JP3380560B2 - 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法Info
- Publication number
- JP3380560B2 JP3380560B2 JP54541798A JP54541798A JP3380560B2 JP 3380560 B2 JP3380560 B2 JP 3380560B2 JP 54541798 A JP54541798 A JP 54541798A JP 54541798 A JP54541798 A JP 54541798A JP 3380560 B2 JP3380560 B2 JP 3380560B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- metal hydroxide
- semiconductor encapsulation
- semiconductor
- encapsulation according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12528—Semiconductor component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31511—Of epoxy ether
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31511—Of epoxy ether
- Y10T428/31529—Next to metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
技術分野
本発明は、難燃性、耐半田性、耐湿信頼性および流動
性に優れた半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた
半導体装置ならびに半導体装置の製法に関するものであ
る。 背景技術 トランジスタ,IC,LSI等の半導体素子は、従来セラミ
ック等によって封止され半導体装置化されていたが、最
近では、コスト，量産性の観点から、プラスチックを用
いた樹脂封止型の半導体装置が主流になっている。この
種の樹脂封止には、従来からエポキシ樹脂組成物が用い
られており良好な成績を収めている。しかし、半導体分
野の技術革新によって集積度の向上とともに素子サイズ
の大形化，配線の微細化が進み、パッケージも小形化，
薄形化する傾向にあり、これに伴って封止材料に対して
より以上の信頼性の向上が要望されている。 一方、半導体装置等の電子部品は、難燃性の規格であ
るUL94 Ｖ−０に適合することが必要不可欠であり、従
来から、半導体封止用樹脂組成物に難燃作用を付与する
方法として、臭素化エポキシ樹脂および硬化アンチモン
を添加する方法が一般的に行われている。 しかしながら、上記難燃化付与技術に関して２つの大
きな問題があった。 第１の問題点として、三酸化アンチモン自身の有害
性，燃焼時に臭化水素，ブロム系ガス，臭素化アンチモ
ン等の発生による人体への有害性や機器への腐食性が問
題となっている。 第２の問題点としては、上記難燃化付与技術を採用し
た半導体装置を高温で長時間放置すると、遊離した臭素
の影響で半導体素子上のアルミニウム配線が腐食し、半
導体装置の故障の原因となり高温信頼性の低下が問題と
なっている。 上記の問題点を解決するために、難燃剤としてノンハ
ロゲン−ノンアンチモン系である金属水酸化物を無機難
燃剤として添加する方法が提案されている。しかしなが
ら、この方法では大量の（例えば40重量％以上の）金属
水酸化物を使用せねばならず、結果、新たな問題が生じ
ることとなる。 第１の問題点は、半田付け時に半導体装置の膨れや、
クラックが発生しやすい点である。近年、半導体装置の
実装方法として表面実装が主流になっており、半田付け
時には半田浸漬、赤外リフロー、ベーパーフェイズリフ
ロー等の半田処理方法が選択されて使用される。いずれ
の処理を採用しても、半導体装置が高温（通常215〜260
℃）に曝されるため、従来の金属水酸化物が添加された
樹脂組成物を用いた樹脂封止による半導体装置では、金
属水酸化物の吸水量が多いため、吸湿した水分の急激な
気化により半導体装置の膨れやクラックが発生するとい
う、いわゆる、耐半田性の低下という問題が生じてい
る。 第２の問題点として、耐湿信頼性に関して80〜200
℃、相対湿度70〜100％の高温高湿環境下での半導体素
子機能が低下するという点である。また、発熱量の大き
い半導体素子や自動車のエンジン周りに搭載する半導体
装置等では、長期間の使用により脱水反応が生起するた
め、耐湿信頼性が低下するという問題が生じる可能性が
ある。 このように、従来の難燃化技術では、上記のような問
題が生じるため、燃焼時に有害ガスの発生のない、安全
な材料であって、半導体装置の半田付け時において金属
水酸化物の脱水による半導体装置の膨れやクラックを起
こさず、長期間の高温高湿雰囲気下での放置によっても
半導体素子上のアルミニウム配線の腐食や高湿信頼性の
低下の生起しない難燃化技術の開発が強く望まれてい
る。そこで、本出願人は、熱硬化性樹脂および硬化剤と
ともに、金属水酸化物と金属酸化物、あるいはこれらの
複合化金属水酸化物とを併用した半導体封止用熱硬化性
樹脂組成物を提案し上記課題の解決を図った（特願平７
−507466号公報）。この半導体封止用熱硬化性樹脂組成
物を用いることにより確かに難燃性および耐湿信頼性の
向上効果は得られたが、新たな問題が発生した。すなわ
ち、近年の半導体パッケージは、より薄型化傾向にある
が、トランスファー成形等のパッケージ成形時において
封止材料となる樹脂組成物の流動性が低下して金ワイヤ
ーの変形が発生する等、成形性の著しい低下が問題とな
っている。 本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、安
全性はもちろん、耐湿信頼性および難燃性に優れるとと
もに、成形性に優れた半導体封止用樹脂組成物およびそ
れを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製造の提供
を目的とする。 発明の開示 上記の目的を達成するため、本発明は、下記の（イ）
〜（ハ）成分を含有する半導体封止用樹脂組成物を第１
の要旨とする。 （イ）熱硬化性樹脂。 （ロ）硬化剤。 （ハ）下記の一般式（１）で表される多面体形状の複合
化金属水酸化物。 ｍ（MaOb）・ｎ（QdOe）・cH2O ・・・（１） 〔上記式（１）において、ＭとＱは互いに異なる金属元
素であり、Ｑは、周期律表のIV a,V a,VI a,VII a,VII
I,I b,II bから選ばれた族に属する金属元素である。ま
た、m,n,a,b,c,d,eは正数であって、互いに同一の値で
あってもよいし、異なる値であってもよい。〕 また、本発明は、上記半導体封止用樹脂組成物を用い
て半導体素子を封止してなる半導体装置を第２の要旨と
する。 そして、本発明は、上記半導体封止用樹脂組成物を用
いトランスファー成形法により半導体素子を樹脂封止し
て半導体装置を製造する、あるいは、上記半導体封止用
樹脂組成物からなるシート状封止材料を用いて半導体装
置を製造する半導体装置の製法を第３の要旨とする。 なお、本発明の半導体封止用樹脂組成物における
（ハ）成分の、多面体形状の複合化金属水酸化物とは、
図１に示すような、六角板形状を有するもの、あるい
は、鱗片状等のように、いわゆる厚みの薄い平板形状の
結晶形状を有するものではなく、縦，横とともに厚み方
向（ｃ軸方向）への結晶成長が大きい、例えば、板状結
晶のものが厚み方向（ｃ軸方向）に結晶成長してより立
体的かつ球状に近似させた粒状の結晶形状、例えば、略
８面体，略４面体等の形状を有する複合化金属水酸化物
をいう。もちろん、上記多面体形状は、結晶の成長のし
かた以外にも、粉砕や摩砕等によっても多面体の形は変
化しうる。 本発明者らは、安全性はもちろん、耐半田性，耐湿信
頼性および難燃性に優れるとともに、流動性にも優れた
半導体封止用樹脂組成物を得るために一連の研究を行っ
た。この研究を行うに際して、まず、前記複合化金属水
酸化物含有の半導体封止用樹脂組成物を用いた際の流動
性の低下原因を突き止めるべく研究を重ねた。その結
果、上記流動性の低下が複合化金属水酸化物の結晶形状
に起因するものであることを突き止めた。すなわち、通
常、複合化金属水酸化物の結晶形状は、基本的に六角板
状あるいは鱗片状のような平板形状であり、このような
結晶形状を有する複合化金属水酸化物を含有した樹脂組
成物を用いてのトランスファー成形のような封止工程に
おいては流動性が著しく低下し、その結果、金ワイヤー
の変形等が発生するという知見を得た。そして、この知
見に基づき上記流動性の低下の抑制を目的にさらに研究
を行った。その結果、上記複合化金属水酸化物として、
特定の平均粒径を有するとともに、従来のような六角板
状あるいは鱗片状のような平板形状を有するものではな
く、縦，横とともに厚み方向への結晶成長の大きい多面
体の複合化金属水酸化物を用いると、樹脂組成物の流動
性の低下が抑制されて、トランスファー成形時等におい
て問題が生じず、成形性の向上が図れることを見出し本
発明に到達した。 さらに、上記結晶形状を有する特殊な複合化金属水酸
化物の平均粒径が0.5〜10μｍである場合には、優れた
難燃効果とともにその流動性の低下が抑制されてさらな
る成形性の向上が実現する。 また、上記複合化金属水酸化物のアスペクト比が１〜
８である場合には、樹脂組成物の粘度の低下効果が発揮
されて、さらなる成形性の向上が実現する。そして、上
記アスペクト比は１〜８の範囲のなかでも、好適には２
〜７である。 図面の簡単な説明
性に優れた半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた
半導体装置ならびに半導体装置の製法に関するものであ
る。 背景技術 トランジスタ,IC,LSI等の半導体素子は、従来セラミ
ック等によって封止され半導体装置化されていたが、最
近では、コスト，量産性の観点から、プラスチックを用
いた樹脂封止型の半導体装置が主流になっている。この
種の樹脂封止には、従来からエポキシ樹脂組成物が用い
られており良好な成績を収めている。しかし、半導体分
野の技術革新によって集積度の向上とともに素子サイズ
の大形化，配線の微細化が進み、パッケージも小形化，
薄形化する傾向にあり、これに伴って封止材料に対して
より以上の信頼性の向上が要望されている。 一方、半導体装置等の電子部品は、難燃性の規格であ
るUL94 Ｖ−０に適合することが必要不可欠であり、従
来から、半導体封止用樹脂組成物に難燃作用を付与する
方法として、臭素化エポキシ樹脂および硬化アンチモン
を添加する方法が一般的に行われている。 しかしながら、上記難燃化付与技術に関して２つの大
きな問題があった。 第１の問題点として、三酸化アンチモン自身の有害
性，燃焼時に臭化水素，ブロム系ガス，臭素化アンチモ
ン等の発生による人体への有害性や機器への腐食性が問
題となっている。 第２の問題点としては、上記難燃化付与技術を採用し
た半導体装置を高温で長時間放置すると、遊離した臭素
の影響で半導体素子上のアルミニウム配線が腐食し、半
導体装置の故障の原因となり高温信頼性の低下が問題と
なっている。 上記の問題点を解決するために、難燃剤としてノンハ
ロゲン−ノンアンチモン系である金属水酸化物を無機難
燃剤として添加する方法が提案されている。しかしなが
ら、この方法では大量の（例えば40重量％以上の）金属
水酸化物を使用せねばならず、結果、新たな問題が生じ
ることとなる。 第１の問題点は、半田付け時に半導体装置の膨れや、
クラックが発生しやすい点である。近年、半導体装置の
実装方法として表面実装が主流になっており、半田付け
時には半田浸漬、赤外リフロー、ベーパーフェイズリフ
ロー等の半田処理方法が選択されて使用される。いずれ
の処理を採用しても、半導体装置が高温（通常215〜260
℃）に曝されるため、従来の金属水酸化物が添加された
樹脂組成物を用いた樹脂封止による半導体装置では、金
属水酸化物の吸水量が多いため、吸湿した水分の急激な
気化により半導体装置の膨れやクラックが発生するとい
う、いわゆる、耐半田性の低下という問題が生じてい
る。 第２の問題点として、耐湿信頼性に関して80〜200
℃、相対湿度70〜100％の高温高湿環境下での半導体素
子機能が低下するという点である。また、発熱量の大き
い半導体素子や自動車のエンジン周りに搭載する半導体
装置等では、長期間の使用により脱水反応が生起するた
め、耐湿信頼性が低下するという問題が生じる可能性が
ある。 このように、従来の難燃化技術では、上記のような問
題が生じるため、燃焼時に有害ガスの発生のない、安全
な材料であって、半導体装置の半田付け時において金属
水酸化物の脱水による半導体装置の膨れやクラックを起
こさず、長期間の高温高湿雰囲気下での放置によっても
半導体素子上のアルミニウム配線の腐食や高湿信頼性の
低下の生起しない難燃化技術の開発が強く望まれてい
る。そこで、本出願人は、熱硬化性樹脂および硬化剤と
ともに、金属水酸化物と金属酸化物、あるいはこれらの
複合化金属水酸化物とを併用した半導体封止用熱硬化性
樹脂組成物を提案し上記課題の解決を図った（特願平７
−507466号公報）。この半導体封止用熱硬化性樹脂組成
物を用いることにより確かに難燃性および耐湿信頼性の
向上効果は得られたが、新たな問題が発生した。すなわ
ち、近年の半導体パッケージは、より薄型化傾向にある
が、トランスファー成形等のパッケージ成形時において
封止材料となる樹脂組成物の流動性が低下して金ワイヤ
ーの変形が発生する等、成形性の著しい低下が問題とな
っている。 本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、安
全性はもちろん、耐湿信頼性および難燃性に優れるとと
もに、成形性に優れた半導体封止用樹脂組成物およびそ
れを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製造の提供
を目的とする。 発明の開示 上記の目的を達成するため、本発明は、下記の（イ）
〜（ハ）成分を含有する半導体封止用樹脂組成物を第１
の要旨とする。 （イ）熱硬化性樹脂。 （ロ）硬化剤。 （ハ）下記の一般式（１）で表される多面体形状の複合
化金属水酸化物。 ｍ（MaOb）・ｎ（QdOe）・cH2O ・・・（１） 〔上記式（１）において、ＭとＱは互いに異なる金属元
素であり、Ｑは、周期律表のIV a,V a,VI a,VII a,VII
I,I b,II bから選ばれた族に属する金属元素である。ま
た、m,n,a,b,c,d,eは正数であって、互いに同一の値で
あってもよいし、異なる値であってもよい。〕 また、本発明は、上記半導体封止用樹脂組成物を用い
て半導体素子を封止してなる半導体装置を第２の要旨と
する。 そして、本発明は、上記半導体封止用樹脂組成物を用
いトランスファー成形法により半導体素子を樹脂封止し
て半導体装置を製造する、あるいは、上記半導体封止用
樹脂組成物からなるシート状封止材料を用いて半導体装
置を製造する半導体装置の製法を第３の要旨とする。 なお、本発明の半導体封止用樹脂組成物における
（ハ）成分の、多面体形状の複合化金属水酸化物とは、
図１に示すような、六角板形状を有するもの、あるい
は、鱗片状等のように、いわゆる厚みの薄い平板形状の
結晶形状を有するものではなく、縦，横とともに厚み方
向（ｃ軸方向）への結晶成長が大きい、例えば、板状結
晶のものが厚み方向（ｃ軸方向）に結晶成長してより立
体的かつ球状に近似させた粒状の結晶形状、例えば、略
８面体，略４面体等の形状を有する複合化金属水酸化物
をいう。もちろん、上記多面体形状は、結晶の成長のし
かた以外にも、粉砕や摩砕等によっても多面体の形は変
化しうる。 本発明者らは、安全性はもちろん、耐半田性，耐湿信
頼性および難燃性に優れるとともに、流動性にも優れた
半導体封止用樹脂組成物を得るために一連の研究を行っ
た。この研究を行うに際して、まず、前記複合化金属水
酸化物含有の半導体封止用樹脂組成物を用いた際の流動
性の低下原因を突き止めるべく研究を重ねた。その結
果、上記流動性の低下が複合化金属水酸化物の結晶形状
に起因するものであることを突き止めた。すなわち、通
常、複合化金属水酸化物の結晶形状は、基本的に六角板
状あるいは鱗片状のような平板形状であり、このような
結晶形状を有する複合化金属水酸化物を含有した樹脂組
成物を用いてのトランスファー成形のような封止工程に
おいては流動性が著しく低下し、その結果、金ワイヤー
の変形等が発生するという知見を得た。そして、この知
見に基づき上記流動性の低下の抑制を目的にさらに研究
を行った。その結果、上記複合化金属水酸化物として、
特定の平均粒径を有するとともに、従来のような六角板
状あるいは鱗片状のような平板形状を有するものではな
く、縦，横とともに厚み方向への結晶成長の大きい多面
体の複合化金属水酸化物を用いると、樹脂組成物の流動
性の低下が抑制されて、トランスファー成形時等におい
て問題が生じず、成形性の向上が図れることを見出し本
発明に到達した。 さらに、上記結晶形状を有する特殊な複合化金属水酸
化物の平均粒径が0.5〜10μｍである場合には、優れた
難燃効果とともにその流動性の低下が抑制されてさらな
る成形性の向上が実現する。 また、上記複合化金属水酸化物のアスペクト比が１〜
８である場合には、樹脂組成物の粘度の低下効果が発揮
されて、さらなる成形性の向上が実現する。そして、上
記アスペクト比は１〜８の範囲のなかでも、好適には２
〜７である。 図面の簡単な説明
【図１】従来の複合化金属水酸化物の結晶形状の一つで
ある六角板状形状を示す斜視図である。 発明を実施するための最良の形態 つぎに、本発明の実施の形態を詳しく説明する。 本発明に係る半導体封止用樹脂組成物は、熱硬化性樹
脂（イ成分）と、硬化剤（ロ成分）と、特定の複合化金
属水酸化物（ハ成分）を用いて得られるものであり、通
常、粉末状あるいはこれを打錠したタブレット状になっ
ている。または、樹脂組成物を溶融混練した後、略円柱
状等の顆粒体に成形した顆粒状、さらにシート状に成形
したシート状の封止材料となっている。 上記熱硬化性樹脂（イ成分）としては、エポキシ樹
脂，ポリマレイミド樹脂，不飽和ポリエステル樹脂，フ
ェノール樹脂等があげられる。特に、本発明においては
エポキシ樹脂，ポリマレイミド樹脂を用いることが好ま
しい。 上記エポキシ樹脂としては、特に限定するものではな
く従来公知のものが用いられる。例えば、ビスフェノー
ルＡ型，フェノールノボラック型，クレゾールノボラッ
ク型，ビフェニル型等があげられる。 また、上記ポリマレイミド樹脂としては、得に限定す
るものではなく従来公知のものが用いられ、１分子中に
２個以上のマレイミド基を有するものである。例えば、
N,N′−4,4′−ジフェニルメタンビスマレイミド、2,2
−ビス−〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン等があげられる。 上記熱硬化性樹脂（イ成分）とともに用いられる硬化
剤（ロ成分）としては、例えば、フェノール樹脂，酸無
水物，アミン化合物等従来公知のものが用いられる。そ
して、上記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場
合、フェノール樹脂が好適に用いられる。上記フェノー
ル樹脂としては、フェノールノボラック、クレゾールノ
ボラック、ビスフェノールＡ型ノボラック、ナフトール
ノボラックおよびフェノールアラルキル樹脂等があげら
れる。そして、上記エポキシ樹脂としてビフェニル型エ
ポキシ樹脂を用いる場合には、その硬化剤としてフェノ
ールアラルキル樹脂を用いることが好ましい。 また、熱硬化性樹脂としてポリマレイミド樹脂を用い
る際の硬化剤としては、特に限定するものではなく従来
公知のものが用いられる。例えば、上記エポキシ樹脂用
硬化剤をハロゲン化アリルとアルカリの存在下で反応さ
せて得られるアルケニルフェノール類やアミン類があげ
られる。 そして、上記熱硬化性樹脂（イ成分）がエポキシ樹脂
であり、上記硬化剤（ロ成分）がフェノール樹脂である
場合の両者の含有割合は、上記エポキシ樹脂中のエポキ
シ基１当量当たり、フェノール樹脂中の水酸基が0.7〜
1.3当量となるように設定することが好ましく、なかで
も0.9〜1.1当量となるよう設定することが特に好まし
い。 上記熱硬化性樹脂（イ成分）および硬化剤（ロ成分）
とともに用いられる特定の複合化金属水酸化物（ハ成
分）は、上記のように下記の一般式（１）で表され、か
