JP2003246848A - 封止用エポキシ樹脂組成物及び片面封止型半導体装置 - Google Patents

封止用エポキシ樹脂組成物及び片面封止型半導体装置

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JP2003246848A
JP2003246848A JP2002048819A JP2002048819A JP2003246848A JP 2003246848 A JP2003246848 A JP 2003246848A JP 2002048819 A JP2002048819 A JP 2002048819A JP 2002048819 A JP2002048819 A JP 2002048819A JP 2003246848 A JP2003246848 A JP 2003246848A
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正志 中村
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隆行 辻
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 硬化物が高いガラス転移温度と低線膨張率と
を兼ね備え、且つ溶融粘度が低減され、特に片面封止パ
ッケージの低反り性化を達成することができる封止用エ
ポキシ樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 下記構造式(1)に示す構造を有するフ
ェノール樹脂を85重量%以上含有すると共に構造式
(1)中におけるnの値が0となるものよりも低分子量
であるフェノール樹脂を3〜10重量%含有し、且つ1
50℃における溶融粘度が0.4Pa・s以下であるフ
ェノール樹脂成分を、50〜100重量%の割合で含む
フェノール樹脂硬化剤、1分子中に2個以上のグリシジ
ル基を有するエポキシ樹脂、硬化促進剤及び組成物全量
に対する含有量が85重量%以上の無機充填材を含有す
る。 【化1】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の封止
用等に使用される封止用エポキシ樹脂組成物及びこれに
より封止された片面封止型半導体装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】近年、ICパッケージの分野において小
型薄型化が進む中、リード端子数の増加に対応するため
に、半導体装置はSOP、QFPに代表される周辺実装
パッケージから、BGA(ボール・グリッド・アレイ)
を代表とするエリア実装パッケージに主流が移り変わり
つつある。現状のBGAパッケージの形状はICチップ
と端子までの接続方法により様々な構造のものがみられ
る。
【0003】その中で最も主流となっているのがチップ
とインターポーザとを金ワイヤーで接続したタイプで、
チップ搭載面のみを封止用エポキシ樹脂組成物でトラン
スファ成形にて封止した後、インターポーザの裏面には
んだバンプを設けたものである。
【0004】また、最近、このようなBGAパッケージ
の小型化、および生産性を向上させるために、インター
ポーザ上に複数個のチップをマトリクス状に実装し、こ
れを一括して上述の方法で片面封止し、成形後に切断し
て個片化してパッケージを得る方法が増えつつある。
【0005】更に、このように一括封止後、切断個片化
してBGA、LGA(ランド・グリッド・アレイ)パッ
ケージを得る場合、小型化のために、インターポーザを
薄型化したり、ポリイミド等のフィルムを使用したりす
る場合が増えてきた。
【0006】このような片面封止パッケージに関して従
来から指摘されている問題点としては、その構造が封止
材(エポキシ樹脂組成物の硬化物)とチップが実装され
たベース基板(インターポーザ)がバイメタル構造とな
っていて、成形完了後に室温まで冷却される課程におい
て、それぞれの熱膨張係数の差により、冷却時の収縮割
合がアンバランスとなり、パッケージに反りが発生しや
すいということが挙げられる。特に前記の一括封止の場
合、成形サイズが従来のBGAパッケージよりも大きく
