KR20030082992A - 프로브 방법 및 프로브 장치 - Google Patents

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KR20030082992A
KR20030082992A KR10-2003-7012014A KR20037012014A KR20030082992A KR 20030082992 A KR20030082992 A KR 20030082992A KR 20037012014 A KR20037012014 A KR 20037012014A KR 20030082992 A KR20030082992 A KR 20030082992A
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사카가와히데오
와타나베다카시
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동경 엘렉트론 주식회사
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Abstract

본 발명의, 피검사체 W의 전기적 특성을 측정하는 프로브 장치는, 테스터, 탑재대, 프로브 카드, 제 1 센서, 제 2 센서, 제어기를 구비한다. 해당 탑재대는 피검사체를 탑재한다. 해당 피검사체는 그 표면에 복수의 전기 회로 소자가 형성되어 있다. 각 전기 회로 소자는 그 표면에 복수의 전극 P를 구비한다. 해당 프로브 카드는 해당 탑재대의 상부에 배치된다. 해당 프로브 카드는 복수의 프로브(8A)를 구비한다. 해당 프로브는 해당 테스터에 접속되어 있다. 해당 제 1 센서는 상기 프로브의 선단 위치를 검출한다. 해당 제 2 센서는 각각의 전기 회로 소자의 표면 위치를 검출한다. 해당 제어기는 해당 프로브 카드의 프로브와 전기 회로 소자의 전극을 접촉시킨다.

Description

프로브 방법 및 프로브 장치{PROBING METHOD AND DEVICE}
반도체 웨이퍼 상에 형성된 집적 회로용 프로브 장치의 예가 도 9a, 9b에 도시되어 있다. 프로브 장치(10)는, 웨이퍼 W가 반출되는 로더실(1)과, 로더실(1)로부터 반송된 웨이퍼 W의 전기적 특성을 검사하기 위한 프로버실(2)을 구비한다. 로더실(1)에는, 웨이퍼 W 수납용 카세트 C가 탑재되는 카세트 탑재부(3)와, 웨이퍼 W를 로더실(1)로 반송하는 반송 기구(포크)(4)와, 포크(4)가 웨이퍼 W를 반송하는 과정에서, 웨이퍼 W를 사전 정렬하는 서브척(5)이 마련된다. 프로버실(2)에는, 탑재대(이하, 「메인척」이라고 함)(6)와, 메인척(6) 상의 웨이퍼 W를 위치 정렬하기 위한 기구(이하, 「정렬 기구」라고 함)(7)와, 프로브 카드(8)가 마련된다. 메인척(6) 상에는, 사전 정렬된 웨이퍼 W가 포크(4)에 의해 탑재된다. 메인척(6)은 X,Y, Z 및 θ 방향으로의 이동이 가능하다. 정렬 기구(7)와, 메인척(6)의 이동에 의해, 메인척(6)에 탑재된 웨이퍼 W 상에 형성된 복수의 집적 회로의 전극은 프로브 카드의 프로브와 위치 정렬된다. 프로브 카드(8)는 프로버실(2)의 상면을 형성하는 헤드 플레이트(2A)에 고정된다.
상기 정렬 기구(7)는, 도 9a, 9b에 도시하는 바와 같이, 하부 CCD 카메라(7A) 및 상부 CCD 카메라(7B)를 구비한다. 이들 두 카메라는 제어 장치 하에서 구동된다. 하부 CCD 카메라(7A)는 메인척(6)에 부설된다. 하부 CCD 카메라(7A)는 프로브 카드(8)의 프로브(8A)를 아래쪽으로부터 촬상한다. 정렬 브리지(7C)의 중앙에 마련된 상부 CCD 카메라(7B)는 메인척(6) 상의 웨이퍼 W를 위쪽으로부터 촬상한다. 촬상된 프로브(8A) 및 웨이퍼 W는 표시 장치(9)의 모니터 화면(9A)에 표시된다. 정렬 브리지(7C)는, 프로브실(2)의 위쪽으로, 또한 Y 방향에 마련된 가이드레일(7D, 7D)에 따라 프로브실(2)의 최오부(最奧部)(도 9b의 상부)로부터 프로브센터까지 이동한다. 메인척(6)에는, 하부 CCD 카메라(7A)의 위쪽까지 진퇴 이동 가능한 타겟(7E)이 마련된다. 하부 CCD 카메라(7A)에 의해 프로브(8A)의 침끝을 촬상함으로써, 침끝의 높이가 구해진다. 이 타겟(7E)을 거쳐서, 하부 CCD 카메라(7A)의 광축과 상부 CCD 카메라(7B)의 광축이 일치된다. 이 때의 메인척(6)의 위치가 웨이퍼 W와 프로브(8A) 사이의 위치 정렬을 할 때의 기준 위치로서 사용된다.
프로버실(2)에는 테스트헤드 T가 선회할 수 있게 마련된다. 이 테스트헤드 T는 인터페이스부(도시되어 있지 않음)를 거쳐서 프로브 카드(8)에 전기적으로 접속되어 있다. 테스트헤드 T 및 프로브(8A)를 거쳐서, 테스터로부터의 신호는 웨이퍼의 전극 패드로 송신된다. 이 신호로부터, 웨이퍼 W 상에 형성된 복수의 집적 회로(칩)의 전기적 특성이 측정된다.
웨이퍼 W와 프로브(8A)를 소정의 압력으로 접촉시키기 위해서, 웨이퍼 W의 표면 높이가 검출된다. 이 검출을 위해, 메인척(6)을 X, Y 방향으로 이동하는 과정에서, 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 등 간격을 막은 4개소와 웨이퍼 W의 중심 5개소가 상부 CCD 카메라(7B)에서 촬상된다. 촬상된 각 위치에 있어서, 메인척(6)의 Z 방향의 위치가 웨이퍼 W의 표면 높이로서 구해진다. 이들 높이의 평균치를 구하는 것에 의해, 웨이퍼 W의 표면 높이가 검출되고 있다.
종래, 웨이퍼 W의 표면에 상부 CCD 카메라(7B)의 초점을 맞추는 것에 의해, 웨이퍼 W 상의 복수 개소의 위치의 높이를 검출하고 있다. 이 검출 과정에서, 상부 CCD 카메라(7B)의 초점을 향해서, 메인척(6)을 승강시킴으로써, 웨이퍼 W의 표면에 상부 CCD 카메라(7B)의 초점을 맞추고 있다. 이 복잡한 조작에 의해, 해당 초점 맞춤에는 시간이 걸리고 있다. 또한, 웨이퍼 W 표면에는 요철이 있기 때문에, 웨이퍼 W 표면 상의 복수점의 높이의 평균치는 웨이퍼 W 상에 형성된 각각의 칩의 표면 높이에 정확히 해당한다고는 말하기 어렵다. 이 결과, 프로브는 칩마다 다른 침압으로 접촉하고 있었다.
