KR20050036808A - 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한광반도체 장치 - Google Patents

광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한광반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 하기 (A) 내지 (D) 성분을 포함하고, 이 때 (C) 성분인 유기 인계 난연제의 함유량이 에폭시 수지 조성물의 총 중량을 기준으로 1.5 내지 10중량%인 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다:
(A) 1 분자중에 바이페닐 골격 및 나프탈렌 골격중 하나 이상을 갖는 노볼락형 에폭시 수지를 에폭시 수지 성분의 총 중량을 기준으로 50 내지 100중량%의 양으로 포함하는 에폭시 수지 성분,
(B) 1 분자중에 바이페닐 골격 및 나프탈렌 골격중 하나 이상을 갖는 노볼락형 페놀 수지를 경화제 성분의 총 중량을 기준으로 50 내지 100중량%의 양으로 포함하는 경화제 성분,
(C) 유기 인계 난연제, 및
(D) 경화 촉매.

Description

광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 광반도체 장치{EPOXY RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 광 투과율 및 난연성 둘 다가 우수한 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물, 및 이를 사용하여 봉지된 광반도체 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(light emitting diode; LED) 등과 같은 광반도체 소자를 봉지하는데 사용되는 봉지용 수지 조성물에 관해서는, 그의 경화체가 투명성을 가질 것이 요구된다. 일반적으로, 에폭시 수지(예컨대, 비스페놀 A 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 등), 및 경화제로서 산 무수물을 사용하여 수득되는 에폭시 수지 조성물이 다양한 목적으로 광범위하게 사용되고 있다.
그러나, 상기 에폭시 수지 조성물을 봉지용 수지로서 사용하면, 에폭시 수지 조성물 경화시의 광반도체 봉지용 수지로서의 난연성(UL-V-0)을 만족시킬 수 없다. 예컨대, 종래기술에서는 무기 난연제가 일반적으로 사용되고 있지만(예컨대, 일본 특허 공개 공보 제 97-100337 호 참조), 상기 무기 난연제를 첨가하는 경우에는 투과율의 상당한 감소로 인해 광반도체 장치로서의 성능을 충분히 발휘할 수 없다는 점에서 문제가 있다.
그러나, 상기 문제 때문에 무기 난연제를 배합하지 않은 에폭시 수지 조성물에 난연성이 부여되지 않으면, 봉지 재료는 그의 발화성 및 연소성의 관점에서 문제시되어, 높은 난연성 및 양호한 투명성 둘 다를 갖는 광반도체 소자용 봉지 재료가 요망되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 상황을 감안하여 이루어졌으며, 높은 난연성을 갖고 높은 투과율을 유지하는 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물, 및 이를 사용한 광반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 1 요지는 하기 (A) 내지 (D) 성분을 포함하고, 이 때 (C) 성분인 유기 인계 난연제의 함유량이 에폭시 수지 조성물의 총 중량을 기준으로 1.5 내지 10중량%인 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물에 있다:
(A) 1 분자중에 바이페닐 골격 및 나프탈렌 골격중 하나 이상을 갖는 노볼락형 에폭시 수지를 에폭시 수지 성분의 총 중량을 기준으로 50 내지 100중량%의 양으로 포함하는 에폭시 수지 성분,
(B) 1 분자중에 바이페닐 골격 및 나프탈렌 골격중 하나 이상을 갖는 노볼락형 페놀 수지를 경화제 성분의 총 중량을 기준으로 50 내지 100중량%의 양으로 포함하는 경화제 성분,
(C) 유기 인계 난연제, 및
(D) 경화 촉매.
또한, 본 발명의 제 2 요지는 상기 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물을 사용하여 광반도체 소자를 봉지함으로써 제조된 광반도체 장치에 있다.