なるため、成形物(個片化前の成形物)の反り量も増加
し、成形後、個片化行程において、生産性に重大な悪影
響を及ぼし、また、成形物の搬送行程でも不具合が生じ
る。
【0007】そこで、封止用エポキシ樹脂組成物に、エ
ポキシ樹脂成分としてトリフェニルメタン型のエポキシ
樹脂を用いたり、硬化剤成分としてトリフェニルメタン
型のフェノール樹脂を用いるなどのように、耐熱性の高
い樹脂を用い、封止材のガラス転移温度を上げることに
よって、成形後の常温までの冷却での収縮率がベース基
板のそれと同程度になるように低減して、反りを低減す
る方法が検討されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、片面封止のパ
ッケージを製造する際に、上記のトリフェニルメタン型
エポキシ樹脂、および硬化剤を用いる方法によれば、従
来のBGAパッケージの場合は、かなりの改善が達成さ
れるが、一括封止タイプで特に基板が薄い場合や、ポリ
イミドフイルムの場合には、成形物の反りについては十
分満足できるレベルではなく、さらなる改良が求められ
ている。
【0009】このような更なる低反り化を達成するため
には、封止材の線膨張係数を低くする目的で、無機充填
材の配合量を増大させることが考えられる。しかしなが
ら、このように無機充填材を高充填すると、封止用エポ
キシ樹脂組成物の溶融粘度が高くなってしまって成形性
に悪影響を及ぼし、成形中に金線が変形するなどといっ
た重大な欠点が生じる。
【0010】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
であり、硬化物が高いガラス転移温度と低線膨張率とを
兼ね備え、且つ溶融粘度が低減されて金線流れ等の成形
不良の発生を抑制することができ、特に片面封止パッケ
ージの低反り性化を達成することができる封止用エポキ
シ樹脂組成物、および片面封止型半導体装置を提供する
ことを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明に係る封止用エポ
キシ樹脂組成物は、 A.下記構造式(1)に示す構造を有するフェノール樹
脂を85重量%以上含有すると共に構造式(1)中にお
けるnの値が0となるものよりも低分子量であるフェノ
ール樹脂を3〜10重量%含有し、且つ150℃におけ
る溶融粘度が0.4Pa・s以下であるフェノール樹脂
成分を、50〜100重量%の割合で含むフェノール樹
脂硬化剤、 B.1分子中に2個以上のグリシジル基を有するエポキ
シ樹脂、 C.硬化促進剤及び D.組成物全量に対する含有量が85重量%以上の無機
充填材 を含有して成ることを特徴とするものである。
【0012】
【化4】
【0013】このとき、下記構造式(2)で示されるエ
ポキシ樹脂を、エポキシ樹脂Bの全量に対して30〜1
00重量%の割合で含有させることが好ましい。
【0014】
【化5】
【0015】また、下記構造式(3)で示されるエポキ
シ樹脂を、エポキシ樹脂Bの全量に対して30〜100
重量%の割合で含有させることも好ましい。
【0016】
【化6】
【0017】また、難燃剤として、平均粒径1〜60μ
mの微粉末状赤リンの表面に無機物層および熱硬化性樹
脂層を被覆した被覆層付赤リンを含有させることも好ま
しい。
【0018】また、本発明に係る片面封止型半導体装置
は、上記のような封止用エポキシ樹脂にて封止して成る
ことを特徴とするものである。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【0020】本発明に係る封止用エポキシ樹脂組成物
は、次の成分を必須成分として含有する。
【0021】A.上記構造式(1)に示す構造を有する
フェノール樹脂を85重量%以上含有すると共に構造式
(1)中におけるnの値が0となるものよりも低分子量
であるフェノール樹脂を3〜10重量%含有し、且つ1
50℃における溶融粘度が0.4Pa・s以下であるフ
ェノール樹脂成分を、50〜100重量%の割合で含む
フェノール樹脂硬化剤。
【0022】B.1分子中に2個以上のグリシジル基を
有するエポキシ樹脂。
【0023】C.硬化促進剤。
【0024】D.組成物全量に対する含有量が85重量
%以上の無機充填材。