본 발명은 전기 회로 소자의 전기적 특성을 검사하는 프로브 방법 및 프로브 장치에 관한 것으로, 더 자세하게는, 피검사체(예컨대 웨이퍼 W) 상에 형성된 각각의 전기 회로 소자의 전극 표면의 위치를 검출할 수 있는 프로브 방법 및 프로브 장치에 관한 것이다.
도 1a, 1b는 본 발명의 프로브 장치의 일 실시예를 도시하는 도면,
도 2는 본 발명의 프로브 장치의 일 실시예의 주요부를 나타내는 구성도,
도 3a~3c는 도 2에 표시된 제 1, 제 2 시야 제한 부재를 나타내는 정면도,
도 4는 제 2 촬상 기구의 광 조사 수단에 의한 광 조사 영역을 확대하여 나타내는 평면도,
도 5a~5c는 동공 분할에 의한 오토포커스의 원리를 설명하기 위한 설명도,
도 6은 도 2에 표시된 초점 검출 장치의 광 센서로 검출되는 동공 분할의 광량 분포를 설명하기 위한 설명도,
도 7은 본 발명의 프로브 방법의 일 실시예를 나타내는 흐름도,
도 8은 도 7의 동공 분할에 의한 오토포커스의 순서를 나타내는 흐름도,
도 9a, 9b는 종래의 프로브 장치를 도시한 도면으로, 도 9a는 정면을 파단하여 나타내는 정면도, 도 9b는 도 9a의 내부를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
본 발명은 종래 기술이 갖는 과제의 하나 또는 복수를 해결하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 웨이퍼 등의 피검사체 상에 형성된 복수의 전자 회로 소자의 각각의 표면 높이를 신속히 검출할 수 있다. 이 결과, 본 발명의 실시예에 따르면, 스루풋을 높일 수 있는 프로브 방법 및 프로브 장치를 제공한다.
또는, 본 발명의 실시예에 따르면, 안정한 침압 하에서 신뢰성이 높은 검사가 행해지는 프로브 방법 및 프로브 장치를 제공한다.
본원 발명의 제 1 관점에 따라서,
테스터와,
피검사체를 탑재하고, 해당 피검사체는 그 표면에 복수의 전기 회로 소자가 형성되어 있으며, 각 전기 회로 소자는 그 표면에 복수의 전극을 구비하는 탑재대와,
해당 탑재대의 상부에 배치되고, 해당 프로브 카드는 복수의 프로브를 구비하며, 해당 프로브는 해당 테스터에 접속되어 있는 프로브 카드와,
상기 프로브의 선단 위치를 검출하는 제 1 센서와,
각각의 전기 회로 소자의 표면 위치를 검출하는 제 2 센서와,
해당 제 1 센서로 검출한 프로브의 선단 위치와, 제 2 센서로 검출한 각 전기 회로 소자의 표면 위치에 근거하여, 해당 프로브 카드의 프로브와 전기 회로 소자의 전극을 접촉시키고, 상기 접촉을 복수의 전기 회로 소자의 각각에 대하여 순차적으로 실시하는 제어기
를 구비하는, 피검사체 W의 전기적 특성을 측정하는 프로브 장치가 제공된다.
본원 발명의 제 2 관점에 따라서,
테스터와,
피검사체 W를 탑재하고, 해당 피검사체는 그 표면에 복수의 전기 회로 소자가 형성되어 있으며, 각 전기 회로 소자는 그 표면에 복수의 전극을 구비하는 탑재대와,
해당 탑재대의 상부에 배치되고, 해당 프로브 카드는 복수의 프로브를 구비하며, 해당 프로브는 테스터에 접속되어 있는 프로브 카드와,
부하 센서를 구비하고, 해당 부하 센서는 상기 프로브의 선단이 해당 부하 센서 표면에의 접촉 유무를 검출하는 제 1 센서와,
피검사체의 표면의 평균적인 위치를 검출하는 제 2 센서와,
해당 제 1 센서로 검출한 프로브의 선단 위치와, 제 2 센서로 검출한 각 전기 회로 소자의 전극 표면의 위치에 근거하여, 해당 프로브 카드의 프로브와 전기 회로 소자의 전극을 접촉시키고, 상기 접촉을 복수의 전기 회로 소자의 각각에 대하여 순차적으로 실시하는 제어기
를 구비하는, 피검사체의 전기적 특성을 측정하는 프로브 장치가 제공된다.
본원 발명의 제 3 관점에 따라서,
피검사체 상에 형성된 복수의 전자 회로 소자의 전기적 특성을 측정하기 위한 측정 수단과,
피검사체를 탑재하고, 해당 피검사체는 그 표면에 복수의 전기 회로 소자가형성되어 있으며, 각 전기 회로 소자는 그 표면에 복수의 전극을 구비하는 탑재 수단과,
복수의 프로브를 구비하고, 해당 프로브는 해당 측정 수단에 접속되어 있는 프로브 카드와,
상기 프로브의 선단 위치를 검출하기 위한 제 1 검출 수단과,
각각의 전기 회로 소자의 표면 위치를 검출하기 위한 제 2 검출 수단과,
해당 제 1 센서로 검출한 프로브의 선단 위치와, 제 2 센서로 검출한 각 전기 회로 소자의 표면 위치에 근거하여, 해당 프로브 카드의 프로브와 전기 회로 소자의 전극을 접촉시키고, 상기 접촉을 복수의 전기 회로 소자의 각각에 대하여 순차적으로 실시하는 제어 수단
을 구비하는, 피검사체의 전기적 특성을 측정하는 프로브 장치가 제공된다.
