KR20060065561A - 반도체 장치 - Google Patents

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KR20060065561A
KR20060065561A KR1020050120531A KR20050120531A KR20060065561A KR 20060065561 A KR20060065561 A KR 20060065561A KR 1020050120531 A KR1020050120531 A KR 1020050120531A KR 20050120531 A KR20050120531 A KR 20050120531A KR 20060065561 A KR20060065561 A KR 20060065561A
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KR
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semiconductor device
substrate
terminal
mounting
resin layer
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Application number
KR1020050120531A
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Inventor
사다카즈 아카이케
아키노부 이노우에
아츠노리 가지키
히로유키 다카츠
다카시 츠보타
노리오 야마니시
Original Assignee
신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명에 따른 반도체 장치는 반도체 칩과, 상기 반도체 칩이 실장된 기판과, 상기 기판의 제 1 측면 상에 배치된 실장용 단자와, 상기 기판의 상기 제 1 측면과는 반대쪽인 상기 기판의 제 2 측면 상에 배치되는 테스트용 단자를 구비하고 있다.
실장용 단자, 테스트용 단자, 소형화, 스택(stack), 전기 신호

Description

반도체 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}
도 1은 테스트용 단자를 구비한 반도체 장치의 단면도.
도 2는 다른 반도체 장치의 상부 상에 반도체 장치를 적층한 2 개의 반도체 장치의 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 평면도.
도 4는 도 3에 나타낸 반도체 장치의 B-B 선 방향의 단면도.
도 5는 다른 반도체 장치 상에 본 실시예에 따른 반도체 장치를 실장하여 구현한 구조의 단면도.
도 6은 본 실시예에 따른 반도체 장치의 제 1 제조 공정을 나타낸 도면.
도 7은 본 실시예에 따른 반도체 장치의 제 2 제조 공정을 나타낸 도면.
도 8은 본 실시예에 따른 반도체 장치의 제 3 제조 공정을 나타낸 도면.
도 9는 본 실시예에 따른 반도체 장치의 제 4 제조 공정을 나타낸 도면.
도 10은 본 실시예에 따른 반도체 장치의 제 5 제조 공정을 나타낸 도면.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판의 양측면 상에 테스트용 단자를 구비한 반도체 장치의 단면도.
도 12는 도 11에 나타낸 반도체 장치 상에 다른 반도체 장치를 실장하여 구현한 구조의 단면도.
도 13은 도 11에 나타낸 반도체 장치 상에 도4에 나타낸 반도체 장치를 실장하여 구현한 구조의 단면도.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 부품과 테스트용 단자를 구비한 반도체 장치의 단면도.
도 15는 도 14에 나타낸 반도체 장치를 마더 보드(motherboard)에 접속하여 구현한 구조의 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10, 50, 70, 80, 110, 130 : 반도체 장치
11, 51, 71, 81, 115, 131 : 기판
12, 82 : 기재(基材)
12A, 82A, 96A : 상면(上面)
12B, 82B, 87A : 하면(下面)
13, 83 : 관통 비아
14, 95 : 상부 배선
15, 96 : 상부 수지층
16, 33, 88, 97 : 비아
17 : 배선
19, 53 : 접속부
21, 38, 91, 102 : 솔더 레지스트
25, 55, 105, 123 : 반도체 칩
26, 56, 106 : 전극 패드
28, 107 : 와이어
29 : 몰드 수지(molded resin)
31, 85 : 하부 배선
32, 87 : 하부 수지층
32A, 87A, 103A, 109A, 125A, 134 : 면
35, 37, 54, 61, 89, 101, 117, 121, 132, 151 : 접속 패드
41, 62, 72, 92, 118, 125, 134 : 실장용 단자
42, 103 : 테스트용 단자
57 : 스터드 범프(stud bump)
58 : 솔더(solder)
59 : 언더필 수지
99 : 와이어 접속부
109 : 몰드 수지
136 : 제 1 접속부
137 : 제 2 접속부
138 : 솔더 레지스트
141 : 개별 부품
142 : 전극
143 : 솔더 페이스트
145 : 패키지
146 : 패키지 본체
147 : 리드 프레임
A, C : 칩 실장 영역
H1 : 높이
R1 ∼ R8 : 직경
T1 ∼ T4 : 두께
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 반도체 칩이 실장된 기판 상에 테스트용 단자가 배치된 반도체 장치에 관한 것이다.
마더 보드(motherboard)와 같은 다른 기판에 반도체 장치를 접속시키기 위한 실장용 단자에 추가하여 반도체 장치의 전기적 신호를 테스트(test)하기 위한 테스트용 단자를 구비한 싱글 칩 패키지(single chip package)로 지칭되는 반도체 장치가 있다. 도 1은 이와 같은 테스트용 단자를 구비하고 있는 반도체 장치의 단면도이다.
도 1에 나타낸 반도체 장치(10)는 기판(11)과, 반도체 칩(25)과, 실장용 단자(41)와, 테스트용 단자(42)를 구비하고 있다. 반도체 칩(25)과 와이어(28)는 몰드 수지(molded resin)(29)에 의해 밀봉되어 있다.
기판(11)은 기재(base material)(12)와, 기재(12)를 관통하는 비아(13)와, 상부 배선(14)과, 상부 수지층(15)과, 비아(16, 33)와, 배선(17)과, 솔더 레지스트(21, 38)와, 하부 배선(31)과, 하부 수지층(32), 및 접속 패드(35, 37)를 구비하고 있다. 도 1에서 반도체 칩(25)이 실장된 상부 수지층(15) 상의 영역은 칩 실장 영역 A이라 부르기로 한다.
