JPH09100337A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置Info
- Publication number
- JPH09100337A JPH09100337A JP25775595A JP25775595A JPH09100337A JP H09100337 A JPH09100337 A JP H09100337A JP 25775595 A JP25775595 A JP 25775595A JP 25775595 A JP25775595 A JP 25775595A JP H09100337 A JPH09100337 A JP H09100337A
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- JP
- Japan
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- epoxy resin
- resin composition
- metal hydroxide
- metal
- semiconductor encapsulation
- Prior art date
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- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は燃焼時に有害ガスの発生が無く、高温
信頼性、半田耐熱性の優れた、半導体素子封止用難燃性
エポキシ樹脂組成物を得るためになされたものである。 【解決手段】硬化物の熱分解開始温度が２６０℃以上で
あり、且つ硬化物の曲げ強度が１４ｋｇ／ｍｍ２以上で
ある次ぎの、疎水性エポキシ樹脂、硬化剤、金属水酸化
物、金属酸化物及び無機質充填材から構成される難燃性
エポキシ樹脂組成物からなる。
信頼性、半田耐熱性の優れた、半導体素子封止用難燃性
エポキシ樹脂組成物を得るためになされたものである。 【解決手段】硬化物の熱分解開始温度が２６０℃以上で
あり、且つ硬化物の曲げ強度が１４ｋｇ／ｍｍ２以上で
ある次ぎの、疎水性エポキシ樹脂、硬化剤、金属水酸化
物、金属酸化物及び無機質充填材から構成される難燃性
エポキシ樹脂組成物からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、難燃性、高温信頼性、
半田耐熱性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及
びこれを用いた半導体装置に関するものである。
半田耐熱性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及
びこれを用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体
素子は、従来セラミックにより封止され、半導体装置化
されていたが、最近では、コスト、量産性の観点から、
プラスチックを用いた樹脂封止半導体装置が主流になっ
ている。この種の樹脂封止には、従来からエポキシ樹脂
が用いられており良好な成績を収めている。しかし、半
導体分野の技術革新によって集積度の向上とともに素子
サイズの大形化、配線の微細化が進み、半導体装置も小
形化、薄形化する傾向にあり、これに伴って封止材料に
対して、従来以上の信頼性の向上が要望されている。一
方、半導体装置等の電子部品は、難燃性の規格であるＵ
Ｌ９４ Ｖ−０に適合することが必要不可欠である。従
来から、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に難燃作用を
付与する方法として、臭素化エポキシ樹脂及び酸化アン
チモンを添加する方法が一般的に行われている。
素子は、従来セラミックにより封止され、半導体装置化
されていたが、最近では、コスト、量産性の観点から、
プラスチックを用いた樹脂封止半導体装置が主流になっ
ている。この種の樹脂封止には、従来からエポキシ樹脂
が用いられており良好な成績を収めている。しかし、半
導体分野の技術革新によって集積度の向上とともに素子
サイズの大形化、配線の微細化が進み、半導体装置も小
形化、薄形化する傾向にあり、これに伴って封止材料に
対して、従来以上の信頼性の向上が要望されている。一
方、半導体装置等の電子部品は、難燃性の規格であるＵ
Ｌ９４ Ｖ−０に適合することが必要不可欠である。従
来から、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に難燃作用を
付与する方法として、臭素化エポキシ樹脂及び酸化アン
チモンを添加する方法が一般的に行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記難
燃化付与技術に関して２つの大きな問題があった。第１
の問題点として、燃焼時に臭化水素、臭素ガス、臭素化
アンチモン等の有害ガスの発生による人体への有害性や
機器への腐食性と、半導体素子封止過程で産出する産業
廃棄物や使用後の半導体装置の処分の問題等環境上の安
全性が問題となっている。第２の問題点としては、上記
難燃化付与技術を採用した半導体装置を高温で長時間放
置すると、遊離した臭素の影響で半導体素子上のアルミ
ニウム配線が腐食し、半導体装置の故障の原因となり高
温信頼性の低下が問題となっている。上記の問題点を解
決するためには、難燃剤としてノンハロゲンーノンアン
チモン系である金属水酸化物を無機難燃剤として添加す
る方法が提案されている。しかしながら、この方法では
大量の（例えば４０重量％以上）金属水酸化物を使用せ
ねばならず、別の大きな問題が生じることとなる。第１
の問題点は、半田付け時に半導体装置に膨れや、クラッ
クが発生しやすい点である。半導体装置の実装方法とし
て表面実装が主流になっており、半田付け時には半田浸
漬、赤外リフロー、ベーパーフェイズリフロー等の半田
処理方法が選択されて使用される。いずれの処理法を採
