JP2001072468A - Ｉｔｏ焼結体の製造方法 - Google Patents
Ｉｔｏ焼結体の製造方法Info
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- JP2001072468A JP2001072468A JP24536799A JP24536799A JP2001072468A JP 2001072468 A JP2001072468 A JP 2001072468A JP 24536799 A JP24536799 A JP 24536799A JP 24536799 A JP24536799 A JP 24536799A JP 2001072468 A JP2001072468 A JP 2001072468A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大型でも焼結密度が高く、従ってスパッタリ
ング原料であるターゲットとして使用した場合にノジュ
ールの発生の少ないＩＴＯ焼結体の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 酸化インジウム及び酸化錫を主成分とす
る原料粉末と分散媒とをスラリー濃度を６０重量％以上
として混合したスラリーをフェノール系樹脂型の鋳込み
型に５ｋｇ・ｆ／ｃｍ2 以上の鋳込み圧力で流し込むこ
とにより成形体を得て、この成形体を焼結してＩＴＯ焼
結体を得る。
ング原料であるターゲットとして使用した場合にノジュ
ールの発生の少ないＩＴＯ焼結体の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 酸化インジウム及び酸化錫を主成分とす
る原料粉末と分散媒とをスラリー濃度を６０重量％以上
として混合したスラリーをフェノール系樹脂型の鋳込み
型に５ｋｇ・ｆ／ｃｍ2 以上の鋳込み圧力で流し込むこ
とにより成形体を得て、この成形体を焼結してＩＴＯ焼
結体を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池や液晶表
示素子などに用いられる低抵抗透明導電膜をスパッタリ
ング法で製造する際に利用されるＩＴＯ焼結体スパッタ
リングターゲットに有用なＩＴＯ焼結体の製造方法に関
し、より詳しくは、大型でも焼結密度が高く、従ってス
パッタリング原料であるターゲットとして使用した場合
にノジュールの発生の少ないＩＴＯ焼結体の製造方法に
関する。
示素子などに用いられる低抵抗透明導電膜をスパッタリ
ング法で製造する際に利用されるＩＴＯ焼結体スパッタ
リングターゲットに有用なＩＴＯ焼結体の製造方法に関
し、より詳しくは、大型でも焼結密度が高く、従ってス
パッタリング原料であるターゲットとして使用した場合
にノジュールの発生の少ないＩＴＯ焼結体の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜は、高い導電性と可視光領域
での高い透過率とを有する。これは、太陽電池や液晶表
示素子、その他各種受光素子の電極などに利用されてい
る他、自動車や建築用の熱線反射膜、帯電防止膜、冷凍
ショーケースなどの各種の防曇用の透明発熱体としても
利用されている。
での高い透過率とを有する。これは、太陽電池や液晶表
示素子、その他各種受光素子の電極などに利用されてい
る他、自動車や建築用の熱線反射膜、帯電防止膜、冷凍
ショーケースなどの各種の防曇用の透明発熱体としても
利用されている。
【０００３】透明導電膜には、ガラス基板上に堆積させ
たアンチモンやフッ素をドーパントとして含む酸化錫
（ＳｎＯ2 ）や、アルミニウムやガリウムをドーパント
として含む酸化亜鉛（ＺｎＯ）や、錫をドーパントとし
て含む酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）などが知られてい
る。特に錫をドーパントとして含む酸化インジウム膜は
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ・ｔｉｎ・ｏｘｉｄｅ）膜と称さ