상부 배선(14)은 기재의 상면(12A) 상에 배치되어 있고, 비아(13)에 전기적으로 접속되어 있다. 상부 수지층(15)은 상부 배선(14)과 기재(12)의 상면(12A)을 덮도록 배치되어 있다. 비아(16)는 상부 수지층(15)을 관통하여 배치되어 있으며, 비아(16)의 한쪽 단부는 상부 배선(14)에 접속되고 다른 쪽 단부는 배선(17)에 접속되어 있다. 배선(17)은 상부 수지층(15) 상에 배치되어 있으며, 와이어(28)가 접속되는 접속부(19)를 구비하고 있다. 솔더 레지스트(21)는 상부 수지층(15) 상에 배치되어 있으며, 칩 실장 영역 A와 접속부(19)를 노출시키는 동시에 접속부(19) 이외의 배선(17)을 덮고 있다.
하부 배선(31)은 기재의 하면(12B) 상에 배치되어 있으며, 비아(13)에 전기적으로 접속되어 있다. 하부 수지층(32)은 하부 배선(31)과 기재(12)의 하면(12B)을 덮도록 배치되어 있다. 비아(33)는 하부 수지층(32)을 관통하여 배치되어 있으며, 비아(33)의 한쪽 단부는 접속 패드(35) 또는 접속 패드(37)에 접속되어 있고, 비아(33)의 다른 쪽 단부는 하부 배선(31)에 접속되어 있다. 접속 패드(35, 37)는 하부 수지층(32)의 면(32A) 상에 배치되어 있고, 비아(33)에 접속되어 있다. 접속 패드(37)는 실장용 단자(41)를 실장하기 위한 것이며, 접속 패드(35)는 테스트용 단자(42)를 실장하기 위한 것이다.
반도체 칩(25)은 와이어(28)를 통해서 접속부(19)에 전기적으로 접속되는 전극 패드(26)를 구비하고 있다. 반도체 칩(25)은 상부 수지층(15) 상의 칩 실장 영역 A 상에 실장되어 있다.
테스트용 단자(42)는 반도체 장치(10)의 전기적 신호를 테스트하기 위한 외부 단자이다. 테스트용 단자(42)는 기재(12)의 하면(12B)(즉, 하부 수지층(32)의 하면(32A)) 측 상에 배치된 접속 패드(35) 상에 실장되어 있다.
최근에 반도체 장치의 소형화나 고밀도화 등의 요구가 증가하고 있으며, 예를 들면 복수의 반도체 장치를 적층하여(stack) 마더 보드(motherboard)와 같은 다른 기판 상에 이 적층된 반도체 장치를 실장하는 기술이 개발되었다. 이와 같은 기술은, 예를 들면 일본국 특허 공개 공보 2001-339011호에 개시되어 있다. 도 2는 다른 반도체 장치의 상부 상에 하나의 반도체 장치를 적층한 2 개의 반도체 장치의 단면도이다. 도 2에 나타낸 적층된 반도체 장치(50, 70)의 구성 요소 중에서, 도 1에 나타낸 반도체 장치(10)의 구성 요소와 동일한 구성 요소에는 동일한 도면 부호를 할당하였다.
도 2에서, 반도체 장치(50)는 그 상부에 적층되는 반도체 장치(70)를 가지고 있으며, 또한 마더 보드(도시하지 않음)와 같은 다른 기판에 접속되도록 구성되어 있다. 반도체 장치(50)는 기판(51)과, 반도체 칩(55), 및 실장용 단자(62)를 구비하고 있다.
기판(51)은 기재(12)와, 비아(13)와, 상부 배선(14)과, 상부 수지층(15)과, 비아(16, 33)와, 솔더 레지스트(21, 38)와, 하부 배선(31)과, 하부 수지층(32)과, 접속부(53), 및 접속 패드(54, 61)를 구비하고 있다. 접속부(53) 및 접속 패드(54)는 상부 수지층(15) 상에 배치되어 있으며, 비아(16)에 전기적으로 접속되어 있다. 접속부(53)는 반도체 칩(55)의 전극 패드(56)에 전기적으로 접속되어 있다. 접속 패드(54)는 반도체 장치(70) 상에 배치된 실장용 단자(72)에 접속되어 있다. 접속 패드(61)는 하부 수지층(32)의 하면(32A) 상에 배치되어 있으며, 비아(33)에 전기적으로 접속되어 있다.
반도체 칩(55)은 스터드 범프(57)에 전기적으로 접속된 전극 패드(56)를 구비하고 있다. 스터드 범프(57)는 솔더(58)에 의해서 접속부(53)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 언더필 수지(59)는 반도체 칩(55)과 기판(51) 사이에 배치되어 있다. 실장용 단자(62)는 접속 패드(61) 상에 배치되어 있으며, 마더 보드(도시하지 않음)와 같은 다른 기판에 접속되도록 구성되어 있다.
반도체 장치(70)는 반도체 장치(50)의 접속 패드(54) 상에 실장되며, 기판(71)과, 반도체 칩(25), 및 실장용 단자(72)를 구비하고 있다. 반도체 칩(25)과 와이어(28)는 몰드 수지(29)에 의해 밀봉되어 있다.
기판(71)은 기재(12)와, 비아(13)와, 상부 배선(14)과, 상부 수지층(15)과, 비아(16, 33)와, 배선(17)과, 솔더 레지스트(21, 38)와, 하부 배선(31)과, 하부 수지층(32)과, 접속 패드(37)를 구비하고 있다. 실장용 단자(72)는 반도체 장치(50)의 접속 패드(54)에 전기적으로 접속되어 있다. 실장용 단자(72)를 접속 패드(54)에 접속시킴으로써, 반도체 장치(50)와 반도체 장치(70) 사이에서 전기적인 접속이 구현될 수 있다.
상술한 바와 같이, 2 개의 반도체(50, 70)를 적층하는 것에 의해서 및 마더 보드와 같은 다른 기판 상에 상기 적층된 반도체 장치를 실장하는 것에 의해서 반도체 장치(50, 70)를 실장할 때에 필요한 다른 기판 상의 영역의 외형이 작아지게 되므로 반도체 장치(50, 70)를 고밀도로 실장할 수 있다.
도 1에 도시된 예에서는 반도체 장치(10)가 기판(11)의 한쪽(즉, 하부 수지층(32)의 하면(32A) 측) 상에 배치된 2 종류의 단자(즉, 실장용 단자(41)와 테스트용 단자(42))를 가지고 있기 때문에, 기판(11)의 외형이 커지게 되어 반도체 장치(10)를 적절히 소형화할 수 없었다.
2 개의 반도체 장치(50, 70)가 적층된 반도체 장치 구조를 구현한 도 2에 도시된 예에서는 반도체 장치(50, 70)의 고밀도화를 실현할 수 있었다. 그러나, 이 예에서는, 반도체 장치(10)의 테스트용 단자와 유사한 테스트용 단자를 설치하더라도 테스트용 단자가 반도체 장치(50)와 대향하고 있기 때문에, 반도체 장치(50)와 반도체 장치(70) 사이의 전기적 신호의 테스트를 수행할 수 없을 수도 있었다.
본 발명은 상술한 하나 또는 그 이상의 문제점에 대응하여 발명된 것이며, 소형화가 가능하고, 또한 적층된 반도체 장치 구조로 배치된 본 발명의 반도체 장치와 다른 반도체 장치의 전기적인 신호를 테스트할 수 있도록 한 반도체 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면,
반도체 칩과,
상기 반도체 칩이 실장된 기판과,
상기 기판의 제 1 측면 상에 배치된 실장용 단자, 및
상기 기판의 상기 제 1 측면과는 반대쪽인 상기 기판의 제 2 측면 상에 배치되는 테스트용 단자를 구비하는 반도체 장치가 제공된다.
본 발명의 일 형태에서는 실장용 단자가 배치된 상기 기판의 제 1 측면과는 반대쪽인 기판의 제 2 측면 상에 테스트용 단자를 배치함으로써 기판의 외형을 작아지게 할 수 있고, 또한, 예를 들면 반도체 장치의 소형화도 구현될 수 있다. 본 실시예의 다른 형태에서는, 본 실시예의 반도체 장치 상에 다른 반도체 장치를 실장하는 경우에도, 예를 들면 반도체 장치의 전기적 신호의 테스트를 수행할 수 있다.
본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 따르면, 상기 반도체 칩은 상기 기판의 상기 제 2 측면 상에 실장되며, 상기 테스트용 단자는 상기 기판의 상기 제 2 측면으로부터 상기 반도체 칩보다도 더 멀리 돌출되어 있다.
본 실시예의 일 형태에서는 테스트용 단자가 반도체 칩보다도 더 멀리 돌출되도록 배치함으로써, 예를 들면 테스트 장치의 프로브(probe)를 테스트용 단자에 접속시킬 때 반도체 칩이 방해되지 않으므로 프로브와 테스트용 단자를 용이하게 접속시킬 수 있다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 반도체 칩은 와이어(wire) 에 의해 상기 기판에 접속되며, 상기 테스트용 단자는 상기 기판의 상기 제 2 측면으로부터 상기 와이어보다도 더 멀리 돌출되어 있다.
본 실시예의 일 형태에서는 테스트용 단자가 와이어보다도 더 멀리 돌출되도록 배치함으로써, 예를 들면 테스트 장치의 프로브를 테스트용 단자에 접속시킬 때 와이어가 방해되지 않으므로 프로브와 테스트용 단자를 용이하게 접속시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 반도체 칩은 수지(resin)로 덮혀 있으며, 상기 테스트용 단자의 일부는 상기 수지를 관통하여 노출되어 있다.
본 실시예의 일 형태에서는, 예를 들면 수지는 기판에 대한 테스트용 단자의 위치를 규제할 수 있다.
<<실시예>>
이하, 첨부한 도면에 기초하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.
먼저, 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치(80)를 설명한다. 도 3은 본 실시예에 따른 반도체 장치(80)의 평면도이며, 도 4는 도 3에 나타낸 반도체 장치(80)의 B-B선 방향의 단면도이다. 도 3에서 R1은 몰드 수지(109)를 관통하여 노출된 테스트용 단자(103)의 평탄면(103A)의 직경(이하 "직경 R1"이라 한다)을 나타낸다. 또한, 도 4에서 C는 반도체 칩(105)이 실장되는 상부 수지층(96) 상의 영역(이하 "칩 실장 영역 C"라 한다)을, H1은 전극 패드(106)에 대한 와이어(107)의 높이(이하 "높이 H1"이라 한다)를, T1은 전극 패드(106)를 구비하는 반도체 칩(105)의 두께(이하 "두께 T1"이라 한다)를, T2는 상부 수지층(96)의 상면에 대한 몰드 수지(109)의 두께(이하 "두께 T2"라 한다)를, R2는 테스트용 단자(103)의 실질적으로 구형상으로 형성된 부분의 직경(이하 "직경 R2"라 한다)을, R3는 실질적으로 구형상으로 형성된 실장용 단자(92)의 직경(이하 "직경 R3"라 한다)을 나타낸다.
본 실시예에 따르면, 반도체 장치(80)는 기판(81)과, 반도체 칩(105)과, 실장용 단자(92), 및 테스트용 단자(103)를 구비하고 있다. 기판(81)은 기재(82)와, 비아(83)와, 하부 배선(85)과, 하부 수지층(87)과, 비아(88, 97)와, 접속 패드(89, 101)와, 솔더 레지스트(91, 102)와, 상부 배선(95)과, 상부 수지층(96), 및 와이어 접속부(99)를 구비하고 있다.
기재(82)는, 예를 들면 수지 기재나 세라믹 기재로 형성될 수 있는 판 형상 부재(plate member)이다. 비아(83)는 기재(82)를 관통하도록 배치되어 있다. 비아(83)는 상부 배선(95)과 하부 배선(85) 사이의 전기적 접속을 구현하도록 설치되어 있다. 하부 배선(85)은 기재(82)의 하면(82B) 상에 배치되어 있으며, 비아(83)에 전기적으로 접속되어 있다. 하부 수지층(87)은 하부 배선(85)과 기재(82)의 하면(82B)을 덮도록 배치되어 있다. 비아(88)는 하부 수지층(87)을 관통하여 배치되어 있으며, 비아(88)의 한쪽 단부는 하부 배선(85)에 접속되고, 비아(88)의 다른쪽 단부는 접속 패드(89)에 접속되어 있다.
접속 패드(89)는 하부 수지층(87)의 면(87A) 상에 배치되어 있으며, 비아(88)에 전기적으로 접속되어 있다. 접속 패드(89)는 실장용 단자(92)를 실장하기 위해 사용된다. 솔더 레지스트(91)는 하부 수지층(87)의 면(87A)을 덮도록 배치되어 있는 동시에 접속 패드(89)를 노출시키고 있다.
상부 배선(95)은 기재(82)의 상면(82A) 상에 배치되어 있으며, 비아(83)에 전기적으로 접속되어 있다. 상부 수지층(96)은 상부 배선(95)과 기재(82)의 상면(82A)을 덮도록 배치되어 있다. 반도체 칩(105)이 실장된 칩 실장 영역 C는 상부 수지층(96) 상에 형성되어 있다. 비아(97)는 상부 수지층(96)을 관통하여 배치되어 있으며, 비아(97)의 한쪽 단부는 상부 배선(95)에 접속되고, 비아(97)의 다른쪽 단부는 와이어 접속부(99) 또는 접속 패드(101)에 접속되어 있다.
와이어 접속부(99)는 상부 수지층(96) 상에 배치되어 있으며, 비아(97)에 전기적으로 접속되어 있다. 와이어 접속부(99)는 반도체 칩(15)에 접속된 와이어(107)를 실장하기 위해 사용된다. 접속 패드(101)는 상부 수지층(96) 상에 배치되어 있으며, 비아(97)에 전기적으로 접속되어 있다. 테스트용 단자(103)는 접속 패드(101) 상에 배치된다. 솔더 레지스트(102)는 상부 수지층(96)의 상면을 덮도록 배치되어 있는 동시에 접속 패드(101)와 칩 실장 영역 C를 노출시키고 있다.
반도체 칩(105)은 접착제에 의해서 상부 수지층(96) 상의 칩 실장 영역 C에 실장되어 있다. 반도체 칩(105)은 와이어(107)를 통해서 와이어 접속부(99)에 전기적으로 접속되어 있는 전극 패드(26)를 구비하고 있다. 반도체 칩(105)의 두께 T1은, 예를 들면 0.15 mm일 수 있다. 또한, 와이어(107)의 높이 H1은, 예를 들면 0.1 mm일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 실장용 단자(92)는 반도체 장치(50)(도 5 참조)와 같은 다른 반도체 장치에 전기적으로 접속되는 외부 단자에 대응할 수 있다. 실장용 단자(92)는 하부 수지층(87)의 하면(87A) 상에 배치되어 있으며, 접속 패드(89)에 전기적으로 접속되어 있다. 실장용 단자(92)로서는, 예를 들면 솔더 볼(solder ball)이나 금속 포스트(metal post)를 사용할 수 있다. 실장용 단자(92)로서 솔더 볼을 사용하는 경우에, 실장용 단자(92)의 직경 R3는, 예를 들면 0.4 mm일 수 있다.
테스트용 단자(103)는 전기적 신호의 테스트를 행하기 위해 사용된다. 일 실시예에서, 전기적 신호의 테스트는 테스트 장치의 프로브(probe)(도시하지 않음)를 테스트용 단자(103)에 접속시켜서 수행될 수 있다. 테스트용 단자(103)는 상부 수지층(96)의 상면, 즉 실장용 단자(92)가 배치된 측(즉, 하부 수지층(87)의 면(87A))에 대해서 기판(81)의 반대쪽 상에 배치되어 있으며, 테스트용 단자(103)는 접속 패드(101)에 전기적으로 접속되어 있다.
실장용 단자(92)가 배치된 측(즉, 하부 수지층(87)의 하면(87A))에 대해서 기판(81)의 반대쪽(즉 상부 수지층(96)의 상면) 상에 테스트용 단자(103)를 배치시킴으로써, 테스트용 단자(103)를 실장하기 위한 접속 패드는 실장용 단자(92)가 배치된 기판(81) 측 상에 배치되지 않아도 되므로, 기판(81)의 외형이 작아지게 되고 반도체 장치(80)를 소형화할 수 있다.
도 5는 도 2에 나타낸 반도체 장치(50) 상에 본 실시예의 반도체 장치(80)를 실장하여 구현한 구조의 단면도이다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 본 실시예의 반도체 장치(80)를 반도체 장치(50) 상에 실장할 때, 테스트 장치의 프로브(도시하지 않음)는 상부 수지층(96)의 상면측(즉, 반도체 장치(50)와 대향하지 않는 측) 상에 배치된 테스트용 단자(103)에 접속될 수 있으며, 따라서 반도체 장치(50)와 반도체 장치(80)의 전기적 신호의 테스트를 수행할 수 있다.
도시된 실시예에서, 테스트용 단자(103)는 실질적으로 구형상이며, 이 구형상의 상부에는 평탄면(103A)이 배치되어 있다. 테스트용 단자(103)는 와이어(107)보다도 더 멀리 돌출되도록 배치되는 것이 바람직하다.
와이어(107)보다도 더 멀리 테스트용 단자(103)가 돌출되도록 배치시킴으로써, 테스트용 단자(103)의 평탄면(103A)에 테스트 장치의 프로브를 접속시키는 과정에서 와이어(107)가 방해되지 않는다. 또한, 테스트 장치의 프로브와 테스트용 단자(103)의 접속이 용이할 수 있다. 또한, 반도체 칩(105)이 기판(81)에 플립칩(flip chip) 접속되는 경우에는 테스트용 단자(103)는 반도체 칩(105)보다도 더 멀리 돌출되도록 배치되는 것이 바람직하다.
도시된 실시예에서, 와이어(107)를 보호하기 위한 몰드 수지(109)는 테스트용 단자(103)의 평탄면(103A)을 노출시키도록 배치되어 있는 동시에 테스트용 단자(103)의 다른 부분은 덮고 있다. 테스트용 단자(103)의 평탄면(103A)과 몰드 수지(109)의 면(109A)은 실질적으로 동일한 평면으로 되도록 배치되어 있다. 몰드 수지(109)가 테스트용 단자의 면(103A)을 노출시키도록 배치되어 있는 동시에 테스트용 단자(103)의 다른 부분은 덮도록 함으로써, 테스트용 단자(103)의 주위는 몰드 수지(109)에 의해서 지지될 수 있으며, 기판(81)에 대한 테스트용 단자(103)의 위치를 규제할 수 있다.
테스트용 단자(103)로서는, 예를 들면 솔더 볼 또는 원 기둥 형상이나 각 기 둥 형상의 금속 포스트를 사용할 수 있다. 테스트용 단자(103)로서 금속 포스트를 사용하는 경우에는, 예를 들면 구리로 형성된 금속 포스트는 솔더에 의해서 접속 패드(101)에 접속될 수 있거나, 금속 포스트는 접속 패드(101) 상에 도금막을 석출 성장시키는 등에 의해서 형성될 수도 있다. 테스트용 단자(103)로서 솔더 볼을 사용하는 경우, 테스트용 단자(103)의 직경 R2는, 예를 들면 0.4 mm일 수 있으며, 이와 같은 경우에 몰드 수지(109)를 관통하여 노출된 평탄면(103A)의 직경 R1은, 예를 들면 0.25 mm일 수 있다. 또한, 몰드 수지(109)의 두께 T2는, 예를 들면 0.3 mm일 수 있다.
다음으로, 도 6 내지 도 10을 참조하여 본 실시예의 반도체 장치(80)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 6 내지 도 10은 반도체 장치(80)의 제조 공정을 나타낸 도면이다. 도 6 내지 도 10에서 도 4에 나타낸 구성 요소와 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 할당하였다. 또한, 도 8에서 T3는 상부 수지층(96)의 상면에 대해, 연마되기 전의 몰드 수지(109)의 두께(이하 "두께 T3"라 한다)를 나타낸다.
본 실시예에 따르면, 먼저, 도 6에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 기판을 제조하는 종래의 방법을 통해서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같은 기판(81)을 제조한다. 이 경우에 접속 패드(101)는 상부 수지층(96)의 상면(즉, 실장용 단자(92)를 실장하기 위한 접속 패드(89)가 형성된 측에 대해서 반대쪽) 상에 생성된다.
다음으로, 도 7에 나타낸 바와 같이 상부 수지층(96) 상의 칩 실장 영역 C에 접착제를 통해서 반도체 칩(105)을 실장하고, 또한 전극 패드(106)와 와이어 접속부(99)는 와이어(107)를 통해서 접속된다. 계속하여 테스트용 단자(103)는 접속 패 드(101)에 접속된다. 일례에서, 반도체 칩(105)의 두께 T1은, 예를 들면 0.15 mm일 수 있으며, 와이어(107)의 높이 H1은, 예를 들면 0.1 mm일 수 있다. 또한, 테스트용 단자(103)의 직경 R2는, 예를 들면 0.4 mm일 수 있다.
다음으로, 도 8에 나타낸 바와 같이 몰드 수지(109)는 와이어(107)와, 반도체 칩(105), 및 테스트용 단자(103)를 덮도록 배치된다. 몰드 수지(109)의 두께 T3는 와이어(107)를 덮기 위한 충분한 두께로 배치되는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 9에 나타낸 바와 같이 몰드 수지(109)의 연마면은 기재(82)의 면방향과 평행하게 배치되도록 연마되며, 그 결과, 테스트용 단자(103)의 상면은 몰드 수지(109)를 관통하여 노출된다. 이 경우에 테스트용 단자(103)는 몰드 수지(109)와 함께 연마되므로, 테스트용 단자(103)의 상부는 몰드 수지(109)를 관통하여 노출된 평탄면(103A) 내에 배치된다. 연마된 후의 몰드 수지(109)의 두께 T2는, 예를 들면 0.3 mm일 수 있다. 테스트용 단자(103)의 평탄면(103A)의 직경 R1은, 예를 들면 0.25 mm일 수 있다.
다음으로, 도 10에 나타낸 바와 같이 실장용 단자(92)는 접속 패드(89)에 접속되며, 따라서 반도체 장치(80)가 제조된다. 실장용 단자(92)로서 솔더 볼을 사용하는 경우, 실장용 단자(92)의 직경 R3는, 예를 들면 0.4 mm일 수 있다.
다음으로, 도 11 및 도 12를 참조하여 반도체 장치(80)의 변형례를 설명한다. 본 변형례에 따르면 반도체 장치(110)에서는, 테스트용 단자(103) 대신에, 다른 반도체 장치와의 접속을 구현하기 위한 실장용 단자는 상부 수지층(96)의 상면 상에 배치되어 있다. 즉, 반도체 장치(110)는 기판의 양 측면 상에 배치된 실장용 단자를 가지고 있다.
도 11은 반도체 장치(110)의 단면도이며, 도 12는 상기 반도체 장치(110) 상에 도 2에 나타낸 반도체 장치(70)를 실장하여 구현한 구조의 단면도이다. 도 11에서, T4는 전극 패드(106)를 구비한 반도체 칩(123)의 두께(이하 "두께 T4"라 한다)를 나타낸다. 또한, 도 11 및 도 12에서, 도 4에 나타낸 반도체 장치(80)의 구성 요소와 동일한 구성 요소에는 동일한 도면 부호를 붙였다.
도시된 실시예에 따르면, 반도체 장치(110)는 기판(115)과, 반도체 칩(123), 및 실장용 단자(118, 126)를 구비하고 있다. 반도체 칩(123)은 접착제에 의해서 상부 수지층(96) 상의 칩 실장 영역 C에 접착되어 있다.
기판은 기재(82)와, 비아(83)와, 하부 배선(85)과, 하부 수지층(87)과, 비아(88, 97)와, 솔더 레지스트(91, 102)와, 상부 배선(95)과, 상부 수지층(96)과, 와이어 접속부(99), 및 접속 패드(117, 121)를 구비하고 있다. 접속 패드(117)는 실장용 단자(118)를 실장하기 위한 것이며, 하부 수지층(87)의 면(87A) 상에 배치되어 있다. 접속 패드(121)는 실장용 단자(125)를 배치하기 위한 것이며, 상부 수지층(96)의 상면 상에 실장되어 있다.
반도체 칩(123)은 와이어(107)를 통해서 와이어 접속부(99)에 전기적으로 접속되는 전극 패드(106)를 가지고 있다. 일례에서, 반도체 칩(123)의 두께 T4는, 예를 들면 0.15 mm일 수 있다. 또한, 와이어(107)의 높이 H1은, 예를 들면 0.1 mm일 수 있다.
실장용 단자(118)는 마더 보드와 같은 다른 기판과의 접속을 구현하기 위한 외부 접속 단자에 대응한다. 실장용 단자(118)는 실질적으로 구 형상으로 되어 있으며, 접속 패드(117) 상에 배치되어 있다. 실장용 단자(118)로서는, 예를 들면 솔더 볼이나 금속 포스트를 사용할 수 있다. 실장용 단자(118)로서 솔더 볼을 사용하는 경우, 실장용 단자(118)의 직경 R4는, 예를 들면 0.4 mm일 수 있다.
실장용 단자(125)는 실질적으로 구형상이며, 이 구형상의 상부에는 평탄면(125A)이 배치되어 있다. 실장용 단자(125)는 와이어(107)보다도 더 멀리 돌출되도록 배치되는 것이 바람직하다.
도 12에 나타낸 바와 같이, 접속 패드(121) 상의 와이어(107)보다도 더 멀리 실장용 단자(125)를 돌출되도록 배치함으로써, 실장용 단자(125)와 실장용 단자(41)는 반도체 장치(110) 상에 반도체 장치(70)를 실장할 때 와이어(107)의 위치로부터 떨어진 위치에 접속될 수 있다. 이에 의해서, 반도체 칩(123) 및 와이어(107)의 높이 방향에 대한 위치 관계는 고려하지 않아도 되므로, 반도체 장치(110) 상으로의 반도체 장치(70)의 실장이 용이할 수 있다. 반도체 칩(123)을 기판(115)에 플립 칩 접속하는 경우에, 실장용 단자(125)는 반도체 칩(123)보다도 더 멀리 돌출되도록 배치되는 것이 바람직하다.