用しても、半導体装置が高温（通常２１５〜２６０℃）
に曝されるため、従来の金属水酸化物が添加された樹脂
組成物を用いた樹脂封止による半導体装置では、金属水
酸化物の吸水量が多いため、吸湿した水分の急激な気化
により半導体装置の膨れやクラックが発生するというい
わゆる半田耐熱性の低下という問題が生じている。第２
の問題点として、高温信頼性に関しては１５０〜２００
℃の高温環境下での半導体素子機能が低下するという点
である。発熱量の大きい半導体素子や自動車のエンジン
周りに搭載する半導体装置等では、長時間の使用により
脱水反応が生起するため、高温信頼性が低下するという
問題が生じる可能性がある。
燃化付与技術に関して２つの大きな問題があった。第１
の問題点として、燃焼時に臭化水素、臭素ガス、臭素化
アンチモン等の有害ガスの発生による人体への有害性や
機器への腐食性と、半導体素子封止過程で産出する産業
廃棄物や使用後の半導体装置の処分の問題等環境上の安
全性が問題となっている。第２の問題点としては、上記
難燃化付与技術を採用した半導体装置を高温で長時間放
置すると、遊離した臭素の影響で半導体素子上のアルミ
ニウム配線が腐食し、半導体装置の故障の原因となり高
温信頼性の低下が問題となっている。上記の問題点を解
決するためには、難燃剤としてノンハロゲンーノンアン
チモン系である金属水酸化物を無機難燃剤として添加す
る方法が提案されている。しかしながら、この方法では
大量の（例えば４０重量％以上）金属水酸化物を使用せ
ねばならず、別の大きな問題が生じることとなる。第１
の問題点は、半田付け時に半導体装置に膨れや、クラッ
クが発生しやすい点である。半導体装置の実装方法とし
て表面実装が主流になっており、半田付け時には半田浸
漬、赤外リフロー、ベーパーフェイズリフロー等の半田
処理方法が選択されて使用される。いずれの処理法を採
用しても、半導体装置が高温（通常２１５〜２６０℃）
に曝されるため、従来の金属水酸化物が添加された樹脂
組成物を用いた樹脂封止による半導体装置では、金属水
酸化物の吸水量が多いため、吸湿した水分の急激な気化
により半導体装置の膨れやクラックが発生するというい
わゆる半田耐熱性の低下という問題が生じている。第２
の問題点として、高温信頼性に関しては１５０〜２００
℃の高温環境下での半導体素子機能が低下するという点
である。発熱量の大きい半導体素子や自動車のエンジン
周りに搭載する半導体装置等では、長時間の使用により
脱水反応が生起するため、高温信頼性が低下するという
問題が生じる可能性がある。
【０００４】このように、従来の難燃化技術では、上記
のような問題が生じるため、燃焼時に有害ガスの発生の
ない、安全かつ無公害な材料であって、半導体装置の半
田付け時において金属水酸化物の脱水による半導体装置
の膨れやクラックを起さず、長期間の高温雰囲気下での
放置によっても半導体素子上のアルミニウム配線の腐食
や高温信頼性の低下の生起しない難燃化技術の開発が強
く望まれている。そこで我々は特願平７−５０７４６６
において熱硬化性樹脂、硬化剤とともに金属水酸化物、
金属酸化物とを併用した半導体封止用熱硬化性樹脂組成
物を提案し上記課題の解決を図った。しかしその後の検
討において、疎水性エポキシ樹脂を使用するとさらに高
温信頼性、難燃性、安全性及びとりわけ半田耐熱性に優
れた半導体装置が得られる事がわかり本発明に至った。
のような問題が生じるため、燃焼時に有害ガスの発生の
ない、安全かつ無公害な材料であって、半導体装置の半
田付け時において金属水酸化物の脱水による半導体装置
の膨れやクラックを起さず、長期間の高温雰囲気下での
放置によっても半導体素子上のアルミニウム配線の腐食
や高温信頼性の低下の生起しない難燃化技術の開発が強
く望まれている。そこで我々は特願平７−５０７４６６
において熱硬化性樹脂、硬化剤とともに金属水酸化物、
金属酸化物とを併用した半導体封止用熱硬化性樹脂組成
物を提案し上記課題の解決を図った。しかしその後の検
討において、疎水性エポキシ樹脂を使用するとさらに高
温信頼性、難燃性、安全性及びとりわけ半田耐熱性に優
れた半導体装置が得られる事がわかり本発明に至った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、硬化物の熱分解開始温度が２６０℃以上
であり、且つ硬化物の曲げ強度が１４ｋｇ／ｍｍ2以上
である下記の（イ）〜（ホ）成分を含有するエポキシ樹
脂組成物を提供することにある。 （イ）疎水性エポキシ樹脂 （ロ）硬化剤 （ハ）下記の一般式(１)で表される金属水酸化物 ｎ（ＭａＯｂ）・ｃＨ2Ｏ ・・・（１） ［上記式（１）において、Ｍは金属元素であり、ａ、
ｂ、ｃは正数、ｎは１以上の正数である。］ （ニ）下記の一般式(２)で表される金属酸化物 ｎ’（ＱｄＯｅ） ・・・（２） ［上記式（２）において、Ｑは周期律表のIVa、Va、VI
a、VIIa、VIII、Ib、IIbから選ばれた族に属する金属元
素であり、ｄ、ｅは正数、ｎ’は１以上の正数であり、
ＭとＱは異なる金属の組合わせで用いられる。］ （ホ）無機質充填材 すなわち、本発明者らは、安全性はもちろん高温信頼
性、半田付け時の耐熱性及び難燃性に優れた封止用樹脂
組成物を得るために一連の研究を重ねた。その研究の過
程で、従来の難燃剤に代わる新たな難燃剤を得るために
種々の化合物について試験を行った。その結果、エポキ
シ樹脂として疎水性エポキシ樹脂を用い、難燃剤とし
て、前記一般式（１）で表される金属水酸化物と一般式
（２）で表される金属酸化物との併用によりこれら難燃
剤は安全・無公害であり、高温信頼性、難燃性及びとり
わけ半田付け時の耐熱性に優れた封止用成形材料が得ら
れることを見いだし本発明に到達した。
め、本発明は、硬化物の熱分解開始温度が２６０℃以上
であり、且つ硬化物の曲げ強度が１４ｋｇ／ｍｍ2以上
である下記の（イ）〜（ホ）成分を含有するエポキシ樹
脂組成物を提供することにある。 （イ）疎水性エポキシ樹脂 （ロ）硬化剤 （ハ）下記の一般式(１)で表される金属水酸化物 ｎ（ＭａＯｂ）・ｃＨ2Ｏ ・・・（１） ［上記式（１）において、Ｍは金属元素であり、ａ、
