KR20060049818A - 반도체 장치 - Google Patents
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Description
Claims (11)
- 제 1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 한쪽 주표면에 형성된 제 2도전형의 반도체층과, 상기 반도체층의 표면층에 형성됨과 동시에 제 1도전형의 반도체 영역을 통해 상기 반도체 기판에 접속된 제 1도전형의 제 1반도체 영역과, 상기 반도체층의 표면층에 상기 제 1반도체 영역으로부터 이격되어 형성된 제 1도전형의 제 2반도체 영역과, 상기 제 1반도체 영역의 표면층에 상기 제 1반도체 영역으로 둘러싸여 형성된 제 2도전형의 제 3반도체 영역과, 상기 제 3반도체 영역과 상기 반도체층 사이에 끼워진 상기 제 1반도체 영역의 표면부분에 제 1게이트 절연막을 통해 배치된 제 1게이트 전극과, 상기 제 2반도체 영역에 배치된 제 1콜렉터 전극과, 상기 제 1반도체 영역 및 상기 제 3반도체 영역에 배치된 에미터 전극을 구비한 반도체 장치에 있어서,상기 반도체층의 표면층에 상기 제 1반도체 영역 및 상기 제 2반도체 영역으로부터 이격되어 형성된 제 1도전형의 제 4반도체 영역과, 상기 제 4반도체 영역의 표면층에 상기 제 4반도체 영역으로 둘러싸여 형성된 제 2도전형의 제 5반도체 영역과, 상기 제 5반도체 영역에 배치됨과 동시에 상기 제 1콜렉터 전극과 접속된 제 2콜렉터 전극과, 상기 제 4반도체 영역과 상기 반도체층에 배치되어, 상기 반도체층으로부터 상기 제 4반도체 영역으로의 통전 경로를 구성하는 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 반도체층과 상기 제 4반도체 영역 사이에, 상기 제 4반도체 영역을 둘러싸도록, 상기 반도체층 보다도 캐리어 밀도가 높은 제 2도전형의 반도체 영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2반도체 영역과 상기 제 4반도체 영역 사이에 끼워진 상기 반도체층의 표면부분에 제 2게이트 절연막을 통해 제 2게이트 전극이 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 반도체층과 상기 제 5반도체 영역 사이에 끼워진 상기 제 4반도체 영역의 표면부분에 제 2게이트 절연막을 통해 제 2게이트 전극이 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2반도체 영역과 상기 제 5반도체 영역 사이에 끼워진 상기 반도체층의 표면부분 및 상기 제 4반도체 영역의 표면부분에 걸쳐 제 2게이트 절연막을 통해 제 2게이트 전극이 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 3항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2게이트 절연막은, 필드 산화막 정도의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 4반도체 영역 및 상기 제 5반도체 영역은, 상기 반도체층 위에 형성된 콜렉터 단자 접속용 패드의 하층에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
- 제 1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 한쪽 주표면에 형성된 제 2도전형의 반도체층과, 상기 반도체층의 표면층에 형성됨과 동시에 제 1도전형의 반도체 영역을 통해 상기 반도체 기판에 접속된 제 1도전형의 제 1반도체 영역과, 상기 반도체층의 표면층에 상기 제 1반도체 영역으로부터 이격되어 형성된 제 1도전형의 제 2반도체 영역과, 상기 제 1반도체 영역의 표면층에 상기 제 1반도체 영 역으로 둘러싸여 형성된 제 2도전형의 제 3반도체 영역과, 상기 제 3반도체 영역과 상기 반도체층 사이에 끼워진 상기 제 1반도체 영역의 표면부분에 제 1게이트 절연막을 통해 배치된 제 1게이트 