つ結晶形状が多面体形状を有するものである。 ｍ（MaOb）・ｎ（QdOe）・cH2O ・・・（１） 〔上記式（１）において、ＭとＱは互いに異なる金属元
素であり、Ｑは、周期律表のIV a,V a,VI a,VII a,VII
I,I b,II bから選ばれた族に属する金属元素である。ま
た、m,n,a,b,c,d,eは正数であって、互いに同一の値で
あってもよいし、異なる値であってもよい。〕 上記一般式（１）で表される複合化金属水酸化物に関
して、式（１）中の金属元素を示すＭとしては、Al,Mg,
Ca,Ni,Co,Sn,Zn,Cu,Fe,Ti等があげられる。 また、上記一般式（１）で表される複合化金属酸化物
中のもう一つの金属元素を示すＱは、周期律表のIV a,V
a,VI a,VII a,VIII,I b,II bから選ばれた族に属する
金属である。例えば、鉄，コバルト，ニッケル，パラジ
ウム，銅，亜鉛等があげられ、単独でもしくは２種以上
併せて選択される。 このような結晶形状が多面体形状を有する複合化金属
水酸化物は、複合化金属水酸化物の製造工程における各
種条件等を制御することにより、縦，横とともに厚み方
向（ｃ軸方向）への結晶成長が大きい、所望の多面体形
状、例えば、略８面体，略４面体等の形状を有する複合
化金属水酸化物を得ることができる。 本発明に用いられる多面体形状の複合化金属水酸化物
は、その一例として結晶外形が略８面体の他面体構造を
示し、アスペクト比が１〜８程度、好ましくは２〜７に
調整されたもので、例えば、式（１）中の、Ｍ＝Mg,Q＝
Znの場合について述べると、つぎのようにして作製する
ことができる。すなわち、まず、水酸化マグネシウム水
溶液に硝酸亜鉛化合物を添加し、原料となる部分複合化
金属水酸化物を作製する。ついで、この原料を、800〜1
500℃の範囲で、より好ましくは1000〜1300℃の範囲で
焼成することにより、複合化金属酸化物を作製する。こ
の複合化金属酸化物は、ｍ（MgO）・ｎ（ZnO）の組成で
示されるが、さらに酢酸を上記複合化金属酸化物に対し
て約0.1〜6mol％共存する水媒体中の系で強攪拌しなが
ら40℃以上の温度で水和反応させることにより、ｍ（Mg
O）・ｎ（ZnO）・cH2Oで示される、本発明の多面体形状
を有する複合化金属水酸化物を作製することができる。 上記多面体形状を有する複合化金属水酸化物の具体的
な代表例としては、sMgO・（１−ｓ）NiO・cH2O〔０＜
ｓ＜１、０＜ｃ≦１〕、sMgO・（１−ｓ）ZnO・cH2O
〔０＜ｓ＜１、０＜ｓ≦１〕、sAl2O3・（１−ｓ）Fe2O
3・cH2O〔０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦３〕等があげられる。
なかでも、酸化マグネシウム・酸化ニッケルの水和物、
酸化マグネシウム・酸化亜鉛の水和物が特に好ましく用
いられる。 そして、上記多面体形状を有する複合化金属水酸化物
（ハ成分）は、レーザー式粒度測定機による平均粒径0.
5〜10μｍの範囲のものを用いることが好ましく、より
好ましくは0.6〜６μｍである。すなわち、上記複合化
金属水酸化物の平均粒径が10μｍを超え大きくなると、
難燃効果が低下する傾向がみられるからである。 また、上記多面体形状を有する複合化金属水酸化物
（ハ成分）は、アスペクト比が１〜８、特には２〜７で
あることが好ましい。ここでいうアスペクト比とは、複
合化金属水酸化物の長径と短径との比で表したものであ
る。すなわち、アスペクト比が８を超えると、この複合
化金属水酸化物を含有する樹脂組成物が溶融したときの
粘度低下に対する効果が乏しくなる。 なお、本発明においては、上記（ハ）成分である多面
体形状の複合化金属水酸化物とともに従来の薄平板形状
の複合化金属水酸化物を併用することができる。そし
て、本発明の半導体封止用樹脂組成物が溶融したときの
粘度低下の効果の発現という点から、用いられる複合化
金属水酸化物全体（従来の薄平板形状を含む）中の、多
面体形状の複合化金属水酸化物の占める割合を30〜100
重量％の範囲に設定することが好ましい。すなわち、多
面体形状の複合化金属水酸化物の占める割合が30重量％
未満では樹脂組成物の粘度低下の効果が乏しくなる。 上記多面体形状を有する複合化金属水酸化物（ハ成
分）を含む複合化金属水酸化物の含有量は、樹脂組成物
全体の１〜30重量％、特には２〜28重量％の範囲に設定
することが好ましく、この含有量の範囲内でその優れた
難燃化効果を発揮することができる。すなわち、上記複
合化金属水酸化物が１重量％未満では難燃化効果が不充
分となり、30重量％を超えると、樹脂組成物硬化体中の
塩素イオン濃度が高くなるということから耐湿信頼性が
低下する傾向がみられるからである。 そして、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物には、
上記イ〜ハ成分、および場合により、従来の薄平板形状
の複合化金属水酸化物とともに無機質充填剤を用いるこ
とができる。上記無機充填剤としては、得に限定するも
のではなく従来公知の各種充填剤があげられる。例え
ば、石英ガラス粉末、タルク、シリカ粉末、アルミナ粉
末、炭酸カルシウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素およびカ
ーボンブラック粉末等があげられる。これらは単独でも
しくは２種以上併せて用いられる。そして、上記無機質
充填剤として、得られる硬化物の線膨張係数を低減でき
るという点からシリカ粉末を用いることが好ましい。な
かでも、シリカ粉末として球状シリカ粉末、とりわけ溶
融シリカ粉末を用いることが樹脂組成物の良好な流動性
という点から特に好ましい。また、上記無機質充填剤に
おいて、その平均粒径が10〜70μｍの範囲であることが
好ましく、より好ましくは20〜50μｍである。すなわ
ち、先に述べたように、複合化金属水酸化物の平均粒径
が前記範囲内であるとともに、無機質充填剤の平均粒径
が上記範囲内であると、樹脂組成物の良好な流動性が得
られる。また、上記シリカ粉末としては、場合によりシ
リカ粉末を摩砕処理してなる摩砕シリカ粉末を用いるこ
ともできる。 上記無機質充填剤の含有量に関しては、この無機質充
填剤に複合化金属水酸化物（多面体形状を有する複合化
金属水酸化物および場合により使用される従来の薄平板
形状の複合化金属水酸化物）を加算した無機物全体の合
計量が、半導体封止用樹脂組成物全体の60〜92重量％と
なるよう設定することが好ましい。特に好ましくは70〜
90重量％である。すなわち、無機物全体量が60重量％を
下回ると難燃性が低下する傾向がみられるからである。 さらに、前記多面体形状の複合化金属水酸化物（ハ成
分）を含む複合化金属水酸化物（ｘ）と、上記無機質充
填剤（ｙ）とを併用する場合の併用比率は、重量比（x/
y）で、x/y＝0.01/1〜1/1の範囲に設定することが好ま
しく、より好ましくはx/y＝0.01/1〜0.75/1である。 そして、本発明の半導体封止用樹脂組成物としては、
下記の方法に従って抽出された抽出水中の塩素イオン濃
度が上記樹脂組成物の硬化体1gあたり200μｇ以下であ
ることが好ましい。すなわち、熱硬化性樹脂組成物硬化
体の粉体化物5gと蒸留水50ccを専用の抽出容器に入れ、
この容器を160℃の乾燥機内に20時間放置して抽出水（p
H6.0〜8.0）を抽出する。そして、上記抽出水をイオン
クロマト分析して塩素イオン量（α）を測定する。この
塩素イオン量（α）は樹脂組成物硬化体中のイオン量を
10倍に希釈した値であるため、下記に示す式により樹脂
組成物硬化体1gあたりの塩素イオン量を算出する。な
お、上記抽出水のpHは6.0〜8.0の範囲が好ましい。 樹脂組成物硬化体1gあたりの塩素イオン量（μｇ）＝α×（50/5） すなわち、樹脂組成物硬化体の抽出水中に含有される
塩素イオン濃度が200μｇを超えて高いと、半導体素
子，リードフレーム等の腐食が発生したり、耐湿性が劣
化する傾向がみられるようになる。 なお、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物には、上
記イ〜ハ成分および無機質充填剤以外に、硬化促進剤、
顔料、離型剤、可撓性付与剤等を必要に応じて適宜に添
加することができる。 上記硬化促進剤としては、従来公知のもの、例えば、
1,8−ジアザ−ビシクロ（5,4,0）ウンデセン−７、トリ
エチレンジアミン等の三級アミノ類、２−メチルイミダ
ゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、
テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等
のリン系硬化促進剤等があげられる。 上記顔料としては、カーボンブラック、酸化チタン等
があげられる。また、上記離型剤としては、ポリエチレ
ンワックス、パラフィンや脂肪酸エステル、脂肪酸塩等
があげられる。 さらに、上記可撓性付与剤としては、シランカップリ
ング剤等のカップリング剤およびシリコーン樹脂やブタ
ジエン−アクリロニトリルゴム等があげられる。 また、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物では、上
記各成分に加えてさらに有機系難燃剤あるいは赤リン系
難燃剤を併用すると、上記多面体形状を有する複合化金
属水酸化物（ハ成分）を含有する複合化金属水酸化物の
使用量を低減させることができ好ましい。上記有機系難
燃剤の代表的なものとしては、複素環骨格を有する化合
物があげられる。 上記複素環骨格を有する化合物としては、例えば、メ
ラミン誘導体、シアヌレート誘導体、イソシアヌレート
誘導体等の複素環骨格を有する化合物があげられる。こ
れらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。 上記有機系難燃剤は、前記複合化金属水酸化物と予め
機械的に混合した後配合してもよいし、有機系難燃剤を
溶剤に溶解してこれに前記複合化金属水酸化物を添加し
て脱溶剤し表面処理したものを用いてもよい。 そして、上記有機系難燃剤の含有量は、前記複合化金
属水酸化物の使用量（多面体形状の複合化金属水酸化物
と場合により使用される従来の薄平板形状の複合化金属
水酸化物の合計量）の１〜10重量％の範囲に設定するこ
とが好ましい。特に好ましくは１〜５重量％である。 一方、上記赤リン系難燃剤としては、赤リン粉末、あ
るいはこの赤リン粉末表面を各種有機物，無機物で保護
コートした赤リン粉末をあげることができる。そして、
上記赤リン系難燃剤の含有量は、上記有機系難燃剤の場
合と同様、前記複合化金属水酸化物の使用量（多面体形
状の複合化金属水酸化物と場合により使用される従来の
薄平板形状の複合化金属水酸化物の合計量）の１〜10重
量％の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは
１〜５重量％である。 そして、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物におい
て、前記（イ）〜（ハ）成分を含む各成分の好適な組み
合わせは、つぎのとおりである。すなわち、熱硬化性樹
脂（イ成分）としては、エポキシ樹脂、なかでも、流動
性が良好であるという点からビフェニル系エポキシ樹脂
が好ましく、また硬化剤（ロ成分）としては、その流動
性という観点からフェノールアラルキル樹脂が好まし
い。そして、前記特定の多面体形状の複合化金属水酸化
物（ハ成分）とともに、無機質充填剤として溶融シリカ
粉末を用いることが好ましい。さらに、これらに加え
て、上記のような複合化金属水酸化物を用いた場合、離
型性が低下する傾向がみられることから、ワックス類、
特に酸価30以上（通常の上限値は200）という高酸価の
ポリエチレン系ワックスまたはエステル系ワックスを用
いることが好ましい。 本発明に係る半導体封止用樹脂組成物は、例えばつぎ
のようにして製造することができる。すなわち、熱硬化
性樹脂（イ成分），硬化剤（ロ成分），多面体形状の複
合化金属水酸化物（ハ成分）および無機質充填剤ならび
に必要に応じて他の添加剤を所定の割合で配合する。つ
ぎに、この混合物をミキシングロール機等の混練機を用
いて加熱状態で溶融混練し、これを室温に冷却する。そ
して、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠す
るという一連の工程によって目的とする半導体封止用樹
脂組成物を製造することができる。 あるいは、上記半導体封止用樹脂組成物の混合物を混
練機に導入して溶融状態で混練した後、これを略円柱状
の顆粒体に連続的に成形するという一連の工程によって
顆粒状の半導体封止用樹脂組成物を製造することができ
る。 さらに、上記半導体封止用樹脂組成物の混合物をパレ
ット上に受け入れし、これを冷却後、プレス圧延，ロー
ル圧延，あるいは溶媒を混合したものを塗工してシート
化する等の方法によりシート状の半導体封止用樹脂組成
物を製造することができる。 このようにして得られる半導体封止用樹脂組成物（粉
末状，タブレット状，顆粒状等）を用いての半導体素子
の封止方法は、特に限定するものではなく、通常のトラ
ンスファー成形等の公知の成形方法によって行うことが
できる。 また、上記シート状の半導体封止用樹脂組成物を用い
て、例えば、つぎのようにしてフリップチップ実装によ
る半導体装置を製造することができる。すなわち、上記
シート状半導体封止用樹脂組成物を、接合用バンプを備
えた半導体素子の電極面側に、あるいは、回路基板のバ
ンプ接合部側に配置し、上記半導体素子と回路基板とを
バンプ接合するとともに両者を樹脂封止による接着封止
を行うことによりフリップチップ実装して半導体装置を
製造することができる。 つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。 まず、下記に示す各材料を準備した。 〔エポキシ樹脂ａ〕 クレゾールノボラック系エポキシ樹脂（エポキシ当量
200） 〔エポキシ樹脂ｂ〕 ビフェニル系エポキシ樹脂（エポキシ当量195） 〔エポキシ樹脂ｃ〕 フェノールノボラック樹脂（水酸基当量107） 〔エポキシ樹脂ｄ〕 フェノールアラルキル樹脂（水酸基当量174） 〔シリカ粉末〕 平均粒径30μｍの溶融シリカ粉末 〔リン系硬化促進剤〕 トリフェニルホスフィン 〔赤リン系難燃剤〕 赤リン粉末を樹脂でコートしたもの（燐化学工業社
製、ノーバエクセル） 〔エステル系ワックス〕 カルナバワックス 〔オレフィン系ワックス〕 ポリエチレン系ワックス（酸価160） つぎに、実施例に先立って下記の表１に示す各種複合
化金属水酸化物を準備した。なお、下記の表１中の複合
化金属水酸化物Ａ〜Ｃは、先に述べた多面体形状の複合
化金属水酸化物の製造方法に準じて作製した。
ある六角板状形状を示す斜視図である。 発明を実施するための最良の形態 つぎに、本発明の実施の形態を詳しく説明する。 本発明に係る半導体封止用樹脂組成物は、熱硬化性樹
脂（イ成分）と、硬化剤（ロ成分）と、特定の複合化金
属水酸化物（ハ成分）を用いて得られるものであり、通
常、粉末状あるいはこれを打錠したタブレット状になっ
ている。または、樹脂組成物を溶融混練した後、略円柱
状等の顆粒体に成形した顆粒状、さらにシート状に成形
したシート状の封止材料となっている。 上記熱硬化性樹脂（イ成分）としては、エポキシ樹
脂，ポリマレイミド樹脂，不飽和ポリエステル樹脂，フ
ェノール樹脂等があげられる。特に、本発明においては
エポキシ樹脂，ポリマレイミド樹脂を用いることが好ま
しい。 上記エポキシ樹脂としては、特に限定するものではな
く従来公知のものが用いられる。例えば、ビスフェノー
ルＡ型，フェノールノボラック型，クレゾールノボラッ
ク型，ビフェニル型等があげられる。 また、上記ポリマレイミド樹脂としては、得に限定す
るものではなく従来公知のものが用いられ、１分子中に
２個以上のマレイミド基を有するものである。例えば、
N,N′−4,4′−ジフェニルメタンビスマレイミド、2,2
−ビス−〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン等があげられる。 上記熱硬化性樹脂（イ成分）とともに用いられる硬化
剤（ロ成分）としては、例えば、フェノール樹脂，酸無
水物，アミン化合物等従来公知のものが用いられる。そ
して、上記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場
合、フェノール樹脂が好適に用いられる。上記フェノー
ル樹脂としては、フェノールノボラック、クレゾールノ
ボラック、ビスフェノールＡ型ノボラック、ナフトール
ノボラックおよびフェノールアラルキル樹脂等があげら
れる。そして、上記エポキシ樹脂としてビフェニル型エ
ポキシ樹脂を用いる場合には、その硬化剤としてフェノ
ールアラルキル樹脂を用いることが好ましい。 また、熱硬化性樹脂としてポリマレイミド樹脂を用い
る際の硬化剤としては、特に限定するものではなく従来
公知のものが用いられる。例えば、上記エポキシ樹脂用
硬化剤をハロゲン化アリルとアルカリの存在下で反応さ
せて得られるアルケニルフェノール類やアミン類があげ
られる。 そして、上記熱硬化性樹脂（イ成分）がエポキシ樹脂
であり、上記硬化剤（ロ成分）がフェノール樹脂である
場合の両者の含有割合は、上記エポキシ樹脂中のエポキ
シ基１当量当たり、フェノール樹脂中の水酸基が0.7〜
1.3当量となるように設定することが好ましく、なかで
も0.9〜1.1当量となるよう設定することが特に好まし
い。 上記熱硬化性樹脂（イ成分）および硬化剤（ロ成分）
とともに用いられる特定の複合化金属水酸化物（ハ成
分）は、上記のように下記の一般式（１）で表され、か
つ結晶形状が多面体形状を有するものである。 ｍ（MaOb）・ｎ（QdOe）・cH2O ・・・（１） 〔上記式（１）において、ＭとＱは互いに異なる金属元
素であり、Ｑは、周期律表のIV a,V a,VI a,VII a,VII
I,I b,II bから選ばれた族に属する金属元素である。ま
た、m,n,a,b,c,d,eは正数であって、互いに同一の値で
あってもよいし、異なる値であってもよい。〕 上記一般式（１）で表される複合化金属水酸化物に関
して、式（１）中の金属元素を示すＭとしては、Al,Mg,
Ca,Ni,Co,Sn,Zn,Cu,Fe,Ti等があげられる。 また、上記一般式（１）で表される複合化金属酸化物
中のもう一つの金属元素を示すＱは、周期律表のIV a,V
a,VI a,VII a,VIII,I b,II bから選ばれた族に属する
金属である。例えば、鉄，コバルト，ニッケル，パラジ
ウム，銅，亜鉛等があげられ、単独でもしくは２種以上
併せて選択される。 このような結晶形状が多面体形状を有する複合化金属
水酸化物は、複合化金属水酸化物の製造工程における各
種条件等を制御することにより、縦，横とともに厚み方
向（ｃ軸方向）への結晶成長が大きい、所望の多面体形
状、例えば、略８面体，略４面体等の形状を有する複合
化金属水酸化物を得ることができる。 本発明に用いられる多面体形状の複合化金属水酸化物
は、その一例として結晶外形が略８面体の他面体構造を
示し、アスペクト比が１〜８程度、好ましくは２〜７に
調整されたもので、例えば、式（１）中の、Ｍ＝Mg,Q＝
Znの場合について述べると、つぎのようにして作製する
ことができる。すなわち、まず、水酸化マグネシウム水
溶液に硝酸亜鉛化合物を添加し、原料となる部分複合化
金属水酸化物を作製する。ついで、この原料を、800〜1
500℃の範囲で、より好ましくは1000〜1300℃の範囲で
焼成することにより、複合化金属酸化物を作製する。こ
の複合化金属酸化物は、ｍ（MgO）・ｎ（ZnO）の組成で
示されるが、さらに酢酸を上記複合化金属酸化物に対し
て約0.1〜6mol％共存する水媒体中の系で強攪拌しなが
ら40℃以上の温度で水和反応させることにより、ｍ（Mg
O）・ｎ（ZnO）・cH2Oで示される、本発明の多面体形状
を有する複合化金属水酸化物を作製することができる。 上記多面体形状を有する複合化金属水酸化物の具体的
な代表例としては、sMgO・（１−ｓ）NiO・cH2O〔０＜
ｓ＜１、０＜ｃ≦１〕、sMgO・（１−ｓ）ZnO・cH2O
〔０＜ｓ＜１、０＜ｓ≦１〕、sAl2O3・（１−ｓ）Fe2O
3・cH2O〔０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦３〕等があげられる。
なかでも、酸化マグネシウム・酸化ニッケルの水和物、
酸化マグネシウム・酸化亜鉛の水和物が特に好ましく用
いられる。 そして、上記多面体形状を有する複合化金属水酸化物
（ハ成分）は、レーザー式粒度測定機による平均粒径0.
