KR100346974B1 - 반도체 밀봉용 수지조성물 및 그를 이용한 반도체장치 및 반도체장치의 제법 - Google Patents

반도체 밀봉용 수지조성물 및 그를 이용한 반도체장치 및 반도체장치의 제법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 안전성은 물론 내습성 및 난연성이 우수함과 동시에 성형성이 뛰어난 반도체 밀봉용 수지조성물과, 상기 반도체 밀봉용 수지조성물을 이용하여 반도체소자를 수지 밀봉하여 얻어지는 신뢰성이 우수한 반도체장치에 관한 것으로서, 본 발명은 열경화성 수지 및 경화제와 함께 하기 화학식 1로 나타내는 다면체형상의 복합화 금속 수산화물을 함유하는 반도체 밀봉용 수지조성물이며,
(화학식 1)
m(MaOb)·n(QdOe)·cH2O
(상기 화학식 1에 있어서 M과 Q는 서로 다른 금속원소이고, Q는 주기율표의 IVa, Va, VⅠa, VⅡa, VⅢ, Ⅰb, Ⅱb에서 선택된 족에 속하는 금속원소이다. 또, m, n, a, b, c, d, e는 정수로서 서로 동일한 값이라도 좋고, 다른 값이라도 좋다.)
본 발명에 의하면, 수지조성물의 유동성의 저하가 억제되고, 트랜스퍼 성형시 등에 있어서 문제가 생기지 않고, 성형성의 향상을 도모할 수 있으며, 또한 땜납특성이 향상됨과 동시에 기계적 강도가 향상되는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 밀봉용 수지조성물 및 그를 이용한 반도체장치 및 반도체장치의 제법{SEMICONDUCTOR SEALING RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR DEVICE SEALED WITH THE SAME, AND PROCESS FOR PREPARING SEMICONDUCTOR DEVICE}
트랜지스터, IC, LSI 등의 반도체소자는 종래 세라믹 등에 의해 밀봉되어 반도체장치화되고 있지만, 최근에는 비용, 양산성의 관점에서 플라스틱을 이용한 수지밀봉형 반도체장치가 주류를 이루고 있다. 이 종류의 수지밀봉에는 종래로부터 에폭시 수지조성물이 이용되고 있어 양호한 성과를 거두고 있다. 그러나, 반도체 분야의 기술 혁신에 따라 집적도의 향상과 함께 소자크기의 대형화, 배선의 미세화가 진행되고, 패키지도 소형화, 박형화하는 경향에 있어, 이에 따라 밀봉재료에 대해서 보다 나은 신뢰성의 향상이 요망되고 있다.
한편, 반도체장치 등의 전자부품은 난연성의 규격인 UL94 V-0에 적합한 것이 필요 불가결이며, 종래부터 반도체 밀봉용 수지조성물에 난연작용을 부여하는 방법으로서 브롬화 에폭시수지 및 산화안티몬을 첨가하는 방법이 일반적으로 실시되고 있다.
그러나, 상기 난연화 부여기술에 관해서 2개의 큰 문제가 있었다.
제 1 문제점으로서 삼산화 안티몬 자체의 유해성, 연소시에 브롬화수소, 브롬계 가스, 브롬화안티몬 등의 발생에 의한 인체의 유해성이나 기기의 부식성이 문제가 되고 있다.
제 2 문제점으로서는 상기 난연화 부여기술을 채용한 반도체장치를 고온에서 장시간 방치하면, 유리된 브롬의 영향으로 반도체 소자상의 알루미늄 배선이 부식하여, 반도체장치의 고장의 원인이 되어 고온신뢰성의 저하가 문제가 되고 있다.
상기의 문제점을 해결하기 위해서, 난연제로서 비할로겐-비안티몬계인 금속수산화물을 무기난연제로서 첨가하는 방법이 제안되고 있다. 그러나, 이 방법에서는 대량의(예를 들면 40중량%이상의) 금속수산화물을 사용해야하므로, 결과적으로 새로운 문제가 생기게 된다.
제 1 문제점은 납땜시에 반도체장치의 블리스터(blister)나, 크랙이 발생하기 쉽다는 점이다. 최근, 반도체장치의 실장방법으로서 표면실장이 주류를 이루고 있고, 납땜시에는 땜납 침적, 적외리플로우, 베이퍼페이스리플로우 등의 땜납처리방법이 선택되어 사용된다. 어떠한 처리를 채용하여도 반도체장치가 고온(통상 215∼260℃)에 노출되기 때문에, 종래의 금속수산화물이 첨가된 수지조성물을 이용하는 수지밀봉에 의한 반도체장치는 금속수산화물의 흡수량이 많아지기 때문에 흡수한 수분의 급격한 기화에 의해 반도체장치의 블리스터나 크랙이 발생하는 이른바내땜납성의 저하라는 문제가 생기고 있다.
제 2 문제점으로서 내습신뢰성에 관하여 80∼200℃, 상대습도 70∼100%의 고온고습환경하에서 반도체소자 기능이 저하하는 점이다. 또, 발열량이 큰 반도체소자나 자동차의 엔진주위에 탑재하는 반도체장치 등에서는 장기간의 사용에 의해 탈수반응이 생기기 때문에 내습신뢰성이 저하하는 문제가 생길 가능성이 있다.
이렇게 종래의 난연화 기술은 상기와 같은 문제가 생기기 때문에, 연소시에 유해가스의 발생이 없는 안전한 재료로서 반도체장치의 납땜시에 있어서 금속수산화물의 탈수에 의한 반도체장치의 블리스터나 크랙을 일으키지 않고, 장기간의 고온고습 분위기하에 방치하여도 반도체소자 상의 알루미늄 배선의 부식이나 내습신뢰성의 저하가 생기지 않는 난연화 기술의 개발이 강하게 요구되고 있다. 그래서, 본 출원인은 열경화성 수지 및 경화제와 함께 금속수산화물과 금속산화물 또는 이들의 복합화 금속수산화물을 병용한 반도체 밀봉용 열경화성 수지조성물을 제안하여 상기 문제점의 해결을 도모하였다(일본국 특원평 7-507466호 공보). 이 반도체 밀봉용 열경화성 수지조성물을 이용함으로써 확실하게 난연성 및 내습신뢰성의 향상효과는 얻었지만, 새로운 문제가 발생하였다. 즉, 최근 반도체 패키지는 보다 박형화 경향에 있지만, 트랜스퍼 성형 등의 패키지 성형시에 있어서 밀봉재료가 되는 수지조성물의 유동성이 저하하여 금와이어의 변형이 발생하는 등, 성형성의 현저한 저하가 문제가 되고 있다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로 안전성은 물론, 내습신뢰성 및 난연성이 우수함과 동시에 성형성이 우수한 반도체 밀봉용 수지조성물 및그를 이용한 반도체장치 및 반도체장치의 제법의 제공을 목적으로 한다.
본 발명은 난연성, 내땜납성, 내습신뢰성 및 유동성이 우수한 반도체 밀봉용 수지조성물 및 그를 이용한 반도체장치 및 반도체장치의 제법에 관한 것이다.
도 1은 종래의 복합화 금속수산화물의 결정형상의 하나인 육각판형상을 나타내는 사시도이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 하기의 (가)∼(다)성분을 함유하는 반도체 밀봉용 수지조성물을 제 1 요지로 한다.
(가)열경화성 수지.
(나)경화제.
(다)하기의 화학식 1로 나타내는 다면체 형상의 복합화 금속수산화물.
m(MaOb)·n(QdOe)·cH2O
(상기 화학식 1에 있어서, M과 Q는 서로 다른 금속원소이고, Q는 주기율표의 IVa, Va, VⅠa, VⅡa, VⅢ, Ⅰb, Ⅱb에서 선택된 족에 속하는 금속원소이다. 또, m, n, a, b, c, d, e는 정수로서 서로 동일한 값이라도 좋고, 다른 값이라도 좋다.)
또, 본 발명은 상기 반도체 밀봉용 수지조성물을 이용하여 반도체소자를 밀봉하여 이루어지는 반도체장치를 제 2의 요지로 한다.
그리고, 본 발명은 상기 반도체 밀봉용 수지조성물을 이용하여 트랜스퍼 성형법에 의해 반도체소자를 수지 밀봉하여 반도체장치를 제조하거나 또는 상기 반도체 밀봉용 수지조성물로 이루어지는 시트형상 밀봉재료를 이용하여 반도체장치를 제조하는 반도체장치의 제법을 제 3의 요지로 한다.
또한, 본 발명의 반도체 밀봉용 수지조성물에 있어서 (다)성분의 다면체형상의 복합화 금속수산화물로는 도 1에 도시한 바와 같은 육각판형상을 갖는 것, 또는 비늘조각형상 등과 같이 이른바 두께가 얇은 평판형상의 결정형상을 갖는 것은 아니고, 종, 횡과 함께 두께방향(c축방향)으로의 결정 성장이 큰, 예를 들면 판형상 결정이 두께방향(c축방향)으로 결정 성장하여 보다 입체적인 동시에 구형상에 근사한 입자형상의 결정형상, 예를 들면 대략 8면체, 대략 4면체 등의 형상을 갖는 복합화 금속수산화물을 말한다. 물론, 상기 다면체형상은 결정의 성장의 방식 이외에도 분쇄나 밀링(milling) 등에 의해서도 다면체의 형상은 변화시킬 수 있다.
본 발명자들은 안전성은 물론 내땜납성, 내습신뢰성 및 난연성이 우수함과 동시에 유동성에서도 뛰어난 반도체 밀봉용 수지조성물을 얻기 위해서 일련의 연구를 실시하였다. 이 연구를 실시할 때에 우선, 상기 복합화 금속수산화물 함유의 반도체 밀봉용 수지조성물을 이용한 때의 유동성의 저하원인을 밝혀내는 연구를 거듭하였다. 그 결과, 상기 유동성의 저하가 복합화 금속수산화물의 결정형상에 기인하는 것이라는 것을 밝혀냈다. 즉, 통상 복합화 금속수산화물의 결정형상은 기본적으로 육각판형상 또는 비늘조각형상과 같은 평판형상이고, 이러한 결정형상을 갖는 복합화 금속수산화물을 함유한 수지조성물을 이용하여 트랜스퍼 성형과 같은 밀봉공정에 있어서는 유동성이 현저하게 저하하고, 그 결과 금와이어의 변형 등이 발생하는 식견을 얻었다. 그리고 이 식견에 기초하여 상기 유동성의 저하의 억제를 목적으로 더욱 연구를 실시하였다. 그 결과, 상기 복합화 금속수산화물로서 특정의 평균입자직경을 가짐과 동시에 종래와 같은 육각판형상 또는 비늘조각형상과 같은 평판형상을 갖는 것이 아닌, 종, 횡과 함께 두께방향으로의 결정성장이 큰 다면체의 복합화 금속수산화물을 이용하면, 수지조성물의 유동성의 저하가 억제되어 트랜스퍼 성형시 등에서 문제가 생기지 않고, 성형성의 향상이 도모되는 것을 발견하여 본 발명에 도달하였다.
또한 상기 결정형상을 갖는 특수한 복합화 금속수산화물의 평균 입자직경이 0.5∼10㎛인 경우에는 우수한 난연효과와 동시에 그 유동성의 저하가 억제되며 더 나아가서는 성형성의 향상이 실현된다.
또, 상기 복합화 금속수산화물의 애스팩트비가 1∼8인 경우에는 수지조성물의 점도의 저하효과가 발휘되고, 더 나아가서는 성형성의 향상이 실현된다. 그리고 상기 애스팩트비는 1∼8의 범위 중에서도 바람직한 것은 2∼7이다.
다음에 본 발명의 실시형태를 자세하게 설명한다.
본 발명에 관한 반도체 밀봉용 수지조성물은 열경화성 수지((가)성분)와, 경화제((나)성분)와, 특정의 복합화 금속수산화물((다)성분)을 이용하여 얻어지는 것이고, 통상 분말형상 또는 이것을 정제로 만든 정제형상으로 되어 있다. 또는 수지조성물을 용융 혼련한 후, 대략 원주형상 등의 과립체로 성형한 과립형상, 또는 시트형상으로 성형한 시트형상의 밀봉재료로 되어 있다.
