KR20060074736A - 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20060074736A
KR20060074736A KR1020040113851A KR20040113851A KR20060074736A KR 20060074736 A KR20060074736 A KR 20060074736A KR 1020040113851 A KR1020040113851 A KR 1020040113851A KR 20040113851 A KR20040113851 A KR 20040113851A KR 20060074736 A KR20060074736 A KR 20060074736A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
organic semiconductor
gate
drain electrode
thin film
Prior art date
Application number
KR1020040113851A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101133759B1 (ko
Inventor
이용욱
오준학
서종현
김보성
홍문표
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040113851A priority Critical patent/KR101133759B1/ko
Priority to US11/152,897 priority patent/US7286281B2/en
Priority to TW094120690A priority patent/TW200622462A/zh
Priority to CN2005100879912A priority patent/CN1797164B/zh
Priority to JP2005226251A priority patent/JP5232955B2/ja
Publication of KR20060074736A publication Critical patent/KR20060074736A/ko
Priority to US11/860,314 priority patent/US20080012821A1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101133759B1 publication Critical patent/KR101133759B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/166—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
    • G02F1/167—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/1675—Constructional details
    • G02F1/16757—Microcapsules
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/1675—Constructional details
    • G02F1/1676—Electrodes
    • G02F1/16766—Electrodes for active matrices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치는, 소스 전극을 가지는 데이터선 및 데이터선으로부터 분리되어 있는 드레인 전극, 소스 전극과 드레인 전극 사이에 위치하고 있으며 소스 전극과 드레인 전극 일부를 덮고 있는 섬형의 유기 반도체, 유기 반도체 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 상부에 위치하며 게이트 전극을 가지는 게이트선, 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판과 박막 트랜지스터 표시판과 마주하며 화소 전극과 마주하는 공통 전극이 형성되어 있는 대향 표시판, 그리고 박막 트랜지스터 표시판과 대향 표시판 사이에 형성되어 있으며, 양성 및 음성으로 대전된 안료 입자를 가지는 전자 잉크를 포함하는 미소 캡슐을 포함한다.
누설전류, 유기반도체, 캡슐, 전기영동표시장치

Description

전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법 {Electrophoretic indication Display and Method for Manufacturing the same}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치의 구동 원리를 개략적으로 도시한 개략도이고,
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고,
도 3은 도 2의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 포함하는 전기 영동 표시 장치의 구조를 2의 III-III' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 4, 도 6, 도 8, 도 10 및 도 12는 도 2 및 도 3의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 단계를 그 공정 순서에 따라 도시한 배치도이고,
도 5는 도 4의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 V-V' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 7은 도 6의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 VII-VII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 9는 도 8의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 IX-IX' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 11은 도 10의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 XI-XI' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 13은 도 12의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 XIII-XIII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치의 제조 방법에서 박막 트랜지스터 표시판과 공통 전극 표시판을 부착하는 공정을 도시한 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
121 ; 게이트선 124 ; 게이트 전극
140 ; 게이트 절연층 154 ; 유기 반도체층
164 ; 절연층 173 ; 소스 전극
171 ; 데이터선 175 ; 드레인 전극
180 ; 보호막 181, 182, 185 ; 접촉구
190 ; 화소 전극 81, 82 ; 접촉 보조 부재
본 발명은 전기 영동 표시 장치{Electrophoretic indication Display} 및 그 제조 방법에 간한 것이다.
전기 영동(electrophoretic) 표시 장치는 전자 책에 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전계 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 형성되어 있으며, 각각 흰색과 검은색을 띠고 있으며 양성(positive) 및 음성 (negative)으로 대전된 안료 입자를 가지는 전자 잉크(electric ink)를 포함하는 미소 캡슐(micro capsule)을 포함한다.
전기 영동 표시 장치는, 마주하는 두 전극에 전압을 인가하여 전극 양단에 전위 차를 발생시킴으로서 검은색과 흰색을 띤 대전된 안료 입자들을 각각 반대 극성의 전극으로 이동시켜 화상을 표시한다.
이러한 전기 영동 표시 장치는 반사율(reflectivity)과 대비비가 높고 액정 표시 장치와는 달리 시야각(viewing angle)에 대한 의존성이 없어서 종이와 같이 편안한 느낌으로 화상을 표시할 수 있는 장점을 가지고 있으며, 검은색과 흰색의 쌍안정(bistable)한 특성을 가지고 있어서 지속적인 전압의 인가없이 화상을 유지할 수 있어 소비 전력이 작다. 또한, 액정 표시 장치와 달리 편광판, 배향막, 액정 등이 필요하지 않아 가격 경쟁력 측면에서도 상당히 유리한 장점을 가지고 있다.
하지만, 이러한 전기 영동 표시 장치는 반사형 표시 장치이므로 광원을 가지지 않아 광원으로부터 입사하는 빛을 차단하는 차광 부재를 가지지 않는다. 따라서, 표시 특성을 확보하기 위해서는 외부로부터 입사하는 빛으로 인하여 발생하는 누설 전류를 최소화하는 것이 바람직하다.
본 발명의 기술적 과제는 표시 특성을 확보하기 위해 누설 전류를 최소화할 수 있는 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 유기 반도체를 이용하여 박막 트랜지스터의 반도체를 형성하고, 게이트 전극을 반도체의 상부에 배치한다.
