KR20050064336A - 반도체 제조 장치용 폴리이미드 타입 정전척의 라이프타임 개선 방법 - Google Patents

반도체 제조 장치용 폴리이미드 타입 정전척의 라이프타임 개선 방법 Download PDF

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Abstract

폴리이미드 타입 정전척의 라이프 타임 개선 방법이 제공된다. 폴리이미드 타입 정전척의 라이프 타임 개선 방법은, 먼저, 제조 공정시 또는 웨이퍼 검사 시에 웨이퍼와 직접 닿도록 되어 있는 상부 폴리이미드 필름의 손상 상태를 체크한다. 다음, 상부 폴리이미드 필름이 손상되어 유전체의 역할을 하지 못하는 것으로 판단되면, 상부 폴리이미드 필름을 전극부로부터 분리한다. 이어, 전극부 상부에 접합되어 있는 폴리이미드 필름이 완전히 제거되었으면, 전극부 상부에 접착제를 도포한다. 다음, 접착제의 접착력을 이용하여 전극부 상부에 세라믹 재료를 코팅하는 방식으로 접착시킨다. 이에 따라 손상된 폴리이미드 필름을 갖는 폐 정전척은 세라믹 타입의 정전척으로 개조되어 재 사용될 수 있다.

Description

반도체 제조 장치용 폴리이미드 타입 정전척의 라이프 타임 개선 방법{Method for improve life time of polyimide-type electrostatic chuck in semiconductor manufacturing apparatus}
본 발명은 반도체 제조 장치용 폴리이미드 타입 정전척의 라이프 타임 개선 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 손상된 폴리이미드 타입 정전척을 개조하여 정전척의 라이프 타임을 증대하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 공정 설비에는 웨이퍼(Wafer)를 낱장씩 올려 놓고 공정 및 검사를 수행할 때, 상기 웨이퍼를 올려 놓는 수단으로 척(Chuck)이 사용된다.
상기 웨이퍼를 상기 척에 고정하는 방식에는 웨이퍼의 가장자리 부분을 기계적으로 고정시키는 미케니컬 클램핑(Mechanical Clamping) 방식과, 정전척(Electrostatic)을 이용하여 정전기적 힘으로 웨이퍼를 고정시키는 정전기 척킹(Electrostatic chucking) 방식이 있다.
종래의 폴리이미드 타입 정전척은 정전척 바디 위에 전극이 형성되어 있으며, 상기 전극은 유전체막인 폴리이미드 필름(Polyimide film) 사이에 형성된 구조를 갖는다.
상기 폴리이미드 타입의 정전척은, 정전척의 클리닝(Cleaning) 과정에서 상기 폴리이미드 필름이 쉽게 손상되는 문제점이 있었다.
또한, 척킹시 발생되는 척킹 전압(Chucking Voltage) 및 고주파(Rf Power)에 의해 필름에 버닝(Burning) 등이 발생되어 정전척의 수명이 짧아지는 단점을 갖는다.
이러한 특성을 갖는 상기 폴리이미드 타입의 정전척은 그 라이프 타임(Life time)이 6개월 미만으로, 수명을 다하면 폐기 처분하는 것이 일반적이다.
따라서, 상기 정전척의 사용량이 증가하고, 이에 따라 비용이 많이 소모되는 문제점이 있었다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 손상된 폴리이미드 타입 정전척을 개조하여 재 이용할 수 있도록 하는 반도체 제조 장치용 폴리이미드 타입 정전척의 라이프 타임 개선 방법을 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조 장치용 폴리이미드 타입 정전척의 라이프 타임 개선 방법은, 정전척의 전극부 상부에 형성된 제1 유전체의 손상 상태를 체크하는 제1 단계와, 손상된 상기 제1 유전체를 상기 전극부로부터 제거하는 제2 단계와, 상기 제1 유전체가 제거된 상기 전극부 상부에 상기 제1 유전체보다 내구성이 큰 제2 유전체를 접착하는 제3 단계를 포함한다.
이때, 상기 제2 단계 이후에, 상기 전극부 상부에 접착제를 도포하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 제1 유전체는 폴리이미드 필름이고, 상기 제2 유전체는 세라믹 재질인 것이 바람직하다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 라이프 타임 개선 방법이 적용되는 폴리이미드 타입 정전척을 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 II-II'선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 폴리이미드 타입의 정전척은 알류미늄 등으로 이루어진 베이스 플레이트(Base Plate)(10) 상부에 하부 폴리이미드 필름(20)이 형성되어 있으며, 상기 하부 폴리이미드 필름(20) 상부에는 구리 등의 도전 물질로 이루어진 전극부(30)가 형성되어 있다.
상기 전극부(30) 상부에는 상기 하부 폴리이미드 필름(20)과 같은 재질로 이루어진 상부 폴리이미드 필름(40)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 전극부(30)는 상기 상부 및 하부 폴리이미드 필름(20, 40) 사이에서 접착제에 의해 접합 고정되어 있다.
정전척의 상기 상부 폴리이미드 필름(40)은 반도체 제조 공정시, 또는 검사시에 웨이퍼가 직접 닿는 부분이므로 쉽게 손상될 수 있으며, 폴리이미드 필름의 특성상 라이프 타임이 적은 단점을 갖는다.
상기 상부 폴리이미드 필름(40)의 손상이 발생되면, 전극부(30)가 웨이퍼에 직접 노출되는 등, 정전척의 동작 특성을 잃게 된다.
그러므로, 본 발명의 일실시예에서는, 도 3 및 도 4에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 폴리이미드 타입의 정전척을 폐기 처분하지 않고, 재 사용할 수 있도록 하여 그 라이프 타임을 증가시킨다.
구체적으로, 도 3 및 도 4를 참조하면, 먼저, 제조 공정시 또는 웨이퍼 검사 시에 웨이퍼와 직접 닿도록 되어 있는 상부 폴리이미드 필름(40)의 손상 상태를 체크한다(S100).
다음, 상기 상부 폴리이미드 필름(40)이 손상되어 유전체의 역할을 하지 못하는 것으로 판단되면, 상기 상부 폴리이미드 필름(40)을 전극부(20)로부터 제거한다(S200). 상부 폴리이미드 필름(40)이 접착제에 의해 전극부(20)에 접착되어 있으므로 용이하게 분리할 수 있다.
이어, 상기 전극부(20) 상부에 접합되어 있는 폴리이미드 필름(40)이 완전히 제거되었으면, 상기 전극부(20) 상부에 접착제(50)를 도포한다(S300).
다음, 상기 접착제(50)의 접착력을 이용하여 상기 전극부(20) 상부에 폴리이미드 필름(40)보다 내구성이 큰 세라믹 재료(60)를 코팅하는 방식으로 접착시킨다(S400).
여기서, 내구성이라 함은 클리닝시 쉽게 손상되지 않고 척킹 전압 및 고주파에 의해 버닝되지 않는 특성을 지칭한다.
여기서, 상기 세라믹 재료를 코팅하는 예시적인 방식으로는 세라믹 입자를 분사하는 방법이 있다.
이에 따라 손상된 폴리이미드 필름을 갖는 폐 정전척은 세라믹 타입의 정전척으로 개조되어 재 사용될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에서는 하나의 극성이 존재하는 유니 폴라(Unipolar) 타입의 정전척을 예로 들어 설명하였으나, 두 개의 극성이 존재하는 바이 폴라(Bipolar) 타입 또는 다극형의 정전척 또한 실시 가능하다.
따라서, 본 발명에 따르면, 손상된 폴리이미드 필름을 떼어내고, 전극 상부에 세라믹으로 코팅함으로써, 정전척의 사용 주기를 연장시킬 수 있다.
즉, 종래에는 폴리이미드 필름 표면이 손상되면 폐기하였던 정전척을 재 사용할 수 있도록 세라믹 타입의 정전척으로 개조함으로서, 정전척의 라이프 타임을 증대시킬 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 폴리이미드 타입 정전척이 손상되었을 경우, 손상된 폴리이미드 필름을 제거하고 대신 세라믹 재료를 코팅함으로써, 재사용이 가능하도록 하여 정전척의 수명을 연장시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 라이프 타임 개선 방법이 적용되는 폴리이미드 타입 정전척을 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II'선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 폴리이미드 타입 정전척의 라이프타임 개선 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4는 폴리이미드 타입 정전척에서 손상된 폴리이미드 필름을 제거하고 세라믹 재질로 전극 상부를 코팅하는 작업을 나타낸 예시도이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
10: 베이스 플레이트 20: 하부 폴리이미드 필름
30: 전극부 40: 상부 폴리이미드 필름
50: 접착제 60: 세라믹 재료

Claims (3)

  1. 정전척의 전극부 상부에 형성된 제1 유전체의 손상 상태를 체크하는 제1 단계;
    손상된 상기 제1 유전체를 상기 전극부로부터 제거하는 제2 단계; 및
    상기 제1 유전체가 제거된 상기 전극부 상부에 상기 제1 유전체보다 내구성이 큰 제2 유전체를 부착하는 제3 단계를 포함하는 반도체 제조 장치용 폴리이미드 타입 정전척의 라이프 타임 개선 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 제2 단계 이후에, 상기 전극부 상부에 접착제를 도포하는 단계를 더 포함하는 반도체 제조 장치용 폴리이미드 타입 정전척의 라이프 타임 개선 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에서,
    상기 제1 유전체는 폴리이미드 필름이고, 상기 제2 유전체는 세라믹 재질인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치용 폴리이미드 타입 정전척의 라이프 타임 개선 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9054148B2 (en) * 2011-08-26 2015-06-09 Lam Research Corporation Method for performing hot water seal on electrostatic chuck
KR20190007547A (ko) * 2017-07-12 2019-01-23 주식회사 엘케이엔지니어링 정전 척 리페어 방법
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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