皮膜で覆っ
ており、これらの部品に起因する金属元素のウエハ３１
２への飛来を抑制できる。金属元素の飛来源としては、
プラズマ処理室３０５に繋がるステンレス鋼製真空容器
の内面よりもバルブ部品の開閉動作に伴う物理的な衝撃
が支配的になることがある。そのような場合にはバルブ
部品だけをシリカ系皮膜で覆っても充分な効果があるこ
とは言うまでもない。
【０００９】本発明の第３の実施形態を図３に示すプラ
ズマ処理装置の概略図を用いて説明する。プラズマ処理
装置の基本構成は上述の実施形態（図１）と同じであ
る。
ズマ処理装置の概略図を用いて説明する。プラズマ処理
装置の基本構成は上述の実施形態（図１）と同じであ
る。
【００１０】本実施形態では、プラズマ処理室４０５に
繋がるステンレス鋼製真空容器の内面、ゲートバルブ４
１４、バリアブルバルブ４１１に加えてステージ電極４
１５の下部構造部に対してもシリカ系皮膜４２２を被覆
している。該ステージ電極４１５の下部構造部には電極
上下動或いはメンテナンスのために部品が複数に分割さ
れており、アセンブリに伴う間隙が存在する。
繋がるステンレス鋼製真空容器の内面、ゲートバルブ４
１４、バリアブルバルブ４１１に加えてステージ電極４
１５の下部構造部に対してもシリカ系皮膜４２２を被覆
している。該ステージ電極４１５の下部構造部には電極
上下動或いはメンテナンスのために部品が複数に分割さ
れており、アセンブリに伴う間隙が存在する。
【００１１】本実施形態によるとプラズマ処理室４０５
を通過したマイクロ波（高周波電界）によりステージ電
極４１５の下部構造部の間隙がパッシェンの法則（Pasc
henslaw）を満たし局所放電を誘発した場合において
も、金属元素の飛散を抑制できる。その結果、ウエハ４
１２に飛来・付着する金属元素の量を安定して低減する
ことが可能である。
を通過したマイクロ波（高周波電界）によりステージ電
極４１５の下部構造部の間隙がパッシェンの法則（Pasc
henslaw）を満たし局所放電を誘発した場合において
も、金属元素の飛散を抑制できる。その結果、ウエハ４
１２に飛来・付着する金属元素の量を安定して低減する
ことが可能である。
【００１２】上述した実施形態のプラズマ処理装置では
マイクロ波によりプラズマ生成を行っているが、ヘリコ
ン波などを用いた他のプラズマ放電方式でも同様の効果
があることは言うまでも無い。
マイクロ波によりプラズマ生成を行っているが、ヘリコ
ン波などを用いた他のプラズマ放電方式でも同様の効果
があることは言うまでも無い。
【００１３】
【発明の効果】本発明を適用したプラズマ処理装置を用
いることにより、被処理ウエハ上への金属汚染レベルを
１０９個／ｃｍ２以下に低減できる。従って、該プラズ
マ処理装置を用いて製作されたＳｉデバイスの性能及び
信頼性を向上させることができる。
いることにより、被処理ウエハ上への金属汚染レベルを
１０９個／ｃｍ２以下に低減できる。従って、該プラズ
マ処理装置を用いて製作されたＳｉデバイスの性能及び
信頼性を向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示すプラズマ処理装
置の概略図。
置の概略図。
【図２】従来技術によるプラズマ処理装置の概略図。
【図３】本発明の第２の実施形態を示すプラズマ処理装
置の概略図。
置の概略図。
【図４】本発明の第３の実施形態を示すプラズマ処理装
置の概略図。
置の概略図。
１００…マグネトロン、１０１…導波管、１０２…オー
トチューナ、１０３…アイソレータ、１０４…石英窓、
１０５…プラズマ生成室、１０６…コイル、１０７…ガ
ス流量コントローラ、１０８…ガス導入系、１０９…開
孔部、１１０…ガス分散板、１１１…バリアブルバル
ブ、１１２…ウエハ、１１３…準備室、１１４…ゲート
バルブ、１１５…ステージ電極、１１６…高周波電源、
１１７…アース電極、１１８…石英製内筒、１１９…シ
リカ系皮膜、２００…マグネトロン、２０１…導波管、
２０２…オートチューナ、２０３…アイソレータ、２０
４…石英窓、２０５…プラズマ生成室、２０６…コイ
ル、２０７…ガス流量コントローラ、２０８…ガス導入
系、２０９…開孔部、２１０…ガス分散板、２１１…バ
リアブルバルブ、２１２…ウエハ、２１３…準備室、２
１４…ゲートバルブ、２１５…ステージ電極、２１６…
高周波電源、２１７…アース電極、２１８…石英製内
筒、３００…マグネトロン、３０１…導波管、３０２…
オートチューナ、３０３…アイソレータ、３０４…石英
窓、３０５…プラズマ生成室、３０６…コイル、３０７
…ガス流量コントローラ、３０８…ガス導入系、３０９
…開孔部、３１０…ガス分散板、３１１…バリアブルバ
ルブ、３１２…ウエハ、３１３…準備室、３１４…ゲー
トバルブ、３１５…ステージ電極、３１６…高周波電
源、３１７…アース電極、３１８…石英製内筒、３１９
…シリカ系皮膜、３２０…シリカ系皮膜、３２１…シリ
カ系皮膜、４００…マグネトロン、４０１…導波管、４
０２…オートチューナ、４０３…アイソレータ、４０４
…石英窓、４０５…プラズマ生成室、４０６…コイル、
４０７…ガス流量コントローラ、４０８…ガス導入系、
４０９…開孔部、４１０…ガス分散板、４１１…バリア
ブルバルブ、４１２…ウエハ、４１３…準備室、４１４
…ゲートバルブ、４１５…ステージ電極、４１６…高周
波電源、４１７…アース電極、４１８…石英製内筒、４
１９…シリカ系皮膜、４２０…シリカ系皮膜、４２１…
シリカ系皮膜、４２２…シリカ系皮膜。
トチューナ、１０３…アイソレータ、１０４…石英窓、
１０５…プラズマ生成室、１０６…コイル、１０７…ガ
ス流量コントローラ、１０８…ガス導入系、１０９…開
孔部、１１０…ガス分散板、１１１…バリアブルバル
ブ、１１２…ウエハ、１１３…準備室、１１４…ゲート
バルブ、１１５…ステージ電極、１１６…高周波電源、
１１７…アース電極、１１８…石英製内筒、１１９…シ
リカ系皮膜、２００…マグネトロン、２０１…導波管、
２０２…オートチューナ、２０３…アイソレータ、２０
４…石英窓、２０５…プラズマ生成室、２０６…コイ
ル、２０７…ガス流量コントローラ、２０８…ガス導入
系、２０９…開孔部、２１０…ガス分散板、２１１…バ
リアブルバルブ、２１２…ウエハ、２１３…準備室、２
１４…ゲートバルブ、２１５…ステージ電極、２１６…
高周波電源、２１７…アース電極、２１８…石英製内
筒、３００…マグネトロン、３０１…導波管、３０２…
オートチューナ、３０３…アイソレータ、３０４…石英
窓、３０５…プラズマ生成室、３０６…コイル、３０７
…ガス流量コントローラ、３０８…ガス導入系、３０９
…開孔部、３１０…ガス分散板、３１１…バリアブルバ
ルブ、３１２…ウエハ、３１３…準備室、３１４…ゲー
トバルブ、３１５…ステージ電極、３１６…高周波電
源、３１７…アース電極、３１８…石英製内筒、３１９
…シリカ系皮膜、３２０…シリカ系皮膜、３２１…シリ
カ系皮膜、４００…マグネトロン、４０１…導波管、４
０２…オートチューナ、４０３…アイソレータ、４０４
…石英窓、４０５…プラズマ生成室、４０６…コイル、
４０７…ガス流量コントローラ、４０８…ガス導入系、
４０９…開孔部、４１０…ガス分散板、４１１…バリア
ブルバルブ、４１２…ウエハ、４１３…準備室、４１４
…ゲートバルブ、４１５…ステージ電極、４１６…高周
波電源、４１７…アース電極、４１８…石英製内筒、４
１９…シリカ系皮膜、４２０…シリカ系皮膜、４２１…
シリカ系皮膜、４２２…シリカ系皮膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 AA61 AA62 BA01 BC02 BC06 CA05 CA25 CA26 CA62 CA65 DA02 DA18 EA01 EB01 EB42 EC21 ED13 EE12 EE36 FA02 FB01 FB02 FB06 FB20 FC01 5F004 AA16 BA14 BA20 BB28 BB30
Claims (8)
- 【請求項１】 真空排気及び圧力制御された処理室内に
所望のガスを導入し高周波電力でプラズマを生成し、前
記処理室内に載置された試料に対してプラズマ処理を施
すことを目的とするプラズマ処理装置において、前記処
理室に繋がる真空容器を構成する金属内壁の少なくとも
一部がシリカ系皮膜で覆われていることを特徴とするプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項２】 真空排気及び圧力制御された処理室内に
所望のガスを導入し高周波電力でプラズマを生成し、前
記処理室内に載置された試料に対してプラズマ処理を施
すことを目的とするプラズマ処理装置において、前記処
理室に繋がる真空容器内に具備された金属製部品の表面
の少なくとも一部がシリカ系皮膜で覆われていることを
特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 上述した処理室に繋がる真空容器を構成
する金属内壁がアルミ合金或いはステンレス鋼を主材と
して構成されていることを特徴とする請求項１に記載し
たプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 上述した処理室に繋がる真空容器内に具
備された金属製部品の表面がアルミ合金或いはステンレ
ス鋼を主材として構成されていることを特徴とする請求
項２に記載したプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 上述した処理室に繋がる真空容器内に具
備された金属製部品が開閉バルブ或いは開度調整バルブ
であることを特徴とする請求項２に記載したプラズマ処
理装置。 - 【請求項６】 上述した処理室に繋がる真空容器内に具
備された金属製部品と隣接する金属部品との間隔が０．
５ｍｍ〜１００ｍｍであることを特徴とする請求項２に
記載したプラズマ処理装置。 - 【請求項７】 上述したシリカ系皮膜内のＦｅ、Ｎｉ、
Ｃｒ及びＣｕ濃度が１０ｐｐｍ未満であることを特徴と
する請求項１及び２に記載したプラズマ処理装置。 - 【請求項８】 上述したシリカ系皮膜の厚さが０．０５
〜１ｍｍの範囲にあることを特徴とする請求項１及び２
に記載したプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001000052A JP2002203839A (ja) | 2001-01-04 | 2001-01-04 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001000052A JP2002203839A (ja) | 2001-01-04 | 2001-01-04 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002203839A true JP2002203839A (ja) | 2002-07-19 |
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ID=18868943
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001000052A Pending JP2002203839A (ja) | 2001-01-04 | 2001-01-04 | プラズマ処理装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002203839A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2001
- 2001-01-04 JP JP2001000052A patent/JP2002203839A/ja active Pending
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