본원 발명의 제 4 관점에 따라서, 프로브를 갖는 프로브 장치를 사용하여, 탑재대에 탑재된 피검사체 W 상에 형성된 복수의 전자 회로 소자의 전기적 특성을 검사하는 프로브 방법이 제공된다. 해당 프로브 방법은
(a) 제 1 촬상 기구에 의해, 적어도 하나의 프로브의 위치를 검출하는 공정,
(b) 제 1 촬상 기구의 초점과, 해당 전자 회로 소자의 표면의 위치를 검출하기 위한 제 2 촬상 기구의 초점을 일치시키는 공정,
(c) 탑재대의 표면의 위치를 검출하는 공정,
(d) 탑재대에 피검사체를 탑재하는 공정,
(e) 프로브와, 피검사체 상에 형성된 전자 회로 소자의 전극 표면의 위치를맞추는 공정으로,
(e1) 해당 전자 회로 소자 중 적어도 하나의 소정 영역에 광을 조사하는 공정,
(e2) 해당 소정 영역으로부터의 반사광을 초점 검출 광학계에 취출하는 공정,
(e3) 해당 초점 검출 광학계의 안에서 해당 반사광을 제 1 광과 제 2 광과 동공 분할하는 공정,
(e4) 제 1 광과 제 2 광의 광량 분포에 근거하여, 해당 전자 회로 소자의 표면의 디포커스량을 구하는 공정,
(e5) 해당 포커스량에 근거하여 탑재대를 이동시키는 것에 의해, 제 2 촬상 기구의 초점과 피검사체의 전극 표면을 일치시키는 공정
을 포함하는 공정,
(f) 해당 프로브와 피검사체의 전극을 접촉시키는 공정
을 포함한다.
제 5 관점에 따라서, 프로브 장치를 사용하여 피검사체 상에 형성된 복수의 전자 회로 소자의 전기적 특성을 측정하는 방법이 제공된다. 해당 방법은
(a) 프로브 카드에 마련된 복수의 프로브 중의 적어도 하나의 프로브의 위치를 검출하는 공정,
(b) 제 1 촬상 기구의 초점과, 해당 전자 회로 소자의 표면의 위치를 검출하기 위한 제 2 촬상 기구의 초점을 일치시키는 공정,
(c) 탑재대에 탑재된 피검사체의 표면에 형성된 각각의 전기 회로 소자 표면 위치를 검출하는 공정,
(d) 피검사체를 탑재대에 탑재하고, 해당 피검사체 상에 형성된 복수의 전기 회로 소자의 각각은 그 표면에 복수의 전극을 구비하는 공정,
(e) 검출된 상기 프로브의 위치와 상기 전극의 위치에 근거하여, 상기 복수의 프로브와, 하나의 전기 회로 소자의 소정의 전극을 접촉시키는 공정
을 포함한다.
본원 발명의 제 6 관점에 따라서, 프로브 장치를 사용하여 피검사체 상에 형성된 복수의 전자 회로 소자의 전기적 특성을 측정하는 방법이 제공된다. 해당 방법은
(a) 프로브 카드에 마련된 복수의 프로브 중의 적어도 하나의 프로브의 위치를 검출하는 공정,
(b) 제 1 촬상 기구의 초점과, 해당 전자 회로 소자의 표면의 위치를 검출하기 위한 제 2 촬상 기구의 초점을 일치시키는 공정,
(c) 탑재대에 탑재된 피검사체의 표면에 형성된 각각의 전기 회로 소자의 표면 위치를 검출하는 공정,
(d) 피검사체를 탑재대에 탑재하는 공정, 해당 피검사체 상에 형성된 복수의 전기 회로 소자의 각각은 그 표면에 복수의 전극을 구비하는 공정,
(e) 검출된 상기 프로브의 위치와 상기 전기 회로 소자의 표면 위치에 근거하여, 상기 복수의 프로브와, 하나의 전기 회로 소자의 소정 전극을 접촉시키는 공정
을 포함한다.
본 발명은, 반도체 웨이퍼 상에 형성된 집적 회로나, 액정 표시 관계의 전자 회로 등, 여러 가지의 전자 회로 소자를 대상으로 삼는 프로브 방법 및 프로브 장치에 관한 것이다. 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해서, 이하에서는, 본 발명이 반도체 웨이퍼 상에 형성된 복수의 집적 회로(칩)의 전기적 특성을 측정하기 위한 프로브 방법 및 프로브 장치에 적용된 경우를 사용하여, 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 1 내지 도 8에 본 발명의 실시예가 도시되어 있다. 본 발명의 프로브 장치의 실시예는 이하에 설명하는 점을 제외하고, 종래의 프로브 장치에 준하여 구성되어 있다. 그래서, 본 실시예가 프로브 장치의 특징 부분을 중심으로 설명된다. 본 실시예의 프로브 장치(10)는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 프로브(8A)를 촬상하는 제 1 센서(촬상 기구)(12)와, 메인척(11) 상의 피검사체(예컨대, 웨이퍼) W를 촬상하는 제 2 센서(촬상 기구)(7G)와, 제 1 촬상 기구(12) 및 제 2 촬상 기구(7G)로부터의 정보에 근거하여 메인척(11)을 구동 제어하는 제어기(14)를 구비한다. 제 1 촬상 기구(12)는 X, Y, Z 방향으로 이동 가능한 탑재대(메인척)(11)에 부설될 수 있다. 제 2 촬상 기구(7G)는 메인척(11)의 위쪽에 이동 가능하게 마련될 수 있다.
제어기(14)의 제어 하에, 웨이퍼 W 상에 형성된 복수의 집적 회로(칩)의 전극과 프로브가 접촉된 상태에서, 테스터 TS가 테스트헤드 T와 프로브 카드(8)를 거쳐서 웨이퍼 W 상에 형성된 각각의 칩의 전기적 특성을 측정한다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 프로브 장치(10)는 제 3 촬상 기구(15)를 더 구비한다. 웨이퍼 W 상에 형성된 복수의 칩의 표면 높이가 검출될 때에, 제 3 촬상 기구(15)는 웨이퍼 W의 전체 이미지를 촬영한다. 제 2 촬상 기구(7G)는 웨이퍼 W의 일부를 확대하여 촬영한다. 제 2, 제 3 촬상 기구(7G, 15)의 각각은, 광 조사 기구(131, 151)를 구비한다. 광 조사 기구(131, 151)로부터의 광에 의해 메인척(11)의 표면을 촬상한다. 즉, 제 2 촬상 기구(13)는 웨이퍼 W의 표면을 마이크로 시야로 촬상하고, 제 3 촬상 기구(15)는 웨이퍼 W의 표면을 매크로 시야로 촬상한다.
제 2 촬상 기구(13)는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 대물 렌즈(132), 제 1 하프미러(133), 제 2 대물 렌즈(134), 제 2 하프미러(135), 제 1 시야 제한 부재(136), 릴레이 렌즈(137, 138) 및 CCD(139)를 구비한다. 광 조사 수단(131)은 할 로겐 램프 등의 광원(131A), 콘덴서 렌즈(131B), 제 2 시야 제한 부재(131C) 및 릴레이 렌즈(131D)를 갖고 있다. 제 2 촬상 기구(13)가 웨이퍼 W의 표면을 촬상할 때에는, 광 조사 수단(131)의 광원(131A)으로부터의 조사광은 콘덴서 렌즈(131B)에서 집광되어, 제 2 시야 제한 부재(131C) 및 릴레이 렌즈(131D)를 통해, 제 1 하프미러(133)로 웨이퍼 W에 방향 변환되고, 대물 렌즈(132)를 통해, 메인척(11) 상의 웨이퍼 W의 표면에 조사된다. 이 과정에서, 해당 조사광은, 웨이퍼 W 상의 제 1 시야 제한 부재(131C)에서 제한된 영역을 조명한다. 웨이퍼 W로부터의 반사광은, 대물 렌즈(132), 제 1 하프미러(133), 제 2 대물 렌즈(134)를 통해, 제 2 하프미러(135)에서 방향 변환되어, 제 3 시야 제한 부재(136), 릴레이 렌즈(137, 138)를 통해 CCD(139) 상에 도달한다.
제 3 시야 제한 부재(136)의 중앙에는, 예컨대 도 3a에 도시하는 바와 같이, 투과부(136A)가 형성될 수 있다. 이 투과부(136A)의 크기는, 예컨대 웨이퍼 W 상에 형성된 칩의 하나의 전극 패드 P보다 약간 넓은 영역으로부터의 반사광만을 투과하는 크기로 할 수 있다. 제 1 시야 제한 부재(131C)의 중앙에는, 도 3b에 도시하는 바와 같이, 제 3 시야 제한 부재(136)의 투과부(136A)에 상당하는 제 1 투과부(131E)가 형성될 수 있다. 또한, 제 1 시야 제한 부재(131C)에는, 제 1 투과부(131E)를 사이에 두고 배치된 한 쌍의 제 2 투과부(131F, 131F)가 형성될 수 있다. 광 조사 수단(131)으로부터의 조사광은, 도 4에 도시하는 바와 같이, 제 2 시야 제한 부재(131C)의 제 1 투과부에 대응하는 직사각형 이미지(131E')와, 제 2 투과부(131F)에 대응하는 직사각형 이미지(131F')를 웨이퍼 W 표면 상에 형성한다. 이 반사광은 제 2 촬상 기구(13)의 제 3 시야 제한 부재(136)로 더 제한되는 것에 의해, 전극 패드 P만의 이미지가 CCD(139)에 의해서 촬상된다.
프로브 장치(10)는 제 2 촬상 기구(13)의 초점을 오토포커스하기 위한 초점 검출 장치(16)를 구비하고 있다. 이 초점 검출 장치(16)에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 제 2 촬상 기구(13)의 제 2 하프미러(135)에 의해 웨이퍼 W 표면으로부터의 반사광이 입사한다. 초점 검출 장치(16)는, 이 반사광에 근거하여, 웨이퍼 W 표면의 제 2 촬상 기구(13)의 초점으로부터의 편차량(디포커스량)을 검출한다. 초점 검출 장치(16)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 제 2 시야 제한 부재(161), 릴레이 렌즈(162), 동공 분할 미러(163) 및 릴레이 렌즈(164, 165) 및 광 센서(166)를 가질 수 있다. 동공 분할에 의해 웨이퍼 W로부터의 반사광은 2분할된다. 이 2분할된 광의 이미지에 근거하여 디포커스량이 검출된다. 제 2 시야 제한 부재(161)는, 도 3c에 도시하는 바와 같이, 제 1 시야 제한 부재(131C)의 제 2 투과부(131F,131F)에 대응하는 투과부(161A, 161A)를 갖고 있다. 웨이퍼 W로부터의 반사광은 제 2 시야 제한 부재(161)의 투과부(161A, 161A)에서 소정의 패턴으로 가공된다. 패턴화된 반사광은 릴레이 렌즈(162)를 통해, 동공 분할 미러(163)를 거쳐서 각각 2분할된다. 광 센서(166)는, 2분할된 반사광에 대응하는 2쌍의 광량 분포를 검출한다. 광 센서(166)에 의해 검출된 각 쌍의 광량 분포간의 거리(예, 중심간의 거리, 피크간의 거리)는, 웨이퍼 W 표면과 대물 렌즈(132) 사이의 거리에 의거하여 변화한다. 광 센서(166)로 검출된 각 쌍의 광량 분포의 거리를 연산함으로써 디포커스량이 검출될 수 있다. 즉, 초점 검출 장치(16)는 제 2 촬상 기구(13)의 촬상 영역의 외측 2개소의 가늘고 긴 직사각형 형상의 영역(131F')(도 3 참조)으로부터의 반사광을 동공 분할함으로써 웨이퍼 W 표면의 제 2 촬상 기구(13)의 초점으로부터의 디포커스량을 자동적으로 검출할 수 있다.
도 5a에 도시하는 바와 같이, 해당 표면으로부터의 반사광이 대물 렌즈(100) 및 릴레이 렌즈(200)를 통해, 동공 분할 프리즘(300)에 의해 2분할되어, CCD(400)에 두개의 이미지가 결상한다. 목표 O의 표면과 대물 렌즈(100)의 초점이 일치하고 있는(핀트가 맞고 있는) 경우에는, 광 센서(500)에서 소정 거리(예, 중심간의 거리, 피크간의 거리)를 막은 두개의 광량 분포(501)가 형성된다. 목표 O의 표면과 CCD는 렌즈(100, 200)의 공역 관계에 있다. 가령, 도 5b에 도시하는 바와 같이, 목표 O의 표면이 대물 렌즈(100)의 초점보다도 전방으로 거리 δ만큼 어긋나 있는 경우, 동공 분할 프리즘(300)에 의해 동공 분할된 상은 CCD(400)의 후방에서 결상한다. 이 때문에, 도 5a의 경우와 비교하여, 광 센서(500)로 얻어지는 두개의광량 분포간의 거리는 작아진다. 이 작아진 거리(디포커스량) ΔL은, 도 5c에 도시하는 바와 같이, ΔL= 2δtanθ이다. 반대로, 목표 O의 표면이 대물 렌즈(100)의 초점의 후방으로 거리 δ만큼 어긋나 있는 경우, 도시되어 있지 않지만, 동공 분할 프리즘(300)에 의해 분할된 이미지는, CCD(400)의 전방에서 결상한다. 이 결과, 광 센서(500)에서 두개의 광량 분포간의 거리는 커진다. 이 커진 디포커스량 ΔL은, 도시되어 있지 않지만 ΔL=-δtanθ이다. 따라서, 한 쌍의 광량 분포간의 거리에 의해서, 웨이퍼 W 표면이 대물 렌즈(100)의 초점에 있는지, 그 전방으로 어긋나 있는지, 그 후방으로 어긋나 있는지를 디포커스량과 함께 검출할 수 있다. 또한, 초점 검출 장치의 광학 부품의 특성과, 동공 분할 후의 광량 분포간의 거리에 근거하여, 목표 O의 초점으로부터의 디포커스량을 자동적으로 산출할 수 있다.
본 실시예에서는, 웨이퍼 W 상의 전극 패드 P의 외측의 2개소에 조사된 광(도 4, 131F')의 반사광은, 제 2 시야 제한 부재(161)의 투과부(161A, 161A)를 통과하여, 동공 분할 미러(163)에서 2분할되어, 광 센서(166) 상에 도달한다. 이 결과, 광 센서(166) 상에는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 두 쌍의 광량 분포 ①-④가 형성된다. 이 광량 분포는 한 쌍의 광량 분포라도 좋다. 광 센서(166)는 검출 신호를 광전 변환한다. 광전 변환된 신호는 A/D 변환(167)을 거쳐서 연산기(168)에 입력된다. 연산기(168)는 입력 신호에 근거하여, 도 5에 표시된 2쌍의 광량 분포간의 거리(예, 중심간의 거리, 피크값간의 거리) A, B를 연산한다. 이것들의 연산값에 근거하여, 2쌍의 광량 분포간의 평균치가 구해진다. 이 평균치에 근거하여, 전극 패드 P 표면과 제 2 촬상 기구(13)의 초점 위치 사이의 디포커스량이 구해진다. 해당 디포커스량은 제어 장치(14)에 출력된다. 제어 장치(14)는 연산기(168)로부터의 연산값에 근거하여 구동 장치(17)를 구동 제어한다. 구동 장치(17)는 메인척(11)을 해당 디포커스량만큼 이동시킨다. 이 결과, 전극 패드 P 표면은 제 2 촬상 기구(13)의 초점에 위치 정렬된다. 이 때의 전극 패드 P의 표면 높이는 제어 장치(14)의 기억 장치에 저장될 수 있다. 그 후, 제 2 촬상 기구(13)는, CCD(139)의 검출 신호를 화상 처리함으로써, 표시 장치(9)(도 1)의 화면에 촬상 화상을 비출 수 있다. 이들 일련의 동작에 의해서 메인척(11) 상의 전극 패드 P의 표면 높이는 자동적으로 검출되고, 저장된다. 그 후, 프로브를 전극 패드 P에 접촉시킨 상태에서, 웨이퍼 W 상에 형성된 칩의 전기적 특성이 측정된다.
다음에, 본 실시예의 프로브 방법이 도 7 및 도 8을 참조하면서 설명된다.
메인척(11)은 제어 장치(14)의 제어 하에 구동 장치(17)에 의해 구동된다. 제 1 촬상 기구(12)가 소정의 4개의 프로브(8A)(도 1)를 촬상함으로써, 각 프로브의 X, Y, Z 위치가 검출된다(단계 S1). 제 1 촬상 기구(하부 카메라)(12)와 제 2 촬상 기구(상부 카메라)(13)의 위치 맞춤이 행해진다(단계 S2). 메인척(11) 표면이나, 메인척(11)에 마련된 부하 센서(로드 셀)(7H)의 표면의 높이가 상술한 동공 분할을 이용한 오토포커스 방법으로 검출된다(단계 S3). 메인척(11)이 상승하여, 로드 셀에 프로브의 선단이 접촉한다(단계 S4). 이 단계 S4에 의해, 검사시에 메인척(11)을 상승해야 할 양이 검출된다. 메인척(11) 상에 웨이퍼 W가 탑재된다(로드)(단계 S5). 다시 상하의 카메라(12, 13)의 위치 맞춤이 행해진다(단계 S6).
그 후, 정렬 기구(7)(도 1)에 의해 프로브와 웨이퍼 W의 위치 맞춤이 행해진다(단계 S7). 웨이퍼 W 상에 형성된 복수의 칩의 표면의 높이가 메모리에 맵핑된다(단계 S8). 메인척(11)을 상승시켜, 웨이퍼 W 상에 형성된 칩의 전극 패드의 각각에 프로브가 전기적으로 접촉된다(단계 S9). 이 상태에서, 웨이퍼 W 상의 각 칩의 전기적 특성이 순서대로 측정된다.
단계 S8에서, 웨이퍼 W 상에 형성된 복수의 칩의 전극 표면의 높이를 맵핑하는 것은, 상술한 동공 분할에 의한 오토포커스 방법을 이용하여, 전부의 칩 또는 그 일부의 칩에 대하여 실시될 수 있다. 이 맵핑은 도 8에 표시된 순서로 실시될 수 있다. 이상의 단계 S1 내지 S8은 그 순서를 적절히 변경하여 실시될 수 있다.
도 8에서, 제어 장치(14) 내의 레지스터에서의 칩 번호 i를 0으로 세트한다(단계 S11). 메인척(11)을 이동시켜, 초기 칩이 대물 렌즈(132)의 바로 아래에 위치된다(단계 S12). 제어 장치(14) 내의 레지스터에서의 전극 패드 P의 번호 j가 1로 세트된다(단계 S13). 소정의 전극 패드 P를 대물 렌즈(132)의 바로 아래로 이동시키는 것에 의해, 도 4에 도시하는 바와 같이, 제 2 촬상 기구(13)의 시야 내에 전극 패드 P(J)가 위치된다(단계 S14). 동공 분할을 구비한 초점 검출 장치(16)를 이용하여, 전극 패드 P(J)의 표면의 높이가 구해진다(단계 S15).
단계 S15에서의 동공 분할에 의한 표면 높이의 검출은 이하의 순서로 실시될 수 있다. 제 2 촬상 기구(13)의 광원(131A)으로부터 관찰용 광이 조사된다. 해당 조사광은 콘덴서 렌즈(131B)에서 집광되어, 제 2 시야 제한 부재(131C)의 제 1, 제 2 투과부(131E, 131F)를 통해 릴레이 렌즈(131D)를 통해, 하프미러(133)에서 광로 변경되고, 대물 렌즈(132)를 통해 웨이퍼 W를 조사한다. 조사 영역은, 제 1, 제 2투과부(131E, 131F)에 의한 제한에 의해, 도 3에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 W 상에 형성된 칩의 전극 패드 P에 대응한다. 해당 조사에 의한 반사광은 대물 렌즈(132), 하프미러(133), 릴레이 렌즈(134)를 통해 하프미러(135)에서 광로 변경되어, 제 1 시야 제한 부재(136)에 의해 제 2 투과부(131F)에 대응하는 반사광이 차단된다. 이 결과, 제 1 투과부(131E)에 대응하는 반사광만이 릴레이 렌즈(137, 138)를 통해 CCD(139)에서 검출된다. 이 단계에서는, 전극 패드 P의 표면은 반드시 제 2 촬상 기구(13)의 초점에 일치하지 않는다.
웨이퍼 W로부터의 반사광의 일부는 하프미러(135)를 투과하여, 초점 검출 장치(16)측으로 입사된다. 이 입사광은, 제 2 시야 제한 부재(161)에서 제한되어, 2개소의 투과부(161A)를 투과한 광속만이 동공 분할 미러(163)에서 2분할된다. 2분할된 광은 릴레이 렌즈(164, 165)를 통해 광 센서(166)에서 검출된다. 광 센서(166)는 2개소의 투과부(161A)에 대응한 2쌍의 광량 분포(501)(도 5, 6 참조)를 검출한다. 이 단계에서, 웨이퍼 W의 전극 패드 P의 표면이 제 2 촬상 기구(13)의 초점의 후방에 있는 경우, 쌍으로 되는 광량 분포간의 거리는 전극 패드 P가 해당 초점의 위치에 있는 경우의 해당 거리보다도 큰 쪽에 어긋나고 있다. 광 센서(166)는 받은 광을 광전 변환하고, 변환된 신호를 A/D 변환기(167)를 거쳐서 연산기(168)에 출력한다. 연산기(168)는 해당 신호에 근거하여 2쌍의 광량 분포간의 거리 A, B(도 6 참조)의 평균치를 계산한다. 이 평균치에 근거하여, 전극 패드 P 표면의 디포커스량이 구해진다. 연산기(168)가 연산 결과를 제어 장치(14)로 출력한다. 제어 장치(14)는, 메인척(11)이 이동되어, 디포커스량이 보정되고, 전극패드 P의 표면이 제 2 촬상 기구(13)의 초점에 위치 정렬되도록, 구동 장치(17)를 구동한다. 이 결과, 전극 패드 P의 오토포커스가 종료하고, 메인척(11)의 Z 위치(즉, 전극 패드 P의 표면의 높이)가 검출된다. 이와 같이, 초점 검출 장치(16)는 전극 패드 P의 표면의 높이에 대한 디포커스 방향 및 디포커스량을 동시에 구할 수 있다. 웨이퍼 W를 초점에 맞추기 위해서, 종래는 메인척(11)을 과잉으로 승강시키고 있었지만, 해당 실시예는, 한번의 전극 패드 P의 상승 조작으로 전극 패드 P의 표면에 오토포커스할 수 있어, 포커스에 필요한 시간을 단축할 수 있다.
상술한 바와 같이 하여, 초점 검출 장치(16)가 전극 패드 P에 대한 오토포커스를 종료하면, 레지스터 j의 값을 증가시킨다(단계 S16). 오토포커스를 한 전극 패드 P의 수가 소정의 수(예, 4)에 도달했는지 여부가 판단된다(단계 S17). 오토포커스한 수가 소정의 수 미만이면, 다시 단계 S14, 단계 S15 및 단계 S16이 실시된다. 단계 S17에서, 오토포커스한 수가 소정의 수에 도달한 경우에는, 소정의 수의 전극 패드 P의 표면 높이가 기억 장치에 저장된다(단계 S18). 레지스터 i의 값을 증가시킨다(단계 S19). 모든 칩 N의 전극 패드 P의 표면 높이가 검출됐는지 여부가 판단된다(단계 S20). 미검출 칩이 있으면, 다시 단계 S12∼단계 S18의 조작이 반복된다. 모든 칩의 표면 높이가 맵핑되면, 웨이퍼 W의 맵핑 동작이 종료한다. 이상의 단계 S11-S20은 그 순서를 적절히 변경하여 실시될 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예는, 웨이퍼 W의 프로브 검사에 있어서, 웨이퍼 W 상에 형성된 복수의 칩의 표면 높이를 검출하기 위해서, 동공 분할에 의한 오토포커스를 이용한다. 이 결과, 메인척(11)을 디포커스량에 적당한 만큼 상승또는 하강시키는 것만으로 전극 패드 P의 표면 높이가 검출되어, 종래와 비교하여 오토포커스 시간이 각별히 단축되고, 검사의 스루풋이 높아진다.
웨이퍼 W 상에 형성된 모든 칩의 표면의 높이가 검출되기 때문에, 칩 단위의 요철에 근거하여 메인척(11)이 조작될 수 있어, 칩마다 안정한 침압을 얻을 수 있어, 신뢰성이 높은 검사가 행해질 수 있다.
상기 실시예는, 웨이퍼 W의 모든 칩에 대하여 표면 높이를 검출한다. 그러나, 필요에 따라 소정 개수의 칩의 표면 높이를 검출해도 무방하다. 피검사체는 웨이퍼에 제한되지 않는다.
본 발명의 실시예는, 피검사체에 형성된 각각의 전자 회로 소자의 표면 높이가 신속히 검출되어, 스루풋이 높아지고, 안정한 침압으로 신뢰성이 높은 검사가 행해지는 프로브 방법 및 프로브 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 프로브법에서의 각 공정은 그 순서를 적절히 변경하여 실시될 수 있다.

Claims (27)

  1. 피검사체 W의 전기적 특성을 측정하는 프로브 장치로서,
    테스터와,
    피검사체를 탑재하고, 해당 피검사체는 그 표면에 복수의 전기 회로 소자가 형성되어 있으며, 각 전기 회로 소자는 그 표면에 복수의 전극을 구비하는 탑재대와,
    해당 탑재대의 상부에 배치되고, 복수의 프로브를 구비하며, 해당 프로브는 해당 테스터에 접속되어 있는 프로브 카드와,
    상기 프로브의 선단 위치를 검출하는 제 1 센서와,
    각각의 전기 회로 소자의 표면 위치를 검출하는 제 2 센서와,
    해당 제 1 센서로 검출한 프로브의 선단 위치와, 제 2 센서로 검출한 각 전기 회로 소자의 표면 위치에 근거하여, 해당 프로브 카드의 프로브와 전기 회로 소자의 전극을 접촉시키고, 상기 접촉을 복수의 전기 회로 소자의 각각에 대하여 순차적으로 실시하는 제어기
    를 구비하는 프로브 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 센서가 검지하는 각각의 전기 회로 소자의 표면 위치는, 각각의전기 회로 소자의 상기 복수의 전극 표면의 평균적인 위치인 프로브 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 센서는 부하 센서를 구비하고, 상기 부하 센서는 상기 프로브에 의한 해당 센서 표면에의 접촉 유무를 검출하는 프로브 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 센서는,
    광 조사 기구를 구비하고, 해당 광 조사 기구는 광원을 구비하며, 해당 제 2 광 조사 기구는 피검사체 상에 형성된 전자 회로 소자의 전극 표면을 촬영하는 제 2 촬상 기구와,
    해당 제 2 촬상 기구의 초점을 해당 피검사체 상에 형성된 전기 회로 소자의 상기 복수의 전극 표면에 일치시키기 위해서, 상기 전극 표면으로부터의 반사광을 동공 분할하고, 분할된 광량 분포에 근거하여 상기 전극 표면의 디포커스량을 구하는 동공 센서
    를 구비하는 프로브 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 센서는 피검사체의 전체 이미지를 촬영하는 제 3 촬상 기구를 더 구비하는 프로브 장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 센서는, 각각의 전기 회로 소자의 상기 복수의 전극 표면의 평균적인 위치를 검출하기 위해서, 각 전기 회로 소자의 3개소의 전극 위치를 검출하는 프로브 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 동공 센서는,
    해당 광원과 상기 전극 사이에 마련되고, 또한 소정 형상의 광투과부에 의해 조사광을 소정 영역에 제한하는 제 1 시야 제한 부재와,
    해당 소정 영역에 제한된 조사광이 해당 전극에 조사되고, 그 결과, 해당 전극으로부터 반사된 반사광을 제 1 광속, 제 2 광속으로 동공 분할하는 동공 분할 부재와,
    해당 동공 분할 수단으로부터의 제 1 광속, 제 2 광속의 각각의 광량 분포를얻는 수광 부재와,
    제 1 광속, 제 2 광속의 광량 분포에 근거하여, 해당 전극 표면의 디포커스량을 연산하는 연산기
    를 구비하는 프로브 장치.
  8. 제 4 항에 있어서,
    제어기는,
    상기 동공 센서로부터의 전극 표면의 위치 정보에 근거하여, 소정 위치로부터의 디포커스량을 구하는 연산기와,
    해당 연산기에 의한 연산 결과에 근거하여, 해당 탑재대를 이동시켜 상기 제 2 촬상 기구의 초점을 상기 전극 표면에 맞추는 탑재대 구동 장치
    를 구비하는 프로브 장치.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 동공 분할 부재는 동공 분할 렌즈, 동공 분할 프리즘 및 동공 분할 미러 중 하나인 프로브 장치.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 동공 센서는 해당 전극으로부터의 반사광을 제한하는 제 2 시야 제한 부재를 더 구비하는 프로브 장치.
  11. 피검사체의 전기적 특성을 측정하는 프로브 장치로서,
    테스터와,
    피검사체 W를 탑재하고, 해당 피검사체는 그 표면에 복수의 전기 회로 소자가 형성되어 있으며, 각 전기 회로 소자는 그 표면에 복수의 전극을 구비하는 탑재대와,
    해당 탑재대의 상부에 배치되고, 복수의 프로브를 구비하며, 해당 프로브는 테스터에 접속되어 있는 프로브 카드와,
    부하 센서를 구비하고, 해당 부하 센서는 상기 프로브의 선단이 해당 부하 센서 표면에의 접촉 유무를 검출하는 제 1 센서와,
    피검사체의 표면의 평균적인 위치를 검출하는 제 2 센서와,
    해당 제 1 센서로 검출한 프로브의 선단 위치와, 제 2 센서로 검출한 각 전기 회로 소자의 전극 표면의 위치에 근거하여, 해당 프로브 카드의 프로브와 전기 회로 소자의 전극을 접촉시키고, 상기 접촉을 복수의 전기 회로 소자의 각각에 대하여 순차적으로 실시하는 제어기
    를 구비하는 프로브 장치.
  12. 피검사체의 전기적 특성을 측정하는 프로브 장치로서,
    피검사체 상에 형성된 복수의 전자 회로 소자의 전기적 특성을 측정하기 위한 측정 수단과,
    피검사체를 탑재하고, 해당 피검사체는 그 표면에 복수의 전기 회로 소자가 형성되어 있으며, 각 전기 회로 소자는 그 표면에 복수의 전극을 구비하는 탑재 수단과,
    복수의 프로브를 구비하고, 해당 프로브는 해당 측정 수단에 접속되어 있는 프로브 카드와,
    상기 프로브의 선단 위치를 검출하기 위한 제 1 검출 수단과,
    각각의 전기 회로 소자의 표면 위치를 검출하기 위한 제 2 검출 수단과,
    해당 제 1 센서로 검출한 프로브의 선단 위치와, 제 2 센서로 검출한 각 전기 회로 소자의 표면 위치에 근거하여, 해당 프로브 카드의 프로브와 전기 회로 소자의 전극을 접촉시키고, 상기 접촉을 복수의 전기 회로 소자의 각각에 대하여 순차적으로 실시하는 제어 수단
    을 구비하는 프로브 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 검출 수단은 각각의 전기 회로 소자의 상기 복수의 전극 표면의 평균적인 위치를 검출하는 프로브 장치.
  14. 프로브를 갖는 프로브 장치를 사용하여, 탑재대에 탑재된 피검사체 상에 형성된 복수의 전자 회로 소자의 전기적 특성을 검사하는 프로브 방법으로서,
    (a) 제 1 촬상 기구에 의해, 적어도 하나의 프로브의 위치를 검출하는 공정,
    (b) 제 1 촬상 기구의 초점과, 해당 전자 회로 소자의 표면의 위치를 검출하기 위한 제 2 촬상 기구의 초점을 일치시키는 공정,
    (c) 탑재대의 표면의 위치를 검출하는 공정,
    (d) 탑재대에 피검사체를 탑재하는 공정,
    (e) 프로브와, 피검사체 상에 형성된 전자 회로 소자의 전극 표면의 위치를 맞추는 공정으로,
    (e1) 해당 전자 회로 소자 중 적어도 하나의 소정 영역에 광을 조사하는 공정,
    (e2) 해당 소정 영역으로부터의 반사광을 초점 검출 광학계에 취출하는 공정,
    (e3) 해당 초점 검출 광학계의 안에서 해당 반사광을 제 1 광과 제 2광으로 동공 분할하는 공정,
    (e4) 제 1 광과 제 2 광의 광량 분포에 근거하여, 해당 전자 회로 소자의 표면의 디포커스량을 구하는 공정,
    (e5) 해당 포커스량에 근거하여, 탑재대를 이동시키는 것에 의해 제 2 촬상 기구의 초점과 피검사체의 전극 표면을 일치시키는 공정
    을 포함하는 공정,
    (f) 해당 프로브와 피검사체의 전극을 접촉시키는 공정
    을 포함하는 프로브 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    해당 탑재대의 표면의 위치를 검출하는 상기 공정 (c)는 탑재대에 부설된 부하 센서의 표면 위치를 검출함으로써 실시되는 프로브 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 공정 (d) 및 공정 (e)의 사이에, 다시 공정 (b)가 실시되는 프로브 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    해당 전자 회로 소자의 표면의 디포커스량을 구하는 공정 (e4)에 의해 얻어진 디포커스량을, 기억 장치에 맵핑하는 공정을 더 갖는 프로브 방법.
  18. 프로브 장치를 사용하여 피검사체 상에 형성된 복수의 전자 회로 소자의 전기적 특성을 측정하는 프로브 방법으로서,
    (a) 프로브 카드에 마련된 복수의 프로브 중의 적어도 하나의 프로브의 위치를 검출하는 공정,
    (b) 제 1 촬상 기구의 초점과, 해당 전자 회로 소자의 표면의 위치를 검출하기 위한 제 2 촬상 기구의 초점을 일치시키는 공정,
    (c) 탑재대에 탑재된 피검사체의 표면에 형성된 각각의 전기 회로 소자 표면 위치를 검출하는 공정,
    (d) 피검사체를 탑재대에 탑재하고, 해당 피검사체 상에 형성된 복수의 전기 회로 소자의 각각은 그 표면에 복수의 전극을 구비하는 공정,
    (e) 검출된 상기 프로브의 위치와 상기 전극의 위치에 근거하여, 상기 복수의 프로브와, 하나의 전기 회로 소자의 소정의 전극을 접촉시키는 공정
    을 포함하는 프로브 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 공정 (c)에서 검출되는 각각의 전기 회로 소자의 표면 위치는, 각각의 전기 회로 소자에서의 상기 복수의 전극 표면의 평균적인 위치인 프로브 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 복수의 전극 표면의 평균적인 위치를 검출하는 공정 (c)는, 상기 전극의 표면으로부터의 반사광을 동공 분할하고, 분할된 광량 분포에 근거하여 상기 전극 표면의 디포커스량을 검출하는 동공 센서를 사용하여 실시되는 프로브 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 복수의 전극 표면의 평균적인 위치를 검출하는 공정 (c)는, 하나의 전기 회로 소자에 대하여 3개의 전극에 대하여 실시되는 프로브 방법.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 프로브의 위치를 검출하는 공정 (a)는, 해당 탑재대에 고정된 부하 센서를 사용하여 실시되는 공정을 구비하는 프로브 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 부하 센서는 탑재대에 고정되어 있는 프로브 방법.
  24. 제 20 항에 있어서,
    상기 동공 센서를 사용하여 실시되는 검출 공정은,
    (a1) 해당 탑재대에 탑재된 해당 피검사체 상의 적어도 하나의 전기 회로 소자의 하나의 전극 표면의 소정 영역에 광을 조사하는 공정,
    (a2) 해당 소정 영역으로부터 반사된 반사광을 동공 분할하여 제 1, 제 2 광으로 분할하는 공정,
    (a3) 광 센서에 의해 제 1, 제 2 광 각각의 광량 분포를 얻는 공정,
    (a4) 제 1, 제 2 광의 광량 분포에 근거하여, 상기 하나의 전극 표면의 디포커스량을 구하는 공정,
    (a5) 이상의 공정을 반복하는 것에 의해, 상기 피검사체의 표면에 형성된 각각의 전기 회로 소자에서의 상기 복수의 전극 표면의 평균적인 디포커스량을 검출하는 공정
    을 포함하는 프로브 방법.
  25. 프로브 장치를 사용하여 피검사체 상에 형성된 복수의 전자 회로 소자의 전기적 특성을 측정하는 방법으로서,
    (a) 프로브 카드에 마련된 복수의 프로브 중의 적어도 하나의 프로브의 위치를 검출하는 공정,
    (b) 제 1 촬상 기구의 초점과, 해당 전자 회로 소자의 표면 위치를 검출하기 위한 제 2 촬상 기구의 초점을 일치시키는 공정,
    (c) 탑재대에 탑재된 피검사체의 표면에 형성된 각각의 전기 회로 소자의 표면 위치를 검출하는 공정,
    (d) 피검사체를 탑재대에 탑재하고, 해당 피검사체 상에 형성된 복수의 전기 회로 소자의 각각은 그 표면에 복수의 전극을 구비하는 공정,
    (e) 검출된 상기 프로브의 위치와 상기 전기 회로 소자의 표면 위치에 근거하여, 상기 복수의 프로브와, 하나의 전기 회로 소자의 소정 전극을 접촉시키는 공정
    을 포함하는 프로브 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 공정 (c)에서, 검출하는 각각의 전기 회로 소자의 표면 위치는, 상기 각각의 전기 회로 소자에서의 상기 복수의 전극 표면의 평균적인 위치인 프로브 방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 복수의 전극 표면의 평균적인 위치를 검출하는 공정 (c)는, 상기 전극의 표면으로부터의 반사광을 동공 분할하고, 분할된 광량 분포에 근거하여 상기 전극 표면의 디포커스량을 검출하는 동공 센서를 사용하여 실시되는 프로브 방법.
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