즉, 본 발명자들은 투과율의 감소를 초래하지 않으면서 우수한 난연성을 부여할 수 있는 광반도체 소자 봉지용 재료를 수득하기 위해 예의 연구하였다. 그 결과, 상기 특정한 구조를 갖는 에폭시 수지 및 페놀 수지를 병용하고, 무기 난연제 대신에 유기 인계 난연제를 특정한 비율로 사용하면, 상기 특정한 구조를 갖는 에폭시 수지 및 페놀 수지를 사용하여 제조된 경화체는 높은 분해 에너지를 나타내고, 또한 발포 구조를 생성하여 연소에 대한 단열 효과를 갖는 발포층을 형성함으로써, 우수한 난연성을 발휘하고 양호한 투명성이 부여됨을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
상기 기술한 바와 같이, 본 발명은 상기 특정한 에폭시 수지 성분(A) 및 특정한 경화제 성분(B)을 사용하고, 또한 유기 인계 난연제를 특정한 비율로 함유하는 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물이다. 따라서, 양호한 투명성이 확보되고 우수한 난연성이 얻어진다.
또한, 상기 유기 인계 난연제(C)로서 특정한 환상 포스파진 화합물을 사용하면, 내열성의 더욱 추가의 향상이 실현된다.
본 발명의 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물은 특정한 에폭시 수지 성분(A), 특정한 경화제 성분(B), 유기 인계 난연제(C) 및 경화 촉매(D)를 사용하여 수득된다.
상기 특정한 에폭시 수지 성분(A)에서, 1 분자중에 바이페닐 골격 및 나프탈렌 골격중 하나 이상을 갖는 특징적인 에폭시 수지는 에폭시 수지 성분 전체의 50 내지 100중량%를 차지한다. 보다 바람직한 것은 상기 특징적인 에폭시 수지가 에폭시 수지 성분의 총 중량의 80중량% 이상을 차지하는 경우이다. 특히 바람직한 것은 상기 특징적인 에폭시 수지가 에폭시 수지 성분 전체를 차지하는 경우이다. 즉, 이는 에폭시 수지 성분의 총 중량을 기준으로 한 상기 특징적인 에폭시 수지의 비율이 50중량% 미만이면, 효과적인 난연성이 발현될 수 없기 때문이다.
상기 특징적인 에폭시 수지로서는 하기 화학식 1a의 에폭시 수지 및 하기 화학식 1b의 에폭시 수지가 예시될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용될 수 있다.
상기 식에서,
n은 1 내지 10의 정수이다.
상기 화학식 1a의 에폭시 수지의 예로는 닛폰 가야쿠(Nippon Kayaku) 제조의 NC-3000 등을 포함한다.
또한, 상기 화학식 1b의 에폭시 수지의 예로는 닛폰 스틸 가가쿠(Nippon Steel Kagaku) 제조의 ESN-100 계열 등을 포함한다.
또한, 상기 특징적인 에폭시 수지와 병용될 수 있는 에폭시 수지에 관해서는, 경화시의 투명성 관점에서 착색이 중요하지 않다면 이작용성 이상의 다양한 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 그의 예로는 비스페놀 A형 에폭시 수지 등을 포함한다.
상기 에폭시 수지 성분(A)과 함께 사용되는 특정한 경화제 성분(B)은 당연히 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 물질이고, 1 분자중에 바이페닐 골격 및 나프탈렌 골격중 하나 이상을 갖는 특징적인 페놀 수지는 경화제 성분의 총 중량의 50 내지 100중량%를 차지한다. 보다 바람직한 것은 상기 특징적인 페놀 수지가 경화제 성분의 총 중량의 80중량% 이상을 차지하는 경우이고, 특히 바람직한 것은 상기 특징적인 페놀 수지가 경화제 성분 전체를 차지하는 경우이다. 즉, 이는 경화제 성분의 총 중량을 기준으로 한 상기 특징적인 페놀 수지의 비율이 50중량% 미만이면, 효과적인 난연성이 발현될 수 없기 때문이다.
상기 특징적인 페놀 수지로서는 하기 화학식 2a의 페놀 수지 및 하기 화학식 2b의 반복 단위를 갖는 페놀 수지가 예시될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용될 수 있다.
상기 식에서,
n은 1 내지 10의 정수이다.
상기 화학식 2a의 페놀 수지의 예로는 메이와 가세이(Meiwa Kasei) 제조의 MEH-7851 등을 포함한다.
또한, 상기 화학식 2b의 반복 단위를 갖는 페놀 수지의 예로는 닛폰 스틸 가가쿠 제조의 SN-400 계열 등을 포함한다.
상기 특징적인 페놀 수지와 병용될 수 있는 경화제에 관해서는, 경화시의 투명성 관점에서 착색이 중요하지 않다면 이작용성 이상의 다양한 페놀 수지를 사용할 수 있다. 또한, 통상적인 산 무수물 경화제를 병용할 수도 있다.
또한, 상기 경화제 성분(B)으로부터 유도된 페놀 작용기에 대한 상기 에폭시 수지 성분(A)으로부터 유도된 에폭시 작용기 수의 당량비는 바람직하게는 0.7 내지 1.5, 보다 바람직하게는 0.8 내지 1.3, 특히 바람직하게는 0.9 내지 1.2로 설정한다. 즉, 이는 상기 당량비가 0.7 미만이면 경화체를 상당히 착색시키는 경향이 보이고, 1.5를 초과하면 반응성을 현저히 감소시키는 경향이 보이기 때문이다.
상기 에폭시 수지 성분(A) 및 경화제 성분(B)과 함께 사용되는 유기 인계 난연제(C)에 관해서는, 상기 에폭시 수지 성분(A) 및 경화제 성분(B)과의 상용성이 양호하고 투명성을 손상시키지 않는 물질이 사용된다. 이러한 유기 인계 난연제(C)로서는, 포스파진 구조를 갖는 화합물을 사용하는 것이 바람직하고, 하기 화학식 3의 환상 포스파진 화합물이 특히 바람직하게 사용된다:
상기 식에서,
R 및 R'는 1가 유기 기이고,
n은 3 내지 7이다.
상기 화학식 3에서, 반복 수 n은 점도의 상승을 고려하여 3 내지 7의 정수이고, 삼량체화된 6원환 구조를 갖는 것이 효과적이다. 또한, 난연성을 향상시키기 위해서는, 상기 화학식 3의 반복 단위를 갖는 환상 포스파진 화합물의 R의 일부가 다른 환상 포스파진 화합물과 가교된 구조를 갖는 화합물이 사용된다. 또한, 내열성의 관점에서 R은 페닐기인 것이 바람직하다. 이러한 환상 포스파진 화합물로서는, 예컨대 하기 화학식 3a의 환상 포스파진 화합물 및 하기 화학식 3b의 환상 포스파진 화합물이 특히 바람직하게 사용된다:
상기 식에서,
Ph는 페닐기이고,
m 및 n은 각각 3 내지 7의 정수이고,
Z는 -C(CH3)2-, -SO2-, -S- 또는 -O-이고,
a는 0 또는 1이다.
상기 화학식 3b의 환상 포스파진 화합물로서는, 예컨대 오츠카 가가쿠(Otsuka Kagaku) 제조의 SPE-100 등을 들 수 있다.
상기 유기 인계 난연제(C)의 함유량은 난연성을 확보하는 관점에서 에폭시 수지 조성물의 총 중량을 기준으로 1.5 내지 10중량%의 범위로 설정할 필요가 있다. 경화체의 열시효 경도를 확보하는 관점에서, 2 내지 8중량%의 범위가 보다 바람직하다.
