JP2001060609A

JP2001060609A - 基板搬送装置及び基板処理システム

Info

Publication number: JP2001060609A
Application number: JP11233580A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Iwasaki; 達也岩▲崎▼; Noriyuki Anai; 徳行穴井; Kiyohisa Tateyama; 清久立山; Yoshiharu Ota; 義治太田; Shinichiro Araki; 真一郎荒木; Haruo Iwazu; 春生岩津
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1999-08-20
Filing date: 1999-08-20
Publication date: 2001-03-06
Anticipated expiration: 2019-08-20
Also published as: JP3854757B2

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単な構成で基板の静電破壊を防止すること
ができる基板搬送装置及び基板処理システムの提供。【解決手段】副基板搬送装置としての各搬送アーム４
３には、それぞれ基板Ｇに向けて大量のイオンを放射す
る除電手段としてのイオナイザー４４が配置されてい
る。そして、例えば搬送アーム４３がスピンチャック３
４から基板Ｇを受け取る前後、或いは搬送アーム４３が
スピンチャック３４から基板Ｇを受け取り周辺部除去装
置３２へ移動する間等にイオナイザー４４から基板Ｇに
向けてイオンが放射され、除電が行われるようになって
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハや液晶表示ディスプレイに使われるガラス基板ををフ
ォトリソグラフィ技術を利用して処理を行う技術分野に
属する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示ディスプレイ装置の製造工程に
おいて、例えばガラス基板上にＩＴＯ薄膜や電極パター
ン等を形成するために、半導体製造工程において用いら
れるものと同様のフォトリソグラフィ技術を用いて回路
パターン等を縮小露光してフォトレジストに転写し、こ
れを現像処理する一連の処理が施される。

【０００３】このような一連の処理は、例えばガラス基
板を搬送する搬送装置が走行可能とされた搬送路に沿っ
て、洗浄装置、アドヒージョン処理装置、冷却処理装
置、レジスト塗布装置、熱処理装置及び現像装置等を配
置した構成の塗布現像処理システムによって行われる。
そして、このような塗布現像処理システムでは、ガラス
基板を、洗浄装置にて洗浄した後、ガラス基板にアドヒ
ージョン処理装置にて疎水処理を施し、冷却処理装置に
て冷却した後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト膜
を塗布形成する。その後、フォトレジスト膜を熱処理装
置にて加熱してプリベーク処理を施した後に冷却し、当
該システムに接続された露光装置にて所定のパターンを
露光し、露光後のガラス基板を現像装置にて現像液を塗
布して現像した後にリンス液により現像液を洗い流し、
ポストベーク処理を行い、一連の工程が終了する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したレ
ジスト塗布装置においては、例えばスピンチャック上に
ガラス基板を載せて回転させ、その回転中心にレジスト
液を供給するスピンコート法が用いられる。

【０００５】しかしながら、このようなスピンコート法
では、ガラス基板がスピンチャックに直接接触している
ため、搬送装置の搬送アームによってガラス基板をスピ
ンチャックから離すときにガラス基板に静電気が帯電
し、搬送アームとガラス基板との間に大きな電位差を生
じてスパークによる静電破壊を生じる、という課題があ
る。特に、ガラス基板にレジストのような絶縁性の材料
を塗布すると、スパークが発生し易いため、かかる課題
の解決が望まれている。

【０００６】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、簡単な構成で基板の静電破壊を防止
することができる基板搬送装置及び基板処理システムを
提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明の基板搬送装置は、少なくとも第１の処理装
置から第２の処理装置に基板を搬送する基板搬送装置に
おいて、前記基板を除電する除電手段を具備することを
特徴とする。

【０００８】本発明の基板搬送装置は、所定の処理装置
に基板を搬送する基板搬送装置において、前記処理装置
内に搬入されている基板を除電する除電手段を具備する
ことを特徴とする。

【０００９】本発明では、基板搬送装置が基板を除電す
る除電手段を備えているので、基板が処理装置から基板
搬送装置に受け渡されるとき、或いは基板を基板搬送装
置から処理装置に受け渡すときに基板に帯電した静電気
を除去することができ、これにより基板の静電破壊を防
止することができる。本発明では、特に、基板搬送装置
がこのような除電手段を備えているので、各処理装置に
除電手段を配置した場合等と比べてより簡単な構成で基
板の静電破壊を防止できる。

【００１０】本発明の一の態様として、前記除電手段
は、前記基板に向けてイオンを放射するイオナイザーで
あることを特徴とする。これにより他の構成要素に変更
を加えることなく基板の静電破壊を防止できる。