【0025】各成分について詳しく説明する。
【0026】上記の各成分のうち、フェノール樹脂硬化
剤Aは、次のような特定組成のフェノール樹脂成分を必
須成分として含有する。
【0027】このフェノール樹脂成分は、上記構造式
(1)に示されるトリフェニルメタン型フェノール樹脂
と、これよりも低分子量のフェノール樹脂とを含有し、
このフェノール樹脂成分の総量に対して、構造式(1)
に示す構造を有するフェノール樹脂の含有量が85重量
%以上、低分子量のフェノール樹脂の含有量が3〜10
重量%となるようにし、且つ150℃での溶融粘度(I
CI粘度)が0.4Pa・s以下であるものを用いる。
前記の低分子量のフェノール樹脂としては、二核体以下
のフェノール樹脂が挙げられる。
【0028】このような特定組成のフェノール樹脂成分
を含有するフェノール樹脂硬化剤Aを用いると、耐熱性
の高いトリフェニルメタン型フェノール樹脂を用いるこ
とにより、封止材のガラス転移温度を上昇して成形時の
寸法変化量を低減することができる。また更に封止用エ
ポキシ樹脂組成物の溶融粘度を大幅に低下させることが
可能となって、後述するように無機充填材の高充填化が
容易となり、この結果、封止材の線膨張率を低減して、
成形時の寸法変化量を更に低減することが可能となる。
このため、特にパッケージ片面封止時の反り抑制に寄与
するとともに、無機充填材の高充填化により封止材の吸
湿率を低減して耐リフロー性の向上に寄与することがで
きる。
【0029】すなわち、上記構造式(1)に示されるト
リフェニルメタン型フェノール樹脂は単独では150℃
における溶融粘度が0.5Pa・s以上となって、この
トリフェニルメタン型フェノール樹脂のみでは封止用エ
ポキシ樹脂組成物の溶融粘度を上昇させ、組成物中にお
ける無機充填材の配合量が制限されて低線膨張係数化が
困難なものであるが、フェノール樹脂成分中に前記のよ
うな低分子量のフェノール樹脂を3〜10重量%含むこ
とにより構造式(1)に示されるトリフェニルメタン型
フェノール樹脂と低分子量のフェノール樹脂とからなる
フェノール樹脂成分の溶融粘度を大幅に低減して、15
0℃における溶融粘度を0.4Pa・s以下とすること
が可能となり、この結果、組成物全体の溶融粘度を低減
することができて、無機充填材を高充填することによる
封止材の低線膨張係数化や吸湿率の低減が可能となるも
のである。
【0030】このような特定組成を有するフェノール樹
脂成分は、フェノール樹脂硬化剤Aの全量に対して50
〜100重量%配合することにより上記のような効果が
得られるものであり、より好ましくはこの配合量を80
〜100重量%とするものである。
【0031】フェノール樹脂硬化剤Aには、特定組成の
フェノール樹脂成分の含有量を上記の範囲とすることを
条件として、任意成分としてそれ以外の他のフェノール
樹脂を含有させることができる。このような他のフェノ
ール樹脂としては、適宜のフェノール樹脂が用いられる
が、例えばフェノールノボラック樹脂、フェノールアラ
ルキル樹脂等を用いることができる。
【0032】このようなフェノール樹脂硬化剤Aの組成
物中の配合量は、後述するエポキシ樹脂Bに対する化学
量論上の当量比で、0.7〜1.4の範囲となるように
することが好ましい。
【0033】また、エポキシ樹脂Bとしては、封止材料
用途に用いられる適宜のものを使用することができ、例
えば、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフ
ェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキ
シ樹脂、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂等を用いるこ
とができる。これらのエポキシ樹脂は一種のみ又は二種
以上を用いることができる。
【0034】また、特にエポキシ樹脂Bとしては、上記
構造式(2)又は構造式(3)で示される多官能エポキ
シ樹脂のいずれ一方又は双方を含有するものを用いるこ
とが好ましく、この場合、耐熱性の高いエポキシ樹脂を
用いることにより、封止材のガラス転移温度を更に上昇
し、成形時の寸法変化量をより低減することができ、特