れ、特に低抵抗の膜が容易に得られることから良く用い
られている。
たアンチモンやフッ素をドーパントとして含む酸化錫
（ＳｎＯ2 ）や、アルミニウムやガリウムをドーパント
として含む酸化亜鉛（ＺｎＯ）や、錫をドーパントとし
て含む酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）などが知られてい
る。特に錫をドーパントとして含む酸化インジウム膜は
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ・ｔｉｎ・ｏｘｉｄｅ）膜と称さ
れ、特に低抵抗の膜が容易に得られることから良く用い
られている。
【０００４】このＩＴＯ透明導電膜の製造方法としては
スパッタリング法が良く用いられている。スパッタリン
グ法は、蒸気圧の低い材料の成膜や精密な膜厚制御を必
要とする際に有効な手法であり、操作が非常に簡便であ
るため、工業的に広範に利用されている。
スパッタリング法が良く用いられている。スパッタリン
グ法は、蒸気圧の低い材料の成膜や精密な膜厚制御を必
要とする際に有効な手法であり、操作が非常に簡便であ
るため、工業的に広範に利用されている。
【０００５】スパッタリング法は、原料にターゲットが
用いられる。この方法では、一般に、約１０Ｐａ以下の
ガス圧のもとで、基板を陽極とし、ターゲットを陰極と
してこれらの間にグロー放電を起こしてアルゴンプラズ
マを発生させる。プラズマ中のアルゴン陽イオンが陰極
のターゲットに衝突することによってはじきとばされる
ターゲット成分の粒子が基板上に堆積して膜を形成す
る。この方法は、アルゴンプラズマの発生方法で分類さ
れ、高周波プラズマを用いるものは高周波スパッタリン
グ法、直流プラズマを用いるものは直流スパッタリング
法という。
用いられる。この方法では、一般に、約１０Ｐａ以下の
ガス圧のもとで、基板を陽極とし、ターゲットを陰極と
してこれらの間にグロー放電を起こしてアルゴンプラズ
マを発生させる。プラズマ中のアルゴン陽イオンが陰極
のターゲットに衝突することによってはじきとばされる
ターゲット成分の粒子が基板上に堆積して膜を形成す
る。この方法は、アルゴンプラズマの発生方法で分類さ
れ、高周波プラズマを用いるものは高周波スパッタリン
グ法、直流プラズマを用いるものは直流スパッタリング
法という。
【０００６】スパッタリング法で形成されるＩＴＯ膜
は、スパッタリングターゲットの特性の影響を大きく受
ける。特にターゲットの密度による影響は大きく、ター
ゲットが高密度であるほど良質の膜を製造することがで
きる。低密度のターゲットをスパッタリングすると、積
算投入電力の増加に伴ってターゲット表面に「ノジュー
ル」と呼ばれる黒色の突起物が増加する。ターゲットが
このような状態になると、スパッタ中にアーキングが発
生したり、成膜速度の低下や比抵抗の増加、光透過特性
の悪化等の問題が生じる。
は、スパッタリングターゲットの特性の影響を大きく受
ける。特にターゲットの密度による影響は大きく、ター
ゲットが高密度であるほど良質の膜を製造することがで
きる。低密度のターゲットをスパッタリングすると、積
算投入電力の増加に伴ってターゲット表面に「ノジュー
ル」と呼ばれる黒色の突起物が増加する。ターゲットが
このような状態になると、スパッタ中にアーキングが発
生したり、成膜速度の低下や比抵抗の増加、光透過特性
の悪化等の問題が生じる。
【０００７】これらを回避するために、ターゲットが完
全に消費される前に早めに交換したり、ターゲット表面
のノジュールを機械的に削って除去する等の対策をとら
なければならない。これが、大量の透明導電膜を安価に
製造するのには対して大きな障害となる。
全に消費される前に早めに交換したり、ターゲット表面
のノジュールを機械的に削って除去する等の対策をとら
なければならない。これが、大量の透明導電膜を安価に
製造するのには対して大きな障害となる。
【０００８】従って、製造されるＩＴＯ膜の特性向上や
膜製造コストの面から、より高密度で均一なターゲット
が要求されている。長時間スパッタリングしてもノジュ
ールが発生しにくいターゲットは、一般に、相対密度が
９８％以上、好ましくは９９％以上であると言われてい
る。
膜製造コストの面から、より高密度で均一なターゲット
が要求されている。長時間スパッタリングしてもノジュ
ールが発生しにくいターゲットは、一般に、相対密度が
９８％以上、好ましくは９９％以上であると言われてい
る。
【０００９】また最近では、スパッタリング装置の大型
化に伴い、大型のターゲットが要求されている。従来の
ＩＴＯ焼結体の製造方法として、ＩＴＯ粉末を金型プレ
ス成形して、得られた成形体を焼成する方法がある。こ
の方法では、大型の焼結体を得ることは難しい。大型に
なると均一なプレス成形が困難になるからである。その
ためこの方法で大型のターゲットを得る場合には、小さ
な焼結体を多数張り合わせて作製している。しかし、張
り合わせて作製したターゲットを用いてスパッタリング
すると、張り合わせ部の微小な段差部分にノジュールが
生じやすく、膜の特性が損なうという問題がある。
化に伴い、大型のターゲットが要求されている。従来の
ＩＴＯ焼結体の製造方法として、ＩＴＯ粉末を金型プレ
ス成形して、得られた成形体を焼成する方法がある。こ
の方法では、大型の焼結体を得ることは難しい。大型に
なると均一なプレス成形が困難になるからである。その
ためこの方法で大型のターゲットを得る場合には、小さ
な焼結体を多数張り合わせて作製している。しかし、張
り合わせて作製したターゲットを用いてスパッタリング
すると、張り合わせ部の微小な段差部分にノジュールが
生じやすく、膜の特性が損なうという問題がある。
【００１０】この問題に対して、特公平６−６５９号公
報に、酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末を含むスラリ
ーを泥漿鋳込み成形し、得られた成形体を焼成すること
により大型の焼結体を製造できることが記載されてい
る。
報に、酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末を含むスラリ
ーを泥漿鋳込み成形し、得られた成形体を焼成すること
により大型の焼結体を製造できることが記載されてい
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
公平６−６５９号公報記載の方法では、得られたＩＴＯ
焼結体の相対密度は６０〜６３％程度であり、非常に低
い。このような焼結体から作製したターゲットは、ノジ
ュールが発生しやすく良質な透明導電膜を安定して製造
することが困難である。
公平６−６５９号公報記載の方法では、得られたＩＴＯ
焼結体の相対密度は６０〜６３％程度であり、非常に低
い。このような焼結体から作製したターゲットは、ノジ
ュールが発生しやすく良質な透明導電膜を安定して製造
することが困難である。
【００１２】さらに、上記特公平６−６５９号公報記載
の方法に使用されている石膏型では、石膏型の材料から
出てくるＣａ2+やＳＯ4 2- によって焼結体が汚染する。
これにより、焼結体の機械的強度、耐磨耗性、耐水性、
耐熱性が悪くなり、耐使用回数が減る。また、樹脂型と
比較して、割れ、欠けのおそれなどから取り扱い性も劣
る。 そこで本発明は、上記従来の問題点を解決し、泥
漿鋳込み成形法により、相対密度９８％以上の高密度を
有する大型のＩＴＯ焼結体を製造する方法を提供するこ
とを目的とする。
の方法に使用されている石膏型では、石膏型の材料から
出てくるＣａ2+やＳＯ4 2- によって焼結体が汚染する。
これにより、焼結体の機械的強度、耐磨耗性、耐水性、
耐熱性が悪くなり、耐使用回数が減る。また、樹脂型と
比較して、割れ、欠けのおそれなどから取り扱い性も劣
る。 そこで本発明は、上記従来の問題点を解決し、泥
漿鋳込み成形法により、相対密度９８％以上の高密度を
有する大型のＩＴＯ焼結体を製造する方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
の本発明のＩＴＯ焼結体の製造方法は、酸化インジウム
及び酸化錫を主成分とする原料粉末と分散媒とを混合し
たスラリーを、鋳込み型に流し込む泥漿鋳込み成形法に
より成形体を得て、この成形体を焼結してＩＴＯ焼結体
を得るＩＴＯ焼結体の製造方法において、前記鋳込み型
としてフェノール系樹脂型を用い、前記スラリーの濃度
を６０重量％以上とし、前記スラリーの鋳込み圧力を５
ｋｇ・ｆ／ｃｍ2 以上とする。分散媒は、水、または水
に分散剤、バインダー、さらに必要に応じて潤滑剤、増
粘剤、ｐＨ調整剤、保温剤を添加したものである。
の本発明のＩＴＯ焼結体の製造方法は、酸化インジウム
及び酸化錫を主成分とする原料粉末と分散媒とを混合し
たスラリーを、鋳込み型に流し込む泥漿鋳込み成形法に
より成形体を得て、この成形体を焼結してＩＴＯ焼結体
を得るＩＴＯ焼結体の製造方法において、前記鋳込み型
としてフェノール系樹脂型を用い、前記スラリーの濃度
を６０重量％以上とし、前記スラリーの鋳込み圧力を５
ｋｇ・ｆ／ｃｍ2 以上とする。分散媒は、水、または水
に分散剤、バインダー、さらに必要に応じて潤滑剤、増
粘剤、ｐＨ調整剤、保温剤を添加したものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明のＩＴＯ焼結体製造方法に
適用されるシステムを図１に示す。該システムは、配管
で接続されたスラリー圧送タンク２０と、上型１２およ
び下型１４からなる鋳込み型１０から主としてなる。ス
ラリー圧送タンク２０にはコンプレッサーまたはガスボ
ンベ１６、圧力計１８、リーク弁２２が接続されてい
る。また、鋳込型１０にはコンプレッサーまたはガスボ
ンベ２４および、真空ポンプ２６が選択的に接続されて
いる。前記配管は、鋳込み型１０内の空洞２４に連通し
ている。
適用されるシステムを図１に示す。該システムは、配管
で接続されたスラリー圧送タンク２０と、上型１２およ
び下型１４からなる鋳込み型１０から主としてなる。ス
ラリー圧送タンク２０にはコンプレッサーまたはガスボ
ンベ１６、圧力計１８、リーク弁２２が接続されてい
る。また、鋳込型１０にはコンプレッサーまたはガスボ
ンベ２４および、真空ポンプ２６が選択的に接続されて
いる。前記配管は、鋳込み型１０内の空洞２４に連通し
ている。
【００１５】本システムにおいて、成形体を離型すると
きに鋳込み型１０の上型１２と下型１４の一方の離型面
にはコンプレッサーまたはボンベ２８で圧縮空気を送
り、反対側の離型面は真空ポンプ２６で吸引する。順序
としては、例えば、上型を吸引、下型にガスを流し、上
型にガスを流し成型体を離型する。
きに鋳込み型１０の上型１２と下型１４の一方の離型面
にはコンプレッサーまたはボンベ２８で圧縮空気を送
り、反対側の離型面は真空ポンプ２６で吸引する。順序
としては、例えば、上型を吸引、下型にガスを流し、上
型にガスを流し成型体を離型する。
【００１６】フェノール樹脂型は、成形面層と下面層と
からなる２層構造の多孔質型で、成形面層に１０μｍ以
下の微細な細孔を有し、下面層に５０〜２００μｍの粗
孔を有する。成形面層はその微細孔により成形体の原料
粒子が型内に侵入することを防ぐ。下面層は粗孔粒径か
ら通気性、吸収性、型強度を有する。下面層の通気性に
より離型時に型内にガスを流し、成形体の離型する。フ
ェノール樹脂型は、石膏と比較し、同様な吸水性を有
し、Ｃａ2+やＳＯ4 2- による汚染がなく、機械的強度、
耐摩耗性、耐水性、耐熱性に優れている。このため、耐
使用回数や取り扱い性に優れ、鋳込み圧力を高めること
ができる。
からなる２層構造の多孔質型で、成形面層に１０μｍ以
下の微細な細孔を有し、下面層に５０〜２００μｍの粗
孔を有する。成形面層はその微細孔により成形体の原料
粒子が型内に侵入することを防ぐ。下面層は粗孔粒径か
ら通気性、吸収性、型強度を有する。下面層の通気性に
より離型時に型内にガスを流し、成形体の離型する。フ
ェノール樹脂型は、石膏と比較し、同様な吸水性を有
し、Ｃａ2+やＳＯ4 2- による汚染がなく、機械的強度、
耐摩耗性、耐水性、耐熱性に優れている。このため、耐
使用回数や取り扱い性に優れ、鋳込み圧力を高めること
ができる。
【００１７】本明細書において、スラリー濃度は酸化イ
ンジウムと酸化錫を主成分とする原料粉末と分散媒との
合計重量に対する原料粉末の重量百分率をいう。
ンジウムと酸化錫を主成分とする原料粉末と分散媒との
合計重量に対する原料粉末の重量百分率をいう。
【００１８】スラリー濃度が６０％未満の場合、着肉時
の排出水分量が多くなり、実際の成型時には着肉不良を
生じ、成形体密度の低下により焼結密度が低くなる。ま
た成形体の密度分布によって乾燥収縮差から割れが生
じ、また焼結割れが生じる。従って、スラリー濃度は６
０％以上が必要であり、より好ましい濃度範囲は、６５
％以上８０％未満である。
の排出水分量が多くなり、実際の成型時には着肉不良を
生じ、成形体密度の低下により焼結密度が低くなる。ま
た成形体の密度分布によって乾燥収縮差から割れが生
じ、また焼結割れが生じる。従って、スラリー濃度は６
０％以上が必要であり、より好ましい濃度範囲は、６５
％以上８０％未満である。
【００１９】圧送タンク２０によるスラリーの鋳込み圧
力が５ｋｇ・ｆ／ｃｍ2 未満では着肉不足が起こり、成
形体密度が低くなる。鋳込み圧力を上げれば着肉不足は
無くなり、また着肉時間は短くなる。圧力の上限は生産
性と装置コストを考慮すると３０ｋｇ・ｆ／ｃｍ2 が好
ましい。上記のようにスラリー圧送タンク２０に圧力を
加えてフェノール型樹脂の鋳込み型１０内へスラリーを
送ると、水分が多孔質の鋳込み型１０内に吸収されつつ
成形体が得られる。
力が５ｋｇ・ｆ／ｃｍ2 未満では着肉不足が起こり、成
形体密度が低くなる。鋳込み圧力を上げれば着肉不足は
無くなり、また着肉時間は短くなる。圧力の上限は生産
性と装置コストを考慮すると３０ｋｇ・ｆ／ｃｍ2 が好
ましい。上記のようにスラリー圧送タンク２０に圧力を
加えてフェノール型樹脂の鋳込み型１０内へスラリーを
送ると、水分が多孔質の鋳込み型１０内に吸収されつつ
成形体が得られる。
【００２０】
【実施例】［実施例１］酸化インジウム粉末９０００
ｇ、酸化錫粉末１０００ｇ、ポリカルボン酸系分散剤
（固形分４０重量％）１２５ｇ、アクリルエマルジョン
系バインダー（固形分４０重量％）１２５ｇ、純水（ｐ
Ｈ６．５）３０８０ｃｃを樹脂製ポット中に加えた。ジ
ルコニアボールを用いてボールミルで４８時間混ぜ、ス
ラリー濃度約７５．０重量％のスラリーを得た。このス
ラリーを真空脱泡後、内寸法３６５×１９０×１０ｍｍ
のフェノール系樹脂型（ニッコー（株）製セラプラス
ト）に注入し、圧力５ｋｇ／ｃｍ2 で鋳込み成形した。
得られた成形体を１５００℃で焼結した。この焼結体の
表面、裏面を０．５ｍｍ平面研削し、焼結密度測定用の
試料を作製した。測定結果を表１に示す。
ｇ、酸化錫粉末１０００ｇ、ポリカルボン酸系分散剤
（固形分４０重量％）１２５ｇ、アクリルエマルジョン
系バインダー（固形分４０重量％）１２５ｇ、純水（ｐ
Ｈ６．５）３０８０ｃｃを樹脂製ポット中に加えた。ジ
ルコニアボールを用いてボールミルで４８時間混ぜ、ス
ラリー濃度約７５．０重量％のスラリーを得た。このス
ラリーを真空脱泡後、内寸法３６５×１９０×１０ｍｍ
のフェノール系樹脂型（ニッコー（株）製セラプラス
ト）に注入し、圧力５ｋｇ／ｃｍ2 で鋳込み成形した。
得られた成形体を１５００℃で焼結した。この焼結体の
表面、裏面を０．５ｍｍ平面研削し、焼結密度測定用の
試料を作製した。測定結果を表１に示す。
【００２１】［実施例２］純水（ｐＨ６．５）の量を４
２５０ｃｃとした他は実施例１と同様にして、スラリー
濃度約７０．０重量％スラリーを得た。このスラリーを
実施例１と同様に鋳込み成形し、実施例１と同様に焼結
した。実施例１と同様に焼結密度を測定した結果を表１
に示す。
２５０ｃｃとした他は実施例１と同様にして、スラリー
濃度約７０．０重量％スラリーを得た。このスラリーを
実施例１と同様に鋳込み成形し、実施例１と同様に焼結
した。実施例１と同様に焼結密度を測定した結果を表１
に示す。
【００２２】［実施例３］純水（ｐＨ６．５）の量を５
１３０ｃｃとした他は実施例１と同様にして、スラリー
濃度約６５．０重量％スラリーを得た。このスラリーを
実施例１と同様に鋳込み成形し、実施例１と同様に焼結
した。実施例１と同様に焼結密度を測定した結果を表１
に示す。
１３０ｃｃとした他は実施例１と同様にして、スラリー
濃度約６５．０重量％スラリーを得た。このスラリーを
実施例１と同様に鋳込み成形し、実施例１と同様に焼結
した。実施例１と同様に焼結密度を測定した結果を表１
に示す。
【００２３】［実施例４］純水（ｐＨ６．５）の量を６
４００ｃｃとした他は実施例１と同様にして、スラリー
濃度約６０．０重量％スラリーを得た。このスラリー
を、圧力１０ｋｇ・ｆ／ｃｍ2 とした他は実施例１と同
様に鋳込み成形し、実施例１と同様に焼結した。実施例
１と同様に焼結密度を測定結果を表１に示す。
４００ｃｃとした他は実施例１と同様にして、スラリー
濃度約６０．０重量％スラリーを得た。このスラリー
を、圧力１０ｋｇ・ｆ／ｃｍ2 とした他は実施例１と同
様に鋳込み成形し、実施例１と同様に焼結した。実施例
１と同様に焼結密度を測定結果を表１に示す。
【００２４】［比較例１］（鋳込み圧力の低い例） 純水（ｐＨ６．５）の量を５１３０ｃｃとした他は実施
例１と同様にして、スラリー濃度約６５．０重量％スラ
リーを得た。このスラリーを、圧力２ｋｇ・ｆ／ｃｍ2
とした他は実施例１と同様に鋳込み成形し、実施例１と
同様に焼結した。実施例１と同様に焼結密度を測定した
結果を表１に示す。
例１と同様にして、スラリー濃度約６５．０重量％スラ
リーを得た。このスラリーを、圧力２ｋｇ・ｆ／ｃｍ2
とした他は実施例１と同様に鋳込み成形し、実施例１と
同様に焼結した。実施例１と同様に焼結密度を測定した
結果を表１に示す。
【００２５】［比較例２］（スラリー濃度の低い例） 純水（ｐＨ６．５）の量を９７５０ｃｃとした他は実施
例１と同様にして、スラリー濃度約５０．０重量％スラ
リーを得た。このスラリーを実施例１と同様に鋳込み成
形し、実施例１と同様に焼結した。実施例１と同様に焼
結密度を測定した結果を表１に示す。
例１と同様にして、スラリー濃度約５０．０重量％スラ
リーを得た。このスラリーを実施例１と同様に鋳込み成
形し、実施例１と同様に焼結した。実施例１と同様に焼
結密度を測定した結果を表１に示す。
【００２６】 表１ スラリー濃度（重量％） 鋳込み圧力 焼結密度 （ｋｇ・ｆ／ｃｍ2 ） （％） 実施例１ ７５．０ ５ ９９．５ 実施例２ ６９．０ ５ ９９．３ 実施例３ ６５．０ ５ ９９．２ 実施例４ ６０．０ １０ ９９．０ 比較例１ ６５．０ ２ ８０．２ 比較例２ ５０．０ ５ ８１．２ 表１に示されるように、実施例１〜４においては、焼結
密度９９％以上のＩＴＯターゲットが得られた。
密度９９％以上のＩＴＯターゲットが得られた。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ので、相対密度９８％以上の高密度を有する大型のＩＴ
Ｏ焼結体が製造することができる。
ので、相対密度９８％以上の高密度を有する大型のＩＴ
Ｏ焼結体が製造することができる。
【図１】 本発明のＩＴＯ焼結体製造方法に適用される
システムの概念図である。
システムの概念図である。
【符号の説明】 １０ 鋳込み型 １２ 上型 １４ 下型 １６ コンプレッサーまたガスボンベ １８ 圧力計 ２０ スラリー圧力タンク ２２ リーク弁 ２４ 鋳込み空洞 ２６ 真空ポンプ ２８ コンプレッサーまたはガスボンベ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 能之 千葉県市川市中国分３−18−５ 住友金属 鉱山株式会社中央研究所内 (72)発明者 高塚 裕二 千葉県市川市中国分３−18−５ 住友金属 鉱山株式会社中央研究所内 Ｆターム(参考） 4G030 AA34 AA39 BA02 BA15 GA17 GA18 GA19 PA12 4K029 AA09 AA24 BA45 BA47 BC08 BC09 CA05
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化インジウム及び酸化錫を主成分とす
る原料粉末と分散媒とを混合したスラリーを鋳込み型に
流し込むことにより成形体を得て、この成形体を焼結し
てＩＴＯ焼結体を得るＩＴＯ焼結体の製造方法におい
て、上記鋳込み型としてフェノール系樹脂型を用い、前
記スラリーの濃度を６０重量％以上とし、前記スラリー
の鋳込み圧力を５ｋｇ・ｆ／ｃｍ2 以上とすることを特
徴とするＩＴＯ焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24536799A JP2001072468A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24536799A JP2001072468A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001072468A true JP2001072468A (ja) | 2001-03-21 |
Family
ID=17132621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24536799A Pending JP2001072468A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001072468A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002072912A1 (fr) * | 2001-03-12 | 2002-09-19 | Nikko Materials Company, Limited | Poudre d'oxyde d'etain destinee a une cible de pulverisation ito, procede de fabrication de cette poudre, cible de pulverisation de corps fritte destinee a la production d'une couche ito, et procede de fabrication de cette cible |
| CN112723863A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-04-30 | 韶关市欧莱高纯材料技术有限公司 | 一种高世代tft级细晶粒ito靶材的制造方法 |
-
1999
- 1999-08-31 JP JP24536799A patent/JP2001072468A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002072912A1 (fr) * | 2001-03-12 | 2002-09-19 | Nikko Materials Company, Limited | Poudre d'oxyde d'etain destinee a une cible de pulverisation ito, procede de fabrication de cette poudre, cible de pulverisation de corps fritte destinee a la production d'une couche ito, et procede de fabrication de cette cible |
| CN112723863A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-04-30 | 韶关市欧莱高纯材料技术有限公司 | 一种高世代tft级细晶粒ito靶材的制造方法 |
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