KR20030038021A - 반도체 제조 설비의 카세트 테이블 - Google Patents

반도체 제조 설비의 카세트 테이블 Download PDF

Info

Publication number
KR20030038021A
KR20030038021A KR1020010069426A KR20010069426A KR20030038021A KR 20030038021 A KR20030038021 A KR 20030038021A KR 1020010069426 A KR1020010069426 A KR 1020010069426A KR 20010069426 A KR20010069426 A KR 20010069426A KR 20030038021 A KR20030038021 A KR 20030038021A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cassette
top plate
wafer
static electricity
support
Prior art date
Application number
KR1020010069426A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100481307B1 (ko
Inventor
함동석
이건형
김혁기
박경호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR10-2001-0069426A priority Critical patent/KR100481307B1/ko
Priority to US10/265,693 priority patent/US6679194B2/en
Priority to JP2002322932A priority patent/JP2003282672A/ja
Publication of KR20030038021A publication Critical patent/KR20030038021A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100481307B1 publication Critical patent/KR100481307B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67396—Closed carriers characterised by the presence of antistatic elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775—Docking arrangements
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/14—Wafer cassette transporting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조 설비에서 웨이퍼를 담은 카세트가 놓여지는 카세트 테이블(cassette table)에 관한 것이다. 본 발명의 카세트 테이블은 탑 플레이트(top plate)와 상기 탑 플레이트 상에 설치되고, 웨이퍼를 담은 상기 카세트(cassette)를 지지하는 카세트 지지부 및 상기 카세트에 대전된 정전기를 방출하기 위한 방전 수단을 구비한다.

