JPH1077390A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH1077390A JPH1077390A JP23009696A JP23009696A JPH1077390A JP H1077390 A JPH1077390 A JP H1077390A JP 23009696 A JP23009696 A JP 23009696A JP 23009696 A JP23009696 A JP 23009696A JP H1077390 A JPH1077390 A JP H1077390A
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- Japan
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- resin composition
- epoxy resin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高純度化した２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ
2Ｏを用いることにより、ハロゲン系難燃剤、三酸化ア
ンチモンを含まない耐湿性及び難燃性に優れた半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を得ること。 【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、
硬化促進剤、Ｎａイオン含有量が３０ｐｐｍ以下である
２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏ、及び無機充填材か
らなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
2Ｏを用いることにより、ハロゲン系難燃剤、三酸化ア
ンチモンを含まない耐湿性及び難燃性に優れた半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を得ること。 【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、
硬化促進剤、Ｎａイオン含有量が３０ｐｐｍ以下である
２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏ、及び無機充填材か
らなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は難燃性に優れた半導
体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物（以下、
樹脂組成物という）で封止されている。この樹脂組成物
中には、難燃剤としてハロゲン系難燃剤或いはハロゲン
系難燃剤と三酸化アンチモンとの併用、無機充填材とし
て溶融シリカ、結晶シリカ等の無機充填材が配合されて
いる。ところが、環境衛生の点から、ハロゲン系難燃
剤、及び三酸化アンチモンを使用しない難燃性樹脂組成
物が要求されてきている。この要求に対して、水酸化ア
ルミニウムや水酸化マグネシウム等の金属水酸化物等の
添加が検討されてきたが、不純物が多く、且つ多量に添
加しないと効果が発現できないことから、実用化には至
っていない。又、市場から入手可能な２ＺｎＯ・３Ｂ2
Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏは、難燃剤としては充分効果がある
が、不純物が多いため添加量に制限があり、実用化には
至っていない。
回路等の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物（以下、
樹脂組成物という）で封止されている。この樹脂組成物
中には、難燃剤としてハロゲン系難燃剤或いはハロゲン
系難燃剤と三酸化アンチモンとの併用、無機充填材とし
て溶融シリカ、結晶シリカ等の無機充填材が配合されて
いる。ところが、環境衛生の点から、ハロゲン系難燃
剤、及び三酸化アンチモンを使用しない難燃性樹脂組成
物が要求されてきている。この要求に対して、水酸化ア
ルミニウムや水酸化マグネシウム等の金属水酸化物等の
添加が検討されてきたが、不純物が多く、且つ多量に添
加しないと効果が発現できないことから、実用化には至
っていない。又、市場から入手可能な２ＺｎＯ・３Ｂ2
Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏは、難燃剤としては充分効果がある
が、不純物が多いため添加量に制限があり、実用化には
至っていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な問
題に対して、Ｎａイオン含有量が３０ｐｐｍ以下の２Ｚ
ｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏを使用し、ハロゲン及び
アンチモンを含まない半導体封止用エポキシ樹脂組成物
を提供するものである。
題に対して、Ｎａイオン含有量が３０ｐｐｍ以下の２Ｚ
ｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏを使用し、ハロゲン及び
アンチモンを含まない半導体封止用エポキシ樹脂組成物
を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進
剤、（Ｄ）Ｎａイオン含有量が３０ｐｐｍ以下である２
ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏ、及び（Ｅ）無機充填
材からなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂
組成物である。
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進
剤、（Ｄ）Ｎａイオン含有量が３０ｐｐｍ以下である２
ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏ、及び（Ｅ）無機充填
材からなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂
組成物である。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明に用いるエポキシ樹脂とし
ては、１分子中にエポキシ基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、及びポリマー全般を言い、その分子
量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、
ビフェニル型エポキシ化合物、ビスフェノール型エポキ
シ化合物、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタ
ン型エポキシ化合物、アルキル変性トリフェノールメタ
ン型エポキシ化合物、及びトリアジン核含有エポキシ樹
脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても差
し支えない。本発明に用いるフェノール樹脂硬化剤とし
ては、その分子量、分子構造を特に限定するものではな
いが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾール
ノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール
樹脂、パラキシリレン変性フェノール樹脂、テルペン変
性フェノール樹脂、トリフェノールメタン化合物等が挙
げられ、特にフェノールノボラック樹脂、ジシクロペン
タジエン変性フェノール樹脂、パラキシリレン変性フェ
ノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂等が好まし
く、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
配合量としては、エポキシ化合物のエポキシ基数とフェ
ノール樹脂硬化剤の水酸基数との比で０．８〜１．２が
好ましい。
ては、１分子中にエポキシ基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、及びポリマー全般を言い、その分子
量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、
ビフェニル型エポキシ化合物、ビスフェノール型エポキ
シ化合物、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタ
ン型エポキシ化合物、アルキル変性トリフェノールメタ
ン型エポキシ化合物、及びトリアジン核含有エポキシ樹
脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても差
し支えない。本発明に用いるフェノール樹脂硬化剤とし
ては、その分子量、分子構造を特に限定するものではな
いが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾール
ノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール
樹脂、パラキシリレン変性フェノール樹脂、テルペン変
性フェノール樹脂、トリフェノールメタン化合物等が挙
げられ、特にフェノールノボラック樹脂、ジシクロペン
タジエン変性フェノール樹脂、パラキシリレン変性フェ
ノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂等が好まし
く、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
配合量としては、エポキシ化合物のエポキシ基数とフェ
ノール樹脂硬化剤の水酸基数との比で０．８〜１．２が
好ましい。
【０００６】本発明に用いる硬化促進剤としては、エポ
キシ基と水酸基との硬化反応を促進させるものであれば
よく、一般に封止材料に使用されているものを広く使用
することができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミ
ン、２−メチルイミダゾール等が挙げられ、これらは単
独でも混合して用いても差し支えない。
キシ基と水酸基との硬化反応を促進させるものであれば
よく、一般に封止材料に使用されているものを広く使用
することができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミ
ン、２−メチルイミダゾール等が挙げられ、これらは単
独でも混合して用いても差し支えない。
【０００７】本発明で用いる２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．
５Ｈ2Ｏは、Ｎａイオン含有量が３０ｐｐｍ以下のもの
である。市場より入手できる２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．
５Ｈ2Ｏは、Ｎａイオン含有量が高いため、純水等で洗
浄しＮａイオン含有量を３０ｐｐｍ以下とする必要があ
る。Ｎａイオン含有量が３０ｐｐｍを越えると、耐湿性
及び電気特性が低下するためである。Ｎａイオンを低減
する方法としては、例えば、市場から入手した２ＺｎＯ
・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏを純水中に４８〜９６時間静
置し、２回純水で置換後、乾燥する。Ｎａイオン含有量
の測定は、試料０．５ｇ、エタノール０．３ｃｃ及び純
水４０ｃｃをプレッシャークッカー容器に入れ、温度１
２５℃、圧力２．２ｋｇ／ｃｍ2、２０時間で処理後、
抽出水中のＮａイオン量を測定する。２ＺｎＯ・３Ｂ2
Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏの配合量としては、全樹脂組成物中に
１〜１０重量％が好ましい。１重量％未満だと難燃性が
不足し、１０重量％を越えると耐湿性及び成形性が低下
するためである。
５Ｈ2Ｏは、Ｎａイオン含有量が３０ｐｐｍ以下のもの
である。市場より入手できる２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．
５Ｈ2Ｏは、Ｎａイオン含有量が高いため、純水等で洗
浄しＮａイオン含有量を３０ｐｐｍ以下とする必要があ
る。Ｎａイオン含有量が３０ｐｐｍを越えると、耐湿性
及び電気特性が低下するためである。Ｎａイオンを低減
する方法としては、例えば、市場から入手した２ＺｎＯ
・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏを純水中に４８〜９６時間静
置し、２回純水で置換後、乾燥する。Ｎａイオン含有量
の測定は、試料０．５ｇ、エタノール０．３ｃｃ及び純
水４０ｃｃをプレッシャークッカー容器に入れ、温度１
２５℃、圧力２．２ｋｇ／ｃｍ2、２０時間で処理後、
抽出水中のＮａイオン量を測定する。２ＺｎＯ・３Ｂ2
Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏの配合量としては、全樹脂組成物中に
１〜１０重量％が好ましい。１重量％未満だと難燃性が
不足し、１０重量％を越えると耐湿性及び成形性が低下
するためである。
【０００８】本発明に用いる無機充填材としては、溶融
シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アルミナ、窒化珪素等が
挙げられるが、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末が望ま
しい。無機充填材の配合量としては、成形性と信頼性の
バランスから、全樹脂組成物中に５０〜９５重量％が好
ましい。又、流動性、充填性の点から無機充填材は平均
粒径１１〜２０μｍで、粒径１０μｍ以下のものが全無
機充填材中に２０〜４５重量％、粒径７０μｍ以上が１
０重量％以下の粒度分布を有するものが好ましい。特に
無機充填材量の多い配合では、球状溶融シリカ粉末を用
いるのが一般的である。
シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アルミナ、窒化珪素等が
挙げられるが、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末が望ま
しい。無機充填材の配合量としては、成形性と信頼性の
バランスから、全樹脂組成物中に５０〜９５重量％が好
ましい。又、流動性、充填性の点から無機充填材は平均
粒径１１〜２０μｍで、粒径１０μｍ以下のものが全無
機充填材中に２０〜４５重量％、粒径７０μｍ以上が１
０重量％以下の粒度分布を有するものが好ましい。特に
無機充填材量の多い配合では、球状溶融シリカ粉末を用
いるのが一般的である。
【０００９】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成
分の他、必要に応じてシランカップリング剤、カーボン
ブラック、ベンガラ等の着色剤、天然ワックス、合成ワ
ックス等の離型剤、及びシリコーンオイル、ゴム等の低
応力添加剤等の種々の添加剤等を適宜配合しても差し支
えない。又、本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成
分、及びその他の添加剤等をミキサー等を用いて充分に
均一に混合した後、熱ロール又はニーダー等で溶融混練
し、冷却後粉砕して成形材料とすることができる。これ
らの成形材料は、電気部品或いは電子部品であるトラン
ジスタ、集積回路等の被覆、絶縁、封止等に適用するこ
とができる。
分の他、必要に応じてシランカップリング剤、カーボン
ブラック、ベンガラ等の着色剤、天然ワックス、合成ワ
ックス等の離型剤、及びシリコーンオイル、ゴム等の低
応力添加剤等の種々の添加剤等を適宜配合しても差し支
えない。又、本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成
分、及びその他の添加剤等をミキサー等を用いて充分に
均一に混合した後、熱ロール又はニーダー等で溶融混練
し、冷却後粉砕して成形材料とすることができる。これ
らの成形材料は、電気部品或いは電子部品であるトラン
ジスタ、集積回路等の被覆、絶縁、封止等に適用するこ
とができる。
【００１０】以下本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例１〜５、比較例１〜８ 表１及び表２に示した樹脂組成物をミキサーを用いて常
温で混合し、７０〜１００℃で２軸ロールを用いて混練
し、冷却後粉砕して成形材料とした。得られた成形材料
をタブレット化し、低圧トランスファー成形機を用いて
１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件で耐燃性
試験片を成形し、又、耐湿性試験用として３ｍｍ×３．
５ｍｍのチップを１６ｐＤＩＰに封止した。封止したテ
スト用素子について下記の耐湿性試験を行った。又、こ
の１６ｐＤＩＰを用いて高温リーク試験を行った。
温で混合し、７０〜１００℃で２軸ロールを用いて混練
し、冷却後粉砕して成形材料とした。得られた成形材料
をタブレット化し、低圧トランスファー成形機を用いて
１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件で耐燃性
試験片を成形し、又、耐湿性試験用として３ｍｍ×３．
５ｍｍのチップを１６ｐＤＩＰに封止した。封止したテ
スト用素子について下記の耐湿性試験を行った。又、こ
の１６ｐＤＩＰを用いて高温リーク試験を行った。
【００１１】使用した原材料は下記の通り。 ビフェニル型エポキシ樹脂（融点１１０℃、エポキシ当
量１９５ｇ／ｅｑ） オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点６
５℃、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ） フェノールノボラック樹脂（軟化点８０℃、水酸基当量
１０４ｇ／ｅｑ） １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７
（以下，ＤＢＵ） ２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏ（Ｉ）（Ｎａイオン
含有量２０ｐｐｍ） ２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏ（II）（Ｎａイオン
含有量２８ｐｐｍ） ２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏ（III）（Ｎａイオン
含有量１００ｐｐｍ） 臭素化エポキシ樹脂（軟化点６０℃、エポキシ当量３６
０ｇ／ｅｑ） 三酸化アンチモン 溶融シリカ粉末（平均粒径１５μｍ、比表面積２．２ｍ
2／ｇ、粒径１０μｍ以下が３５重量％、粒径７０μｍ
以上が８重量％） 球状溶融シリカ粉末（平均粒径１７μｍ、比表面積５．
０ｍ2／ｇ、粒径１０μｍ以下が３５重量％、粒径７０
μｍ以上が６重量％） カーボンブラック カルナバワックス
量１９５ｇ／ｅｑ） オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点６
５℃、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ） フェノールノボラック樹脂（軟化点８０℃、水酸基当量
１０４ｇ／ｅｑ） １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７
（以下，ＤＢＵ） ２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏ（Ｉ）（Ｎａイオン
含有量２０ｐｐｍ） ２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏ（II）（Ｎａイオン
含有量２８ｐｐｍ） ２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏ（III）（Ｎａイオン
含有量１００ｐｐｍ） 臭素化エポキシ樹脂（軟化点６０℃、エポキシ当量３６
０ｇ／ｅｑ） 三酸化アンチモン 溶融シリカ粉末（平均粒径１５μｍ、比表面積２．２ｍ
2／ｇ、粒径１０μｍ以下が３５重量％、粒径７０μｍ
以上が８重量％） 球状溶融シリカ粉末（平均粒径１７μｍ、比表面積５．
０ｍ2／ｇ、粒径１０μｍ以下が３５重量％、粒径７０
μｍ以上が６重量％） カーボンブラック カルナバワックス
【００１２】２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏ（Ｉ）
及び（II）の作製方法：２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ
2Ｏ（市販品、III、Ｎａイオン含有量１００ｐｐｍ）を
純水中に４８〜９６時間静置し、で洗浄し、２回純水で
置換後乾燥して得た。 Ｎａイオン含有量測定法：２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５
Ｈ2Ｏ０．５ｇ、エタノール０．３ｃｃ及び純水４０ｃ
ｃをプレッシャークッカー容器に入れ、温度１２５℃、
圧力２．２ｋｇ／ｃｍ2、２０時間で処理後、抽出液の
Ｎａイオンを測定する。
及び（II）の作製方法：２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ
2Ｏ（市販品、III、Ｎａイオン含有量１００ｐｐｍ）を
純水中に４８〜９６時間静置し、で洗浄し、２回純水で
置換後乾燥して得た。 Ｎａイオン含有量測定法：２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５
Ｈ2Ｏ０．５ｇ、エタノール０．３ｃｃ及び純水４０ｃ
ｃをプレッシャークッカー容器に入れ、温度１２５℃、
圧力２．２ｋｇ／ｃｍ2、２０時間で処理後、抽出液の
Ｎａイオンを測定する。
【００１３】評価方法は下記の通り。 スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じた金型を
用い、金型温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2で測定
した。 成形性：低圧トランスファー成形機を用い、金型温度１
７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2の条件で１６ｐＤＩＰが
成形可能な硬化時間を成形性の目安とした。 耐燃性試験：ＵＬ−９４垂直試験（試料厚さ１．０ｍ
ｍ）を行い、難燃性で表した。 耐湿性試験：封止したテスト用素子のプレッシャークッ
カー試験（１２５℃、圧力２．２ｋｇ／ｃｍ2）を行
い、回路のオープン不良を測定し、不良発生時間で表し
た。高温リーク電流試験：１６ｐＤＩＰの高温リーク電
流（１５０℃）を測定した。 評価結果を表１及び表２に示す。
用い、金型温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2で測定
した。 成形性：低圧トランスファー成形機を用い、金型温度１
７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2の条件で１６ｐＤＩＰが
成形可能な硬化時間を成形性の目安とした。 耐燃性試験：ＵＬ−９４垂直試験（試料厚さ１．０ｍ
ｍ）を行い、難燃性で表した。 耐湿性試験：封止したテスト用素子のプレッシャークッ
カー試験（１２５℃、圧力２．２ｋｇ／ｃｍ2）を行
い、回路のオープン不良を測定し、不良発生時間で表し
た。高温リーク電流試験：１６ｐＤＩＰの高温リーク電
流（１５０℃）を測定した。 評価結果を表１及び表２に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】
【発明の効果】本発明の樹脂組成物を用いると、ハロゲ
ン系難燃剤、三酸化アンチモンを含まない耐湿性及び難
燃性に優れた半導体装置が得られる。
ン系難燃剤、三酸化アンチモンを含まない耐湿性及び難
燃性に優れた半導体装置が得られる。
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）Ｎａイオン含有
量が３０ｐｐｍ以下である２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５
Ｈ2Ｏ、及び（Ｅ）無機充填材からなることを特徴とす
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 Ｎａイオン含有量が３０ｐｐｍ以下であ
る２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏが、全樹脂組成物
中１〜１０重量％である請求項１記載の半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23009696A JPH1077390A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23009696A JPH1077390A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1077390A true JPH1077390A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=16902494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23009696A Pending JPH1077390A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1077390A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998047968A1 (en) * | 1997-04-21 | 1998-10-29 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device sealed with the same, and process for preparing semiconductor device |
| JP2001131391A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-05-15 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 |
| WO2003072628A1 (en) * | 2002-02-27 | 2003-09-04 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Encapsulating epoxy resin composition, and electronic parts device using the same |
| DE19932399B4 (de) * | 1998-07-17 | 2009-04-09 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Verfahren, bei dem eine Halbleitervorrichtung hergestellt wird |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP23009696A patent/JPH1077390A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998047968A1 (en) * | 1997-04-21 | 1998-10-29 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device sealed with the same, and process for preparing semiconductor device |
| US6319619B1 (en) | 1997-04-21 | 2001-11-20 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device sealed with the same, and process for preparing semiconductor device |
| DE19932399B4 (de) * | 1998-07-17 | 2009-04-09 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Verfahren, bei dem eine Halbleitervorrichtung hergestellt wird |
| JP2001131391A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-05-15 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 |
| WO2003072628A1 (en) * | 2002-02-27 | 2003-09-04 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Encapsulating epoxy resin composition, and electronic parts device using the same |
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