【００１１】本発明の基板処理システムは、基板上にレ
ジストを塗布するレジスト塗布装置と、前記レジストが
塗布された基板の周縁部の該レジストを除去する周縁部
除去装置と、少なくとも前記レジスト塗布装置から前記
周縁部除去装置に前記基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置上に配置され、前記基板を除電する除
電手段とを具備することを特徴とする。

【００１２】本発明の基板処理システムは、主搬送路
と、前記主搬送路に沿って配置され、基板上にレジスト
を塗布するレジスト塗布装置と、前記主搬送路に沿って
配置され、前記レジストが塗布された基板の周縁部の該
レジストを除去する周縁部除去装置と、前記主搬送路に
沿って移動可能であり、少なくとも前記レジスト塗布装
置及び前記周縁部除去装置との間で基板の受け渡しを行
う主基板搬送装置と、前記レジスト塗布装置から前記周
縁部除去装置に前記基板を搬送する副基板搬送装置と、
前記副基板搬送装置上に配置され、前記基板を除電する
除電手段とを具備することを特徴とする。

【００１３】本発明の基板処理システムは、基板上に層
間絶縁膜材料を塗布する塗布装置と、前記層間絶縁膜材
料が塗布された基板に対して少なくとも加熱を伴う処理
を施す処理装置と、少なくとも前記塗布装置から前記処
理装置に前記基板を搬送する搬送装置と、前記搬送装置
に配置され、前記基板を除電する除電手段とを具備する
ことを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。この実施の形態では、本発明をガラ
ス基板上にレジスト膜を形成し、露光後のガラス基板を
現像する塗布現像処理システムに適用した場合について
説明する。

【００１５】図１はこの実施形態に係る塗布現像処理シ
ステムの構成を示す斜視図である。同図に示す塗布現像
処理システム１は、ガラス基板Ｇ（以下、「基板Ｇ」と
呼ぶ。）を搬入・搬出するローダ部２と、基板Ｇの第一
の処理部３と、中継部４を介して第一の処理部３に連設
される第二の処理部５とで主に構成されている。なお、
第二の処理部５には受け渡し部７を介してレジスト膜に
所定の微細パターンを露光するための露光装置６が連設
可能となっている。

【００１６】上記ローダ部２にはカセットステーション
１０が設けられており、未処理の基板Ｇを収容するカセ
ット１１と、処理済みの基板Ｇを収容するカセット１２
とをそれぞれ複数載置自在である。カセット１０、１１
との間で基板Ｇの搬入出を行うべく水平（Ｘ，Ｙ）方向
と垂直（Ｚ）方向の移動及び回転（θ）可能な基板搬出
入ピンセット１３とで構成されている。

【００１７】第一の処理部３には、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の移
動及びθ回転可能な主基板搬送装置１５が走行可能とさ
れた搬送路１６の一方の側に、基板Ｇをブラシ洗浄する
ブラシ洗浄装置１７、現像装置１８が並んで配置され、
搬送路１１の他方の側に基板Ｇの表面を疎水化処理する
アドヒージョン処理装置１９、現像処理の後で加熱する
ポストベークを行う熱処理装置２０、基板Ｇを所定温度
に冷却する冷却処理装置２１が多段に配置されている。

【００１８】第二の処理部５には、第一の処理部３と同
様に、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の移動及びθ回転可能な主基板搬
送装置２２が移動可能とされた搬送路２３の一方の側
に、塗布・周縁部除去装置２４を配置し、搬送路２３の
他方の側にレジスト液塗布の後で基板Ｇを加熱するプリ
ベークを行う熱処理装置２０、冷却処理装置２１が多段
に配置されている。

【００１９】受け渡し部７には、基板Ｇを一時待機させ
るためのカセット２５と、このカセット２５との間で基
板Ｇの出し入れを行う搬送用ピンセット２６と、基板Ｇ
の受け渡し台２７が設けられている。

【００２０】上記のように構成される塗布現像処理シス
テム１において、カセット１１内に収容された未処理の
基板Ｇはローダ部２の搬出入ピンセット１３によって取
り出された後、第一の処理部３の主基板搬送装置１５に
受け渡され、そして、ブラシ洗浄装置１７内に搬送され
る。このブラシ洗浄装置１７内にてブラシ洗浄された基
板Ｇは、アドヒージョン処理装置１９にて疎水化処理が
施され、冷却処理装置２１にて冷却された後、中継部４
上に載置される。

