JP3476386B2 - 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、難燃性、耐半田
性、耐湿信頼性および流動性に優れた半導体封止用樹脂
組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装
置の製法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子は、従来セラミック等によって封止され半導体装置
化されていたが、最近では、コスト，量産性の観点か
ら、プラスチックを用いた樹脂封止型の半導体装置が主
流になっている。この種の樹脂封止には、従来からエポ
キシ樹脂組成物が用いられており良好な成績を収めてい
る。しかし、半導体分野の技術革新によって集積度の向
上とともに素子サイズの大形化，配線の微細化が進み、
パッケージも小形化，薄形化する傾向にあり、これに伴
って封止材料に対してより以上の信頼性の向上が要望さ
れている。

【０００３】一方、半導体装置等の電子部品は、難燃性
の規格であるＵＬ９４ Ｖ−０に適合することが必要不
可欠であり、従来から、半導体封止用樹脂組成物に難燃
作用を付与する方法として、臭素化エポキシ樹脂や酸化
アンチモン等のアンチモン化合物を添加する方法が一般
的に行われている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記難
燃化付与技術に関して２つの大きな問題があった。

【０００５】第１の問題点として、上記アンチモン化合
物自身の有害性，燃焼時に臭化水素，ブロム系ガス，臭
素化アンチモン等の発生による人体への有害性や環境汚
染が問題となったり、機器への腐食性が問題となってい
る。

【０００６】第２の問題点としては、上記難燃化付与技
術を採用した半導体装置を高温で長時間放置すると、遊
離した臭素の影響で半導体素子上のアルミニウム配線が
腐食し、半導体装置の故障の原因となり高温信頼性の低
下が問題となっている。

【０００７】このように、従来の難燃化技術では、上記
のような問題が生じるため、燃焼時に有害ガスの発生の
ない、安全な材料であって、半導体装置の半田付け時に
おいて金属水酸化物の脱水による半導体装置の膨れやク
ラックを起こさず、長期間の高温高湿雰囲気下での放置
によっても半導体素子上のアルミニウム配線の腐食や耐
湿信頼性の低下の生起しない難燃化技術の開発が強く望
まれている。そこで、本出願人は、熱硬化性樹脂および
硬化剤とともに、金属水酸化物と金属酸化物、あるいは
これらの複合化金属水酸化物とを併用した半導体封止用
熱硬化性樹脂組成物を提案し上記課題の解決を図った
（特願平７−５０７４６６号公報）。この半導体封止用
熱硬化性樹脂組成物を用いることにより確かに難燃性お
よび耐湿信頼性の向上効果は得られたが、新たな問題が
発生した。すなわち、近年の半導体パッケージは、より
薄型化傾向にあるが、トランスファー成形等のパッケー
ジ成形時において封止材料となる樹脂組成物の流動性が
低下して金ワイヤーの変形が発生する等、成形性の著し
い低下が問題となっている。

【０００８】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、耐半田性、耐湿信頼性および難燃性に優れると
ともに、流動性にも優れた半導体封止用樹脂組成物およ
びそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法の
提供を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、下記の（イ）〜（ニ）成分を含有する半
導体封止用樹脂組成物であって、上記（ハ）成分である
複合化金属水酸化物の平均粒径が、上記（ニ）成分であ
る無機質充填剤の平均粒径よりも小さい半導体封止用樹
脂組成物を第１の要旨とする。 （イ）熱硬化性樹脂。 （ロ）硬化剤。 （ハ）下記の一般式（１）で表される多面体形状の複合
化金属水酸化物。

【化２】 ｍ（Ｍ_a Ｏ_b ）・ｎ（Ｑ_d Ｏ_e ）・ｃＨ₂ Ｏ …（１） 〔上記式（１）において、ＭとＱは互いに異なる金属元
素であり、Ｑは、周期律表のIVａ，Ｖａ，VIａ， VII
ａ，VIII，Ｉｂ，IIｂから選ばれた族に属する金属元素
である。また、ｍ，ｎ，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは正数であ
って、互いに同一の値であってもよいし、異なる値であ
ってもよい。〕 （ニ）無機質充填剤。

【００１０】また、本発明は、上記半導体封止用樹脂組
成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を第
２の要旨とする。

【００１１】そして、本発明は、上記半導体封止用樹脂
組成物を用いトランスファー成形法により半導体素子を
樹脂封止して半導体装置を製造する半導体装置の製法、
また上記半導体封止用樹脂組成物からなるシート状封止
材料を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製法を
第３の要旨とする。

【００１２】なお、本発明の半導体封止用樹脂組成物に
おける（ハ）成分の、多面体形状の複合化金属水酸化物
とは、図２に示すような、六角板形状を有するもの、あ
るいは、鱗片状等のように、いわゆる厚みの薄い平板形
状の結晶形状を有するものではなく、縦，横とともに厚
み方向（ｃ軸方向）への結晶成長が大きい、例えば、板
状結晶のものが厚み方向（ｃ軸方向）に結晶成長してよ
り立体的かつ球状に近似させた粒状の結晶形状、例え
ば、略１２面体，略８面体，略４面体等の形状を有する
複合化金属水酸化物をいい、通常、これらの混合物であ
る。もちろん、上記多面体形状は、結晶の成長のしかた
以外にも、粉砕や摩砕等によっても多面体の形は変化
し、より立体的かつ球状に近似させることが可能とな
る。この多面体形状の複合化金属水酸化物の結晶形状を
表す走査型電子顕微鏡写真（倍率５００００倍）の一例
を図１に示す。このように、本発明では、上記多面体形
状の複合化金属水酸化物を用いることにより、従来のよ
うな六角板形状を有するもの、あるいは、鱗片状等のよ
うに、平板形状の結晶形状を有するものに比べ、樹脂組
成物の流動性の低下を抑制することができる。

【００１３】本発明の複合化金属水酸化物の形状につい
て、略８面体形状のものを例にしてさらに詳細に説明す
る。すなわち、本発明の複合化金属水酸化物の一例であ
る８面体形状のものは、平行な上下２面の基底面と外周
６面の角錐面とからなり、上記角錐面が上向き傾斜面と
下向き傾斜面とが交互に配設された８面体形状を呈して
いる。

【００１４】より詳しく説明すると、従来の厚みの薄い
平板形状の結晶形状を有するものは、例えば、結晶構造
としては六方晶系であり、図３に示すように、ミラー・
ブラベー指数において（００・１）面で表される上下２
面の基底面１０と、｛１０・０｝の型面に属する６面の
角筒面１１で外周が囲まれた六角柱状である。そして、
〔００１〕方向（ｃ軸方向）への結晶成長が少ないた
め、薄い六角柱状を呈している。

【００１５】これに対し、本発明の複合化金属水酸化物
は、図４に示すように、結晶成長時の晶癖制御により、
（００・１）面で表される上下２面の基底面１２と、
｛１０・１｝の型面に属する６面の角錘面１３で外周が
囲まれている。そして、上記角錘面１３は、（１０・
１）面等の上向き傾斜面１３ａと、（１０・−１）面等
の下向き傾斜面１３ｂとが交互に配設された特殊な晶癖
を有する８面体形状を呈している。また、ｃ軸方向への
結晶成長も従来のものに比べて大きい。図４に示すもの
は、板状に近い形状であるが、さらにｃ軸方向への結晶
成長が進み、晶癖が顕著に現れて等方的になったものを
図５に示す。このように、本発明の複合化金属水酸化物
は、正８面体に近い形状のものも含むものである。すな
わち、基底面の長軸径と基底面間の厚みとの比率（長軸
径／厚み）は、１〜９が好適である。この長軸径と厚み
との比率の上限値としてより好適なのは、７である。な
お、上記ミラー・ブラベー指数において、「１バー」
は、「−１」と表示した。

【００１６】このように、本発明の複合化金属水酸化物
が、外周を囲む６つの面が、｛１０・１｝に属する角錘
面であることは、つぎのことからわかる。すなわち、本
発明の複合化金属水酸化物の結晶を、ｃ軸方向から走査
型電子顕微鏡で観察すると、この結晶は、ｃ軸を回転軸
とする３回回転対称を呈している。また、粉末Ｘ線回折
による格子定数の測定値を用いた（１０・１）面と｛１
０・１｝の型面との面間角度の計算値が、走査型電子顕
微鏡観察における面間角度の測定値とほぼ一致する。

【００１７】さらに、本発明の複合化金属水酸化物は、
粉末Ｘ線回折における（１１０）面のピークの半価幅Ｂ
₁₁₀ と、（００１）面のピークの半価幅Ｂ₀₀₁ との比
（Ｂ_{11 0} ／Ｂ₀₀₁ ）が、１．４以上である。このことか
らも、ｃ軸方向への結晶性が良いことと、厚みが成長し
ていることが確認できる。すなわち、従来の水酸化マグ
ネシウム等の結晶では、ｃ軸方向への結晶が成長してお
らず、（００１）面のピークがブロードで半価幅Ｂ₀₀₁
も大きくなる。したがって（Ｂ₁₁₀ ／Ｂ₀₀₁ ）の価は、
小さくなる。これに対し、本発明の複合化金属水酸化物
では、ｃ軸方向の結晶性が良いために、（００１）面の
ピークが鋭く、細くなり、半価幅Ｂ₀₀₁ も小さくなる。
したがって（Ｂ₁₁₀ ／Ｂ₀₀₁ ）の価が大きくなるのであ
る。

【００１８】すなわち、本発明者らは、耐半田性、耐湿
信頼性および難燃性に優れるとともに、流動性に優れ、
良好な成形性を示す半導体封止用樹脂組成物を得るため
に一連の研究を重ねた。その結果、上記流動性の低下を
抑制するために、縦，横とともに厚み方向への結晶成長
の大きい新規の多面体の複合化金属水酸化物を用いるこ
とが好ましいことを突き止めた。さらに、一層良好な流
動性の向上を目的に研究を重ねた結果、通常封止材料と
して用いられる無機質充填剤の粒径と上記複合化金属水
酸化物の粒径との相互の関係が流動性に対して深く関係
していることに着目し、この各粒径の相互関係を中心に
研究を重ねた。そして、上記複合化金属水酸化物の平均
粒径が、上記無機質充填剤の平均粒径よりも小さくなる
ように両者を設定すると、樹脂組成物の流動性の低下が
抑制され、優れた成形性が得られること見出し本発明に
到達した。

【００１９】なかでも、上記複合化金属水酸化物の平均
粒径が、上記無機質充填剤の平均粒径の１／３以下、特
に１／７〜１／５０である場合、より一層流動性の低下
が抑制され、優れた成形性が得られるようなる。

【００２０】そして、上記多面体形状を有する複合化金
属水酸化物として、前記特定の粒度分布を有する、細か
な粒径の複合化金属水酸化物を用いることにより、さら
に、前記特定の粒度分布を有する球状シリカ粉末を用い
ることにより、非常に優れた流動性の低下抑制がなさ
れ、トランスファー成形時等において問題が生じず、一
層優れた成形性の向上が実現することを突き止めた。

【００２１】また、上記複合化金属水酸化物のアスペク
ト比が１〜８である場合には、樹脂組成物の粘度の低下
効果が発揮されて、さらなる成形性の向上が実現する。
そして、上記アスペクト比は１〜８の範囲のなかでも、
好適には１〜７である。

【００２２】

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を詳
しく説明する。

【００２３】本発明の半導体封止用樹脂組成物は、熱硬
化性樹脂（イ成分）と、硬化剤（ロ成分）と、多面体形
状の複合化金属水酸化物（ハ成分）と、無機質充填剤
（ニ成分）を用いて得られるものであり、通常、粉末状
あるいはこれを打錠したタブレット状になっている。ま
たは、樹脂組成物を溶融混練した後、略円柱状等の顆粒
体に成形した顆粒状、さらにシート状に成形したシート
状の封止材料となっている。

【００２４】上記熱硬化性樹脂（イ成分）としては、エ
ポキシ樹脂，ポリマレイミド樹脂，不飽和ポリエステル
樹脂，フェノール樹脂等があげられる。特に、本発明に
おいてはエポキシ樹脂，ポリマレイミド樹脂を用いるこ
とが好ましい。

【００２５】上記エポキシ樹脂としては、特に限定する
ものではなく従来公知のものが用いられる。例えば、ビ
スフェノールＡ型，フェノールノボラック型，クレゾー
ルノボラック型，ビフェニル型等があげられる。

【００２６】そして、上記エポキシ樹脂のうちビフェニ
ル型エポキシ樹脂は、下記の一般式（２）で表される。

【００２７】

【化３】

【００２８】上記一般式（２）中のＲ₁ 〜Ｒ₄ で表され
る、−Ｈ（水素）または炭素数１〜５のアルキル基のう
ち、上記アルキル基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の直鎖状また
は分岐状の低級アルキル基があげられ、特にメチル基が
好ましく、上記Ｒ₁ 〜Ｒ₄ は互いに同一であっても異な
っていてもよい。なかでも、低吸湿性および反応性とい
う観点から、上記Ｒ₁ 〜Ｒ₄ が全てメチル基である下記
の式（３）で表される構造のビフェニル型エポキシ樹脂
を用いることが特に好適である。

【００２９】

【化４】

【００３０】また、上記ポリマレイミド樹脂としては、
特に限定するものではなく従来公知のものが用いられ、
１分子中に２個以上のマレイミド基を有するものであ
る。例えば、Ｎ，Ｎ′−４，４′−ジフェニルメタンビ
スマレイミド、２，２−ビス−〔４−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕プロパン等があげられる。

【００３１】上記熱硬化性樹脂（イ成分）とともに用い
られる硬化剤（ロ成分）としては、例えば、フェノール
樹脂，酸無水物，アミン化合物等従来公知のものが用い
られる。そして、上記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂
を用いる場合、フェノール樹脂が好適に用いられる。上
記フェノール樹脂としては、フェノールノボラック、ク
レゾールノボラック、ビスフェノールＡ型ノボラック、
ナフトールノボラックおよびフェノールアラルキル樹脂
等があげられる。そして、上記エポキシ樹脂としてビフ
ェニル型エポキシ樹脂を用いる場合には、その硬化剤と
してフェノールアラルキル樹脂を用いることが好まし
い。

【００３２】また、熱硬化性樹脂としてポリマレイミド
樹脂を用いる際の硬化剤としては、特に限定するもので
はなく従来公知のものが用いられる。例えば、上記エポ
キシ樹脂用硬化剤をハロゲン化アリルとアルカリの存在
下で反応させて得られるアルケニルフェノール類やアミ
ン類があげられる。

【００３３】そして、上記熱硬化性樹脂（イ成分）がエ
ポキシ樹脂であり、上記硬化剤（ロ成分）がフェノール
樹脂である場合の両者の含有割合は、上記エポキシ樹脂
中のエポキシ基１当量当たり、フェノール樹脂中の水酸
基が０．７〜１．３当量となるように設定することが好
ましく、なかでも０．９〜１．１当量となるよう設定す
ることが特に好ましい。

【００３４】上記熱硬化性樹脂（イ成分）および硬化剤
（ロ成分）とともに用いられる複合化金属水酸化物（ハ
成分）は、下記の一般式（１）で表され、かつ結晶形状
が多面体形状を有するものである。

【００３５】

【化５】 ｍ（Ｍ_a Ｏ_b ）・ｎ（Ｑ_d Ｏ_e ）・ｃＨ₂ Ｏ …（１） 〔上記式（１）において、ＭとＱは互いに異なる金属元
素であり、Ｑは、周期律表のIVａ，Ｖａ，VIａ， VII
ａ，VIII，Ｉｂ，IIｂから選ばれた族に属する金属元素
である。また、ｍ，ｎ，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは正数であ
って、互いに同一の値であってもよいし、異なる値であ
ってもよい。〕

【００３６】上記一般式（１）で表される複合化金属水
酸化物に関して、式（１）中の金属元素を示すＭとして
は、Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｃ
ｕ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｂ等があげられる。

【００３７】また、上記一般式（１）で表される複合化
金属水酸化物中のもう一つの金属元素を示すＱは、周期
律表のIVａ，Ｖａ，VIａ， VIIａ，VIII，Ｉｂ，IIｂか
ら選ばれた族に属する金属である。例えば、鉄，コバル
ト，ニッケル，パラジウム，銅，亜鉛等があげられ、単
独でもしくは２種以上併せて選択される。

【００３８】このような結晶形状が多面体形状を有する
複合化金属水酸化物は、例えば、複合化金属水酸化物の
製造工程における各種条件等を制御することにより、
縦，横とともに厚み方向（ｃ軸方向）への結晶成長が大
きい、所望の多面体形状、例えば、略１２面体、略８面
体、略４面体等の形状を有する複合化金属水酸化物を得
ることができる。

【００３９】本発明に用いられる多面体形状の複合化金
属水酸化物は、その一例として結晶外形が略８面体の多
面体構造を示し、アスペクト比が１〜８程度、好ましく
は１〜７、特に好ましくは１〜４に調整されたもので、
例えば、式（１）中の、Ｍ＝Ｍｇ，Ｑ＝Ｚｎの場合につ
いて述べると、つぎのようにして作製することができ
る。すなわち、まず、水酸化マグネシウム水溶液に硝酸
亜鉛化合物を添加し、原料となる部分複合化金属水酸化
物を作製する。ついで、この原料を、８００〜１５００
℃の範囲で、より好ましくは１０００〜１３００℃の範
囲で焼成することにより、複合化金属酸化物を作製す
る。この複合化金属酸化物は、ｍ（ＭｇＯ）・ｎ（Ｚｎ
Ｏ）の組成で示されるが、さらにカルボン酸、カルボン
酸の金属塩、無機酸および無機酸の金属塩からなる群か
ら選ばれた少なくとも一種を上記複合化金属酸化物に対
して約０．１〜６ｍｏｌ％共存する水媒体中の系で強攪
拌しながら４０℃以上の温度で水和反応させることによ
り、ｍ（ＭｇＯ）・ｎ（ＺｎＯ）・ｃＨ₂ Ｏで示され
る、本発明の多面体形状を有する複合化金属水酸化物を
作製することができる。

【００４０】上記製法において、原料としては、上述し
た方法で得られる部分複合化金属水酸化物だけでなく、
例えば、共沈法によって得られる複合化金属水酸化物，
水酸化マグネシウムとＺｎの混合物，酸化マグネシウム
とＺｎ酸化物の混合物，炭酸マグネシウムとＺｎ炭酸塩
との混合物等も用いることができる。また、水和反応時
の攪拌は、均一性や分散性の向上、カルボン酸、カルボ
ン酸の金属塩、無機酸および無機酸の金属塩からなる群
から選ばれた少なくとも一種との接触効率向上等のた
め、強攪拌が好ましく、さらに強力な高剪断攪拌であれ
ばなお好ましい。このような攪拌は、例えば、回転羽根
式の攪拌機において、回転羽根の周速を５ｍ／ｓ以上と
して行うのが好ましい。

【００４１】上記カルボン酸としては、特に限定される
ものではないが、好ましくはモノカルボン酸、オキシカ
ルボン酸（オキシ酸）等があげられる。上記モノカルボ
ン酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸等が
あげられ、上記オキシカルボン酸（オキシ酸）として
は、例えば、グリコール酸、乳酸、ヒドロアクリル酸、
α−オキシ酪酸、グリセリン酸、サリチル酸、安息香
酸、没食子酸等があげられる。また、上記カルボン酸の
金属塩としては、特に限定されるものではないが、好ま
しくは酢酸マグネシウム、酢酸亜鉛等があげられる。そ
して、上記無機酸としては、特に限定されるものではな
いが、好ましくは硝酸、塩酸等があげられる。また、上
記無機酸の金属塩としては、特に限定されるものではな
いが、好ましくは硝酸マグネシウム、硝酸亜鉛等があげ
られる。

【００４２】上記多面体形状を有する複合化金属水酸化
物の具体的な代表例としては、ｓＭｇＯ・（１−ｓ）Ｎ
ｉＯ・ｃＨ₂ Ｏ〔０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦１〕、ｓＭｇＯ
・（１−ｓ）ＺｎＯ・ｃＨ₂ Ｏ〔０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦
１〕、ｓＡｌ₂ Ｏ₃ ・（１−ｓ）Ｆｅ₂ Ｏ₃ ・ｃＨ₂ Ｏ
〔０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦３〕等があげられる。なかで
も、酸化マグネシウム・酸化ニッケルの水和物、酸化マ
グネシウム・酸化亜鉛の水和物が特に好ましく用いられ
る。

【００４３】そして、上記多面体形状を有する複合化金
属水酸化物（ハ成分）としては、下記に示す粒度分布
（Ａ）〜（Ｃ）を有することが好ましい。なお、下記に
示す粒度分布の測定には、レーザー式粒度測定機を使用
する。 （Ａ）粒径１．３μｍ未満のものが１０〜３５重量％。 （Ｂ）粒径１．３〜２．０μｍ未満のものが５０〜６５
重量％。 （Ｃ）粒径２．０μｍ以上のものが１０〜３０重量％。

【００４４】上記粒度分布において、粒度分布（Ａ）の
粒径１．３μｍ未満のものが１０重量％未満の場合は、
難燃性の効果が乏しくなり、逆に３５重量％を超え多く
なると、流動性が損なわれる傾向がみられるようにな
る。また、粒度分布（Ｃ）の２．０μｍ以上のものが１
０重量％未満では、流動性が低下し、逆に３０重量％を
超え多くなると、難燃性の効果が乏しくなる傾向がみら
れる。なお、上記粒度分布（Ａ）における粒径の通常の
下限値は０．１μｍであり、上記粒度分布（Ｃ）におけ
る粒径の通常の上限値は１５μｍである。

【００４５】そして、上記多面体形状の複合化金属水酸
化物（ハ成分）では、上記粒度分布（Ａ）〜（Ｃ）に加
えて、その最大粒径が１０μｍ以下であることが好まし
い。特に好ましくは最大粒径が６μｍ以下である。すな
わち、最大粒径が１０μｍを超えると、難燃性を有する
ために多くの量を必要とするようになる傾向がみられる
からである。なお、上記多面体形状の複合化金属水酸化
物の最大粒径の測定は、レーザー式粒度分布測定機を用
いて行われる。

【００４６】さらに、上記多面体形状の複合化金属水酸
化物（ハ成分）の比表面積が２．０〜４．０ｍ² ／ｇの
範囲であることが好ましい。なお、上記多面体形状の複
合化金属水酸化物（ハ成分）の比表面積の測定は、ＢＥ
Ｔ吸着法により測定される。

【００４７】また、上記多面体形状を有する複合化金属
水酸化物（ハ成分）のアスペクト比は、通常、１〜８、
好ましくは１〜７、特に好ましくは１〜４である。ここ
でいうアスペクト比とは、複合化金属水酸化物の長径と
短径との比で表したものである。すなわち、アスペクト
比が８を超えると、この複合化金属水酸化物を含有する
樹脂組成物が溶融したときの粘度低下に対する効果が乏
しくなる。そして、本発明の半導体封止用樹脂組成物の
構成成分として用いられる場合には、一般的に、アスペ
クト比が１〜４のものが用いられる。

【００４８】なお、本発明においては、上記多面体形状
の複合化金属水酸化物（ハ成分）とともに従来の薄平板
形状の複合化金属水酸化物を併用することができる。そ
して、本発明の半導体封止用樹脂組成物が溶融したとき
の粘度低下および流動性の効果の発現という点から、用
いられる複合化金属水酸化物全体（従来の薄平板形状を
含む）中の、多面体形状の複合化金属水酸化物の占める
割合を３０〜１００重量％の範囲に設定することが好ま
しい。すなわち、多面体形状の複合化金属水酸化物の占
める割合が３０重量％未満では樹脂組成物の粘度低下の
効果および流動性の向上効果が乏しくなる。

【００４９】上記多面体形状を有する複合化金属水酸化
物（ハ成分）を含む複合化金属水酸化物の含有量は、樹
脂組成物全体の１〜３０重量％、特には２〜２８重量％
の範囲に設定することが好ましく、この含有量の範囲内
でその優れた難燃化効果を発揮することができる。すな
わち、上記複合化金属水酸化物が少なすぎると難燃化効
果が不充分となり、上記範囲を超えると、樹脂組成物硬
化体中の塩素イオン濃度が高くなるということから耐湿
信頼性が低下する傾向がみられるからである。

【００５０】そして、上記イ〜ハ成分とともに用いられ
る無機質充填剤（ニ成分）としては、特に限定するもの
ではなく従来公知の各種充填剤があげられる。例えば、
石英ガラス粉末、タルク、シリカ粉末、アルミナ粉末、
炭酸カルシウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素およびカーボ
ンブラック粉末等があげられる。これらは単独でもしく
は２種以上併せて用いられる。そして、上記無機質充填
剤として、得られる硬化物の線膨張係数を低減できると
いう点からシリカ粉末を用いることが好ましい。なかで
も、シリカ粉末として破砕シリカ粉末や球状シリカ粉末
等があげられるが、とりわけ球状溶融シリカ粉末を用い
ることが樹脂組成物の良好な流動性という点から特に好
ましい。さらに、上記シリカ粉末として、破砕シリカ粉
末を摩砕処理してなる摩砕シリカ粉末を用いることもで
きる。

【００５１】また、上記無機質充填剤（ニ成分）におい
て、その平均粒径が６〜５０μｍの範囲であることが好
ましく、より好ましくは１０〜５０μｍである。すなわ
ち、先に述べたように、複合化金属水酸化物が前記粒度
分布（Ａ）〜（Ｃ）を有するとともに、無機質充填剤の
平均粒径が上記範囲内であると、樹脂組成物の良好な流
動性が得られる。なお、上記無機質充填剤の平均粒径の
測定は、先に述べた複合化金属水酸化物（ハ成分）の平
均粒径の測定方法と同様である。

【００５２】また、上記無機質充填剤（ニ成分）のなか
でも、特に好ましいものとして球状溶融シリカ粉末が用
いられるが、その球状の度合いとして、真円度が０．７
〜１．０であることが好ましい。特に好ましくは真円度
が０．９〜１．０である。上記真円度が０．７〜１．０
であるとは、つぎに説明する真円度の定義において、
０．７〜１．０となる、より真円に近いものが用いられ
るということである。上記真円度は、つぎのようにして
算出される。すなわち、真円度の測定対象となる対象物
の投影像１〔図６（ａ）参照〕において、その実面積を
αとし、上記投影像１の周囲の長さをＰＭとした場合、
上記投影像１と周囲の長さが同じＰＭとなる真円の投影
像２〔図６（ｂ）参照〕を想定する。そして、上記投影
像２の面積α′を算出する。その結果、上記投影像１の
実面積αと投影像２の面積α′の比（α／α′）が真円
度を示し、この値（α／α′）は下記の数式（１）によ
り算出される。したがって、真円度が１．０とは、この
定義からも明らかなように、真円であるといえる。そし
て、対象物の外周に凹凸が多ければ多いほどその真円度
は１．０よりも順次小さくなる。

【００５３】

【数１】

【００５４】つぎに、上記無機質充填剤（ニ成分）で
は、下記に示す粒度分布（ａ）〜（ｃ）を有しているこ
とが好ましい。なお、下記に示す粒度分布の測定には、
前記複合化金属水酸化物と同様、レーザー式粒度測定機
を使用する。 （ａ）粒径３μｍ未満のものが１０〜２５重量％。 （ｂ）粒径３μｍ以上１５μｍ未満のものが５〜３５重
量％。 （ｃ）粒径１５μｍ以上２００μｍ以下のものが４０〜
８５重量％。

【００５５】すなわち、無機質充填剤（ニ成分）が上記
粒度分布（ａ）〜（ｃ）を有することにより、得られる
エポキシ樹脂組成物の流動性がより一層向上する。

【００５６】そして、本発明においては、上記複合化金
属水酸化物（ハ成分）の平均粒径が、上記無機質充填剤
（ニ成分）の平均粒径より小さくなければならない。好
ましくは無機質充填剤（ニ成分）の平均粒径の１／３以
下であり、特に好ましくは上記複合化金属水酸化物（ハ
成分）の平均粒径が、上記無機質充填剤（ニ成分）の平
均粒径の１／７〜１／５０である。すなわち、このよう
に両者の平均粒径の関係を上記のように設定することに
より、無機物全体の充填率が上がり、流動性が良好とな
り、その結果、半導体封止用樹脂組成物の流動性の低下
が抑制され、成形性が向上するようになる。

【００５７】上記無機質充填剤（ニ成分）の含有量に関
しては、この無機質充填剤に上記複合化金属水酸化物
（多面体形状を有する複合化金属水酸化物および場合に
より使用される従来の薄平板形状の複合化金属水酸化
物）を加算した無機物全体の合計量が、半導体封止用樹
脂組成物全体の６０〜９２重量％となるよう設定するこ
とが好ましい。特に好ましくは７０〜９０重量％であ
る。すなわち、無機物全体量が上記範囲を外れ下回ると
難燃性が低下する傾向がみられるからである。

【００５８】そして、本発明の半導体封止用樹脂組成物
としては、下記の方法に従って抽出された抽出水中の塩
素イオン濃度が上記樹脂組成物の硬化体１ｇあたり２０
０μｇ以下であることが好ましい。すなわち、熱硬化性
樹脂組成物硬化体の粉体化物５ｇと蒸留水５０ｃｃを専
用の抽出容器に入れ、この容器を１６０℃の乾燥機内に
２０時間放置して抽出水（ｐＨ６．０〜８．０）を抽出
する。そして、上記抽出水をイオンクロマト分析して塩
素イオン量（α）を測定する。この塩素イオン量（α）
は樹脂組成物硬化体中のイオン量を１０倍に希釈した値
であるため、下記に示す数式（２）により樹脂組成物硬
化体１ｇあたりの塩素イオン量を算出する。なお、上記
抽出水のｐＨは６．０〜８．０の範囲が好ましい。さら
に、上記熱硬化性樹脂組成物硬化体の作製にあたって、
例えば、エポキシ樹脂組成物硬化体の場合、その硬化体
成形条件は、１７５℃×２分間で加熱硬化による成形を
行い、１７５℃×５時間の後硬化に設定されることが好
適である。

【００５９】

【数２】

【００６０】すなわち、樹脂組成物硬化体の抽出水中に
含有される塩素イオン濃度が２００μｇを超えて高い
と、半導体素子，リードフレーム等の腐食が発生した
り、耐湿性が劣化する傾向がみられるようになる。

【００６１】なお、本発明に係る半導体封止用樹脂組成
物には、上記イ〜ニ成分以外に、硬化促進剤、顔料、離
型剤、表面処理剤、可撓性付与剤等を必要に応じて適宜
に添加することができる。

【００６２】上記硬化促進剤としては、硬化促進剤とし
て作用する各種化合物、例えば、１，８−ジアザ−ビシ
クロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエチレンジア
ミン等の三級アミノ類、２−メチルイミダゾール等のイ
ミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニ
ルホスホニウムテトラフェニルボレート等のリン系硬化
促進剤等があげられる。

【００６３】上記顔料としては、カーボンブラック、酸
化チタン等があげられる。また、上記離型剤としては、
ポリエチレンワックス、パラフィンや脂肪酸エステル、
脂肪酸塩等があげられる。

【００６４】さらに、上記表面処理剤としては、シラン
カップリング剤等のカップリング剤があげられる。ま
た、上記可撓性付与剤としては、シリコーン樹脂やブタ
ジエン−アクリロニトリルゴム等があげられる。

【００６５】また、本発明に係る半導体封止用樹脂組成
物では、上記各成分に加えてさらに有機系難燃剤あるい
は赤リン系難燃剤を併用すると、上記多面体形状を有す
る複合化金属水酸化物（ハ成分）を含有する複合化金属
水酸化物の使用量を低減させることができ好ましい。上
記有機系難燃剤としては、含窒素有機化合物、含リン有
機化合物、ホスファゼン系化合物等があげられるが、特
に含窒素有機化合物が好ましく用いられる。

【００６６】上記含窒素有機化合物としては、例えば、
メラミン誘導体、シアヌレート誘導体、イソシアヌレー
ト誘導体等の複素環骨格を有する化合物があげられる。
これら有機系難燃剤は単独でもしくは２種以上併せて用
いられる。

【００６７】上記有機系難燃剤は、前記複合化金属水酸
化物と予め機械的に混合した後配合してもよいし、有機
系難燃剤を溶剤に溶解してこれに前記複合化金属水酸化
物を添加して脱溶剤し表面処理したものを用いてもよ
い。

【００６８】そして、上記有機系難燃剤の含有量は、前
記複合化金属水酸化物の使用量（多面体形状の複合化金
属水酸化物と場合により使用される従来の薄平板形状の
複合化金属水酸化物の合計量）の１〜１０重量％の範囲
に設定することが好ましい。特に好ましくは１〜５重量
％である。

【００６９】一方、上記赤リン系難燃剤としては、赤リ
ン粉末、あるいはこの赤リン粉末表面を各種有機物，無
機物で保護コートした赤リン粉末をあげることができ
る。そして、上記赤リン系難燃剤の含有量は、上記有機
系難燃剤の場合と同様、前記複合化金属水酸化物の使用
量（多面体形状の複合化金属水酸化物と場合により使用
される従来の薄平板形状の複合化金属水酸化物の合計
量）の１〜１０重量％の範囲に設定することが好まし
く、特に好ましくは１〜５重量％である。

【００７０】そして、本発明に係る半導体封止用樹脂組
成物において、前記イ〜ニ成分を含む各成分の好適な組
み合わせは、つぎのとおりである。すなわち、熱硬化性
樹脂（イ成分）としては、エポキシ樹脂、なかでも、流
動性が良好であるという点からビフェニル系エポキシ樹
脂が好ましく、また硬化剤（ロ成分）としては、その流
動性という観点からフェノールアラルキル樹脂が好まし
い。そして、前記多面体形状の複合化金属水酸化物（ハ
成分）として、前記特定の粒度分布（Ａ）〜（Ｃ）を有
する複合化金属水酸化物とともに、無機質充填剤（ニ成
分）として、前記特定の粒度分布（ａ）〜（ｃ）を有す
る球状溶融シリカ粉末を用いることが好ましい。ただ
し、上記多面体形状の複合化金属水酸化物（ハ成分）の
平均粒径が、上記無機質充填剤（ニ成分）の平均粒径よ
り小さくなければならず、好ましくは無機質充填剤（ニ
成分）の平均粒径の１／３以下、特に好ましくは１／７
〜１／５０である。さらに、これら各成分に加えて、上
記のような複合化金属水酸化物を用いた場合、離型性が
低下する傾向がみられることから、ワックス類、特に酸
価３０以上（通常の上限値は２００）という高酸価のポ
リエチレン系ワックスまたはエステル系ワックスを用い
ることが好ましい。

【００７１】本発明に係る半導体封止用樹脂組成物は、
例えばつぎのようにして製造することができる。すなわ
ち、熱硬化性樹脂（イ成分），硬化剤（ロ成分），多面
体形状の複合化金属水酸化物（ハ成分），無機質充填剤
（ニ成分）および必要に応じて他の添加剤を所定の割合
で配合する。つぎに、この混合物をミキシングロール機
等の混練機を用いて加熱状態で溶融混練し、これを室温
に冷却する。そして、公知の手段によって粉砕し、必要
に応じて打錠するという一連の工程によって目的とする
半導体封止用樹脂組成物を製造することができる。

【００７２】あるいは、上記半導体封止用樹脂組成物の
混合物を混練機に導入して溶融状態で混練した後、これ
を略円柱状の顆粒体に連続的に成形するという一連の工
程によって顆粒状の半導体封止用樹脂組成物を製造する
ことができる。

【００７３】さらに、上記半導体封止用樹脂組成物の混
合物をパレット上に受け入れし、これを冷却後、プレス
圧延，ロール圧延，あるいは溶媒を混合したものを塗工
してシート化する等の方法によりシート状の半導体封止
用樹脂組成物を製造することができる。

【００７４】このようにして得られる半導体封止用樹脂
組成物（粉末状，タブレット状，顆粒状等）を用いての
半導体素子の封止方法は、特に限定するものではなく、
通常のトランスファー成形等の公知の成形方法によって
行うことができる。

【００７５】また、上記シート状の半導体封止用樹脂組
成物を用いて、例えば、つぎのようにしてフリップチッ
プ実装による半導体装置を製造することができる。すな
わち、上記シート状半導体封止用樹脂組成物を、接合用
バンプを備えた半導体素子の電極面側に、あるいは、回
路基板のバンプ接合部側に配置し、上記半導体素子と回
路基板とをバンプ接合するとともに両者を樹脂封止によ
る接着封止を行うことによりフリップチップ実装して半
導体装置を製造することができる。

【００７６】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。

【００７７】まず、下記に示す各材料を準備した。

【００７８】〔エポキシ樹脂〕前記式（３）で表される
ビフェニル系エポキシ樹脂〔式（２）中のＲ₁ 〜Ｒ₄が
全てメチル基：エポキシ当量１９５〕

【００７９】〔フェノール樹脂〕フェノールアラルキル
樹脂（水酸基当量１７４）

【００８０】〔シリカ粉末〜〕下記の表１に示すシ
リカ粉末

【００８１】

【表１】

【００８２】〔アミン系硬化促進剤〕１，８−ジアザビ
シクロ（５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）

【００８３】〔エステル系ワックス〕カルナバワックス
（酸価２〜１０）

【００８４】〔オレフィン系ワックス〕ポリエチレン系
ワックス（酸価１６０）

【００８５】つぎに、実施例に先立って下記の表２およ
び表３に示す各種複合化金属水酸化物を準備した。な
お、下記の表２および表３中の複合化金属水酸化物は、
先に述べた多面体形状の複合化金属水酸化物の製造方法
に準じて作製した。

【００８６】

【表２】

【００８７】

【表３】

【００８８】

【実施例１〜６、比較例１〜３】ついで、下記の表４〜
表５に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ミキシン
グロール機（温度１００℃）で３分間溶融混練を行い、
冷却固化した後粉砕して目的とする粉末状エポキシ樹脂
組成物を得た。

【００８９】

【表４】

【００９０】

【表５】

【００９１】このようにして得られた実施例および比較
例のエポキシ樹脂組成物を用い、１７５℃×２分間、後
硬化１７５℃×５時間の条件で１／１６インチの試験片
を成形し、ＵＬ９４ Ｖ−０規格の方法に従って難燃性
を評価した。なお、合格とは９４−Ｖ０合格を意味す
る。この測定・評価結果を後記の表６〜表７に示す。

【００９２】つぎに、各エポキシ樹脂組成物を用い、下
記の方法に従ってスパイラルフロー値およびフローテス
ター粘度を測定した。

【００９３】〔スパイラルフロー値〕スパイラルフロー
測定用金型を用い、１７５±５℃にてＥＭＭＩ １−６
６に準じてスパイラルフロー値を測定した。

【００９４】〔フローテスター粘度〕上記各エポキシ樹
脂組成物を２ｇ精秤し、タブレット状に成形した。そし
て、これを高化式フローテスターのポット内に入れ、１
０ｋｇの荷重をかけて測定した。溶融したエポキシ樹脂
組成物がダイスの穴（直径１．０ｍｍ×１０ｍｍ）を通
過して押し出されるときのピストンの移動速度からサン
プルの溶融粘度を求めた。

【００９５】また、上記実施例および比較例で得られた
エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファ
ー成形（条件：１７５℃×２分）し、１７５℃×５時間
で後硬化することにより半導体装置を得た。この半導体
装置は、８０ピンＱＦＰ（クワッドフラットパッケー
ジ、サイズ：２０×１４×２ｍｍ）であり、ダイパッド
サイズは８×８ｍｍである。

【００９６】〔金ワイヤーの変形評価〕上記半導体装置
について、まず、軟Ｘ線装置により、パッケージ内部の
透過画像を観察することにより、金ワイヤーの変形等の
不良の発生を測定した。測定した結果、金ワイヤーの変
形が確認されたものを×、金ワイヤーの変形が確認され
ず良好なパッケージが得られたものを○として、下記の
表６〜表７に示す。

【００９７】

【表６】

【００９８】

【表７】

【００９９】上記表６〜表７から、全ての実施例は高い
難燃性レベルを有するとともに、スパイラルフロー値が
高く、かつフローテスター粘度が低いことから流動性に
優れたものであることが明らかである。また、得られた
半導体装置の耐湿信頼性および耐半田性に関しても良好
な結果が得られた。そして、金ワイヤーの変形も全く見
られなかった。

【０１００】一方、比較例については、金ワイヤーの変
形が確認されたことから、流動性に劣っていることがわ
かる。

【０１０１】さらに、前記実施例１における、エポキシ
樹脂成分を、前記式（２）中のＲ₁〜Ｒ₄ が全て水素と
なるビフェニル型エポキシ樹脂と、前記式（２）中のＲ
₁ 〜Ｒ₄ が全てメチル基となるビフェニル型エポキシ樹
脂を重量比率で１：１となるように配合した混合系のエ
ポキシ樹脂に代えた。それ以外は実施例１と同様の配合
割合に設定してエポキシ樹脂組成物を作製した。このエ
ポキシ樹脂組成物を用いて、前記と同様の測定・評価を
行った結果、上記実施例と略同様の良好な結果が得られ
た。

【０１０２】

【発明の効果】以上のように、本発明は、前記一般式
（１）で表される多面体形状の複合化金属水酸化物（ハ
成分）とともに無機質充填剤（ニ成分）を含有し、しか
も上記複合化金属水酸化物（ハ成分）の平均粒径が上記
無機質充填剤（ニ成分）の平均粒径よりも小さい半導体
封止用樹脂組成物である。このように、上記特殊な複合
化金属水酸化物の使用により、優れた難燃性が付与され
るとともに従来の難燃剤である臭素化エポキシ樹脂やア
ンチモン化合物の使用と比較すると臭素の影響がなく半
導体素子やアルミニウム配線の腐食等が生じず耐湿信頼
性が向上して長寿命になり、また、環境汚染等の問題が
生じない。さらに、従来のような平板状の結晶形状では
なく前記特殊な多面体の結晶形状を有するため、流動性
に優れており成形性が向上する。しかも、上記複合化金
属水酸化物（ハ成分）の平均粒径が上記無機質充填剤
（ニ成分）の平均粒径よりも小さく設定されていること
から、上記流動性のさらなる向上効果が得られる。そし
て、上記難燃性，成形性の向上効果に加えて、上記多面
体形状の複合化金属水酸化物（ハ成分）を用いると、上
記多面体形状の複合化金属水酸化物が半導体封止用樹脂
組成物中に均一に分散されることから、従来公知の金属
水酸化物等の難燃剤と比べて同等以上の難燃性が得られ
るため、その使用量が少量ですむ。その結果、吸水量が
少なくなるため、半田特性が向上する。また、本発明で
は、上記多面体形状の複合化金属水酸化物を用いるた
め、従来の薄板状または鱗片状の複合化金属水酸化物を
用いる場合に比べて、その使用量を少なくでき、したが
って、本発明において無機質充填剤を併用する際に、そ
の無機質充填剤量を相対的に多く設定できることから、
このような場合には、得られる半導体装置の線膨張係数
を低くできるとともに機械的強度の向上が実現する。

【０１０３】なかでも、上記複合化金属水酸化物の平均
粒径が、上記無機質充填剤の平均粒径の１／３以下、特
に１／７〜１／５０である場合、より一層流動性の低下
が抑制され、優れた成形性が得られるようなる。

【０１０４】そして、上記結晶形状を有する特殊な複合
化金属水酸化物が前記特定の粒度分布を有する場合、さ
らには、無機質充填剤が前記特定の粒度分布を有する場
合には、優れた難燃効果とともに非常に優れた流動性の
低下抑制がなされ、トランスファー成形時等において問
題が生じず、一層優れた成形性の向上が実現する。

【０１０５】また、上記複合化金属水酸化物のアスペク
ト比が１〜８である場合には、樹脂組成物の粘度の低下
効果が発揮されて、さらなる成形性の向上が実現する。

【０１０６】したがって、本発明の半導体封止用樹脂組
成物を用いて封止された半導体装置は、安全性に優れた
難燃化技術、および半導体装置の信頼性が格段に向上し
たものであり、しかも、上記半導体封止用樹脂組成物を
用いたトランスファー成形による半導体装置の製法、あ
るいは、シート状の半導体封止用樹脂組成物を用いてな
る半導体装置の製法ではその成形性においても優れてお
り、半導体装置の中でも、特に薄型で大型化した半導体
装置に対して特に有効であり産業上の利用価値は極めて
高いものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明で用いられる多面体形状の複合化金属水
酸化物の結晶形状の一例を示す走査型電子顕微鏡写真
（倍率５００００倍）である。

【図２】従来の複合化金属水酸化物の結晶形状の一つで
ある六角板状形状を示す斜視図である。

【図３】従来の複合化金属水酸化物の外形を示す説明図
であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。

【図４】本発明の複合化金属水酸化物の外形の一例を示
す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図であ
る。

【図５】本発明の複合化金属水酸化物の外形の他の例を
示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図で
ある。

【図６】（ａ）および（ｂ）は球状シリカ粉末の真円度
の測定方法を示す説明図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C08L 1/00 - 101/16

Claims (23)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記の（イ）〜（ニ）成分を含有する半
   導体封止用樹脂組成物であって、上記（ハ）成分である
   複合化金属水酸化物の平均粒径が、上記（ニ）成分であ
   る無機質充填剤の平均粒径よりも小さいことを特徴とす
   る半導体封止用樹脂組成物。 （イ）熱硬化性樹脂。 （ロ）硬化剤。 （ハ）下記の一般式（１）で表される多面体形状の複合
   化金属水酸化物。 【化１】 ｍ（Ｍ_a Ｏ_b ）・ｎ（Ｑ_d Ｏ_e ）・ｃＨ₂ Ｏ …（１） 〔上記式（１）において、ＭとＱは互いに異なる金属元
   素であり、Ｑは、周期律表のIVａ，Ｖａ，VIａ， VII
   ａ，VIII，Ｉｂ，IIｂから選ばれた族に属する金属元素
   である。また、ｍ，ｎ，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは正数であ
   って、互いに同一の値であってもよいし、異なる値であ
   ってもよい。〕 （ニ）無機質充填剤。
2. 【請求項２】 上記（ハ）成分である複合化金属水酸化
   物の平均粒径が、上記（ニ）成分である無機質充填剤の
   平均粒径の１／３以下である請求項１記載の半導体封止
   用樹脂組成物。
3. 【請求項３】 上記（ハ）成分である複合化金属水酸化
   物の平均粒径が、上記（ニ）成分である無機質充填剤の
   平均粒径の１／７〜１／５０である請求項１記載の半導
   体封止用樹脂組成物。
4. 【請求項４】 上記（ハ）成分である複合化金属水酸化
   物が下記に示す粒度分布（Ａ）〜（Ｃ）を有している請
   求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組
   成物。 （Ａ）粒径１．３μｍ未満のものが１０〜３５重量％。 （Ｂ）粒径１．３〜２．０μｍ未満のものが５０〜６５
   重量％。 （Ｃ）粒径２．０μｍ以上のものが１０〜３０重量％。
5. 【請求項５】 上記（ニ）成分である無機質充填剤が、
   下記に示す粒度分布（ａ）〜（ｃ）を有している請求項
   １〜４のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成
   物。 （ａ）粒径３μｍ未満のものが１０〜２５重量％。 （ｂ）粒径３μｍ以上１５μｍ未満のものが５〜３５重
   量％。 （ｃ）粒径１５μｍ以上２００μｍ以下のものが４０〜
   ８５重量％。
6. 【請求項６】 上記一般式（１）で表される複合化金属
   水酸化物中の金属元素を示すＭが、アルミニウム，マグ
   ネシウム，カルシウム，ニッケル，コバルト，スズ，亜
   鉛，銅，鉄，チタンおよびホウ素からなる群から選ばれ
   た少なくとも一つの金属である請求項１〜５のいずれか
   一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
7. 【請求項７】 上記一般式（１）で表される複合化金属
   水酸化物中の金属元素を示すＱが、鉄，コバルト，ニッ
   ケル，パラジウム，銅および亜鉛からなる群から選ばれ
   た少なくとも一つの金属である請求項１〜６のいずれか
   一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
8. 【請求項８】 上記一般式（１）で表される複合化金属
   水酸化物のアスペクト比が１〜８である請求項１〜７の
   いずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
9. 【請求項９】 複合化金属水酸化物全体中の、上記一般
   式（１）で表される多面体形状を有する複合化金属水酸
   化物の占める割合が３０〜１００重量％の範囲である請
   求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組
   成物。
10. 【請求項１０】 上記一般式（１）で表される複合化金
    属水酸化物が、ｓＭｇＯ・（１−ｓ）ＮｉＯ・ｃＨ₂ Ｏ
    〔０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦１〕である請求項１〜９のいず
    れか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
11. 【請求項１１】 上記一般式（１）で表される複合化金
    属水酸化物が、ｓＭｇＯ・（１−ｓ）ＺｎＯ・ｃＨ₂ Ｏ
    〔０＜ｓ＜１、０＜ｃ≦１〕である請求項１〜９のいず
    れか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
12. 【請求項１２】 上記一般式（１）で表される複合化金
    属水酸化物の含有量が、樹脂組成物全体の１〜３０重量
    ％の範囲に設定されている請求項１〜１１のいずれか一
    項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
13. 【請求項１３】 半導体封止用樹脂組成物硬化体の抽出
    液のｐＨが６．０〜８．０の範囲であって、かつ、その
    塩素イオン濃度が、樹脂組成物硬化体１ｇあたり２００
    μｇ以下である請求項１〜１２のいずれか一項に記載の
    半導体封止用樹脂組成物。
14. 【請求項１４】 半導体封止用樹脂組成物の硬化体が、
    厚み１／１６インチでのＵＬ９４燃焼試験において、Ｖ
    −０相当の難燃性を示すものである請求項１〜１３のい
    ずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
15. 【請求項１５】 上記（イ）成分である熱硬化性樹脂が
    エポキシ樹脂である請求項１〜１４のいずれか一項に記
    載の半導体封止用樹脂組成物。
16. 【請求項１６】 上記（ロ）成分である硬化剤がフェノ
    ール樹脂である請求項１〜１５のいずれか一項に記載の
    半導体封止用樹脂組成物。
17. 【請求項１７】 上記（ハ）成分である多面体形状の複
    合化金属水酸化物を含有する複合化金属水酸化物と、上
    記（ニ）成分である無機質充填剤の合計量が、半導体封
    止用樹脂組成物全体の６０〜９２重量％である請求項１
    〜１６のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成
    物。
18. 【請求項１８】 上記（ハ）成分である多面体形状の複
    合化金属水酸化物を含有する複合化金属水酸化物と、上
    記（ニ）成分である無機質充填剤の合計量が、半導体封
    止用樹脂組成物全体の７０〜９０重量％である請求項１
    〜１６のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成
    物。
19. 【請求項１９】 上記（ニ）成分である無機質充填剤が
    シリカ粉末である請求項１〜１８のいずれか一項に記載
    の半導体封止用樹脂組成物。
20. 【請求項２０】 請求項１〜１９のいずれか一項に記載
    の半導体封止用樹脂組成物であって、含窒素有機化合物
    を含有してなる請求項１〜１９のいずれか一項に記載の
    半導体封止用樹脂組成物。
21. 【請求項２１】 請求項１〜２０のいずれか一項に記載
    の半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止し
    てなる半導体装置。
22. 【請求項２２】 請求項１〜２０のいずれか一項に記載
    の半導体封止用樹脂組成物を用いトランスファー成形法
    により半導体素子を樹脂封止して半導体装置を製造する
    ことを特徴とする半導体装置の製法。
23. 【請求項２３】 請求項１〜２０のいずれか一項に記載
    の半導体封止用樹脂組成物からなるシート状封止材料を
    用いて半導体装置を製造することを特徴とする半導体装
    置の製法。