KR20060038472A - 아이티오 스퍼터링 타겟트 - Google Patents

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가부시키 가이샤 닛코 마테리알즈
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Abstract

ITO스퍼터링 타겟트 중 에, 왕수로 엣칭할 시 또는 스퍼터 엣칭 할 시에 표출하는, 입경 100㎚이상의 입자의 개수가 1개/㎛²이하인 것을 특징으로 하는 ITO 스퍼터링 타겟트 및 밀도가 7.12g/㎤ 이상인 것을 특징으로 하는 ITO 스퍼터링 타겟트. 스퍼터 특성, 특히 아킹의 발생을 억제하며, 이 아킹에 기인하는 ITO막의 결함의 발생을 억제하고, ITO막의 품질 저하를 효과적으로 억제한다.
ITO 스퍼터링 타겟트

Description

아이티오 스퍼터링 타겟트{ITO SPUTTERING TARGET}
이 발명은, 아이티오(ITO)막을 형성하기 위하여 사용하는 스퍼터링용(sputtering用) ITO(인듐-주석을 주성분으로 하는 복합 산화물:In2O3-SnO2)타겟트에 관한 것이다.
ITO막은 액정 디스플레이를 중심으로 하는 표시 디바이스(device) 등의 투명전극(막)으로써 넓게 사용되고 있다.
이 ITO막을 형성하는 방법으로서, 진공 증착법이나 스퍼터링법 등, 일반적으로 물리 증착법이라고 말하고있는 수단에 의해 행하여지고 있으며, 특히 조작성이나 막의 안정성에서 마그넷트론 스퍼터링법을 사용하여 형성하고 있다.
스퍼터링법에 의한 막의 형성은, 음극에 설치한 타겟트에, Ar이온 등의 정(正)이온을 물리적으로 충돌시켜, 그 충돌 에너지로써 타겟트를 구성하는 재료를 방출시켜, 대면(對面)하고 있는 양극(陽極)측의 기판에 타겟트 재료와 거의 같은 조성의 막을 적층(積層)하는 것에 의해 행하여진다.
스퍼터링법에 의한 피복법은 처리시간이나 공급 전력 등을 조절하는 것에 의해, 안정한 성막 속도로 옹스트롱(Å) 단위의 엷은 막에서 수십 ㎛의 두꺼운 막까 지 형성 가능하다고 하는 특징을 가지고 있다.
ITO막을 형성하는 경우에 특히 문제가 되는 것은, 스퍼터링에 동반하는 노줄(nodule)이라고 불리 우는 미세한 돌기물(突起物)이 타겟트 표면에 발생하는 것이다. 이것은 스퍼터 시간의 증가와 함께 증가한다.
이 노줄은 스퍼터시에 아킹(arcing)을 발생시켜, 그 때에 노줄의 파편 혹은 ITO의 환원물질이 파티클(particle: 미세한 입자)로 되어 발산된다. 이 발산물이 ITO막에 부착하면 그 부분에서 결함이 발생하여 제품 수율을 저하시키는 원인이 된다.
이러한 것으로부터, 실제의 제조 시에는 타겟트에 발생한 노줄을 정기적으로 제거하는 것이 필요하게 되어, 이것이 현저하게 생산성을 저하시킨다고 하는 문제가 있어, 노줄 발생이 적은 타겟트가 요구되고 있다.
종래, 노줄을 저하시키기 위하여 표면의 청정화, 평활화, 혹은 타겟트의 고밀도화가 행하여져왔다. 가장 효과가 높았던 것은 산화주석을 원료 분말 중에 균일하게 분산시키는 것이다.(예를 들면, 특허문헌1참조).
이 방법에 의해, 도전성이 낮고 스퍼터에 의한 엣칭(etching) 속도가 낮은 산화 주석의 타겟트 내(內)의 편석을 가능한 한 적게 함으로서, 노줄의 발생, 나아가 아킹에 동반하는 ITO막 중의 결함을 감소할 수가 있었다.
그러나, 최근에는 프렛트 판넬(평판 판넬) 디스플레이(display)의 고정세화(高精細化) 및 ITO막의 제품 생산수율의 개선을 위해, 작은 결함도 무시할 수 없게 되고 또한 아킹을 감소시키는 것이 요구되어지고 있다.