Description

반도체 제조 설비의 카세트 테이블{CASSETTE TABLE FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION APPARATUS}
본 발명은 반도체 제조 설비에서 웨이퍼를 담은 카세트가 놓여지는 카세트 테이블에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 설비 중에서 스피너(spinner) 장비와 스크러버 (scrubber) 장비는 공정 진행 중 웨이퍼를 고속으로 회전시킨다. 고속 회전으로 인하여 상기 웨이퍼는 공기나 초 순수물(DI water)등과 마찰이되고, 이로 인해 웨이퍼에 정전기가 발생된다. 상기 정전기가 대전된 웨이퍼는 파티클을 끌어당기는 힘이 증가되고, 웨이퍼 핸들링(handling) 시 아크(arc)가 발생하여 공정 불량을 유발한다. 특히, 웨이퍼 사이즈(size)의 대구경화로 상기 정전기에 의한 영향성은 더욱 크게 작용한다.
도 1은 부도체 재질의 카세트 지지부를 갖는 종래의 카세트 테이블을 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 스피너 장비나 스크러버 장비는 도포 및 세정 공정 위하여 공정 챔버 내에서 웨이퍼를 고속으로 회전시킨다. 상기 웨이퍼는 고속 회전에 의해 정전기가 대전되며, 정전기가 대전된 상태에서 이송이 이루어진다. 그리고, 공정이 완료된 웨이퍼를 이송하는 이송 장치(미 도시된) 및 지지핀(미 도시된)들은 웨이퍼의 스크래치(scratch) 방지를 위하여 웨이퍼와 맞닿는 부위가 우레탄이나 부도체 성질의 부드러운 재질로 되어 있다. 따라서, 공정 중에 웨이퍼에 대전된 정전기는 설비 접지가 되어 있는 상기 이송 장치 및 지지핀들을 통해 방출 되지 못한다. 정전기가 대전된 웨이퍼는 정전기의 방출 없이 카세트 테이블(10) 상의 카세트(20)에 적재된다. 그리고, 웨이퍼가 상기 카세트(20)에 1매씩 적재될 때마다 카세트(20)에 대전되는 정전기의 양은 점점 증가한다. 상기 카세트(20)는 정전 분산(static dissipative) 재질로 되어 있어서 접지(earth)가 되어 있는 도체로 정전기를 서서히 방출할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 카세트(20)에 대전된 정전기는 상기 카세트 테이블(10)을 통하여 지면으로 방출이 이루어져야만 한다. 그러나, 상기 전도성 재질의 카세트(20)가 놓여지는 카세트 테이블(10)은 전도성 재질의 탑 플레이트(12)와 부전도성 재질의 카세트 지지부(14)로 구성되어 있다. 상기 카세트 지지부(14)는 카세트가 정해진 위치에 놓이도록 안내하여 주는 적어도 하나의 가이드 블록(18)들과 카세트가 놓이는 적어도 하나의 패드(16)들로 이루어진다. 상기 카세트 지지부(14)가 부전도성 재질로 되어 있어서 카세트(20)에 대전된 정전기는 지면과 접지가 되어 있는 탑 플레이트(12)를 통하여 지면으로 방출되지 못하였다.
상기 카세트 지지부(14)인 가이드 블록(18)들과 패드(16)들은 반도체 제조 설비의 카세트 테이블(10)에 있어서 필수적이다. 상기 가이드 블록(18)들은 카세트(20)가 놓이는 위치를 정확하게 안내하고, 놓여진 카세트(20)의 유동을 방지하는 역할을 한다. 그리고, 상기 패드(16)들은 상기 카세트 테이블의 탑 플레이트 상에 놓이는 상기 카세트의 충격을 완화시켜 주는 역할을 한다.
또한, 상기 가이드 블록(18)들과 패드(16)들은 연한(soft) 재질로 이루어져야 한다. 예를 들어, 부전도성 테프론(teflon) 재질로 이루어질 수 있다. 이렇게 함으로써, 카세트 테이블(10)의 카세트 지지부(14) 상에 놓이는 카세트(20)의 충격을 완화시켜줄 수 있고, 상기 카세트(20)와 상기 카세트 지지부(14)와의 마찰로 인한 상기 카세트의 마모와 스크래치를 줄일 수 있다. 상기 카세트 지지부(14)가 연한(soft) 성질을 갖는 재질이 아닌 도전성 재질의 딱딱한 재질로 이루어질 경우 카세트(20)에 대전된 정전기를 상기 전도성 재질의 탑 플레이트(12)로 방출하기는 용이하나, 상기 카세트(20)와 상기 카세트 지지부(14)의 마찰로 인한 카세트(20)의 마모와 스크래치가 발생한다. 상기 카세트(20)의 마모와 스크래치로 인하여파티클(particle)이 발생하며, 상기 카세트 지지부(14) 상에 놓이는 카세트(20)의 위치가 틀어진다. 이렇게 상기 카세트 (20)의 마모와 스크래치로 인하여 상기 카세트 지지부(14) 상에 놓이는 카세트(20)의 위치가 틀어질 경우, 카세트(20) 내의 웨이퍼를 이송 장치가 인출 시 상기 이송 장치의 블레이드와 웨이퍼가 충돌하는 문제점이 발생한다.
