KR20050010746A - 박막 형성 장치 - Google Patents

박막 형성 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20050010746A
KR20050010746A KR10-2004-7002262A KR20047002262A KR20050010746A KR 20050010746 A KR20050010746 A KR 20050010746A KR 20047002262 A KR20047002262 A KR 20047002262A KR 20050010746 A KR20050010746 A KR 20050010746A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas supply
gas
thin film
substrate
supplied
Prior art date
Application number
KR10-2004-7002262A
Other languages
English (en)
Inventor
사사끼고오지
나루이히로노부
야나시마가쯔노리
메메자와아끼히꼬
Original Assignee
소니 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니 가부시끼 가이샤 filed Critical 소니 가부시끼 가이샤
Publication of KR20050010746A publication Critical patent/KR20050010746A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
    • C23C16/12—Deposition of aluminium only

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

기판 표면에 원료 가스가 균일하게 공급되고, 기판 표면에 형성되는 유기 박막의 막 두께를 균일하게 할 수 있는 박막 형성 장치이다. 진공 챔버(11)와, 진공 챔버(11) 내에 설치된 기판 홀더(12)와, 기판 홀더(12)의 기판 장착면(12a)을 향해 가스를 공급하는 가스 공급 단부(22)를 구비한 박막 형성 장치이며, 가스 공급 단부(22)는 기판 장착면(12a)에 원료 가스가 긴 형태로 공급되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치이다.

Description

박막 형성 장치{THIN FILM-FORMING APPARATUS}
유기 EL 디스플레이 소자 및 유기 반도체 레이저 등의 저분자계 유기 EL 발광 소자용의 유기 박막은 일반적으로 진공 증착법으로 성막되어 있다.
도7에 도시한 바와 같이, 진공 증착법에 이용되는 진공 증착 장치는 진공 챔버(51)와, 진공 챔버(51) 내의 바닥부에 설치된 증착원(52)과, 증착원(52)의 상방에 대향 배치된 기판 홀더(53)를 구비하고 있다.
이러한 장치를 이용하여, 기판(S) 표면에 유기 박막을 형성하기 위해서는 기판 홀더(53)에 표면을 하방을 향한 상태에서 기판(S)을 장착하고, 기판(S) 표면을 마스크(도시하지 않음)로 덮어 증착원(52)으로부터 유기 원료를 10-3내지 10-4Pa의 고진공 속에서 진공 챔버(51) 내에 가열 증발시키고, 화살표 D로 나타낸 바와 같이 진공 챔버(51) 내에 있어서 원료 가스를 충분히 확산한 상태에서 기판(S) 표면에 유기 원료를 증착시킨다.
한편, 최근 유기 박막을 형성하는 장치로서, 유기 기상 퇴적법[0rganic Vapor Phase Deposition(0VPD)]에 의한 유기 기상 퇴적 장치가 제안되어 있다(일본 특허 공표 제2001-523768호 공보).
유기 기상 퇴적 장치는 진공 챔버와, 진공 챔버 내에 설치된 기판 홀더와, 진공 챔버 내에 가스를 공급하도록 배치된 가스 공급 수단을 구비하고 있고, 감압 분위기 하에 진공 챔버 내에 있어서 캐리어 가스와 함께 원료 가스를 기판 홀더에 장착된 기판 표면에 공급함으로써 유기 박막을 형성한다.
상술한 바와 같은 진공 증착 장치 및 유기 기상 퇴적 장치를 이용하여 유기 박막을 형성하는 경우에는, 기판을 정지시킨 상태에서 유기 박막을 형성하면, 원료 가스를 기판 표면에 균일하게 퇴적시킬 수 없으며, 형성되는 유기 박막의 막 두께가 불균일이 되므로, 기판 홀더에 회전 기구 또는 슬라이드 기구를 설치함으로써, 막 두께 분포를 조정하고 있다.
그러나, 진공 증착 장치로는 진공 챔버 내에 있어서 증착원으로부터 기화시킨 원료 가스가 증착원의 상방에 배치된 기판을 향해 확산된 상태에서 공급되므로, 기판 홀더에 회전 기구나 슬라이드 기구가 설치되었다고 해도, 기판의 단부보다도 중앙부쪽에 원료 가스가 공급되기 쉬운 경향이 있었다.
또한, 유기 기상 퇴적 장치로는 진공 챔버 내에 기상 상태에서 원료 가스가 공급되므로, 가스 공급구로부터 공급된 원료 가스는 배기구를 향해 최단 경로로 유동하기 쉽다. 이로 인해, 기판 표면에 원료 가스를 균일하게 공급하기 위해서는 원료 가스의 유동 방향을 고려해 넣어 가스 공급구에 대해 기판 장착면을 가동시킬필요가 있다. 따라서, 장치 구성이 복잡해져 비용적인 면에서도 문제가 있었다.
따라서, 기판 표면에 원료 가스가 균일하게 공급되고, 기판 표면에 균일한 막 두께의 유기 박막의 형성을 행할 수 있는 박막 형성 장치가 요구되어 있었다.
본 발명은 박막 형성 장치에 관한 것이며, 특히 진공 챔버 내에 있어서 기판 표면에 캐리어 가스와 함께 원료 가스를 공급함으로써 유기 박막을 형성하는 유기 기상 퇴적법에 적용되는 박막 형성 장치에 관한 것이다.
도1a는 제1 실시 형태에 있어서의 박막 형성 장치를 설명하기 위한 개략 구성도, 도1b는 주요부 확대도이다.
도2a 내지 도2c는 제1 실시 형태에 있어서의 가스 공급 단부의 예를 나타내는 사시도이다.
도3a는 제2 실시 형태에 있어서의 박막 형성 장치를 설명하기 위한 주요부 확대도, 도3b는 상면 주요부 확대도이다.
도4는 제3 실시 형태에 있어서의 박막 형성 장치를 설명하기 위한 주요부 확대도이다.
도5a 내지 도5c는 제3 실시 형태에 있어서의 가스 공급 단부의 예를 나타내는 사시도이다.
도6은 제4 실시 형태에 있어서의 박막 형성 장치를 설명하기 위한 주요부 확대도이다.
도7은 종래의 기술에 있어서의 진공 증착 장치를 설명하기 위한 개략 구성도이다.
상기한 바와 같은 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 박막 형성 장치는 진공 챔버와, 진공 챔버 내에 설치된 기판 홀더와, 기판 홀더의 기판 장착면을 향해 가스를 공급하는 가스 공급 단부를 구비한 박막 형성 장치이며, 가스 공급 단부는 기판 장착면에 가스가 긴 형태로 공급되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이러한 박막 형성 장치에 따르면, 가스 공급 단부는 기판 장착면에 가스가 긴 형태로 공급되도록 형성되어 있으므로, 기판 장착면에 장착되는 기판 표면에 대해 가스가 긴 형태로 공급된다.