특허문헌1 : 국제공개번호WO 2002072912
(발명의 개시)
본 발명은, 투명 전극막 등을 형성하는 스퍼터링 프로세스에 의해, 아킹의 발생을 억제하며, 이 아킹이 원인이 되어 발생하는 ITO막의 결함의 발생을 억제하여 노줄의 형성이나 이상방전(異常放電)을 적게 하는 것이 가능한 스퍼터링용 ITO(인듐-주석을 주성분으로 하는 복합 산화물 In2O3-SnO2)타겟트를 제공한다.
본 발명은,
1. ITO스퍼터링 타켓트 중에 왕수(王水)로 엣칭 했을 때 또는 스퍼터 엣칭 했을 때 표출(表出:나타나는)되는, 입경 100㎚ 이상의 입자의 개수가 1개 / ㎛2 이하인 것을 특징으로 하는 ITO 스퍼터링 타겟트
2. ITO 스퍼터링 타겟트 중에 왕수로 엣칭 했을 때 또는 스퍼터 엣칭 했을 때 표출되는, 입경 100㎚ 이상의 입자의 개수가 0.2개 / ㎛2 이하인 것을 특징으로 하는 ITO 스퍼터링 타겟트
3. ITO 스퍼터링 타겟트 중에 왕수로 엣칭 했을 때 또는 스퍼터 엣칭 했을 때 표출되는, 입경 100㎚ 이상의 입자의 개수가 0.02개 / ㎛2 이하인 것을 특징으로 하는 상기 1기재의 ITO 스퍼터링 타겟트
4. 왕수로 엣칭 했을 때 또는 스퍼터 엣칭 했을 때 표출되는, 입경이 1㎛ 이상의 입자가 타겟트 중에 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 상기 1 내지 3의 어느 한 항에 기재된 ITO 스퍼터링 타겟트
5. 왕수로 엣칭 했을 때 또는 스퍼터 엣칭 했을 때 표출되는, 입경이 100㎚ 이상의 입자가 타겟트 중에 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 상기 4 기재의 ITO 스퍼터링 타겟트
6. 왕수로 엣칭 했을 때 또는 스퍼터 엣칭 했을 때 표출되는 입경이 10㎚ 이상의 입자가 타겟트 중에 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 상기 5 기재의 ITO 스퍼터링 타겟트
7. 밀도가 7.12g / ㎤ 이상인 것을 특징으로 하는 상기 1 내지 6의 어느 한 항에 기재된 ITO 스퍼터링 타겟트
에 관한 것이다.
(발명의 실시형태)
발생하는 아킹의 감소를 지향(指向)하기 위하여 ITO 타겟트의 스퍼터면(面)을 상세히 관찰을 행한 결과, 스퍼터에 의한 엣칭은 타겟트 표면에서 균일하게 행하여지지 않고, 결정입자 내(內)에서는 주위에 비하여 엣칭속도가 낮은, 크기가 500㎚ 정도 및 그 이하의 미세 조직이 존재하는 것을 알아냈다.
도1, 2에 스퍼터에 의해 엣칭된 ITO 타겟트 표면의 SEM상을 나타낸다. 도1은 5,000배의 조직에서 결정 조직 중에 미세한 입자가 관찰되었다. 도2는 그것을 다시 50,000배로 확대한 것이다.
특히, 도 2에서 관찰되는 100㎚ 또는 그 이하의 미세한 입자는, 주석의 존재비율이 높은 영역이라고 생각된다. 이 미세한 입자는 타 조직에 비해 엣칭 속도가 낮은 것을 알았다. 그 때문에 이 미세한 입자는 스퍼터시에 잔류하게되고 결국은 이물질로서 타겟트로부터 방출되던가 혹은 미소(微少)한 아킹을 발생시켜 ITO막의 결함의 원인으로 되는 것은 용이하게 예상되어 질 수 있는 것이다.
이 결정입자 내의 미세한 조직에 관하여 한층 더 연구를 행한 결과, 원료분말 중의 산화주석의 불균일성(편석)에 기인하는 것이 아니고, ITO소결체의 통상의 제조방법에 있어서 발생하는 물질인 것이 밝혀졌다. 또한 플렛트 판넬 디스플레이용으로서 가장 일반적으로 사용되고 있는, 산화주석 조성이 10wt.%의 ITO에서는, 이 미세 조직의 상태는 소결 시의 최고 온도에 의존되며, 소결 온도가 높을수록 입자가 크게되고 입자의 개수가 증가하는 것이 밝혀졌다.
또한 소결 온도가 같아도 산화주석 조성의 낮은 쪽이 입자가 작게되는 것이 밝혀졌다. 따라서 엣칭 속도가 낮은 미세한 입자를 감소 혹은 작게 하기 위해서는 소결 온도를 낮추는 것, 혹은 산화주석 조성을 낮게 할 필요가 있다. 그러나 소결 온도를 낮게 하면 소결이 충분히 행하여지지 않기 때문에 ITO타겟트의 밀도는 올라가기 어렵게 된다.
밀도가 낮은 ITO 타겟트를 스퍼터하면 노줄이 발생하고 스퍼터시에 아킹을 발생시켜, 이때에 노줄의 파편 혹은 ITO의 환원물질이 파티클로 되어 비산(飛散)한다. 이 비산물이 ITO막에 부착되면 그 부분에서 결함이 발생하여 제품 수율을 저하시키는 원인으로 된다.
따라서 단지 소결 온도를 낮추는 것뿐만 아니라 그것에 의해 소결 밀도가 낮아지지 않게 할 필요가 있다.
일반적으로 ITO소결체는 원료인 산화 인듐 분말과 산화주석 분말을 소정의 조성이 되게 혼합 한 후 성형하여 얻어진 성형체를 산소 분위기 중에서 소결함으로써 얻어진다.
소결 밀도를 낮추지 않고 소결 온도를 낮추기 위해서는 공정을 충분히 검토하여 소결성을 향상시킬 필요가 있다. 이를 위해 원료인 산화 인듐분말, 산화 주석분말은 적정한 비표면적(比表面積)을 가질 필요가 있다.
또한 산화물 원료분말 혹은 그 혼합분말을 건식 혹는 습식에 의해 분쇄하여 비표면적을 증가시킬 필요가 있다. 이렇게 함으로써 원료분말의 소결성이 향상되고 낮은 소결온도에서도 소결 밀도가 올라가기 쉽게된다.
또한 원료분말로부터 압분 성형체(壓紛成型體)를 얻을 때에 정수압 프레스(CIP)를 사용함으로서 고밀도의 성형체를 얻는 것, 소결중에 성형체의 전면(全面)에 산소 분위기가 원활하게 소통되게끔 성형체의 유지방법을 채용하는 것이 필요하다.
또한 소결체에 있어서 최고온도에서의 유지 시간에는 특히 유의할 필요가 있다. 최고온도에서의 유지시간은 너무 짧은 경우에는 높은 소결 온도가 얻어지지 않고 또한 너무 긴 경우에는 입자의 성장을 조장하기 때문에 적절한 유지시간을 채용하는 것이 필요하다. 바꾸어 말하면 소결 최고온도에서의 유지시간의 하한은 소결 밀도에 의해, 상한은 입자의 크기에 의해 한정된다.
도 3은 앞에서 설명한 방법에 의해 소결성을 향상시킨 원료 분말을 사용하여 제작한 소결체의, 왕수로 엣칭 하는 것에 의해 표출(表出)되는 100㎚이상의 입자의 개수가 0.2개/㎛2 이하이고, 소결 밀도가 7.12g/㎤ 이상으로 되는 소결 조건 및 왕수로 엣칭하는 것에 의해 표출되는 100nm이상의 입자 개수가 0.02개/㎛2 이하이고, 소결 밀도가 7.12g/㎤ 이상로 되는 소결 조건의 범위를 나타내는 것이다.
소결 온도가 1450℃ 미만에서는 밀도가 7.12g/㎤ 이상의 소결체를 얻는 것이 불가능했다. 또한 1550℃를 초과하는 소결 온도에서는 왕수로 엣칭하는 것에 의해 표출하는 100㎚이상의 입자의 개수가 0.2개/㎛²이하인 소결체를 얻는 것이 불가능했다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 소결 온도가 낮으면, 100㎚이상의 입자수가 적은 소결체가 얻어지기 쉽지만, 7.12g/㎤ 이상의 소결 밀도를 얻기 위해서는 소결 시간은 길게되고 생산성은 저하된다. 또한, 소결 온도가 높으면, 높은 밀도의 소결체를 얻기 쉽지만, 100㎚이상의 입자수의 적은 소결체를 얻기 위한 소결 조건은, 좁아지며 불량률이 높게된다. 실제의 생산에 있어서 소결 조건은, 이상을 고려하여 결정하지 아니하면 안된다.
