KR20060010366A - 레지스트 수계 박리액 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 칼라필터 기판 또는 TFT 기판과 같이 레지스트가 사용된 기판으로부터 레지스트를 박리할 수 있는 레지스트 수계 박리액 조성물에 관한 것으로서, 조성물 총 중량을 기준으로 무기 알칼리성 화합물 0.3 ~ 15중량%; 테트라알킬암모늄히드록시드 화합물 0.1 ~ 12중량%; 수용성 유기용매 0.1 ~ 40 중량%; 및 물 33 내지 99.5중량%;를 함유하는 수용액으로 이루어진다. 본 발명에 따른 레지스트 수계 박리액 조성물은 종래의 방법으로는 제거하기가 곤란했던 에폭시계, 에폭시 아크릴레이트계, 아크릴레이트계 UV 오버코트와 Thermal 오버코트, 포토스페이서 레지스트, 칼라필터 레지스트, 블랙매트릭스 수지, IPA와 MVA에 사용되는 레지스트 등 TFT-LCD 제조공정 중에 발생하는 각종 레지스트들을 단시간 내에 용이하게 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 박리공정 중의 하부 금속막과 유리기판의 부식을 최소화할 수 있고, 증발에 의한 박리액의 손실 및 박리액의 경시변화가 적어 박리액의 교체주기를 최대화할 수 있으며, 대량 작업이 가능하여 칼라기판과 TFT 기판 재생에 유용하게 사용될 수 있다.
레지스트*박리액*무기 알칼리성 화합물*수용성 유기용매*기판재생
Description
본 발명은 경화된 레지스트를 제거할 수 있는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 칼라필터 기판 또는 TFT 기판과 같이 레지스트가 사용된 기판으로부터 레지스트를 박리하여 기판을 재생하는데 사용할 수 있는 레지스트 수계 박리액 조성물에 관한 것이다.
일반적으로 칼라 액정표시소자는 블랙 매트릭스 수지와 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 픽셀을 형성한 칼라필터를 유리 등의 투명 기판 상에 형성하고, 그 위에 ITO와 같은 투명 도전막을 스퍼터링 법에 의해 전극으로 형성한 다음, 이 위에 배향막을 다시 형성하고 액정을 주입하는 방법으로 제조된다.
레지스트는 칼라 액정표시소자의 오버코트, 포토스페이서, 칼라필터, 블랙매트릭스 등의 패턴 형성에 다양하게 사용되는데, 레지스트는 빛 또는 열에 의해 일단 경화되면 패턴이 잘못 형성된 부분만을 제거하는 것이 불가능하다. 특히, 에폭시계, 에폭시 아크릴레이트계, 아크릴레이트계 UV 오버코트와 Thermal 오버코트, 포토스페이서 레지스트, 칼라필터 레지스트, 블랙매트릭스 수지, IPA와 MVA에 사용되는 레지스트 등 각종 레지스트를 제거하는데 많은 어려움이 있어 왔다. 이와 같 이 기판 상에 경화된 레지스트를 효율적이면서도 대량으로 제거할 수 있는 용제가 없었기 때문에, 패턴이 잘못 형성된 불량 칼라필터 기판이나 TFT 기판은 수리나 재생 등의 재작업을 거치지 않고 그대로 폐기처리 되고 있다는 문제점이 있어왔다.
이러한 문제점을 해결하고자 다양한 노력이 전개되어 왔다. 미국특허 제5059500호에서는 플라즈마를 이용하여 경화된 칼라레지스트의 일부를 제거하는데, 10mmtorr이하의 진공과 50W의 에너지 조건이어야만 경화된 칼라필터가 제거된다. 이러한 플라즈마를 이용한 방법은 고진공, 고전력, 인체에 매우 유해한 가스의 사용 및 장비의 고가 등과 같은 문제점이 있다.
미국특허 제5756239호에서는 소규모의 일부 경화된 칼라레지스트는 제거할 수 있으나 대면적의 유리기판에 적용하기에는 적합하지 않다.
미국특허 제5091103호, 제5308745호, 제5102777호, 제5597678호 등에는 N-메칠피롤리돈, 알킬렌글리콜에테르, 1,3-디메칠-2-이미다졸리디논 등이 함유된 레지스트 박리액을 개시하고 있다. 그러나, 이러한 박리액은 레지스트를 이루는 고분자 물질에 대한 용해능력이 충분치 못하며, 박리공정 중에 가해지는 열에 의한 증발 손실량이 많고 경시변화가 일어나 박리액의 사용주기가 짧으며, 특히 칼라필터 레지스트를 제거하는 데는 부적합하다.