상기 에폭시 수지 성분(A), 경화제 성분(B) 및 유기 인계 난연제(C)와 함께 사용되는 경화 촉매(D)는 특별히 한정되지는 않는다. 그의 예로는 1,8-다이아자-바이사이클로(5,4,0)운데센-7, 트라이에틸렌다이아민, 트라이-2,4,6-다이메틸아미노메틸페놀 등의 3급 아민, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸 등의 이미다졸, 트라이페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트, 테트라-n-부틸포스포늄-o,o-다이에틸포스포로 다이티오에이트 등의 인 화합물, 4급 암모늄 염, 유기 금속 염 및 이들의 유도체를 포함한다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용될 수 있다. 이들 경화 촉매중에서도 3급 아민, 이미다졸 또는 인 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이들 중에서도 투명하고 강인한 경화체를 수득하기 위해서는 인 화합물 또는 이미다졸을 사용하는 것이 특히 바람직하다.
상기 경화 촉매(D)의 함유량은 상기 에폭시 수지 성분(A) 100중량부(이하 "부"라고 함)를 기준으로 바람직하게는 0.01 내지 8부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 3.0부의 범위내로 설정하는 것이 바람직하다. 즉, 이는 상기 함유량이 0.01부 미만이면 충분한 경화 촉진 효과를 얻기 어려울 수 있고, 8부를 초과하면 수득되는 경화체에서 변색이 보이는 경우가 있을 수 있기 때문이다.
이와 관련하여, 본 발명의 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물에는 상기 (A) 내지 (D) 성분 이외에 기타 첨가제를 필요에 따라 임의적으로 배합할 수 있다.
상기 기타 첨가제로서는 예컨대 커플링제가 사용된다. 상기 커플링제의 예로는 실란 커플링제, 티타네이트 커플링제 등과 같은 통상적인 다양한 커플링제를 포함한다.
또한, 상기 기타 첨가제로서 열화 방지제, 변성제, 소포제 등이 사용된다.
상기 열화 방지제의 예로는 페놀 화합물, 아민 화합물, 유기 황 화합물, 포스핀 화합물 등과 같은 통상적인 다양한 열화 방지제를 포함한다.
상기 변성제의 예로는 글라이콜, 실리콘, 알콜 등과 같은 통상적인 다양한 변성제를 포함한다.
상기 소포제의 예로는 실리콘계 등과 같은 통상적인 다양한 소포제를 포함한다.
또한, 본 발명의 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물은 다음 방법으로 제조함으로써, 액체, 분말 또는 분말로부터 제조된 정제의 형태로 수득될 수 있다. 즉, 광반도체 소자 봉지용의 액체 에폭시 수지 조성물을 수득하기 위해서는, 예컨대 상기한 각 성분, 즉 에폭시 수지 성분, 경화제 성분, 유기 인계 난연제, 경화 촉매 및 필요에 따라 배합되는 첨가제를 임의적으로 배합할 수 있다. 또한, 상기 에폭시 수지 조성물을 분말 또는 분말로부터 제조된 정제의 형태로 수득하는 경우에는, 예컨대 상기한 각 성분을 임의적으로 배합하여 예비 혼합을 수행하고, 혼련기를 사용하여 혼련하여 용융 혼합을 수행하고, 이어서 이를 실온까지 냉각하여 통상적인 수단으로 분쇄하고, 필요에 따라 정제 제조를 추가로 수행한다.
상기 방법으로 수득된 본 발명의 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물은 LED, 전하 결합 소자(charge coupled device; CCD) 등과 같은 광반도체 소자 봉지용으로 사용된다. 즉, 본 발명의 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물을 사용한 광반도체 소자의 봉지는 특별한 제한 없이 트랜스퍼 성형, 캐스트 성형 등과 같은 통상적인 성형 방법을 사용하여 수행될 수 있다. 본 발명의 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물이 분말 또는 정제의 형태인 경우에는, 이는 상기한 각 성분을 용융 혼합할 때 B-스테이지(B-stage; 반경화된 상태)로 제조될 수 있고, 이는 사용시에 가열 용융된다.