도시된 실시예에서, 실장용 단자(125)는 접속 패드(121) 상에 배치되어 있으며, 몰드 수지(109)는 실장용 단자(125)의 면(125A)을 노출시키도록 배치되는 동시에 실장용 단자(125)의 다른 부분을 덮고 있다. 또한, 실장용 단자(125)의 면(125A)은 몰드 수지(109)의 면(109A)과 실질적으로 동일한 평면이 되도록 배치되어 있다.
몰드 수지(109)가 면(125A)을 노출시키도록 배치하는 동시에 실장용 단자(125)의 다른 부분을 덮도록 함으로써, 기판(115)에 대한 실장용 단자(125)의 위치를 규제할 수 있다. 실장용 단자(125)로서는, 예를 들면 솔더 볼, 원 기둥 형상이나 각 기둥 형상의 금속 포스트를 사용할 수 있다. 실장용 단자(125)로서 금속 포스트를 사용하는 경우에는, 예를 들면 구리로 형성된 금속 포스트는 솔더에 의해서 접속 패드(121)에 접속될 수 있거나, 접속 패드(121) 상에 도금막을 석출 성장시켜서 금속 포스트를 생성할 수 있다. 일례에서 실장용 단자(125)의 직경 R5는, 예를 들면 0.4 m일 수 있으며, 이 경우 몰드 수지(109)에 의해서 노출된 실장용 단자(125)의 면(125A)의 직경(R6)은, 예를 들면 0.25 mm일 수 있다.
도 13은 도 4에 나타낸 반도체 장치(80)를 반도체 장치(110) 상에 실장하여 구현한 구조의 단면도이다. 도 13에 나타낸 바와 같이, 기재(82)의 상면(82A) 측 상에 배치된 테스트용 단자(103)를 갖는 반도체 장치(80)를 반도체 장치(110) 상에 실장하여, 반도체 장치(80)와 반도체 장치(110) 사이의 전기적 신호의 테스트를 수행할 수 있다.
다음므로, 도 14 및 도 15를 참조하여 반도체 장치(80)의 다른 변형례에 대해서 설명한다. 본 변형례에 따른 반도체 장치(130)는 기재(82)의 상면(82A) 측 상에 배치되는 마더 보드와 같은 다른 기판과의 접속을 실현하기 위한 실장용 단자(134)와 기재(82)의 하면(82A) 측 상에 배치된 전자 부품을 구비하고 있다. 도 14는 반도체 장치(130)의 단면도이며, 도 15는 반도체 장치(130)를 마더 보드(150)에 접속하여 구현한 구조의 단면도이다. 도 14 및 도 15에서는, 도 4에 나타낸 반도체 장치(80)의 구성 요소와 동일한 구성 요소에는 동일한 도면 부호를 붙였다.
도시된 실시예에서, 반도체 장치(130)는 기판(131)과, 반도체 칩(105)과, 실장용 단자(134)와, 개별 부품(141), 및 반도체 칩(도시하지 않음)이 내장된 패키지(145)를 구비하고 있다.
기판(131)은 기재(82)와, 비아(83)와, 하부 배선(85)과, 하부 수지층(87)과, 비아(88, 97)와, 상부 배선(95)과, 상부 수지층(96)과, 와이어 접속부(99)와, 솔더 레지스트(102, 138)와, 접속 패드(132)와, 제 1 접속부(136), 및 제 2 접속부(137)를 구비하고 있다. 접속 패드(132)는 상부 수지층(96) 상에 배치되어 있으며, 비아(97)에 전기적으로 접속되어 있다. 접속 패드는 실장용 단자(134)를 실장하기 위해 사용되는 것이다.
제 1 접속부(136)는 하부 수지층(87)의 면(87A) 상에 배치되어 있으며, 비아(88)에 전기적으로 접속되어 있다. 제 1 접속부(136)는 개별 부품(141)과의 전기적인 접속을 구현하도록 구성되어 있다. 제 2 접속부(137)는 하부 수지층(87)의 면(87A) 상에 배치되어 있으며, 비아(88)에 전기적으로 접속되어 있다. 제 2 접속부(137)는 패키지(145)와의 전기적인 접속을 구현하도록 구성되어 있다. 솔더 레지스트(138)는 제 1 접속부(136)와 제 2 접속부(137) 사이의 영역에서 하부 수지층(87)의 면(87A) 상에 배치되어 있다.
실장용 단자(134)는 실질적으로 구형상이며, 이 구형상의 상부에는 평탄면(134A)이 배치되어 있다. 실장용 단자(134)는 접속 패드(132) 상에 실장되어 있으며, 와이어(107)보다도 더 멀리 돌출하도록 배치되어 있다. 실장용 단자(134)로서 는, 예를 들면 솔더 볼이나 금속 포스트를 사용할 수 있다.
도 15에 나타낸 바와 같이, 접속 패드(132) 상에서 와이어(107)보다도 더 멀리 돌출하도록 실장용 단자(134)를 배치함으로써, 반도체 장치(130)를 마더 보드(150)에 실장하는 경우, 마더 보드(150)의 접속 패드(151)와 실장용 단자(134)는 와이어(107)로부터 멀어진 위치에서 전기적으로 접속될 수 있다. 이에 의해서 반도체 칩(105)과 와이어(107)의 위치를 고려하지 않고도 마더 보드(150) 상에 반도체 장치(130)를 용이하게 실장할 수 있다. 기판(131)에 반도체 칩(105)을 플립 칩 접속시키는 경우에 실장용 단자는 반도체 칩(105)보다도 더 멀리 돌출되도록 배치하는 것이 바람직하다.
도시된 실시예에서, 몰드 수지(109)는 실장용 단자(134)의 면(134A)을 노출시키도록 배치되는 동시에 실장용 단자(134)의 다른 부분은 덮고 있다. 실장용 단자(134)의 면(134A)은 몰드 수지(109)의 면(109A)과 실질적으로 동일한 평면이 되도록 배치되어 있다.
몰드 수지(109)가 면(134A)을 노출시키도록 배치되어 있는 동시에 실장용 단자(134)의 다른 부분을 덮도록 함으로써, 실장용 단자(134)의 주위는 몰드 수지(109)에 의해서 지지될 수 있으므로, 기판(131)에 대한 실장용 단자(134)의 위치를 규제할 수 있다. 실장용 단자(134)로서는 솔더 볼, 원 기둥 형상이나 각 기둥 형상의 금속 포스트를 사용할 수 있다. 실장용 단자(134)로서 금속 포스트를 사용하는 경우에는, 예를 들면 구리로 형성된 금속 포스트는 솔더에 의해서 접속 패드(132)에 접속될 수 있거나, 접속 패드(132) 상에 도금막을 석출 성장시켜서 금속 포스트 를 생성할 수도 있다. 실장용 단자(134)로서 솔더 볼을 사용하는 경우, 실장용 단자(134)의 직경 R7은, 예를 들면 0.4 mm일 수 있으며, 이 경우에 실장용 단자(134)의 평탄면(134A)의 직경 R8는, 예를 들면 0.25 mm일 수 있다.
개별 부품(141)은 전극(142)을 구비하는 전자 부품이다. 전극(142)은 솔더 페이스트(143)에 의해 제 1 접속부(136)에 전기적으로 접속되어 있다. 일 실시예에서, 각각의 개별 부품(141)은 트랜지스터, 다이오드, 저항, 또는 콘덴서와 같은 기본 전기 소자에 대응, 즉 각각의 부품(141)은 이와 같은 기능 중의 하나를 구현할 수 있다(부품(141)은 또한 "디스크리트 부품(discrete part)"으로도 불리워진다).
다른 전자 부품에 대응하는 패키지(145)는 패키지 본체(146)와, 리드 프레임(147)과, 패키지 본체(146) 내에 수용된 반도체 칩(도시하지 않음)을 구비하고 있다. 리드 프레임(147)은 패키지 본체(146) 내에 수용된 반도체 칩에 전기적으로 접속되어 있다. 리드 프레임(147)은 솔더에 의해 제 2 접속부(137)에 전기적으로 접속되어 있다.
반도체 칩(105)이 실장된 기판(131) 측 상에 실장용 단자(134)를 배치함으로써, 복수의 전자 부품(예를 들면, 개별 부품(141) 및 패키지(145))은 기판(131)의 다른쪽, 즉 반도체 칩(105)이 실장된 측에 대해서 반대쪽 상에 배치될 수 있다. 이에 의해서 반도체 장치(130)는 고밀도로 실장될 수 있다. 기판(131) 상에 배치되는 전자 부품의 종류는 도시된 예에서와 같이 제한되지 않는다.
이상 본 발명은 특정한 바람직한 실시예에 의해서 설명되었지만, 본 발명을 읽고 이해하는 것에 의해서 본 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 등가 발 명 및 변형 발명을 착상할 수 있는 것은 명백하다. 본 발명은 이와 같은 모든 등가 발명 및 변형 발명을 포함하며, 특허 청구 범위의 범위에 의해서한 제한된다.
본 발명에 따르면, 소형화를 도모하는 동시에 스택 구조로 된 반도체 장치 사이의 전기적 신호의 테스트를 실시하는 반도체 장치에 적용될 수 있다.
상기 발명에 따르면, 수지에 의해 테스트용 단자의 기판 상에서의 위치를 규제할 수 있다.
본 발명에 따르면, 반도체 장치의 소형화를 도모하는 동시에, 스택 구조로 되는 반도체 장치 사이의 전기적 신호의 테스트를 행할 수 있다.

Claims (4)

  1. 반도체 칩과,
    상기 반도체 칩이 실장된 기판과,
    상기 기판의 제 1 측면 상에 배치된 실장용 단자, 및
    상기 기판의 상기 제 1 측면과는 반대쪽인 상기 기판의 제 2 측면 상에 배치되는 테스트용 단자를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 칩은 상기 기판의 상기 제 2 측면 상에 실장되며,
    상기 테스트용 단자는 상기 기판의 상기 제 2 측면으로부터 상기 반도체 칩보다도 더 멀리 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반도체 칩은 와이어(wire)에 의해 상기 기판에 접속되며,
    상기 테스트용 단자는 상기 기판의 상기 제 2 측면으로부터 상기 와이어보다도 더 멀리 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 칩은 수지(resin)로 덮혀 있으며, 상기 테스트용 단자의 일부는 상기 수지를 관통하여 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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