상기 열경화성수지((가)성분)로서는 에폭시수지, 폴리말레이미드수지, 불포화폴리에스테르수지, 페놀수지 등을 들 수 있다. 특히, 본 발명에 있어서는 에폭시수지, 폴리말레이미드수지를 이용하는 것이 바람직하다.
상기 에폭시수지로서는 특별히 한정되는 것은 아니고 종래 공지의 것이 이용된다. 예를 들면 비스페놀 A형, 페놀노볼락형, 크레졸노볼락형, 비페닐형 등을 들 수 있다.
또, 상기 폴리말레이미드수지로서는 특별히 한정되는 것은 아니고 종래 공지의 것이 이용되며, 1분자 속에 2개 이상의 말레이미드기를 갖는 것이다. 예를 들면 N,N'-4,4'-디페닐메탄비스말레이미드, 2,2-비스-[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]프로판 등을 들 수 있다.
상기 열경화성수지((가)성분)와 함께 이용되는 경화제((나)성분)로서는 예를 들면 페놀수지, 산무수물, 아민화합물 등 종래 공지된 것이 이용된다. 그리고, 상기 열경화성수지로서 에폭시수지를 이용하는 경우, 페놀수지가 바람직하게 이용된다. 상기 페놀수지로서는 페놀노볼락, 크레졸노볼락, 비스페놀 A형 노볼락, 나프톨노볼락 및 페놀아랄킬수지 등을 들 수 있다. 그리고, 상기 에폭시수지로서 비페닐형 에폭시수지를 이용하는 경우에는 그 경화제로서 페놀아랄킬수지를 이용하는것이 바람직하다.
또, 열경화성수지로서 폴리말레이미드수지를 이용할 때의 경화제로서는 특별히 한정되는 것은 아니고 종래 공지의 것이 이용된다. 예를 들면 상기 에폭시수지용 경화제를 할로겐화 아릴과 알칼리의 존재하에서 반응시켜 얻어지는 알케닐페놀류나 아민류를 들 수 있다.
그리고, 상기 열경화성수지((가)성분)가 에폭시수지이고, 상기 경화제((나)성분)가 페놀수지인 경우의 양자의 함유비율은 상기 에폭시수지 중의 에폭시기 1당량당, 페놀수지 중의 수산기가 0.7∼1.3당량이 되도록 설정하는 것이 바람직하고, 그중에서도 0.9∼1.1당량이 되도록 설정하는 것이 특히 바람직하다.
상기 열경화성수지((가)성분) 및 경화제((나)성분)와 함께 이용되는 특정의 복합화 금속수산화물((다)성분)은 상기와 같이 하기의 화학식 1로 나타내고, 동시에 결정형상이 다면체 형상을 갖는 것이다.
(화학식 1)
m(MaOb)·n(QdOe)·cH2O
(상기 화학식 1에 있어서 M과 Q는 서로 다른 금속원소이고, Q는 주기율표의 IVa, Va, VⅠa, VⅡa, VⅢ, Ⅰb, Ⅱb에서 선택된 족에 속하는 금속원소이다. 또, m, n, a, b, c, d, e는 정수로서 서로 동일한 값이라도 좋고, 다른 값이라도 좋다.)
상기 화학식 1에서 나타내는 복합화 금속수산화물에 관하여 화학식 1 중의금속원소를 나타내는 M으로서는 Al, Mg, Ca, Ni, Co, Sn, Zn, Cu, Fe, Ti, B 등을 들 수 있다.
또, 상기 화학식 1에서 나타내는 복합화 금속산화물 중의 또 다른 하나의 금속원소를 나타내는 Q는 주기율표의 IVa, Va, VⅠa, VⅡa, VⅢ, Ⅰb, Ⅱb에서 선택된 족에 속하는 금속원소이다. 예를 들면, 철, 코발트, 니켈, 팔라듐, 동, 아연, 카드뮴 등을 들 수 있고, 단독으로 또는 2종이상 합해서 선택된다.
이러한 결정형상이 다면체형상을 갖는 복합화 금속수산화물은 복합화 금속수산화물의 제조공정에서 각종 조건 등을 억제함으로써, 종, 횡와 함께 두께방향(c축방향)으로의 결정성장이 큰 소망의 다면체형상, 예를 들면 대략 8면체, 대략 4면체 등의 형상을 갖는 복합화 금속수산화물을 얻을 수 있다.
본 발명에 이용되는 다면체형상의 복합화 금속수산화물은 그 일례로서 결정외형이 대략 8면체의 다면체 구조를 나타내며, 애스팩트비가 1∼8정도, 바람직하게는 2∼7로 조정되는 것으로, 예를 들면 화학식 1에서, M=Mg, Q=Zn의 경우에 대해서 설명하면, 다음과 같이 하여 제조할 수 있다. 즉, 우선 수산화마그네슘 수용액에 질산아연화합물을 첨가하고, 원료가 되는 부분복합화 금속수산화물을 제조한다. 이어서 이 원료를 800∼1500℃의 범위에서, 보다 바람직하게는 1000∼1300℃의 범위에서 소성함으로써 복합화 금속산화물을 제조한다. 이 복합화 금속산화물은 m(MgO)·n(ZnO)의 조성으로 나타내지만, 또한 초산을 상기 복합화 금속산화물에 대하여 약 0.1∼6mol% 공존하는 수매체중의 계에서 강하게 교반하면서 40℃이상의 온도로 수화반응시킴으로써 m(MgO)·n(ZnO)·cH2O로 나타내는 본 발명의 다면체형상을 갖는 복합화 금속수산화물을 제조할 수 있다.
상기 다면체 형상을 갖는 복합화 금속수산화물의 구체적인 대표예로서는 sMgO·(1-s)NiO·cH2O[0<s<1, 0<c≤1], sMgO·(1-s)ZnO·cH2O[0<s<1, 0<c≤1], sAl2O3·(1-s)Fe2O3·cH2O[0<s<1, 0<c≤3] 등을 들 수 있다. 그 중에서도 산화마그네슘·산화니켈의 수화물, 산화마그네슘·산화아연의 수화물이 특히 바람직하게 이용된다.