にパッケージ片面封止時の反りの発生を更に抑制するこ
とができる。
【0035】この構造式(2)又は構造式(3)で示さ
れる多官能エポキシ樹脂は、エポキシ樹脂Bを構成する
全エポキシ樹脂成分に対して30〜100重量%の範囲
となるように配合することが好ましく、更に好ましくは
40〜100重量%となるようにする。
【0036】また、エポキシ樹脂Bとして、構造式
(2)又は構造式(3)で示されるエポキシ樹脂以外の
エポキシ樹脂を配合する場合には、例えば上記のよう
な、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ
樹脂、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂等を併用するこ
とができる。
【0037】また、硬化促進剤Cとしては、特に制限さ
れるものではなく、一般の封止用エポキシ樹脂組成物に
使用可能なものを用いることができる。たとえば、イミ
ダゾール類、トリフェニルフォスフィン類、テトラフェ
ニルホスホニウム・テトラフェニルボレートとフェノー
ルノボラックの反応物等の有機リン化合物類、1,8−
ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(DB
U)、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルアミン
等の3級アミン類等が挙げられる。この硬化促進剤の配
合量は、組成物中の樹脂成分の全量に対して0.2〜5
重量%の範囲とすることが好ましい。
【0038】無機充填材Dとしては、特に制限されず、
一般に封止用樹脂組成物に使用可能なものを使用するこ
とができ、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミ
ナ、窒化珪素、窒化アルミ等の粉末を使用することがで
きる。これらの中でも特に溶融シリカを用いると、封止
材の低線膨脹率化を更に達成することができて好まし
い。また、その形状が球状のものを用いることが好まし
く、この場合、組成物中に無機充填材Dを高充填するこ
とが容易となる。
【0039】この無機充填材Dの配合量は、封止用エポ
キシ樹脂組成物全量に対して85〜91重量%とするも
のであり、これにより封止材の線膨張率を低減して、特
にパッケージ片面封止時の反り抑制に寄与するととも
に、封止材の吸湿率を低減して耐リフロー性の向上に寄
与することができる。ここで、本発明では既述のような
フェノール樹脂硬化剤Aを配合することにより、組成物
の溶融粘度が低減されて、このように無機充填材Dを高
充填しても組成物の溶融粘度の上昇が抑制され、十分な
成形性が確保されるものである。
【0040】ここで、無機充填材の配合量が85重量%
に満たないと、封止用エポキシ樹脂組成物を硬化して得
られる封止材の線膨張係数が大きくなって、片面封止パ
ッケージの反りが大きくなり、また封止材の吸湿率が大
きくなって十分な耐湿信頼性、耐リフロー性が得られな
い。
【0041】また、無機充填材は、予めその表面をシラ
ンカップリング材で処理した後に、組成物中に配合する
ことが好ましく、この場合、無機充填材の分散性を向上
して、封止用エポキシ樹脂組成物の溶融粘度を更に低減
することができる。
【0042】また、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物
中には、必要に応じて難燃剤を配合することができる。
難燃剤としては、一般の封止用エポキシ樹脂組成物に使
用可能な適宜のものを使用することができるが、例えば
テトラブロムビスフェノールA等のブロム化エポキシ樹
脂と三酸化アンチモン粉末とを併用することが好まし
い。
【0043】また、難燃剤として、表面に被覆層を有す
る赤リン系難燃剤を用いることも好ましく、この場合、
難燃剤としてハロゲンを含まないものを用いることがで
きて、近年のハロゲンフリー化の流れに沿うものであ
り、環境問題の解決に寄与することができる。このとき
赤リン系難燃剤が被覆層にて覆われていることにより、
赤リンの吸湿が防止され、赤リン系難燃剤を安定化に維
持して、封止材にて半導体等を封止した場合に、アルミ
ニウム配線の腐蝕を生じさせるなどといった悪影響を及
ぼさないようにすることができる。
【0044】赤リン系難燃剤に設ける被覆層は、水酸化
アルミニウムや水酸化チタンなどの無機質層と、フェノ
ール樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂層とを設け
ることが好ましい。例えば水酸化アルミニウムや水酸化
チタン等の無機物質で粒状の赤リンに無機質層を形成し
た後、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等による熱硬化性
樹脂層を形成するものである。
【0045】また、この難燃剤である赤リン系難燃剤
は、平均粒径1〜60μmの範囲の微粉状の赤リンであ
ることが好ましく、このような粒径範囲とすることで、
封止材の耐湿信頼性を向上することができる。またこの
赤リン系難燃剤としては、リン酸エステル等の有機リン
系の難燃剤を用いることもできる。
【0046】このような被覆層付きの赤リン系難燃剤の
配合割合は、封止用エポキシ樹脂組成物全体に対して
0.05〜1.0重量%の範囲とすることが好ましく、
0.05重量%未満であると、難燃性の付与効果が少な
く、1.0重量%を超えると耐湿性を悪化させるおそれ
がある。
【0047】また本発明の封止用エポキシ樹脂組成物に
は、上記の成分のほかに、必要に応じて、離型剤、カー
ボンブラック等の顔料や有機染料等の着色剤等を適宜配
合することができる。
【0048】本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を調製
するにあたっては、例えば上記の各成分を所定量配合
し、ミキサー等で均一に混合した後、加熱ロール、ニー
ダー等で混練するものであり、このとき各成分の配合順
序には特に制限はない。また混練した後に粉砕すること
により粉末状の封止用エポキシ樹脂組成物を得ることが
でき、更にこれを打錠してタブレット状の封止用エポキ
シ樹脂組成物を得ることもできる。
【0049】このようにして得られる封止用エポキシ樹
脂組成物は、半導体装置の封止用途に使用することがで
きるものであり、特に片面封止型半導体装置の封止用に
好適に用いられる。この場合、成形時の寸法変化量が低
減され、パッケージ反りの発生を低減することができ
る。また、半導体封止時において、封止用エポキシ樹脂
組成物の硬化物から形成される封止材と、インターポー
ザやチップ等との間の密着性が向上し、リフロー処理後
の剥離の発生を抑制することができる。
【0050】上記の封止用エポキシ樹脂組成物を用いた
片面封止型半導体装置の製造例を説明する。
【0051】インターポーザとしては、ガラス基材ビス
マレイミド系樹脂基板、ガラス基材エポキシ樹脂基板等
の樹脂基板からなるプリント配線基板を使用することが
できる。またチップ(半導体素子)としては、シリコン
ベアチップ等の半導体ベアチップなどが使用される。
【0052】チップはインターポーザの一面に搭載され
るものであり、このときのチップとインターポーザ上の
回路との電気的な接続は、フリップチップ接合やワイヤ
ボンディング接合等により行うことができる。
【0053】また、搭載されたチップとインターポーザ
との間に隙間が生じている場合には、必要に応じてアン
ダーフィルを設けても良い。
【0054】次いで、上記の封止用エポキシ樹脂組成物
を硬化成形することにより、チップが搭載されたインタ
ーポーザの一面に、チップを覆うように封止材を形成す
る。この封止用エポキシ樹脂組成物の硬化成形は、トラ
ンスファ成形等で行うことができ、このときの成形条件
は、組成にもよるが、150〜190℃、2〜10MP
a、10〜180秒間の条件で、成形を行うことができ
る。
【0055】また、成形後、更にアフターキュアーを施
すことが好ましく、このとき例えば160〜190℃の
条件で2〜6時間加熱してアフターキュアーを施すもの
である。
【0056】このようにして封止材を形成したものは、
インターポーザの半導体素子搭載面とは反対側の裏面に
接続用のランドを設けておくと、半導体装置であるLG
A(ランド・グリッド・アレイ)として形成される。ま
た、封止材の形成後に、インターポーザの裏面にはんだ
ボールを設けて、半導体装置であるBGA(ボール・グ
リッド・アレイ)を製造することができる。
【0057】また、半導体装置を作製するにあたって
は、インターボーザの一面に複数個のチップをマトリク
ス状に実装し、これを一括して上述の方法で片面封止し
た後、成形後に切断して個片化することもできる。この
ように封止材がインターポーザ上の大面積の領域に形成
される場合でも、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を
用いると、パッケージ反りの発生を抑制することが可能
となる。
【0058】
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳述するが、
本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【0059】(実施例1〜7及び比較例1〜4)各実施
例及び各比較例につき、各成分の使用量を表1に示すよ
うにし、各成分をミキサーで十分混合した後、過熱ロー
ルで約5分間混錬を行い、冷却固化し、粉砕機で粉砕し
て封止用エポキシ樹脂を得た。
【0060】このようにして得られた封止用エポキシ樹
脂組成物を用いて次のようにしてBGAパッケージとし
ての性能評価のための評価用パッケージを作成した。
【0061】サイズが40mm×150mm、コア部厚
みが0.1mmのガラスエポキシ基板(松下電工(株)
製、「1766T」)に回路形成を施し、さらにレジス
ト(太陽インキ(株)PSR4000AUS5)を塗布
した。
【0062】これに、4mm角の評価用TEGチップを
チップピッチが12.2mmとなるように3×10列で
計30個をマトリクス状にダイボンドして搭載し、チッ
プとインターポーザ上の回路端子を直径25μmの金線
でワイヤボンドにより接続した。
【0063】次いで、封止用エポキシ樹脂組成物を用
い、インターポーザのチップ搭載面側に封止厚み0.6
mmで封止成形(トランスファー成形)して30個のチ
ップが一括封止された一括封止物を得た。成形条件は1
75℃、7MPa、90秒間とし、更にアフターキュア
ーを175℃、6時間の条件で行った。
【0064】(評価試験) ・一括封止物の反り評価 各実施例及び比較例において、1μmの精度で読み取り
可能な測定顕微鏡を用い、一括封止物の封止材上面を平
坦な台の上に載せた時の、台からの封止材の浮き量を測
定した。このとき、封止材上面のうち、短辺側の外縁部
の3点と、長辺側の外縁部の3点の、計9点において、
封止材上面と台からの距離を測定し、その最大値にて評
価を行った。
【0065】・ワイヤー流れ(金線流れ)評価 各実施例及び比較例において、上記一括封止物の封止材
内部を軟X線観察装置を用いて測定し、ワイヤー流れの
有無を確認して、ワイヤー流れ率が5%以上のパッケー
ジを不良とした。なお、各実施例および比較例につい
て、それぞれ30個の評価用パッケージを用いて評価し
た。
【0066】・耐リフロー性評価 各実施例及び比較例において、上記一括封止物をダイシ
ング装置で個片のパッケージに切断し、この個片パッケ
ージを125℃で12時間の前乾燥処理を行った後、3
0℃、70%RHの条件に設定した恒温恒湿機中で19
2時間の吸湿処理を行い、その後にリフロー処理(ピー
ク温度265℃)を行った。
【0067】このリフロー処理後の評価用パッケージに
ついて、超音波顕微鏡(日立建機(株)製、「My s
cope hyper」)で内部の観察を行い、封止材
とチップ表面の界面、及び封止材とインターポーザとの
界面における剥離発生の有無を調査して、剥離が発生し
たものを不良とした。なお、各実施例および比較例につ
いて、それぞれ10個の評価用パッケージを用いて評価
した。
【0068】・ガラス転移温度および線膨張係数 各実施例及び各比較例の封止用エポキシ樹脂組成物を、
前記評価パッケージの成形条件と同一の条件で硬化させ
た硬化物について、TMA測定装置((株)理学製、
「TAS200」)を用い、得られる膨張カーブの屈曲
点からガラス転移温度(Tg)を求め、また50〜10
0℃の伸び率から線膨張係数(熱膨張係数:α1)を求
めた。
【0069】・耐炎性(難燃性)評価 各実施例及び各比較例の封止用エポキシ樹脂組成物を用
い、前記評価用パッケージの成形条件と同一の条件で硬
化させて、UL94に従って試験片を作製するととも
に、UL94に基づいた耐炎性試験を行い難燃性を測定
した。
【0070】以上の結果を表1に示す。
【0071】
【表1】
【0072】尚、表中の各成分の詳細は次の通りであ
る。 ・フェノール樹脂a : 構造式(1)に示すフェノー
ル樹脂と、二核体以下のフェノール樹脂の混合物;二核
体以下のフェノール樹脂の含有量2重量%;明和化成
(株)製、品番「MEH7500」 ・フェノール樹脂b : 構造式(1)に示すフェノー
ル樹脂と、二核体以下のフェノール樹脂の混合物;二核
体以下のフェノール樹脂の含有量8重量%;明和化成
(株)製、品番「MEH7500SS」 ・o−クレゾールノボラック樹脂 : 住友化学製、品
番「ESCN195XL」 ・エポキシ樹脂a : 三井化学(株)製、品番「VG
3101」 ・エポキシ樹脂b : 日本化薬(株)製、品番「EP
PN501HY」 ・ビフェニル型エポキシ樹脂 : ジャパンエポキシレ
ジン(株)製、「YX4000H」 ・ブロム化エポキシ樹脂 : 住友化学(株)製、品番
「ESB400T」 ・赤リン系難燃剤 : 微粉状赤リン(燐化学工業製、
品番「F5」)100重量部に対して、水酸化チタンに
よる無機質層を約10重量部、さらにフェノール樹脂に
よる熱硬化性樹脂層を約20重量部の被覆量で被覆し
た、平均粒径30μmのもの ・溶融シリカ : 平均粒径 15μm 表1にみるように、各実施例の封止用エポキシ樹脂組成
物で封止した評価用パッケージは、一括封止時の反りが
小さく、且つワイヤー流れが発生せず、且つ耐リフロー
性に優れていることが確認された。
【0073】例えば、実施例1と比較例1、および比較
例2の比較で明らかなように、実施例1のように式
(2)のエポキシ樹脂を使用し、且つ特定組成のフェノ
ール樹脂硬化剤を使用し、更に無機充填材の配合量を8
5重量%以上とした場合は、一括封止物の反りが小さ
く、且つパッケージのワイヤー流れが発生しないことが
わかる。
【0074】また、実施例4と比較例3の比較から明ら
かなように、構造式(3)で示されるエポキシ樹脂を使
用し、特定組成を有するフェノール樹脂硬化剤を使用し
た場合は、一括封止物の反りが小さく、且つパッケージ
のワイヤー流れが発生しないことがわかる。
【0075】また、実施例1及び実施例4と、比較例4
との比較で明らかなように、硬化剤に特定組成のフェノ
ール樹脂硬化剤を使用し、且つエポキシ樹脂として構造
式(2)又は構造式(3)に示されるエポキシ樹脂を使
用する方が、エポキシ樹脂としてo−クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂を使用するよりも、反りが小さく、
かつワイヤー流れが発生しにくいことがわかる。
【0076】
【発明の効果】上記のように本発明に係る封止用エポキ
シ樹脂組成物は、 A.上記構造式(1)に示す構造を有するフェノール樹
脂を85重量%以上含有すると共に構造式(1)中にお
けるnの値が0となるものよりも低分子量であるフェノ
ール樹脂を3〜10重量%含有し、且つ150℃におけ
る溶融粘度が0.4Pa・s以下であるフェノール樹脂
成分を、50〜100重量%の割合で含むフェノール樹
脂硬化剤、 B.1分子中に2個以上のグリシジル基を有するエポキ
シ樹脂、 C.硬化促進剤及び D.組成物全量に対する含有量が85重量%以上の無機
充填材 を含有するため、耐熱性の高いトリフェニルメタン型フ
ェノール樹脂を用いることにより、硬化物である封止材
のガラス転移温度を上昇して成形時の寸法変化量を低減
することができ、更に封止用エポキシ樹脂組成物の溶融
粘度を大幅に低下させることが可能となって、無機充填
材の充填量が高いにも係わらず十分低い溶融粘度を維持
することができ、この結果、封止材の線膨張率を低減し
て、成形時の寸法変化量を更に低減し、特に半導体装置
のパッケージ片面封止時にはワイヤ流れ等の成形不良の
発生を防止すると共に、反り発生を抑制することができ
て、インターボーザに実装された複数個のチップを一括
して封止する場合のように封止する領域が広い場合であ
っても反りの発生を抑制することができるものであり、
また無機充填材の高充填化により封止材の吸湿率を低減
して耐リフロー性を向上することができるものである。
【0077】また、上記構造式(2)で示されるエポキ
シ樹脂を、エポキシ樹脂Bの全量に対して30〜100
重量%の割合で含有させると、耐熱性の高いエポキシ樹
脂を含有することにより、硬化物である封止材のガラス
転移温度を上昇して成形時の寸法変化量を更に低減する
ことができるものである。
【0078】また、上記構造式(3)で示されるエポキ
シ樹脂を、エポキシ樹脂Bの全量に対して30〜100
重量%の割合で含有させると、耐熱性の高いエポキシ樹
脂を含有することにより、硬化物である封止材のガラス
転移温度を上昇して成形時の寸法変化量を更に低減する
ことができるものである。
【0079】また、難燃剤として、平均粒径1〜60μ
mの微粉末状赤リンの表面に無機物層および熱硬化性樹
脂層を被覆した被覆層付赤リンを含有させると、難燃剤
のノンハロゲン化を達成して環境問題の解決に寄与する
ことができ、しかも無機物層及び熱硬化性樹脂層により
赤リンの吸湿を防止して赤リンを安定に維持し、特に半
導体の封止用途に用いた場合に半導体に悪影響が及ぶこ
とを防止することができるものである。
【0080】また、本発明に係る片面封止型半導体装置
は、上記のような封止用エポキシ樹脂にて封止されたも
のであるため、ワイヤ流れ等の成形不良の発生を防止す
ると共に、反り発生を抑制することができるものであ
り、また無機充填材の高充填化により封止材の吸湿率を
低減して耐リフロー性を向上することができるものであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 (72)発明者 橋本 羊一 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 教学 正之 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Fターム(参考) 4J002 CC032 CD051 CD071 DA056 DE147 DJ007 DJ017 DK007 FD017 FD136 FD142 GQ05 4J036 AA01 AC02 AC03 AD08 DB05 FB08 JA07 4M109 AA01 CA21 EB12 EC20

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】A.下記構造式(1)に示す構造を有する
    フェノール樹脂を85重量%以上含有すると共に構造式
    (1)中におけるnの値が0となるものよりも低分子量
    であるフェノール樹脂を3〜10重量%含有し、且つ1
    50℃における溶融粘度が0.4Pa・s以下であるフ
    ェノール樹脂成分を、50〜100重量%の割合で含む
    フェノール樹脂硬化剤、 B.1分子中に2個以上のグリシジル基を有するエポキ
    シ樹脂、 C.硬化促進剤及び D.組成物全量に対する含有量が85重量%以上の無機
    充填材 を含有して成ることを特徴とする封止用エポキシ樹脂組
    成物。 【化1】
  2. 【請求項2】 下記構造式(2)で示されるエポキシ樹
    脂を、エポキシ樹脂Bの全量に対して30〜100重量
    %の割合で含有して成ることを特徴とする請求項1に記
    載の封止用エポキシ樹脂組成物。 【化2】
  3. 【請求項3】 下記構造式(3)で示されるエポキシ樹
    脂を、エポキシ樹脂Bの全量に対して30〜100重量
    %の割合で含有して成ることを特徴とする請求項1に記
    載の封止用エポキシ樹脂組成物。 【化3】
  4. 【請求項4】 難燃剤として、平均粒径1〜60μmの
    微粉末状赤リンの表面に無機物層および熱硬化性樹脂層
    を被覆した被覆層付赤リンを含有して成ることを特徴と
    する請求項1乃至3のいずれかに記載の封止用エポキシ
    樹脂組成物。
  5. 【請求項5】 請求項1乃至4のいずれかに記載の封止
    用エポキシ樹脂にて封止して成ることを特徴とする片面
    封止型半導体装置。
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