ｂ、ｃは正数、ｎは１以上の正数である。］ （ニ）下記の一般式(２)で表される金属酸化物 ｎ’（ＱｄＯｅ） ・・・（２） ［上記式（２）において、Ｑは周期律表のIVa、Va、VI
a、VIIa、VIII、Ib、IIbから選ばれた族に属する金属元
素であり、ｄ、ｅは正数、ｎ’は１以上の正数であり、
ＭとＱは異なる金属の組合わせで用いられる。］ （ホ）無機質充填材 すなわち、本発明者らは、安全性はもちろん高温信頼
性、半田付け時の耐熱性及び難燃性に優れた封止用樹脂
組成物を得るために一連の研究を重ねた。その研究の過
程で、従来の難燃剤に代わる新たな難燃剤を得るために
種々の化合物について試験を行った。その結果、エポキ
シ樹脂として疎水性エポキシ樹脂を用い、難燃剤とし
て、前記一般式（１）で表される金属水酸化物と一般式
（２）で表される金属酸化物との併用によりこれら難燃
剤は安全・無公害であり、高温信頼性、難燃性及びとり
わけ半田付け時の耐熱性に優れた封止用成形材料が得ら
れることを見いだし本発明に到達した。
【０００６】つぎに、本発明を詳しく説明する。本発明
に用いられる疎水性エポキシ樹脂とは、汎用エポキシ樹
脂の代表である、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂や、
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂と異なり、樹脂骨
格中にビフェニルやナフタレンやフルオレンやシクロ環
のように疎水骨格を有するエポキシ樹脂などが挙げら
れ、単独もしくは混合して使用することができる。通常
の硬化剤例えばフェノールノボラック樹脂を用いて、こ
れらの骨格を有するエポキシ樹脂と汎用的なクレゾール
ノボラックエポキシ樹脂を硬化させた場合、これらの骨
格を有するエポキシ樹脂の場合の方がクレゾールノボラ
ックエポキシ樹脂を用いた場合より、吸水率を小さくす
ることが可能である。殊に４、４’ビス（βγエポキシ
プロポキシ）３、３’、５、５’テトラメチルビフェニ
ル（以下ＴＭＢＧと略す）が溶融時の粘度も低く好まし
く用いられる。またクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂などとの
併用を妨げるものではないが、本目的の半田耐熱性を低
下する傾向にあるので好ましくなく、状況に応じて併用
することになる。上記疎水性エポキシ樹脂（イ成分）と
ともに用いられる硬化剤（ロ成分）として、例えば、フ
ェノール樹脂、酸無水物、アミン化合物、など従来公知
のものが使用されるが、このうちフェノール樹脂の使用
が好適である。このフェノール樹脂としてはフェノール
ノボラック、クレゾールノボラック、ビスフェノールＡ
ノボラック、ナフトールノボラック及びフェノールアラ
ルキル樹脂等があげられる。
に用いられる疎水性エポキシ樹脂とは、汎用エポキシ樹
脂の代表である、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂や、
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂と異なり、樹脂骨
格中にビフェニルやナフタレンやフルオレンやシクロ環
のように疎水骨格を有するエポキシ樹脂などが挙げら
れ、単独もしくは混合して使用することができる。通常
の硬化剤例えばフェノールノボラック樹脂を用いて、こ
れらの骨格を有するエポキシ樹脂と汎用的なクレゾール
ノボラックエポキシ樹脂を硬化させた場合、これらの骨
格を有するエポキシ樹脂の場合の方がクレゾールノボラ
ックエポキシ樹脂を用いた場合より、吸水率を小さくす
ることが可能である。殊に４、４’ビス（βγエポキシ
プロポキシ）３、３’、５、５’テトラメチルビフェニ
ル（以下ＴＭＢＧと略す）が溶融時の粘度も低く好まし
く用いられる。またクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂などとの
併用を妨げるものではないが、本目的の半田耐熱性を低
下する傾向にあるので好ましくなく、状況に応じて併用
することになる。上記疎水性エポキシ樹脂（イ成分）と
ともに用いられる硬化剤（ロ成分）として、例えば、フ
ェノール樹脂、酸無水物、アミン化合物、など従来公知
のものが使用されるが、このうちフェノール樹脂の使用
が好適である。このフェノール樹脂としてはフェノール
ノボラック、クレゾールノボラック、ビスフェノールＡ
ノボラック、ナフトールノボラック及びフェノールアラ
ルキル樹脂等があげられる。
【０００７】上記疎水性エポキシ樹脂（イ成分）および
硬化剤（ロ成分）とともに用いられる金属水酸化物（ハ
成分）は下記の一般式（１）で表される金属水酸化物で
ある。 ｎ（ＭａＯｂ）・ｃＨ2Ｏ ・・・（1） ［上記式（１）において、Ｍは金属元素であり、ａ、
ｂ、ｃは正数、ｎは１以上の正数である。］ 上記式（１）において、金属水酸化物中のＭは、Al, M
g, Ca, Ni, Co,Sn, Zn, Cu, Fe, Ti, B 等があ
げられる。上記式（１）で表される金属水酸化物の具体
的な代表例としては、Ａｌ2Ｏ3・ｙＨ2Ｏ（０＜ｙ≦
３）、ＭｇＯ・ｙＨ2Ｏ（０＜ｙ≦１）、ＣaＯ・ｙＨ2
Ｏ（０＜ｙ≦１）、ＮiｚＯｙ・Ｈ2Ｏ（０．５＜ｚ≦
２、０＜ｙ≦２）、ＣoＯｚ・ｙＨ2Ｏ（１≦ｚ≦２、０
≦ｙ≦２）、ＰｂＯｚ・ｙＨ2Ｏ（０．５≦ｚ≦２、０
＜ｙ≦２）、ＳｎＯｚ・ｙＨ2Ｏ（１≦ｚ≦２、０＜ｙ
≦２）、ＺｎＯ・ｙＨ2Ｏ（０＜ｙ≦１）、ＦeＯｚ・ｙ
Ｈ2Ｏ（１≦ｚ≦１．５、０．５≦ｙ≦1.5）、ＣuＯｚ
・ｙＨ2Ｏ（０．５≦ｚ≦１、０＜ｙ≦１）等があげら
れる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併せて
用いてもよい。上記一般式（１）で表される金属水酸化
物の熱的性質として、脱水開始温度が２００℃以上であ
ることが好ましい。特に好ましくは脱水開始温度が２６
０℃以上のものである。上記脱水開始温度とは、熱天秤
を使用した熱重量法（大気中で測定）により昇温速度１
０℃／ｍｉｎで測定される値であり、加熱減量が５重量
％に達した時の温度、および微分加熱減量値（加熱減量
を時間で一次微分した値、すなわち加熱減量速度）が
０．５重量％／ｍｉｎを越えたときの温度のいずれか低
い方の温度とする。さらに単位重量あたりの脱水に伴う
吸熱エネルギーの大きな水酸化物が好適に使用できる。
硬化剤（ロ成分）とともに用いられる金属水酸化物（ハ
成分）は下記の一般式（１）で表される金属水酸化物で
ある。 ｎ（ＭａＯｂ）・ｃＨ2Ｏ ・・・（1） ［上記式（１）において、Ｍは金属元素であり、ａ、
ｂ、ｃは正数、ｎは１以上の正数である。］ 上記式（１）において、金属水酸化物中のＭは、Al, M
g, Ca, Ni, Co,Sn, Zn, Cu, Fe, Ti, B 等があ
げられる。上記式（１）で表される金属水酸化物の具体
的な代表例としては、Ａｌ2Ｏ3・ｙＨ2Ｏ（０＜ｙ≦
３）、ＭｇＯ・ｙＨ2Ｏ（０＜ｙ≦１）、ＣaＯ・ｙＨ2
Ｏ（０＜ｙ≦１）、ＮiｚＯｙ・Ｈ2Ｏ（０．５＜ｚ≦
２、０＜ｙ≦２）、ＣoＯｚ・ｙＨ2Ｏ（１≦ｚ≦２、０
≦ｙ≦２）、ＰｂＯｚ・ｙＨ2Ｏ（０．５≦ｚ≦２、０
＜ｙ≦２）、ＳｎＯｚ・ｙＨ2Ｏ（１≦ｚ≦２、０＜ｙ
≦２）、ＺｎＯ・ｙＨ2Ｏ（０＜ｙ≦１）、ＦeＯｚ・ｙ
Ｈ2Ｏ（１≦ｚ≦１．５、０．５≦ｙ≦1.5）、ＣuＯｚ
・ｙＨ2Ｏ（０．５≦ｚ≦１、０＜ｙ≦１）等があげら
れる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併せて
用いてもよい。上記一般式（１）で表される金属水酸化
物の熱的性質として、脱水開始温度が２００℃以上であ
ることが好ましい。特に好ましくは脱水開始温度が２６
０℃以上のものである。上記脱水開始温度とは、熱天秤
を使用した熱重量法（大気中で測定）により昇温速度１
０℃／ｍｉｎで測定される値であり、加熱減量が５重量
％に達した時の温度、および微分加熱減量値（加熱減量
を時間で一次微分した値、すなわち加熱減量速度）が
０．５重量％／ｍｉｎを越えたときの温度のいずれか低
い方の温度とする。さらに単位重量あたりの脱水に伴う
吸熱エネルギーの大きな水酸化物が好適に使用できる。
【０００８】一方疎水性エポキシ樹脂（イ）、硬化剤
（ロ）、金属水酸化物（ハ）とともに使用される（２）
式で表せる金属酸化物（ニ）の金属元素を示すＱは、周
期律表のIVa、Va、VIa、VIIa、VIII、Ib、IIbから選ば
れた族に属する金属から選択されるが、一般式（１）の
金属元素Ｍとは異なる金属の組合せで使用される。金属
元素Ｑとしては、鉄、コバルト、ニッケル、パラジウ
ム、銅、亜鉛、カドミウム等があげられ、単独でもしく
は２種以上あわせて選択される。具体的な代表例として
は、ＭｇＯ、ＣaＯ、ＮiＯｙ（０．５≦ｙ≦２）、Ｃo
Ｏｙ（１≦ｙ≦２）、ＰｂＯｙ（０．５≦ｙ≦２）、Ｓ
ｎＯｙ（１≦ｙ≦２）、ＺｎＯ、ＦeＯｙ（１≦ｙ≦
１．５）、ＣuＯｙ（０．５≦ｙ≦１）、TiＯｙ（１≦
ｙ≦２）、ＰｂＯｙ（１≦ｙ≦２）等があげられる。そ
して一般式（１）と（２）との関係では、ＭｇＯ・Ｈ2
Ｏ、Ａｌ2Ｏ3・ｙＨ2Ｏの金属水酸化物Ｆe2Ｏ3、ＮiＯ
の金属酸化物の組合せが好適である。そして、上記式
（１）及び（２）で表される金属水酸化物と金属酸化物
は粒状物であり、レーザー式粒度測定機による平均粒径
０．１〜３０μｍのものが好適に用いられる。
（ロ）、金属水酸化物（ハ）とともに使用される（２）
式で表せる金属酸化物（ニ）の金属元素を示すＱは、周
期律表のIVa、Va、VIa、VIIa、VIII、Ib、IIbから選ば
れた族に属する金属から選択されるが、一般式（１）の
金属元素Ｍとは異なる金属の組合せで使用される。金属
元素Ｑとしては、鉄、コバルト、ニッケル、パラジウ
ム、銅、亜鉛、カドミウム等があげられ、単独でもしく
は２種以上あわせて選択される。具体的な代表例として
は、ＭｇＯ、ＣaＯ、ＮiＯｙ（０．５≦ｙ≦２）、Ｃo
Ｏｙ（１≦ｙ≦２）、ＰｂＯｙ（０．５≦ｙ≦２）、Ｓ
ｎＯｙ（１≦ｙ≦２）、ＺｎＯ、ＦeＯｙ（１≦ｙ≦
１．５）、ＣuＯｙ（０．５≦ｙ≦１）、TiＯｙ（１≦
ｙ≦２）、ＰｂＯｙ（１≦ｙ≦２）等があげられる。そ
して一般式（１）と（２）との関係では、ＭｇＯ・Ｈ2
Ｏ、Ａｌ2Ｏ3・ｙＨ2Ｏの金属水酸化物Ｆe2Ｏ3、ＮiＯ
の金属酸化物の組合せが好適である。そして、上記式
（１）及び（２）で表される金属水酸化物と金属酸化物
は粒状物であり、レーザー式粒度測定機による平均粒径
０．１〜３０μｍのものが好適に用いられる。
【０００９】無機質充填材（ホ）としては石英ガラス粉
末、タルク、シリカ粉末、アルミナ粉末、炭酸カルシウ
ム、窒化ホウ素、窒化ケイ素およびカーボンブラック粉
末等があげられる。特に、シリカ粉末を用いるのが好適
である。このような無機質充填材は、金属水酸化物、金
属酸化物を加算した無機物全体重量がエポキシ樹脂組成
物全重量に対して６０〜９２重量％に設定するのが好ま
しい。そして、上記金属水酸化物と酸化物の含有量は全
組成物重量の４〜４０％であることが好ましい。その理
由は４重量％未満では難燃効果が劣り、４０重量％を越
えると耐半田性や高温信頼性が低下するからである。こ
の時併用される一般式（２）で表せる金属酸化物は金属
水酸化物に対して重量で１０〜５０％の割合で一般には
用いられる。１０％未満では難燃化効果が低く、また５
０％を越えると高温信頼性が低下するためである。また
場合によっては一般式（１）、（２）で表される、金属
水酸化物と金属酸化物の複合形態である複合金属水酸化
物を用いることができる。具体的な代表例としてｓ（Ｍ
ｇＯ）・１−ｓ（ＮiＯ）・ｃＨ2Ｏ（０＜ｓ＜１、０＜
ｃ≦１）、ｓ（Ａｌ２Ｏ３）・１−ｓ（Ｆe2Ｏ3）・ｃ
Ｈ2Ｏ（０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦３）などが挙げられる。
特に複合水酸化物を使用した場合には、樹脂組成物全体
の３〜３０重量％でその難燃化効果を発揮できる。この
場合も３％未満では難燃化効果が低く、３０％を越える
と高温信頼性や半田耐熱性が低下するためである。複合
水酸化物の中では、特に酸化マグネシウム・酸化ニッケ
ルの水和物が特に好ましく使用する事ができる。
末、タルク、シリカ粉末、アルミナ粉末、炭酸カルシウ
ム、窒化ホウ素、窒化ケイ素およびカーボンブラック粉
末等があげられる。特に、シリカ粉末を用いるのが好適
である。このような無機質充填材は、金属水酸化物、金
属酸化物を加算した無機物全体重量がエポキシ樹脂組成
物全重量に対して６０〜９２重量％に設定するのが好ま
しい。そして、上記金属水酸化物と酸化物の含有量は全
組成物重量の４〜４０％であることが好ましい。その理
由は４重量％未満では難燃効果が劣り、４０重量％を越
えると耐半田性や高温信頼性が低下するからである。こ
の時併用される一般式（２）で表せる金属酸化物は金属
水酸化物に対して重量で１０〜５０％の割合で一般には
用いられる。１０％未満では難燃化効果が低く、また５
０％を越えると高温信頼性が低下するためである。また
場合によっては一般式（１）、（２）で表される、金属
水酸化物と金属酸化物の複合形態である複合金属水酸化
物を用いることができる。具体的な代表例としてｓ（Ｍ
ｇＯ）・１−ｓ（ＮiＯ）・ｃＨ2Ｏ（０＜ｓ＜１、０＜
ｃ≦１）、ｓ（Ａｌ２Ｏ３）・１−ｓ（Ｆe2Ｏ3）・ｃ
Ｈ2Ｏ（０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦３）などが挙げられる。
特に複合水酸化物を使用した場合には、樹脂組成物全体
の３〜３０重量％でその難燃化効果を発揮できる。この
場合も３％未満では難燃化効果が低く、３０％を越える
と高温信頼性や半田耐熱性が低下するためである。複合
水酸化物の中では、特に酸化マグネシウム・酸化ニッケ
ルの水和物が特に好ましく使用する事ができる。
【００１０】さらに、硬化した樹脂組成物（硬化体）
は、つぎのようにして抽出された抽出水中の塩素イオン
濃度が硬化体１ｇあたり１００μｇ以下であることが好
ましい。すなわち、硬化体５ｇと蒸留水５０ｃｃを専用
の抽出容器に入れ、この容器を１６０℃の乾燥機内に２
０時間放置して抽出水を抽出する。そして、上記抽出水
をイオンクロマト分析して塩素イオン量（Ｘ）を測定す
る。この塩素イオン量（Ｘ）は硬化体中のイオン量を１
０倍に希釈した値であるため、下記に示す式により硬化
体１ｇあたりの塩素イオン量を算出する。 硬化体１ｇあたりの塩素イオン量（μｇ）＝Ｘ×（５０
／５） すなわち、硬化体の抽出水中に含有される塩素イオン濃
度が高いと、素子、リードフレーム等の腐食が発生した
り、耐湿性が劣化するようになるからである。
は、つぎのようにして抽出された抽出水中の塩素イオン
濃度が硬化体１ｇあたり１００μｇ以下であることが好
ましい。すなわち、硬化体５ｇと蒸留水５０ｃｃを専用
の抽出容器に入れ、この容器を１６０℃の乾燥機内に２
０時間放置して抽出水を抽出する。そして、上記抽出水
をイオンクロマト分析して塩素イオン量（Ｘ）を測定す
る。この塩素イオン量（Ｘ）は硬化体中のイオン量を１
０倍に希釈した値であるため、下記に示す式により硬化
体１ｇあたりの塩素イオン量を算出する。 硬化体１ｇあたりの塩素イオン量（μｇ）＝Ｘ×（５０
／５） すなわち、硬化体の抽出水中に含有される塩素イオン濃
度が高いと、素子、リードフレーム等の腐食が発生した
り、耐湿性が劣化するようになるからである。
【００１１】なお、本発明に用いられる樹脂組成物に
は、上記成分以外に、硬化促進剤、顔料、離型剤、可と
う性付与剤等を必要に応じて適宜に添加することができ
る。上記顔料としては、カーボンブラック、酸化チタン
等があげられる。上記離型剤としては、パラフィンや脂
肪酸エステル、脂肪酸塩等があげられる。上記可とう性
付与剤としては、シランカップリング剤等のカップリン
グ剤及びシリコーン樹脂やブタジエンーアクリロニトリ
ルゴム等があげられる。また本発明では有機系の難燃剤
の併用もより金属水酸化物の使用量を低減できるので都
合がよい。代表的な難燃剤としては、メラミン誘導体、
シアヌレート誘導体、イソシアヌレート誘導体など複素
環骨格を有する化合物が用いられる。
は、上記成分以外に、硬化促進剤、顔料、離型剤、可と
う性付与剤等を必要に応じて適宜に添加することができ
る。上記顔料としては、カーボンブラック、酸化チタン
等があげられる。上記離型剤としては、パラフィンや脂
肪酸エステル、脂肪酸塩等があげられる。上記可とう性
付与剤としては、シランカップリング剤等のカップリン
グ剤及びシリコーン樹脂やブタジエンーアクリロニトリ
ルゴム等があげられる。また本発明では有機系の難燃剤
の併用もより金属水酸化物の使用量を低減できるので都
合がよい。代表的な難燃剤としては、メラミン誘導体、
シアヌレート誘導体、イソシアヌレート誘導体など複素
環骨格を有する化合物が用いられる。
【００１２】本発明のエポキシ樹脂組成物は、例えば次
のようにして製造することができる。すなわち、疎水性
エポキシ樹脂（イ成分）、硬化剤（ロ成分）、金属水酸
化物（ハ成分）、金属酸化物（ニ成分）、無機質充填材
（ホ成分）ならびに必要に応じて他の添加剤を所定の割
合で配合する。ついで、この混合物をミキシングロール
機等の混練機を用いて加熱状態で溶融混練して、これを
室温に冷却する。そして、公知の手段によって粉砕し、
必要に応じて打錠するという一連の工程によって目的と
するエポキシ樹脂組成物を製造することができる。この
ようにして得られるエポキシ樹脂組成物を用いての半導
体素子の封止方法は、特に限定するものではなく、通常
のトランスファー成形等の公知の成形方法によって行う
ことができる。
のようにして製造することができる。すなわち、疎水性
エポキシ樹脂（イ成分）、硬化剤（ロ成分）、金属水酸
化物（ハ成分）、金属酸化物（ニ成分）、無機質充填材
（ホ成分）ならびに必要に応じて他の添加剤を所定の割
合で配合する。ついで、この混合物をミキシングロール
機等の混練機を用いて加熱状態で溶融混練して、これを
室温に冷却する。そして、公知の手段によって粉砕し、
必要に応じて打錠するという一連の工程によって目的と
するエポキシ樹脂組成物を製造することができる。この
ようにして得られるエポキシ樹脂組成物を用いての半導
体素子の封止方法は、特に限定するものではなく、通常
のトランスファー成形等の公知の成形方法によって行う
ことができる。
【００１３】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
明する。
【実施例１〜７、比較例１〜５】表１に示す金属水酸化
物、金属酸化物ならびに下記の表２に示す各成分を同表
に示す割合で配合し、ミキシングロール機（温度１００
℃）で３分間溶融混練を行い、冷却固化した後粉砕して
目的とする粉末状熱硬化性樹脂組成物を得た。このよう
に実施例および比較例によって得られた熱硬化性樹脂組
成物を用い、半導体素子をトランスファー成形（条件：
１７５℃×２分）し、１７５℃×５時間で後硬化するこ
とにより半導体装置を得た。この半導体装置は、８０ピ
ンＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ、サイズ：２０
×１４×２mm）であり、ダイパッドサイズは８×８mmで
ある。このようにして得られた半導体装置について、８
５℃／８５％相対湿度の高温槽中に９６時間放置して吸
湿させた後、加熱温度２４０℃で９０秒間赤外リフロー
して半田耐熱性を評価した。また上記半導体装置を２０
０℃で放置して故障率５０％になる時間を測定する高温
放置試験を行った。さらに、厚み１／１６インチの試験
片を成形し、ＵＬ９４ Ｖ−０規格の方法に従って難燃
性を評価した。また、硬化物を粉砕して熱重量分析を行
い、熱分解開始温度と２６０℃での加熱減量を測定し
た。曲げ試験は時ＪＩＳ Ｋ−６９１１ に従って行い
曲げ強度を求めた。これらの結果を下記の表３に示す。
物、金属酸化物ならびに下記の表２に示す各成分を同表
に示す割合で配合し、ミキシングロール機（温度１００
℃）で３分間溶融混練を行い、冷却固化した後粉砕して
目的とする粉末状熱硬化性樹脂組成物を得た。このよう
に実施例および比較例によって得られた熱硬化性樹脂組
成物を用い、半導体素子をトランスファー成形（条件：
１７５℃×２分）し、１７５℃×５時間で後硬化するこ
とにより半導体装置を得た。この半導体装置は、８０ピ
ンＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ、サイズ：２０
×１４×２mm）であり、ダイパッドサイズは８×８mmで
ある。このようにして得られた半導体装置について、８
５℃／８５％相対湿度の高温槽中に９６時間放置して吸
湿させた後、加熱温度２４０℃で９０秒間赤外リフロー
して半田耐熱性を評価した。また上記半導体装置を２０
０℃で放置して故障率５０％になる時間を測定する高温
放置試験を行った。さらに、厚み１／１６インチの試験
片を成形し、ＵＬ９４ Ｖ−０規格の方法に従って難燃
性を評価した。また、硬化物を粉砕して熱重量分析を行
い、熱分解開始温度と２６０℃での加熱減量を測定し
た。曲げ試験は時ＪＩＳ Ｋ−６９１１ に従って行い
曲げ強度を求めた。これらの結果を下記の表３に示す。
【００１４】実施例１に於ては金属水酸化物と金属酸化
物総量は全組成物重量の３２％であって、硬化後の曲げ
強度は１５ｋｇ／ｍｍ２、の硬化物が得られた。この組
成物の高温信頼性、半田耐熱性は優れ、難燃レベルも９
４ Ｖ−０であった。一方比較例１では従来技術のブロ
ム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン併用で難燃化した
ものであるが、この場合は高温信頼性に劣る。また比較
例２では金属水酸化物と金属酸化物総量を併用している
が曲げ強度が１３ｋｇ／ｍｍ2と低く半田耐熱性に劣
る。比較例３では加熱減量が多く、塩素イオン濃度も高
い組成のため、半田耐熱性と高温信頼性が悪かった。
物総量は全組成物重量の３２％であって、硬化後の曲げ
強度は１５ｋｇ／ｍｍ２、の硬化物が得られた。この組
成物の高温信頼性、半田耐熱性は優れ、難燃レベルも９
４ Ｖ−０であった。一方比較例１では従来技術のブロ
ム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン併用で難燃化した
ものであるが、この場合は高温信頼性に劣る。また比較
例２では金属水酸化物と金属酸化物総量を併用している
が曲げ強度が１３ｋｇ／ｍｍ2と低く半田耐熱性に劣
る。比較例３では加熱減量が多く、塩素イオン濃度も高
い組成のため、半田耐熱性と高温信頼性が悪かった。
【００１５】実施例２〜４は金属水酸化物と金属酸化物
の全重量に対する割合を１８〜４０％の範囲で変えたも
のであるが、曲げ強度も１５〜１７ｋｇ／ｍｍ２となっ
ており、難燃レベル、高温信頼性、半田耐熱性も良好で
あった。一方比較例４では金属水酸化物のみで難燃化を
図ったため半田耐熱性が悪かった。また比較例５では金
属水酸化物を用いていないため難燃性レベルに劣った。
の全重量に対する割合を１８〜４０％の範囲で変えたも
のであるが、曲げ強度も１５〜１７ｋｇ／ｍｍ２となっ
ており、難燃レベル、高温信頼性、半田耐熱性も良好で
あった。一方比較例４では金属水酸化物のみで難燃化を
図ったため半田耐熱性が悪かった。また比較例５では金
属水酸化物を用いていないため難燃性レベルに劣った。
【００１６】実施例５では複合水酸化物を全重量の３０
％用いたもので、曲げ強度も１５ｋｇ／ｍｍ２であり、
難燃性レベル、高温信頼性、半田耐熱性の優れた結果を
得た。実施例６では複合金属水酸化物と金属酸化物の併
用系であるが、曲げ強度が１６ｋｇ／ｍｍ２であり、難
燃性レベル、高温信頼性、半田耐熱性に優れた結果が得
られた。また実施例７では金属水酸化物と金属酸化物
（総量が全重量の３２％）に加え、有機難燃剤としてメ
ラミンを加えた系であるがこの場合も、難燃性レベル、
高温信頼性、半田耐熱性に優れた結果が得られた。
％用いたもので、曲げ強度も１５ｋｇ／ｍｍ２であり、
難燃性レベル、高温信頼性、半田耐熱性の優れた結果を
得た。実施例６では複合金属水酸化物と金属酸化物の併
用系であるが、曲げ強度が１６ｋｇ／ｍｍ２であり、難
燃性レベル、高温信頼性、半田耐熱性に優れた結果が得
られた。また実施例７では金属水酸化物と金属酸化物
（総量が全重量の３２％）に加え、有機難燃剤としてメ
ラミンを加えた系であるがこの場合も、難燃性レベル、
高温信頼性、半田耐熱性に優れた結果が得られた。
【００１７】
【表１】
【表２】
【表３】
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体装置は、
前記一般式（１）及び（２）で表される金属水酸化物と
金属酸化物を含有する疎水性エポキシ樹脂組成物を用い
て半導体素子が封止されている。このため、高温に放置
しても難燃剤として臭素化エポキシ樹脂を使用する場合
と比較すると臭素の影響がないためアルミニウム配線の
腐食が生起せず、高温信頼性が向上して長寿命になる。
また、吸湿量の少ない疎水性エポキシ樹脂を使用してい
るため、吸湿した状態で、半田付け処理した場合におい
ても半導体装置のクラックが発生しにくい。さらに、有
害なハロゲン化物や三酸化アンチモンを使用せずに難燃
性の付与が可能となることから、安全性が非常に高く環
境上有利に使用できる。さらに疎水性エポキシ樹脂を用
いているので硬化物の吸水性も低下し、半田耐熱性に対
して非常に優れた硬化を与える。このように、本発明の
半導体装置は、無公害な難燃化技術、しかも半導体装置
の信頼性を格段に向上させる技術を提供するものであ
り、産業上の利用価値は極めて高いものである。
前記一般式（１）及び（２）で表される金属水酸化物と
金属酸化物を含有する疎水性エポキシ樹脂組成物を用い
て半導体素子が封止されている。このため、高温に放置
しても難燃剤として臭素化エポキシ樹脂を使用する場合
と比較すると臭素の影響がないためアルミニウム配線の
腐食が生起せず、高温信頼性が向上して長寿命になる。
また、吸湿量の少ない疎水性エポキシ樹脂を使用してい
るため、吸湿した状態で、半田付け処理した場合におい
ても半導体装置のクラックが発生しにくい。さらに、有
害なハロゲン化物や三酸化アンチモンを使用せずに難燃
性の付与が可能となることから、安全性が非常に高く環
境上有利に使用できる。さらに疎水性エポキシ樹脂を用
いているので硬化物の吸水性も低下し、半田耐熱性に対
して非常に優れた硬化を与える。このように、本発明の
半導体装置は、無公害な難燃化技術、しかも半導体装置
の信頼性を格段に向上させる技術を提供するものであ
り、産業上の利用価値は極めて高いものである。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (12)
- 【請求項１】硬化物の熱分解開始温度が２６０℃以上で
あり、且つ硬化物の曲げ強度が１４ｋｇ／ｍｍ2以上で
ある下記の（イ）〜（ホ）成分を含有する半導体封止用
エポキシ樹脂組成物。 (イ)疎水性エポキシ樹脂 (ロ)硬化剤 (ハ)下記の一般式(１)で表される金属水酸化物 ｎ（ＭａＯｂ）・ｃＨ2Ｏ ・・・（1） ［上記式（1）において、Ｍは金属元素であり、ａ、
ｂ、ｃは正数、ｎは１以上の正数である。］ （ニ）下記の一般式(2)で表される金属酸化物 ｎ’（ＱｄＯｅ） ・・・（２） ［上記式（２）において、Ｑは周期律表のIVa、Va、VI
a、VIIa、VIII、Ib、IIbから 選ばれた族に属する金属
元素であり、ｄ、ｅは正数、ｎ’は１以上の正数であ
り、ＭとＱは異なる金属の組合せで使用される。］ （ホ）無機質充填材 - 【請求項２】一般式（１）で表される金属水酸化物中の
金属元素を示すＭが、アルミニウム、マグネシウム、カ
ルシウム、ニッケル、コバルト、スズ、亜鉛、銅、鉄、
チタンおよびホウ素からなる群から選ばれた少なくとも
一つの金属である請求項１記載の半導体封止用エポキシ
樹脂組成物。 - 【請求項３】一般式（２）で表される金属酸化物中の金
属元素を示すＱが、鉄、コバルト、ニッケル、パラジウ
ム、銅、亜鉛およびカドミウムからなる群から選ばれた
少なくとも一つの金属である請求項１または２記載の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項４】一般式（１）及び（２）で表される金属酸
化物と金属水酸化物が複合化した複合化金属水酸化物で
あることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記
載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項５】複合化金属水酸化物がｓＭｇＯ・（１−
ｓ）ＮiＯ・ｃＨ２Ｏ［０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦１］から
なる請求項４に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項６】一般式（１）で示される金属水酸化物と一
般式（２）で示される金属酸化物の使用量が組成物全重
量の４〜４０％である請求項１〜３のいずれか一項に記
載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項７】複合化金属水酸化物の使用量が組成物全重
量の３〜３０％含んでなる請求項４、５項記載の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項８】(イ)成分である疎水性エポキシ樹脂がビフ
ェノール型エポキシ樹脂である請求項１〜７のいずれか
一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項９】硬化後の塩素イオン濃度が、組成物硬化体
１ｇあたり１００μｇ以下である請求項１〜８のいずれ
か一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項１０】有機系難燃剤を含有した請求項１〜９の
いずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項１１】組成物の硬化体が１／１６インチ厚みの
ＵＬ９４燃焼試験において、Ｖ−０相当の難燃性を示す
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物。 - 【請求項１２】請求項１〜１１のいずれか一項に記載の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物で半導体素子を封止し
て得られる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25775595A JPH09100337A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25775595A JPH09100337A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09100337A true JPH09100337A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17310652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25775595A Pending JPH09100337A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09100337A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998047968A1 (en) * | 1997-04-21 | 1998-10-29 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device sealed with the same, and process for preparing semiconductor device |
| JP2007131861A (ja) * | 2006-12-28 | 2007-05-31 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
| US7345102B2 (en) | 2003-10-16 | 2008-03-18 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same |
| DE19932399B4 (de) * | 1998-07-17 | 2009-04-09 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Verfahren, bei dem eine Halbleitervorrichtung hergestellt wird |
| US7846998B2 (en) | 2004-03-03 | 2010-12-07 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Sealant epoxy-resin molding material, and electronic component device |
-
1995
- 1995-10-04 JP JP25775595A patent/JPH09100337A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998047968A1 (en) * | 1997-04-21 | 1998-10-29 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device sealed with the same, and process for preparing semiconductor device |
| US6319619B1 (en) | 1997-04-21 | 2001-11-20 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device sealed with the same, and process for preparing semiconductor device |
| KR100346974B1 (ko) * | 1997-04-21 | 2002-07-31 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 밀봉용 수지조성물 및 그를 이용한 반도체장치 및 반도체장치의 제법 |
| DE19932399B4 (de) * | 1998-07-17 | 2009-04-09 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Verfahren, bei dem eine Halbleitervorrichtung hergestellt wird |
| US7345102B2 (en) | 2003-10-16 | 2008-03-18 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same |
| US7846998B2 (en) | 2004-03-03 | 2010-12-07 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Sealant epoxy-resin molding material, and electronic component device |
| JP2007131861A (ja) * | 2006-12-28 | 2007-05-31 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040608 |