전극과, 상기 제 2반도체 영역에 접속된 콜렉터 전극과, 상기 제 1 및 상기 제 3반도체 영역에 접속된 에미터 전극을 구비한 반도체 장치에 있어서,상기 제 2반도체 영역의 표면층에 상기 제 2반도체 영역으로 둘러싸여 형성됨과 동시에 상기 콜렉터 전극에 접속된 제 2도전형의 제 4반도체 영역과, 상기 제 4반도체 영역의 표면층에 상기 제 4반도체 영역으로 둘러싸여 형성된 제 1도전형의 제 5반도체 영역과, 상기 제 5반도체 영역과 상기 반도체층에 접속되어, 상기 반도체층으로부터 상기 제 5반도체 영역으로의 통전 경로를 구성하는 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 2도전형의 반도체층과, 상기 반도체층의 표면층에 형성된 제 1도전형의 제 1반도체 영역과, 상기 제 1반도체 영역의 표면층에 상기 제 1반도체 영역으로 둘러싸여 형성된 제 2도전형의 제 2반도체 영역과, 상기 반도체층과 상기 제 2반도체 영역사이에 끼워진 상기 제 1반도체 영역의 표면부분에 제 1게이트 절연막을 통해 배치된 제 1게이트 전극과, 상기 반도체층의 다른쪽 주표면에 형성된 제 1도전형의 제 3반도체 영역과, 상기 제 3반도체 영역의 다른쪽 주표면에 배치된 제 1콜렉터 전극과, 상기 제 1반도체 영역 및 상기 제 2반도체 영역에 배치된 에미터 전 극을 구비한 반도체 장치에 있어서,상기 반도체층의 표면층에 상기 제 1반도체 영역으로부터 이격되어 형성된 제 1도전형의 제 4반도체 영역과, 상기 제 4반도체 영역의 표면층에 상기 제 4반도체 영역으로 둘러싸여 형성된 제 2도전형의 제 5반도체 영역과, 상기 제 5반도체 영역에 배치됨과 동시에 상기 제 1콜렉터 전극과 동 전압이 인가되는 제 2콜렉터 전극과, 상기 제 4반도체 영역과 상기 반도체 영역에 접속되어, 상기 반도체층으로부터 상기 제 4반도체영역으로의 통전 경로를 구성하는 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 8항에 있어서,상기 반도체층의 표면층에 상기 제 1반도체 영역 및 상기 4반도체 영역으로부터 이격되어 형성된 제 1도전형의 제 6반도체 영역과, 상기 제 6반도체 영역에 배치됨과 동시에 상기 제 2콜렉터 전극에 접속된 제 3콜렉터 전극과, 상기 제 4반도체 영역과 상기 제 6반도체 영역 사이에 끼워진 상기 반도체층의 표면부분에 제 2게이트 절연막을 통해 배치된 제 2게이트 전극을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 2도전형의 반도체층과, 상기 반도체층의 표면층에 형성된 제 1도전형의 제 1반도체 영역과, 상기 제 1반도체 영역의 표면층에 상기 제 1반도체 영역으로 둘러싸여 형성된 제 2도전형의 제 2반도체 영역과, 상기 반도체층과 상기 제 2반도체 영역 사이에 끼워진 상기 제 1반도체 영역의 표면부분에 게이트 절연막을 통해 배치된 게이트 전극과, 상기 반도체층의 다른 쪽 주표면에 배치된 제 1도전형의 제 3반도체 영역과, 상기 제 3반도체 영역의 다른 쪽 주표면에 배치된 제 1콜렉터 전극과, 상기 제 1반도체 영역 및 상기 제 2반도체 영역에 배치된 에미터 전극을 구비한 반도체 장치에 있어서,상기 반도체층의 표면층에 상기 제 1반도체 영역으로부터 이격되어 형성된 제 1도전형의 제 4반도체 영역과, 상기 제 4반도체 영역의 표면층에 상기 제 4반도체 영역으로 둘러싸여 형성된 제 2도전형의 제 5반도체 영역과, 상기 제 5반도체 영역의 표면층에 상기 제 5반도체 영역으로 둘러싸여 형성된 제 1도전형의 제 6반도체 영역과, 상기 제 4반도체 영역 및 상기 제 5반도체 영역에 배치됨과 동시에 상기 제 1콜렉터 전극과 동 전압이 인가되는 제 2콜렉터 전극과, 상기 반도체층과 상기 제 6반도체 영역에 접속되어서, 상기 반도체층으로부터 상기 제 6반도체 영역으로의 통전 경로를 구성하는 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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