【００２１】第二の処理部５の主基板搬送装置２２がこ
の基板Ｇを受け取り、レジスト塗布装置３１にてフォト
レジスト膜すなわち感光膜が塗布形成され、引き続いて
周縁部除去装置３０によって基板Ｇの周辺の不要なレジ
スト膜が除去される。そして、このフォトレジスト膜が
熱処理装置２０にて加熱されてベーキング処理が施さ
れ、冷却処理装置２１にて冷却された後、露光装置６に
て所定のパターンが露光される。そして、露光後の基板
Ｇは現像装置１８内へ搬送され、現像液により現像され
た後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完
了する。その後、熱処理装置２０にて加熱されてベーキ
ング処理が施され、冷却処理装置２１にて冷却された後
に処理済みの基板Ｇはローダ部１のカセット１２内に収
納され、一連の処理が終了する。

【００２２】図２は上記塗布・周縁部除去装置２４の構
成を示す平面図である。図２に示すように、塗布・周縁
部除去装置２４では、基板Ｇに対してレジストを塗布す
るレジスト塗布装置３１と、このレジスト塗布装置３１
によりレジストが塗布された基板Ｇの周縁部のレジスト
を除去する周辺部除去装置３２とが並設されている。

【００２３】レジスト塗布装置３１では、図３に示すよ
うに、基板Ｇの出し入れが可能な開口部を上部に有する
カップ３３内にスピンチャック３４が配置され、該カッ
プ３３の側部には先端にレジスト供給用のノズル３５を
保持する回転保持部材３６が配置されている。スピンチ
ャック３４は図示を省略した真空吸引機構により基板Ｇ
を保持すると共に回転駆動機構により回転するようにな
っている。また、スピンチャック３４は図示を省略した
昇降機構により昇降可能に構成され、上昇してカップ３
３の上面より突き出た状態で主基板搬送装置２２から基
板Ｇを受け取り下降し、カップ３３内に基板Ｇを収容す
る。ここで、スピンチャック３４は保持した基板Ｇを回
転させ、他方、回転保持部材３６が回転してノズル３５
が基板Ｇのほぼ中心に位置してレジストの供給を開始す
る。これにより、レジストは遠心力により基板Ｇの全面
に一様に伸展する。

【００２４】周辺部除去装置３２には、保持部材３７に
よって保持された基板Ｇの４辺の外周に沿ってそれぞれ
搬送用レール３８が設けられており、各搬送用レール３
８に沿ってレジストを除去するための有機溶剤、例えば
シンナーを基板Ｇの周辺部に供給するためのヘッド３９
が走査可能に保持されている。各ヘッド３９は、図示を
省略して駆動モータの駆動によって搬送用レール３８に
沿って走査されるようになっている。

【００２５】図４は上記ヘッド３９の正面図、図５はそ
の斜視図である。これらの図に示すように、ヘッド３９
の略中央部には、保持部材３７により保持された基板Ｇ
の表裏の各周辺部に向けてシンナー等の有機溶剤を吐出
する吐出ノズル４０が基板Ｇの辺方向に多数列設されて
いる。ノズル４０の背面側（基板端部と対向する側）に
は、ノズル４０から吐出された有機溶剤を基板の外周方
向に引き込むための吸引孔４１が設けられている。この
吸引孔４１には、図示を省略した排気装置が接続されて
いる。この吸引機構によって有機溶剤が基板側に飛び散
るようなことはなくなる。そして、図示を省略した供給
装置から吐出ノズル４０へシンナー等の有機溶剤が供給
され、他方、ヘッド３９が基板Ｇの端部に沿って所定方
向に走査されることにより、ガラス基板Ｇの周辺部のレ
ジストが除去されるようになっている。

【００２６】また、図６にも示すように、塗布・周縁部
除去装置２４の両側には搬送用レール４２が設けられて
おり、この搬送用レール４２に沿って副基板搬送装置と
しての搬送アーム４３がレジスト塗布装置３１と周辺部
除去装置３２との間を移動するようになっている。な
お、搬送アーム４３は基板Ｇを保持するために図示を省
略した駆動機構によりその両側に配置されたものが近接
可能とれている。そして、レジスト塗布装置３１によっ
てレジストが塗布された基板Ｇは、スピンチャック３４
の上昇によりカップ３３の上面より突き出た状態とな
る。この状態で、搬送アーム４３がスピンチャック３４
から基板Ｇを受け取り、周辺部除去装置３２へ移動し、
該基板Ｇは周辺部除去装置３２における保持部材３７に
受け渡されるようになっている。

【００２７】また、副基板搬送装置としての各搬送アー
ム４３の裏面には、それぞれ基板Ｇの裏面に向けて大量
のイオンを放射する除電手段としてのイオナイザー４４
が配置されている。そして、例えば搬送アーム４３がス
ピンチャック３４から基板Ｇを受け取る前後、或いは搬
送アーム４３がスピンチャック３４から基板Ｇを受け取
り周辺部除去装置３２へ移動する間等にイオナイザー４
４から基板Ｇの裏面に向けてイオンが放射され、除電が
行われるようになっている。

【００２８】従って、本実施形態では、搬送アーム４２
によって基板Ｇをスピンチャック３４から離すときに基
板Ｇに静電気が帯電するが、イオナイザー４４によって
除電されるので、搬送アーム４２と基板Ｇとの間に電位
差を生じることはなくなり、スパークによる静電破壊を
防止できる。本実施形態では、特に周辺部除去装置３２
におけるヘッド３９の吐出ノズル４０が尖った構造であ
り、吐出ノズル４０がいわば避雷針のような機能を果た
してスパークが発生し易い状況にあるので、上記のよう
に周辺部除去装置３２に搬送するのに先立ち基板Ｇの静
電気を除電することは極めて効果的である。

【００２９】なお、図１５に示すように、レジスト塗布
装置３１と周辺部除去装置３２との間に真空式の乾燥装
置ＶＤが配置されているような場合にも本発明に係る除
電手段としてのイオナイザー４４を配置することは有効
である。この場、特に乾燥装置ＶＤから基板Ｇを取り出
すときにも静電気が発生するので、そのときにも除電す
るように構成すれば効果的である。

【００３０】上述した実施形態では、レジスト塗布装置
３１から周辺部除去装置３２への基板Ｇの移動を副基板
搬送装置としての搬送アーム４３が行うものであった
が、レジスト塗布装置３１から周辺部除去装置３２への
基板Ｇの移動を主基板搬送装置２２が行う場合には、主
基板搬送装置２２に除電手段を設けてもよい。なお、レ
ジスト塗布装置３１から周辺部除去装置３２への基板Ｇ
の移動を副基板搬送装置としての搬送アーム４３が行う
場合であっても主基板搬送装置２２に除電手段を設けて
もよい。

【００３１】図７は主基板搬送装置２２に除電手段を設
けた一例を示す斜視図である。同図に示す主基板搬送装
置２２は、搬送路２３に沿って移動可能な本体５３と、
装置本体５３に対して上下動および旋回動が可能なベー
ス部材５４と、ベース部材５４上を水平方向に沿ってそ
れぞれ独立して移動可能な上下２枚の基板支持部材５５
ａ，５５ｂとを有している。そして、ベース部材５４の
中央部と装置本体５３とが連結部５６により連結されて
いる。本体５３に内蔵された図示しないモータにより連
結部５６を上下動または回転させることにより、ベース
部材５４が上下動または旋回動される。このようなベー
ス部材５４の上下動および旋回動、ならびに基板支持部
材５５ａ，５５ｂの水平移動によりガラス基板Ｇの搬送
が行われる。参照符号５７ａ，５７ｂは、それぞれ基板
支持部材５５ａ，５５５ｂをガイドするガイドレールで
ある。また、ベース部材５４上の一側に沿って、基板支
持部材５５ａ，５５ｂにより支持された基板Ｇに向けて
大量のイオンを放射する除電手段としてのイオナイザー
５８が配置されている。

【００３２】そして、例えばこの主基板搬送装置２２が
スピンチャック３４から基板Ｇを受け取る前後、或いは
主基板搬送装置２２がスピンチャック３４から基板Ｇを
受け取り周辺部除去装置３２へ移動する間等にイオナイ
ザー５８から基板Ｇに向けてイオンが放射され、除電が
行われるようになっている。

【００３３】本実施形態では、特に主基板搬送装置２２
に上記構成のイオナイザー５８を設けたので、レジスト
塗布装置３１から周辺部除去装置３２へ基板Ｇを移動す
る場合だけでなく、主基板搬送装置２２が他の装置、例
えば熱処理装置２０等から基板Ｇを搬出入する際にもイ
オナイザー５８からイオンを放射することで除電を行う
ことができる、という効果がある。

【００３４】図８は主基板搬送装置２２に除電手段を設
けた他の例を示す斜視図である。同図に示す主基板搬送
装置２２は図７に示したものほぼ同様の構成であるが、
イオナイザーの配置及びその動作が異なる。即ち、この
主基板搬送装置２２においては、ベース部材５４の前面
（レジスト塗布装置３１等と対面する面）に除電手段と
してのイオナイザー５９が配置されている。

【００３５】そして、図９に示すように、主基板搬送装
置２２がスピンチャック３４から基板Ｇを受け取る際に
スピンチャック３４に保持された基板Ｇに向けてイオナ
イザー５９よりイオンの放射が行われるようになってい
る。

【００３６】本実施形態では、特に主基板搬送装置２２
がスピンチャック３４から基板Ｇを受け取る際に既に除
電が行われているので、スピンチャック３４から基板Ｇ
を剥がす際にスパークが発生することもなくなる。

【００３７】なお、以上の実施形態において、搬送アー
ム４２や主基板搬送装置２２のアームを導電率の高い材
料で構成したり、これらのアームに導電率が高まる表面
処理を施すことで、基板Ｇに帯電した静電気を他の部材
に逃がすことができ、これによりスパークの発生をより
少なくすることができる。

【００３８】また、搬送アーム４２や主基板搬送装置２
２のアームを接地することで、同様に基板Ｇに帯電した
静電気をグランドに逃がすことができ、これによりスパ
ークの発生をより少なくすることができる。

【００３９】更に、搬送アーム４２や主基板搬送装置２
２のアームをスピンチャック３４と電気的に導通状態と
することで、これらの間の電位差をなくし、これにより
スパークの発生をより少なくすることができる。

【００４０】次に、本発明の更に別の実施形態を説明す
る。この実施の形態では、本発明を半導体ウエハ上に層
間絶縁膜を形成するためのＳＯＤ（ＳｐｉｎｏｎＤ
ｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）処理システムに適用した場合につ
いて説明する。

【００４１】図１０〜図１２はこのＳＯＤ処理システム
の全体構成を示す図であって、図１０は平面図、図１１
は正面図及び図１２は背面図である。

【００４２】このＳＯＤ処理システム１００は、基板と
してウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚たとえば２
５枚単位で外部からシステムに搬入しまたはシステムか
ら搬出したり、ウエハカセットＣＲに対して半導体ウエ
ハＷを搬入・搬出したりするためのカセットブロック１
１０と、ＳＯＤ塗布工程の中で１枚ずつ半導体ウエハＷ
に所定の処理を施す枚葉式の各種処理ステーションを所
定位置に多段配置してなる処理ブロック１１１と、エー
ジング工程にて必要とされるアンモニア水のボトル、バ
ブラー、ドレインボトル等が設置されたキャビネット１
１２とを一体に接続した構成を有している。

【００４３】カセットブロック１１０では、図１０に示
すように、カセット載置台１２０上の突起１２０ａの位
置に複数個たとえば４個までのウエハカセットＣＲがそ
れぞれのウエハ出入口を処理ブロック１１１側に向けて
Ｘ方向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）お
よびウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ
配列方向（Ｚ垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体１２
１が各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするよう
になっている。さらに、このウエハ搬送体１２１は、θ
方向に回転可能に構成されており、後述するように処理
ブロック１１１側の第３の組Ｇ３の多段ステーション部
に属する受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）にもアクセ
スできるようになっている。

【００４４】処理ブロック１１１では、図１０に示すよ
うに、中心部に基板搬送装置としての垂直搬送型の主ウ
エハ搬送機構１２２が設けられ、その周りに全ての処理
ステーションが１組または複数の組に亙って多段に配置
されている。この例では、４組Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４
の多段配置構成であり、第１および第２の組Ｇ１及びＧ
２の多段ステーションはシステム正面（図１０において
手前）側に並置され、第３の組Ｇ３の多段ステーション
はカセットブロック１１０に隣接して配置され、第４の
組Ｇ４の多段ステーションはキャビネット１１２に隣接
して配置されている。

【００４５】図１１に示すように、第１の組Ｇ１では、
カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて絶縁
膜材料を供給し、ウエハを回転させることによりウエハ
上に均一な絶縁膜を形成するＳＯＤ塗布処理ステーショ
ン（ＳＣＴ）と、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャ
ックに載せてＨＭＤＳ及びヘプタン等のエクスチェンジ
用薬液を供給し、ウエハ上に塗布された絶縁膜中の溶媒
を乾燥工程前に他の溶媒に置き換える処理を行うソルベ
ントエクスチェンジ処理ステーション（ＤＳＥ）とが下
から順に２段に重ねられている。

【００４６】第２の組Ｇ２では、ＳＯＤ塗布処理ステー
ション（ＳＣＴ）が上段に配置されている。なお、必要
に応じて第２の組Ｇ２の下段にＳＯＤ塗布処理ステーシ
ョン（ＳＣＴ）やソルベントエクスチェンジ処理ステー
ション（ＤＳＥ）等を配置することも可能である。

【００４７】図１２に示すように、第３の組Ｇ３では、
２個の低酸素高温加熱処理ステーション（ＯＨＰ）と、
低温加熱処理ステーション（ＬＨＰ）と、２個の冷却処
理ステーション（ＣＰＬ）と、受け渡し・冷却プレート
（ＴＣＰ）と、冷却処理ステーション（ＣＰＬ）とが上
から順に多段に配置されている。低温加熱処理ステーシ
ョン（ＬＨＰ）はウエハＷを低温加熱処理するものであ
る。冷却処理ステーション（ＣＰＬ）はウエハＷが載置
される冷却板を有し、ウエハＷを冷却処理する。受け渡
し・冷却プレート（ＴＣＰ）は下段にウエハＷを冷却す
る冷却板、上段に受け渡し台を有する２段構造とされ、
カセットブロック１１０と処理ブロック１１１との間で
ウエハＷの受け渡しを行う。

【００４８】第４の組Ｇ４では、低温加熱処理ステーシ
ョン（ＬＨＰ）、２個の低酸素キュア・冷却処理ステー
ション（ＤＣＣ）と、エージング処理ステーション（Ｄ
ＡＣ）とが上から順に多段に配置されている。ここで、
低酸素キュア・冷却処理ステーション（ＤＣＣ）は密閉
化可能な処理室内に熱板と冷却板とを隣接するように有
し、窒素ガス（Ｎ_２）に置換された低酸素雰囲気中で高
温加熱処理すると共に加熱処理されたウエハＷを冷却処
理する。エージング処理ステーション（ＤＡＣ）は密閉
化可能な処理室内にＮＨ_３＋Ｈ_２Ｏを導入してウエハＷ
をエージング処理し、ウエハＷ上の絶縁膜材料膜をウエ
ットゲル化する。

【００４９】図１３は主ウエハ搬送機構１２２の外観を
示した斜視図であり、この主ウエハ搬送機構１２２は上
端及び下端で相互に接続され対向する一対の壁部１２
５、１２６からなる筒状支持体１２７の内側に、上下方
向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送装置１３０を装備
している。筒状支持体１２７はモータ１３１の回転軸に
接続されており、このモータ１３１の回転駆動力によっ
て、前記回転軸を中心としてウェハ搬送装置１３０と一
体に回転する。従って、ウェハ搬送装置１３０はθ方向
に回転自在となっている。このウェハ搬送装置１３０の
搬送基台１４０上にはピンセットが例えば３本備えられ
ている。これらのピンセット１４１、１４２、１４３
は、いずれも筒状支持体１２７の両壁部１２５、１２６
間の側面開口部１４４を通過自在な形態及び大きさを有
しており、Ｘ方向に沿って前後移動が自在となるように
構成されている。また、例えば搬送基台１４０上の正面
側には、ウエハＷに向けて大量のイオンを放射する除電
手段としてのイオナイザー１４５が配置されている。そ
して、主ウエハ搬送機構１２２はピンセット１４１、１
４２、１４３をその周囲に配置された処理ステーション
にアクセスしてこれら処理ステーションとの間でウエハ
Ｗの受け渡しを行う。また、例えば主ウエハ搬送機構１
２２がＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）のスピン
チャックからウエハＷを受け取る前後等にイオナイザー
１４５からウエハＷに向けてイオンが放射され、除電が
行われるようになっている。

【００５０】次にこのように構成されたＳＯＤ処理シス
テム１００における動作について説明する。図１４はこ
のＳＯＤ処理システム１００における処理フローを示し
ている。

【００５１】まずカセットブロック１１０において、処
理前のウエハＷはウエハカセットＣＲからウエハ搬送体
１２１を介して処理ブロック１１１側の第３の組Ｇ３に
属する受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）における受け
渡し台へ搬送される。

【００５２】受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）におけ
る受け渡し台に搬送されたウエハＷは主ウエハ搬送機構
１２２を介して冷却処理ステーション（ＣＰＬ）へ搬送
される。そして冷却処理ステーション（ＣＰＬ）におい
て、ウエハＷはＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）
における処理に適合する温度まで冷却される（ステップ
１４０１）。

【００５３】冷却処理ステーション（ＣＰＬ）で冷却処
理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構１２２を介してＳ
ＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）へ搬送される。そ
してＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）において、
ウエハＷはＳＯＤ塗布処理が行われる（ステップ１４０
２）。

【００５４】ＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）で
ＳＯＤ塗布処理が行われたウエハＷは主ウエハ搬送機構
１２２によりＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）の
スピンチャックから受け取られるが、その際イオナイザ
ー１４５からウエハＷに向けてイオンが放射され、除電
が行われるようになっている。従って、本実施形態で
は、主ウエハ搬送機構１２２によってウエハＷをスピン
チャックから離すときにウエハＷに静電気が帯電する
が、イオナイザー１４５によって除電されるので、主ウ
エハ搬送機構１２２と基板Ｇとの間に電位差を生じるこ
とはなくなり、スパークによる静電破壊を防止できる。
特にＳＯＤ処理システムにおいては、その後の加熱工程
が他のプロセスに比べて高温化で行われるため、このよ
うに予め静電気を除電しておくことは、静電破壊を効果
的に防止できることになる。

【００５５】そして、その後、ウエハＷは主ウエハ搬送
機構１２２を介してエージング処理ステーション（ＤＡ
Ｃ）へ搬送される。そしてエージング処理ステーション
（ＤＡＣ）において、ウエハＷは処理室内にＮＨ_３＋Ｈ
_２Ｏを導入してウエハＷをエージング処理し、ウエハＷ
上の絶縁膜材料膜をゲル化する（ステップ１４０３）。

【００５６】エージング処理ステーション（ＤＡＣ）で
エージング処理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構１２
２を介してソルベントエクスチェンジ処理ステーション
（ＤＳＥ）へ搬送される。そしてソルベントエクスチェ
ンジ処理ステーション（ＤＳＥ）において、ウエハＷは
エクスチェンジ用薬液が供給され、ウエハ上に塗布され
た絶縁膜中の溶媒を他の溶媒に置き換える処理が行われ
る（ステップ１４０４）。

【００５７】ソルベントエクスチェンジ処理ステーショ
ン（ＤＳＥ）で置換処理が行われたウエハＷは主ウエハ
搬送機構１２２を介して低温加熱処理ステーション（Ｌ
ＨＰ）へ搬送される。そして低温加熱処理ステーション
（ＬＨＰ）において、ウエハＷは低温加熱処理される
（ステップ１４０５）。

【００５８】そして、低温加熱処理ステーション（ＬＨ
Ｐ）で低温加熱処理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構
１２２を介して低酸素高温加熱処理ステーション（ＯＨ
Ｐ）へ搬送される。そして低酸素高温加熱処理ステーシ
ョン（ＯＨＰ）において、ウエハＷは低酸素化雰囲気中
での高温加熱処理が行われる（ステップ１４０６）。

【００５９】そして、その後低酸素高温加熱処理ステー
ション（ＯＨＰ）で高温加熱処理が行われたウエハＷは
主ウエハ搬送機構１２２を介して低酸素キュア・冷却処
理ステーション（ＤＣＣ）へ搬送される。そして低酸素
キュア・冷却処理ステーション（ＤＣＣ）において、ウ
エハＷは低酸素雰囲気中で高温加熱処理され、冷却処理
される（ステップ１４０７）。

【００６０】低酸素キュア・冷却処理ステーション（Ｄ
ＣＣ）で処理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構１２２
を介して受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）における冷
却板へ搬送される。そして受け渡し・冷却プレート（Ｔ
ＣＰ）における冷却板において、ウエハＷは冷却処理さ
れる（ステップ１４０８）。

【００６１】受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）におけ
る冷却板で冷却処理されたウエハＷはカセットブロック
１１０においてウエハ搬送体１２１を介してウエハカセ
ットＣＲへ搬送される。

【００６２】なお、二層以上の層間絶縁膜を本システム
内で二度塗りによって行うような場合には、図１６に示
すように一度目の塗布が終了し（ステップ１４０１〜１
４０８）た後、基板Ｇの裏面を除電し（ステップ１４０
９）、しかる後に二度塗り（ステップ１４１０）をする
ように構成してもよい。

【００６３】本発明は、上述した実施の形態に限定され
ず、種々変形可能である。例えば、膜の種類は層間絶縁
膜に限らない。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板が処理装置から基板搬送装置に受け渡されるとき、
或いは基板を基板搬送装置から処理装置に受け渡すとき
に基板に帯電した静電気を除去することができ、これに
より基板の静電破壊を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システ
ムの斜視図である。

【図２】図１に示した塗布現像処理システムにおける塗
布・周縁部除去装置の構成を示す平面図である。

【図３】図２に示した塗布・周縁部除去装置におけるレ
ジスト塗布装置の概略構成を示す正面図である。

【図４】図２に示した塗布・周縁部除去装置におけるヘ
ッドの正面図である。

【図５】図４に示したヘッドの斜視図である。

【図６】図２に示した塗布・周縁部除去装置の一部概略
的斜視図である。

【図７】図１に示した主基板搬送装置に除電手段を設け
た一例を示す斜視図である。

【図８】図１に示した主基板搬送装置に除電手段を設け
た他の例を示す斜視図である。

【図９】図８に示した主基板搬送装置における除電動作
を説明するために図である。

【図１０】本発明の他の実施の形態に係るＳＯＤ処理シ
ステムの平面図である。

【図１１】図１０に示したＳＯＤ処理システムの正面図
である。

【図１２】図１０に示したＳＯＤ処理システムの背面図
である。

【図１３】図１０に示したＳＯＤ処理システムにおける
主ウエハ搬送機構の斜視図である。

【図１４】図１０に示したＳＯＤ処理システムの処理フ
ロー図である。

【図１５】図１に示した塗布現像処理システムにおける
塗布・周縁部除去装置の他の構成を示す平面図である。

【図１６】図１０に示したＳＯＤ処理システムにおける
他の処理フローを示す図である。

【符号の説明】

１塗布現像処理システム２２主基板搬送装置２３搬送路３１レジスト塗布装置３２周縁部除去装置４３搬送アーム（副基板搬送装置）４４、５８、５９、１４５イオナイザー（除電手段）１００ＳＯＤ処理システム１２２主ウエハ搬送機構ＳＣＴＳＯＤ塗布処理ステーションＧガラス基板Ｗウエハ

フロントページの続き (72)発明者立山清久熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４東京エレクトロン九州株式会社大津事業所内 (72)発明者太田義治熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４東京エレクトロン九州株式会社大津事業所内 (72)発明者荒木真一郎熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４東京エレクトロン九州株式会社大津事業所内 (72)発明者岩津春生熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４東京エレクトロン九州株式会社大津事業所内Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB16 AB20 DA19 EA04 EA10 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA12 GA03 GA47 GA48 GA49 GA50 MA02 MA09 MA26 PA21 5F046 CD01 CD03 CD06 CD10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも第１の処理装置から第２の処
理装置に基板を搬送する基板搬送装置において、前記基板を除電する除電手段を具備することを特徴とす
る基板搬送装置。
【請求項２】所定の処理装置に基板を搬送する基板搬
送装置において、前記処理装置内に搬入されている基板を除電する除電手
段を具備することを特徴とする基板搬送装置。
【請求項３】前記除電手段は、前記基板に向けてイオ
ンを放射するイオナイザーであることを特徴とする請求
項１または請求項２に記載の基板搬送装置。
【請求項４】基板上にレジストを塗布するレジスト塗
布装置と、前記レジストが塗布された基板の周縁部の該レジストを
除去する周縁部除去装置と、少なくとも前記レジスト塗布装置から前記周縁部除去装
置に前記基板を搬送する基板搬送装置と、前記基板搬送装置上に配置され、前記基板を除電する除
電手段とを具備することを特徴とする基板処理システ
ム。
【請求項５】主搬送路と、前記主搬送路に沿って配置され、基板上にレジストを塗
布するレジスト塗布装置と、前記主搬送路に沿って配置され、前記レジストが塗布さ
れた基板の周縁部の該レジストを除去する周縁部除去装
置と、前記主搬送路に沿って移動可能であり、少なくとも前記
レジスト塗布装置及び前記周縁部除去装置との間で基板
の受け渡しを行う主基板搬送装置と、前記レジスト塗布装置から前記周縁部除去装置に前記基
板を搬送する副基板搬送装置と、前記副基板搬送装置上に配置され、前記基板を除電する
除電手段とを具備することを特徴とする基板処理システ
ム。
【請求項６】基板上に層間絶縁膜材料を塗布する塗布
装置と、前記層間絶縁膜材料が塗布された基板に対して少なくと
も加熱を伴う処理を施す処理装置と、少なくとも前記塗布装置から前記処理装置に前記基板を
搬送する基板搬送装置と、前記基板搬送装置に配置され、前記基板を除電する除電
手段とを具備することを特徴とする基板処理システム。
【請求項７】前記除電手段は、前記基板に向けてイオ
ンを放射するイオナイザーであることを特徴とする請求
項４から請求項６のうちいずれか１項に記載の基板処理
システム。
【請求項８】前記除電手段は、前記基板に向けてイオ
ンを放射するイオナイザーであることを特徴とする請求
項４から請求項６のうちいずれか１項に記載の基板処理
システム。