JPS58174434A - エポキシ樹脂系成形材料 - Google Patents
エポキシ樹脂系成形材料Info
- Publication number
- JPS58174434A JPS58174434A JP5729982A JP5729982A JPS58174434A JP S58174434 A JPS58174434 A JP S58174434A JP 5729982 A JP5729982 A JP 5729982A JP 5729982 A JP5729982 A JP 5729982A JP S58174434 A JPS58174434 A JP S58174434A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- molding material
- aluminum
- oxide
- solid base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエポキシ樹脂系成形材料に係り、特に半導体素
子などの電子部品對止を目的とするエポキシ樹脂系成形
材料に関するものである。
子などの電子部品對止を目的とするエポキシ樹脂系成形
材料に関するものである。
トランジスタ、工Ｏ，ＩＩ工などの、いわゆる半導体素
子は、通常、素子を外界から保護する、あるいは電気的
に絶縁する、等の目的で各種封止材料で封止される。
子は、通常、素子を外界から保護する、あるいは電気的
に絶縁する、等の目的で各種封止材料で封止される。
封止材料、封止方法としては大別して、金属を用いるハ
ーメチック封止、セラミックを用いるセラミック封止、
ンよびプラスチックを用いるグラスナック封止の３つが
工業的に用いられている。
ーメチック封止、セラミックを用いるセラミック封止、
ンよびプラスチックを用いるグラスナック封止の３つが
工業的に用いられている。
特に近年線、その経済性、量産性においてグラスチック
封止が用いられ、その中でもエポキシ樹脂系成形材料に
よるトランスファー成形封止が広く用いられている。以
下、この方法をエポキシ樹脂封止と呼ぶ。
封止が用いられ、その中でもエポキシ樹脂系成形材料に
よるトランスファー成形封止が広く用いられている。以
下、この方法をエポキシ樹脂封止と呼ぶ。
エポキシ樹脂封止はその経済性、量産性において他の方
法より有利であるが、他方耐湿性においてハーメチック
封止、セラミック封止よシ劣るという欠点を持っている
。
法より有利であるが、他方耐湿性においてハーメチック
封止、セラミック封止よシ劣るという欠点を持っている
。
その理由としては、封止材料とリードフレーム界面より
の水の侵入、封止材料中を透過して行く水の影響、又、
その透過水が封止材料中の不純物特にＣＺイオンの運び
役となる、等が挙げられ、現象としては素子のアルミ配
線あるいはアルミ電極が腐食する事によって不良が発生
する。
の水の侵入、封止材料中を透過して行く水の影響、又、
その透過水が封止材料中の不純物特にＣＺイオンの運び
役となる、等が挙げられ、現象としては素子のアルミ配
線あるいはアルミ電極が腐食する事によって不良が発生
する。
本発明者等は、特に樹脂中を透過し、樹脂中の不純物を
抽出しながら素子表面に到達する水分（以下、透過水と
呼ぶ）に着目して鋭意研究を行ない、本発明を為すに至
った。
抽出しながら素子表面に到達する水分（以下、透過水と
呼ぶ）に着目して鋭意研究を行ない、本発明を為すに至
った。
即ち、エポキシ樹脂系成形材料中に固体塩基および、又
はその水和物を０．１〜２０重量−以上含有せしめる事
によって、透過水中の不純物、特に塩素イオンを捕促し
て、塩素イオンの量が低減かつ透過水のｐＨが中性付近
になる事により、アルミ配線あるいはアルミ電極の腐食
速度が著しく減少し、耐湿性に優れ九エポキシ樹脂成形
材料が得られた。
はその水和物を０．１〜２０重量−以上含有せしめる事
によって、透過水中の不純物、特に塩素イオンを捕促し
て、塩素イオンの量が低減かつ透過水のｐＨが中性付近
になる事により、アルミ配線あるいはアルミ電極の腐食
速度が著しく減少し、耐湿性に優れ九エポキシ樹脂成形
材料が得られた。
本発明に用いられる工４キシ樹脂とは１分子中に２個以
上のエポキシ基を有するものであり、脂１式エポキシ樹
脂、フェノールノーラック型エポキシ樹脂、あるいはク
レゾールツメラック型エポキシ樹脂など一般に成形材料
用として用いられているものならいずれも良い。望まし
くは、加水分解性塩素の含有率１重量−以下のエポキシ
樹脂が良い。
上のエポキシ基を有するものであり、脂１式エポキシ樹
脂、フェノールノーラック型エポキシ樹脂、あるいはク
レゾールツメラック型エポキシ樹脂など一般に成形材料
用として用いられているものならいずれも良い。望まし
くは、加水分解性塩素の含有率１重量−以下のエポキシ
樹脂が良い。
本発明において一構成々分をなすエポキシ樹脂の硬化剤
としては、例えばアミン系硬化剤、フェノールノーラッ
ク樹脂、クレゾールノゲラツク樹脂などのノがラック系
硬化剤、酸無水物系硬化剤などが挙げられる。
としては、例えばアミン系硬化剤、フェノールノーラッ
ク樹脂、クレゾールノゲラツク樹脂などのノがラック系
硬化剤、酸無水物系硬化剤などが挙げられる。
本発明において、さらに他の一構成々分をなす無機質充
てん剤としては、例えば結晶性シリカ粉、石英ガラス粉
、タルク、・ケイ酸カルシウム粉、ガラス繊維、などが
挙げられ、結晶性シリカ粉、石英ガラス粉が壽に望まし
い。
てん剤としては、例えば結晶性シリカ粉、石英ガラス粉
、タルク、・ケイ酸カルシウム粉、ガラス繊維、などが
挙げられ、結晶性シリカ粉、石英ガラス粉が壽に望まし
い。
本発明において、特に含有する固体塩基およびあるいは
その水和物としては、酸化マグネシウムおよび、あるい
は水酸化マグネシウム、酸化カルシウムおよび、あるい
は水酸化カルシウムなどのアルカリ土類金属の酸化物お
よび、あるいはその水和物、酸化アルミニウムおよび、
あるいは水酸化アルミニウム、酸化マグネシウムおよび
酸化アルミニウムの混成物などが挙げられる。特に酸化
マグネシウムおよび、あるいは水酸化マグネシウム、酸
化マグネシウムおよび酸化アルミニウムの混成物が望ま
しい。
その水和物としては、酸化マグネシウムおよび、あるい
は水酸化マグネシウム、酸化カルシウムおよび、あるい
は水酸化カルシウムなどのアルカリ土類金属の酸化物お
よび、あるいはその水和物、酸化アルミニウムおよび、
あるいは水酸化アルミニウム、酸化マグネシウムおよび
酸化アルミニウムの混成物などが挙げられる。特に酸化
マグネシウムおよび、あるいは水酸化マグネシウム、酸
化マグネシウムおよび酸化アルミニウムの混成物が望ま
しい。
以上述べた本発明において特に含有する固体塩基および
、ある、Ｉ／＞はその水和物は、少くとも０．１重量−
以上含有する事が必要である。何故ならば、０．１重量
−未満の含有量では、アルミ防食効果が著しく劣るため
である。また、加重量−を超えて含有する場合は、機械
的特性ｅｔｃ、を著しく損う。
、ある、Ｉ／＞はその水和物は、少くとも０．１重量−
以上含有する事が必要である。何故ならば、０．１重量
−未満の含有量では、アルミ防食効果が著しく劣るため
である。また、加重量−を超えて含有する場合は、機械
的特性ｅｔｃ、を著しく損う。
本発明における組成系には、その他、離型剤、カップリ
ング剤、難燃剤、硬化促進剤などの成分を含有しても何
ら差し支えない。
ング剤、難燃剤、硬化促進剤などの成分を含有しても何
ら差し支えない。
以下に具体例を示す。
実施例１
クレゾールノブラック型エポキシ樹脂１８０重量部、臭
素化エポキシ樹脂加重置部、フェノールノ？ラック１０
０重量部、結晶性シリカ粉末７００重量部、２−メチル
イミダゾール６重量部、カルナバワックス５重量部、三
酸化アンチモン団重量部、カーゲンブラック３重量部、
および酸化マグネシウム加重量部を混合、ロール混線後
、粉砕して成形材料を調製した。
素化エポキシ樹脂加重置部、フェノールノ？ラック１０
０重量部、結晶性シリカ粉末７００重量部、２−メチル
イミダゾール６重量部、カルナバワックス５重量部、三
酸化アンチモン団重量部、カーゲンブラック３重量部、
および酸化マグネシウム加重量部を混合、ロール混線後
、粉砕して成形材料を調製した。
実施例２
実施例１における酸化マグネシウム田重量部に代えて、
酸化マグネシウム１０重量部及び酸化アルミニウム１０
重量部を使用して成形材料を調製した。
酸化マグネシウム１０重量部及び酸化アルミニウム１０
重量部を使用して成形材料を調製した。
比較例１
実施例１における酸化マグネシウム加重量部を用いない
で、成形材料を調製した。
で、成形材料を調製した。
実施例１．２、比較例１の３種の成形材料を用い、成形
条件１７０℃、３分間の設定で耐湿性評価用素子を封止
した。かくして封止した各素子ｍ個について１２５℃の
ブレラシャフラカー試験を実施し、アルミ配線あるいは
アルミ電極の腐食による断線（不良発生）の起る時間に
よって評価を行った。表ＩＫ耐湿性試験結果と併せて機
械的特性、電気的特性、耐熱性の２試験結果を示す。
条件１７０℃、３分間の設定で耐湿性評価用素子を封止
した。かくして封止した各素子ｍ個について１２５℃の
ブレラシャフラカー試験を実施し、アルミ配線あるいは
アルミ電極の腐食による断線（不良発生）の起る時間に
よって評価を行った。表ＩＫ耐湿性試験結果と併せて機
械的特性、電気的特性、耐熱性の２試験結果を示す。
Claims (1)
- エポキシ樹脂、エポキシ硬化剤及び無機質光てん剤等に
より構成される組成系に固体塩基又は（及び）その水和
物を０．１〜２０重量％重量％色を特徴とするエポキシ
樹脂系成形材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5729982A JPS58174434A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | エポキシ樹脂系成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5729982A JPS58174434A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | エポキシ樹脂系成形材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58174434A true JPS58174434A (ja) | 1983-10-13 |