또한 소결 온도가 같아도, 산화 주석조성의 낮은 쪽이 입자가 작게되지만 소결 밀도는 높게되기 어렵다. 더욱이 그 타겟트를 사용하여 제작한 ITO막의 특성이 크게 변화해 버린다.
따라서, 다만 단지 산화주석 조성을 낮게 하면 좋은 것이 아니고, 그 하한이 있어, 8.5wt.%이상, 더욱이 바람직하게는 9.0wt.% 이상인 것이 바람직하다.
또한, 왕수(체적비 HCL : HNO3 : H₂O = 1 : 0.08 : 1)를 사용한 엣칭(25℃ 3분)에서도, 스퍼터링에 의한 엣칭 표면과 동일하고, 엣칭속도가 낮고, 동일한 미세 조직이 표출한다. 따라서, 왕수에 의한 엣칭 표면은, 스퍼터 엣칭에 의한 것과 동등하다. 엣칭면의 평가를 행함에 있어서, 타겟트를 제작하여 스퍼터 엣칭을 행하는 것에 의해, 작은 타부렛트 상(tablet狀)의 시료를 제작하여 왕수 엣칭을 행하는 것으로써 동등한 결과를 얻는 것이 가능하므로, 평가에 요하는 시간을 단축하는 것이 가능하다.
도 4는 소결시의 최고 온도를 1550∼1600℃에서 소결한 ITO타겟트를 왕수에 의해 엣칭한 표면의 SEM상이다. 엣칭 후에 100㎚이상의 미세 입자가 무수히 존재한다. 이러한 미세 입자를 감소시키기는 데는 소결 조건 혹은 산화 주석 조성을 변경할 필요가 있다.
본 발명은, 이상의 점을 감안하여, ITO스퍼터링 타겟트 중에 존재하는 왕수로 엣칭 하였을 때 또는 스퍼터 엣칭 했을 때에 표출하는, 입경 100㎚이상의 입자의 개수를 1개/㎛²이하로 하는 것이다. 이것에 의해, 종래에 비해 아킹의 발생을 현저하게 감소시키는 것이 가능하다.
더욱이, ITO스퍼터링 타겟트 중에, 왕수로 엣칭하였을 때 또는 스퍼터 엣칭하였을 때에 표출하는, 입경 100㎚이상의 입자의 개수를 0.2개/㎛²이하로 하는 것이 바람직하다.
또한 ITO스퍼터링 타겟트중에, 왕수로 엣칭하였을 때 또는 스퍼터 엣칭에 의해 표출하는, 입경 100㎚이상의 입자의 개수를 0.02개/㎛²이하로 하는 것이 바람직하다.
또한, 왕수에서 엣칭하였을 때 또는 스퍼터 엣칭하였을 때 표출하는, 입경이 1㎛이상의 입자가 타겟트 중에 존재하지 않을 것, 바람직하게는 입경 100㎚이상의 입자가 타겟트 중에 존재하지 않을 것, 더욱이 그 평균 입경이 10㎚이상의 입자가 타겟트 중에 존재하지 않는 것이 좋다. 이것에 의해, 아킹의 발생을 극력 방지 할 수 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 소결 온도가 낮으면 100㎚이상의 입자수가 적은 소결체가 얻어지기 쉽지만, 7.12g/㎤ 이상의 소결 밀도를 얻기 위해서는 소결 시간은 길게되고 생산성은 저하된다.
또한, 소결 온도가 높으면, 높은 밀도의 소결체를 쉽게 얻을 수 있지만, 100㎚ 이상의 입자수가 적은 소결체를 얻기 위해서는 소결 조건은 좁게 되고, 불량률이 높게 된다. 제조시에 있어서, 소결 조건은, 이상을 고려하여 결정하여야 한다.
도 5는 소결시의 최고 온도를 1470∼1550℃로 한 ITO타겟트를 스퍼터에 의해 엣칭한 표면의 SEM상이다.
명백하게 저온에서 소결한 ITO는 엣칭속도가 낮은 결정입자 내의 미세 입자조직이 없던지, 혹은 다시 100㎚이하로 극히 미세하게 되어 있고, 표면이 평활하게 되어 있다.
도 3의 소결 조건에 나타내는 바와 같이 이 100㎚정도의 미세 조직은 최고 소결온도가 1550℃ 이상에서는 확인 가능하지만, 최고 소결 온도가 1550℃이하에서는 거의 관찰되어지지 않게 되고, 1470℃이하에서는 전혀 관찰되어지지 않게 되었다.
이와 같이, 엣칭속도가 낮은 결정입 내의 미세 조직이 없던지, 혹은 평균 입경이 100㎚이하의 극히 미세한 입자조직 ITO타겟트를 사용하여 스퍼터를 행하는 것에 의해, 종래에 비하여 아킹의 발생을 효과적으로 억제하는 것이 가능하며, 이 아킹이 원인으로 되어 일어나는 파티클의 발생을 억제하여 ITO막의 품질저하를 효과적으로 억제 가능하다고 하는 장점을 가진다.
[도1] 소결온도가 높은(1,550~1600°C)ITO 타겟트의 스퍼터 표면의 SEM상(5,000배)이다.
[도2] 소결온도가 높은(1,550~1600°C)ITO 타겟트의 스퍼터 엣칭 속도가 늦은 결정 입자내 미세 조직의 SEM상(50,000배)이다.
[도3] 소결밀도가 7.12g/㎤ 이상으로 되는 최소 유지시간 (●), 왕수로서 엣칭하는 것에 의해 표출되는 100㎚이상의 입자의 개수가 0.2개 /㎛2이하로 되는 최대 유지시간(■), 및 입자의 개수가 0.02개/㎛2 이하로 되는 최대유지 시간 (▲)의 소결 온도의존성을 나타내는 도이다.
[도4] 소결 온도가 높은(1,550~1600°C)ITO 타겟트의 결정 입자내 미세 조직의 SEM 상이다(20,000배).
[도5] 소결온도가 낮은(1,470~1500°C)ITO 타겟트의 소결 입자내 미세조직의 SEM상이다(20,000배).
[도6] 실시예 2에서 사용한 소결체의 SEM상이다(20,000배, 50,000배).
[도7] 비교예 1에서 사용한 소결체의 SEM상이다(20,000배, 50,000배).
[도8] 실시예 및 비교예에서 사용한 ITO타겟트의 스퍼터시에 있어서 적산(積算) 아킹수를 나타내는 도이다.
(실시예)
다음에, 본 발명의 실시 예에 대하여 설명한다. 본 실시 예는 어디까지나 일 예이며, 이 예에 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 기술사상의 범위내에서 실시 예 이외의 태양 혹은 변형을 전부 포함하는 것이다.
(실시예1∼3)
산화 인듐 분말 90wt.%와 산화 주석분말 10wt.%를 혼합한 후, 습식 매체교반(媒體攪拌) 밀(mill)에서 비표면적의 증가가 2.5㎡/g 가 되기까지 분쇄한 후, 바인더(binder)를 첨가하여 건조를 행했다. 이 건조 분말을 500kgf/㎠ 의 압력으로 프레스 성형을 행한 후, 다시 2ton/㎠ 의 정수압 프레스(CIP)를 행하고, 650 × 180 × 9㎜ 의 성형체를 얻었다.
이 성형체를 산소 분위기 중, 도 3에 나타내는 소결 조건을 만족하기 위해, 최고온도1470℃∼1500℃에서 소결을 행하고, 얻어진 소결체를 기계 가공하여 ITO 타겟트를 얻었다.
타겟트의 밀도는 7.129, 7.130, 7.132g/㎤ 였다. 왕수 엣칭에 의해 표출하는 입경이 100㎚이상의 입자수는 0.02, 0.19, 및 0.80개/㎛²였다. 도 6에 0.19개/㎛²의 엣칭면의 SEM상을 나타낸다.
다음에, 이들의 소결체 타겟트를 사용하여 유리 기판에 DC 마그네트론(magnetron) 스퍼터에 의해, 다음의 조건로 투명 전극막을 형성했다.
스퍼터 개스 : Ar＋O₂(99:1)
스퍼터 개스 압 : 0.5 Pa
전력량 : 60W
스퍼터 출력 : 0.5W/㎠
이상과 같이하여, 스퍼터 적산 전력160Whr/㎠ 가 되기까지 방전했다. 이 경우의 노줄의 발생량(피복율)을 측정했는데, 노줄에 의한 타겟트 표면의 피복율은 0.12%, 0.11%, 및 0.09%였다. 또한 방전 에너지가 10mJ 이하의 적산(積算) 아킹 회수는 각각 31, 35, 48 이였다. 도 8에 있에서 실선(實線)으로, 본 실시 예의 스퍼터 적산 전력에 동반하는 적산 아킹 회수의 변화를 나타낸다.
(비교예1,2)
실시예1∼3과 동일한 방법으로 얻은 성형체를, 산소 분위기 중에서 도 3에 나타내는 소결 조건에서 벗어나게, 최고온도 1530℃∼1620℃에서 소결을 행하고, 얻어지는 소결체를 기계 가공하여 ITO타겟트를 얻었다.
타겟트의 밀도는 각각 7.132g/㎤, 7.133g/㎤ 였다. 왕수 엣칭에 의해 표출하는 입경이 100㎚이상의 입자수는 각각 1.1개/㎛² 및 1.3개/㎛²이였다. 도 7에 1.1개/㎛²의 엣칭면의 SEM상을 나타낸다.
이 타겟트를 사용하여 실시 예1과 동일한 조건에서, 스퍼터 적산전력이 160Whr/㎠ 가 되기까지, DC마그네트론 스퍼터에 의해 방전시험을 행한 바, 노줄에 의한 타겟트 표면의 피복율은 각각 0.11% 와 0.12% 였다.
또한, 방전 에너지가 10mJ 이하의 적산 아킹 회수는 각각 150 과 213 이였다. 동일하게 도 8중에 비교 예의 스퍼터 적산전력에 동반하는 적산 아킹 회수의 변화를 파선(破線)으로 나타낸다.
도 8에 나타내는 바와 같이 실시 예1∼3의 적산 아킹의 적산 발생 수는 명확하게 비교예 보다도 적으며 우수하다는 것을 알게 되었다.
표1에, 본 발명의 실시 예1∼3 및 비교 예1, 2의 타겟트 밀도, 100㎛이상의 입자수, 스퍼터링시의 노줄 피복율, 아크 수(數)의 일람(一覽)을 나타낸다.
본 발명의 ITO타겟트는 아킹의 발생을 억제하고, 이 아킹이 원인으로 되어 발생하는 ITO막의 결함의 발생을 억제하여, ITO 막의 품질저하를 억제 할 수 있는 현저한 효과가 있다.
Figure 112006012061897-PCT00001

Claims (7)

  1. ITO 스퍼터링 타겟트 중에, 왕수로 엣칭 할 시 또는 스퍼터 엣칭 할 시에 표출하는, 입경 100㎚이상의 입자의 개수가 1개/㎛²이하인 것을 특징으로 하는 ITO스퍼터링 타겟트
  2. ITO 스퍼터링 타겟트 중에, 왕수로 엣칭을 할 시 또는 스퍼터 엣칭 할 시에 표출하는, 입경 100㎚이상의 입자의 개수가 0.2개/㎛²이하인 것을 특징으로 하는 ITO스퍼터링 타겟트
  3. 제1항에 있어서, ITO스퍼터링 타겟트 중에, 왕수로 엣칭 할 시 또는 스퍼터 엣칭 할 시에 표출하는, 입경 100㎚ 이상의 입자의 개수가 0.02개/㎛²이하인 것을 특징으로 하는 ITO스퍼터링 타겟트
  4. 제1항 내지 제3항의 어느 한 항에 있어서, 왕수로 엣칭 할 시 또는 스퍼터 엣칭할 시에 표출하는, 입경이 1㎛ 이상의 입자가 타겟트 중에 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 ITO 스퍼터링 타겟트
  5. 제4항에 있어서, 왕수로 엣칭 할 시 또는 스퍼터 엣칭 할 시에 표출하는, 입경이 100㎚ 이상의 입자가 타겟트 중에 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 ITO 스퍼터링 타겟트
  6. 제5항에 있어서, 왕수로 엣칭 할 시 또는 스퍼터 엣칭 할 시에 표출하는, 입경이 10㎚이상의 입자가 타겟트 중에 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 ITO스퍼터링 타겟트
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 밀도가 7.12g/㎤ 이상인 것을 특징으로 하는 ITO스퍼터링 타겟트
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