대한민국 공개특허 제2003-2664호에는 (a)무기알카리 하이드록 사이드, 아킬암모늄하이드록사이드, 아킬아릴암모늄하이드록사이드로 이루어지는 군, (b) 알킬렌글리콜에테르, (c) 수용성아민화합물, (d) 물을 포함하는 칼라필터용 수계 박리액 조성물이 개시되어 있다. 그러나, 이러한 박리액은 thermal 오버코트에 대한 경 우 박리속도가 느려 현장공정 시간이 증가될 수 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 종래의 방법으로는 제거하기가 곤란했던 에폭시계, 에폭시 아크릴레이트계, 아크릴레이트계 UV 오버코트와 Thermal 오버코트, 포토스페이서 레지스트, 칼라필터 레지스트, 블랙매트릭스 수지, IPA와 MVA에 사용되는 레지스트 등 TFT-LCD 제조공정 중에 발생하는 각종 레지스트들 각종 레지스트들을 단시간 내에 용이하게 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 박리공정 중의 하부 금속막과 유리기판의 부식을 최소화할 수 있고, 증발에 의한 박리액의 손실 및 박리액의 경시변화가 적어 박리액의 교체주기를 최대화할 수 있으며, 대량 작업이 가능하여 칼라기판이나 TFT 기판을 재생하는데 유용한 레지스트 수계 박리액 조성물을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 따른 레지스트 수계 박리액 조성물은 조성물 총 중량을 기준으로 무기 알칼리성 화합물 0.3 ~ 15중량%; 테트라알킬암모늄히드록시드 화합물 0.1 ~ 12중량%; 수용성 유기용매 0.1 ~ 40중량%; 및 물 33 내지 99.5중량%;를 포함하는 수용액으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 레지스트 수계 박리액 조성물은 무기 알칼리성 화합물을 포함한다. 무기 알칼리성 화합물은 레지스트 조성물을 이루는 바인더 성분이나 경화 된 다관능성 모노머의 결합력을 약화시켜 유리표면으로부터 레지스트를 용이하게 제거하는 기능을 한다. 이러한 무기 알카리성 화합물로는 전술한 작용을 하는 것이면 특별한 제한은 없으며, 예를 들면 탄산나트륨, 탄산칼륨, 규산나트륨, 규산칼륨, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등이 사용될 수 있다. 그 중에서 수산화나트륨이나 수산화칼륨을 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명에서 상기 무기 알칼리성 화합물의 함량은 본 발명의 박리액 조성물 총 중량을 기준으로 0.3 내지 15중량% 정도이다. 그 함량이 0.3 중량% 미만이면 박리 효과가 미미하고, 15중량% 초과하면 박리공정시 수분이나 유기용매가 증발함에 따라 유기염과 무기 알칼리성 화합물이 고형분으로 석출되는 문제점이 있으며, 유리기판에 심한 손상을 줄 수도 있기 때문이다. 바람직하게는 상기 무기 알칼리성 화합물의 함량은 1 ~ 7중량% 정도이다.
본 발명의 레지스트 수계 박리액 조성물에 함유되는 테트라알킬암모늄히드록시드 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
상기 화학식 1에서, R1 내지 R4는 서로 독립적으로 치환된 알킬기 또는 비치환된 알킬기이다. 비치환 알킬기로는 탄소수가 1 ~ 4인 알킬기로서 메틸기, 에틸기, n-프로필, n-부틸기 등을 예시할 수 있다. 또한, 치환된 알킬기로서는 탄소수가 1 ~ 4인 알킬기의 수소 원자가 수산기, 알콕시기 또는 히드록시알킬기로 치환된 알킬기인 것이 바람직한데, 2-히드록시 에틸기, 3-히드록시 프로필기, 4-히드록시 부틸기, 2-메톡시에틸기, 2-(2-히드록시에톡시)에틸기 등을 예시할 수 있다. 이와 같은 테트라알킬암모늄히드록시드 화합물로는 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라 n-프로필암모늄히드록시드, 테트라 n-부틸암모늄히드록시드, 테트라(2-히드록시에틸)암모늄히드록시드, 트리메틸(2-히드록시에틸)암모늄히드록시드, 트리메틸{2-(2-히드록시에톡시)에틸}암모늄히드록시드, 디메틸디에틸암모늄히드록시드 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
테트라알킬암모늄히드록시드 화합물은 칼라필터 기판의 R, G, B의 칼라 레지스트를 제거하는데 큰 영향을 주는 성분으로서, 그 함량은 본 발명의 레지스트 수계 박리액 조성물 총 중량을 기준으로 0.1 ~ 12중량% 정도이고, 바람직하게는 0.1 ~ 8중량%이다. 상기 함량이 0.1중량% 미만인 경우에는 레지스트 제거효과가 미미하며, 12중량% 초과인 경우에는 레지스트의 제거는 용이하지만 유리기판의 부식을 초래할 수 있다.
본 발명의 레지스트 수계 박리액 조성물은 수용성 유기용매를 함유한다. 수용성 유기용매는 레지스트 성분 가운데 경화된 성분을 효과적으로 스웰링(swelling) 시켜 박리가 효과적으로 수행될 수 있도록 하는데, 특히 Thermal 오버코트의 제거에 큰 효과를 나타낸다.
상기 수용성 유기용매로는 디메틸술폭시드; N-메틸-2-피롤리디논, N-에틸-2-피롤리디논, N-프로필-2-피롤리디논, N-히드록시메틸-2-피롤리디논, N-히드록시에틸-2-피롤리디논, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드 등과 같은 아미드류; 디메틸술폰, 디에틸술폰, 비스(2-히드록시에틸)술폰, 테트라메틸렌술폰 등과 같은 술폰류; 메틸알콜, 에틸알콜, 프로필알콜, 부틸알콜, 펜틸알콜, 헥실알콜, 이소프로필알콜, 이소부틸알콜 등의 알콜류 등과 이들의 유도체를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 된다.
이러한 수용성 유기용매는 수계 박리액 조성물 총 중량을 기준으로 0.1 ~ 40중량%의 범위로 함유되며, 바람직한 함량은 1 ~ 30중량%이다. 수용성 유기용매의 함량이 0.1중량% 미만인 경우에는 레지스트에 대한 스웰링 효과가 미흡하여 박리성능이 미흡하고, 40중량%을 초과하는 경우는 레지스트에 대한 스웰링 효과는 좋아지지만 안정성이 감소하여 사용시간에 따라 박리특성이 미흡해지는 단점이 있다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 물을 매질로 사용하고 있는데, 물은 환경오염을 방지하고 인화성에 대한 안전성과 박리성을 높인다. 본 발명의 레지스트 수계 박리액 조성물에 사용되는 물은 이온교환수, 증류수 등의 정제처리된 순수나 초순수를 이용하는 것이 바람직하며, 물의 함유량은 본 발명의 조성물의 총 중량을 기준으로 33 내지 99.5중량% 정도이다.
한편, 본 발명에 따른 레지스트 수계 박리액 조성물의 박리 특성을 더욱 향상시키기 위하여 아민화합물이나 알킬렌 글리콜계 유기용매를 더 첨가할 수 있다. 아민 화합물은 Ti와 Al에 대한 부식성을 고려할 때, 25℃의 수용액에 있어서 산해리 상수가 7.5 ~ 13.5인 것이 바람직하다. 이와 같은 아민화합물로는 히드록실아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, N,N-디메틸에틸아민, N,N-디에틸에탄올아민, N,N-디부틸에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-부틸에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, 모노이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민 등의 알칸올 아민류; 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라아민, 프로필렌디아민, N,N-디에틸에틸렌디아민, N,N'-디에틸에틸렌디아민, 1,4-부탄디아민, N-에틸-에틸렌디아민, 1,2-프로판디아민, 1,3-프로판디아민, 1,6-헥산디아미드의 폴리알킬렌폴리아민류; 2-에틸-헥실아민, 디옥틸아민, 트리부틸아민, 트리프로필아민, 헵틸아민, 시클로헥실 아민 등의 지방족 아민류; 벤질아민, 디페닐아민 등의 방향족 아민류; 피페라딘, N-메틸-피페라딘, 메틸-피페라딘, 히드록실에틸피페라딘 등의 환상 아민류 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히 모노에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라아민, 시클로헥실아민, 피페라딘 등을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 아민화합물은 박리성과 안정성을 고려하여 조성물 총 중량을 기준으로 1 ~ 30중량% 정도 함유될 수 있다.