Family
ID=13051671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5729982A Pending JPS58174434A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | エポキシ樹脂系成形材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58174434A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042418A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
| JPS61166823A (ja) * | 1985-01-19 | 1986-07-28 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
| JPH03157448A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| DE4243718C1 (de) * | 1992-12-23 | 1994-06-16 | Koch Marmorit Gmbh | Mittel und Verfahren zur Herstellung von quellenden, abbindenen Vergußmaterialien auf Epoxidbasis |
| US6319619B1 (en) | 1997-04-21 | 2001-11-20 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device sealed with the same, and process for preparing semiconductor device |
| US6878448B2 (en) | 2001-01-19 | 2005-04-12 | Hitachi, Ltd. | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same |
| US20200335409A1 (en) * | 2016-05-30 | 2020-10-22 | Hitachi ChemicalCompany, Ltd. | Sealing composition and semiconductor device |
-
1982
- 1982-04-08 JP JP5729982A patent/JPS58174434A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042418A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
| JPS61166823A (ja) * | 1985-01-19 | 1986-07-28 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
| JPH03157448A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| DE4243718C1 (de) * | 1992-12-23 | 1994-06-16 | Koch Marmorit Gmbh | Mittel und Verfahren zur Herstellung von quellenden, abbindenen Vergußmaterialien auf Epoxidbasis |
| US6319619B1 (en) | 1997-04-21 | 2001-11-20 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device sealed with the same, and process for preparing semiconductor device |
| US6878448B2 (en) | 2001-01-19 | 2005-04-12 | Hitachi, Ltd. | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same |
| US20200335409A1 (en) * | 2016-05-30 | 2020-10-22 | Hitachi ChemicalCompany, Ltd. | Sealing composition and semiconductor device |
| US11854919B2 (en) * | 2016-05-30 | 2023-12-26 | Resonac Corporation | Sealing composition and semiconductor device |
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