5〜10μｍの範囲のものを用いることが好ましく、より
好ましくは0.6〜６μｍである。すなわち、上記複合化
金属水酸化物の平均粒径が10μｍを超え大きくなると、
難燃効果が低下する傾向がみられるからである。 また、上記多面体形状を有する複合化金属水酸化物
（ハ成分）は、アスペクト比が１〜８、特には２〜７で
あることが好ましい。ここでいうアスペクト比とは、複
合化金属水酸化物の長径と短径との比で表したものであ
る。すなわち、アスペクト比が８を超えると、この複合
化金属水酸化物を含有する樹脂組成物が溶融したときの
粘度低下に対する効果が乏しくなる。 なお、本発明においては、上記（ハ）成分である多面
体形状の複合化金属水酸化物とともに従来の薄平板形状
の複合化金属水酸化物を併用することができる。そし
て、本発明の半導体封止用樹脂組成物が溶融したときの
粘度低下の効果の発現という点から、用いられる複合化
金属水酸化物全体（従来の薄平板形状を含む）中の、多
面体形状の複合化金属水酸化物の占める割合を30〜100
重量％の範囲に設定することが好ましい。すなわち、多
面体形状の複合化金属水酸化物の占める割合が30重量％
未満では樹脂組成物の粘度低下の効果が乏しくなる。 上記多面体形状を有する複合化金属水酸化物（ハ成
分）を含む複合化金属水酸化物の含有量は、樹脂組成物
全体の１〜30重量％、特には２〜28重量％の範囲に設定
することが好ましく、この含有量の範囲内でその優れた
難燃化効果を発揮することができる。すなわち、上記複
合化金属水酸化物が１重量％未満では難燃化効果が不充
分となり、30重量％を超えると、樹脂組成物硬化体中の
塩素イオン濃度が高くなるということから耐湿信頼性が
低下する傾向がみられるからである。 そして、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物には、
上記イ〜ハ成分、および場合により、従来の薄平板形状
の複合化金属水酸化物とともに無機質充填剤を用いるこ
とができる。上記無機充填剤としては、得に限定するも
のではなく従来公知の各種充填剤があげられる。例え
ば、石英ガラス粉末、タルク、シリカ粉末、アルミナ粉
末、炭酸カルシウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素およびカ
ーボンブラック粉末等があげられる。これらは単独でも
しくは２種以上併せて用いられる。そして、上記無機質
充填剤として、得られる硬化物の線膨張係数を低減でき
るという点からシリカ粉末を用いることが好ましい。な
かでも、シリカ粉末として球状シリカ粉末、とりわけ溶
融シリカ粉末を用いることが樹脂組成物の良好な流動性
という点から特に好ましい。また、上記無機質充填剤に
おいて、その平均粒径が10〜70μｍの範囲であることが
好ましく、より好ましくは20〜50μｍである。すなわ
ち、先に述べたように、複合化金属水酸化物の平均粒径
が前記範囲内であるとともに、無機質充填剤の平均粒径
が上記範囲内であると、樹脂組成物の良好な流動性が得
られる。また、上記シリカ粉末としては、場合によりシ
リカ粉末を摩砕処理してなる摩砕シリカ粉末を用いるこ
ともできる。 上記無機質充填剤の含有量に関しては、この無機質充
填剤に複合化金属水酸化物（多面体形状を有する複合化
金属水酸化物および場合により使用される従来の薄平板
形状の複合化金属水酸化物）を加算した無機物全体の合
計量が、半導体封止用樹脂組成物全体の60〜92重量％と
なるよう設定することが好ましい。特に好ましくは70〜
90重量％である。すなわち、無機物全体量が60重量％を
下回ると難燃性が低下する傾向がみられるからである。 さらに、前記多面体形状の複合化金属水酸化物（ハ成
分）を含む複合化金属水酸化物（ｘ）と、上記無機質充
填剤（ｙ）とを併用する場合の併用比率は、重量比（x/
y）で、x/y＝0.01/1〜1/1の範囲に設定することが好ま
しく、より好ましくはx/y＝0.01/1〜0.75/1である。 そして、本発明の半導体封止用樹脂組成物としては、
下記の方法に従って抽出された抽出水中の塩素イオン濃
度が上記樹脂組成物の硬化体1gあたり200μｇ以下であ
ることが好ましい。すなわち、熱硬化性樹脂組成物硬化
体の粉体化物5gと蒸留水50ccを専用の抽出容器に入れ、
この容器を160℃の乾燥機内に20時間放置して抽出水（p
H6.0〜8.0）を抽出する。そして、上記抽出水をイオン
クロマト分析して塩素イオン量（α）を測定する。この
塩素イオン量（α）は樹脂組成物硬化体中のイオン量を
10倍に希釈した値であるため、下記に示す式により樹脂
組成物硬化体1gあたりの塩素イオン量を算出する。な
お、上記抽出水のpHは6.0〜8.0の範囲が好ましい。 樹脂組成物硬化体1gあたりの塩素イオン量（μｇ）＝α×（50/5） すなわち、樹脂組成物硬化体の抽出水中に含有される
塩素イオン濃度が200μｇを超えて高いと、半導体素
子，リードフレーム等の腐食が発生したり、耐湿性が劣
化する傾向がみられるようになる。 なお、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物には、上
記イ〜ハ成分および無機質充填剤以外に、硬化促進剤、
顔料、離型剤、可撓性付与剤等を必要に応じて適宜に添
加することができる。 上記硬化促進剤としては、従来公知のもの、例えば、
1,8−ジアザ−ビシクロ（5,4,0）ウンデセン−７、トリ
エチレンジアミン等の三級アミノ類、２−メチルイミダ
ゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、
テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等
のリン系硬化促進剤等があげられる。 上記顔料としては、カーボンブラック、酸化チタン等
があげられる。また、上記離型剤としては、ポリエチレ
ンワックス、パラフィンや脂肪酸エステル、脂肪酸塩等
があげられる。 さらに、上記可撓性付与剤としては、シランカップリ
ング剤等のカップリング剤およびシリコーン樹脂やブタ
ジエン−アクリロニトリルゴム等があげられる。 また、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物では、上
記各成分に加えてさらに有機系難燃剤あるいは赤リン系
難燃剤を併用すると、上記多面体形状を有する複合化金
属水酸化物（ハ成分）を含有する複合化金属水酸化物の
使用量を低減させることができ好ましい。上記有機系難
燃剤の代表的なものとしては、複素環骨格を有する化合
物があげられる。 上記複素環骨格を有する化合物としては、例えば、メ
ラミン誘導体、シアヌレート誘導体、イソシアヌレート
誘導体等の複素環骨格を有する化合物があげられる。こ
れらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。 上記有機系難燃剤は、前記複合化金属水酸化物と予め
機械的に混合した後配合してもよいし、有機系難燃剤を
溶剤に溶解してこれに前記複合化金属水酸化物を添加し
て脱溶剤し表面処理したものを用いてもよい。 そして、上記有機系難燃剤の含有量は、前記複合化金
属水酸化物の使用量（多面体形状の複合化金属水酸化物
と場合により使用される従来の薄平板形状の複合化金属
水酸化物の合計量）の１〜10重量％の範囲に設定するこ
とが好ましい。特に好ましくは１〜５重量％である。 一方、上記赤リン系難燃剤としては、赤リン粉末、あ
るいはこの赤リン粉末表面を各種有機物，無機物で保護
コートした赤リン粉末をあげることができる。そして、
上記赤リン系難燃剤の含有量は、上記有機系難燃剤の場
合と同様、前記複合化金属水酸化物の使用量（多面体形
状の複合化金属水酸化物と場合により使用される従来の
薄平板形状の複合化金属水酸化物の合計量）の１〜10重
量％の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは
１〜５重量％である。 そして、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物におい
て、前記（イ）〜（ハ）成分を含む各成分の好適な組み
合わせは、つぎのとおりである。すなわち、熱硬化性樹
脂（イ成分）としては、エポキシ樹脂、なかでも、流動
性が良好であるという点からビフェニル系エポキシ樹脂
が好ましく、また硬化剤（ロ成分）としては、その流動
性という観点からフェノールアラルキル樹脂が好まし
い。そして、前記特定の多面体形状の複合化金属水酸化
物（ハ成分）とともに、無機質充填剤として溶融シリカ
粉末を用いることが好ましい。さらに、これらに加え
て、上記のような複合化金属水酸化物を用いた場合、離
型性が低下する傾向がみられることから、ワックス類、
特に酸価30以上（通常の上限値は200）という高酸価の
ポリエチレン系ワックスまたはエステル系ワックスを用
いることが好ましい。 本発明に係る半導体封止用樹脂組成物は、例えばつぎ
のようにして製造することができる。すなわち、熱硬化
性樹脂（イ成分），硬化剤（ロ成分），多面体形状の複
合化金属水酸化物（ハ成分）および無機質充填剤ならび
に必要に応じて他の添加剤を所定の割合で配合する。つ
ぎに、この混合物をミキシングロール機等の混練機を用
いて加熱状態で溶融混練し、これを室温に冷却する。そ
して、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠す
るという一連の工程によって目的とする半導体封止用樹
脂組成物を製造することができる。 あるいは、上記半導体封止用樹脂組成物の混合物を混
練機に導入して溶融状態で混練した後、これを略円柱状
の顆粒体に連続的に成形するという一連の工程によって
顆粒状の半導体封止用樹脂組成物を製造することができ
る。 さらに、上記半導体封止用樹脂組成物の混合物をパレ
ット上に受け入れし、これを冷却後、プレス圧延，ロー
ル圧延，あるいは溶媒を混合したものを塗工してシート
化する等の方法によりシート状の半導体封止用樹脂組成
物を製造することができる。 このようにして得られる半導体封止用樹脂組成物（粉
末状，タブレット状，顆粒状等）を用いての半導体素子
の封止方法は、特に限定するものではなく、通常のトラ
ンスファー成形等の公知の成形方法によって行うことが
できる。 また、上記シート状の半導体封止用樹脂組成物を用い
て、例えば、つぎのようにしてフリップチップ実装によ
る半導体装置を製造することができる。すなわち、上記
シート状半導体封止用樹脂組成物を、接合用バンプを備
えた半導体素子の電極面側に、あるいは、回路基板のバ
ンプ接合部側に配置し、上記半導体素子と回路基板とを
バンプ接合するとともに両者を樹脂封止による接着封止
を行うことによりフリップチップ実装して半導体装置を
製造することができる。 つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。 まず、下記に示す各材料を準備した。 〔エポキシ樹脂ａ〕 クレゾールノボラック系エポキシ樹脂（エポキシ当量
200） 〔エポキシ樹脂ｂ〕 ビフェニル系エポキシ樹脂（エポキシ当量195） 〔エポキシ樹脂ｃ〕 フェノールノボラック樹脂（水酸基当量107） 〔エポキシ樹脂ｄ〕 フェノールアラルキル樹脂（水酸基当量174） 〔シリカ粉末〕 平均粒径30μｍの溶融シリカ粉末 〔リン系硬化促進剤〕 トリフェニルホスフィン 〔赤リン系難燃剤〕 赤リン粉末を樹脂でコートしたもの（燐化学工業社
製、ノーバエクセル） 〔エステル系ワックス〕 カルナバワックス 〔オレフィン系ワックス〕 ポリエチレン系ワックス（酸価160） つぎに、実施例に先立って下記の表１に示す各種複合
化金属水酸化物を準備した。なお、下記の表１中の複合
化金属水酸化物Ａ〜Ｃは、先に述べた多面体形状の複合
化金属水酸化物の製造方法に準じて作製した。
【表１】
【実施例１〜１０、比較例１〜３】
ついで、下記の表２〜表４に示す各成分を同表に示す
割合で配合し、ミキシングロール機（温度100℃）で３
分間溶融混練を行い、冷却固化した後粉砕して目的とす
る粉末状エポキシ樹脂組成物を得た。
割合で配合し、ミキシングロール機（温度100℃）で３
分間溶融混練を行い、冷却固化した後粉砕して目的とす
る粉末状エポキシ樹脂組成物を得た。
【表２】
【表３】
【表４】
このようにして得られた実施例および比較例のエポキ
シ樹脂組成物を用い、その硬化体の塩素イオン濃度を測
定した。なお、塩素イオン濃度の測定方法は、前述の方
法に従った。さらに、各エポキシ樹脂組成物を用いて厚
み1/16インチの試験片を成形し、UL94 Ｖ−０規格の方
法に従って難燃性を評価した。なお、合格とは94−V0合
格を意味する。これらの測定・評価結果を後記の表５〜
表７に示す。 つぎに、各エポキシ樹脂組成物を用い、下記の方法に
従ってスパイラルフロー値およびフローテスター粘度を
測定した。 〔スパイラルフロー値〕 上記各エポキシ樹脂組成物を粉末状のまま用い、これ
を予め規定温度（175±５℃）に加熱した渦巻状のスパ
イラルフロー用金型のポットの奥まで挿入し、型締めし
て型締め圧力を210±10kg/cm2まで上げた。つぎに、型
締め圧力が210±10kg/cm2に達した時点で、プランジャ
ーでエポキシ樹脂組成物を注入し、注入圧力70±5kg/cm
2に到達した後、２分間注入圧力をかけた。ついで、ト
ランスファー成形機のプランジャー圧力を抜き、さらに
型締め圧力を抜いて金型を開いた。そして、成形物の渦
巻き長さを最小2.5mmまで測定することによりスパイラ
ルフロー値を得た（EMMI １−66に準ずる）。 〔フローテスター粘度〕 上記各エポキシ樹脂組成物を2g精秤し、タブレット状
に成形した。そして、これを高下式フローテスターのポ
ット内に入れ、10kgの荷重をかけて測定した。溶融した
エポキシ樹脂組成物がダイスの穴（直径1.0mm×10mm）
を通過して押し出されるときのピストンの移動速度から
サンプルの溶融粘度を求めた。 また、上記実施例および比較例で得られたエポキシ樹
脂組成物を用い、半導体素子をトランスファー成形（条
件:175℃×２分）し、175℃×５時間で後硬化すること
により半導体装置を得た。この半導体装置は、80ピンQF
P（クワッドフラットパッケージ、サイズ:20×14×2m
m）であり、ダイパッドサイズは８×8mmである。 このようにして得られた半導体装置について、まず、
軟Ｘ線装置により、パッケージ内部の透過画像を観察す
ることにより、金ワイヤーの変形等の不良の発生を測定
した。測定した結果、金ワイヤーの変形が確認されたも
のを×、金ワイヤーの変形が確認されず良好なパッケー
ジが得られたものを○として、下記の表５〜表７に示
す。 一方、超音波深傷装置にて非破壊にて測定した。その
測定後、内部剥離の生じた個数（10個中）をカウントし
た。そして、上記測定後、良品をつぎに示す半田試験に
供した。すなわち、良品の半導体装置を用いて、120℃
×１時間のプリベーク後、これを85℃/85％RH×168時間
吸湿させた後、215℃のVPS（ベーパーフェイズソルダリ
ング）で90秒の評価試験（耐半田クラック性）を行っ
た。そして、クラックが発生した個数（10個中）を測定
した。その評価結果を下記の表５〜表７に併せて示す。 また、上記半導体装置を用いて、耐湿信頼性試験とし
てプレッシークッカーバイアス試験（PCBT）を行い50％
不良発生時間を測定した。その結果を下記の表５〜表７
に併せて示す。なお、上記PCBTの条件は、130℃×85％R
H×30V（バイアス電圧）とした。
シ樹脂組成物を用い、その硬化体の塩素イオン濃度を測
定した。なお、塩素イオン濃度の測定方法は、前述の方
法に従った。さらに、各エポキシ樹脂組成物を用いて厚
み1/16インチの試験片を成形し、UL94 Ｖ−０規格の方
法に従って難燃性を評価した。なお、合格とは94−V0合
格を意味する。これらの測定・評価結果を後記の表５〜
表７に示す。 つぎに、各エポキシ樹脂組成物を用い、下記の方法に
従ってスパイラルフロー値およびフローテスター粘度を
測定した。 〔スパイラルフロー値〕 上記各エポキシ樹脂組成物を粉末状のまま用い、これ
を予め規定温度（175±５℃）に加熱した渦巻状のスパ
イラルフロー用金型のポットの奥まで挿入し、型締めし
て型締め圧力を210±10kg/cm2まで上げた。つぎに、型
締め圧力が210±10kg/cm2に達した時点で、プランジャ
ーでエポキシ樹脂組成物を注入し、注入圧力70±5kg/cm
2に到達した後、２分間注入圧力をかけた。ついで、ト
ランスファー成形機のプランジャー圧力を抜き、さらに
型締め圧力を抜いて金型を開いた。そして、成形物の渦
巻き長さを最小2.5mmまで測定することによりスパイラ
ルフロー値を得た（EMMI １−66に準ずる）。 〔フローテスター粘度〕 上記各エポキシ樹脂組成物を2g精秤し、タブレット状
に成形した。そして、これを高下式フローテスターのポ
ット内に入れ、10kgの荷重をかけて測定した。溶融した
エポキシ樹脂組成物がダイスの穴（直径1.0mm×10mm）
を通過して押し出されるときのピストンの移動速度から
サンプルの溶融粘度を求めた。 また、上記実施例および比較例で得られたエポキシ樹
脂組成物を用い、半導体素子をトランスファー成形（条
件:175℃×２分）し、175℃×５時間で後硬化すること
により半導体装置を得た。この半導体装置は、80ピンQF
P（クワッドフラットパッケージ、サイズ:20×14×2m
m）であり、ダイパッドサイズは８×8mmである。 このようにして得られた半導体装置について、まず、
軟Ｘ線装置により、パッケージ内部の透過画像を観察す
ることにより、金ワイヤーの変形等の不良の発生を測定
した。測定した結果、金ワイヤーの変形が確認されたも
のを×、金ワイヤーの変形が確認されず良好なパッケー
ジが得られたものを○として、下記の表５〜表７に示
す。 一方、超音波深傷装置にて非破壊にて測定した。その
測定後、内部剥離の生じた個数（10個中）をカウントし
た。そして、上記測定後、良品をつぎに示す半田試験に
供した。すなわち、良品の半導体装置を用いて、120℃
×１時間のプリベーク後、これを85℃/85％RH×168時間
吸湿させた後、215℃のVPS（ベーパーフェイズソルダリ
ング）で90秒の評価試験（耐半田クラック性）を行っ
た。そして、クラックが発生した個数（10個中）を測定
した。その評価結果を下記の表５〜表７に併せて示す。 また、上記半導体装置を用いて、耐湿信頼性試験とし
てプレッシークッカーバイアス試験（PCBT）を行い50％
不良発生時間を測定した。その結果を下記の表５〜表７
に併せて示す。なお、上記PCBTの条件は、130℃×85％R
H×30V（バイアス電圧）とした。
【表５】
【表６】
【表７】
上記表５〜表７から、全ての実施例は高い難燃性レベ
ルを有するとともに、スパイラルフロー値が高く、かつ
フローテスター粘度が低いことから流動性に優れたもの
であることが明らかである。また、金ワイヤーの変形も
生じなかったことから良好な成形性を有しているといえ
る。しかし、得られた半導体装置の耐湿信頼性および耐
半田性に関しても良好な結果が得られた。 一方、比較例については、難燃性レベルに関しては問
題はなかったが、実施例品と比べてスパイラルフロー値
が低く、かつフローテスター粘度が著しく高いことから
流動性に劣っていることがわかる。このことは、金ワイ
ヤーの変形が確認されていることからも明らかである。
また、通常の金属水酸化物を用いた比較例３は得られた
半導体装置の耐湿信頼性および耐半田性に関しても劣っ
ている。 産業上の利用可能性 以上のように、本発明は、前記一般式（１）で表され
る特殊な結晶形状を有する多面体形状の複合化金属水酸
化物（ハ成分）を含有する半導体封止用樹脂組成物であ
る。このように、上記特殊な複合化金属水酸化物の使用
により、優れた難燃性が付与されるとともに従来の難燃
剤である臭素化エポキシ樹脂と比較すると臭素の影響が
なく半導体素子やアルミニウム配線の腐食等が生じず耐
湿信頼性が向上して長寿命になる。さらに、従来のよう
な平板状の結晶形状ではなく前記特殊な多面体の結晶形
状を有するため、流動性に優れ、半導体パッケージの封
止時に金ワイヤーの変形等の問題が生じず、成形性が向
上する。そして、上記難燃性および成形性の向上効果に
加えて、上記多面体形状の複合化金属水酸化物（ハ成
分）を用いると、上記多面体形状の複合化金属水酸化物
が半導体封止用樹脂組成物中に均一に分散されることか
ら、従来公知の金属水酸化物等の難燃剤と比べて同等以
上の難燃性を得るための使用量が少量ですむ。その結
果、吸水量が少なくなるため、半田特性が向上する。ま
た、本発明では、上記多面体形状の複合化金属水酸化物
を用いるため、従来の薄板状または鱗片状の複合化金属
水酸化物を用いる場合に比べて、その使用量を少なくで
き、したがって、例えば、シリカ粉末を併用する場合、
そのシリカ粉末量を多く設定できることから、このよう
な場合には、得られる半導体装置の線膨張係数を低くで
きるとともに機械的強度の向上が実現する。 さらに、上記結晶形状を有する特殊な複合化金属水酸
化物の平均粒径が0.5〜10μｍである場合には、優れた
難燃効果とともにその流動性の低下が抑制されてさらな
る成形性の向上が実現する。 また、上記複合化金属水酸化物のアスペクト比が１〜
８である場合には、樹脂組成物の粘度の低下効果が発揮
されて、さらなる成形性の向上が実現する。 したがって、本発明の半導体封止用樹脂組成物を用い
て封止された半導体装置は、安全性に優れた難燃化技
術、および半導体装置の信頼性が格段に向上したもので
あり、しかも、半導体封止用樹脂組成物を用いたトラン
スファー成形による半導体装置の製法、あるいは、シー
ト状の半導体封止用樹脂組成物を用いてなる半導体装置
の製法においてはその成形性においても優れており、半
導体装置の中でも、特に薄型で大型化した半導体装置に
対して特に有効であり産業上の利用価値は極めて高いも
のである。
ルを有するとともに、スパイラルフロー値が高く、かつ
フローテスター粘度が低いことから流動性に優れたもの
であることが明らかである。また、金ワイヤーの変形も
生じなかったことから良好な成形性を有しているといえ
る。しかし、得られた半導体装置の耐湿信頼性および耐
半田性に関しても良好な結果が得られた。 一方、比較例については、難燃性レベルに関しては問
題はなかったが、実施例品と比べてスパイラルフロー値
が低く、かつフローテスター粘度が著しく高いことから
流動性に劣っていることがわかる。このことは、金ワイ
ヤーの変形が確認されていることからも明らかである。
また、通常の金属水酸化物を用いた比較例３は得られた
半導体装置の耐湿信頼性および耐半田性に関しても劣っ
ている。 産業上の利用可能性 以上のように、本発明は、前記一般式（１）で表され
る特殊な結晶形状を有する多面体形状の複合化金属水酸
化物（ハ成分）を含有する半導体封止用樹脂組成物であ
る。このように、上記特殊な複合化金属水酸化物の使用
により、優れた難燃性が付与されるとともに従来の難燃
剤である臭素化エポキシ樹脂と比較すると臭素の影響が
なく半導体素子やアルミニウム配線の腐食等が生じず耐
湿信頼性が向上して長寿命になる。さらに、従来のよう
な平板状の結晶形状ではなく前記特殊な多面体の結晶形
状を有するため、流動性に優れ、半導体パッケージの封
止時に金ワイヤーの変形等の問題が生じず、成形性が向
上する。そして、上記難燃性および成形性の向上効果に
加えて、上記多面体形状の複合化金属水酸化物（ハ成
分）を用いると、上記多面体形状の複合化金属水酸化物
が半導体封止用樹脂組成物中に均一に分散されることか
ら、従来公知の金属水酸化物等の難燃剤と比べて同等以
上の難燃性を得るための使用量が少量ですむ。その結
果、吸水量が少なくなるため、半田特性が向上する。ま
た、本発明では、上記多面体形状の複合化金属水酸化物
を用いるため、従来の薄板状または鱗片状の複合化金属
水酸化物を用いる場合に比べて、その使用量を少なくで
き、したがって、例えば、シリカ粉末を併用する場合、
そのシリカ粉末量を多く設定できることから、このよう
な場合には、得られる半導体装置の線膨張係数を低くで
きるとともに機械的強度の向上が実現する。 さらに、上記結晶形状を有する特殊な複合化金属水酸
化物の平均粒径が0.5〜10μｍである場合には、優れた
難燃効果とともにその流動性の低下が抑制されてさらな
る成形性の向上が実現する。 また、上記複合化金属水酸化物のアスペクト比が１〜
８である場合には、樹脂組成物の粘度の低下効果が発揮
されて、さらなる成形性の向上が実現する。 したがって、本発明の半導体封止用樹脂組成物を用い
て封止された半導体装置は、安全性に優れた難燃化技
術、および半導体装置の信頼性が格段に向上したもので
あり、しかも、半導体封止用樹脂組成物を用いたトラン
スファー成形による半導体装置の製法、あるいは、シー
ト状の半導体封止用樹脂組成物を用いてなる半導体装置
の製法においてはその成形性においても優れており、半
導体装置の中でも、特に薄型で大型化した半導体装置に
対して特に有効であり産業上の利用価値は極めて高いも
のである。
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】
【表６】
【表７】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ
23/31
(56)参考文献 特開 平９−100337（ＪＰ，Ａ)
国際公開95／6085（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08L 101/00
C08G 59/18
C08K 3/22
C08L 61/00
C08L 63/00
Claims (20)
- 【請求項１】下記の（イ）〜（ハ）成分を含有すること
を特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 （イ）熱硬化性樹脂。 （ロ）硬化剤。 （ハ）下記の一般式（１）で表される多面体形状の複合
化金属水酸化物。 ｍ（MaOb）・ｎ（QdOe）・cH2O ・・・（１） 〔上記式（１）において、ＭとＱは互いに異なる金属元
素であり、Ｑは、周期律表のIV a,V a,VI a,VII a,VII
I,I b,II bから選ばれた族に属する金属元素である。ま
た、m,n,a,b,c,d,eは正数であって、互いに同一の値で
あってもよいし、異なる値であってもよい。〕 - 【請求項２】上記一般式（１）で表される複合化金属水
酸化物中の金属元素を示すＭが、アルミニウム，マグネ
シウム，カルシウム，ニッケル，コバルト，スズ，亜
鉛，銅，鉄およびチタンからなる群から選ばれた少なく
とも一つの金属である請求項１記載の半導体封止用樹脂
組成物。 - 【請求項３】上記一般式（１）で表される複合化金属水
酸化物中の金属元素を示すＱが、鉄，コバルト，ニッケ
ル，パラジウム，銅および亜鉛からなる群から選ばれた
少なくとも一つの金属である請求項１または２記載の半
導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項４】上記一般式（１）で表される複合化金属水
酸化物の平均粒径が0.5〜10μｍである請求項１〜３の
いずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項５】上記一般式（１）で表される複合化金属水
酸化物のアスペクト比が１〜８である請求項１〜４のい
ずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項６】複合化金属水酸化物全体中の、上記一般式
（１）で表される多面体形状を有する複合化金属水酸化
物の占める割合が30〜100重量％の範囲である請求項１
〜５のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項７】上記一般式（１）で表される複合化金属水
酸化物が、sMgO・（１−ｓ）NiO・cH2O〔０＜ｓ＜１、
０＜ｃ≦１〕である請求項１〜６のいずれか一項に記載
の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項８】上記一般式（１）で表される複合化金属水
酸化物が、sMgO・（１−ｓ）ZnO・cH2O〔０＜ｓ＜１、
０＜ｃ≦１〕である請求項１〜６のいずれか一項に記載
の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項９】上記一般式（１）で表される複合化金属水
酸化物の含有量が、樹脂組成物全体の１〜30重量％の範
囲に設定されている請求項１〜８のいずれか一項に記載
の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項１０】半導体封止用樹脂組成物硬化体の抽出液
のpHが6.0〜8.0の範囲であって、かつ、その塩素イオン
濃度が、樹脂組成物硬化体1gあたり200μｇ以下である
請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂
組成物。 - 【請求項１１】半導体封止用樹脂組成物の硬化体が、厚
み1/16インチでのUL94燃焼試験において、Ｖ−０相当の
難燃性を示すものである請求項１〜10のいずれか一項に
記載の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項１２】上記（イ）成分である熱硬化性樹脂がエ
ポキシ樹脂である請求項１〜11のいずれか一項に記載の
半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項１３】上記（ロ）成分である硬化剤がフェノー
ル樹脂である請求項１〜12のいずれか一項に記載の半導
体封止用樹脂組成物。 - 【請求項１４】上記（ハ）成分である多面体形状の複合
化金属水酸化物を含有する複合化金属水酸化物と無機質
充填剤の合計量が、半導体封止用樹脂組成物全体の60〜
92重量％である請求項１〜13のいずれか一項に記載の半
導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項１５】上記（ハ）成分である多面体形状の複合
化金属水酸化物を含有する複合化金属水酸化物と無機質
充填剤の合計量が、半導体封止用樹脂組成物全体の70〜
90重量％である請求項１〜13のいずれか一項に記載の半
導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項１６】上記無機質充填剤がシリカ粉末である請
求項14または15記載の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項１７】上記（イ）〜（ハ）成分に加えて、硬化
促進剤であるトルフェニルホスフィンを含有する請求項
１〜16のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成
物。 - 【請求項１８】請求項１〜17のいずれか一項に記載の半
導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してな
る半導体装置。 - 【請求項１９】請求項１〜17のいずれか一項に記載の半
導体封止用樹脂組成物を用いトランスファー成形法によ
り半導体素子を樹脂封止して半導体装置を製造すること
を特徴とする半導体装置の製法。 - 【請求項２０】請求項１〜17のいずれか一項に記載の半
導体封止用樹脂組成物からなるシート状封止材料を用い
て半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の
製法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-103646 | 1997-04-21 | ||
| JP10364697 | 1997-04-21 | ||
| PCT/JP1998/001190 WO1998047968A1 (en) | 1997-04-21 | 1998-03-19 | Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device sealed with the same, and process for preparing semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3380560B2 true JP3380560B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=14359548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54541798A Expired - Fee Related JP3380560B2 (ja) | 1997-04-21 | 1998-03-19 | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6319619B1 (ja) |
| EP (1) | EP0978542B1 (ja) |
| JP (1) | JP3380560B2 (ja) |
| KR (1) | KR100346974B1 (ja) |
| CN (1) | CN1249168C (ja) |
| DE (1) | DE69838610T2 (ja) |
| HK (1) | HK1027827A1 (ja) |
| MY (1) | MY122235A (ja) |
| TW (1) | TW405233B (ja) |
| WO (1) | WO1998047968A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000036552A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置、及び半導体装置で用いる封止材中の金属分の分取方法 |
| JP4438973B2 (ja) * | 2000-05-23 | 2010-03-24 | アムコア テクノロジー，インコーポレイテッド | シート状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| CN100343325C (zh) * | 2000-08-18 | 2007-10-17 | 长春人造树脂厂股份有限公司 | 阻燃性环氧树脂组合物、制备方法及其应用 |
| JP2002141556A (ja) | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
| TW521548B (en) * | 2000-10-13 | 2003-02-21 | Zeon Corp | Curable composition, molded article, multi-layer wiring substrate, particle and its manufacturing process, varnish and its manufacturing process, laminate, and flame retardant slurry |
| JP2003082242A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-19 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| JP2003092379A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| KR100637305B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2006-10-23 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 전자 부품 장치 |
| CN101412838B (zh) * | 2002-02-27 | 2011-02-09 | 日立化成工业株式会社 | 封装用环氧树脂组合物及使用该组合物的电子组件 |
| CN101429322B (zh) * | 2002-02-27 | 2012-04-18 | 日立化成工业株式会社 | 封装用环氧树脂组合物及使用该组合物的电子组件 |
| CN100339446C (zh) * | 2002-04-15 | 2007-09-26 | 日本瑞翁株式会社 | 清漆、成型物、电绝缘膜、层压物、阻燃剂淤浆以及阻燃剂粒子和清漆的制造方法 |
| US20040166241A1 (en) * | 2003-02-20 | 2004-08-26 | Henkel Loctite Corporation | Molding compositions containing quaternary organophosphonium salts |
| US7397139B2 (en) * | 2003-04-07 | 2008-07-08 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin molding material for sealing use and semiconductor device |
| US6936646B2 (en) | 2003-04-30 | 2005-08-30 | Henkel Corporation | Flame-retardant molding compositions |
| US7456235B2 (en) | 2003-04-30 | 2008-11-25 | Henkel Corporation | Flame-retardant composition for coating powders |
| US20080027155A1 (en) * | 2004-03-15 | 2008-01-31 | Siemens Aktiengesellschaft Siemens Ag | Thermally Conductive Material for Electronic and/or Electrical Components, and Use Thereof |
| US20080039556A1 (en) * | 2004-07-13 | 2008-02-14 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Encapsulated Epoxy-Resin Molding Compound, And Electronic Component Device |
| JP5353629B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2013-11-27 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物 |
| CN102337002B (zh) * | 2011-06-17 | 2012-09-05 | 莱州市顺利达电子材料有限公司 | 有机硅改性酚醛树脂包封料及其制备方法和用途 |
| JP5877745B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2016-03-08 | タテホ化学工業株式会社 | 複合金属水酸化物粒子、及びそれを含む樹脂組成物 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7005269A (ja) * | 1970-04-13 | 1971-10-15 | ||
| DE3118130A1 (de) | 1981-05-07 | 1982-12-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrisch isolierende einkapselungsmasse fuer halbleiteranordnungen |
| JPS58174434A (ja) | 1982-04-08 | 1983-10-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂系成形材料 |
| US4719255A (en) | 1984-08-23 | 1988-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Epoxy resin composition for encapsulation of semi-conductor device |
| CA1335616C (en) | 1987-04-14 | 1995-05-16 | Kaoru Tominaga | Polyimide resin compositions |
| JPH01272619A (ja) | 1987-07-22 | 1989-10-31 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | エポキシ樹脂組成物 |
| JPH0814933B2 (ja) | 1987-09-14 | 1996-02-14 | アンリツ株式会社 | 磁気テープ装置のバッファ制御装置 |
| US4963291A (en) | 1988-06-13 | 1990-10-16 | Bercaw Robert M | Insulating electromagnetic shielding resin composition |
| JP3157448B2 (ja) | 1988-10-05 | 2001-04-16 | 株式会社トプコン | 被加工レンズの加工システム |
| JPH03157448A (ja) | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH06102715B2 (ja) | 1990-08-14 | 1994-12-14 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JPH0529495A (ja) | 1991-07-18 | 1993-02-05 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| US5290882A (en) | 1991-08-13 | 1994-03-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thermosetting resin compositions |
| WO1995006085A1 (en) * | 1993-08-20 | 1995-03-02 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor device |
| JPH09100337A (ja) | 1995-10-04 | 1997-04-15 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JPH1077390A (ja) | 1996-08-30 | 1998-03-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
-
1998
- 1998-03-19 EP EP98909770A patent/EP0978542B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-19 JP JP54541798A patent/JP3380560B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-19 US US09/403,311 patent/US6319619B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-19 DE DE69838610T patent/DE69838610T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-19 KR KR1019997008926A patent/KR100346974B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-03-19 CN CNB98804319XA patent/CN1249168C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-19 WO PCT/JP1998/001190 patent/WO1998047968A1/ja active Search and Examination
- 1998-04-14 TW TW087105594A patent/TW405233B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-04-21 MY MYPI98001788A patent/MY122235A/en unknown
-
2000
- 2000-11-09 HK HK00107126A patent/HK1027827A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW405233B (en) | 2000-09-11 |
| US6319619B1 (en) | 2001-11-20 |
| CN1252828A (zh) | 2000-05-10 |
| WO1998047968A9 (en) | 2000-01-27 |
| EP0978542B1 (en) | 2007-10-24 |
| DE69838610D1 (de) | 2007-12-06 |
| EP0978542A1 (en) | 2000-02-09 |
| KR100346974B1 (ko) | 2002-07-31 |
| MY122235A (en) | 2006-04-29 |
| WO1998047968A1 (en) | 1998-10-29 |
| DE69838610T2 (de) | 2008-02-07 |
| KR20010005851A (ko) | 2001-01-15 |
| EP0978542A4 (en) | 2000-07-12 |
| CN1249168C (zh) | 2006-04-05 |
| HK1027827A1 (en) | 2001-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3380560B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 | |
| JP4121672B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 | |
| JP3447615B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 | |
| JP2003082243A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP2004099778A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP4150466B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 | |
| JP2003313399A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP3476385B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 | |
| KR101266542B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지 | |
| JP4150473B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 | |
| JP2002179773A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3802711B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 | |
| JP4267769B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 | |
| JP3476386B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 | |
| JPH08153831A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4286394B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP2003082242A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP2003096273A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2003082241A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP2002053737A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JPH10279813A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP4510250B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP2003192907A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 | |
| JP2002053733A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 | |
| JP2003246848A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び片面封止型半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081213 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111213 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141213 Year of fee payment: 12 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |