JPS5922340A - 静電チヤツク装置 - Google Patents
静電チヤツク装置Info
- Publication number
- JPS5922340A JPS5922340A JP13242682A JP13242682A JPS5922340A JP S5922340 A JPS5922340 A JP S5922340A JP 13242682 A JP13242682 A JP 13242682A JP 13242682 A JP13242682 A JP 13242682A JP S5922340 A JPS5922340 A JP S5922340A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- dielectric layer
- wafer
- electrostatic chuck
- insulating dielectric
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、導電材料や半導体材料からなる試料を電気的
に固定保持する静電チャック装置の改良に関する。
に固定保持する静電チャック装置の改良に関する。
半導体ウヱーハを加工或いは検査する工程においては、
クエーへを加工機や検査機の所定部位に固定保持するこ
とが必要となる。特に、ウェーハ上に微細なパターンを
描画し多数の半導体素子を形成する集積回路の製作にお
いては。
クエーへを加工機や検査機の所定部位に固定保持するこ
とが必要となる。特に、ウェーハ上に微細なパターンを
描画し多数の半導体素子を形成する集積回路の製作にお
いては。
クエーへを平坦な面に確実に固定保持する必要がある。
従来、このような保持手段としては機械式。
真空式（流体の圧力差を利用したもの）及び電気式のチ
ャックが用いられている。これらの中で電気式のチャッ
ク、すなわち静電チャック装置は試料の平坦度を良くし
て固定できる、取り扱いが簡単である及び真空中での使
用が容易である等の利点を有し、半導体製造分野におい
て特に有用である。なお、静電チャック装置は２つの互
いに反対に帯電されたコンデンサ板の吸引力を利用する
もので、電極、誘電層及び導電性（半導体も含む）の試
料から構成されるものである。
ャックが用いられている。これらの中で電気式のチャッ
ク、すなわち静電チャック装置は試料の平坦度を良くし
て固定できる、取り扱いが簡単である及び真空中での使
用が容易である等の利点を有し、半導体製造分野におい
て特に有用である。なお、静電チャック装置は２つの互
いに反対に帯電されたコンデンサ板の吸引力を利用する
もので、電極、誘電層及び導電性（半導体も含む）の試
料から構成されるものである。
ところで、従来の静電チャック装置にあっては次のよう
な問題がある。す彦わち、半導体ウェーハは第１図（，
１〜（ｅ）に示す如き各種の反りを持つが、同図（、）
（ｄ）に示す反りを持つウェーハを大気中でチャッキ
ングする場合、第２図に示す如くチャッキング開始時に
ウェーハ１０周辺が固定保持され、ウェーハ１と静電チ
ャック板２との間に閉じられた空間３が生じる。このた
め、空間３内に空気が閉じ込められ、空気圧力と静電力
とが約９合ったところでウェーハｌの平坦度が決定され
る。そして、このような平坦度では、前記加工機や検査
機等に要求されるウェーハ平坦度を達成できない。ガお
、第３図中４は電極板、５は絶縁性誘電層、６は直流電
源を示している。また、参考写真に上述のように空気が
閉じ込められた場合のウェーハの平面度を干渉縞で示す
。
な問題がある。す彦わち、半導体ウェーハは第１図（，
１〜（ｅ）に示す如き各種の反りを持つが、同図（、）
（ｄ）に示す反りを持つウェーハを大気中でチャッキ
ングする場合、第２図に示す如くチャッキング開始時に
ウェーハ１０周辺が固定保持され、ウェーハ１と静電チ
ャック板２との間に閉じられた空間３が生じる。このた
め、空間３内に空気が閉じ込められ、空気圧力と静電力
とが約９合ったところでウェーハｌの平坦度が決定され
る。そして、このような平坦度では、前記加工機や検査
機等に要求されるウェーハ平坦度を達成できない。ガお
、第３図中４は電極板、５は絶縁性誘電層、６は直流電
源を示している。また、参考写真に上述のように空気が
閉じ込められた場合のウェーハの平面度を干渉縞で示す
。
本発明の目的は、試料と静電チャック板との間に気体が
閉じ込められるのを防止することができ、反ルのある試
料をも平坦度良く固定保持し得る静電チャック装置を提
供することにある。
閉じ込められるのを防止することができ、反ルのある試
料をも平坦度良く固定保持し得る静電チャック装置を提
供することにある。
本発明の骨子は、静電チャック仮に気体を抜くための穴
や溝等を設けることにある。
や溝等を設けることにある。
すなわち本発明は、電極の平坦な一生面を絶縁性誘電層
で被着してなシ、この絶縁性誘電層上に載置される導電
性試料を電気的に固定保持する静電チャック装置におい
て、チャッキング時に試料と絶縁性誘電層とによシ囲ま
れる突間内の気体をこの空間外に排出する排出機構を設
けるようにしたものである。
で被着してなシ、この絶縁性誘電層上に載置される導電
性試料を電気的に固定保持する静電チャック装置におい
て、チャッキング時に試料と絶縁性誘電層とによシ囲ま
れる突間内の気体をこの空間外に排出する排出機構を設
けるようにしたものである。
本発明によれば、チャッキング時に試料及び絶縁性誘電
層で囲まれる空間からその内部の気体を排出することが
できるので、いかなる反シを持つ試料にあっても平坦度
良く固定保持することができる。したがって、集積回路
製造分野等において、半導体ウェーハをチャッキングす
る際に絶大な効果を発揮する。
層で囲まれる空間からその内部の気体を排出することが
できるので、いかなる反シを持つ試料にあっても平坦度
良く固定保持することができる。したがって、集積回路
製造分野等において、半導体ウェーハをチャッキングす
る際に絶大な効果を発揮する。
第３図（、Ｊ （ｈ）は本発明の一実施例の要部構成を
説明するだめのもので第３図（８）は静電チャック板を
示す平・面図、第３図（ｂ）は同図（ａ）の矢視Ａ−Ａ
断面図である。なお、第２図と同−ＦＩＳ分には同一符
号を付して、その詳しい説明は省略する。
説明するだめのもので第３図（８）は静電チャック板を
示す平・面図、第３図（ｂ）は同図（ａ）の矢視Ａ−Ａ
断面図である。なお、第２図と同−ＦＩＳ分には同一符
号を付して、その詳しい説明は省略する。
この実施例が先に説明した従来例と異なる点は静電チャ
ック板２の構成にある。すなわち、静電チャック仮２に
は、その電極４及び絶縁性誘電層５を貫通する複数の貫
通孔（排出機構）７が形成されて゛いる。これらの車通
孔７は空気を抜くためのもので、静電チャック板２の中
央部イ；］近に一定の間隔で配置されている。そして、
静電チャック板２の上面、つまル絶縁性誘電層５上に半
導体ウェーハ等の試料が置かれ、この試料と電極４との
間に直流電圧を印加して試料を固定保持するものとガっ
ている。
ック板２の構成にある。すなわち、静電チャック仮２に
は、その電極４及び絶縁性誘電層５を貫通する複数の貫
通孔（排出機構）７が形成されて゛いる。これらの車通
孔７は空気を抜くためのもので、静電チャック板２の中
央部イ；］近に一定の間隔で配置されている。そして、
静電チャック板２の上面、つまル絶縁性誘電層５上に半
導体ウェーハ等の試料が置かれ、この試料と電極４との
間に直流電圧を印加して試料を固定保持するものとガっ
ている。
このような構成であれば、前記第１図（ａ） Ｃｄ）に
示す如き反りを持つウェーハをチャッキングする場合、
前記第２図に示した空間３内の空気が貫通孔７を介して
外部に排出されることになる。
示す如き反りを持つウェーハをチャッキングする場合、
前記第２図に示した空間３内の空気が貫通孔７を介して
外部に排出されることになる。
このため、上記空間３内に空気が閉じ込められることも
なく、反シのあるウェーハを平坦度良く確実に（２）足
保持することができる。
なく、反シのあるウェーハを平坦度良く確実に（２）足
保持することができる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものでは々
い。例えば、前記排出機構としての貫通孔の孔径、個数
、配置位置及び形状等は仕様に応じて適宜定めればよい
。また、貫通孔の代りに静電チャック板の試料保持面に
溝を設けるようにしてもよい。この場合、上記溝は少ガ
くともその一端が静電チャック板の外周に達するもので
あればよく、その個数や形状等には何ら限定されない。
い。例えば、前記排出機構としての貫通孔の孔径、個数
、配置位置及び形状等は仕様に応じて適宜定めればよい
。また、貫通孔の代りに静電チャック板の試料保持面に
溝を設けるようにしてもよい。この場合、上記溝は少ガ
くともその一端が静電チャック板の外周に達するもので
あればよく、その個数や形状等には何ら限定されない。
また、電極材料及び絶縁性誘電材料等も仕様に応じて適
宜定めればよいのは勿論のことである。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。
宜定めればよいのは勿論のことである。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は半導体ウェーハの各種反シ状態
を示す模式図、第２図は従来の静電チャック装置を示す
概略構成図、第３図（ａ） （ｂ）は本発明の要部構成
を説明するだめのもので第３図（ａ） ＬＣ静電チャッ
ク板を示す平面図、第１図（ｂ）は同図（８）の矢視Ａ
−Ａ断面図である。 １・・・半導体ウェーハ（試料）、２・・・静電チャッ
ク板、３・・・空間、４・・・電極、５・・・絶縁性誘
電層、６・・・直流電源、７・・・貫通孔（排出機構）
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江武 彦 第１図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ） （
ｅ）第２図 第３図 （ａ） （ｂ） 手続補正書動式） ％式％ ■、事件の表示 特願昭５７−１３２／１２６号 ２ 発明の名称 静電チャック装置 ３、補正をする者 ■ハ′件との関係 特許出願人 （３０７） 東京芝浦璽気株式会社 ４、代理人 昭和５７年１０月２６日 ６、補ＩＩ：、の対象 明細書 ７補氾の内容 明細書第７頁８行目に「第１図（ｂ）」とあるの−ど［
第３１文ｌ （ｂｌ ｊど訂正する。 １５８−
を示す模式図、第２図は従来の静電チャック装置を示す
概略構成図、第３図（ａ） （ｂ）は本発明の要部構成
を説明するだめのもので第３図（ａ） ＬＣ静電チャッ
ク板を示す平面図、第１図（ｂ）は同図（８）の矢視Ａ
−Ａ断面図である。 １・・・半導体ウェーハ（試料）、２・・・静電チャッ
ク板、３・・・空間、４・・・電極、５・・・絶縁性誘
電層、６・・・直流電源、７・・・貫通孔（排出機構）
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江武 彦 第１図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ） （
ｅ）第２図 第３図 （ａ） （ｂ） 手続補正書動式） ％式％ ■、事件の表示 特願昭５７−１３２／１２６号 ２ 発明の名称 静電チャック装置 ３、補正をする者 ■ハ′件との関係 特許出願人 （３０７） 東京芝浦璽気株式会社 ４、代理人 昭和５７年１０月２６日 ６、補ＩＩ：、の対象 明細書 ７補氾の内容 明細書第７頁８行目に「第１図（ｂ）」とあるの−ど［
第３１文ｌ （ｂｌ ｊど訂正する。 １５８−
Claims (3)
- （１）電極の平坦な一生面を絶縁性誘電層で被覆してな
力、この絶縁性誘電層上に載置される導電性試料を電気
的に固定保持する静電チャック装置において、チャッキ
ング時に上記試料と絶縁性誘電層とによシ囲まれる京間
内の気体を該空間外に排出する排出機構を設けてなるこ
とを特徴とする静電チャック装置。 - （２） 前記排出機構は、前記電極及び絶縁性誘電層
を貫通する貫通孔からなるものであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の静電チャック装置。 - （３） 前記排出機構は、前記絶縁性誘電層に設けら
れその少なくとも一端が上記絶縁性誘電層の外周に達す
る溝からなるものであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の静電チャック装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13242682A JPS5922340A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 静電チヤツク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13242682A JPS5922340A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 静電チヤツク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922340A true JPS5922340A (ja) | 1984-02-04 |
Family
ID=15081095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13242682A Pending JPS5922340A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 静電チヤツク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922340A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0373453U (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-24 | ||
| JP2002057209A (ja) * | 2000-06-01 | 2002-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式処理装置および枚葉式処理方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5572029A (en) * | 1978-11-27 | 1980-05-30 | Nec Corp | Tray for semiconductor wafer |
| JPS5857736A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-04-06 | エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン | 静電チヤツク |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP13242682A patent/JPS5922340A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5572029A (en) * | 1978-11-27 | 1980-05-30 | Nec Corp | Tray for semiconductor wafer |
| JPS5857736A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-04-06 | エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン | 静電チヤツク |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0373453U (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-24 | ||
| JP2002057209A (ja) * | 2000-06-01 | 2002-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式処理装置および枚葉式処理方法 |
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