결론적으로, 종래의 상기 카세트 지지부(14)는 상기 카세트 지지부(14)에 놓이는 카세트(20)의 충격을 완화하고, 상기 카세트 지지부(14)와 상기 카세트(20)의 마찰로 인한 상기 카세트(20)의 마모와 스크래치를 방지하기 위하여 부전도성 테프론 재질로 되어 있다.
도 2는 정전기로 인하여 웨이퍼 상에 파티클이 부착된 것을 보여주는 도면이고, 도 3은 정전기로 인한 아크(arc) 발생으로 웨이퍼의 메탈 라인(metal line)이 손상된 모습을 보여주는 도면이다.
도 2a에 도시된 정전기의 방출이 이루어진 웨이퍼에 비해 도 2b에 도시된 정전기가 대전된 웨이퍼는 정전기에 의하여 상기 웨이퍼 상에 부착되는 파티클 수가 현저히 증가된다. 이러한 현상은 웨이퍼가 대구경화로 되면서 더욱 증가한다. 또한, 상기 정전기가 대전된 웨이퍼를 핸들링 시 아크가 발생하여 도 3에 도시된 바와 같이 웨이퍼의 메탈 라인(metal line)이 손상된다. 상기 메탈 라인이 손상된 부분(a)을 갖는 웨이퍼는 공정에서 불량으로 폐기(reject)되며, 이로 인해 웨이퍼의 수율(yield)이 저하되는 문제점이 발생한다.
상기한 종래 카세트 테이블의 카세트 지지부는 부전도성 재질로 되어 있어서웨이퍼에 대전된 정전기는 카세트와 카세트 테이블의 탑 플레이트를 통하여 지면으로 방출되지 못하고, 웨이퍼와 카세트에 차지(charge)된다. 따라서, 웨이퍼 핸들링 시 아크가 발생하고, 웨이퍼에 파티클이 부착되는 문제점이 발생하였다. 또한, 카세트에 대전된 정전기는 반도체 제조 설비에서 전기적 간섭을 유발한다. 이로 인해, 반도체 제조 설비는 상기 전기적 간섭으로 인하여 오작동을 하는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 카세트에 대전된 정전기를 방출할 수 있는 반도체 제조 설비의 카세트 테이블을 제공하는데 있다.
도 1은 부도체 재질의 카세트 지지부를 갖는 종래의 카세트 테이블을 보여주는 도면이다.
도 2는 정전기로 인하여 웨이퍼 상에 파티클(particle)이 부착된 것을 보여주는 도면이다.
도 3은 정전기로 인한 아크(arc) 발생으로 웨이퍼의 메탈 라인(metal line)이 손상된 모습을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 카세트 테이블을 보여주는 도면이다.
도 6a 및 6b는 카세트 테이블 상에 설치되는 카세트 지지부의 여러 형태를 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전도성 재질의 커버를 부착한 패드의 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10,200 : 카세트 테이블(cassette table)
12,210 : 탑 플레이트(top plate)
14,220 : 카세트 지지부
18,222 : 가이드 블록(guide block)
16,224 : 패드(pad)
20,120 : 카세트(cassette)
130 : 제 1이송 장치
140 : 지지핀
150 : 제 2이송 장치
160 : 공정 챔버
170 : 접지 라인(earth line)
180 : 커버(cover)
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 제조 설비의 카세트 테이블은 탑 플레이트와 상기 탑 플레이트 상에 설치되고, 상기 카세트를 지지하는 카세트 지지부 및 상기 카세트에 대전된 정전기를 방출하기 위한 방전 수단으로 구성된다.