그리고, 상기 다면체형상을 갖는 복합화 금속수산화물((다)성분)은 레이저식 입자도측정기에 의한 평균입자직경 0.5∼10㎛의 범위의 것을 이용하는 것이 바람직하고, 보다 바람직한 것은 0.6∼6㎛이다. 즉, 상기 복합화 금속수산화물의 평균입자직경이 10㎛를 넘어 커지면, 난연효과가 저하하는 경향이 보이기 때문이다.
또, 상기 다면체형상을 갖는 복합화 금속수산화물((다)성분)은 애스팩트비가 1∼8, 특히 2∼7인 것이 더욱 바람직하다. 여기에서 말하는 애스팩트비는 복합화 금속수산화물의 긴 직경과 짧은 직경과의 비로 나타낸 것이다. 즉, 애스팩트비가 8을 넘으면, 이 복합화 금속수산화물을 함유하는 수지조성물이 용융한 때의 점도저하에 대한 효과가 부족하게 된다.
또한 본 발명에 있어서는 상기 (다)성분인 다면체형상의 복합화 금속수산화물과 함께 종래의 얇은 평판형상의 복합화 금속수산화물을 병용할 수 있다. 그리고, 본 발명의 반도체 밀봉용 수지조성물이 용융한 때의 점도저하의 효과의 발현이라는 점에서 이용되는 복합화 금속수산화물 전체(종래의 얇은 평판형상을 포함함) 중, 다면체형상의 복합화 금속수산화물이 차지하는 비율을 30∼100중량%의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 즉, 다면체형상의 복합화 금속수산화물이 차지하는 비율이 30중량% 미만에서는 수지조성물의 점도 저하의 효과가 부족하게 된다.
상기 다면체형상을 갖는 복합화 금속수산화물((다)성분)을 포함하는 복합화 금속수산화물의 함유량은 수지조성물 전체의 1∼30중량%, 특히 2∼28중량%의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 이 함유량의 범위내에서 그 우수한 난연화 효과를 발휘할 수 있다. 즉, 상기 복합화 금속수산화물이 1중량% 미만에서는 난연화 효과가 불충분하고, 30중량%를 넘으면, 수지조성물 경화체속의 염소이온농도가 높아진다는 점때문에 내습신뢰성이 저하하는 경향이 보여지기 때문이다.
그리고, 본 발명에 관한 반도체 밀봉용 수지조성물에는 상기 (가)∼(다)성분 및 경우에 따라 종래의 얇은 평판형상의 복합화 금속수산화물과 함께 무기질 충전제를 이용할 수 있다. 상기 무기질 충전제로서는 특별히 한정하는 것이 아니라 종래 공지의 각종 충전제를 들 수 있다. 예를 들면 석영유리분말, 탈크, 실리카분말, 알루미나분말, 탄산칼슘, 질화붕소, 질화규소 및 카본블랙분말 등을 들 수 있다. 이것은 단독으로 또는 2종이상 합해서 이용된다. 그리고, 상기 무기질 충전제로서 얻어지는 경화물의 선팽창 계수를 저감할 수 있다는 점에서 실리카분말을 이용하는 것이 바람직하다. 그 중에서도 실리카분말로서 구형상 실리카분말, 특히 용융실리카분말을 이용하는 것이 수지조성물의 유동성을 양호하게 한다는 점에서 특히 바람직하다. 또, 상기 무기질 충전제에 있어서 그 평균입자직경이 10∼70㎛의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직한 것은 20∼50㎛이다. 즉, 앞서 설명한 바와 같이 복합화 금속수산화물의 평균입자직경이 상기 범위내임과 동시에 무기질 충전제의 평균입자직경이 상기 범위내라면, 수지조성물의 양호한 유동성이 얻어진다. 또, 상기 실리카분말로서는 경우에 따라 실리카분말을 밀링 처리하여 이루어지는 밀링 실리카분말을 이용할 수도 있다.
상기 무기질 충전제의 함유량에 관해서는 이 무기질 충전제에 복합화 금속수산화물(다면체 형상을 갖는 복합화 금속수산화물 및 경우에 따라 사용되는 종래의 얇은 평판형상의 복합화 금속수산화물)을 가산한 무기물 전체의 합계량이 반도체 밀봉용 수지조성물 전체의 60∼92중량%가 되도록 설정하는 것이 바람직하다. 특히 바람직한 것은 70∼90중량%이다. 즉, 무기물 전체량이 60중량%를 하회하면 난연성이 저하하는 경향이 보여지기 때문이다.
또한, 상기 다면체 형상의 복합화 금속수산화물((다)성분)을 포함하는 복합화 금속수산화물(x)과, 상기 무기질 충전제(y)를 병용하는 경우의 병용비율은 중량비(x/y)에서 x/y=0.01/1∼1/1의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직한 것은 x/y=0.01/1∼0.75/1이다.
그리고, 본 발명의 반도체 밀봉용 수지조성물로서는 하기의 방법에 따라서 추출된 추출수 중의 염소이온 농도가 상기 수지조성물의 경화체 1g당 200㎍이하인 것이 바람직하다. 즉, 열경화성 수지조성물 경화체의 분말체 화합물 5g과 증류수 50cc를 전용 추출용기에 넣고, 이 용기를 160℃의 건조기 속에 20시간 방치하여 추출수(pH 6.0∼8.0)를 추출한다. 그리고, 상기 추출수를 이온크로마토 분석하여 염소이온량(α)을 측정한다. 이 염소이온량(α)은 수지조성물 경화체 중의 이온량을 10배로 희석한 값이기 때문에, 하기에 나타내는 식에 의해 수지조성물 경화체 1g당의 염소이온량을 산출한다. 또한, 상기 추출수의 pH는 6.0∼8.0의 범위가 바람직하다.
수지조성물 경화체 1g당의 염소이온량(㎍)=α×(50/5)
즉, 수지조성물 경화체의 추출수 중에 함유되는 염소이온 농도가 200㎍을 넘어 높으면, 반도체소자, 리드플레임 등에 부식이 발생하거나, 내습성이 열화되는 경향이 보여지게 된다.
또한, 본 발명에 관한 반도체 밀봉용 수지조성물에는 상기 (가)∼(다)성분 및 무기질 충전제 이외에 경화촉진체, 안료, 이형제, 가요성 부여제 등을 필요에 따라서 적정하게 첨가할 수 있다.
상기 경화촉진제로서는 종래 공지된 것, 예를 들면 1,8-디아자비시클로(5, 4, 0)운데실-7, 트리에틸렌디아민 등의 삼급 아미노류, 2-메틸이미다졸 등의 이미다졸류, 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트 등의 인계 경화촉진제 등을 들 수 있다.
상기 안료로서는 카본블랙, 산화티탄 등을 들 수 있다. 또, 상기 이형제로서는 폴리에틸렌왁스, 파라핀이나 지방산에스테르, 지방산염 등을 들 수 있다.
또한, 상기 가요성부여제로서는 실란커플링제 등의 커플링제 및 실리콘수지나 부타디엔-아크릴로니트릴고무 등을 들 수 있다.
또, 본 발명에 관한 반도체 밀봉용 수지조성물로는 상기 각 성분에 더하여또한 유기계 난연제 또는 적인계 난연제를 병용하면, 상기 다면체형상을 갖는 복합화 금속수산화물((다)성분)을 함유하는 복합화 금속수산화물의 사용량을 저감시킬 수 있어 바람직하다. 상기 유기계 난연제의 대표적인 것으로는 복소고리 골격을 갖는 화합물을 들 수 있다.
상기 복소고리 골격을 갖는 화합물로서는 예를 들면 멜라민 유도체, 시아누레이트유도체, 이소시아누레이트유도체 등의 복소고리 골격을 갖는 화합물을 들 수 있다. 이것은 단독으로 또는 2종이상 합해서 이용된다.
상기 유기계 난연제는 상기 복합화 금속수산화물과 미리 기계적으로 혼합한 후 배합하여도 좋고, 유기계 난연제를 용제에 용해하여 이것에 상기 복합화 금속수산화물을 첨가하고, 탈용제하여 표면처리한 것을 이용하여도 좋다.
그리고, 상기 유기계 난연제의 함유량은 상기 복합화 금속수산화물의 사용량(다면체 형상의 복합화 금속수산화물과 경우에 따라 사용되는 종래의 얇은 평판형상의 복합화 금속수산화물의 함유량)의 1∼10중량%의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 특히 바람직한 것은 1∼5중량%이다.
한편, 상기 적인계 난연제로서는 적인분말 또는 이 적인분말 표면을 각종 유기물, 무기물로 보호 피복한 적인분말을 들 수 있다. 그리고 상기 적인계 난연제의 함유량은 상기 유기계 난연제의 경우와 동일하게, 상기 복합화 금속수산화물의 사용량(다면체형상의 복합화 금속수산화물과 경우에 따라 사용되는 종래의 얇은 평판형상의 복합화 금속수산화물의 합계량)의 1∼10중량%의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 특히 바람직한 것은 1∼5중량%이다.
그리고, 본 발명에 관한 반도체 밀봉용 수지조성물에 있어서 상기 (가)∼(다)성분을 포함하는 각 성분의 적합한 조합은 다음과 같다. 즉, 열경화성 수지((가)성분)로서는 에폭시수지, 그 중에서도 유동성이 양호하다는 점에서 비페닐계 에폭시수지가 바람직하고, 또 경화제((나)성분)로서는 그 유동성의 관점에서 페놀아랄킬수지가 바람직하다. 그리고, 상기 특정의 다면체형상의 복합화 금속수산화물((다)성분)과 함께 무기질 충전제로서 용융실리카분말을 이용하는 것이 바람직하다. 또한 이에 더하여 상기와 같은 복합화 금속수산화물을 이용한 경우, 이형성이 저하되는 경향이 보이기 때문에 왁스류, 특히 산가 30이상(통상의 상한값은 200)이라는 고산가의 폴리에틸렌계 왁스 또는 에스테르계 왁스를 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 관한 반도체 밀봉용 수지조성물은 예를 들면 다음과 같이 하여 제조할 수 있다. 즉, 열경화성 수지((가)성분), 경화제((나)성분), 다면체형상의 복합화 금속수산화물((다)성분) 및 무기질 충전제 및 필요에 따라서 다른 첨가제를 소정의 비율로 배합한다. 이어서 이 혼합물을 믹싱롤기 등의 혼련기를 이용하여 가열상태로 용융 혼련하여 이것을 실온에서 냉각한다. 그리고, 공지의 수단에 의해 분쇄하여, 필요에 따라서 타정하는 일련의 공정에 의해 목적으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물을 제조할 수 있다.
또는 상기 반도체 밀봉용 수지조성물의 혼합물을 혼련기에 도입하여 용융상태로 혼련한 후, 이것을 대략 원주형상의 과립체로 연속적으로 성형하는 일련의 공정에 의해 과립형상의 반도체 밀봉용 수지조성물을 제조할 수 있다.
또한, 상기 반도체 밀봉용 수지조성물의 혼합물을 팔렛트 상에 넣고, 이것을 냉각후, 프레스 압연, 롤압연 또는 용매를 혼합한 것을 도색하여 시트화하는 등의 방법에 따라 시트형상의 반도체 밀봉용 수지조성물을 제조할 수 있다.
이렇게 하여 얻어지는 반도체 밀봉용 수지조성물(분말형상, 정제형상, 과립형상 등)을 이용한 반도체소자의 밀봉방법은 특별히 한정하는 것은 아니고, 통상의 트랜스퍼 성형 등의 공지의 성형방법에 따라서 실시할 수 있다.
또, 상기 시트형상의 반도체 밀봉용 수지조성물을 이용하여 예를 들면 다음과 같이 하여 플립칩 설치에 의한 반도체장치를 제조할 수 있다. 즉, 상기 시트형상 반도체 밀봉용 수지조성물을 접합용 뱀프를 구비한 반도체소자의 전극면측에, 또는 회로기판의 뱀프접합부측에 배치하고, 상기 반도체소자와 회로기판을 뱀프접합함과 동시에 양자를 수지 밀봉에 의한 접착 밀봉을 실시함으로써 플립칩을 설치하여 반도체장치를 제조할 수 있다.
다음에, 실시예에 대해서 비교예와 함께 설명한다.
우선, 하기에 나타내는 각 재료를 준비한다.
[에폭시수지a]
크레졸노볼락계 에폭시수지(에폭시당량 200)
[에폭시수지b]
비페닐계 에폭시수지(에폭시당량 195)
[페놀수지c]
페놀노볼락수지(수산기당량 107)
[페놀수지d]
페놀아랄킬수지(수산기당량 174)
[실리카분말]
평균 입자직경 30㎛의 용융 실리카분말
[인계 경화촉진제]
트리페닐포스핀
[적인계 난연제]
적인분말을 수지로 피복한 것(린카가쿠공장제, 노바엑셀)
[에스테르계 왁스]
카르나바왁스
[올레핀계 왁스]
폴리에틸렌계 왁스(산가 160)
다음에, 실시예에 앞서서 하기 표 1에 나타낸 각종 복합화 금속수산화물을 준비하였다. 또한 하기 표 1에서, 복합화 금속수산화물 A∼C는 앞서 설명한 다면체 형상의 복합화 금속수산화물의 제조방법에 준하여 제조하였다.
조성식 평균입자직경 결정형상 애스팩트비
다면체형상의 복합화 금속수산화물 A MgO·CuO·H2O 0.6㎛ 다면체 3
B MgO·CoO·H2O 5.0㎛ 다면체 6
C MgO·ZnO·H2O 1.0㎛ 다면체 4
종래의 복합화금속수산화물 D MgO·ZnO·H2O 3.0㎛ 육각판형상 -
E MgO·NiO·H2O 0.7㎛ 비늘조각형상 -
금속수산화물 F MgO·H2O 0.7㎛ 육각판형상 -
(실시예 1∼10, 비교예 1∼3)
이어서, 하기의 표 2에서 표 4에 나타내는 각 성분을 동일 표에 나타내는 비율로 배합하고, 믹싱롤기(온도 100℃)로 3분간 용융 혼련을 실시하여, 냉각고화한 후 분쇄하여 목적으로 하는 분말형상 에폭시 수지조성물을 얻었다.
(중량부)
실 시 예
1 2 3 4 5 6
에폭시수지 a 63.8 - 63.8 63.8 - -
b - 51.8 - - 51.8 51.8
페놀수지 c 34.2 - 34.2 34.2 - -
d - 46.2 - - 46.2 46.2
복합화금속수산화물 A 100 - - - 50 -
B - 30 - - - 130
C - 70 100 70 50 -
D - - - 30 - -
실리카분말 150 199 300 300 465 420
인계 경화촉진제 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0
에스테르계 왁스 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
올레핀계 왁스 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
카본블랙 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0
복합화 금속수산화물의전체에 차지하는 비율(중량%) 28.5 25.0 20.0 20.0 15.0 20.0
무기물의 전체량에대한 배합비율(중량%) 71.2 74.8 79.8 79.8 84.8 84.5
(중량부)
실 시 예
7 8 9 10
에폭시수지 a 63.8 - 63.8 63.8
b - 51.8 - -
페놀수지 c 34.2 - 34.2 34.2
d - 46.2 - -
복합화금속수산화물 A - - - -
B - 10 - -
C 50 30 50 30
D - - - 20
실리카분말 850 255 345 345
인계 경화촉진제 1.0 1.0 1.0 1.0
적인계 난연제 - 8.0 5.0 -
에스테르계 왁스 0.2 0.2 0.2 0.2
올레핀계 왁스 0.8 0.8 0.8 0.8
카본블랙 1.0 1.0 1.0 1.0
복합화 금속수산화물(금속수산화물)의 전체에차지하는 비율(중량%) 5.0 9.9 10.0 10.0
무기물의 전체량에 대한배합비율(중량%) 89.9 75.0 79.8 79.8
(중량부)
비 교 예
1 2 3
에폭시수지 a - 63.8 63.8
b 51.8 - -
페놀수지 c - 34.2 34.2
d 46.2 - -
복합화금속수산화물 A - - -
B - - -
C - - -
D 100 - -
E - 100 -
금속수산화물 F - - 100
실리카분말 465 300 300
인계 경화촉진제 1.0 1.0 1.0
에스테르계 왁스 0.2 0.2 0.2
올레핀계 왁스 0.8 0.8 0.8
카본블랙 1.0 1.0 1.0
복합화 금속수산화물(금속수산화물)의 전체에차지하는 비율(중량%) 15.0 20.0 20.0
무기물의 전체량에 대한배합비율(중량%) 84.8 79.8 79.8
이렇게 하여 얻어진 실시예 및 비교예의 에폭시 수지조성물을 이용하여, 그 경화체의 염소이온 농도를 측정하였다. 또한 염소이온농도의 측정방법은 상술의 방법에 따랐다. 또한, 각 에폭시 수지조성물을 이용하여 두께 1/16인치의 시험편을 성형하고, UL 94 V-0규격의 방법에 따라서 난연성을 평가하였다. 또한, 합격은 94-V0합격을 의미한다. 이들의 측정·평가결과를 하기의 표 5∼표 7에 나타낸다.
다음에 각 에폭시 수지조성물을 이용하여 하기 방법에 따라서 선회류값 및 유동시험기 점도를 측정하였다.
[선회류값]
상기 각 에폭시 수지조성물을 분말형상 그대로 이용하여, 이것을 미리 규정온도(175 ±5℃)로 가열한 소용돌이형상의 선회류용 금형의 포트의 안까지 삽입하고, 조여 클램핑압력을 210±10kg/㎠까지 올렸다. 다음에 클램핑압력이 210± 10kg/㎠에 도달한 시점에서 플런저로 에폭시 수지조성물을 주입하고, 주입압력 70±5kg/㎠에 도달한 후, 2분간 주입압력을 걸었다. 이어서 트랜스퍼 성형기의 플런저압력을 빼고, 또한 클램핑압력을 빼고 금형을 열었다. 그리고, 성형물의 소용돌이 길이를 최소 2.5㎜까지 측정함으로써 선회류값을 얻었다(EMMI 1-66에 준함).
[유동시험기 점도]
상기 각 에폭시 수지조성물을 2g 칭량하여, 정제형상으로 성형하였다. 그리고, 이것을 고하식 유동시험기의 포트 속에 넣고, 10kg의 하중을 걸어 측정하였다. 용융한 에폭시 수지조성물이 다이스의 구멍(직경 1.0㎜×10㎜)을 통과하여 압출시킬 때의 피스톤의 이동속도로부터 샘플의 용융점도를 구하였다.
또, 상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 에폭시 수지조성물을 이용하여, 반도체소자를 트랜스퍼성형(조건:175℃×2분)하고, 175℃×5시간에서 후 경화함으로써 반도체장치를 얻었다. 이 반도체장치는 80핀 QFP(쿠왓드플랫패키지, 크기:20×14×2㎜)이고, 다이패드크기는 8×8㎜이다.
이렇게 하여 얻어진 반도체장치에 대해서 우선, 축X선장치에 의해 패키지 내부의 투과화상을 관찰함으로써 금와이어의 변형 등과 같은 불량의 발생을 측정하였다. 측정한 결과, 금와이어의 변형이 확인된 것을 ×, 금와이어의 변형이 확인되지 않은 양호한 패키지가 얻어진 것을 ○으로 하고, 하기 표 5∼표 7에 나타내었다.
한편, 초음파 탐상(探傷)장치로 비파괴로 측정하였다. 그 측정후, 내부 박리가 생긴 개수(10개중)를 세었다. 그리고, 상기 측정후, 양품(良品)을 다음에 나타내는 땜납시험에 제공하였다. 즉, 양품의 반도체장치를 이용하여 120℃×1시간의 프리백 후, 이것을 85℃/85% RH×168시간 흡습시킨 후, 215℃의 VPS(베이퍼페이스솔더링)로 90초의 평가시험(내땜납 크랙성)을 실시하였다. 그리고, 크랙이 발생한 개수(10개중)를 측정하였다. 그 평가결과를 하기의 표 5∼표 7에 함께 나타낸다.
또, 상기 반도체장치를 이용하여 내습신뢰성시험으로서 플래시쿠커바이어스시험(PCBT)을 실시하여 50% 불량발생시간을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 5∼표 7에 함께 나타낸다. 또한, 상기 PCBT의 조건은 130℃×85% RH×30V(바이어스전압)로 하였다.
실 시 예
1 2 3 4 5
성형성 선회류값(㎝) 85 100 100 70 120
유동시험기 점도(포아즈) 84 90 60 110 66
금와이어의변형의 발생 ○ ○ ○ ○ ○
내습신뢰성 수지경화체추출액의 pH값 7.3 7.8 7.7 7.9 7.3
염소이온농도(㎍) 86.6 14.3 9.5 11 53
PCBT 50%불량발생시간(시간) 1000 1000 1000 1000 1000
난연성(UL94-V0) V-0합격 V-0합격 V-0합격 V-0합격 V-0합격
내땜납성(개/10개) 0/10 0/10 0/10 0/10 0/10
실 시 예
6 7 8 9 10
성형성 선회류값(㎝) 102 75 100 100 90
유동시험기 점도(포아즈) 75 130 120 120 110
금와이어의변형의 발생 ○ ○ ○ ○ ○
내습신뢰성 수지경화체추출액의 pH값 7.6 7.2 6.5 6.8 6.8
염소이온농도(㎍) 8.5 5.4 10.0 9.7 10.5
PCBT 50%불량발생시간(시간) 1000 1000 1000 1000 1000
난연성(UL94-V0) V-0합격 V-0합격 V-0합격 V-0합격 V-0합격
내땜납성(개/10개) 0/10 0/10 0/10 0/10 0/10
비 교 예
1 2 3
성형성 선회류값(㎝) 53 40 43
유동시험기 점도(포아즈) 420 570 550
금와이어의변형의 발생 × × ×
내습신뢰성 수지경화체추출액의 pH값 7.9 6.9 7.8
염소이온농도(㎍) 4.8 68.7 249
PCBT 50%불량발생시간(시간) 1000 1000 520
난연성(UL94-V0) V-0합격 V-0합격 V-0합격
내땜납성(개/10개) 0/10 0/10 4/10
상기 표 5∼표 7에서 모든 실시예는 높은 난연성 수준을 가짐과 동시에 선회류값이 높고, 동시에 유동시험기 점도가 낮은 점 때문에 유동성이 우수한 것이 분명하다. 또, 금와이어의 변형도 생기지 않은 것으로 양호한 성형성을 갖는다고 말할 수 있다. 또한, 얻어진 반도체장치의 내습신뢰성 및 내땜납성에 관해서도 양호한 결과가 얻어졌다.
한편, 비교예에 대해서는 난연성 수준에 관해서는 문제는 없었지만, 실시예제품과 비교해 선회류값이 낮고, 동시에 유동시험기 점도가 현저하게 높은 점으로 유동성이 떨어지는 것을 알 수 있다. 이것은 금와이어의 변형이 확인되고 있는 것으로도 알 수 있다. 또, 통상의 금속수산화물을 이용한 비교예 3은 얻어진 반도체장치의 내습신뢰성 및 내땜납성에 관해서도 떨어지고 있다.
이상과 같이, 본 발명은 상기 화학식 1로 나타내는 특수한 결정형상을 갖는 다면체형상의 복합화 금속수산화물((다)성분)을 함유하는 반도체 밀봉용 수지조성물이다. 이렇게 상기 특수한 복합화 금속수산화물의 사용에 의해 우수한 난연성이 부여됨과 동시에 종래의 난연제인 브롬화 에폭시수지와 비교하면 브롬의 영향이 없고 반도체소자나 알루미늄 배선의 부식 등이 생기지 않고 내습신뢰성이 향상하며, 수명이 길어진다. 또한, 종래와 같은 평판형상의 결정형상이 아닌 상기 특수한 다면체의 결정형상을 갖기 때문에, 유동성이 우수하고, 반도체 패키지의 밀봉시에 금와이어의 변형 등의 문제가 생기지 않아 성형성이 향상된다. 그리고, 상기 난연성 및 성형성의 향상효과에 더하여, 상기 다면체형상의 복합화 금속수산화물((다)성분)을 이용하면, 상기 다면체형상의 복합화 금속수산화물이 반도체 밀봉용 수지조성물 속에 균일하게 분산되기 때문에, 종래 공지의 금속수산화물 등의 난연제와 비교하여 동등 이상의 난연성을 얻기 때문에 사용량이 소량으로 끝난다. 그 결과, 흡수량이 작아지기 때문에 땜납 특성이 향상한다. 또, 본 발명에서는 상기 다면체형상의 복합화 금속수산화물을 이용하기 때문에, 종래의 박판형상 또는 비늘조각형상의 복합화 금속수산화물을 이용하는 경우에 비해, 그 사용량을 적게 할 수 있고, 따라서 예를 들면 실리카분말을 병용하는 경우, 그 실리카분말량을 많게 설정할 수 있기 때문에, 이러한 경우에는 얻어지는 반도체장치의 선팽창계수를 낮게 할 수 있음과 동시에 기계적 강도의 향상이 실현된다.
또한, 상기 결정형상을 갖는 특수한 복합화 금속수산화물의 평균입자직경이0.5∼10㎛인 경우에는 우수한 난연효과와 함께 그 유동성의 저하가 억제되고 더 나아가서는 성형성의 향상이 실현된다.
또, 상기 복합화 금속수산화물의 애스팩트비가 1∼8인 경우에는 수지조성물의 점도가 저하되는 효과가 발휘되고, 나아가서 성형성의 향상이 실현된다.
따라서, 본 발명의 반도체 밀봉용 수지조성물을 이용하여 밀봉된 반도체장치는 안전성이 우수한 난연화 기술 및 반도체장치의 신뢰성이 현격하게 향상하는 것이며, 또한 상기 반도체 밀봉용 수지조성물을 이용한 트랜스퍼성형에 의한 반도체장치의 제법 또는 시트형상의 반도체 밀봉용 수지조성물을 이용하여 이루어지는 반도체장치의 제법에 있어서는 그 성형성에 있어서도 우수하고 반도체장치 중에서도, 특히 박형으로 대형화된 반도체장치에 대해서 특히 유효하며 산업상의 이용가치는 극히 높은 것이다.

Claims (23)

  1. 하기의 (가)∼(다)성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물.
    (가)열경화성 수지.
    (나)경화제.
    (다)하기의 화학식 1로 나타내는 다면체 형상의 복합화 금속수산화물.
    (화학식 1)
    m(MaOb)·n(QdOe)·cH2O
    (상기 화학식 1에 있어서 M과 Q는 서로 다른 금속원소이고, Q는 주기율표의 IVa, Va, VⅠa, VⅡa, VⅢ, Ⅰb, Ⅱb에서 선택된 족에 속하는 금속원소이다. 또, m, n, a, b, c, d, e는 정수로서 서로 동일한 값이라도 좋고, 다른 값이라도 좋다.)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학식 1에서 나타내는 복합화 금속수산화물 중에서 금속원소를 나타내는 M이 알루미늄, 마그네슘, 칼슘, 니켈, 코발트, 주석, 아연, 동, 철, 티탄 및 붕소로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 반도체밀봉용 수지조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 화학식 1에서 나타내는 복합화 금속수산화물 중에서 금속원소를 나타내는 Q가 철, 코발트, 니켈, 팔라듐, 동, 아연 및 카드뮴으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학식 1로 나타내는 복합화 금속수산화물의 평균 입자직경이 0.5∼10㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학식 1로 나타내는 복합화 금속수산화물의 애스팩트비가 1∼8인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    복합화 금속수산화물 전체 중에서 상기 화학식 1로 나타내는 다면체 형상을 갖는 복합화 금속수산화물이 차지하는 비율이 30∼100중량%의 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학식 1로 나타내는 복합화 금속수산화물이 sMgO·(1-s)NiO·cH2O[0<s<1, 0<c≤1]인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학식 1로 나타내는 복합화 금속수산화물이 sMgO·(1-s)ZnO·cH2O[0<s<1, 0<c≤1]인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학식 1로 나타내는 복합화 금속수산화물의 함유량이 수지조성물 전체의 1∼30중량%의 범위로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물.
  10. 제 1 항에 있어서,
    반도체 밀봉용 수지조성물 경화체의 추출액의 pH가 6.0∼8.0의 범위이고, 동시에 그 염소이온 농도가 수지조성물 경화체 1g당 200㎍이하인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물.
  11. 제 1 항에 있어서,
    반도체 밀봉용 수지조성물의 경화체가 두께 1/16인치로 UL94 연소시험에 따라 V-0상당의 난연성을 나타내는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 (가)성분인 열경화성 수지가 에폭시수지인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 (나)성분인 경화제가 페놀수지인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물.
  16. 삭제
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 (다)성분인 다면체 형상의 복합화 금속수산화물을 함유하는 복합화 금속수산화물과 무기질 충전제의 합계량이 반도체 밀봉용 수지조성물 전체의 60∼92중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 (다)성분인 다면체 형상의 복합화 금속수산화물을 함유하는 복합화 금속수산화물과 무기질 충전제의 합계량이 반도체 밀봉용 수지조성물 전체의 70∼90중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 무기질 충전제가 실리카분말인 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 수지조성물.
  20. 삭제
  21. 제 1 항에 기재된 반도체 밀봉용 수지조성물을 이용하여 반도체 소자를 밀봉하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  22. 제 1 항에 기재된 반도체 밀봉용 수지조성물을 이용하여 트랜스퍼 성형법에 따라 반도체소자를 수지 밀봉하여 반도체장치를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제법.
  23. 제 1 항에 기재된 반도체 밀봉용 수지조성물로 이루어지는 시트형상 밀봉재료를 이용하여 반도체장치를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제법.
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