또한, 기판 홀더가 기판 장착면을 긴 형태의 가스 공급 범위에 있어서의 짧은 변 방향으로 가동시키는 슬라이드 기구를 구비하고 있으면, 가스 공급시에 기판 장착면을 그 짧은 변 방향으로 슬라이드시킴으로써 긴 형태로 공급된 가스를 기판 표면에 있어서 그 짧은 변 방향으로 주사하면서 공급할 수 있다. 이로 인해, 성막 성분으로 이루어지는 가스를 기판의 표면 영역에 균일하게 퇴적시킬 수 있어 균일한 막 두께의 박막 형성을 행할 수 있다.
또한, 가스 공급 단부가 긴 형태의 가스 공급 범위에 있어서의 짧은 변 방향으로 복수 병렬로 배치되어 있는 경우에는, 각 가스 공급구로부터 기판 표면에 긴 형태로 공급되는 가스를 그 짧은 변 방향에 걸쳐 공급할 수 있다. 이로 인해, 기판을 정지시킨 상태만으로도, 성막 성분으로 이루어지는 가스를 기판의 표면 영역에 균일하게 퇴적시킬 수 있어 균일한 막 두께의 박막 형성을 행할 수 있다.
이하, 본 발명의 박막 형성 장치에 있어서의 실시 형태를 도면을 기초로 하여 상세하게 설명한다.
(제1 실시 형태)
도1a 내지 도1b는 본 발명의 박막 형성 장치인 유기 기상 퇴적 장치의 일실시 형태를 설명하기 위한 개요 구성도이다.
이 도면에 도시한 유기 기상 퇴적 장치는 감압 분위기 하에 유지한 진공 챔버(11) 내이고, 기판(S)을 덮도록 마스크(도시하지 않음)를 배치하고, 이 마스크를 통해 기판(S) 상에 소정 패턴의 유기 박막의 형성을 행하는 것이다.
유기 기상 퇴적 장치는 진공 챔버(11)와 진공 챔버(11) 내에 설치된 기판 홀더(12)와, 기판 홀더(12)의 기판 장착면(12a)을 향해 가스를 공급하는 가스 공급 단부(22)를 구비하고 있다.
진공 챔버(11)는 여분의 원료 가스를 배기하기 위한 배기구(14)로부터 도시하지 않는 진공 펌프에 의해, 그 내부 환경(예를 들어, 감압 상태)이 제어되는 동시에, 압력계(15)에 의해 진공 챔버(11) 내부의 압력이 관리되어 있다.
또한, 진공 챔버(11)에는 예를 들어 히터(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 진공 챔버(11) 내에 있어서 원료 가스가 기상 상태를 유지할 수 있게 구성되어 있다.
또한, 진공 챔버(11) 내에 설치된 기판 홀더(12)는 기판 장착면(12a)이 수평 상태에 대해 대략 수직이 되는 상태로 배치되어 있고, 기판 장착면(12a)은 마스크로 덮여진 상태의 기판(S)이 장착되도록 구성되어 있다.
그리고, 기판 홀더(12)에는 기판 장착면(12a)을 그 면내에 있어서 슬라이드시키는 슬라이드 기구(도시하지 않음)가 설치된다. 여기서는, 슬라이드 기구에 의해 기판 장착면(12a)이 도면상 안 길이 방향과 전방 방향에서 수평 방향으로 왕복 운동하는 구성으로 한다.
또한, 기판 홀더(12)에는 장착된 기판(S)을 냉각하기 위한 냉각 기구(16)가 설치된다.
다음에, 본 실시 형태에 있어서의 가스 공급 수단(13)에 대해 설명한다.
가스 공급 수단(13)은 원료 가스 공급원(41)과, 원료 가스 공급원(41)에 그 일단부가 접속된 가스 공급관(23)과, 이 가스 공급관(23)의 타단부에 접속된 가스 공급 단부(22)로 구성되어 있다.
원료 가스 공급원(41)에는, 예를 들어 기판(S) 표면에 유기 박막을 형성하기 위한 유기 원료가 저류되어 있고, 원료 가스 공급원(41)의 외측에는 유기 원료를 기화하기 위한 히터(17)가 설치된다. 또한, 원료 가스 공급원(41)에는 압력계(15)가 설치되어 있고, 내부의 압력이 관리되어 있다.
이 원료 가스 공급원(41)에는, 캐리어 가스 공급원(42)에 접속된 배관(18)이 삽입되어 있고, 캐리어 가스 공급원(42)에는 캐리어 가스가 되는 불활성 가스가 저류되어 있다.
여기서는 예를 들어, 캐리어 가스에 N2, He, Ar 등의 불활성 가스가 이용되는 것으로 하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 원료 가스와 반응하지 않는 것이면 좋고, 예를 들어 H2등이라도 된다.
그리고, 이 배관(18)으로부터 캐리어 가스가 원료 가스 공급원(41)으로 도입되어 원료 가스와 혼합된다.
또한, 배관(18)의 주위는 히터(17)로 덮여져 있고, 가열된 캐리어 가스가 원료 가스 공급원(41)에 공급되도록 구성되어 있다.
또한, 배관(18)에는 가스 유량 제어 수단(19)이 마련되어 있고, 캐리어 가스의 유량을 조정할 수 있다.
또한, 원료 가스 공급원(41)에는 가스 공급관(23)의 일단부가 접속되어 있다. 가스 공급관(23)의 주위는 히터(17)로 덮여져 있고, 원료 가스 공급원(41)으로부터 캐리어 가스와 혼합된 원료 가스가 기상 상태를 유지한 상태에서, 진공 챔버(11) 내에 공급되도록 구성되어 있다.
가스 공급관(23)에도 가스 유량 제어 수단(19)이 마련되어 있고, 캐리어 가스와 혼합된 원료 가스의 유량을 조정할 수 있다.
그리고, 가스 공급관(23)은 동일한 공급 단면 형상(예를 들어 원형 또는 대략 정사각형)을 유지한 상태에서, 원료 가스 공급원(41)으로부터 진공 챔버(11)에 삽입되어 있고, 진공 챔버(11) 내에 있어서 공급 단면 형상을 변형시킨 가스 공급 단부(22)에 접속되어 있다.
또, 여기서는 가스 공급 단부(22)가 진공 챔버(11) 내에 배치된 구성으로 하였지만, 그 분출구가 되는 가스 공급구(21)가 진공 챔버(11) 내와 연통하고 있으면, 가스 공급 단부(22)는 진공 챔버(11) 밖으로 배치되어 있어도 좋다.
이 경우에는 가스 공급 단부(22)의 주위도 히터(17)로 덮여진 상태가 된다.
이 가스 공급 단부(22)는 기판 홀더(12)의 기판 장착면(12a)을 향해 캐리어가스와 함께 원료 가스를 공급하도록 구성되어 있고, 여기서는 기판 장착면(12a)에 가스가 긴 형태로 공급되도록 형성되어 있는 것으로 한다.
특히 여기서는, 도1b에 도시한 바와 같이 가스 공급 단부(22)의 가스 공급구(21)는 개구 형상을 직사각 형상으로 하고, 긴 변 방향의 개구 폭(L1)은 짧은 변 방향의 개구 폭(W1)보다도 넓게 형성되는 동시에, 기판 장착면(12a)에 소정 상태에서 장착되는 기판(S)의 폭(L2)보다도 넓어지도록 형성되어 있는 것으로 한다.
그리고, 이러한 형상의 가스 공급구(21)를 향해, 가스 공급 단부(22)는 그 개구 형상이 변형되어 있다.
또한, 이 가스 공급 단부(22)는, 예를 들어 가스 공급구(21)의 개구 면적(C1)이 가스 공급관(23)의 공급 단면적(C20)과 대략 동일해지도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. 여기서, 공급 단면적(C20)이라 함은 가스 공급관(23)의 내주벽측의 단면적을 개시한다.
이로 인해, 예를 들어 도시한 바와 같이 가스 공급 단부(22)는 그 가스 공급구(21)에 있어서의 긴 변 방향의 개구 폭(L1)을 향해 서서히 확대되는 동시에, 짧은 변 방향의 개구 폭(W1)을 향해 서서히 축소되는 형상을 갖고 있다.
이러한 구성에 의해, 원료 가스는 캐리어 가스와 함께, 가스 공급관(23)으로부터 가스 공급 단부(22)에 있어서의 가스 공급구(21)까지 균등한 압력으로 유동된다.
이와 같이 형성된 가스 공급 단부(22)는 기판 장착면(12a)을 향해 동일 방향으로 가스가 공급되도록 배치되어 있고, 예를 들어 기판 장착면(12a)을 향해 대략 수직 방향으로 원료 가스가 공급되도록 배치되어 있는 것으로 한다.
또, 여기서는 기판 장착면(12a)을 향해 대략 수직 방향으로 원료 가스가 공급되는 것으로 하였지만, 기판 장착면(12a)에 경사 방향으로부터 원료 가스가 공급되도록 가스 공급 단부(22)가 배치되어 있어도 좋다.
또한, 가스 공급구(21)의 긴 변 방향이 기판 장착면(12a)의 슬라이드 방향에 대해 대략 수직이 되도록 배치되어 있는 것으로 한다.
여기서는, 상술한 바와 같이 기판 장착면(12a)이 도면상 안 길이 방향으로 슬라이드하는 구성으로 하였으므로, 가스 공급구(21)의 긴 변 방향(광구 방향)은 도면상의 상하 방향이 된다. 또한, 가스 공급구(21)의 짧은 변 방향은 슬라이드 방향과 동일 방향인 도면상 안 길이 방향이 된다.
또한, 상술한 바와 같이 가스 공급 단부(22)는 가스 공급구(21)의 긴 변 방향의 개구 폭(L1)을 향해 서서히 넓어지도록 형성되어 있으므로, 가스 공급구(21)의 짧은 변 방향측으로부터 본 측면 형상은 가스 공급구(21)의 긴 변을 바닥변으로 한 삼각 형상으로 형성된다.
이러한 유기 기상 퇴적 장치를 이용하여 기판(S) 표면에 유기 박막을 형성하는 경우에는, 우선 도1a에 도시한 바와 같이 고정된 기판 홀더(12)에 마스크(도시하지 않음)로 덮여진 기판(S)을 장착한다.
이 때, 기판(S)의 폭(L2) 방향을 가스 공급구(21)의 긴 변 방향에 대응시켜 기판 장착면(12a)에 장착한다.
그리고, 기판 홀더(12)의 슬라이드 기구에 의해 기판 장착면(12a)을 가스 공급구(21)의 짧은 변 방향, 즉 도면상 안 길이 방향으로 슬라이드시킨다.
한편, 캐리어 가스 공급원(42)에 접속된 배관(18)으로부터, 원료 가스 공급원(41)에 캐리어 가스로서 예를 들어 불활성 가스를 도입하고, 히터(17)에 의해 기화된 원료 가스와 혼합한다.
그리고, 도1b에 도시한 바와 같이 캐리어 가스와 혼합된 원료 가스는, 가스 공급관(23)을 통해 가스 공급 단부(22)로부터 진공 챔버(11) 내에 공급되고, 기판 장착면(12a)에 장착된 기판(S) 표면을 향해 화살표 A에 나타낸 방향으로 공급된다.
한편, 기판 장착면(12a)은 도면상 안 길이 방향으로 슬라이드하고 있으므로, 기판(S)의 도면상 상하 방향으로 긴 형태로 공급된 원료 가스가 기판 장착면(12a)에 장착된 기판(S) 표면 전체 영역에 퇴적되어 유기 박막이 형성된다.
또, 본 실시 형태로서는 기판(S)을 마스크(도시하지 않음)로 덮인 예에 대해 설명하였지만, 본 발명은 마스크를 장착하지 않고, 기판(S) 표면 전체 영역에 유기 박막을 형성하는 경우에도 적용 가능하다.
이러한 유기 기상 퇴적 장치에 따르면, 가스 공급 단부(22)는 기판 장착면(12a)에 가스가 긴 형태로 공급되도록 형성되어 있고, 개구 형상을 직사각 형상으로 하는 가스 공급구(21)의 긴 변 방향의 개구 폭(L1)이 기판 장착면(12a)에 소정 상태로 장착되는 기판(S)의 폭(L2)보다도 넓어지도록 형성되어 있으므로, 가스 공급구(21)의 형상에 따라서 기판(S)의 폭에 걸친 긴 형태로 원료 가스가 공급된다.
그리고, 기판 홀더(12)는 기판 장착면(12a)을 가스 공급구(21)의 짧은 변 방향으로 슬라이드하는 슬라이드 기구를 갖고 있기 때문에, 기판(S)의 폭(L2)에 걸친 긴 형태로 공급된 원료 가스를 기판(S) 표면 전체 영역에 공급할 수 있으므로, 원료 가스를 기판(S) 표면에 균일하게 퇴적시킬 수 있어 균일한 막 두께의 유기 박막을 형성할 수 있다.
따라서, 보다 균일한 막 두께의 유기 박막을 형성하는 것이 가능하고, 대화면에서도 휘도 불균일이 없는 유기 발광 소자층을 형성하는 것이 가능하다.
또한, 본 실시 형태의 유기 기상 퇴적 장치에 따르면, 가스 공급 단부(22)는 기판 장착면(12a)을 향해 대략 수직 방향으로 원료 가스가 공급되도록 배치되어 있기 때문에, 마스크를 이용하여 유기 박막을 형성하는 경우에는 섀도우 효과를 방지할 수 있으므로, 성막 패턴의 위치 어긋남을 방지할 수 있다.
또한, 가스 공급구(21)의 개구 면적(C1)을 가스 공급관(23)의 공급 단면적(C20)과 대략 동일해지도록 형성함으로써, 원료 가스가 캐리어 가스와 함께 가스 공급관(23)으로부터 가스 공급 단부(22) 내를 균등한 압력을 유지하여 유동하므로, 가스 공급구(21)의 각부로부터 기판 장착면(12a)을 향해 보다 균일하게 원료 가스를 공급하는 것이 가능하다.
또, 본 실시 형태에서는 가스 공급구(21)의 개구 면적(C1)과 가스 공급관(23)의 공급 단면적(C20)이 대략 동일해지도록 형성되어 있는 것으로 하였지만, 가스 공급구(21)의 개구 면적 쪽이 약간 작아지도록 형성되어 있어도 좋고, 이 경우에는 가스 공급구(21)에서 압력이 가해지므로, 원료 가스를 가스 공급단부(22)의 내부로 보다 확산시킨 상태에서 가스 공급구(21)의 각부로부터 균일하게 공급할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 기판 홀더(12)에 슬라이드 기구가 설치되는 것으로 하였지만, 기판 장착면(12a)의 중심을 회전축으로 한 회전 기구가 설치되어도 좋다.
단, 상술한 바와 같이 본 실시 형태의 유기 기상 퇴적 장치에 따르면, 원료 가스가 기판(S)의 폭에 걸친 긴 형태로 공급되므로, 슬라이드 기구 쪽이 보다 균일하게 기판(S) 표면 전체 영역에 가스를 공급할 수 있으므로 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에서는 가스 공급구(21)의 긴 변 방향을 도면상 상하 방향 및 짧은 변 방향을 도면상 안 길이 방향으로서 가스 공급구(21)가 배치되는 것으로 하였지만, 긴 변 방향이 도면상 안 길이 방향 및 짧은 변 방향이 도면상 상하 방향이 되도록 가스 공급구(21)가 배치되어 있어도 좋다. 이 경우에는 슬라이드 기구에 의해 기판 장착면(12a)을 그 짧은 변 방향, 즉 그 면내에 있어서 도면상 상하 방향으로 가동시키도록 구성된다.
또한, 가스 공급구(21)의 긴 변 방향의 개구 폭(L1)이 소정 상태에서 기판 장착면(12a)에 장착되는 기판(S)의 폭(L2)보다도 넓게 형성되는 것으로 하였지만, 개구 폭(L1)이 폭(L2)과 대략 동일한 길이라도 좋고, 이 경우에는 원료 가스가 기판(S) 표면에만 공급되므로 기판(S) 표면에 균일하게 또한 효율적으로 원료 가스를 퇴적시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 가스 공급구(21)의 개구 형상은 직사각 형상인 것으로 하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 기판 장착면(12a)에 가스가 긴 형태로 공급되도록 형성되어 있으면, 예를 들어 타원형이라도 된다. 단, 기판(S) 표면에 공급되는 원료 가스의 균일성을 확실하게 하기 위해서는, 직사각 형상인 쪽이 기판의 단부에도 균일하게 원료 가스를 공급 가능하므로 보다 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에서는 가스 공급 단부(22)가 가스 공급구(21)의 긴 변 방향의 개구 폭(L1)을 향해 서서히 넓어지도록 형성된 측면 삼각 형상인 것으로 하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 기판 장착면(12a)에 가스가 긴 형태로 공급되도록 가스 공급 단부(22)가 형성되어 있으면, 도2a 내지 도2c에 도시한 바와 같은 가스 공급 단부(22)의 형상이라도 된다.
구체적으로는, 도2a에 도시한 바와 같이 가스 공급 단부(22)는 가스 공급구(21)의 짧은 변 방향으로부터 본 측면 형상이 가스 공급구(21)를 향해 그 긴 변 방향으로 일단계로 확대된 직사각 형상으로도 좋고, 도2b에 도시한 바와 같이 가스 공급구(21)를 향해 그 긴 변 방향으로 단계적으로 넓게 형성된 단차 형상이라도 된다.
또한, 도2c에 도시한 바와 같이 가스 공급구(21)를 향해 그 긴 변 방향으로 넓게 형성된 측면 반원형이라도 된다.
가스 공급 단부(22)의 측면 형상이 도2a 내지 도2c로 도시한 바와 같은 직사각 형상, 단차 형상, 반원형인 경우에는, 가스 공급 단부(22)에 있어서의 가스 공급구(21)의 짧은 변측을 구성하는 측벽이 대략 평행하게 설치되므로, 가스 공급구(21)로부터 공급된 원료 가스가 긴 변 방향으로 확산되는 것이 방지되고, 원료 가스의 진행 방향을 보다 동일 방향으로 정렬할 수 있다. 따라서, 기판(S) 표면의 중앙과 단부로 원료 가스를 균등하게 공급할 수 있다.
특히 가스 공급 단부(22)의 측면 형상이 반원형으로 형성되어 있으면, 직사각 형상 또는 단차 형상으로 형성된 경우와 비교해, 가스가 체류되기 쉬운 모서리 부분이 없으므로 보다 바람직하다.
또한, 본 실시 형태와 같이 측면 삼각 형상인 경우에는, 예를 들어 가스 공급구(21)의 개구 형상을 유지하여 연착시킨 통형의 헤드를 설치함으로써, 가스 공급 단부(22)에 있어서의 가스 공급구(21)의 짧은 변측의 측벽이 대략 평행하게 설치되고, 가스의 진행 방향을 기판(S)을 향해 넓어지지 않게 보다 제어할 수 있으므로 바람직하다. 이에 의해, 상술한 가스 공급 단부(22)가 반원형인 경우와 마찬가지의 효과를 발휘할 수 있다.
(제2 실시 형태)
본 실시 형태로서는 제1 실시 형태에서 설명한 가스 공급 단부(22)에 있어서의 가스의 공급 방향에 대해 대략 수직 방향으로부터 가스 공급 단부(22)에 가스가 공급되도록, 가스 공급 단부(22)에 가스 공급관(23)이 접속되어 있는 예에 대해 설명한다.
도3a에 도시한 바와 같이, 가스 공급관(23)은 이 가스 공급 단부(22)의 내부에 연통하도록, 가스 공급 단부(22)에 있어서의 가스 공급구(21)의 긴 변측을 구성하는 측벽(35)에 대해 대략 수직으로 접속되는 동시에, 이 측벽(35)에 있어서의 가스 공급 단부(22)의 기단부측에 접속되어 있는 것으로 한다.
여기서, 측벽(35)은 가스 공급구(21)의 긴 변을 바닥변으로 한 대략 삼각 형상으로 형성되어 있지만, 기단부측이라 함은 그 삼각 형상의 정점 부근을 나타내는 것으로 한다.
이러한 구성으로 함으로써 제1 실시 형태에 있어서, 가스 공급관(23)에 접속된 가스 공급 단부(22)의 기단부측은 폐색된다.
또, 여기서는 가스 공급관(23)이 가스 공급 단부(22)에 있어서의 가스 공급구(21)의 긴 변측의 측벽(35)에 대해 대략 수직으로 접속되는 것으로 하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 가스 공급 단부(22)로부터의 가스의 공급 방향에 대해 대략 수직 방향으로부터 가스 공급 단부(22)에 가스가 공급되도록 가스 공급관(23)이 접속되어 있으면 좋고, 가스 공급구(21)의 짧은 변측을 구성하는 측벽(36)에 접속되어 있어도 좋다.
또한, 여기서는 가스 공급관(23)이 측벽(35)에 있어서의 가스 공급 단부(22)의 기단부측에 접속되는 것으로 하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 측벽(35)의 중앙부보다도 좋다.
단, 가스 공급 단부(22)의 내부에서 원료 가스를 효율적으로 확산시키기 위해서는, 가스 공급관(23)은 가스 공급구(21)의 긴 변측의 측벽(35)에 대해 대략 수직으로 배치되는 쪽이 바람직하고, 측벽(35)에 있어서의 가스 공급 단부(22)의 기단부측에 배치되는 쪽이 바람직하다.
이러한 구성에 의해, 도3b의 가스 공급 단부(22) 및 가스 공급관(23)의 상면 주요부 확대도에 화살표 B로 나타낸 바와 같이, 원료 가스는 가스 공급관(23)을 통해 가스 공급 단부(22)의 내부로 도입되고, 측벽(35)에 대향하는 내측벽에 충돌한 후, 가스 공급 단부(22)의 내부로 확산된 상태에서, 가스 공급구(21)로부터 기판 장착면(12a)(상기 도3a 참조)을 향해 대략 수직 방향(화살표 A)으로 원료 가스가 공급된다.
이러한 유기 기상 퇴적 장치에 따르면, 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과에다가 가스 공급 단부(22)로부터의 원료 가스의 공급 방향에 대해 대략 수직 방향으로부터 가스 공급 단부(22)에 가스가 공급되도록, 가스 공급 단부(22)에 가스 공급관(23)이 접속되어 있으므로, 원료 가스가 가스 공급관(23)으로부터 가스 공급 단부(22)의 내측벽에 충돌한다. 이에 의해, 가스 공급 단부(22)의 내부에 있어서 원료 가스가 충분히 확산된 상태에서, 기판 장착면(12a)을 향해 긴 형태로 균일하게 원료 가스를 공급할 수 있다.
따라서, 보다 균일한 막 두께의 유기 박막을 형성할 수 있고, 대화면에서도 휘도 불균일이 없는 유기 발광 소자층을 형성하는 것이 가능하다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 가스 공급관(23)은 가스 공급 단부(22)에 있어서의 가스 공급구의 긴 변측을 구성하는 측벽(35)에 대해 대략 수직으로 접속되는 동시에, 측벽(35)에 있어서의 가스 공급 단부(22)의 기단부측에 접속되어 있으므로, 가스 공급 단부(22)의 내부에서 효율적으로 원료 가스를 확산시켜 가스 공급구(21)로부터 원료 가스를 공급할 수 있다.
또, 여기서는 가스 공급 단부(22)의 측면 형상이 삼각 형상인 경우의 예에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들어 도2a 내지 도2c에도시한 바와 같은 측면 형상만으로도 적용 가능하다.
(제3 실시 형태)
본 실시 형태에서는, 제1 실시 형태에 있어서의 가스 공급 단부(22)가 복수의 가스 유로(31)로 분할되어 있는 예에 대해 설명한다.
도4에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서의 가스 공급 단부(22)는 이 내부에 가스의 공급 방향을 향해 분할되는 동시에, 가스 공급구(21)에 도달하는 예를 들어 6개의 가스 유로(31)가 형성되는 것으로 한다.
또한, 이들의 가스 유로(31)는 가스 공급구(21)의 긴 변 방향에 배치되는 것으로 한다.
여기서, 6개의 가스 유로(31)가 도달되는 가스 공급구(21)는 예를 들어 그 개구 면적이 각각 같게 되도록, 균등하게 분할되어 형성되어 있는 것으로 한다.
이러한 구성에 의해, 원료 가스는 가스 공급관(23)을 통해 6개의 가스 유로(31)로 분배되고, 분할된 가스 공급구(21)로부터 기판 장착면(12a)을 향해 대략 수직 방향(화살표 A)으로 원료 가스가 공급된다.
이러한 유기 기상 퇴적 장치에 따르면, 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과에다가 가스 공급 단부(22)이 그 내부에 가스의 공급 방향을 향해 분할되는 동시에, 가스 공급구(21)에 도달하는 복수의 가스 유로(31)를 가스 공급구(21)의 긴 변 방향에 배치하여 있으므로, 가스 공급 단부(22)에 도달한 가스가 가스 유로(31)에 의해 그 긴 변 방향으로 분배된다.
이로 인해, 분할된 가스 공급구(21)로부터 원료 가스를 난류하지 않고, 가스유로(31)에 따른 방향성을 유지한 균일한 층류로서 기판 장착면(12a)에 긴 형태로 공급할 수 있다. 이에 의해, 기판(S) 표면에 공급되는 원료 가스의 분포를 보다 균일하게 제어할 수 있다.
따라서, 보다 균일한 막 두께의 유기 박막을 형성할 수가 있고, 대화면에서도 휘도 불균일이 없는 유기 발광 소자층을 형성하는 것이 가능하다.
또, 여기서는 가스 공급 단부(22)의 측면 형상이 삼각 형상인 경우의 예에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들어 도2a 내지 도2c에 도시한 바와 같은 측면 형상만으로도 적용 가능하다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 가스 공급 단부(22)의 내부에 복수의 가스 유로(31)가 형성된 예에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 기판 장착면(12a)에 가스가 긴 형태로 균일하게 공급되도록, 가스 공급 단부(22)의 내부로 분할된 형상이면, 도5a 내지 도5c에 도시한 바와 같은 가스 공급 단부(22)의 형상이라도 된다.
예를 들어, 도5a에 도시한 바와 같이 가스 공급 단부(22)의 내부에 예를 들어 삼각 기둥형의 확산벽(32)을 배치함으로써, 가스 공급 단부(22)의 내부에 있어서, 가스를 가스 공급구(21)의 긴 변 방향으로 균등하게 분배할 수 있어 기판(S) 표면에 가스를 긴 형태로 균일하게 공급할 수 있다.
이 확산벽(32)은 삼각 기둥형으로 한정되지 않고, 가스 공급 단부(22)의 내부에서 가스를 가스 공급구(21)의 긴 변 방향으로 균등하게 분배할 수 있으면, 원 기둥형, 타원 기둥형, 사각 기둥형이라도 된다.
또한, 이 확산벽의 배치 패턴은 원료 가스가 기판(S) 표면에 긴 형태로 균일하게 공급되도록, 최적화한 배치 패턴에 형성되어 있으면 보다 바람직하다.
예를 들어, 미리 기판(S) 표면에 유기 박막을 형성시킨 경우의 막 두께 분포에 있어서, 기판의 중앙부 쪽이 단부보다도 얇은 경우에는, 도5b에 도시한 바와 같이 가스 공급 단부(22)의 내부에 있어서의 확산벽(32)의 배치 패턴을 가스 공급 단부(22)의 단부에 집중하도록 배치시키고, 중앙부에 가스가 보다 공급되는 배치 패턴으로 해도 좋다.
또한, 도5c에 도시한 바와 같이 가스 공급 단부(22)가 가스의 공급 방향을 향해 도면상 상하 방향으로 단계적으로 분할된 복수의 가스 유로(33)를 구비하고 있고, 가스 유로(33)는 가스를 확산시키기 위한 복수의 확산실(34)을 구비하고 있어도 좋다. 여기서는, 최종단의 확산실(34)에 도면상 상하 방향에 배치된 예를 들어 6개의 가스 공급구(21)로부터 가스가 공급된다. 이러한 형상만으로도, 기판(S) 표면에 긴 형태로 가스를 공급할 수 있는 동시에, 가스 공급 단부(22)의 내부에 있어서 충분히 확산된 상태에서 가스를 균일하게 공급할 수 있다.
(제4 실시 형태)
본 실시 형태로는 제1 실시 형태에서 설명한 가스 공급 단부(22)를 복수 구비한 예에 대해 설명한다.
도6에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서의 유기 기상 퇴적 장치는 예를 들어 3개의 가스 공급관(23a 내지 23c)을 갖고 있고, 이들의 가스 공급관(23a 내지 23c)은 각각 진공 챔버(11) 내에 삽입되고, 각각에 대응한 가스 공급단부(22a 내지 22c)에 접속되어 있다.
또한, 가스 공급 단부(22a 내지 22c)는 기판 장착면(12a)에 대향 배치된 상태에서 가스 공급구(21)의 짧은 변 방향, 즉 도면상 안 길이 방향을 향해 병렬되어 있다.
또한, 가스 공급관(23a 내지 23c)은 원료 가스 공급원(41)(상기 도1a 참조)에 각각 접속되어 있는 것으로 한다.
여기서는, 복수의 가스 공급관(23a 내지 23c)이 원료 가스 공급원(41)에 각각 접속되어 있는 것으로 하지만, 가스 공급관(23a 내지 23c)에 각각에 대응시키고, 원료 가스 공급원(41)을 복수 설치해도 좋다.
가스 공급관(23a 내지 23c)에는, 각각 독립된 가스 유량 제어 수단(도시하지 않음)이 마련되어 있고, 가스 유량 제어 수단을 작동시킴으로써 가스의 유량을 조정할 뿐만 아니라, 유량을 제로로 할 수도 있다.
따라서, 가스 공급관(23a 내지 23c)에 다른 원료 가스를 도입하는 경우에는, 원료 가스의 종류를 절환하는 것도 가능하다.
이러한 유기 기상 퇴적 장치에 따르면, 제l 실시 형태와 마찬가지의 효과에다가, 가스 공급 단부(22a 내지 22c)는 가스 공급구(21)의 짧은 변 방향으로 병렬되어 있고, 각각의 가스 공급 단부(22)로부터 기판(S)의 폭에 걸친 긴 형태로 가스가 공급되므로, 가스 기판(S) 표면 전체 영역에 원료 가스를 공급할 수 있다.
또한, 각각에 가스 유량 제어 수단을 구비하고 있으므로, 형성되는 유기 박막의 막 두께에 대응하여 가스 유량 제어 수단을 조정함으로써, 균일한 막 두께를갖는 유기 박막의 형성을 행하는 것이 가능하다.
이 경우에는, 기판 홀더(12)에 기판 장착면(12a)을 가스 공급구(21)의 짧은 변 방향으로 가동시키는 슬라이드 기구가 설치되지 않아도, 원료 가스를 기판(S) 표면에 균일하게 퇴적시키는 것이 가능하고, 균일한 막 두께의 유기 박막의 형성을 행할 수 있다.
따라서, 기판 홀더(12)에 슬라이드 기구를 설치하지 않아도 좋고, 저비용으로 양질인 유기 박막을 형성할 수 있고, 대화면에서도 휘도 불균일이 없는 유기 발광 소자층을 형성하는 것이 가능하다.
또한, 본 실시 형태로서는 가스 공급 단부(22a 내지 22c)로부터 동일한 원료 가스가 공급되는 예에 대해 설명하였지만, 가스 공급 단부(22a 내지 22c)로부터 다른 원료 가스가 공급되도록 구성되어 있어도 좋다.
이 경우에는, 가스 공급관(23a 내지 23c)이 각각 다른 원료 가스 공급원(41)에 접속된다. 그리고, 슬라이드 기구에 의해 기판 장착면(12a)을 안 길이 방향으로 가동시킴으로써, 기판(S) 표면에 가스 공급 단부(22a 내지 22c)로부터 공급되는 원료 가스가 순차 퇴적된 유기 박막의 적층막을 형성할 수 있고, 각층을 보다 균일한 막 두께로 형성할 수 있다. 또, 기판(S) 표면에 다른 종류 원료가 도핑된 유기 박막을 보다 균일한 막 두께로 형성할 수도 있다.
또, 여기서는 가스 공급 단부(22)의 측면 형상이 삼각 형상인 경우의 예에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들어 도2a 내지 도2c에 도시한 바와 같은 측면 형상만으로도 적용 가능하다.
이러한 박막 형성 장치에 따르면, 가스 공급 단부는 기판 장착면에 가스가 긴 형태로 공급되도록 형성되어 있으므로, 기판 장착면에 장착되는 기판 표면에 대해 가스를 긴 형태로 공급할 수 있다.
또한, 기판 홀더가 긴 형태의 가스 공급 범위에 있어서의 짧은 변 방향으로 가동시키는 슬라이드 기구를 구비하고 있으면, 가스 공급시에 기판 장착면을 짧은 변 방향으로 슬라이드시킴으로써, 긴 형태로 공급된 가스를 기판 표면에 있어서 짧은 변 방향으로 주사하면서 공급할 수 있으므로, 성막 성분으로 이루어지는 가스를 기판의 표면 영역에 균일하게 퇴적시킬 수 있어 균일한 막 두께의 박막 형성을 행할 수 있다.
또한, 가스 공급구가 가스 공급 범위에 있어서의 짧은 변 방향으로 복수 병렬되어 있는 경우에는, 각 가스 공급구로부터 긴 형태로 공급되는 가스를 그 짧은 변 방향에 걸쳐 공급할 수 있다. 이로 인해, 기판을 정지시킨 상태만으로도, 성막 성분으로 이루어지는 가스를 기판의 표면 영역에 균일하게 퇴적시킬 수 있어 균일한 막 두께의 박막 형성을 행할 수 있다.
따라서, 이 박막 형성 장치를 유기 EL 디스플레이 소자의 형성에 적용함으로써, 대화면에서도 휘도 불균일이 없는 유기 발광 소자층을 형성할 수 있다.

Claims (10)

  1. 진공 챔버와, 상기 진공 챔버 내에 설치된 기판 홀더와, 상기 기판 홀더의 기판 장착면을 향해 가스를 공급하는 가스 공급 단부를 구비한 박막 형성 장치이며,
    상기 가스 공급 단부는 상기 기판 장착면에 가스가 긴 형태로 공급되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가스 공급 단부가 상기 기판 장착면에 장착되는 기판의 폭에 걸치는 긴 형태로 가스가 공급되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판 홀더는 그 기판 장착면을 상기 긴 형태의 가스 공급 범위에 있어서의 짧은 변 방향으로 가동시키는 슬라이드 기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 가스 공급 단부가 상기 긴 형태의 가스 공급 범위에 있어서의 짧은 변 방향으로 복수 병렬로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 가스 공급 단부는 이 가스 공급 단부의 내부에 가스의 공급 방향을 향해 분할되는 동시에, 상기 가스 공급 단부의 가스 공급구에 도달하는 복수의 가스 유로를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 가스 공급 단부는 상기 기판 장착면을 향해 가스가 대략 수직으로 공급되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 가스 공급 단부로부터의 가스 공급구의 개구 면적이 상기 가스 공급 단부에 가스를 공급하는 가스 공급관의 공급 단면적과 대략 동일 또는 상기 공급 단면적보다 작아지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 가스 공급 단부로부터의 가스의 공급 방향에 대해 대략 수직 방향으로부터 상기 가스 공급 단부에 가스가 공급되도록, 상기 가스 공급 단부에 가스 공급관이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  9. 제4항에 있어서, 상기 복수의 가스 공급 단부로부터 다른 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  10. 제4항에 있어서, 상기 복수의 가스 공급 단부로부터 단일의 가스가 공급되는것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
KR10-2004-7002262A 2002-06-17 2003-06-17 박막 형성 장치 KR20050010746A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2002-00175291 2002-06-17
JP2002175291 2002-06-17
JPJP-P-2002-00293280 2002-10-07
JP2002293280A JP4292777B2 (ja) 2002-06-17 2002-10-07 薄膜形成装置
PCT/JP2003/007669 WO2003106730A1 (ja) 2002-06-01 2003-06-17 薄膜形成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050010746A true KR20050010746A (ko) 2005-01-28

Family

ID=29738414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2004-7002262A KR20050010746A (ko) 2002-06-17 2003-06-17 박막 형성 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6960262B2 (ko)
EP (1) EP1518940A1 (ko)
JP (1) JP4292777B2 (ko)
KR (1) KR20050010746A (ko)
CN (1) CN1308483C (ko)
TW (1) TWI252872B (ko)
WO (1) WO2003106730A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100761100B1 (ko) * 2006-02-08 2007-09-21 주식회사 아바코 유기발광소자의 증착막 형성방법 및 장치
US8617314B2 (en) 2008-04-14 2013-12-31 Adp Engineering Co., Ltd. Organic deposition apparatus and method of depositing organic substance using the same
US11534790B2 (en) 2017-04-10 2022-12-27 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus and method of manufacturing display apparatus

Families Citing this family (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6451692B1 (en) * 2000-08-18 2002-09-17 Micron Technology, Inc. Preheating of chemical vapor deposition precursors
JP4292777B2 (ja) * 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
JP4476019B2 (ja) * 2004-05-20 2010-06-09 東北パイオニア株式会社 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌ素子の製造方法
JP4602054B2 (ja) * 2004-11-25 2010-12-22 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置
US7722719B2 (en) * 2005-03-07 2010-05-25 Applied Materials, Inc. Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber
JP5568729B2 (ja) * 2005-09-06 2014-08-13 国立大学法人東北大学 成膜装置および成膜方法
KR100688969B1 (ko) * 2005-10-24 2007-03-08 삼성전자주식회사 표시장치용 기판의 제조장치 및 제조방법
JP2007227086A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Tokyo Electron Ltd 成膜装置および発光素子の製造方法
JP5179739B2 (ja) 2006-09-27 2013-04-10 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法
JP5043394B2 (ja) * 2006-09-29 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置およびその運転方法
US7740706B2 (en) * 2006-11-28 2010-06-22 Applied Materials, Inc. Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber
US20080121177A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Applied Materials, Inc. Dual top gas feed through distributor for high density plasma chamber
US20080124944A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Applied Materials, Inc. Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber
US7758698B2 (en) * 2006-11-28 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Dual top gas feed through distributor for high density plasma chamber
US20080173238A1 (en) * 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and reaction vessel
US8067061B2 (en) * 2007-10-25 2011-11-29 Asm America, Inc. Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports
TWI475124B (zh) 2009-05-22 2015-03-01 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
JP5795028B2 (ja) * 2009-05-22 2015-10-14 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
TWI472639B (zh) 2009-05-22 2015-02-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
US8882920B2 (en) 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8802200B2 (en) 2009-06-09 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
US9174250B2 (en) 2009-06-09 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
KR101074792B1 (ko) * 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101097311B1 (ko) * 2009-06-24 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117720B1 (ko) 2009-06-25 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법
KR20110014442A (ko) 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101127575B1 (ko) * 2009-08-10 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
US20110033621A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including deposition blade
JP5676175B2 (ja) * 2009-08-24 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
KR101127578B1 (ko) 2009-08-24 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US8486737B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
JP5611718B2 (ja) * 2009-08-27 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101146982B1 (ko) 2009-11-20 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법
KR101084184B1 (ko) * 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101673017B1 (ko) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
JP5618713B2 (ja) * 2010-09-02 2014-11-05 株式会社アルバック 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
KR101678056B1 (ko) 2010-09-16 2016-11-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120029166A (ko) 2010-09-16 2012-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
JP5685417B2 (ja) * 2010-11-05 2015-03-18 株式会社アルバック クリーニング装置及びクリーニング方法
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
JP5851899B2 (ja) * 2011-03-25 2016-02-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR101923174B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857992B1 (ko) 2011-05-25 2018-05-16 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20130010730A (ko) 2011-07-19 2013-01-29 삼성디스플레이 주식회사 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치
KR20130015144A (ko) 2011-08-02 2013-02-13 삼성디스플레이 주식회사 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
JP5703166B2 (ja) * 2011-08-04 2015-04-15 株式会社アルバック 蒸着装置及び蒸着方法
KR102144321B1 (ko) * 2011-10-21 2020-08-31 에바텍 아크티엔게젤샤프트 직접 액상 증착
KR20130069037A (ko) 2011-12-16 2013-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102015872B1 (ko) 2012-06-22 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR102013315B1 (ko) 2012-07-10 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101959974B1 (ko) 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9496524B2 (en) 2012-07-10 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
KR101632298B1 (ko) 2012-07-16 2016-06-22 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조방법
KR102013318B1 (ko) 2012-09-20 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101994838B1 (ko) 2012-09-24 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140050994A (ko) 2012-10-22 2014-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102052069B1 (ko) 2012-11-09 2019-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
WO2014103728A1 (ja) * 2012-12-27 2014-07-03 昭和電工株式会社 成膜装置
US20160194753A1 (en) * 2012-12-27 2016-07-07 Showa Denko K.K. SiC-FILM FORMATION DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SiC FILM
KR102075525B1 (ko) 2013-03-20 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140118551A (ko) 2013-03-29 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102037376B1 (ko) 2013-04-18 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트, 이를 구비하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102081284B1 (ko) 2013-04-18 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102107104B1 (ko) 2013-06-17 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102108361B1 (ko) 2013-06-24 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102162797B1 (ko) 2013-12-23 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
DE102014109196A1 (de) * 2014-07-01 2016-01-07 Aixtron Se Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes aus einem festen oder flüssigen Ausgangsstoff für eine CVD- oder PVD-Einrichtung
JP6955983B2 (ja) 2017-12-05 2021-10-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN108004512A (zh) * 2018-01-17 2018-05-08 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸发源以及蒸镀装置
WO2021050395A1 (en) * 2019-09-10 2021-03-18 Applied Materials, Inc. Vapor delivery methods and apparatus

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3511703A (en) * 1963-09-20 1970-05-12 Motorola Inc Method for depositing mixed oxide films containing aluminum oxide
FI57975C (fi) * 1979-02-28 1980-11-10 Lohja Ab Oy Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor
JPS61101020A (ja) * 1984-10-24 1986-05-19 Hitachi Ltd 処理装置
JPS6293922A (ja) * 1985-10-21 1987-04-30 Hitachi Ltd 処理装置
JPH0691020B2 (ja) * 1986-02-14 1994-11-14 日本電信電話株式会社 気相成長方法および装置
JPH0717478B2 (ja) * 1986-12-26 1995-03-01 日本電信電話株式会社 有機金属気相成長装置
JPS63257232A (ja) * 1987-04-15 1988-10-25 Hitachi Ltd 処理装置
US4993360A (en) * 1988-03-28 1991-02-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor growth apparatus having a diffuser section containing a flow regulating member
KR0170391B1 (ko) * 1989-06-16 1999-03-30 다카시마 히로시 피처리체 처리장치 및 처리방법
JPH04198483A (ja) 1990-11-29 1992-07-17 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 薄膜形成装置
KR100212089B1 (ko) * 1994-09-09 1999-08-02 모리시타 요이찌 박막형성방법 및 그 장치
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
JP3502261B2 (ja) * 1998-05-11 2004-03-02 松下電器産業株式会社 樹脂薄膜の製造方法
JP2000127186A (ja) * 1998-10-28 2000-05-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂薄膜の製造方法
US6359388B1 (en) * 2000-08-28 2002-03-19 Guardian Industries Corp. Cold cathode ion beam deposition apparatus with segregated gas flow
JP4292777B2 (ja) * 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
JP2004143521A (ja) * 2002-10-24 2004-05-20 Sony Corp 薄膜形成装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100761100B1 (ko) * 2006-02-08 2007-09-21 주식회사 아바코 유기발광소자의 증착막 형성방법 및 장치
US8617314B2 (en) 2008-04-14 2013-12-31 Adp Engineering Co., Ltd. Organic deposition apparatus and method of depositing organic substance using the same
US11534790B2 (en) 2017-04-10 2022-12-27 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus and method of manufacturing display apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TWI252872B (en) 2006-04-11
TW200408718A (en) 2004-06-01
US20040194702A1 (en) 2004-10-07
EP1518940A1 (en) 2005-03-30
CN1308483C (zh) 2007-04-04
WO2003106730A1 (ja) 2003-12-24
US6960262B2 (en) 2005-11-01
JP2004076150A (ja) 2004-03-11
CN1556872A (zh) 2004-12-22
JP4292777B2 (ja) 2009-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20050010746A (ko) 박막 형성 장치
JP2004143521A (ja) 薄膜形成装置
US7645483B2 (en) Two-dimensional aperture array for vapor deposition
KR101983213B1 (ko) 유기 재료를 위한 증발 소스
US8420169B2 (en) Method of manufacturing organic thin film
US20100170444A1 (en) Organic material vapor generator, film forming source, and film forming apparatus
US20190390322A1 (en) Material deposition arrangement, vacuum deposition system and methods therefor
TWI619823B (zh) 真空沈積系統及用以於其中沈積材料之方法
JP2004010990A (ja) 薄膜形成装置
JP2004010989A (ja) 薄膜形成装置
KR101388593B1 (ko) 유기물 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
US20220195602A1 (en) Gas supply device for substrate processing device, and substrate processing device
JP2004091913A (ja) 成膜装置および成膜方法
US20070092697A1 (en) Apparatus and method for manufacturing display device substrate
JP2004014311A (ja) 有機薄膜の形成方法
TWI816883B (zh) 蒸鍍裝置
KR102629005B1 (ko) 다수 종류의 증착물질의 혼합비율을 보완하여 줄 수 있는 복합증발장치
KR101206833B1 (ko) 기판 증착 장치
KR101313773B1 (ko) 유기물 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
KR101340612B1 (ko) 유기물 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
JP2005133122A (ja) 成膜装置および成膜方法
Hack Novel Low Cost Organic Vapor Jet Printing of Striped High Efficiency Phosphorescent OLEDs for White Lighting
KR100695236B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 소자 제조 장치 및 제조 방법
KR20200016493A (ko) 도가니형 제품의 균일한 반응 가스 코팅을 위한 지그
KR20080028539A (ko) 유기물 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid