JP3160690B2 - 処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の技術分野】この発明は、レジスト塗布現像装
置と露光装置との間で相互に半導体ウエハ等の被処理体
を搬送する処理方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、半導体ウエハにレジスト液を塗布し、例えば電
子ビーム露光によりレジストに回路パターン等を転写
し、これを現像処理する一連の処理が施される。

【０００３】このような処理を行う場合、例えば図１２
に示す処理システム６０が使用されている。この処理シ
ステム６０は、被処理体としての半導体ウエハ（以下、
単にウエハという）Ｗに電子線感応レジスト液を塗布
し、露光処理後のウエハＷを現像処理するレジスト塗布
現像装置６１と、このレジスト塗布現像装置６１によっ
てレジスト膜が形成されたウエハＷに電子ビームを照射
して露光処理する電子ビーム露光装置（以下、ＥＢ露光
装置という）６２と、これらレジスト塗布現像装置６１
とＥＢ露光装置６２との間でウエハＷの受け渡しを行う
搬送装置６３とからなる。

【０００４】レジスト塗布現像装置６１は、ウエハＷを
搬入・搬出するローダ部６４、ウエハＷをブラシ洗浄す
るブラシ洗浄部６５、ウエハＷを高圧ジェット水で洗浄
するジェット水洗浄部６６、ウエハＷの表面を疎水化処
理するアドヒージョン部６７、ウエハＷの表面にレジス
ト液を塗布しかつサイドリンス処理によりウエハ周縁部
の余分なレジストを除去する機能を備えたレジスト塗布
部６８、レジスト塗布の前後でウエハＷを加熱してプリ
ベーク並びにポストベークを行うベーク部６９、上記ア
ドヒージョン部６７の下段に配置されウエハＷを所定温
度に冷却する冷却部７０、ＥＢ露光装置６２で露光処理
されたウエハＷを現像処理しかつ現像後のレジストパタ
ーンをリンス処理する機能を備えた現像部７１などを集
合化して構成されている。

【０００５】このレジスト塗布現像装置６１の中央部に
は、２つに分割されたメイン搬送路７２，７３が配置さ
れると共に、それぞれにメイン搬送アーム７４，７５が
移動自在に設けられている。上記各処理部６５〜７１
は、メイン搬送路７２，７３の両側に配置されており、
メイン搬送路７２，７３間には、メイン搬送アーム７
４，７５間でウエハＷの受け渡しを行うための待機台７
６が設けられている。

【０００６】そして、レジスト塗布現像装置６１に隣接
し、ＥＢ露光装置６２との間でウエハＷの搬出搬入を行
うための搬送装置６３には、例えば、メイン搬送路７５
の端部に面して中間受け渡し台７７が昇降可能に設けら
れると共に、この中間受け渡し台７７の両側にバッファ
用キャリアカセット７８が設けられ、更に中間受け渡し
台７７の前に、図１３中、Ｘ，Ｙ（水平）、Ｚ（上下）
及びθ（回転）方向に移動可能なウエハ受渡用搬送機構
７９が設けられ、この搬送機構７９のＥＢ露光装置６２
側にウエハ受渡用載置台８０が配置されている。

【０００７】上述の処理システムでは、レジスト塗布現
像装置６１の未処理のウエハＷの入ったウエハカセット
８１から一方のメイン搬送アーム７４によってウエハＷ
が取り出され、一方のメイン搬送路７２の両側に設けら
れた各処理部６５〜７０へ順次搬送されてレジスト塗布
処理が施された後、待機台７６を介して他方のメイン搬
送アーム７５に受け渡されて搬送装置６３へ搬送され、
中間受け渡し台７７で必要に応じて冷却された後、ウエ
ハ受渡用搬送機構７９により搬送されてウエハ受渡用載
置台８０上に載置される。

【０００８】その後、ウエハＷはＥＢ露光装置６２内に
設けられた図示省略の搬送機構によってＥＢ露光装置６
２内へ搬入されて露光処理される。また、ＥＢ露光装置
６２からレジスト塗布現像装置６１内にウエハＷを搬入
するときは、ＥＢ露光装置６２の搬送機構によって露光
処理後のウエハＷがウエハ受渡用載置台８０上に載置さ
れ、そのウエハＷをウエハ受渡用搬送機構７９が受取
り、中間受け渡し台７７を介して上記他方のメイン搬送
アーム７５へ受け渡される。

【０００９】そして、ウエハＷは上記他方のメイン搬送
アーム７５によって現像処理部７１へ搬送されて現像処
理された後、待機台７６を介して上記一方のメイン搬送
アーム７２に受け渡され、ローダ部６４へ搬送されて処
理済ウエハ用のウエハカセット８２内に収納される。な
お、レジスト塗布現像装置６１とＥＢ露光装置６２の双
方のウエハＷの搬入、搬出のタイミングが大きくずれる
場合などには、ウエハＷはバッファ用キャリアカセット
７８内に一時収容される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
にＥＢ露光装置６２を含む処理システムでは、レジスト
を塗布したウエハＷに電子ビームを照射して露光処理が
なされるため、ウエハＷが帯電しやすい。ウエハＷが帯
電していると、上述した一連の処理及び搬送の過程にお
いて静電気の影響でウエハ表面にパーティクルが付着し
やすくなり、歩留まり低下の原因になる。また、上述し
た一連の処理を繰り返し行う場合などにおいては、帯電
したウエハＷがＥＢ露光処理に供されることになり、ウ
エハＷの周囲に形成される電場の影響で電子ビームが曲
げられてしまい、正確なパターン形状が得られなくな
る。また、ＥＢ露光装置以外の露光装置とレジスト塗布
現像装置とを有する処理システムにおいても、ウエハが
帯電し、上述と同様にウエハがダメージを受ける虞れが
ある。

【００１１】この発明はかかる事情の下に創案されたも
のであり、その目的は、被処理体を除電しつつ、レジス
ト塗布現像装置と露光装置との間で相互に被処理体を搬
送することができる処理方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理方法は、処理装置外部から露光処理
部に被処理体を搬送する工程と、上記被処理体に蓄積し
た電荷と異なる極性のイオン化した気体を吹き付けて帯
電された電荷を除電すると共に、異常帯電を判定・表示
する工程と、所定以上の電荷が蓄積された上記被処理体
を露光処理せずに所定のバッファ用カセットに収納する
工程と、を有することを特徴とする。

【００１３】

【作用】上記のように構成されるこの発明の処理方法に
よれば、処理装置外部から露光処理部に被処理体を搬送
する際、被処理体に蓄積した電荷と異なる極性のイオン
化した気体を吹き付けて帯電された電荷を除電すると共
に、異常帯電を判定・表示し、所定以上の電荷が蓄積さ
れた被処理体を露光処理せずに所定のバッファ用カセッ
トに収納することができる。したがって、異常帯電され
た被処理体の露光処理を防止すると共に、正常な被処理
体のスループットの低下を防止することができる。

【００１４】

【実施例】以下、この発明の処理方法の実施例を図面に
基いて詳細に説明する。図１は、この発明に係る処理装
置の一実施例を示す部分破断斜視図、図２は、図１の平
面図が示されている。なお、レジスト塗布現像装置６１
並びにＥＢ露光装置６２は図１３と同様のものとする。

【００１５】図１及び図２に示すように、この発明に係
る処理装置１は、ＥＢ露光装置６２の被処理体搬出入部
近傍に設けられた第１の受渡用載置部であるウエハ受渡
しステージ２と、レジスト塗布現像装置６１の被処理体
搬出入部近傍に設けられた第２の受渡用載置部であるウ
エハ受渡し台３と、ウエハ受渡しステージ２を介してＥ
Ｂ露光装置６２内の図示省略の被処理体搬送機構と相互
にウエハＷの受け渡しを行うと共にウエハ受渡し台３を
介してレジスト塗布現像装置６１内の被処理体搬送機構
のメイン搬送アーム７５と相互にウエハＷの受け渡しを
行う受渡用搬送アーム４を備えた受渡用搬送機構５と、
ウエハ受渡し台３と受渡用搬送アーム４との間のウエハ
Ｗの受け渡しの際にウエハＷを一時収容するための複数
のバッファ用カセット（以下にバッファ用ウエハカセッ
トという）６とで概略構成されている。

【００１６】上記ウエハ受渡しステージ２には、そのウ
エハ載置面から突出させて３本のウエハ支持ピン８が設
けられている。これらウエハ支持ピン８は、図３に示す
ようにウエハＷの下面に接触してこれを３点支持するよ
うになっている。また、図８に示すように、ウエハ受渡
しステージ２の上方に除電手段であるイオナイザー２３
が設けられており、ウエハ受渡しステージ２上の帯電し
たウエハＷの表面に、イオナイザー２３で生成した異な
る極性のイオン化した気体を吹き付けることによりウエ
ハＷに帯電した電荷を打ち消すことができる。

【００１７】図８に示すイオン化した気体を吹き付けて
除電する方式を採用する場合、処理装置１のウエハ搬送
経路にバーコード等の記号を読み取る機構を設け、例え
ば図１０に示すようにバーコード１１等の識別記号を付
したウエハＷを処理に供することで、バーコード１１か
ら読み取ったそのウエハＷの予想帯電量と実測した帯電
量とを比較し、その結果に基づいてイオナイザー２３が
自動制御されるシステム構成を採用することにより、個
々のウエハＷの帯電量に応じた除電処理を行うことがで
きる。また、このようなシステム構成によれば、ウエハ
の異常帯電を判定・表示したり、異常帯電したウエハや
パイロット用ウエハ等を別途定められた場所例えばバッ
ファ用カセット６に搬送し収納することも可能になる。
したがって、異常帯電により破壊されたウエハＷの露光
処理を防止すると共に、正常なウエハＷのスループット
の低下を防止することができる。

【００１８】上記ウエハ受渡し台３は、昇降装置１９に
よって上下に移動できるようになっており、これを上昇
させた状態でメイン搬送アーム７５との間でウエハＷの
受け渡しができ、下降させた状態で受渡用搬送アーム４
との間でウエハＷの受け渡しができるようになってい
る。このウエハ受渡し台３のウエハ載置面には、メイン
搬送アーム７５及び受渡用搬送アーム４からウエハＷを
受け取る際にウエハＷを正確に位置決めするための３つ
の爪９が設けられている。

【００１９】上記受渡用搬送機構５は、Ｙ方向すなわち
前記メイン搬送路７３と直交する方向に延びる搬送路１
０に沿って移動自在に設けられており、昇降自在かつ回
転自在な搬送基台１３と、この搬送基台１３上に進退自
在に設けられたピンセット式の受渡用搬送アーム４とを
備えている。更に詳細には、Ｙ方向に移動する移動体１
１と、移動体１１に組み込まれた昇降機構によりＺ方向
（上下方向）に昇降される昇降台１２と、昇降台１２上
に上記搬送基台１３を支持してこれを回転させる（θ方
向に駆動する）ための回転軸１４とを具備しており、こ
れらによって受渡用搬送機構５が構成されている。そし
て、この受渡用搬送機構５は、上記ウエハ受渡し台３が
下降位置にあるときに昇降台１２を上昇位置に置いてウ
エハ受渡し台３との間でウエハＷの受け渡しを行い、ま
た、昇降台１２を下降位置に置いて上記ウエハ受渡しス
テージ２との間でウエハＷの受け渡しを行う。

【００２０】搬送基台１３には受渡用搬送アーム４が後
端位置まで後退したときに受渡用搬送アーム４に保持さ
れているウエハＷの後方側の周縁部に当接する当接片１
５が受渡用搬送アーム４を挟んで両側に固定して設けら
れており、これら２つの当接片１５と受渡用搬送アーム
４の先端に形成された段部４ａとにより、ウエハＷが受
渡用搬送アーム４上の適切な保持位置に位置決め（セン
タリング）されるようになっている。受渡用搬送アーム
４は導電性材料例えばステンレススチールで形成されて
おり、除電手段である接地導線１６により処理装置１の
本体フレーム等に電気的に接続されている。なお、受渡
用搬送アーム４が受渡用搬送機構５を介して本体フレー
ムに導通状態であれば、上記接地導線１６を省略しても
よい。

【００２１】上記バッファ用ウエハカセット６は、上記
ウエハ受渡し台３の両側に設けられたガイドフレーム１
８（図４参照）内に、単独に或いは数段に積み重ねて上
下に移動可能に収納されており、バッファ用ウエハカセ
ット６の下方には、カセット取出用ピン１７が設けられ
ている。このカセット取出用ピン１７は、図４に示すよ
うに、ガイドフレーム１８内のバッファ用ウエハカセッ
ト６を上方に押し上げるためのもので、処理装置１本体
の上板１ａを貫通して図示省略の昇降機構により昇降自
在に設けられている。この場合、バッファ用ウエハカセ
ット６とカセット取出用ピン１７は共に導電性材料例え
ばステンレススチールで形成されており、カセット取出
用ピン１７は、除電手段である接地導線１６によって処
理装置１の本体フレーム等に電気的に接続されている。
したがって、バッファ用ウエハカセット６は、カセット
取出用ピン１７との接触により接地される。この場合、
接地導線１６の途中には、１０ＭΩ程度の抵抗を有する
抵抗器７が設けられている。このように設置導線１６の
途中に抵抗器７を設けることにより、カセット取出用ピ
ン１７とウエハＷとが接触した際に急激に放電し過大な
電流が流れるのを防止し、スパークの発生によるウエハ
Ｗの破損を防ぐことができる。

【００２２】次に、上記のように構成されたこの実施例
の処理装置１によるレジスト塗布現像装置６１とＥＢ露
光装置６２間におけるウエハＷの搬送動作について説明
する。

【００２３】レジスト塗布現像装置６１によってレジス
ト液例えば電子ビームに感応する電子線感応レジスト液
が塗布されたウエハＷは、メイン搬送アーム７５によっ
てウエハ受渡し台３に載置される。その後、ウエハ受渡
し台３が下降すると共に、受渡用搬送機構５が駆動して
受渡用搬送アーム４でウエハＷを受け取る。受渡用搬送
アーム４がウエハＷに接触した瞬間に、蓄積されていた
電荷が受渡用搬送アーム４に接続された接地導線１６を
通って導出され、ウエハＷの除電がなされる。その後、
受渡用搬送機構５は、昇降台１２を下降させた後、ウエ
ハ受渡しステージ２との受渡し位置に移動し、受渡用搬
送アーム４を駆動してウエハＷをウエハ受渡しステージ
２のウエハ支持ピン８上に載置する。受渡用搬送アーム
４との接触によるウエハＷの除電が十分でなかった場
合、このウエハ受渡しステージ２の上方に配設されたイ
オナイザー２３からウエハＷに向かってウエハＷに蓄積
された電荷と異なる極性のイオン化した気体が吹き付け
られることにより、再びウエハＷの除電がなされる。こ
の際、上述したように、処理装置１のウエハ搬送経路に
バーコード等の記号を読み取る機構を設け、図１０に示
すようにバーコード１１等の識別記号を付したウエハＷ
を処理に供することで、バーコード１１から読み取った
そのウエハＷの予想帯電量と実測した帯電量とを比較
し、その結果に基づいてイオナイザー２３が自動制御さ
れるシステム構成を採用することにより、個々のウエハ
Ｗの帯電量に応じた除電処理を行うことができる。ま
た、このようなシステム構成によれば、ウエハの異常帯
電を判定・表示したり、異常帯電したウエハやパイロッ
ト用ウエハ等を別途定められた場所例えばバッファ用カ
セット６に搬送し収納することも可能になる。したがっ
て、異常帯電により破壊されたウエハＷの露光処理を防
止すると共に、正常なウエハＷのスループットの低下を
防止することができる。このようにしてウエハＷの除電
を行なった後、ウエハ支持ピン８上のウエハＷがＥＢ露
光装置６２内の図示しないウエハ搬送機構によって露光
処理部に搬送されて露光処理が施される。

【００２４】また、ＥＢ露光装置６２で露光処理された
ウエハＷは、ＥＢ露光装置６２内のウエハ搬送機構によ
ってウエハ受渡しステージ２のウエハ支持ピン８上に載
置され、イオナイザー２３からのイオン化した気体が吹
き付けられることにより、電子ビーム照射によってウエ
ハＷに蓄積されていた電荷が打ち消され、ウエハＷの除
電がなされる。その後、受渡用搬送機構５はウエハ支持
ピン８上のウエハＷを受渡用搬送アーム４で把持して搬
送し、ウエハ受渡し台３に載置する。したがって、ウエ
ハ受渡しステージ２上でのウエハＷの除電が十分でなか
った場合、この受渡用搬送アーム４との接触により、再
びウエハＷの除電がなされる。その後、ウエハ受渡し台
３上のウエハＷがメイン搬送アーム７５によって現像処
理部７１に搬送されて現像処理が施される。

【００２５】また、レジスト塗布現像装置６１とＥＢ露
光装置６２との間でのウエハＷの搬入、搬出のタイミン
グが大きくずれる場合などには、ウエハＷは受渡用搬送
機構５によりバッファ用ウエハカセット６内に搬送され
て一時収容される。そして、カセット取出用ピン１７を
バッファ用ウエハカセット６に接触させることにより、
バッファ用ウエハカセット６内にウエハＷに帯電してい
た電荷がカセット取出用ピン１７に接続された接地導線
１６を通して導出され、ここでもウエハＷの除電がなさ
れる。この場合も接地導線１６の途中に１０ＭΩ程度の
抵抗器７が設けられているので、バッファ用ウエハカセ
ット６とカセット取出用ピン１７とが接触した際に過大
な電流が流れるのを防止し、スパークの発生を防ぐこと
ができる。なお、抵抗器７の抵抗値が１０ＭΩよりも小
さすぎるとスパークが発生し、大きすぎると放電時間を
多大に要することになる。

【００２６】この実施例のように、ウエハ受渡しステー
ジ２、受渡用搬送アーム４及びバッファ用ウエハカセッ
ト６の各々にウエハＷの除電手段を設けたことにより、
帯電したウエハＷがレジスト塗布現像装置６１及びＥＢ
露光装置６２へ搬入されるのを確実に防止できる。

【００２７】したがって、レジスト塗布現像装置６２内
での一連の処理及び搬送の過程における静電気によるウ
エハＷへのパーティクルの付着を防止し、かつＥＢ露光
装置６２によってウエハＷに電子ビームを照射する際に
おけるウエハＷの周囲の電場の影響による電子ビームの
曲りを防止し、正確なパターン形状が得られると共に歩
留まりを著しく向上できる。ただし、この実施例のよう
にウエハ受渡しステージ２、受渡用搬送アーム４及びバ
ッファ用ウエハカセット６の全てに除電手段を設けるこ
とができない場合、少なくともウエハ受渡しステージ２
に除電手段を設けることで十分対応できる。

【００２８】上記実施例におけるウエハ受渡しステージ
２と受渡用搬送アーム４との間でのウエハＷの搬送形態
はほんの一例であり、これ以外にも搬送効率の良い種々
の搬送形態が適用できる。

【００２９】例えば、図５に示すように、ウエハ受渡し
ステージ２の両隣に、ウエハＷを一時待機させるための
載置台２０、２１を設け、例えば、ウエハ受渡しステ
ージ２に載置された露光後のウエハＷ１を一方の載置台
２０上に一旦載置し、他方の載置台２１に待機させた
露光前のウエハＷ２をウエハ受渡しステージ２に載置し
た後、上記一方の載置台２０に待機させた露光後のウ
エハＷ１をレジスト塗布現像装置６１へ搬送するように
受渡用搬送アーム４を動作させることで搬送効率を向上
できる。

【００３０】また、図６に示すように、受渡用搬送アー
ム４を例えば上下に２機装備し、ウエハ受渡しステー
ジ２に載置された露光後のウエハＷ１を一方のアーム４
Ａで受け取る動作と、他方のアーム４Ｂで露光前のウ
エハＷ２をウエハ受渡しステージ２に載置する動作を並
行して行うようにしてもよい。この場合、両方のアーム
４Ａ，４Ｂを接地等して除電可能にしておくことが望ま
しい。

【００３１】なお、図７に示すように、処理装置１内の
ウエハＷを手動にて取り出すための可搬式ピンセット３
２に接地導線１６によって処理装置１の本体等に接地し
ておくことで、人体３３の帯電荷によりウエハＷが帯電
するのを防止できる。

【００３２】上記実施例では、上記受渡し用搬送アーム
４及びバッファ用ウエハカセット６は、ウエハＷと接触
する部材を導電性部材で形成しこれを接地することによ
ってウエハＷの除電を行う方式の除電手段を具備する場
合について説明したが、この発明に係る処理装置にはそ
の他種々の方式による除電手段が適用できる。

【００３３】例えば、ウエハ受渡しステージ２の除電手
段と同様に、受渡し用搬送アーム４の移動領域の上方或
いはバッファ用ウエハカセット６の上方にイオナイザー
２３を設け、受渡し用搬送アーム４或いはバッファ用ウ
エハカセット６上の帯電したウエハＷの表面に、イオナ
イザー２３で生成した異なる極性のイオン化した気体を
吹き付けることによりウエハＷに帯電した電荷を打ち消
す方式や、図９に示すように、受渡し用搬送アーム４の
上方或いはバッファ用ウエハカセット６の上方に紫外線
光源２４を設け、受渡し用搬送アーム４或いはバッファ
用ウエハカセット６上の帯電したウエハＷの表面に、紫
外線光源２４からの紫外線を照射することで、ウエハＷ
に帯電している電荷を放出させる方式等が有効である。

【００３４】図８の方式を採用する場合、上述したよう
に、処理装置１のウエハ搬送経路にバーコード等の記号
を読み取る機構を設け、例えば図１０に示すようにバー
コード１１等の識別記号を付したウエハＷを処理に供す
ることで、バーコード１１から読み取ったそのウエハＷ
の予想帯電量と実測した帯電量とを比較し、その結果に
基づいてイオナイザー２３が自動制御されるシステム構
成を採用することにより、個々のウエハＷの帯電量に応
じた除電処理を行うことができる。また、このようなシ
ステム構成によれば、ウエハの異常帯電を判定・表示し
たり、異常帯電したウエハやパイロット用ウエハ等を別
途定められた場所に搬送し収納することも可能になる。

【００３５】なお、この発明に係る処理装置が適用され
る処理システムにおいては、ＥＢ露光装置の電子ビーム
照射機能を有効に利用し、例えば、図１１に示すよう
に、レジスト３５が塗布されたウエハＷの周縁部に付着
している不要なレジスト３５ａを電子ビーム露光によっ
て露光し現像することにより除去することができる。そ
の場合、ウエハＷの周縁部の上面、側面及び下面に電子
ビームＥＢ１，ＥＢ２及びＥＢ３をそれぞれ照射しつつ
ウエハＷを回転させることにより、不要なレジスト３５
ａを全周に亙って有効に除去できる。また、ウエハＷの
回転を制御することにより、部分的に露光して不要なレ
ジストを除去することも可能である。ウエハＷの周縁部
の不要なレジストを除去することにより、ウエハ搬送中
におけるパーティクルの発生を防止できる。この種の処
理を行う際の露光方法としては、ガウシアンビームによ
る露光、可変矩形ビームによる露光、ブロック露光など
露光方法を採用することができる。ＥＢ露光装置を利用
して不要なレジストの除去処理を行うことにより、レジ
スト除去のための専用の露光装置が不要になる。

【００３６】上記実施例では、被処理体が半導体ウエハ
の場合について説明したが、被処理体は半導体ウエハに
限られるものではなく、例えばＬＣＤ基板をレジスト塗
布現像処理装置とＥＢ露光装置との間で相互に搬送する
ものについても適用できるものである。また、上記実施
例では露光手段として電子ビームを用いる場合について
説明したが、電子ビーム露光以外の半導体ウエハが帯電
し易い露光手段を用いる場合にも適用できるものであ
る。

【００３７】

【発明の効果】以上要するにこの発明の処理方法によれ
ば、処理装置外部から露光処理部に被処理体を搬送する
際、被処理体に蓄積した電荷と異なる極性のイオン化し
た気体を吹き付けて帯電された電荷を除電すると共に、
異常帯電を判定・表示し、所定以上の電荷が蓄積された
被処理体を露光処理せずに所定のバッファ用カセットに
収納することができるので、異常帯電された被処理体の
露光処理を防止すると共に、正常な被処理体のスループ
ットの低下を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る処理装置を適用した処理システ
ムの実施例の要部を示す部分破断斜視図である。

【図２】図１の実施例を示す平面図である。

【図３】この発明に係る処理装置における第１の受渡用
載置部を示す部分断面図である。

【図４】この発明に係る処理装置におけるバッファ用カ
セットの除電手段の一実施例を示す部分断面図である。

【図５】この発明に係る処理装置における被処理体の別
の搬送動作を示す概略平面図である。

【図６】この発明に係る処理装置における被処理体の更
に別の搬送動作を示す概略平面図である。

【図７】この発明に係る処理装置の除電手段の変形実施
例を示す概略側面図である。

【図８】この発明に係る処理装置における第１の受渡用
載置部の除電手段の一実施例を示す部分側面図である。

【図９】この発明に係る処理装置の除電手段の変形実施
例を示す部分側面図である。

【図１０】この発明の処理方法における個別情報のバー
コードマークを付与した半導体ウエハの平面図である。

【図１１】電子ビーム露光装置を半導体ウエハの周縁部
のレジスト除去に使用する際の電子ビーム照射方法を示
す部分断面図である。

【図１２】従来の処理装置を用いた処理システムを示す
平面図である。

【符号の説明】 １ 処理装置 ２ ウエハ受渡しステージ（第１の受渡用載置部） ３ ウエハ受渡第（第２の受渡用載置部） ４ 受渡用搬送アーム ６ バッファ用ウエハカセット（バッファ用カセット） ７ 抵抗器（除電手段） １６ 接地導線（除電手段） １７ カセット取出用ピン（除電手段） ２３ イオナイザー（除電手段） ２４ 紫外線光源（除電手段） ６１ レジスト塗布現像装置 ６２ 電子ビーム露光装置 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−287638（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−133644（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−218175（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−208217（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−7855（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−287923（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/68

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理装置外部から露光処理部に被処理体
   を搬送する工程と、上記被処理体に蓄積した電荷と異な
   る極性のイオン化した気体を吹き付けて帯電された電荷
   を除電すると共に、異常帯電を判定・表示する工程と、
   所定以上の電荷が蓄積された上記被処理体を露光処理せ
   ずに所定のバッファ用カセットに収納する工程と、を有
   することを特徴とする処理方法。