또한 상기 알킬렌 글리콜계 유기용매는, 예를들면 메틸카비톨, 에틸카비톨, 부틸 카비톨 등의 카비톨류의 유기용매, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에 틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르 등의 다가 알코올류 등의 글리콜 유기용매와 이들의 유도체를 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 알킬렌 글리콜계 유기용매는 박리성 및 물과의 상용성을 고려하여 조성물 총 중량을 기준으로 1 ~ 45중량% 정도 포함될 수 있다.
또한 더욱 효과적으로 레지스트 성분을 제거하기 위하여 계면활성제를 첨가하여 사용할 수 있는데, 계면활성제는 레지스트 도막과 유리기판 사이의 상호작용을 약하게 하고 표면에너지를 감소시켜 알칼리성 화합물과 유기용매가 효과적으로 레지스트 도막에 침투하여 우수한 박리특성을 나타내도록 한다. 또한 상기 계면활성제는 유리 기판으로부터 떨어져 나온 레지스트 성분이 유리 표면에 재부착 되는 것을 방지해줄 뿐만 아니라, 장시간 사용함에 따라 산화되어 박리액의 색이 변화되는 것을 방지해 주는 효과가 있다. 이러한 계면활성제로는 레지스트 박리액에 사용될 수 있는 것이면 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를들면, 알킬벤젠 술포네이트, 알킬설페이트, 폴리옥시알킬에테르설페이트, 알칸술포네이트, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르 메틸카르복실레이트, 알킬포스페이트, 알킬설포숙시네이트, 올레핀설포네이트, 아실아미도알킬 설페이트, 아실사코시네이트, 소디움 나프탈렌 술포네이트 포르말린 컨덴세이트 등과 같은 술폭시드계 또는 카르복시계 음이온 계면활성제, 에틸렌 옥시드 부가물이 5 ~ 20인 비이온 계면활성제 등을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 계면활성제의 함량은 계면활성제 첨가에 따른 효과 및 박리액 처리 후의 세정성을 고려할 때 조성물 총 중량을 기준으 로 0.05 ~ 10중량% 정도인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 레지스트 수계 박리액 조성물은 박리특성이 우수하고 하부 기판을 거의 부식시키지 않으며 증발이나 경시변화가 적다. 또한, 전술한 바와 같이 물을 매질로 하고 있는 수계 조성물이기 때문에, 환경오염의 위험이 적고 작업시 안전하여 대량 작업이 가능하다. 따라서 종래에는 칼라기판이나 TFT 기판에 패턴이 잘못 형성되면 폐기처리될 수 밖에 없었으나, 본 발명에 따른 레지스트 수계 박리액 조성물에 의하면 대면적의 칼라필터 기판이나 TFT 기판 등에 존재하는 각종 레지스트들을 효율적으로 제거할 수 있으므로 칼라필터 기판이나 TFT 기판 등을 재생하여 사용할 수 있다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예 및 비교예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다.
실시예 1 내지 16
교반기가 설치되어 있는 혼합조에 하기 표 1에 기재된 성분과 함량에 따라 무기 알칼리성 화합물, 물, 테트라알킬암모늄히드록시드 화합물, 수용성 유기용매를 순차적으로 첨가하고, 상온에서 0.5 ~ 3시간동안 200 ~ 600rpm의 속도로 교반하여 수계 박리액 조성물을 제조하였다.
비교예 1 내지 3
하기 표 2에 기재된 성분과 함량에 따라 상기 실시예와 같은 방법으로 레지스트 수계 박리액을 제조하였다.
| 구분 | 박리액의 조성 (중량%) | |||
| KOH | TMAH | NMP | DI | |
| 비교예1 | - | 15 | 30 | 55 |
| 비교예2 | 20 | - | 30 | 50 |
| 비교예3 | 20 | 15 | - | 75 |
상기 표 1과 2에 있어서, KOH는 포타슘히드록시드, TMAH는 테트라메틸암모늄히드록시드, TEAH는 테트라에틸아모늄히드록시드, TPAH는 테트라프로필암모늄히드록시드, NMP는 N-메틸피롤리돈, DMSO는 디메틸술폭시드, BzOH는 벤질 알콜, BDG는 부틸디글리콜, EC는 에틸카비톨, HDA는 하이드록실 아민, MEA는 모노에탄올아민, DMAC는 N,N-디메틸아세트아미드, DI는 초순수, K-290는 (주)한농화성에서 구입한 음이온 계면활성제이고, OP-10는 (주)한농에서 구입한 비이온 계면활성제이다.
이상과 같이 제조된 각각의 실시예 및 비교예에 따른 레지스트 수계 박리액의 박리성, 부식성, 증발성을 다음과 같이 측정하였다.
<박리성 평가>
A는 블랙매트릭스 수지, 칼라필터 포토레지스트, UV 오버코트와 포토스페이서 레지스트로 구성되어 있고, B는 상기 A와 다른 성분은 동일하고 UV 오버코트 대신에 Thermal 오버코트가 적층되어 있는 것으로서, 이에 대해 각각 박리성을 평가하였다. 상기 실시예 및 비교예에 의해서 제조된 박리액의 온도를 55℃로 유지한 후 초음파세정 방법으로 10분, 15분, 20분 경과함에 따라서 시편이 박리되는 정도를 조사하여 아래의 평가 기준에 의해 평가하였다.
◎ : 15분이내에 제거 완료.
○ : 15분 이상 20분 이내에 제거 완료.
× : 20분 이상 경과 후 에도 제거되지 않음.
<부식성 평가>
박리성 평가에서 사용된 시편을 가지고 조성물의 부식 테스트를 조사하였다. 실시예 및 비교예에 의해서 제조된 박리액의 온도를 55℃로 유지하고 Cr 블랙매트릭스가 처리되어 있는 유기기판을 25분 동안 침지시킨 후 꺼내어 DI로 세정하였다. 상기와 같이 처리된 Cr 블랙매트릭스를 에쳔트로 Cr 블랙매트릭스를 제거한 후 전자주사현미경으로 박리액에 의하여 유리표면이 손상을 입은 부분과 Cr 블랙매트릭스 부분이 남아있던 부분과의 편차를 측정하여 부식정도를 판단하였다.
○ : Cr BM과 유리기판의 부식이 거의 없음.
△ : Cr BM과 유리기판의 부식이 시편의 일부에서 발생함.
× : Cr BM과 유리기판의 부식이 시편의 많은 부분에서 발생함.
<증발손실 평가>
박리액을 유리 비이커에 100g을 정량한 뒤 액의 온도를 55℃로 유지하여 1시간 간격으로 액의 무게 변화를 측정하였다. 측정은 6시간 경과 시점까지 기록하고 처음에 기록한 무게를 기준으로 하여 증발에 의해 손실된 양을 백분율로 표시하여 평가하였다.
이상에서 얻어진 평가결과를 하기 표 3에 나타내었다.
상기 표 3을 참조하면, 본 발명에 따른 레지스트 수계 박리액 조성물(실시예 1 내지 16)은 블랙매트릭스 수지, 칼라필터 레지스트, UV 오버코트, 포토스페이서 레지스트, thermal 오버코트 등 각종 레지스트들을 단시간 내에 완전히 박리할 뿐만 아니라, 부식성도 거의 없음을 알 수 있다.
한편, 비교예1 내지 3에 의한 수계 박리액은 박리성이 불량하며, 하부 기판을 부식시키는 것으로 나타났다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 레지시트용 수계 박리액 조성물은 종래의 방법으로는 제거하기가 곤란했던 에폭시계, 에폭시 아크릴레이트계, 아크릴레이트계 UV 오버코드와 Thermal 오버코트, 포토스페이서 레지스트, 칼라필터 레지스트, 블랙매트릭스 수지, IPA와 MVA에 사용되는 레지스트 등 TFT-LCD 제조공정 중에 발생하는 각종 레지스트들을 단시간 내에 용이하게 제거할 수 있다. 또한, 박리공정 중의 하부 금속막과 유리기판의 부식을 최소화할 수 있고, 증발에 의한 박리액의 손실 및 박리액의 경시변화가 적어 박리액의 교체주기를 최대화할 수 있으며, 대량 작업이 가능하여 칼라기판과 TFT 기판 재생에 유용하게 사용될 수 있다.
Claims (7)
- 조성물 총 중량을 기준으로, 무기 알칼리성 화합물 0.3 ~ 15중량%; 테트라알킬암모늄히드록시드 화합물 0.1 ~ 12중량%; 수용성 유기용매 0.1 ~ 40 중량%; 및 물 33 ~ 99.5중량%;를 함유하는 수용액으로 이루어진 것을 특징으로 하는 레지스트 수계 박리액 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 무기 알칼리성 화합물은 탄산나트륨, 탄산칼륨, 규산나트륨, 규산칼륨, 수산화나트륨 및 수산화칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 수계 박리액 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 테트라알킬암모늄히드록시드 화합물은 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라 n-프로필암모늄히드록시드, 테트라 n-부틸암모늄히드록시드, 테트라(2-히드록시에틸)암모늄히드록시드, 트리메틸(2-히드록시에틸)암모늄히드록시드, 트리메틸{2-(2-히드록시에톡시)에틸}암모늄히드록시드 및 디메틸디에틸암모늄히드록시드로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 수계 박리액 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 수용성 유기용매는 디메틸술폭시드, N-메틸-2-피롤리디논, N-에틸-2-피롤리디논, N-프로필-2-피롤리디논, N-히드록시메틸-2- 피롤리디논, N-히드록시에틸-2-피롤리디논, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, 디메틸술폰, 디에틸술폰, 비스(2-히드록시에틸)술폰, 테트라메틸렌술폰, 메틸알콜, 에틸알콜, 프로필알콜, 부틸알콜, 펜틸알콜, 헥실알콜, 이소프로필알콜, 이소부틸알콜 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 수계 박리액 조성물.
- 제1항에 있어서, 아민화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 수계 박리액 조성물.
- 제1항 또는 제5항에 있어서, 알킬렌 글리콜계 유기용매를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 수계 박리액 조성물.
- 제6항에 있어서, 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 수계 박리액 조성물.
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101375100B1 (ko) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 후막의 네가티브 포토레지스트용 박리액 조성물 |
| KR20140139744A (ko) * | 2013-05-28 | 2014-12-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 칼라 레지스트 및 유기계 절연막 박리액 조성물 |
| KR20160118548A (ko) * | 2015-04-02 | 2016-10-12 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 |
| WO2019135430A1 (ko) * | 2018-01-08 | 2019-07-11 | (주)엠티아이 | 웨이퍼 가공용 보호 코팅제 조성물 및 이를 포함하는 보호 코팅제 |
| KR20190093546A (ko) * | 2019-08-02 | 2019-08-09 | 동우 화인켐 주식회사 | 칼라 레지스트 및 유기계 절연막 박리액 조성물 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR101243545B1 (ko) * | 2008-08-04 | 2013-03-20 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 유리 기판 재생 장치 |
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| EP2432035B1 (en) * | 2010-09-21 | 2017-05-31 | Sun Chemical Corporation | Improved method of stripping hot melt etch resists from semiconductors |
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| CN102854761A (zh) * | 2012-08-08 | 2013-01-02 | 华灿光电股份有限公司 | 一种刻蚀后去胶的溶液和方法 |
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| JP6858209B2 (ja) * | 2019-02-20 | 2021-04-14 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄液、及び基板の洗浄方法 |
| CN109896742A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-06-18 | 蚌埠中光电科技有限公司 | 一种tft-lcd基板玻璃的镀膜方法 |
| CN110161812A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-08-23 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 重工药液及其制备方法、重工装置 |
| EP4314951A1 (en) * | 2021-04-30 | 2024-02-07 | Versum Materials US, LLC | Compositions for removing a photoresist from a substrate and uses thereof |
| CN116770308B (zh) * | 2023-08-24 | 2023-11-14 | 昆山市板明电子科技有限公司 | 一种适用于超精细线路制作的剥膜液及其应用 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2553872B2 (ja) * | 1987-07-21 | 1996-11-13 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト用剥離液 |
| US5780406A (en) * | 1996-09-06 | 1998-07-14 | Honda; Kenji | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| US6030932A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
| US5798323A (en) * | 1997-05-05 | 1998-08-25 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
| US6413923B2 (en) * | 1999-11-15 | 2002-07-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| US6455479B1 (en) * | 2000-08-03 | 2002-09-24 | Shipley Company, L.L.C. | Stripping composition |
-
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101375100B1 (ko) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 후막의 네가티브 포토레지스트용 박리액 조성물 |
| TWI514094B (zh) * | 2012-08-31 | 2015-12-21 | Enf Technology Co Ltd | 厚膜負性光致抗蝕劑剝離劑組成成分 |
| KR20140139744A (ko) * | 2013-05-28 | 2014-12-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 칼라 레지스트 및 유기계 절연막 박리액 조성물 |
| KR20160118548A (ko) * | 2015-04-02 | 2016-10-12 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 |
| WO2019135430A1 (ko) * | 2018-01-08 | 2019-07-11 | (주)엠티아이 | 웨이퍼 가공용 보호 코팅제 조성물 및 이를 포함하는 보호 코팅제 |
| KR20190093546A (ko) * | 2019-08-02 | 2019-08-09 | 동우 화인켐 주식회사 | 칼라 레지스트 및 유기계 절연막 박리액 조성물 |
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