JP6022933B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、基板に所定の処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関する。

近年、基板処理技術の発展によって、半導体集積回路や液晶表示素子等の微細化、高密度化、高集積化が目覚しい速度で進んでいる。このような、半導体集積回路や表示素子等の微細化、高集積化に伴って、半導体集積回路や液晶表示素子等における、隣接する導電部同士の間隔がより短く、すなわち導電部同士を隔てる絶縁膜の膜厚がより薄くなってきている。このため、製造工程において基板に生じる静電気により、基板上に形成される絶縁膜の絶縁性が破壊されるといった、静電気放電（Electro-Static Discharge）が大きな問題となっている。

例えば、特許文献１に記載の塗布装置のように、ステージ上に基板を吸着保持し所定の基板処理を施す基板処理装置では、吸着保持後の剥離工程で生じる剥離帯電によって静電気放電（静電気破壊）が引き起こされうる。

そこで、このような静電気破壊を防止するために、基板を除電することが考えられる。例えば、特許文献２には、基板を取り巻く雰囲気を軟Ｘ線（EUV; extreme ultra violet）照射によってイオン化させることによって、基板の除電を行う露光描画装置が記載されている。

特開２０１１−２３０１１２号公報 特開平１０−２３３３５５号公報

ところで、従来は、図１６〜図１９に示すように、ステージ１０１の上方に除電手段１０２が設けられた基板処理装置１００の基板処理スケジュールでは、ステージ１０１からの先行基板Ｗ１の搬出とステージ１０１への後続基板Ｗ２の搬入との間にステージ１０１上に基板が存在しない期間（図１９）があり、この期間内にステージ１０１やリフトピン１０３の除電を行っていた。

ところが、上記構成では、スループットの向上の要求に応じて、先行基板Ｗ１の搬出と後続基板Ｗ２の搬入とを時間的に途切れなく行わせるような基板処理スケジュールを採用すると、ステージ１０１やリフトピン１０３の除電が困難となるという問題が生じる。この結果、ステージ１０１やリフトピン１０３に電荷が蓄積され、静電気破壊が引き起こされうる。

この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、先行基板の搬出と後続基板の搬入とを時間的に途切れなく行わせるような基板処理スケジュールを採用した場合であっても、基板の保持に係る部材（上記ステージやリフトピンなど）を除電することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、（ａ）水平姿勢で基板が載置される保持面を有し、前記保持面上に前記基板を保持する保持手段と、（ｂ）前記保持面上に保持された前記基板に所定の処理を行う処理手段と、（ｃ）前記保持面から出没可能な上端部を有し、前記上端部の上に前記基板を支持可能な可動支持部材と、（ｄ）前記可動支持部材を昇降させることにより、前記可動支持部材の上端部を前記保持面から出没させる昇降手段と、（ｅ）前記保持面よりも下方に配され、前記可動支持部材の上端部が前記保持面よりも低くなっている状態で前記可動支持部材の除電を行う除電手段と、を備え、前記可動支持部材の上端部のうち、少なくともその表面は電気的絶縁体を用いて形成される一方、前記可動支持部材の上端部よりも下の本体部は、導電体を用いて形成されており、前記可動支持部材の本体部には、導電体を用いて形成された第１コンタクト部が設けられ、前記除電手段は、前記可動支持部材の上端部が前記保持面よりも低くなっている状態で前記可動支持部材の前記第１コンタクト部に電気的に接触するとともに、前記上端部が前記保持面よりも高くなっている状態で前記可動支持部材の前記第１コンタクト部とは電気的に非接触となる、導電体を用いて形成された第２コンタクト部と、前記第２コンタクト部を所定の接地経路に電気的に接続した状態で、前記第２コンタクト部を所定高さに支持するコンタクト支持体と、を備えることを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記可動支持部材は、並列的に鉛直方向に立設された複数のピン状部材であって、各ピン状部材は、前記本体部としてピン胴部を備えるともに、前記第１コンタクト部は、前記ピン胴部から水平方向に突出して設けられ、前記第２コンタクト部は、前記第１コンタクト部の下方に配置されていることを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記複数のピン状部材の下端部のうち、少なくともその表面は電気的絶縁体を用いて形成されており、前記昇降手段は、前記複数のピン状部材の下端部を突き上げることによって前記複数のピン状部材を上昇させる一方、前記複数のピン状部材の下端部と接触しつつ下降することによって前記複数のピン状部材を従動的に下降させ、さらに下降ストロークの途中からは前記基板が前記保持面によって受け取られて保持されることにより、前記基板とは分離された状態で下降するピン昇降部材と、前記ピン昇降部材の昇降駆動を行う昇降駆動手段と、を備えることを特徴とする。

請求項４に記載の発明は、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、（ａ）水平姿勢で基板が載置される保持面を有し、前記保持面上に前記基板を保持する保持手段と、（ｂ）前記保持面上に保持された前記基板に所定の処理を行う処理手段と、（ｃ）前記保持面から出没可能な上端部を有し、前記上端部の上に前記基板を支持可能な可動支持部材と、（ｄ）前記可動支持部材を昇降させることにより、前記可動支持部材の上端部を前記保持面から出没させる昇降手段と、（ｅ）前記保持面よりも下方に配され、前記可動支持部材の上端部が前記保持面よりも低くなっている状態で前記可動支持部材の除電を行う除電手段と、を備え、前記処理手段は、所定の処理液を吐出するノズルと、前記保持面上に保持された前記基板に対して前記ノズルを相対的に水平方向に移動させて、前記処理液を前記基板に付与するノズル相対移動機構と、を備え、前記基板処理装置がさらに、前記保持面の上方に配置され、前記保持面に向けてエネルギー線を照射して当該保持面を除電する照射手段と、前記保持面が占有する平面範囲の外部に設けられて、前記ノズルを洗浄する洗浄部と、前記照射手段からのエネルギー線の照射を制御する制御部と、を備えており、前記制御部は、前記照射手段からの照射タイミングを制御することにより、前記保持面上にいずれの基板も存在せず、かつ前記洗浄部で前記ノズルが洗浄されるノズル洗浄期間中に、前記エネルギー線を前記保持面に向けて照射させることを特徴とする。

請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記保持面上での前記処理液の付与が完了した先行基板と、当該先行基板の次に前記保持面上で前記処理液が付与される後続基板とについて、当該装置から前記先行基板を搬出する際の高さ位置である搬出高さは、当該装置に前記後続基板を搬入する際の高さ位置である搬入高さよりも高く、かつ前記照射手段の高さ位置よりも低いことを特徴とする。

請求項６に記載の発明は、基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、（ａ）水平姿勢で基板を保持可能な所定の保持面の上方に前記基板を搬入する搬入工程と、（ｂ）所定の可動支持部材の上端部を前記保持面よりも高い高さに上昇させた状態で、前記可動支持部材の上端部の上に前記基板を受け取る受取工程と、（ｃ）前記上端部の上に前記基板を支持した前記可動支持部材を下降させて、前記保持面上に前記基板を載置させた後、さらに前記可動支持部材の上端部を前記保持面よりも低い高さに下降させて前記上端部と前記基板とを非接触とする下降工程と、（ｄ）前記可動支持部材の上端部と前記基板とが非接触となっている状態で前記可動支持部材の除電を行う可動支持部材除電工程と、（ｅ）前記保持面上の前記基板に所定の基板処理を行う処理工程と、を備え、前記所定の処理は、ノズルから吐出された所定の処理液を前記基板に付与する処理であり、前記方法はさらに、（ｆ）前記可動支持部材を上昇させることによって前記基板を前記可動支持部材の上端部で前記保持面の上方に突き上げた後、前記基板を搬出する搬出工程と、（ｇ）前記工程（ａ）〜（ｆ）を複数の基板について順次に繰返した後、前記保持面が占有する平面範囲の外部に設けられたノズル洗浄部に前記ノズルを移動させるノズル移動工程と、（ｈ）前記ノズル洗浄部で前記ノズルを洗浄する洗浄工程と、（ｉ）前記洗浄工程と並行して、基板が載置されていない前記保持面の上方から前記保持面に向けてエネルギー線を照射し、それによって前記保持面を除電する保持面除電工程と、をさらに備えることを特徴とする。

請求項１ないし請求項６に記載の発明によれば、可動支持部材の上端部が基板の保持面よりも低くなっている状態で可動支持部材の除電が行なわれる。

特に、請求項１に記載の発明によれば、基板と可動支持部材とが接触している期間中は、可動支持部材は電気的に絶縁状態となる。このため、帯電した基板が可動支持部材上に載置されたとしても、静電気破壊が引き起こされにくい。他方、基板と可動支持部材とが非接触な期間中に、可動支持部材は電気的に接地される。このため、可動支持部材に電荷が蓄積されることを防止でき、静電破壊のリスクを低下することができる。

特に、請求項４に記載の発明によれば、保持面上にいずれの基板も存在せず、かつ洗浄部でノズルが洗浄されるノズル洗浄期間中に、エネルギー線を保持面に向けて照射する（保持面の除電を行なう）。このように、塗布処理の実行されない期間に保持面の除電を行なうため、タクトタイムを延長することなく静電気破壊のリスクを低下させることができる。

特に、請求項５に記載の発明によれば、保持面上で基板の搬入出を行なう際に、搬出される基板が照射手段の近くに配される（当該基板についての除電効果が大きい）。したがって、当該基板が帯電した状態で次工程の処理装置に搬送されることを防止でき、静電気破壊のリスクを低下することができる。

実施形態に係る塗布装置１の斜視図である。 実施形態に係る塗布装置１とその周辺装置についての位置関係を示す配置図である。 実施形態に係る塗布装置１において、基板昇降機構２０に係る構成を示す縦断面図である。 実施形態に係る塗布装置１において、基板昇降機構２０に係る構成を示す縦上面図である。 実施形態に係る塗布装置１において、基板昇降機構２０に係る構成を部分的に拡大した斜視図である。 実施形態に係る塗布装置１において、ノズル調整部５０ａに係る構成を示す側面図である。 実施形態に係る塗布装置１において、制御部６０の電気的構成を示すブロック図である。 実施形態に係る塗布装置１の処理動作の流れを示すタイミングチャートである。 実施形態に係る塗布装置１において、基板Ｐ受渡しの際の処理動作の流れを示すタイミングチャートである。 実施形態に係る塗布装置１で、基板Ｐの受渡し過程を示す側面図である。 実施形態に係る塗布装置１で、基板Ｐの受渡し過程を示す側面図である。 実施形態に係る塗布装置１で、基板Ｐの受渡し過程を示す側面図である。 実施形態に係る塗布装置１で、基板Ｐの受渡し過程を示す側面図である。 実施形態に係る塗布装置１で、基板Ｐの受渡し過程を示す側面図である。 実施形態に係る塗布装置１で、基板Ｐの受渡し過程を示す側面図である。 従来技術に係る塗布装置１００で、基板Ｗの受渡し過程を示す側面図である。 従来技術に係る塗布装置１００で、基板Ｗの受渡し過程を示す側面図である。 従来技術に係る塗布装置１００で、基板Ｗの受渡し過程を示す側面図である。 従来技術に係る塗布装置１００で、基板Ｗの受渡し過程を示す側面図である。

＜１ 実施形態＞
＜１．１ 塗布装置１の構成＞
本発明は、種々の基板処理装置に対して適用可能であるが、以下の説明では、液晶表示装置用のガラス基板に対する塗布装置について図面を参照しつつ説明する。図１は、本実施形態に係る塗布装置１の斜視図である。また、図２は、塗布装置１とその周辺装置についての位置関係を示す配置図である。

この塗布装置１は、基板Ｐの表面に処理液であるレジスト液を塗布するスリットコータとも呼称される装置であり、基板Ｐの表面に電極層を形成するプロセスなどに利用される。

この塗布装置１は、基板Ｐをその保持面Ｓ上に保持するステージ１０と、ステージ１０から出没可能なリフトピン２１を昇降させることで当該リフトピン２１の上端部２１ａの上に基板Ｐを支持可能な基板昇降機構２０と、ステージ１０上に保持された基板Ｐにスリットノズル３１から塗布液を塗布する塗布部３０と、ステージ１０の上方に設けられステージ１０の保持面Ｓに向けて軟Ｘ線を照射する除電装置４０と、塗布処理以外のタイミングでスリットノズル３１の調整処理を実行するノズル調整部５０ａ，５０ｂと、これら各部の動作制御を行なう制御部６０とを備える。なお、図１には、基板昇降機構２０（図３）および制御部６０（図７）が省略して描かれている。

ステージ１０は、略直方体の形状を有する花崗岩等の石材から成る石定盤から構成されている。この石材は電気的絶縁性を有する材料である。なお、石定盤に代えてアルミニウムの表面をアルマイト（酸化アルミ）とした定盤など、他の電気的絶縁性を有する材料からなるステージを使用してもよい。

このステージ１０の表面は略水平に平坦に加工されており、その保持面Ｓ上に水平姿勢で基板Ｐを保持する保持手段として機能する（図３参照）。このステージ１０の表面には、複数のリフトピン２１（昇降移動が可能な可動支持部材）が出没するための複数の孔部１１が穿設されるとともに、多数の真空吸着口１２とそれらに連通する細溝の配列（これらは図１に一部のみ図示）が分散して形成されている。図１には、孔部１１および真空吸着口１２に係る構成が、基板Ｐ越しに点線で描かれている。また、ステージ１０の上方には、保持面Ｓに向けて同心円状に軟Ｘ線を照射する照射手段である複数の除電装置４０（本実施形態では４つ）が設けられている。

なお、真空吸着口１２による基板Ｐの吸着は、塗布処理を実行する期間のみ実行される。このため、塗布処理後、リフトピン２１を上昇させるタイミング（保持面Ｓから処理済みの基板Ｐを持ち上げるタイミング）には上記吸着は解除されており、当該吸着機能によってリフトピン２１の上昇が妨げられることはない。

図２に示すように、塗布装置１のＹ方向の両側には、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が配される。搬送ロボットＴＲ１は塗布装置１の−Ｙ側に配され塗布装置１に塗布処理前の基板Ｐを搬入するロボットであり、搬送ロボットＴＲ２は塗布装置１の＋Ｙ側に配され塗布装置１から塗布処理済みの基板Ｐを搬出するロボットである。

搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２は、Ｘ方向に一定間隔をあけてＹ方向に延びる四股のフォーク状のフィンガ部ＦＧ１，ＦＧ２を有しており、また、水平移動機構および昇降機構（図示せず）を有している。このため、水平移動機構および昇降機構を能動化することによって、フィンガ部ＦＧ１，ＦＧ２と複数のリフトピン２１との間で基板Ｐを受け渡すことが可能である（その動作は図１０〜図１５を参照して後述する）。

なお、複数の孔部１１は、Ｘ方向について、四股のフォーク状であるフィンガ部ＦＧ１，ＦＧ２の空隙部分に配される。このため、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と複数のリフトピン２１との間で基板Ｐを受渡す際に、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２がステージ１０の上方にアクセスしたとしても、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２とリフトピン２１とが衝突することがない。

＜塗布部３０＞
塗布部３０は、保持面Ｓ上に保持された基板Ｐの上面に、図外の供給機構から供給されるレジスト液（処理液）をスリット状の吐出口であるスリットノズル３１から吐出するための処理手段である。このスリットノズル３１は、その吐出口がステージ１０の表面に対して略平行なＹ軸方向に沿って延び、かつ、下方に向けてレジスト液を吐出可能に、ノズル支持部３２によって支持される。ノズル支持部３２は、Ｙ軸方向を長手方向とするカーボンファイバ補強樹脂等の板状部材により構成される。そして、ノズル支持部３２の両端部は、一対の昇降機構３３により昇降可能に支持されている。

一対の昇降機構３３は、各々その内部にモータおよびボールネジ等を備え、ノズル支持部３２およびそこに支持されたスリットノズル３１を鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降する構成となっている。これら一対の昇降機構３３により、スリットノズル３１の下端部とステージ１０に支持された基板Ｐの表面との高さ間隔が調整される。

一対の昇降機構３３は、ステージ１０の両端部に配設された一対のガイドレール３４に沿って走行可能となっている。一対の昇降機構３３は、ガイドレール３４に沿って配設された固定子３５ａと、昇降機構３３に付設された移動子３５ｂからなるリニアモータ３５の駆動により移動する。このため、リニアモータ３５の駆動によって、ノズル支持部３２に支持されたスリットノズル３１が、ステージ１０に支持された基板Ｐの表面に沿って移動する。このように、リニアモータ３５は、基板Ｐに対してスリットノズル３１を相対的に水平方向に移動させるノズル相対移動機構として機能する。

一対の昇降機構３３の位置は、リニアモータ３５の固定子３５ａの下方に配置されたスケール部３６ａと、リニアモータ３５の移動子３５ｂに付設された検出部３６ｂからなるリニアエンコーダ３６により検出される。この検出位置情報に基づいて、制御部６０はスリットノズル３１からのレジスト液の吐出を制御する。

以上のような構成によって、スリットノズル３１は、基板Ｐが保持される保持面Ｓの上部空間を、略水平なＸ軸方向に保持面Ｓに対して相対的に移動可能とされる。

また、基板Ｐの各辺の端部から所定の幅の領域は、レジスト液の塗布対象とならない領域（以下、「非塗布領域Ｐａ」と呼ぶ）となっている。そして、基板Ｐのうち、この非塗布領域Ｐａを除いた領域が、レジスト液を塗布すべき領域（以下、「塗布領域Ｐｂ」と呼ぶ）となっている。したがって、この塗布領域Ｐｂに対して塗布処理が行われる（図１参照）。

塗布処理を行う際には、吐出口３１ａからレジスト液を吐出した状態でスリットノズル３１が所定の速度で塗布領域Ｐｂの一方側（例えば、−Ｘ側）端部から他方側（例えば、＋Ｘ側）端部まで水平移動される。この吐出走査により、基板Ｐの塗布領域Ｐｂの全域にわたって均一にレジスト液が塗布され、塗布領域Ｐｂの上に所定の膜厚のレジスト液の層が形成される。

また、後に詳述するように、本実施形態の塗布装置１は、単一のスリットノズル３１によって、＋Ｘ方向と−Ｘ方向とのいずれの方向の塗布走査も行うことができるように構成されている。すなわち、第１の基板に対してはスリットノズル３１によって＋Ｘ方向の塗布走査を行い、当該第１の基板を搬出した後に載置される第２の基板に対しては、同じスリットノズル３１によって−Ｘ方向の塗布走査を行う。同様の往復動作を繰り返すことにより、単一のスリットノズル３１によって、奇数番目の基板には＋Ｘ方向の塗布走査を、偶数番目の基板には−Ｘ方向の塗布走査を行うような、往復走査を繰り返すことができる単一ノズル型の往復走査方式を実現する構成となっている。

＜基板昇降機構２０＞
図３は、図１のＡ−Ａ断面からみた塗布装置１の縦断面図である。図４は、図３のＢ−Ｂ断面からみた上面図である。図５は、図３の領域Ｌ１について部分的に拡大した斜視図である。図３ないし図５では、特に基板昇降機構２０に係る構成を示しており、残余の構成（塗布部３０など）は省略している。

基板昇降機構２０は、直線状に配列された複数の孔部１１（例えば、＋Ｘ側でＹ方向に沿って並ぶ孔部集合１１ａ）から一体的に複数のリフトピン２１（この場合、３本のリフトピン２１）を昇降させる機構である。本実施形態の塗布装置１では、Ｙ方向に沿って３列で配列された孔部集合１１ａ〜１１ｃ（図１）には、それぞれ対応する基板昇降機構２０が設けられている。したがって、これら３つの基板昇降機構２０の動作タイミングが同時となるよう制御することで、全ての孔部１１（本実施形態では９箇所）から、一体的に複数のリフトピン２１（本実施形態では、９本のリフトピン２１）を昇降させることができる。

基板昇降機構２０は、大略的に、リフトピン２１と、塗布装置１に固定的に設置された部材である固定部２２と、導電性のピン昇降部材２３ａを昇降駆動させる昇降部２３（昇降手段）とを備える。以下の説明では、特に孔部集合１１ａに係る基板昇降機構２０について説明し、孔部集合１１ｂ，１１ｃに係る基板昇降機構２０については同様の構成であるので説明を省略する。

固定部２２および昇降部２３はステージ１０の下方に配される。そして、昇降部２３によってリフトピン２１が上下に駆動されることで、リフトピン２１の上端部２１ａが孔部１１を通じてステージ１０の保持面Ｓから出没する（図３参照）。

図３（ａ）および図５（ａ）は、ピン昇降部材２３ａが固定部２２より低位置にあるために、リフトピン２１が電気的に接地された固定部２２に支持される状態（以下、「固定部支持状態」と呼ぶ）を示している。

固定部支持状態におけるリフトピン２１の上端部２１ａの高さ位置（以下、「ピン低位Ｈ１」と呼ぶ）は保持面Ｓより低い。そのため、固定部支持状態では、基板Ｐを保持面Ｓ上に接触し保持することが可能である。そして、保持面Ｓ上に基板Ｐを保持した状態で上記塗布部３０の機能を能動化することによって、当該基板Ｐの表面に塗布処理を施すことができる。

一方、図３（ｂ）および図５（ｂ）は、ピン昇降部材２３ａが固定部２２より高位置にあるために、リフトピン２１が当該ピン昇降部材２３ａによって持ち上げられる形で支持される状態（以下、「昇降部支持状態」と呼ぶ）を示している。

昇降部支持状態において、最も高くリフトピン２１が上昇された場合のリフトピン２１の上端部２１ａの高さ位置を「ピン高位Ｈ２」と呼ぶとき、ピン高位Ｈ２は保持面Ｓより高くなる。したがって、ピン高位Ｈ２のリフトピン２１上に他の基板が存在していない状態で、基板Ｐを保持した搬送ロボットＴＲ１のフィンガ部ＦＧ１がピン高位Ｈ２の上方から下方に向けて移動することで、リフトピン２１上に基板Ｐが渡される（図１２、図１３）。他方、ピン高位Ｈ２のリフトピン２１上に基板Ｐが支持されている状態で、基板Ｐを保持していない搬送ロボットＴＲ２のフィンガ部ＦＧ２がピン高位Ｈ２の下方から上方に向けて上昇することで、塗布装置１から搬送ロボットＴＲ２に基板Ｐが渡される（図１１、図１２）。

以下、基板昇降機構２０の各部について、詳細に説明する。

リフトピン２１（本実施形態では９本）は、並列的に鉛直方向に立設されたピン状部材であって、電気的絶縁体を用いて形成される上端部２１ａと、導電体を用いて形成されるピン胴部２１ｂ（本体部）と、ピン胴部２１ｂから水平方向に突出して設けられる導電性の第１コンタクト部２１ｃと、電気的絶縁体を用いて形成される下端部２１ｄとを有する。

固定部２２は、Ｙ方向に延びる略直方体形状のコンタクト支持体２２ａと、コンタクト支持体２２ａから＋Ｘ方向に突出して設けられる複数の第２コンタクト部２２ｂとを有する。なお、第２コンタクト部２２ｂは導電体を用いて形成されており、コンタクト支持体２２ａは第２コンタクト部２２ｂを所定の接地経路（たとえば塗布装置１の金属フレームを通じて外部接地端子に到る経路）に電気的に接続した状態で当該第２コンタクト部２２ｂを所定の高さに支持する。また、本実施形態ではＹ方向に沿って３本のリフトピン２１が立設されているため、これと対応して、１つのコンタクト支持体２２ａには３箇所に第２コンタクト部２２ｂが設けられている。

第２コンタクト部２２ｂは、第１コンタクト部２１ｃの下方に配され、その一部が上面視において第１コンタクト部２１ｃと重なるようコンタクト支持体２２ａに固定配置される。換言すると、固定部支持状態（図３（ａ）、図５（ａ）参照）において、３本のリフトピン２１の第１コンタクト部２１ｃが、３箇所の第２コンタクト部２２ｂによって支持されるよう、固定部２２は複数のリフトピン２１（孔部集合１１ａ）に対して相対的に配置される。その結果、固定部支持状態では、第１コンタクト部２１ｃと第２コンタクト部２２ｂとが接触し、これらを通じてリフトピン２１が電気的に接地される。このように、固定部２２は、リフトピン２１の除電を行なう除電手段として機能する。

昇降部２３は、導電性のピン昇降部材２３ａと、ピン昇降部材２３ａの昇降駆動を行なう昇降駆動手段２３ｄとを備える。図３ないし図５に示すように、ピン昇降部材２３ａは、Ｙ方向に延びる略直方体形状の当接部支持体２３ｂと、当接部支持体２３ｂから−Ｘ方向に突出して設けられてリフトピン２１の下端部２１ｄに当接するピン当接部２３ｃとを有する。また、本実施形態ではＹ方向に沿って３本のリフトピン２１が立設されているため、これと対応して、１つの当接部支持体２３ｂには３箇所にピン当接部２３ｃが設けられている。

図４に示すように、上面視において、昇降部２３は、固定部２２とは重ならないよう配置される。また、上面視において、ピン当接部２３ｃは、リフトピン２１の下端部２１ｄとは重なるようピン昇降部材２３ａに固定配置される。

このため、昇降駆動手段２３ｄによってピン昇降部材２３ａを上昇させることで、当該ピン当接部２３ｃでリフトピン２１の下端部２１ｄを突き上げ、リフトピン２１を上昇させることができる（昇降部支持状態）。このように、昇降部支持状態では、電気的絶縁体で形成される下端部２１ｄを介してリフトピン２１と昇降部２３とが接触しており、リフトピン２１と固定部２２とは接触していない（リフトピン２１は絶縁状態である）。

一方、昇降駆動手段２３ｄによってピン昇降部材２３ａをリフトピン２１の下端部２１ｄと接触させつつ下降させることで、リフトピン２１を従動的に下降させることができる。このとき、下降ストロークの途中からは、基板Ｐが保持面Ｓに受け取られて保持され、続けてピン昇降部材２３ａを下降させることにより、リフトピン２１は基板Ｐとは分離された状態で下降し、最終的に固定部２２によって支持される（上述した固定部支持状態）。

＜ノズル調整部５０ａ，５０ｂ＞
塗布装置１は、基板Ｐの搬入・搬出を行なう際に保持面Ｓの上方からスリットノズル３１を退避させるため、保持面Ｓが占有する平面範囲の外部（±Ｘ側）に、スリットノズル３１が退避可能な待避エリアＡＲ１，ＡＲ２を有する（図１、図２参照）。また、待避エリアＡＲ１，ＡＲ２には、塗布処理の開始前、或いは塗布処理を所定枚数行うたびに、スリットノズル３１の先端部を正常状態に整えるためのノズル調整部５０ａ，５０ｂが設けられている。図１には、スリットノズル３１が待避エリアＡＲ１に位置する状態が示されている。

まず、ノズル調整部５０ａの構成について説明する。図６は、ノズル調整部５０ａの構成を示す−Ｙ側からの側面図である。

ノズル調整部５０ａは、待避エリアＡＲ１（保持面Ｓが占有する範囲より−Ｘ側）に移動したスリットノズル３１に対して、スリットノズル３１の洗浄処理を行う洗浄部５１と、予備塗布処理を行う予備塗布部５４ａとを備えている（図１、図２、図６参照）。

洗浄部５１は、スリットノズル３１の先端部の形状に合わせた洗浄空間５２と、この洗浄空間５２内においてスリットノズル３１の先端部に洗浄液を噴出するための複数の噴出口５３とから構成される。

洗浄処理を行う場合には、まず、スリットノズル３１が、その先端部が洗浄部５１の洗浄空間５２に入る位置（図６において二点鎖線で示す位置）まで移動される。そして、洗浄部５１の複数の噴出口５３からスリットノズル３１の先端部に対して洗浄液が噴出される。これにより、スリットノズル３１の先端部の側面などに付着したレジスト液が除去される。

予備塗布部５４ａは、洗浄液５５を貯留するハウジング５６と、このハウジング５６内においてその下端部が洗浄液５５中に浸漬され、スリットノズル３１から塗布液が吐出されるプリディスペンスローラ５７と、このプリディスペンスローラ５７の表面から塗布液及び洗浄液を除去するためのドクターブレード５８と、プリディスペンスローラ５７とドクターブレード５８との当接部に洗浄液を噴出する洗浄ノズル５９とを備える。

プリディスペンスローラ５７は、Ｙ方向についてスリットノズル３１のよりも長い略円筒状の部材であり、その軸芯方向がＹ軸方向に沿うように配置されている。プリディスペンスローラ５７の材質は鉄であり、その外周面を含む表面には表面処理が施されている。プリディスペンスローラ５７は、その軸心を中心として図６の矢印方向に回転可能となっている。

予備塗布処理を行う場合には、スリットノズル３１が、プリディスペンスローラ５７の直上位置（図６において実線で示す位置）まで移動され、プリディスペンスローラ５７の外周面と所定のギャップを隔てて配置される。続いて、プリディスペンスローラ５７の回転が開始され、この回転しているプリディスペンスローラ５７の外周面に対してスリットノズル３１から一定時間、一定量のレジスト液が吐出される。

予備塗布処理においてプリディスペンスローラ５７の外周面のうちレジスト液が吐出された部分は、プリディスペンスローラ５７の回転によりハウジング５６の下部に貯留されている洗浄液５５に順次に浸漬される。これにより、プリディスペンスローラ５７の外周面に付着したレジスト液と洗浄液５５とが混合し、プリディスペンスローラ５７の外周面からレジスト液がおおよそ除去される。さらにプリディスペンスローラ５７が回転すると、洗浄液５５に浸漬されたプリディスペンスローラ５７の外周面は、洗浄液５５から引き上げられた後、ドクターブレード５８に当接する。これにより、プリディスペンスローラ５７の外周面への付着物（主に洗浄液やレジスト液の残留物など）がドクターブレード５８によって掻き取られ、プリディスペンスローラ５７の外周面から付着物が除去される。除去された付着物は、洗浄ノズル５９から吐出される洗浄液により、洗浄除去される。

この予備塗布処理を行うことで、スリットノズル３１の吐出口３１ａにレジスト液の液溜りが形成される。このように吐出口に液溜りが均一に形成されると、その後の基板Ｐへの塗布処理を高精度に遂行することが可能となる。

次に、ノズル調整部５０ｂについて説明する。ノズル調整部５０ｂは、待避エリアＡＲ２（保持面Ｓが占有する範囲より＋Ｘ側）に移動したスリットノズル３１に対して、予備塗布処理を行う予備塗布部５４ｂを備えている（図１、図２参照）。予備塗布部５４ｂは、予備塗布部５４ａと保持面Ｓについて鏡面対称の方向関係で設置される同一構成の機構であるため詳細な説明は省略する。

＜制御部６０＞
図７に示す制御部６０は、塗布装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部６０のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部６０は、各種演算処理を行うＣＰＵ６１、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ６２、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ６３、および処理プログラムＰＲやデータなどを記憶しておく固定ディスク６４をバスライン６９に接続して構成されている。

バスライン６９には、基板昇降機構２０、塗布部３０、除電装置４０、およびノズル調整部５０ａ，５０ｂが接続され、また、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２との通信も可能とされている。制御部６０のＣＰＵ６１は、固定ディスク６４に格納されている処理プログラムＰＲを実行することにより、塗布装置１に係る各動作機構を制御して基板Ｐへの塗布動作を進行させる。

また、バスライン６９には、表示装置６６および入力装置６７が電気的に接続されている。表示装置６６は、例えば液晶ディスプレイ等を用いて構成されており、処理結果やメッセージ等の種々の情報を表示する。入力装置６７は、例えばキーボードやマウス等を用いて構成されており、コマンドやパラメータ等の入力を受け付ける。装置のオペレータは、表示装置６６に表示された内容を確認しつつ入力装置６７からコマンドやパラメータ等の入力を行うことができる。なお、表示装置６６と入力装置６７とを一体化してタッチパネルとして構成するようにしても良い。

さらに、バスライン６９には、ＤＶＤやＣＤ−ＲＯＭなどの記録媒体ＲＭから記録内容を読み取る読取装置６８が接続されている。処理プログラムＰＲは、記録媒体ＲＭから読取装置６８によって読み出されて固定ディスク６４に格納されるようにしてもよい。また、ネットワーク経由で外部の情報処理装置からダウンロードされるようにしてもよい。

＜１．２ 塗布装置１の動作＞
＜１．２．１ 塗布装置１の基本動作と基板Ｐ・ステージ１０の除電＞
次に、塗布装置１の基本的な動作の流れについて説明する。図８は、塗布装置１の基本的な動作の流れを示すタイミングチャートである。図中のｔ１１〜ｔ２４は各動作のタイミングを、図中の基板Ｐ１〜基板Ｐ７は塗布装置１で順次に処理される基板Ｐを示している。なお、この動作の開始の時点ｔ１１では、スリットノズル３１は、図１に示すように待避エリアＡＲ１に待機されている。

まず、基板Ｐ１が、搬送ロボットＴＲ１より塗布装置１に搬入され、真空吸着口１２により保持面Ｓ上に水平姿勢で吸着保持される。このように基板Ｐ１が搬入されるタイミングで、予備塗布部５４ａでは予備塗布処理が行われ、スリットノズル３１の吐出口３１ａにレジスト液の液溜りが均一に形成される（塗布処理の準備工程が行われる）。

次に、リニアモータ３５によって、＋Ｘ方向に向けてスリットノズル３１の移動が開始される（ｔ１１）。そして、スリットノズル３１の吐出口３１ａが塗布領域Ｐｂの−Ｘ側端部の上方に位置するまで移動されると、その吐出口３１ａから基板Ｐ１に向けてレジスト液の吐出が開始される（ｔ１２）。

このように、レジスト液の吐出が開始された後も、引き続きスリットノズル３１は＋Ｘ側へ向けて水平移動される。そして、その吐出口３１ａが塗布領域Ｐｂの＋Ｘ側端部の上方に位置すると、レジスト液の吐出が停止される（ｔ１３）。これにより、塗布領域Ｐｂの全面にわたって均一にレジスト液が塗布され、基板Ｐ１の表面上に所定の膜厚のレジスト液の層が形成される。

その後も、スリットノズル３１はリニアモータ３５により＋Ｘ側へ向けて水平移動され、待避エリアＡＲ２で停止される（ｔ１４）。スリットノズル３１が待避エリアＡＲ２に移動されると、塗布処理が完了した基板Ｐ１が搬送ロボットＴＲ２によって塗布装置１から搬出され、後続の基板Ｐ２が搬送ロボットＴＲ１によって塗布装置１内に搬入されるとともに、予備塗布部５４ｂではスリットノズル３１の予備塗布処理が実行される（ｔ１４〜ｔ１５）。

以上説明したように、ｔ１１〜ｔ１４の動作によって、基板Ｐ１への＋Ｘ方向走査が完了する。また、ｔ１４〜ｔ１５の動作によって、塗布処理の完了した基板Ｐ１の搬出、塗布処理前の基板Ｐ２の搬入、およびスリットノズル３１の予備塗布が実行される。これにより、基板Ｐ２に対して−Ｘ方向の塗布走査が開始可能な状態となる。

ｔ１５〜ｔ１６では、リニアモータ３５によりスリットノズル３１を−Ｘ方向に移動させるとともに、ｔ１１〜ｔ１４の動作（＋Ｘ方向の塗布動作）の場合と同様に、スリットノズル３１が塗布領域Ｐｂの上方に位置する期間のみレジスト液の吐出を行う。この結果、基板Ｐ２への−Ｘ方向走査が完了する。

そして、スリットノズル３１が待避エリアＡＲ１まで移動される（ｔ１６）と、塗布処理が完了した基板Ｐ２が搬送ロボットＴＲ２によって塗布装置１から搬出され、後続の基板Ｐ３が搬送ロボットＴＲ１によって塗布装置１内に搬入されるとともに、予備塗布部５４ａではスリットノズル３１の予備塗布処理が実行される（ｔ１６〜ｔ１７）。

このように、本実施形態の塗布装置１では、−Ｘ方向走査の塗布処理と、＋Ｘ方向走査の塗布処理とが順次に繰返し行われ、その間に基板Ｐの搬入出および予備塗布処理が実行される。

さらに、基板Ｐの搬入出を行なう期間には、保持面Ｓの上方に設けられた除電装置４０から、保持面Ｓに向けて軟Ｘ線が照射される（ｔ１４〜ｔ１５、ｔ１６〜ｔ１７、…、ｔ２３〜ｔ２４）。このとき、保持面Ｓの上方には、搬入出される基板Ｐが存在するため（図１１〜図１４参照）、除電装置４０から照射される軟Ｘ線は、当該搬入出される基板Ｐに当てられる。この結果、基板Ｐに蓄積される電荷を取り除くことができ、静電気によって基板Ｐ上に形成される微細要素（電子デバイスなど）が破壊される静電気破壊のリスクを低下することができる。

また、本実施形態の塗布装置１は、稼働時間や塗布処理を実行した基板Ｐの枚数などに応じて、スリットノズル３１が洗浄部５１の上方まで移動され（ノズル移動工程：ｔ２０〜ｔ２１）、洗浄部５１によってスリットノズル３１の洗浄処理が行われる（洗浄工程：ｔ２１〜ｔ２２）。

そこで、このノズル洗浄期間中に、ステージ１０上に基板Ｐが存在しない状態で除電装置４０からステージ１０上に軟Ｘ線を照射するよう、照射タイミングが制御される。

より具体的には、洗浄処理前に塗布処理を完了した基板Ｐ４の搬出後、後続の基板Ｐ５の搬入は一定時間行わず、ノズル洗浄期間中ステージ１０上に基板Ｐが存在しない時間帯を確保するよう制御部６０によって各部の動作を制御する。そして、この洗浄工程と並行して、除電装置４０による除電を実行する（保持面除電工程：ｔ２１〜ｔ２２）。このとき、ステージ１０の上方に基板Ｐは存在しないので、除電装置４０より照射される軟Ｘ線はステージ１０上に当てられる。この結果、ステージ１０に蓄積される電荷を取り除くことができ、静電気によって基板Ｐ上に形成される微細要素（電子デバイスなど）が破壊される静電気破壊のリスクを低下することができる。

また、ノズル洗浄期間（ｔ２１〜ｔ２２）は、スリットノズル３１が洗浄部５１の上方（待避エリアＡＲ１）に配され、基板Ｐへの塗布処理を実行できない期間である。このため、ノズル洗浄処理後に塗布処理を再開可能なタイミング（ｔ２４）までに、ステージ１０の除電が終了され、後続基板である基板Ｐ５がステージ１０上に配されていれば、塗布処理のタクトタイムが延長されることはない。

そして、ノズル洗浄処理が終了すると、塗布装置１に順次に送られる基板Ｐ５〜Ｐ７への塗布処理（スリットノズル３１の往復走査）が再開される。

＜１．２．２ 基板Ｐの受渡し動作とリフトピン２１の除電＞
以下、本実施形態の基板Ｐの受渡し動作について説明する。

図９は、基板Ｐ受渡しの際における塗布装置１および搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２の動作の流れを示すタイミングチャートである。図中のｔ１〜ｔ１０は、各部の動作のタイミングを示している。また、図１０〜図１５は、基板Ｐの受渡しの過程を示す塗布装置１の側面図である。図１０〜図１５では、特に基板Ｐの受渡しに係る構成（基板昇降機構２０、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２）を示しており、残余の構成（塗布部３０など）は省略している。

基板Ｐ１への塗布処理が完了すると、昇降駆動手段２３ｄによってピン昇降部材２３ａを上昇させる。この結果、リフトピン２１の下端部２１ｄがピン当接部２３ｃによって突き上げられ、リフトピン２１はピン高位Ｈ２まで上昇する（図１０〜図１１）。

このとき、図９に示すように、リフトピン２１はピン低位Ｈ１から（ｔ１）、リフトピン２１の上端部２１ａが保持面Ｓと同じ高さになるピン中位（ｔ２）を経て、保持面Ｓに保持される基板Ｐ１の下面に当接して当該基板Ｐ１を支持した状態でピン高位Ｈ２まで上昇する（ｔ３）。

このように、保持面Ｓから基板Ｐを剥離させる場合には、当該剥離で生じる剥離帯電によって静電気放電（静電気破壊）が引き起こされうる。しかしながら、本実施形態の塗布装置１では、基板Ｐとリフトピン２１とが接触している期間は、リフトピン２１の下端部２１ｄ（電気的絶縁体）がピン当接部２３ｃによって支持された昇降部支持状態であり、リフトピン２１が絶縁状態となっている。このため、当該基板Ｐ１が静電気破壊するリスクを低下することができる。

また、上述したように、基板Ｐの搬入出が行なわれる期間（ｔ３〜ｔ７）には、除電装置４０によって保持面Ｓに向けて軟Ｘ線が照射される（図１１〜図１４）。

基板Ｐ１がピン高位Ｈ２まで上昇されると、搬送ロボットＴＲ２が基板Ｐ１を受け取る（図１１〜図１２）。具体的には、基板Ｐを保持していない搬送ロボットＴＲ２が、そのフィンガ部ＦＧ２を基板Ｐ１の下方（ピン高位Ｈ２より低い位置）に挿入し（ｔ４）、当該フィンガ部ＦＧ２を搬出高さＨ４まで上昇させる（ｔ５）。

その後、搬送ロボットＴＲ２によって基板Ｐ１が塗布装置１の外部（＋Ｙ側）に搬出されるとともに、搬送ロボットＴＲ１によって後続の未処理基板Ｐ２が塗布装置１内に搬入される（図１２〜図１３）。具体的には、搬送ロボットＴＲ２が基板Ｐ１をフィンガ部ＦＧ２に保持した状態で装置外部に移動する（搬出工程）。それと同時に、基板Ｐ２をフィンガ部ＦＧ１に保持した搬送ロボットＴＲ１が、そのフィンガ部ＦＧ１をリフトピン２１の上方に挿入し（搬入工程）、ピン高位Ｈ２の上方から下方に向けて移動する。この結果、ピン高位Ｈ２に位置するリフトピン２１の上端部２１ａ上に基板Ｐ２が受け取られる（受取工程）。

このように、本実施形態の塗布装置１では、基板Ｐ１の搬出と基板Ｐ２の搬入とが時間的にオーバーラップして行われる（ｔ３〜ｔ７）。このため、本実施形態における塗布装置１では、基板Ｐ１の搬出を待って基板Ｐ２の搬入を行なう搬送シーケンスを採用する場合（図１６〜図１９）に比べて、搬送処理のタクトアップが実現される。

また、図９および図１２に示すように、搬送ロボットＴＲ２が塗布装置１から基板Ｐ１（塗布処理済みの先行基板）を搬出する際の高さ位置である搬出高さＨ４は、搬送ロボットＴＲ１が塗布装置１内に基板Ｐ２（塗布処理前の後続基板）を搬入する際の高さ位置である搬入高さＨ３よりも高く、除電装置４０よりも低い。このため、基板Ｐ１の搬出と基板Ｐ２の搬入とを行なう際には、搬出される基板Ｐ１の方が除電装置４０の近くに配され、基板Ｐ１に対してより大きな除電効果が得られる。その結果、基板Ｐ１が帯電した状態で次工程の処理装置に搬送されることを防止でき、当該基板Ｐ１について静電気破壊のリスクを低下することができる。

また、上述したように、本実施形態の塗布装置１では、基板Ｐとリフトピン２１とが接触している期間では、昇降部２３がリフトピン２１を支持する昇降部支持状態であり、リフトピン２１は電気的に絶縁されている。このため、搬送ロボットＴＲ１によってリフトピン２１上に載置される基板Ｐ２が仮に帯電した状態（静電気放電を起こしやすい状態）であったとしても、当該基板Ｐ２が静電気破壊するリスクを低下することができる。

そして、基板Ｐ２がリフトピン２１上に載置されると、図１３〜図１４に示すように、搬送ロボットＴＲ１は塗布装置１の外部（−Ｙ側）に退避し、後続の未処理基板Ｐ３を受け取りにいく。

その後、図１４〜図１５に示すように、昇降駆動手段２３ｄによってピン昇降部材２３ａが下降される（下降工程）。このとき、ピン高位Ｈ２からピン中位までは、ピン当接部２３ｃとリフトピン２１の下端部２１ｄとが接触した状態で、ピン昇降部材２３ａ（ピン当接部２３ｃ）の下降に伴ってリフトピン２１は従動的に下降される。そして、ピン中位で基板Ｐ２が保持面Ｓに受け取られて吸着保持される（ｔ８）ことにより、ピン中位からピン低位Ｈ１まではピン昇降部材２３ａは基板Ｐ２とは分離された状態で下降する（ｔ８〜ｔ９）。

図１５に示すようにリフトピン２１がピン低位Ｈ１まで下降すると、保持面Ｓに吸着保持された基板Ｐ２に対して、塗布部３０によるレジスト液の塗布処理が開始される（処理工程）。そして、図９に示すように、塗布処理期間中（ｔ９〜ｔ１０）は、リフトピン２１が固定部支持状態となる。すなわち、リフトピン２１は、その第１コンタクト部２１ｃが固定部２２の第２コンタクト部２２ｂに支持される状態となり、所定の接地経路に電気的に接続される（可動支持部材除電工程）。この結果、リフトピン２１に蓄積される電荷は、この塗布処理期間中に除去される。

また、塗布処理期間中（ｔ９〜ｔ１０）は、除電装置４０がＯＦＦとされる。このように、静電気放電が生じる可能性が低い期間中は除電装置４０を使用しないことによって、除電装置４０の長寿命化が実現される。

以上、塗布処理済みの基板Ｐ１を塗布装置１から搬出するとともに、未処理の基板Ｐ２を塗布装置１に搬入する動作について説明したが、その後の基板Ｐの受け渡し動作（図９に示す基板Ｐ２と基板Ｐ３の受渡し動作）もこれと同様である。また、図８に示したノズル洗浄期間の前後では、基板Ｐの搬出のみ（或いは搬入のみ）という処理を含むが、これらの処理は、図１１〜図１４で説明した搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２の動作のうち片方のロボットを動作させることで実現される。

＜１．３ 塗布装置１の効果＞
以下、本実施形態における塗布装置１の効果について説明する。

（１）本実施形態の塗布装置１では、図９のｔ５〜ｔ６に示すように、先行基板Ｐ１の搬出と後続基板Ｐ２の搬入とが時間的にオーバーラップして行われる。このため、本実施形態における塗布装置１では、先行基板Ｐ１の搬出を待って後続基板Ｐ２の搬入を行なう搬送シーケンスを採用する場合（図１６〜図１９）に比べて、搬送処理のタクトアップが実現される。

（２）本実施形態における塗布装置１では、リフトピン２１が固定部２２に支持される状態（固定部支持状態）において、第１コンタクト部２１ｃと第２コンタクト部２２ｂとが接触することにより、リフトピン２１が電気的に接地される（除電される）。

このように、リフトピン２１の除電手段（固定部２２）が保持面Ｓよりも下方に配され、リフトピン２１の上端部２１ａが保持面Ｓよりも低くなっている状態で、リフトピン２１の除電が行なわれる。したがって、上記（１）のように基板Ｐの搬入出をオーバーラップして行う（除電装置４０によって上方からリフトピン２１の除電を行うことができない）動作シーケンスを採用したとしても、固定部支持状態の期間（図９：ｔ９〜ｔ１０）を確保することで、リフトピン２１の除電を行うことができる。この結果、リフトピン２１に蓄積される電荷を取り除くことができ、静電気によって基板Ｐ上に形成される微細要素（電子デバイスなど）が破壊される静電気破壊のリスクを低下することができる。

（３）本実施形態における塗布装置１では、リフトピン２１の下端部２１ｄが電気的絶縁体で形成されているため、当該下端部２１ｄが昇降部２３に支持される状態（昇降部支持状態）において、リフトピン２１が電気的に絶縁されている。また、リフトピン２１の上端部２１ａが保持面Ｓの上に存在する期間（リフトピン２１が基板Ｐと接触しうる期間）では、常に、リフトピン２１は昇降部支持状態（図９：ｔ１〜ｔ９）となる。

このため、リフトピン２１の上端部２１ａと基板Ｐとが接触している期間では、リフトピン２１は電気的に絶縁状態であり、搬送ロボットＴＲ１によってリフトピン２１上に載置される基板Ｐが仮に帯電した状態（静電気放電を起こしやすい状態）であったとしても、当該基板Ｐについて静電気破壊のリスクを低下することができる。

（４）本実施形態の塗布装置１では、基板Ｐの搬入出の期間に、保持面Ｓの上方に設けられた除電装置４０から保持面Ｓに向けて軟Ｘ線が照射される。このとき、保持面Ｓの上方には、搬入出される基板Ｐが存在するため（図１１〜図１４参照）、除電装置４０から照射される軟Ｘ線は、当該搬入出される基板Ｐに当てられる。この結果、基板Ｐに蓄積される電荷を取り除くことができ、基板Ｐについて静電気破壊のリスクを低下することができる。

特に、図９および図１２に示すように、搬送ロボットＴＲ２が塗布装置１から先行基板Ｐ１を搬出する際の高さ位置である搬出高さＨ４は、搬送ロボットＴＲ１が塗布装置１内に後続基板Ｐ２を搬入する際の高さ位置である搬入高さＨ３よりも高く、除電装置４０よりも低い。このため、基板Ｐ１の搬出と基板Ｐ２の搬入とを行なう際に、搬出される基板Ｐ１の方が除電装置４０の近くに配され、当該基板Ｐ１についてより大きな除電効果が得られる。その結果、搬出された基板Ｐ１が帯電した状態で次工程の処理装置に搬送されることを防止でき、基板Ｐ１について静電気破壊のリスクを低下することができる。

一方、塗布処理期間中（図９：ｔ９〜ｔ１０）は、除電装置４０がＯＦＦとされる。このように、静電気放電が生じる可能性が低い期間中に除電装置４０を使用しないことによって、除電装置４０の長寿命化が実現される。

（５）本実施形態の塗布装置１では、当該装置の稼働時間や塗布処理を実行した基板Ｐの枚数などに応じて、洗浄部５１によってスリットノズル３１の洗浄処理が行われる。そして、この洗浄期間中に、ステージ１０上に基板Ｐが存在しない状態で除電装置４０による除電が実行される（図８：ｔ２１〜ｔ２２）。このとき、ステージ１０の上方に基板Ｐは存在しないので、除電装置４０より照射される軟Ｘ線はステージ１０上に当てられる。この結果、ステージ１０に蓄積される電荷を取り除くことができ、基板Ｐについて静電気破壊のリスクを低下することができる。

また、ノズル洗浄期間は、スリットノズル３１が洗浄部５１の上方（待避エリアＡＲ１）に配され、基板Ｐへの塗布処理を実行できない期間である。このため、ノズル洗浄処理後に塗布処理を再開可能なタイミングまでに、ステージ１０の除電が終了され、後続基板Ｐがステージ１０上に配されるよう動作制御を行なうことで、塗布処理のタクトタイムが延長されることを防止できる。

＜１．４ 変形例＞
以下、本発明の変形例について説明する。

上記実施形態では、液晶用のガラス基板にレジスト液を塗布する場合について説明したが、これに限られるものではない。本発明における被処理基板は、有機ＥＬ表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、半導体基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板などの他の基板であってもよい。塗布処理における処理液もレジスト液に限らず、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の処理液であってもよい。

また、基板Ｐに施す基板処理についても、上述した塗布処理に限られるものではない。本発明は、水平姿勢で基板Ｐを保持する保持面Ｓから可動支持部材を出没させる機構として基板昇降機構２０を採用可能な装置であれば、種々の基板処理装置（例えば、減圧乾燥装置や露光装置など）に適用することができる。

上記実施形態では、保持面Ｓ上に保持された基板Ｐに対してスリットノズル３１（ノズル）を相対的に水平方向に移動させるノズル相対移動機構として、スリットノズル３１を移動させるリニアモータ３５を採用したが、これに限られるものではない。すなわち、ステージ１０を水平に移動させ、これによって、基板Ｐとノズルとの相対的な水平移動を実現させる構成でもよい。

上記実施形態ではリフトピン２１の上端部２１ａが電気的絶縁体で構成される場合について説明したが、上端部２１ａ全体が電気的絶縁体で構成される必要はなく、少なくともその上端部２１ａの表面（基板Ｐと接触する部分）が電気的絶縁体で構成されればよい。導電体からなるリフトピン２１のうち、その上端を絶縁体で被覆する構成などがこれに含まれる。下端部２１ｄについても同様に、少なくともその表面（昇降部２３と接触する部分）が電気的絶縁体であればよい。

上記実施形態においては、可動支持部材としてリフトピン２１を採用していたが、板状の可動支持部材であっても良い。すなわち、基板を水平姿勢で昇降させることができれば足り、リフトピン２１の本数（実施例では９本）も３本以上であれば何本でもよい。この場合、基板昇降機構２０の各部の構成（第２コンタクト部２２ｂの個数、ピン当接部２３ｃの個数など）もリフトピン２１の本数と対応して設けられる。

上記実施形態では、ステージ１０の保持面Ｓを除電するための構成として、保持面Ｓに向けて同心円状に軟Ｘ線を照射する除電装置４０が採用されていたがこれに限られるものではない。本発明の照射手段としては、ステージ１０の保持面Ｓに向けて上方からエネルギー線を照射して当該保持面Ｓを除電することができれば足り、例えば、コロナ放電による電子線を利用した除電装置を上記実施形態の除電装置４０に代えて採用することができる。また、軟Ｘ線を照射する除電装置４０を採用する場合においても、上記実施形態の設置数（４つ）は実施の一例であり、当該設置数は１個でもよく複数個でもよい。

上記実施形態の塗布部３０は、往復走査方式のスリットノズル３１を採用していたがこれに限られるものではない。すなわち、一方向（例えば、＋Ｘ方向）にのみ塗布走査可能なスリットノズル３１を採用してもよい。この場合、ノズル調整部は、塗布走査開始時にスリットノズル３１が配される−Ｘ側にのみ設けられ（ノズル調整部５０ａのみ設けられ）、塗布走査の開始前に予備塗布部５４ａで予備塗布処理が実行される。また、基板Ｐへの塗布走査後は、スリットノズル３１が待避エリアＡＲ１（塗布走査の開始位置）に戻される。この戻り速度を塗布走査速度より高速に設定することで、タクトタイムの延長を防止できる。

１０ ステージ
１１ 孔部
１２ 真空吸着口
２０ 基板昇降機構
２１ リフトピン
２１ａ 上端部
２１ｂ ピン胴部
２１ｃ 第１コンタクト部
２１ｄ 下端部
２２ 固定部
２２ｂ 第２コンタクト部
２３ 昇降部
３０ 塗布部
３１ スリットノズル
４０ 除電装置
５０ａ，５０ｂ ノズル調整部
５１ 洗浄部
５４ａ，５４ｂ 予備塗布部
６０ 制御部
ＡＲ１，ＡＲ２ 待避エリア
ＦＧ１，ＦＧ２ フィンガ部
Ｐ，Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ７ 基板
Ｓ 保持面
ＴＲ１，ＴＲ２ 搬送ロボット

Claims (6)

1. 基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
   （ａ）水平姿勢で基板が載置される保持面を有し、前記保持面上に前記基板を保持する保持手段と、
   （ｂ）前記保持面上に保持された前記基板に所定の処理を行う処理手段と、
   （ｃ）前記保持面から出没可能な上端部を有し、前記上端部の上に前記基板を支持可能な可動支持部材と、
   （ｄ）前記可動支持部材を昇降させることにより、前記可動支持部材の上端部を前記保持面から出没させる昇降手段と、
   （ｅ）前記保持面よりも下方に配され、前記可動支持部材の上端部が前記保持面よりも低くなっている状態で前記可動支持部材の除電を行う除電手段と、
   を備え、
   前記可動支持部材の上端部のうち、少なくともその表面は電気的絶縁体を用いて形成される一方、
   前記可動支持部材の上端部よりも下の本体部は、導電体を用いて形成されており、
   前記可動支持部材の本体部には、導電体を用いて形成された第１コンタクト部が設けられ、
   前記除電手段は、
   前記可動支持部材の上端部が前記保持面よりも低くなっている状態で前記可動支持部材の前記第１コンタクト部に電気的に接触するとともに、前記上端部が前記保持面よりも高くなっている状態で前記可動支持部材の前記第１コンタクト部とは電気的に非接触となる、導電体を用いて形成された第２コンタクト部と、
   前記第２コンタクト部を所定の接地経路に電気的に接続した状態で、前記第２コンタクト部を所定高さに支持するコンタクト支持体と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記可動支持部材は、並列的に鉛直方向に立設された複数のピン状部材であって、
   各ピン状部材は、前記本体部としてピン胴部を備えるともに、
   前記第１コンタクト部は、前記ピン胴部から水平方向に突出して設けられ、
   前記第２コンタクト部は、前記第１コンタクト部の下方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記複数のピン状部材の下端部のうち、少なくともその表面は電気的絶縁体を用いて形成されており、
   前記昇降手段は、
   前記複数のピン状部材の下端部を突き上げることによって前記複数のピン状部材を上昇させる一方、前記複数のピン状部材の下端部と接触しつつ下降することによって前記複数のピン状部材を従動的に下降させ、さらに下降ストロークの途中からは前記基板が前記保持面によって受け取られて保持されることにより、前記基板とは分離された状態で下降するピン昇降部材と、
   前記ピン昇降部材の昇降駆動を行う昇降駆動手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
4. 基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
   （ａ）水平姿勢で基板が載置される保持面を有し、前記保持面上に前記基板を保持する保持手段と、
   （ｂ）前記保持面上に保持された前記基板に所定の処理を行う処理手段と、
   （ｃ）前記保持面から出没可能な上端部を有し、前記上端部の上に前記基板を支持可能な可動支持部材と、
   （ｄ）前記可動支持部材を昇降させることにより、前記可動支持部材の上端部を前記保持面から出没させる昇降手段と、
   （ｅ）前記保持面よりも下方に配され、前記可動支持部材の上端部が前記保持面よりも低くなっている状態で前記可動支持部材の除電を行う除電手段と、
   を備え、
   前記処理手段は、
   所定の処理液を吐出するノズルと、
   前記保持面上に保持された前記基板に対して前記ノズルを相対的に水平方向に移動させて、前記処理液を前記基板に付与するノズル相対移動機構と、
   を備え、
   前記基板処理装置がさらに、
   前記保持面の上方に配置され、前記保持面に向けてエネルギー線を照射して当該保持面を除電する照射手段と、
   前記保持面が占有する平面範囲の外部に設けられて、前記ノズルを洗浄する洗浄部と、
   前記照射手段からのエネルギー線の照射を制御する制御部と、
   を備えており、
   前記制御部は、前記照射手段からの照射タイミングを制御することにより、前記保持面上にいずれの基板も存在せず、かつ前記洗浄部で前記ノズルが洗浄されるノズル洗浄期間中に、前記エネルギー線を前記保持面に向けて照射させることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項４に記載の基板処理装置において、
   前記保持面上での前記処理液の付与が完了した先行基板と、当該先行基板の次に前記保持面上で前記処理液が付与される後続基板とについて、
   当該装置から前記先行基板を搬出する際の高さ位置である搬出高さは、当該装置に前記後続基板を搬入する際の高さ位置である搬入高さよりも高く、かつ前記照射手段の高さ位置よりも低いことを特徴とする基板処理装置。
6. 基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、
   （ａ）水平姿勢で基板を保持可能な所定の保持面の上方に前記基板を搬入する搬入工程と、
   （ｂ）所定の可動支持部材の上端部を前記保持面よりも高い高さに上昇させた状態で、前記可動支持部材の上端部の上に前記基板を受け取る受取工程と、
   （ｃ）前記上端部の上に前記基板を支持した前記可動支持部材を下降させて、前記保持面上に前記基板を載置させた後、さらに前記可動支持部材の上端部を前記保持面よりも低い高さに下降させて前記上端部と前記基板とを非接触とする下降工程と、
   （ｄ）前記可動支持部材の上端部と前記基板とが非接触となっている状態で前記可動支持部材の除電を行う可動支持部材除電工程と、
   （ｅ）前記保持面上の前記基板に所定の基板処理を行う処理工程と、
   を備え、
   前記所定の処理は、ノズルから吐出された所定の処理液を前記基板に付与する処理であり、
   前記方法はさらに、
   （ｆ）前記可動支持部材を上昇させることによって前記基板を前記可動支持部材の上端部で前記保持面の上方に突き上げた後、前記基板を搬出する搬出工程と、
   （ｇ）前記工程（ａ）〜（ｆ）を複数の基板について順次に繰返した後、前記保持面が占有する平面範囲の外部に設けられたノズル洗浄部に前記ノズルを移動させるノズル移動工程と、
   （ｈ）前記ノズル洗浄部で前記ノズルを洗浄する洗浄工程と、
   （ｉ）前記洗浄工程と並行して、基板が載置されていない前記保持面の上方から前記保持面に向けてエネルギー線を照射し、それによって前記保持面を除電する保持面除電工程と、
   をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。

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