본 발명의 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치는, 소스 전극을 가지는 데이터선 및 데이터선으로부터 분리되어 있는 드레인 전극, 소스 전극과 드레인 전극 사이에 위치하고 있으며 소스 전극과 드레인 전극 일부를 덮고 있는 섬형의 유기 반도체, 유기 반도체 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 상부에 위치하며 게이트 전극을 가지는 게이트선, 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판과 박막 트랜지스터 표시판과 마주하며 화소 전극과 마주하는 공통 전극이 형성되어 있는 대향 표시판, 그리고 박막 트랜지스터 표시판과 대향 표시판 사이에 형성되어 있으며, 양성 및 음성으로 대전된 안료 입자를 가지는 전자 잉크를 포함하는 미소 캡슐을 포함한다.
섬형의 유기 반도체의 모양을 정의하는 개구부를 가지고 있으며, 데이터선 및 드레인 전극 상부에 형성되어 있는 격벽을 더 포함할 수 있으며, 게이트 절연막은 개구부 내에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
게이트선을 덮는 보호막을 더 포함하는 것이 바람직하며, 화소 전극은 보호막 상부에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
화소 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어질 수 있으며, 게이트 전극은 유기 반도체보다 공통 전극 표시판에 근접하게 위치하여 유기 반도체를 가리는 것이 바람직하다.
박막 트랜지스터 표시판과 공통 전극 표시판은 접착제를 통하여 서로 부착되 어 있는 것이 바람직하다.
게이트 절연층은 OTS 표면 처리된 산화 규소, 질화 규소, 말레이미드스티렌(maleimide-styrene), 폴리비닐페놀[Polyvinylphenol(PVP)] 및 모디파이드 시아노에틸풀루란[Modified Cyanoethylpullulan(m-CEP)] 중의 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
유기 반도체는 테트라센 또는 펜타센의 치환기를 포함하는 유도체; 티오펜 링의 2, 5 위치를 통하여 4 내지 8개가 연결된 올리고티오펜; 페릴렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드 또는 그의 이미드 유도체; 나프탈렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드 또는 그의 이미드 유도체; 금속화 프타로시아닌 또는 그의 할로겐화 유도체, 페릴렌 또는 코로엔과 그의 치환기를 포함하는 유도체; 티에닐렌 및 비닐렌의 코올리머 또는 코포리머; 티오펜; 페릴렌 또는 코로렌과 그 들의 치환기를 포함하는 유도체; 또는 상기 물질의 아로마틱 또는 헤테로아로마틱 링에 탄소수 1 내지 30개의 하이드로 카본 체인을 한 개 이상 포함하는 유도체; 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치의 제조 방법에서는, 절연 기판 위에 소스 전극을 가지는 데이터선 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 소스 전극과 드레인 전극의 일부를 덮는 유기 반도체를 형성하는 단계, 유기 반도체 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 격벽의 위에 게이트 전극을 가지는 게이트선을 형성하는 단계, 게이트선을 덮으며, 드레인 전극을 드러내는 보호막을 형성하는 단계, 보호막의 상부에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
유기 반도체 형성 단계 이전에 소스 전극과 드레인 전극 사이를 드러내는 개구부를 가지는 격벽을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
유기 반도체 및 게이트 절연막은 잉크젯 방식으로 형성하는 것이 바람직하다.
화소 전극 형성 단계 이후, 공통 전극, 미세 캡슐 및 접착제를 포함하는 공통 전극 표시판을 화소 전극 상부에 부착하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
공통 전극 표시판 부착 단계는 라미네이션을 이용하여 것이 바람직하다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
우선, 도 1 내지 도 3을 참조하여 전기 영동 표시 장치의 구동 원리 및 그 구조에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치의 구동 원리를 개략적으로 도시한 개략도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치용 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 3은 도 2의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 포함하는 전기 영동 표시 장치를 도 2에서 III-III' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전기 영동(electrophoretic) 표시 장치는 전계(-, +) 생성하기 위한 화소 전극(190, 도 3 참조)과 공통 전극(270, 도 3 참조)을 포함하고, 이들 사이에는 흰색과 검은색을 띠고 있으며 양성(positive) 및 음성(negative)으로 대전된 안료 입자(231, 232)를 가지는 전자 잉크(electric ink)를 포함하는 미소 캡슐(micro capsule, 230)이 배치되어 있다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치의 마주하는 두 전극(190, 270)에 전압을 인가하여 전극 양단에 전위차(+, -)를 형성하면, 도 3에서 보는 바와 같이 검은색과 흰색을 띤 대전된 안료 입자(231, 232)들은 각각 반대 극성의 전극으로 이동하며, 이를 통하여 관찰자(300)는 검은색 또는 흰색으로 이루어진 화상을 보게 된다. 이때, 안료 입자(231, 232)는 삼원색 중 하나의 색을 표시할 수도 있다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치는 다수의 신호선, 화 소 전극 및 신호선과 화소 전극(190)을 전기적으로 연결하는 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 박막 트랜지스터 표시판(100, 도 3 참조)과 화소 전극(190)과 마주하여 전계를 발생시키는 공통 전극(270)이 형성되어 있는 플라스틱 필름(plastic film, 210)과 그 상부에 형성되어 있는 캡슐(230)을 포함하는 공통 전극 표시판(200)을 포함한다.
먼저, 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치의 하부 표시판인 박막 트랜지스터 표시판 구조를 설명한다.
