JP2008063048A - 表面処置用設置・取り出し方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理物を設置するための設置部20の対向する一対の側部に外端支持手段50を設ける。昇降機構54によって、外端支持手段50を設置部20の設置面より突出した上位置と設置面より引っ込んだ下位置の間で昇降可能にする。上位置の外端支持手段50により被処理物Wの外端部が支持されるようにする。設置部20には、複数の小孔24を分散して形成する。この小孔24に流路構造60を接続し、小孔24から加圧流体を噴出させ、被処理物Wの内側部を非接触支持する。
【選択図】図5
Description
基板は、搬入用コンベアにてステージの傍まで搬入された後、その下に配置しておいたウォーキングビームの上昇により持ち上げられる。次いで、ウォーキングビームがステージの側へ水平移動することにより、基板がステージの真上に位置される。その後、ウォーキングビームの下降により、基板がステージ上に設置される。基板の表面処理後は、ウォーキングビームの上昇により、基板がステージから持ち上げられる。次いで、ウォーキングビームが搬出用コンベアの側へ水平移動することにより、基板が搬出用コンベアの真上に位置される。その後、ウォーキングビームの下降により、基板が搬出用コンベアに載置される。そして、搬出用コンベアにて基板が搬出される。
前記被処理物の外端部を前記設置部より上側で接触支持した状態で、前記被処理物を前記設置部に接近させる接近工程と、
前記接近工程において前記設置部に設けた小孔から加圧流体を上側へ噴き出す噴出工程と、
を実行することを特徴とする。
これによって、被処理物の外端部を接触支持するとともに、被処理物の内側部を加圧流体で非接触支持することができる。これにより、被処理物を自重で下に撓むのを防止しながら設置部に設置することができる。設置部の内側部に昇降ピン等の処理ムラを惹き起こす構成要素を配置する必要がなく、処理の均一化を図ることができる。
この明細書において、「接触支持」とは、固体かつ有形の部材(外端支持手段)を被処理物に接触させて被処理物を支持することを言う。「非接触支持」とは、上記のような固体有形の部材を用いることなく、又は被処理物を固体有形の部材から離した状態で支持することを言う。「接近」とは、被処理物が設置部に向かって移動する場合の他、設置部が被処理物に向かって移動する場合も含む。
前記噴出工程が、前記垂直接近工程より先に実行開始されることが好ましく、水平接近工程において被処理物の一部が平面視で設置部に被さるようになる時点若しくはそれより先に実行開始されることが、より好ましい。
これによって、被処理物の内側部が垂直接近工程の前(水平接近工程中等)に撓むのを防止することができる。
これによって、加圧流体が被処理物の設置の妨げになるのを回避することができる。ここで、「垂直方向に近づく」とは、水平方向には変位することなく垂直にのみ設置部に接近するように移動する場合の他、斜めに接近するように移動する場合をも含む。
被処理物が前記設置面に当接する高さまで下降した時点で、前記加圧流体の噴出量がゼロになるようにし、前記噴出工程を終了するようにするのが好ましい。
前記被処理物の外端部を接触支持した状態で、前記被処理物を前記設置部から離間させる離間工程と、
前記離間工程において前記設置部に設けた小孔から前記被処理物の内側部を非接触支持可能な圧力の加圧流体を上方へ噴き出す噴出工程と、
を実行することを特徴とする。
これによって、被処理物の内側部が自重で下に撓むのを防止しながら被処理物の外端部を接触支持して設置部から取り出すことができる。設置部の内側部に昇降ピン等の処理ムラを惹き起こす構成要素を配置する必要がなく、処理の均一化を図ることができる。ここで、「離間」は、被処理物が設置部から遠ざかるように移動する場合の他、設置部が被処理物から遠ざかるように移動する場合も含む。
前記複数の吸着孔のうち前記設置部の相対的に中央側の吸着孔への流体供給により該中央側の吸着孔の内圧を高める中央吸着解除工程と、
前記中央吸着解除工程の開始後に、前記設置部の相対的に外周側の吸着孔への流体供給により該外周側の吸着孔の内圧を高める外周吸着解除工程と、
前記外周吸着解除工程の開始後に、前記被処理物の外端部を接触支持した状態で、前記被処理物を前記設置部から離間させる離間工程と、
前記離間工程において前記吸着孔の全部又は一部から前記被処理物の内側部を非接触支持可能な圧力の加圧流体を上方へ噴き出す噴出工程と、
を実行することを特徴とする。
これによって、被処理物の中央側の部分の残留吸着を確実に除去でき、当該中央側の部分を設置部から確実に剥離することができ、そのうえで、周辺側の部分の残留吸着を除去して剥離することにより、被処理物を破損することなく設置部から安全かつスムーズに持ち上げ離間させることができる。そして、離間工程において被処理物の内側部を非接触支持し自重で撓むのを防止することができる。
前記噴出工程が、前記垂直離間工程の全期間及び前記水平離間工程の少なくとも途中までの期間中、継続して実行されることが好ましい。
これによって、被処理物の内側部が離間工程中に撓んで設置部に接触したり更には摺擦したりするのを確実に防止することができる。
前記接近工程及び離間工程は、接近、離間の動作を一時的に停止し静止する場合を含み得る。この一時停止期間中も噴出工程を継続して実行するのが好ましい。
被処理物が設置されるべき設置面を有し、この設置面に複数の小孔が分散して形成された設置部と、
この設置部の対向する一対の側部において、前記被処理物の外端部を前記設置面より突出して支持可能な上位置と、前記設置面と面一又は前記設置面より引っ込んだ下位置との間で昇降可能に配置された一対の外端支持手段と、
前記被処理物の内側部を非接触支持可能な圧力の加圧流体の供給源と前記小孔とを接続し、前記加圧流体を前記小孔から噴出させる流路構造と、
を備えたことを特徴とする。
これによって、被処理物の内側部が自重で下に撓むのを防止しながら被処理物の外端部を接触支持して設置部に設置したり設置部から取り出したりすることができる。設置部の内側部に昇降ピン等の処理ムラを惹き起こす構成要素を配置する必要がなく、処理の均一化を図ることができる。
これによって、加圧流体が被処理物の設置の妨げになるのを回避することができる。
小孔を接続切替手段によって加圧流体供給源に接続すれば、被処理物の接近移動又は離間移動時における非接触支持を行なうことができ、真空吸引源に接続すれば、被処理物の表面処理時における設置部への吸着を行なうことができる。これによって、被処理物を設置部に吸着するための吸着孔を、前記加圧流体噴出用の小孔として用いることができる。
これによって、被処理物を上下動だけでなく水平方向へも移動させて搬入、搬出することができる。
これによって、被処理物を搬送コンベアから側部コンベアに移して設置部に設置したり、側部コンベアで設置部から取り出して搬送コンベアに移したりすることができる。
設置部には昇降ピン等を設ける必要がないので、均一かつ安定な放電状態を得ることができ、処理ムラを確実に防止することができる。
前記放電は、グロー放電、コロナ放電、誘電バリア放電などが挙げられるが、好ましくは大気圧グロー放電すなわち大気圧近傍の圧力下で生成されるグロー放電を用いる。ここで、大気圧近傍とは、1.013×104〜50.663×104Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、1.333×104〜10.664×104Paが好ましく、9.331×104〜10.397×104Paがより好ましい。
前記放電により表面処理を行なう場合、前記外端支持手段の下位置は、前記電極と外端支持手段との間に異常放電が起きない程度に前記設置面より下に引っ込んだ位置に設定するのが好ましい。
前記放電以外の表面処理を行なう場合、前記外端支持手段の下位置は、前記設置面より下に引っ込んだ高さに限られず、前記設置面と面一の高さに設定してもよい。
図1〜図3は、例えばカラーフィルタやフラットパネルディスプレイ用の大型ガラス基板を被処理物Wとする表面処理装置Mを示したものである。表面処理装置Mは、大気圧プラズマ処理装置にて構成されている。表面処理装置Mは、図示しない架台に支持された処理ユニット10と、被処理物の設置部としてのステージ20を備えている。
処理ユニット10には、処理ガス源2に連なる処理ガス吹出し路14が形成されている。処理ガス吹出し路14は、処理ユニット10の下面に達している。
図1に示すように、ステージ20の面積は、ガラス基板Wより若干小さい。したがって、ガラス基板Wの外周部がステージ20より突出されるようになっている。
搬入コンベア30は、ガラス基板Wの略全体を載置可能な面積を有している。図4(b)の矢印a3に示すように、搬入コンベア30は、ガラス基板Wをステージ20に接近する方向へ搬送するようになっている。
搬出コンベア40は、ガラス基板Wの略全体を載置可能な面積を有している。図7(b)の矢印a6に示すように、搬出コンベア40は、ガラス基板Wをステージ20から離間する方向へ搬送するようになっている。
図4、図5、図7に示すように、側部コンベア50が上位置のとき、ローラ52が、ステージ20の上面より少し上に突出し、しかも、搬入出コンベア30,40のローラ32,42と同一高さに位置するようになっている。
図4(a)に示すように、処理すべきガラス基板Wを搬入コンベア30に載置する。
また、同図の矢印a1に示すように、昇降機構54によって側部コンベア50を少し上昇させ上位置に位置させておく。
次に、コンベアスライド機構33によって搬入コンベア30をステージ20に接近する方向(同図の矢印a2)へ水平スライドさせる。
そして、図4(b)の矢印a3に示すように、搬入コンベア30にてガラス基板Wをステージ20の側へ移送させる。これにより、同図及び図5に示すように、ガラス基板Wの外端部が、側部コンベア50のローラ52上に載り、側部コンベア50によって接触支持されるようになる。
この水平接近工程と併行して、図5に示すように、方向切替弁62を加圧窒素源66との接続位置に切り替え、加圧窒素ガスを、加圧流体路64及び給排路61を経て吸着孔24に導入する。これによって、加圧窒素ガスが吸着孔24から上に噴き出され、ガラス基板Wの内側部の裏面にガス圧を付与する。このガス圧によって、ガラス基板Wの内側部を非接触支持することができる。これにより、水平接近時にガラス基板Wの内側部が下側に撓んだり、ひいてはステージ20に摺擦したりするのを防止することができる。
続いて、図4(c)の矢印a4に示すように、昇降機構54によって側部コンベア50を下降させる。この側部コンベア50の下降操作と同期するようにして、流量制御弁67により吸着孔24からの加圧窒素ガスの噴出流量を漸減させる。これによって、加圧窒素ガスによりガラス基板Wの下降が妨げられないようにすることができる。
やがて、図6(a)及び(b)に示すように、側部コンベア50のローラ52の上端部がステージ20の上面と同一高さになる。このとき、加圧窒素ガスの噴出は殆どゼロになっているのが好ましい。これによって、ガラス基板Wをステージ20の上面に当接させ載置することができる。
図2及び図3に示すように、側部コンベア50は、更に下降させて、ガラス基板Wの外端部より下に離間させ、更にはステージ20の側部より下に位置させる。
その後、方向切替弁62を真空ポンプ65との接続位置に切り替え、吸着孔24の吸引を行なう。これによって、ガラス基板Wをステージ本体21に吸着し固定することができる。
次いで、処理ユニット10をスキャンさせながら、電源1から高圧電極11に電圧を供給して高圧電極11と接地電極としてのステージ20との間に電界を印加して大気圧グロー放電を生成し、処理ユニット10とガラス基板Wとの間の空間をプラズマ空間とする。このプラズマ空間に処理ユニット10の吹出し路14から処理ガスを吹き出す。この処理ガスがプラズマ化されてガラス基板Wに吹き付けられ反応が起きる。これによって、ガラス基板Wの撥水化などのプラズマ表面処理を行なうことができる。
ステージ20には昇降ピン等が設けられておらず、全体的に滑らかになっているため、全体的に均一な大気圧グロー放電を生成することができる。よって、ガラス基板Wを全体的に均一に処理することができ、処理ムラが出来るのを防止することができる。
側部コンベア50を十分に下方に退避させておくことにより、その上方に処理ユニット10が位置した時、電極11と側部コンベア50との間に異常放電が発生するのを回避することができる。
表面処理の終了後、真空ポンプ65による真空吸引を停止する。そして、ステージ20の中央領域29Aに対応する方向切替弁62を窒素源66との接続位置に切り替え、中央領域29Aの吸着孔24に窒素ガスの供給を開始する。この窒素ガスは、ガラス基板Wとステージの中央領域29Aとの間に入り込む。このとき、中央領域29Aより外側(中間領域29B及び外周領域29C)は、通常、残留吸着によってステージ20とガラス基板Wが密着した状態を維持している。したがって、上記の窒素ガスは、中央領域29Aに閉じ込められた状態になる。よって、中央領域29Aの残留吸着を確実に解除でき、ガラス基板Wの中央部分をステージ20から確実に剥離することができる。
次に、ステージ20の中間領域29Bに対応する方向切替弁62を窒素源66との接続位置に切り替え、中間領域29Bの吸着孔24に窒素ガスの供給を開始する。これによって、中間領域29Bの残留吸着を解除でき、ガラス基板Wの剥離部分を中央領域29Aから中間領域29Bへ広げることができる。
その後、昇降機構54によって側部コンベア50を下位置から上昇させる。やがて、図6(a)及び(b)に示すように、側部コンベア50が、ガラス基板Wの外端部の下面に突き当たり、更に、図7(a)に示すように、ガラス基板Wを押し上げ、ステージ20から離間させる。吸着解除工程でガラス基板Wをステージ20から確実に剥離できているので、離間操作をスムーズかつ安全に行なうことができる。
ガラス基板Wをステージ20から離す瞬間は側部コンベア50を極めて低速で上昇駆動させ、ガラス基板Wがステージ20から離れた後、上昇速度を増大させることが好ましい。
上記の垂直離間工程と併行して、吸着孔24から加圧窒素ガスの噴出を行なう。これによって、ガラス基板Wがステージ20から上昇する際、ガラス基板Wの内側部を下側に撓まないように非接触支持することができる。この噴出工程は上記吸着解除工程における窒素ガス噴出から継続して行なうのが好ましい。窒素ガスの流量は、吸着解除工程より大きくするのが好ましい。
図7(a)に示すように、側部コンベア50を上位置まで上昇させた後、矢印a5に示すように、側部コンベア50にてガラス基板Wを搬出コンベア40の方向へ水平搬送する。これにより、図7(b)に示すように、ガラス基板Wが、予め寄せておいた搬出コンベア40に移送される。この水平離間工程においても窒素ガスの噴出工程を継続して実行する。これによって、ガラス基板Wの内側部を非接触支持することができ、水平離間時にガラス基板Wの内側部が下側に撓んでステージ20に摺擦するのを防止することができる。噴出工程は、少なくともガラス基板Wの相当部分が搬出コンベア40に移送されるまで継続実行するのが好ましい。これによって、ガラス基板Wの内側部がステージ20に摺擦するのを確実に防止することができる。
更に、図7(c)に示すように、ガラス基板Wの全体が搬出コンベア40上に載るまで水平搬送した後、矢印a7に示すように、搬出コンベア40をステージ20から離れる方向へ水平移動させる。これによって、ガラス基板Wを搬出することができる。
例えば、加圧流体は、窒素に限られず空気(好ましくはドライクリーンエアー)でもよく、気体に限られず水等の液体でもよい。
被処理物及び外端支持手段と設置部とが相対的に接近、離間するようになっていればよく、被処理物及び外端支持手段が静止するとともに設置部が移動するようになっていてもよい。
表面処理工程において、処理ユニット10が位置固定される一方、設置部20が移動されるようになっていてもよい。
側部コンベア50は、コロ式に限られず、ベルト式等の他のコンベアを用いてもよい。
外端手段支持手段に吸着機構を設け、被処理物の端部を吸着して支持するようにしてもよい。
外端支持手段は、被処理物を昇降させるだけとし、その前後の水平移動工程(水平接近工程、水平離間工程)は、フォーク状マニピュレータ等の他の搬送手段を用いて行なうことにしてもよい。例えばフォーク状マニピュレータの場合、被処理物の内側部を下から支持できるので、水平移動工程中の加圧流体の噴出は不要である。
流体制御手段として加圧流体路64に流量制御弁67に代えて圧力制御弁を設け、垂直接近工程において加圧流体の流量に代えて圧力を漸減させることにしてもよい。流体制御手段は、加圧流体の流量と圧力の両方を漸減させるようになっていてもよい。
噴き出し開始タイミングを区画する領域29は3つに限られず、2つでもよく、4つ以上でもよい。領域29は、四角形以外の多角形に区画しもよく、円形(楕円を含む)に区画してもよい。
噴出工程においてステージ20の全部の吸着孔24からではなく一部の吸着孔24からだけ加圧流体を噴出するようにしてもよい。その場合、加圧流体を噴出する一部の吸着孔24は、相対的に中央側に配置されたものであるのが好ましい。
吸着孔の配置、個数、加圧流体の供給圧などは、水平接近工程または水平離間工程で被処理物が最低限ステージに擦らない程度に適宜設定すればよい。
流路構造60の回路構成は、実施形態と基本構成が実質的に等価であればよい。
搬入コンベア30と搬出コンベア40を共通の1つの搬送コンベアにて構成してもよい。そして、被処理物を、前記搬送コンベアから設置部20に搬入し、表面処理後、設置部20から前記搬送コンベアに戻すように搬出することにしてもよい。
表面処理手段は、プラズマ表面処理に限られず、熱CVDや非プラズマ、例えばフッ酸蒸気による気相エッチング等にも適用できる。その場合、処理ユニット10は、処理ガスの噴出し口を備えていればよく電極11は不要である。また、処理ユニット10と側部コンベア50との間に異常放電が発生するおそれがないので、表面処理工程の際、側部コンベア50をステージ20の側部に添う高さに配置することにしてもよい。
表面処理内容は、洗浄、表面改質(親水化、撥水化等)、成膜、エッチング、アッシング、その他の種々の表面処理に適用可能である。
被処理物は、ガラス基板Wに限られず、ウェハやカラーフィルタ等であってもよい。被処理物の形状は、四角形に限られず円形その他の形状をなしていてもよい。
さらに、本発明は、表面処理に限られず、切削、研磨、その他の加工等の処理にも適用できる。
M 表面処理装置
11 高圧電極
20 ステージ(設置部)
24 吸着孔(小孔)
30 搬入コンベア(搬送コンベア)
40 搬出コンベア(搬送コンベア)
50 側部コンベア(外端支持手段)
54 昇降機構
60 流路構造
62 方向切替弁(接続切替手段)
64 加圧流体路
65 真空ポンプ(真空吸引源)
66 加圧窒素源(加圧流体供給源)
67 流量制御弁(流体制御手段)
Claims (12)
- 被処理物を表面処理用の設置部に設置する方法であって、
前記被処理物の外端部を前記設置部より上側で接触支持した状態で、前記被処理物を前記設置部に接近させる接近工程と、
前記接近工程において前記設置部に設けた小孔から加圧流体を上側へ噴き出す噴出工程と、
を実行することを特徴とする被処理物の設置方法。 - 前記接近工程が、前記被処理物を前記設置部の平面視外側から前記設置部上に被さる位置へ水平に相対移動させる水平接近工程と、その後、前記被処理物を前記設置部に向けて垂直に相対移動させる垂直接近工程とを含み、
前記噴出工程が、前記垂直接近工程より先に実行開始されることを特徴とする請求項1に記載の設置方法。 - 前記接近工程によって前記被処理物が前記設置部に垂直方向に近づくにしたがって、前記噴出工程における前記加圧流体の流量又は圧力を小さくすることを特徴とする請求項1又は2に記載の設置方法。
- 被処理物を設置部に設置して表面処理した後、前記設置部から取り出す方法であって、
前記被処理物の外端部を接触支持した状態で、前記被処理物を前記設置部から離間させる離間工程と、
前記離間工程において前記設置部に設けた小孔から前記被処理物の内側部を非接触支持可能な圧力の加圧流体を上方へ噴き出す噴出工程と、
を実行することを特徴とする被処理物の取り出し方法。 - 被処理物を、設置部に分散して形成された複数の吸着孔にて吸着し、表面処理した後、前記設置部から取り出す方法であって、
前記複数の吸着孔のうち前記設置部の相対的に中央側の吸着孔への流体供給により該中央側の吸着孔の内圧を高める中央吸着解除工程と、
前記中央吸着解除工程の開始後に、前記設置部の相対的に外周側の吸着孔への流体供給により該外周側の吸着孔の内圧を高める外周吸着解除工程と、
前記外周吸着解除工程の開始後に、前記被処理物の外端部を接触支持した状態で、前記被処理物を前記設置部から離間させる離間工程と、
前記離間工程において前記吸着孔の全部又は一部から前記被処理物の内側部を非接触支持可能な圧力の加圧流体を上方へ噴き出す噴出工程と、
を実行することを特徴とする取り出し方法。 - 前記離間工程が、前記被処理物を前記設置部から上方へ相対移動させる垂直離間工程と、その後、前記被処理物を前記設置部の平面視外側へ相対的に水平移動させる水平離間工程とを含み、
前記噴出工程が、前記垂直離間工程の全期間及び前記水平離間工程の少なくとも途中までの期間中、継続して実行されることを特徴とする請求項4又は5に記載の取り出し方法。 - 被処理物を表面処理のために設置し、処理後搬出する装置であって、
被処理物が設置されるべき設置面を有し、この設置面に複数の小孔が分散して形成された設置部と、
この設置部の対向する一対の側部において、前記被処理物の外端部を前記設置面より突出して支持可能な上位置と、前記設置面と面一又は前記設置面より引っ込んだ下位置との間で昇降可能に配置された一対の外端支持手段と、
前記被処理物の内側部を非接触支持可能な圧力の加圧流体の供給源と前記小孔とを接続し、前記加圧流体を前記小孔から噴出させる流路構造と、
を備えたことを特徴とする被処理物の搬入出装置。 - 前記流路構造が、前記外端支持手段の下降に伴なって前記加圧流体の流量又は圧力を小さくする流体制御手段を含むことを特徴とする請求項7に記載の搬入出装置。
- 前記流路構造が、前記小孔を前記加圧流体供給源と真空吸引源との何れか一方に選択的に接続する接続切替手段を含むことを特徴とする請求項7又は8に記載の搬入出装置。
- 前記外端支持手段が、前記設置部の前記側部に沿って延び、前記被処理物を、その外端部を支持した状態で前記延び方向に搬送可能な側部コンベアを含むことを特徴とする請求項7〜9の何れかに記載の搬入出装置。
- 前記設置部の前記側部と交差する側部の平面視外側に、前記被処理物を、前記上位置のときの側部コンベアと同一高さに支持した状態で前記側部コンベアと同方向に搬送可能な搬送コンベアが設けられていることを特徴とする請求項10に記載の搬入出装置。
- 前記設置部が、電気的に接地された金属にて構成され、前記表面処理時には電極と対向して、該電極との間に表面処理のための放電を形成することを特徴とする請求項7〜11の何れかに記載の搬入出装置。
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