다음으로, 실시예를 비교예와 함께 기술한다.
실시예에 앞서, 하기에 나타낸 각 성분을 제조하였다.
에폭시 수지 a:
하기 구조식 a의 에폭시 수지(에폭시 당량 274)
에폭시 수지 b:
하기 구조식 b의 에폭시 수지(에폭시 당량 275)
에폭시 수지 c:
비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 475)
경화제 a:
하기 구조식 d의 페놀 수지(하이드록실기 당량 203)
경화제 b:
하기 구조식 e의 반복 단위를 갖는 페놀 수지(하이드록실기 당량 210)
경화제 c:
4-메틸헥사하이드로프탈산 무수물(x)과 헥사하이드로프탈산 무수물(y)의 혼합물(혼합 중량비 x:y=7:3)
유기 인계 난연제:
가교 구조를 갖는 환상 포스파진 화합물(오츠카 가가쿠 제조의 SPE-100)
경화제:
머캅토 함유 실란 커플링제(신-에츠 케미칼(Shin-Etsu Chemical) 제조의 KBM-803)
경화 촉매:
2-에틸-4-메틸이미다졸
실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 7
하기 표 1 및 표 2에 나타낸 각 성분을 동일한 표에 나타낸 비율로 배합하고, 110℃에서 용융 혼련하고 냉각하여 고화시킨 후, 분쇄하여 정제로 만듦으로써 목적하는 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
상기 방법으로 수득된 각 에폭시 수지 조성물을 사용하여, 난연성, 투과율 및 열시효 경도를 하기의 각 방법에 따라 측정 및 평가하였다. 결과를 하기 표 3 및 표 4에 나타내었다.
난연성:
각 에폭시 수지 조성물을 사용하여 두께 3.175mm의 난연성용 시험편을 성형하고(성형 조건: 150℃×5분 + 150℃×3시간), 난연성을 UL-94 규격의 방법에 따라 평가하였다. 이 경우, "합격"은 UL-94V-0의 합격을 의미한다.
투과율:
각 에폭시 수지 조성물을 사용하여 두께 1mm의 경화체를 제조하였다(경화 조건: 150℃×5분 + 150℃×3시간). 상기 경화체를 사용하여, 파장 589.3nm에서의 광 투과율을 시마즈 코포레이션(Shimadzu Corp.) 제조의 분광광도계 UV3101을 사용하여 측정하였다.
열시효 경도:
각 에폭시 수지 조성물을 사용하여 150℃×5분의 성형 조건하에 10mm×64mm×두께 4mm의 시험편을 제조하고, 제조 직후의 시험편 표면의 경도를 쇼어(Shore) A 경도계(가미시마 세이사쿠쇼(Kamishima Seisakusho) 제조)를 사용하여 측정하였다.
상기 결과에 기초할 때, 실시예의 제품은 모두 UL-94 규격으로 V-0 합격이었고, 그의 투과율에 관해서도 특별히 문제가 되는 값은 없었다. 또한, 이들 제품의 열시효 경도 값은 모두 75 이상이었다.
이에 대하여, 경화제로서 4-메틸헥사하이드로프탈산 무수물과 헥사하이드로프탈산 무수물의 혼합물을 사용한 비교예 1의 제품, 에폭시 수지로서 비스페놀 A형 에폭시 수지를 사용한 비교예 2의 제품 및 경화제로서 4-메틸헥사하이드로프탈산 무수물과 헥사하이드로프탈산 무수물의 혼합물을 사용한 비교예 3의 제품은 모두 유기 인계 난연제인 환상 포스파진 화합물을 사용하였음에도 불구하고 난연성에 관한 UL-94V 규격을 만족시키지 못하였기 때문에 불합격이었다. 또한, 유기 인계 난연제 함유량이 1.0중량%인 비교예 4의 제품은 UL-94V 규격의 V-1 규격은 달성하였지만 V-0 규격을 달성할 수는 없었다. 한편, 유기 인계 난연제 함유량이 12중량%인 비교예 5의 제품은 난연성 및 투과율에 관해서는 실시예의 제품과 거의 동일한 특성 값을 나타냈지만, 열시효 경도가 낮았고, 이로써 수지 경화체의 경도 감소를 초래하였음을 알 수 있다. 또한, 에폭시 수지 함유량이 에폭시 수지 성분의 총 중량의 50중량% 미만인 비교예 6의 제품은 UL-94V 규격의 V-0 규격을 달성할 수 없었다. 또한, 경화제 함유량이 경화제 성분의 총 중량의 50중량% 미만인 비교예 7의 제품도 UL-94V 규격의 V-0 규격을 달성할 수 없었다.
본 발명을 이의 특정한 실시태양을 참조하여 상세히 기술하였지만, 이의 범주를 벗어나지 않고 다양한 변화 및 변경이 이루어질 수 있음은 당해 기술분야의 숙련자에게 자명할 것이다.
본원은 2003년 10월 16일자로 출원된 일본 특허 출원 제 2003-356772 호를 기초로 하고, 이의 전체 내용은 본원에 참고로 인용된다.
본 발명에 따르면, 특정한 에폭시 수지 및 특정한 경화제 성분을 사용함과 동시에 특정한 비율로 유기 인계 난연제를 사용함으로써, 광 투과율 및 난연성 둘 다가 우수한 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물이 제공될 수 있다.

Claims (6)

  1. 하기 (A) 내지 (D) 성분을 포함하고, 이 때 (C) 성분인 유기 인계 난연제의 함유량이 에폭시 수지 조성물의 총 중량을 기준으로 1.5 내지 10중량%인 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물:
    (A) 1 분자중에 바이페닐 골격 및 나프탈렌 골격중 하나 이상을 갖는 노볼락형 에폭시 수지를 에폭시 수지 성분의 총 중량을 기준으로 50 내지 100중량%의 양으로 포함하는 에폭시 수지 성분,
    (B) 1 분자중에 바이페닐 골격 및 나프탈렌 골격중 하나 이상을 갖는 노볼락형 페놀 수지를 경화제 성분의 총 중량을 기준으로 50 내지 100중량%의 양으로 포함하는 경화제 성분,
    (C) 유기 인계 난연제, 및
    (D) 경화 촉매.
  2. 제 1 항에 있어서,
    경화제 성분(B)으로부터 유도된 페놀 작용기에 대한 에폭시 수지 성분(A)으로부터 유도된 에폭시 작용기 수의 당량비가 0.7 내지 1.5인 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    1 분자중에 바이페닐 골격 및 나프탈렌 골격중 하나 이상을 갖는 노볼락형 에폭시 수지가 하기 화학식 1a의 에폭시 수지 및 하기 화학식 1b의 에폭시 수지중 하나 이상인 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물:
    화학식 1a
    화학식 1b
    상기 식에서,
    n은 1 내지 10의 정수이다.
  4. 제 1 항에 있어서,
    1 분자중에 바이페닐 골격 및 나프탈렌 골격중 하나 이상을 갖는 노볼락형 페놀 수지가 하기 화학식 2a의 페놀 수지 및 하기 화학식 2b의 반복 단위를 갖는 페놀 수지중 하나 이상인 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물:
    화학식 2a
    화학식 2b
    상기 식에서,
    n은 1 내지 10의 정수이다.
  5. 제 1 항에 있어서,
    유기 인계 난연제(C)가 하기 화학식 3의 환상 포스파진 화합물인 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물:
    화학식 3
    상기 식에서,
    R 및 R'는 1가 유기 기이고,
    n은 3 내지 7이다.
  6. 광반도체 소자 및 이를 봉지하는 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 따른 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물을 포함하는 광반도체 장치.
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