투명한 절연 기판(110) 위에 데이터선(data line)(171)과 데이터선(171)으로부터 분리된 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차하고 있으며 데이터 전압(data voltage)을 전달한다. 각 데이터선(171)에서 드레인 전극(175)을 향하여 뻗은 복수의 가지가 소스 전극(source electrode)(173)을 이룬다. 한 쌍의 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)은 서로 분리되어 게이트 전극(124)을 중심으로 마주하고 있으며, 데이터선(171)은 외부 회로 또는 다른 층과의 접촉을 위하여 폭이 확장되어 있는 확장부(179)를 포함한다.
이때, 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 다른 물질, 특히 이후의 유기 반도체와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 ITO(indium tin oxide), 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni) 또는 몰리브덴 등을 포함한다. ITO는 이후의 유기 반도체와의 우수한 접촉 특성을 가지는 동시에 높은 일 함수를 가진다.
데이터선(171)의 측면은 각각 경사져 있으며 그 경사각은 기판(110)의 표면에 대하여 약 30-80°이다.
이때, 절연 기판(110) 상부에는 아크릴계의 유기 절연 물질 또는 산화 규소 또는 질화 규소와 같은 무기 절연 물질로 이루어진 버퍼막(도시하지 않음)이 추가될 수 있다. 유기 절연 물질로는 아크릴계 또는 BCB(Benzocyclobutene)을 사용할 수 있고 무기 절연 물질로는 질화 규소가 바람직하다. 이와 같은 절연 물질은 이후의 제조 공정에서 유기 반도체와 접할 때 유기 반도체의 특성을 저하시키지 않고 안정적으로 확보할 수 있어야 하며, 높은 광투과율을 가지는 것이 좋다.
다음, 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)이 형성되어 있는 절연 기판(110) 위에 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)의 일부 및 이들 사이의 절연 기판(110)을 드러내는 개구부(164)를 가지는 격벽(160)이 형성되어 있다. 이때, 격벽(160)은 이후에 형성되는 유기 반도체의 위치를 정의하며, 아크릴계의 감광성 유기 절연 물질로 이루어진 것이 바람직하다. 또한, 격벽(160)은 2-5㎛ 범위의 두께를 가지며, 드레인 전극(175) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)을 드러내며 테이퍼 구조의 측벽을 가지는 접촉 구멍(165, 162)을 포함하고 있다.
격벽(160)의 개구부(164) 내에는 유기 반도체(154)가 형성되어 있다. 이때, 유기 반도체(154)는 개구부(164)의 모양을 따라 섬 모양을 취하고 있으며, 개구부(164)를 통하여 드러난 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)의 일부를 덮는다.
유기 반도체(154)는 수용액이나 유기 용매에 용해되는 고분자 물질이나 저분자 물질이 이용된다. 고분자 유기 반도체(154)는 일반적으로 용매에 잘 용해되므로 잉크젯 등의 프린팅 공정으로 형성하는 것이 적합하다. 그리고, 저분자 유기 반도체중에서도 유기 용매에 잘 용해되는 물질이 있으므로 이를 이용한다. 물론, 스핀 코팅 방법으로 적층하고, 감광막을 이용한 패터닝 공정으로 형성될 수도 있다.
유기 반도체(154)는 테트라센(tetracene) 또는 펜타센(pentacene)의 치환기를 포함하는 유도체이거나, 티오펜 링(thiophene ring)의 2, 5 위치를 통하여 4 내지 8개가 연결된 올리고티오펜(oligothiophene) 일 수 있다.
또한, 유기 반도체(154)는 페릴렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드(perylenetetracarboxylic dianhydride, PTCDA) 또는 그의 이미드(imide) 유도체이거나 나프탈렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드(napthalenetetracarboxylic dianhydride, NTCDA) 또는 그의 이미드(imide) 유도체일 수 있다.
또한, 유기 반도체(154)는 금속화 프타로시아닌(metallized pthalocyanine) 또는 그의 할로겐화 유도체이거나 페릴렌 또는 코로엔과 그의 치환기를 포함하는 유도체일 수 있다. 여기서 프타로시아닌(metallized pthalocyanine)에 첨가되는 금속으로는 구리, 코발트, 아연 등이 바람직하다.
또한, 유기 반도체(154)는 티에닐렌(thienylene) 및 비닐렌(vinylene)의 코올리머(co-oligomer) 또는 코포리머(co-polymer)일 수 있다. 또한, 유기 반도체 층(150)은 티오펜(thiophene)일 수 있다.
또한, 유기 반도체(154)는 페릴렌(perylene) 또는 코로렌(coroene)과 그 들의 치환기를 포함하는 유도체일 수 있다.
또한, 유기 반도체(154)는 이러한 유도체들의 아로마틱(aromatic) 또는 헤테 로아로마틱 링(heteroaromatic ring)에 탄소수 1 내지 30개의 하이드로 카본 체인(hydrocarbon chain)을 한 개 이상 포함하는 유도체일 수 있다.
격벽(160)의 개구부(164) 내에 위치하는 유기 반도체(154)의 상부에는 섬형의 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 또한 수용액이나 유기 용매에 용해되는 고분자 물질이나 저분자 물질이 이용된다. 고분자 게이트 절연막(140)은 일반적으로 용매에 잘 용해되므로 잉크젯 등의 프린팅 공정으로 형성하는 것이 적합하다. 그리고, 저분자 게이트 절연막중에서도 유기 용매에 잘 용해되는 물질이 있으므로 이를 이용한다. 물론 스핀 코팅으로 형성하고 감광막 패턴을 이용한 패터닝으로 형성될 수도 있다. 이때, 게이트 절연막(140)을 이루는 물질은 유기 반도체(154)에 영향을 주어서는 안 된다. 즉, 유기 반도체(154)는 게이트 절연막(140)을 형성할 때 유기 용매에 대하여 용해성을 가지지 않아야 하며, 게이트 절연막(140)을 이루는 물질 또한 그러하다.
여기서, 게이트 절연층(140)은 OTS(octadecyl-trichloro-silane: 옥타데실 트리클로로 실란)로 표면 처리된 SiO2막으로 이루어질 수 있으며, 질화 규소, 말레이미드스티렌(maleimide-styrene), 폴리비닐페놀(Polyvinylphenol(PVP)), 모디파이드 시아노에틸풀루란(Modified Cyanoethylpullulan(m-CEP)) 및 poly(para-xylylene)의 약어로 표현되는 파릴렌(Parylene) 중의 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
유기 반도체(154) 및 게이트 절연막(140)을 정의하는 격벽(160)의 상부에는 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어 데이터선(171)과 교차하고 있으며, 각 게이트선(121)의 일부는 게이트 전극(gate electrode)(124)을 이룬다. 이때, 게이트선(121)의 일단(129)은 외부 회로 또는 다른 층과의 연결을 위하여 폭이 확장되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호의 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 금, 은, 구리, 알루미늄(Al)이나 이들의 합금으로 이루어진 도전막을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 물리적 성질이 다른 둘 이상의 도전막을 포함할 수 있는데, 즉 하나의 도전막은 저저항의 도전 물질로 이루어지며, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 IZO(indium zinc oxide) 또는 ITO(indium tin oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금[보기: 몰리브덴-텅스텐(MoW) 합금], 크롬(Cr) 등의 도전 물질로 이루어진 것이 바람직하다.
게이트선(121)의 측면은 각각 경사져 있으며 그 경사각은 기판(110)의 표면에 대하여 약 30-80°이다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 유기 반도체(154)와 함께 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 유기 반도체(154)에 형성된다.
게이트선(121)이 형성되어 있는 격벽(160)의 상부에는 평탄화 특성이 우수하거나 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질 또는 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질, 또는 질화 규소 또는 산화 규소 등으로 이루어진 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다.
보호막(180)에는 격벽(160)의 접촉 구멍(162, 165)과 함께 드레인 전극(175) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(185, 182)과 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다. 이와 같이, 보호막(180)이 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 끝 부분(129, 179)을 드러내는 접촉 구멍(181, 182)을 가지는 실시예는 외부의 구동 회로를 이방성 도전막을 이용하여 게이트선(121) 및 데이터선(171)에 연결하기 위해 게이트선(121) 및 데이터선(171)이 접촉부를 가지는 구조이다.
접촉 구멍(185, 181, 182)은 드레인 전극(175), 게이트선의 끝 부분(129) 및 데이터선의 끝 부분(179)을 드러내는데, 접촉 구멍(185, 181, 182)에서는 이후에 형성되는 ITO 또는 IZO의 도전막과 접촉 특성을 확보하기 위해 알루미늄 계열 등과 같이 취약한 접촉 특성을 가지는 도전 물질은 드러나지 않는 것이 바람직하며, 접촉 구멍(185, 181, 182)에서는 드레인 전극(175), 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)의 경계선이 드러날 수 있다.
보호막(180) 위에는 IZO 또는 ITO 등과 같은 투명한 도전 물질 또는 반사도를 가지는 도전 물질로 이루어진 화소 전극(pixel electrode)(190) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다.
화소 전극(190)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 각각 물리적·전기적으로 연결되어 드레인 전극(175)으로부터 데이터 신호를 인가 받는다.
화소 전극(190)은 또한 이웃하는 게이트선(121) 및 데이터선(171)과 중첩되어 개구율(aperture ratio)을 높이고 있으나, 중첩되지 않을 수도 있다.
접촉 보조 부재(81, 82)는 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선 및 데이터선의 끝 부분(129, 179)과 각각 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 각 끝 부분(129, 179)과 구동 집적 회로와 같은 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호하는 역할을 하는 것으로 필수적인 것은 아니며, 이들의 적용 여부는 선택적이다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터 표시판의의 동작 작용을 설명하면 다음과 같다.
예컨대, P형 반도체의 경우에는, 게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)에 전압이 인가되지 않으면 유기 반도체(154) 내의 전하들은 모두 유기 반도체(154) 내에 고루 퍼져 있게 된다. 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)사이에 전압이 인가되면 낮은 전압 하에서는 전압에 비례하여 전류가 흐른다. 이 때, 게이트 전극(124)에 양의 전압을 인가하면 이 인가된 전압에 의한 전계에 의해 정공들이 이동하게 된다. 따라서, 게이트 절연층(140)에 가까운 유기 반도체(154)에는 전도 전하가 없는 층이 생기게 되고, 이 층을 공핍층(depletion layer)이라 한다. 이 경우에 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)에 전압을 인가하면 전도 가능한 전하 운반자가 줄어들어 있기 때문에 게이트 전극(124)에 전압을 인가하지 않았을 때 보다 더 적은 전류가 흐르게 된다. 반대로 게이트 전극(124) 음의 전극을 인가하면 이 인가된 전압에 의한 전계에 의해 유기 반도체(154)와 게이트 절연층(140) 사이에 음 양의 전하가 유도되고, 게이트 절연층(140)과 가까운 유기 반도체(154)에는 전하의 양이 많은 층이 생기게 된다. 이 층을 축적층(accumulation layer)이라 부른다. 이 경우에 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)에 전압을 인가하면 더 많은 전류가 흐르게 된다. 따라서, 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)사이에 전압을 인가한 상태에서 게이트 전극(124)에 양의 전압과 음의 전압을 교대로 인가하여 줌으로써 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이에 흐르는 전류의 양을 제어할 수 있다. 이러한 전류량의 비를 점멸비(on/off ratio)라 한다. 점멸비가 클수록 우수한 트랜지스터의 특성을 가지게 된다.
다음은, 공통 전극 표시판(200)에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
플라스틱 필름 등으로 이루어진 절연 기판(210) 위에는 화소 전극(190)과 마주하여 전계를 형성하며, ITO 또는 IZO 등과 같이 투명한 도전 물질로 이루어진 공통 전극(270)이 전면적으로 형성되어 있다.
공통 전극(270)의 상부에는 흰색과 검은색을 띠고 있으며 양성(positive) 및 음성(negative)으로 대전된 안료 입자(231, 232)를 가지는 전자 잉크(electric ink)를 포함하는 캡슐(230)이 배치되어 있다.
캡슐(230)이 채워진 절연 기판(210)의 상부에는 접착제(240)가 형성되어 있다. 접착제(240)는 라미네이션(laminate)을 통하여 박막 트랜지스터 표시판(100) 과 공통 전극 표시판(200)을 접착하기 위해 사용된다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치의 제조 방법에서 박막 트랜지스터 표시판과 공통 전극 표시판을 부착하는 공정을 도시한 도면이다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치에서는 게이트 전극(124)이 유기 반도체(154)의 상부에 배치되어 있어, 외부광이 유기 반도체(154)로 입사하는 것을 차단할 수 있다. 따라서, 유기 반도체(154)에서 발생하는 누설 전류를 최소화할 수 있으며, 이를 통하여 우수한 대비비를 확보할 수 있다.
그러면, 도 1 내지 도 3의 도시한 전기 영동 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법에 대하여 도 3 내지 도 14 및 도 1 내지 도 3을 참고로 하여 상세히 설명한다.
도 4, 도 6, 도 8, 도 10 및 도 12는 도 2 및 도 3의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 단계를 그 공정 순서에 따라 도시한 배치도이고, 도 5는 도 4의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 V-V' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 7은 도 6의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 VII-VII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 9는 도 8의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 IX-IX' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 11은 도 10의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 XI-XI' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 13은 도 12의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 XIII-XIII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 14는 본 발명의 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치의 제조 방법에서 박막 트랜지스터 표시판과 공통 전극 표시판을 부착하는 공정을 도시한 도면이다.
먼저 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 저저항을 가지는 동시에 이후의 유기 반도체와 우수한 접촉 특성을 가지는 도전 물질을 스퍼터링등의 방법으로 절연 기판(110) 위에 적층하여 도전막을 형성한 다음, 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하는 사진 식각 공정으로 패터닝하여 소스 전극(173)을 포함하는 데이터선(171)과 데이터선(171)으로부터 분리된 드레인 전극(175)을 형성한다.
이어, 도 6 및 도 7에서 보는 바와 같이, 절연 기판(110)의 상부에 스핀 코팅 등의 방법으로 감광성을 가지는 유기 물질을 도포하여 절연막을 형성한 다음, 마스크를 이용한 사진 공정으로 노광하고 현상하여 이후에 형성하는 유기 반도체의 위치를 정의하는 개구부(164) 및 드레인 전극(175) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)의 일부를 드러내는 접촉 구멍(165, 162)을 가지는 격벽(160)을 형성한다.
이어, 도 8 및 도 9에서 보는 바와 같이, 격벽(160)에 형성되어 있는 개구부(164)의 내부에 잉크젯 공정으로 유기 반도체 물질을 떨어뜨려 유기 반도체(154)를 형성한다. 이때, 스핀 코팅으로 유기 반도체 물질을 도포하는 실시예에서는 감광막 패턴을 식각 마스크로 이용하는 사진 식각 공정으로 패터닝하여 유기 반도체(154)를 형성할 수 있다.
이어, 격벽(160) 개구부(164) 내의 유기 반도체(154) 상부에 액상의 유기 절연 물질을 잉크젯 방식으로 떨어뜨려 게이트 절연막(140)을 형성한다. 이때, 스핀 코팅으로 유기 절연 물질을 도포하는 실시예에서는 감광막 패턴을 식각 마스크로 이용하는 사진 공정으로 패터닝하여 게이트 절연막(140)을 형성할 수 있다. 질화 규소와 같은 무기 절연 물질로 절연막을 형성하는 실시예에서는 감광막 패턴을 식 각 마스크로 이용하는 사진 식각 공정이 필요하다.
이어, 도 10 및 도 11에서 보는 바와 같이, 유기 반도체(154) 및 게이트 절연막(140)을 정의하는 격벽(160)의 상부에 저저항을 가지는 도전 물질을 적층하여 도전막을 형성한 다음, 감광막 패턴을 식각 마스크로 이용하는 사진 식각 공정으로 도전막을 패터닝하여 게이트 전극(124)을 가지는 게이트선(121)을 테이퍼 구조로 형성한다.
이어, 도 12 및 도 13에서 보는 바와 같이 게이트선(121)이 형성되어 있는 격벽(160)의 위에 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질 또는 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질, 또는 질화 규소 또는 산화 규소 등을 적층하여 보호막(180)을 형성한다. 이어, 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 드레인 전극(175), 게이트선의 끝 부분(129) 및 데이터선의 끝 부분(179)이 노출되도록 접촉 구멍(185, 181, 182)을 형성한다. 이때, 접촉 구멍(182, 185)은 격벽(160)의 개구부(165, 162) 경계가 드러나도록 형성하는데, 접촉 구멍(182, 185)은 개구부(165, 162) 안쪽에 형성할 수도 있으며, 격벽(160)을 패터닝할 때 개구부를 형성하지 않는 경우에는 접촉 구멍(185, 182)을 형성할 때 함께 형성할 수 있다.
다음으로, 도 2 및 도 3에서 보는 바와 같이, 반사도를 가지는 도전 물질을 보호막(180) 위에 적층하고 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 드레인 전극(175)과 접촉구(185)를 통해 연결되는 화소 전극(190)과 접촉 부재(81, 82) 등을 보호막(180) 위에 형성한다. 이때, 접촉 보조 부재(81, 82)는 외부의 다른 신호선과 접촉 특성을 확보하기 위해 화소 전극(190)과 다른 물질, 예를 들면 ITO나 IZO 등으로 만들어질 수 있다.
이와 같이, 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판(100)을 완성한 다음, 도 14에서 보는 바와 같이, 박막 트랜지스터 표시판(100) 상부에 공통 전극(270), 미세 캡슐(230) 및 접착제(240)를 포함하는 공통 전극 표시판(200)을 정렬한다. 이어, 라미네이터(laminator, 500)를 통하여 공통 전극 표시판(200)을 박막 트랜지스터 표시판(100) 위에 라미네이션(lamination)하여 두 표시판(100, 200)을 부착된다.
이와 같은 본 실시예에 따른 전기 영동 표시 장치의 제조 방법에서는 라미네이션 방식으로 공통 전극 표시판(200)을 부착함으로써 제조 공정을 단순화할 수 있으며, 이를 통하여 제조 비용을 최소화할 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 박막 트랜지스터의 특성을 안정적으로 확보할 수 있으며, 이를 통하여 대비비를 향상시킬 수 있다. 또한, 격벽을 이용하여 유기 반도체를 정의함으로써 제조 공정을 단순화할 수 있다.
또한, 라미네이션 방식으로 두 표시판을 부착함으로써 제조 공정을 단순화할 수 있으며, 이를 통하여 제조 비용을 최소화할 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라 서, 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

Claims (16)

  1. 소스 전극을 가지는 데이터선 및 상기 데이터선으로부터 분리되어 있는 드레인 전극, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 위치하고 있으며 상기 소스 전극과 드레인 전극 일부를 덮고 있는 섬형의 유기 반도체, 상기 유기 반도체 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상부에 위치하며 게이트 전극을 가지는 게이트선, 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판,
    상기 박막 트랜지스터 표시판과 마주하며, 상기 화소 전극과 마주하는 공통 전극이 형성되어 있는 대향 표시판, 그리고
    상기 박막 트랜지스터 표시판과 상기 대향 표시판 사이에 형성되어 있으며, 양성 및 음성으로 대전된 안료 입자를 가지는 전자 잉크를 포함하는 미소 캡슐
    을 포함하는 전기 영동 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    섬형의 상기 유기 반도체의 모양을 정의하는 개구부를 가지고 있으며, 상기 데이터선 및 상기 드레인 전극 상부에 형성되어 있는 격벽을 더 포함하는 전기 영동 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 게이트 절연막은 상기 개구부 내에 형성되어 있는 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판.
  4. 제1항에서,
    상기 게이트선을 덮는 보호막을 더 포함하는 전기 영동 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 화소 전극은 상기 보호막 상부에 형성되어 있는 전기 영동 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 화소 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어진 전기 영동 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 게이트 전극은 상기 유기 반도체보다 상기 공통 전극 표시판에 가깝게 위치하여 상기 유기 반도체를 가리는 전기 영동 표시 장치.
  8. 제1항에서,
    상기 박막 트랜지스터 표시판과 상기 공통 전극 표시판은 접착제를 통하여 서로 부착되어 있는 전기 영동 표시 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 게이트 절연층은 OTS 표면 처리된 산화 규소, 질화 규소, 말레이미드스티렌(maleimide-styrene), 폴리비닐페놀(Polyvinylphenol(PVP)) 및 모디파이드 시아노에틸풀루란(Modified Cyanoethylpullulan(m-CEP)) 중의 적어도 하나로 이루어진 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판.
  10. 제1항에서,
    상기 유기 반도체는 테트라센 또는 펜타센의 치환기를 포함하는 유도체; 티오펜 링의 2, 5 위치를 통하여 4 내지 8개가 연결된 올리고티오펜; 페릴렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드 또는 그의 이미드 유도체; 나프탈렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드 또는 그의 이미드 유도체; 금속화 프타로시아닌 또는 그의 할로겐화 유도체, 페릴렌 또는 코로엔과 그의 치환기를 포함하는 유도체; 티에닐렌 및 비닐렌의 코올리머 또는 코포리머; 티오펜; 페릴렌 또는 코로렌과 그 들의 치환기를 포함하는 유도체; 또는 상기 물질의 아로마틱 또는 헤테로아로마틱 링에 탄소수 1 내지 30개의 하이드로 카본 체인을 한 개 이상 포함하는 유도체; 중에서 선택된 어느 하나인 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판.
  11. 절연 기판 위에 소스 전극을 가지는 데이터선 및 드레인 전극을 형성하는 단계,
    상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 일부를 덮는 유기 반도체를 형성하는 단계,
    상기 유기 반도체 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계,
    상기 격벽의 위에 게이트 전극을 가지는 게이트선을 형성하는 단계,
    상기 게이트선을 덮으며, 상기 드레인 전극을 드러내는 보호막을 형성하는 단계,
    상기 보호막의 상부에 화소 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 전기 영동 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에서,
    상기 유기 반도체 형성 단계 이전에 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이를 드러내는 개구부를 가지는 격벽을 형성하는 단계를 더 포함하는 전기 영동 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제11항에서,
    상기 유기 반도체는 잉크젯 방식으로 형성하는 전기 영동 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제11항에서,
    상기 게이트 절연막은 잉크젯 방식으로 형성하는 전기 영동 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제11항에서,
    상기 화소 전극 형성 단계 이후,
    공통 전극, 미세 캡슐 및 접착제를 포함하는 공통 전극 표시판을 상기 화소 전극 상부에 부착하는 단계를 더 포함하는 전기 영동 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제11항에서,
    상기 공통 전극 표시판 부착 단계는 라미네이션을 이용하는 전기 영동 표시 장치의 제조 방법.
KR1020040113851A 2004-12-28 2004-12-28 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법 KR101133759B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040113851A KR101133759B1 (ko) 2004-12-28 2004-12-28 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법
US11/152,897 US7286281B2 (en) 2004-12-28 2005-06-14 Electrophoretic display and method of manufacturing thereof
TW094120690A TW200622462A (en) 2004-12-28 2005-06-21 Electrophoretic display and method of manufacturing thereof
CN2005100879912A CN1797164B (zh) 2004-12-28 2005-07-28 电泳显示器及其制备方法
JP2005226251A JP5232955B2 (ja) 2004-12-28 2005-08-04 電気泳動表示装置及びその製造方法
US11/860,314 US20080012821A1 (en) 2004-12-28 2007-09-24 Electrophoretic Display and Method of Manufacturing Thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040113851A KR101133759B1 (ko) 2004-12-28 2004-12-28 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060074736A true KR20060074736A (ko) 2006-07-03
KR101133759B1 KR101133759B1 (ko) 2012-04-09

Family

ID=36611137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040113851A KR101133759B1 (ko) 2004-12-28 2004-12-28 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7286281B2 (ko)
JP (1) JP5232955B2 (ko)
KR (1) KR101133759B1 (ko)
CN (1) CN1797164B (ko)
TW (1) TW200622462A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7973885B2 (en) 2006-10-09 2011-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus having a color layer interposed between substrates and having a plurality of microcapsules formed by encapsulating polarity particles
KR20130065919A (ko) * 2011-12-12 2013-06-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR101326129B1 (ko) * 2007-07-24 2013-11-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8138075B1 (en) 2006-02-06 2012-03-20 Eberlein Dietmar C Systems and methods for the manufacture of flat panel devices
JP5062435B2 (ja) * 2006-02-27 2012-10-31 株式会社村田製作所 電界効果トランジスタ
KR20070121403A (ko) * 2006-06-22 2007-12-27 삼성전자주식회사 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법
EP2046896A2 (en) * 2006-07-05 2009-04-15 Ciba Holding Inc. Coloured organic electrophoretic particles
US8610661B2 (en) * 2006-07-11 2013-12-17 Koninklijke Philips N.V. Electrophoretic device and method for controlling the same
TW200811569A (en) * 2006-08-21 2008-03-01 Prime View Int Co Ltd E-ink display panel
KR20080023907A (ko) * 2006-09-12 2008-03-17 삼성전자주식회사 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20080065486A (ko) * 2007-01-09 2008-07-14 삼성에스디아이 주식회사 전기 영동 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US7777939B2 (en) * 2007-02-28 2010-08-17 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of manufacturing electrophoretic display having organic thin film transistor control circuit and electrophoretic display manufactured using the method
US20080258138A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and fabricating method thereof, and flat panel display with the same
CN101373305B (zh) * 2007-08-22 2010-06-16 比亚迪股份有限公司 一种电子纸显示器
JP2009087996A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Dainippon Printing Co Ltd 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ
EP2219068B1 (en) * 2007-12-04 2013-05-29 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing the same
US8330712B2 (en) * 2008-12-22 2012-12-11 Lg Display Co., Ltd. Electrophoretic display device including buffer pattern in non-display region
KR101309364B1 (ko) * 2008-12-24 2013-09-17 엘지디스플레이 주식회사 전기영동표시장치 및 그의 제조방법과 그의 리페어방법
JP5287262B2 (ja) * 2009-01-07 2013-09-11 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板、電気泳動表示装置及び電子機器
KR101738452B1 (ko) * 2009-10-20 2017-06-08 엘지디스플레이 주식회사 전기영동 표시소자 및 그 제조방법
KR101263659B1 (ko) * 2009-12-18 2013-05-21 엘지디스플레이 주식회사 전기영동 표시 장치 및 그 제조방법
JP2012093432A (ja) * 2010-10-25 2012-05-17 Toppan Forms Co Ltd 情報表示装置
KR20120053295A (ko) 2010-11-17 2012-05-25 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치, 그리고 그 제조 방법
FR2976127B1 (fr) * 2011-06-01 2014-01-10 Commissariat Energie Atomique Composant organique a electrodes ayant un agencement et une forme ameliores
US9411374B2 (en) * 2014-02-20 2016-08-09 Amazon Technologies, Inc. Electronic device display stack
KR20220005922A (ko) * 2020-07-07 2022-01-14 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법
US20220107541A1 (en) * 2020-10-02 2022-04-07 E Ink Corporation Front plane laminates with outer surface electrical connections

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2306229B (en) 1995-10-13 1999-04-07 Ibm Diffusely reflective display cell
JP3149793B2 (ja) * 1996-07-22 2001-03-26 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
EP1105772B1 (en) * 1998-04-10 2004-06-23 E-Ink Corporation Electronic displays using organic-based field effect transistors
JP3687888B2 (ja) 1999-05-06 2005-08-24 株式会社リコー 書き込み装置
JP4948726B2 (ja) * 1999-07-21 2012-06-06 イー インク コーポレイション 電子ディスプレイを制御するための電子回路素子を作製する好適な方法
US6197663B1 (en) * 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
JP2001264823A (ja) 2000-03-21 2001-09-26 Sharp Corp エレクトロクロミック表示装置
JP4006925B2 (ja) * 2000-05-30 2007-11-14 セイコーエプソン株式会社 電気泳動表示装置の製造方法
JP4085611B2 (ja) * 2000-10-27 2008-05-14 セイコーエプソン株式会社 電気泳動表示装置の製造方法
JP2002176178A (ja) 2000-12-07 2002-06-21 Seiko Epson Corp 表示装置及びその製造方法
JP2002258327A (ja) 2000-12-27 2002-09-11 Sony Corp エレクトロクロミック表示素子及びエレクトロデポジション型表示素子
EP1269252A1 (en) 2001-01-12 2003-01-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electrochromic display device
US6885146B2 (en) * 2002-03-14 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates
JP4515035B2 (ja) * 2002-03-14 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
JP2003315839A (ja) 2002-04-19 2003-11-06 Fuji Photo Film Co Ltd エレクトロクロミックディスプレイ
JP4244569B2 (ja) 2002-06-17 2009-03-25 ソニー株式会社 エレクトロクロミック表示素子及びその製造方法、エレクトロクロミック表示装置
JP4419365B2 (ja) * 2002-06-21 2010-02-24 セイコーエプソン株式会社 有機薄膜トランジスタの製造方法、電気光学装置の製造方法
JP4337439B2 (ja) * 2002-08-22 2009-09-30 セイコーエプソン株式会社 電気泳動装置、電子機器
CN100361017C (zh) * 2002-10-21 2008-01-09 西北工业大学 白色电子墨水微胶囊
KR100940562B1 (ko) * 2002-12-16 2010-02-03 삼성전자주식회사 유기 반도체 표시 장치
JP2004221562A (ja) 2002-12-26 2004-08-05 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタ素子の製造方法、該製造方法により製造した有機薄膜トランジスタ素子、及び有機薄膜トランジスタ素子シート
CN1259592C (zh) * 2003-09-12 2006-06-14 清华大学 基于光子晶体概念的彩色电泳显示器显示方法及显示器
JP4415653B2 (ja) * 2003-11-19 2010-02-17 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7973885B2 (en) 2006-10-09 2011-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus having a color layer interposed between substrates and having a plurality of microcapsules formed by encapsulating polarity particles
KR101326129B1 (ko) * 2007-07-24 2013-11-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20130065919A (ko) * 2011-12-12 2013-06-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20080012821A1 (en) 2008-01-17
JP2006189780A (ja) 2006-07-20
CN1797164A (zh) 2006-07-05
CN1797164B (zh) 2010-07-14
US7286281B2 (en) 2007-10-23
TW200622462A (en) 2006-07-01
KR101133759B1 (ko) 2012-04-09
US20060139733A1 (en) 2006-06-29
JP5232955B2 (ja) 2013-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101133759B1 (ko) 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101090250B1 (ko) 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
US7919778B2 (en) Making organic thin film transistor array panels
JP5288706B2 (ja) 薄膜トランジスタ表示板
KR101415560B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US8059329B2 (en) Display substrate and method of manufacturing the same
KR101261608B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20070014579A (ko) 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP4999440B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
US20070114525A1 (en) Display device and manufacturing method
KR20090037725A (ko) 박막트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 이를 갖는 표시장치
KR101189218B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101039024B1 (ko) 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
KR101061845B1 (ko) 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
US7759676B2 (en) Thin film transistor array panel having groups of proximately located thin film transistors and manufacturing method thereof
KR101251997B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101295096B1 (ko) 표시 기판 및 이를 구비한 전기영동 표시장치
US20080073648A1 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
KR20070062743A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20070056598A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20060077735A (ko) 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판
KR20060042334A (ko) 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
KR20070063170A (ko) 표시판 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180302

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190304

Year of fee payment: 8