이와 같은 본 발명에서, 상기 카세트 지지부는 상기 탑 플레이트 상의 정해진 위치에 상기 카세트가 놓이도록 안내하여 주는 적어도 하나의 부전도성 가이드 블록들과 상기 카세트가 놓이는 적어도 하나의 부전도성 패드들로 구성되고, 상기 방전 수단은 상기 가이드 블록들과 상기 패드들 중 적어도 어느 하나에 설치된다.
이와 같은 본 발명에서, 상기 탑 플레이트는 접지되고, 상기 방전 수단은 상기 카세트와 탑 플레이트를 전기적으로 연결하여 준다. 또한, 상기 방전 수단은 상기 부전도성 가이드 블록들과 상기 부전도성 패드들 중 적어도 어느 하나에 덮어 씌워지는 전도성 커버이며, 상기 전도성 커버는 상기 카세트와 상기 탑 플레이트를 전기적으로 연결하여 준다.
이와 같은 본 발명에서, 상기 탑 플레이트는 접지되고, 상기 카세트 지지부와 상기 방전 수단은 서로 결합되며, 상기 카세트 지지부와 상기 방전 수단은 폴리-에테르-에테르-케톤(poly ether ether ketone;PEEK) 70%와 탄소 섬유(carbon fiber) 30%로 이루어진다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 반도체 제조 설비의 카세트 테이블은 접지되는 탑 플레이트와 카세트를 지지하고, 상기 탑 플레이트로 상기 카세트에 대전된 정전기를 방출하기 위하여 상기 탑 플레이트 상에 설치되는 연한(soft) 카세트 지지부로 구성된다.
이와 같은 본 발명에서, 상기 카세트 지지부는 전도성 재질로 이루어지며, 상기 전도성 재질은 폴리-에테르-에테르-케톤(poly ether ether ketone;PEEK) 70%와 탄소 섬유(carbon fiber) 30%로 이루어진다. 또한, 상기 카세트 지지부는 상기 탑 플레이트 상의 정해진 위치에 카세트가 놓이도록 안내하여 주는 적어도 하나의 가이드 블록들과 상기 카세트가 놓이는 적어도 하나의 패드들로 이루어진다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 4 내지 도 7에 의거하여 상세히 설명한다. 또한, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조번호를 병기한다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 반도체 제조 설비인 스피너 장비(100)는 카세트 테이블(200), 제 1이송 장치(130), 지지핀(140)들, 제 2이송 장치(150) 및 공정 챔버(160)로 구성된다.
상기 카세트 테이블(200) 상에는 웨이퍼를 담은 카세트(120)가 놓여지고, 상기 카세트(120) 내의 웨이퍼는 상기 제 1이송 장치(130)에 의해 상기 지지핀(140)들 상에 놓여진다. 상기 지지핀(140)들 상의 웨이퍼는 상기 제 2이송 장치(150)에 의해 각 공정 챔버(160)로 보내진다. 그리고 공정이 완료된 웨이퍼는 제 2이송 장치(150)에 의해 지지핀(140)들 상에 다시 놓여진다. 상기 제 1이송 장치(130)는 지지핀(140)들 상에 놓여진 웨이퍼를 카세트 테이블(200) 상에 놓여진 카세트(120)에 로딩한다.
상기 스피너 장비(100)는 도포 공정을 위하여 상기 공정 챔버(160) 내에서 웨이퍼를 고속으로 회전시킨다. 상기 웨이퍼는 고속 회전에 의해 정전기가 대전되며, 정전기가 대전된 상태에서 이송이 이루어진다. 그리고, 상기 제 1이송 장치(130)와 제 2이송 장치(150) 및 지지핀(140)들은 웨이퍼의 스크래치(scratch)를 방지하기 위하여 웨이퍼와 맞닿는 부위가 우레탄이나 부전도성의 부드러운 재질로 되어 있다. 따라서, 공정 중에 웨이퍼에 대전된 정전기는 설비 접지가 되어 있는 상기 제 1이송 장치(130)와 제 2이송 장치(150) 및 지지핀(140)들을 통해 방출되지 못한다. 정전기가 대전된 웨이퍼는 정전기의 방출 없이 카세트 테이블(200) 상의 카세트(120)에 로딩된다. 그리고, 웨이퍼가 카세트(120)에 1매씩 로딩될 때마다 카세트(120)에 대전되는 정전기의 양은 점점 증가한다. 상기 카세트(120)는 정전 분산(static dissipative) 재질로 되어 있어서 접지(earth)가 되어 있는 도체로 정전기를 서서히 방출할 수 있다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 카세트 테이블을 보여주는 도면이다.
도 5를 참조하면, 상기 웨이퍼 제조 공정 중에 고속 회전에 의하여 정전기가 대전된 웨이퍼는 상기 정전기의 방출이 이루어지지 않은 상태에서 카세트(120)에 로딩된다.
상기 정전기가 대전된 웨이퍼가 상기 카세트(120)에 로딩됨에 따라, 카세트(120)에는 정전기가 대전된다. 카세트(120)에 대전되는 정전기의 양은 웨이퍼가 로딩될 때마다 점진적으로 증가한다. 상기 카세트(120)는 전도성 재질인 폴리-에테르-에테르-케톤 (poly ether ether ketone;PEEK) 70%와 탄소 섬유(carbon fiber) 30%의 혼합 재질로 이루어진다. 따라서, 상기 카세트(120)에 대전된 정전기는 상기 카세트 테이블(200)로 방출될 수 있다. 상기 카세트 테이블(200)은 탑 플레이트(210)와 카세트 지지부(220)로 구성되며, 상기 카세트 지지부(220)는 상기 카세트(120)를 정해진 위치로 안내하여 주는 적어도 하나의 가이드 블록(222)들과 상기 카세트(120)가 놓이는 적어도 하나의 패드(224)들로 구성된다. 상기 가이드 블록(222)들은 상기 카세트(120)의 측면들과 접하며, 상기 패드(224)들은 상기 카세트(120)의 밑면과 접한다. 상기 카세트 지지부(220)인 상기 가이드 블록들과 상기 패드들 중 적어도 어느 하나는 카세트(120)에 대전된 정전기를 방출하기 위한방전 수단으로 전도성 재질로 이루어진다. 따라서, 카세트(120)에 대전된 정전기는 상기 카세트 지지부(220)를 통하여 상기 탑 플레이트(210)로 전달된다. 상기 전도성 재질의 탑 플레이트(210)에는 지면과 접지(earth)되는 접지 라인(170)이 부착되어 있다. 따라서, 상기 카세트(120)에 대전된 정전기는 상기 카세트 지지부(220)와 탑 플레이트(210)를 통하여 지면으로 방출된다.
상기 전도성 재질은 급격하게 정전기를 방출하는 금속과 같은 재질 보다는 서서히 정전기를 방출하는 정전 분산 재질이 바람직하다. 예컨데, 폴리-에테르-에테르-케톤(poly ether ether ketone;PEEK) 70%와 탄소 섬유(carbon fiber) 30%로 이루어진 혼합 재질이 적합하다. 그러나, 상기 전도성 재질을 금속 재질로 하였을 시, 카세트(120)에 대전된 정전기의 방출이 순식간에 발생한다. 그리고 이때 발생되는 전류에 의한 열발생으로 카세트(120) 내에 적재되어 있는 웨이퍼가 손상을 입는다. 또한, 상기 카세트 지지부(220)와 카세트(120)의 마찰로 인한 상기 카세트(120)의 마모와 스크래치가 발생한다. 따라서, 상기 카세트 지지부(220)는 전도성 재질로 이루어지되, 상기 카세트 지지부 (220) 상에 놓여지는 상기 카세트(120)와의 마찰과 충격을 줄이기 위하여 연한 성질을 갖는다.
도 6은 카세트 테이블 상에 설치되는 카세트 지지부의 여러 형태를 보여주는 도면이다. 도 6a는 카세트 지지부(220)인 가이드 블록(222)과 패드(224)가 분리되어 있는 타입(type)이고, 도 6b는 카세트 지지부(220)인 가이드 블록(222)과 패드(224)가 일체형으로 되어 있는 타입이다. 상기 카세트 지지부(220)의 상기 가이드 블록들과 상기 패드들은 카세트(120)의 모서리부들과 인접하게 복수 개로 설치된다. 따라서, 상기 가이드 블록(222)들은 상기 카세트(120)의 측면들과 접하면서 상기 카세트(120)가 상기 탑 플레이트(210) 상의 정해진 위치에 놓이도록 안내하여 주고, 놓여진 상기 카세트(120)가 유동되지 않도록 한다. 또한, 상기 패드(224)들은 상기 카세트(120)의 밑면을 지지하면서 상기 카세트(120)가 상기 탑 플레이트(210) 상에 충격없이 놓이도록 한다. 그리고, 상기 카세트 지지부(120)가 전도성 재질인 폴리-에테르-에테르-케톤(poly ether ether ketone;PEEK) 70%와 탄소 섬유(carbon fiber) 30%의 혼합 재질로 이루어짐으로써, 카세트(120)에 대전된 정전기를 상기 탑 플레이트(210)로 서서히 방출할 수 있다. 따라서, 급격한 정전기 방출에 따른 카세트(120) 내에 담겨진 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다. 그리고 상기 전도성 재질은 도체인 금속처럼 딱딱하지 않아서 카세트(120)와의 마찰에 의한 상기 카세트(120)의 마모와 스크래치를 없앨 수 있다.
특히, 카세트(120)에 대전된 정전기는 상기 카세트 지지부(220)인 가이드 블록(222)들과 패드(224)들 중 적어도 어느 하나를 통하여 상기 탑 플레이트(210)로 방출될 수 있다. 따라서, 상기 가이드 블록(222)들과 패드(224)들 중 적어도 어느 하나만 방전 수단으로서 상기 전도성 재질로 이루어지면 된다.
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전도성 재질의 커버를 부착한 패드의 단면도이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 상기 카세트 지지부(220)의 재질을 변경하지 않고, 카세트(120)에 대전된 정전기를 방출하기 위한 방전 수단으로서, 전도성 재질의 커버(180)를 상기 카세트 지지부(220)의 상기 가이드 블록들과 상기 패드들 중적어도 어느 하나에 설치한다. 상기 커버(180)는 정전기를 서서히 방출하는 폴리-에테르-에테르-케톤(poly ether ether ketone;PEEK) 70%와 탄소 섬유(carbon fiber) 30%로 이루어진 혼합 재질 또는 알루미늄 재질이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 카세트(120)에 대전된 정전기는 상기 카세트 지지부(220)를 감싸고 설치된 상기 커버(180)를 통하여 전도성 재질의 상기 탑 플레이트(210)로 보내지고, 상기 탑 플레이트(210)에 부착된 접지 라인(170)을 통하여 지면으로 방출된다. 이와 같은 전도성 재질의 커버(180)를 사용함으로써, 별도로 전도성 재질의 카세트 지지부(220)를 제작할 필요 없이 기존의 부전도성 재질의 카세트 지지부에 간단하게 적용할 수 있다.
아래 표 1은 상기 카세트 테이블(200)의 카세트 지지부(220)에 상기 전도성 재질의 커버(180)를 적용하여서 정전기 방출 실험을 한 결과를 나타낸 것이다. 아래 표 1의 전압 값은 상기 커버(180)가 적용된 카세트 지지부(220)를 갖는 카세트 테이블들에 대전된 정전기의 양을 달리하는 카세트들을 각각 놓고 정전기 측정기(meter)(미 도시된)로 카세트에 대전된 정전기를 측정한 결과치이다.
[표 1]
설비 1 설비 2 설비 3 설비 4 설비 5 설비 6
커버 미적용 30 Volt 1140 Volt 1620 Volt 450 Volt 330 Volt 290 Volt
커버 적용 10 Volt 20 Volt 10 Volt 0 Volt 30 Volt 150 Volt
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 전도성 재질의 커버(180)를 상기 카세트 지지부(220)에 적용하였을 시 카세트(120)의 정전기가 급격히 낮아졌음을 알 수 있다. 그리고, 상기 실험은 설비나 건물 접지가 완벽히 이루어진 상태에서 수행되었다. 따라서, 상기 실험 결과치는 카세트(120)의 정전기를 방출하는데 있어서 카세트 지지부(220)가 방전 수단을 구비함이 필연적이라는 것을 보여준다.
본 발명의 범위 및 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 상기 본 발명의 장치에 대한 다양한 변형 및 변화가 가능하다는 것은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 반도체 제조 설비의 카세트 테이블이 방전 수단을 구비함으로써, 카세트에 대전된 정전기를 접지가 되어 있는 카세트 테이블의 탑 플레이트를 통하여 지면으로 방출할 수 있다. 이로 인해, 정전기로 인한 공정 불량을 방지할 수 있다.

Claims (12)

  1. 웨이퍼를 담은 카세트가 놓여지는 카세트 테이블(cassette table)에 있어서:
    탑 플레이트(top plate);
    상기 탑 플레이트 상에 설치되고, 상기 카세트를 지지하는 카세트 지지부; 및
    상기 카세트에 대전된 정전기를 방출하기 위한 방전 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 카세트 테이블.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 카세트 지지부는
    상기 탑 플레이트 상의 정해진 위치에 상기 카세트가 놓이도록 안내하여 주는 적어도 하나의 부전도성 가이드 블록(guide block)들과;
    상기 카세트가 놓이는 적어도 하나의 부전도성 패드(pad)들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 카세트 테이블.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 방전 수단은
    상기 부전도성 가이드 블록들과 상기 부전도성 패드들 중 적어도 어느 하나에 설치되어 지는 것을 특징으로 하는 카세트 테이블.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 탑 플레이트는 접지되고,
    상기 방전 수단은 상기 카세트와 상기 탑 플레이트를 전기적으로 연결하여 주는 것을 특징으로 하는 카세트 테이블.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 방전 수단은 적어도 하나의 전도성 커버들로 이루어지되;
    상기 전도성 커버들은 상기 부전도성 가이드 블록들과 상기 부전도성 패드들 중 적어도 어느 하나에 덮어 씌워지는 그리고 상기 카세트와 상기 탑 플레이트를 전기적으로 연결하여 주는 것을 특징으로 하는 카세트 테이블.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 탑 플레이트는 접지되고,
    상기 카세트 지지부와 상기 방전 수단은 서로 결합되어 지는 것을 특징으로 하는 카세트 테이블.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 카세트 지지부와 상기 방전 수단은 폴리-에테르-에테르-케톤(poly ether ether ketone;PEEK)와 탄소 섬유(carbon fiber)의 혼합 재질로 이루어지는것을 특징으로 하는 카세트 테이블.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 혼합 재질은 폴리-에테르-에테르-케톤(poly ether ether ketone;PEEK) 70%와 탄소 섬유(carbon fiber) 30%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 카세트 테이블.
  9. 웨이퍼를 담은 카세트가 놓여지는 카세트 테이블(cassette table)에 있어서:
    접지되는 탑 플레이트; 및
    카세트를 지지하고, 상기 탑 플레이트로 상기 카세트에 대전된 정전기를 방출하기 위하여 상기 탑 플레이트 상에 설치되는 연한(soft) 성질을 갖는 카세트 지지부를 구비하는 것을 특징으로 하는 카세트 테이블.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 연한 성질을 갖는 카세트 지지부는 폴리-에테르-에테르-케톤(poly ether ether ketone;PEEK)와 탄소 섬유(carbon fiber)의 혼합 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 카세트 테이블.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 혼합 재질은 폴리-에테르-에테르-케톤(poly ether ether ketone;PEEK)70%와 탄소 섬유(carbon fiber) 30%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 카세트 테이블.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 연한 성질을 갖는 카세트 지지부는
    상기 탑 플레이트 상의 정해진 위치에 카세트가 놓이도록 안내하여 주는 적어도 하나의 가이드 블록들과;
    상기 카세트가 놓이는 적어도 하나의 패드들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 카세트 테이블.
KR10-2001-0069426A 2001-11-08 2001-11-08 반도체 제조 설비의 카세트 테이블 KR100481307B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0069426A KR100481307B1 (ko) 2001-11-08 2001-11-08 반도체 제조 설비의 카세트 테이블
US10/265,693 US6679194B2 (en) 2001-11-08 2002-10-08 Cassette table of a semiconductor fabricating apparatus
JP2002322932A JP2003282672A (ja) 2001-11-08 2002-11-06 半導体製造設備のカセットテーブル

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0069426A KR100481307B1 (ko) 2001-11-08 2001-11-08 반도체 제조 설비의 카세트 테이블

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030038021A true KR20030038021A (ko) 2003-05-16
KR100481307B1 KR100481307B1 (ko) 2005-04-07

Family

ID=19715819

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0069426A KR100481307B1 (ko) 2001-11-08 2001-11-08 반도체 제조 설비의 카세트 테이블

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6679194B2 (ko)
JP (1) JP2003282672A (ko)
KR (1) KR100481307B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100939610B1 (ko) * 2007-03-14 2010-02-01 오므론 가부시키가이샤 열교환 장치

Families Citing this family (246)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4789566B2 (ja) * 2005-09-30 2011-10-12 ミライアル株式会社 薄板保持容器及び薄板保持容器用処理装置
TWI344926B (en) * 2008-12-05 2011-07-11 Gudeng Prec Industral Co Ltd Reticle pod
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
JP2011029550A (ja) * 2009-07-29 2011-02-10 Muratec Automation Co Ltd 搬送システム及びその設定方法
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP2014067744A (ja) * 2012-09-24 2014-04-17 Tokyo Electron Ltd 搬送装置及び処理装置
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP6061020B2 (ja) * 2013-02-12 2017-01-18 村田機械株式会社 保管棚
KR101697202B1 (ko) * 2013-09-27 2017-01-17 무라다기카이가부시끼가이샤 물품의 지지 장치 및 지지 장치에의 2 종류의 물품의 재치 방법
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) * 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202247335A (zh) * 2021-02-08 2022-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 晶舟、用於對準及旋轉晶舟之總成、用於處理晶圓之垂直批式熔爐總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06120321A (ja) * 1992-10-06 1994-04-28 Tokyo Electron Tohoku Ltd 基板ハンドリング装置
US6039186A (en) * 1997-04-16 2000-03-21 Fluoroware, Inc. Composite transport carrier
JP3062113B2 (ja) * 1997-04-16 2000-07-10 九州日本電気株式会社 ウェハー保管ボックス帯電化によるごみ付着防止機構
KR100257901B1 (ko) * 1997-12-08 2000-06-01 윤종용 반도체장치 제조용 웨이퍼 정렬장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100939610B1 (ko) * 2007-03-14 2010-02-01 오므론 가부시키가이샤 열교환 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US6679194B2 (en) 2004-01-20
KR100481307B1 (ko) 2005-04-07
US20030089313A1 (en) 2003-05-15
JP2003282672A (ja) 2003-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100481307B1 (ko) 반도체 제조 설비의 카세트 테이블
KR101415551B1 (ko) 정전척, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US8218284B2 (en) Apparatus for increasing electric conductivity to a semiconductor wafer substrate when exposure to electron beam
US11742781B2 (en) Electrostatic chuck with charge dissipation coating
KR100714667B1 (ko) 웨이퍼 연마 헤드 및 연마 방법
JP5808723B2 (ja) 支持チャックにｅｕｖｌマスクを電気的に結合するための導電性要素
JPH08288190A (ja) 物品取扱部材およびその製造方法および収納容器ならびに物品取扱装置
US6909587B2 (en) Apparatus having a static eliminator for manufacturing semiconductor devices and a method for eliminating a static electricity on a semiconductor wafer
JP2004535081A (ja) 昇降支承装置
KR102652636B1 (ko) 기판 지지 부재, 기판 처리 장치 및 기판 반송 장치
JP6022933B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3484658B2 (ja) 処理装置
KR20220109504A (ko) 기판 반송 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
JP3160690B2 (ja) 処理方法
CN112786521A (zh) 导静电基板保持装置
JP2001060609A (ja) 基板搬送装置及び基板処理システム
KR100282421B1 (ko) 이에스씨（esc：electrostaicchuck）장치
US6239963B1 (en) Wafer support with electrostatic discharge bus
JPS6319747A (ja) ウエハ−の帯電防止方法
KR20240028040A (ko) 기판 이송 로봇 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR19990080114A (ko) 웨이퍼 운송 장치에서의 웨이퍼 움직임 방지 방법 및 웨이퍼 운송장치의 블레이드
JPH05218175A (ja) 基板搬送装置
JPS5922340A (ja) 静電チヤツク装置
JPS63310126A (ja) テ−プキャリア用製造装置
KR19990042450A (ko) 반도체소자의 연마패드

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130228

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140228

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee