JP5808723B2 - 支持チャックにeuvlマスクを電気的に結合するための導電性要素 - Google Patents

支持チャックにeuvlマスクを電気的に結合するための導電性要素 Download PDF

Info

Publication number
JP5808723B2
JP5808723B2 JP2012229291A JP2012229291A JP5808723B2 JP 5808723 B2 JP5808723 B2 JP 5808723B2 JP 2012229291 A JP2012229291 A JP 2012229291A JP 2012229291 A JP2012229291 A JP 2012229291A JP 5808723 B2 JP5808723 B2 JP 5808723B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coupling module
mask
euvl
chuck
euvl mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012229291A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013074300A (ja
Inventor
クリヴツ(クライヴィッツ) イゴル
クリヴツ(クライヴィッツ) イゴル
アヴネリ イスラエル
アヴネリ イスラエル
ウジエル ヨラム
ウジエル ヨラム
ベン−ダヴィッド ニル
ベン−ダヴィッド ニル
ホルクマン イド
ホルクマン イド
ヤイル イツァク
ヤイル イツァク
バッソン ヨシ
バッソン ヨシ
Original Assignee
アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド
アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド, アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド filed Critical アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド
Publication of JP2013074300A publication Critical patent/JP2013074300A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5808723B2 publication Critical patent/JP5808723B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/06Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
    • G01N23/18Investigating the presence of flaws defects or foreign matter
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/06Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
    • G01N23/083Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption the radiation being X-rays
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/40Electrostatic discharge [ESD] related features, e.g. antistatic coatings or a conductive metal layer around the periphery of the mask substrate
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/20Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/004Charge control of objects or beams
    • H01J2237/0041Neutralising arrangements
    • H01J2237/0044Neutralising arrangements of objects being observed or treated
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2008Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated specially adapted for studying electrical or magnetical properties of objects
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00Chucks or sockets
    • Y10T279/23Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T403/00Joints and connections
    • Y10T403/70Interfitted members

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

〔関連出願〕
本出願は、本明細書において引用により組み込まれる2011年9月27日出願の米国特許仮出願第61/539,971号の非仮出願であり、かつそれに対する優先権を請求するものである。
本発明は、電子ビーム又はイオンビーム撮像機器による極端紫外線リソグラフィ(EUVL)マスク検査に関する。
EUVLマスクは、ナノメートルスケール半導体を製造するための次世代リソグラフィ処理に使用されることになる。13.5nmの短いEUV波長は、513nmリソグラフィを用いる現在可能なものよりも小型のデバイスの作成を可能にする。
リソグラフィ処理は、フォトレジストによって被覆されたシリコンウェーハをEUVLマスクのパターン転写区域から反射された13.5nm波長放射線に露光する段階を含むことができる。マスクのパターン形成区域の上面に位置するパターンは、縮小されてシリコンウェーハの上に重なるフォトレジスト上に転写される。そのような露光のち、リソグラフィ処理が継続される。現像されたフォトレジストが除去され、エッチング又は堆積によってシリコン上にパターンが形成される。EUVLマスクは、パターン転写区域を取り囲むことができる周囲区域も含む。
図1は、非導電層12(ガラス層のような)及び(a)基板の方向にEUV光を反射する反射層14と(b)吸光層16との組合せを含むことができる上側部分から形成されるEUVLマスクを示している。この上側部分は、導電性であり、かつマスク全体に、とりわけマスクのパターン転写区域にわたって延びている。
図1は、マスク上に向けられマスクから反射されるEUVL放射線を表す矢印8も含む。
EUVLマスクは、チャック50上に配置される。チャック50は、既知電位(接地のような)の所定の場所に電気的に結合することができる(ケーブル59により)。
EUVLマスクは、その製造工程及び利用処理中に検査すべきである。マスクの表面の欠陥、又は多層スタック(吸光部によって被覆されていない区域上)内に埋もれた欠陥は、露光されたシリコンウェーハ上に反復的欠陥を引き起こすことになる。
極端超紫外線(EUVL)マスクをチャックに結合するための結合モジュールを提供することができ、結合モジュールは、開口を定める上側部分と、少なくとも1つのマスク接触要素と、チャック接触要素と、マスク接触要素とこの上側部分の間に接続することができる中間要素とを含むことができる。開口の形状及びサイズは、EUVLマスクのパターン転写区域の形状及びサイズに対応することができる。結合モジュールは、少なくとも1つのマスク接触要素がEUVLマスクの上側部分に接触した状態で、チャック接触要素がEUVLマスクを支持するチャックに接触するような形状及びサイズとすることができる。EUVLマスクが、結合モジュールと整列してチャック上に配置できれば、結合モジュールは、EUVLマスクの上側部分とチャックの間に少なくとも1つの導電経路を提供する。
EUVLマスクがチャック上に配置することができる時に、結合モジュールは、EUVLマスクのエッジを遮蔽することができる。
少なくとも1つのマスク接触要素は、バネを含むことができる。
中間要素の上側部分と底端部の間の高低差は、EUVLマスクの高さよりも小さいものとすることができる。
マスク接触要素は、EUVLマスクが、パターン転写区域の外側の位置でEUVLマスクに接触することができるように配置される。
結合モジュールをEUVLマスク上に置くことができたら、開口はパターン転写区域を露出する。
中間要素は、EUVLマスクを取り囲むような形状とすることができる。
中間要素は、結合モジュールがEUVLマスク上に置かれた時に、EUVLマスクの少なくとも1つの側壁に接触するような形状とすることができる。
結合モジュールは、EUVLマスクの中心の周りに対称とすることができる。
結合モジュールは、ステンレス鋼で製造することができる。代替的に、結合モジュールの導電性要素をステンレス鋼で製造することができる。
少なくとも1つの導電経路を非導電性結合モジュールの導電性コーティングによって形成することができる。
少なくとも1つの導電経路は、複数の導電経路を含むことができる。
少なくとも1つのマスク接触要素は、結合モジュールがEUVLマスク上に置かれる時にチャックに緩く接触するように配列することができる。
結合モジュールは、互いに分離した複数の結合モジュール導電部分を含み、異なる結合モジュール導電部分は、異なるマスク接触要素に結合され、各マスク接触要素は、EUVLマスクに結合モジュール導電部分を電気的に結合する。
極端紫外線(EUVL)マスクを検査する方法を提供することができる。本方法は、EUVLマスクと結合モジュールとをチャック上に置き、結合モジュールがEUVLマスクの上側部分とチャックとを電気的に結合する段階と、EUVLマスクのパターン転写区域の少なくとも一部分を結合モジュールの上側部分によって定められる開口を通過する荷電粒子ビームによって走査し、その間にチャックと、結合モジュールと、荷電粒子ビームとは、真空チャンバ内に位置する段階とを含むことができる。
本発明の更なる詳細事項、態様及び実施形態を添付図面を参照して例証として説明する。添付図面において、同様の参照番号の指定は、同様又は機能的に類似した要素を特定するのに使用される。諸図における諸要素は、簡素性と明確性を目的として示されており、必ずしも一定の尺度で描かれてはいない。
従来技術のEUVLマスク及びチャックの側面図である。 本発明の実施形態によるチャック、EUVLマスク及び結合モジュールを示す図である。 本発明の別の実施形態によるチャック、EUVLマスク及び結合モジュールを示す図である。 本発明の更に別の実施形態によるチャック、EUVLマスク及び結合モジュールを示す図である。 本発明の更に別の実施形態によるチャック、EUVLマスク、及び結合モジュールを示す図である。 本発明の更に別の実施形態によるチャック、EUVLマスク、及び結合モジュールを示す図である。 本発明の更に別の実施形態による結合モジュールの平面図である。 本発明の実施形態による結合モジュールをEUVLマスク上に置き、EUVLマスク及び結合モジュールをチャック上に置く処理の2つのステージを示す図である。 本発明の実施形態による結合モジュールをEUVLマスク上に置き、EUVLマスク及び結合モジュールをチャック上に置く処理の2つのステージを示す図である。 本発明の実施形態によるチャック、EUVLマスク、及び結合モジュールを示す図である。 本発明の実施形態によるチャック、EUVLマスク、及び結合モジュールを示す図である。 本発明の実施形態によるチャック、EUVLマスク、及び結合モジュールを示す図である。 本発明の実施形態によるEUVLマスク及び結合モジュールを示す図である。 本発明の実施形態によるEUVLマスク及び結合モジュールの平面図を含み、かつ結合モジュールの側面図も含む図である。 本発明の実施形態によるEUVLマスク、測定デバイス、電圧供給部、及び結合モジュールの平面図である。 本発明の実施形態による、EUVLマスク、チャック、及び結合モジュールの平面図である。 本発明の実施形態によるEUVLマスク及び結合モジュールの平面図である。 本発明の実施形態による方法の流れ図である。 本発明の実施形態による方法の流れ図である。 本発明の様々な実施形態によるEUVLマスク及び結合モジュールを示す図である。 本発明の様々な実施形態によるEUVLマスク及び結合モジュールを示す図である。 本発明の様々な実施形態によるEUVLマスク及び結合モジュールを示す図である。 本発明の様々な実施形態によるEUVLマスク及び結合モジュールを示す図である。 本発明の様々な実施形態によるEUVLマスク及び結合モジュールを示す図である。 本発明の様々な実施形態によるEUVLマスク及び結合モジュールを示す図である。
本明細書の結末部分で本発明と見なされる主題が詳細に指し示されており、明確に特許請求される。しかし、本発明は、その目的、特徴、及び利点と共に、構成及び作動の方法の両方に関して、以下の詳細説明を添付図面と共に閲覧して参照することにより最も良好に理解することができる。
以下の詳細説明において、多くの特定の詳細事項が、本発明の十分な理解を提供するために示されている。しかし、本発明は、これらの特定の詳細事項を伴わずに実施することができることは、当業者によって理解されるであろう。他の例では、本発明を不明瞭にしないために、公知の方法、手順、及び構成要素は、詳細には説明されていない。
様々な図は、結合モジュールの上側部分を平坦な表面として示している。この上側部分は上面とすることができ、又はあらゆる他の形状を有することができることに注意されたい。
結合モジュールは、EUVLマスクがチャック上に位置決めされて結合モジュールと整列した時に、EUVLマスクとチャックの間の導電経路の一部であることが要求される導電性部品を有するモジュールである。導電性モジュールは、導電性フレームとすることができるが但し他の形態又は形状を有することができる。
EUVLマスク10の上側部分(層14及び層16を含む最上層)は、電子ビーム(電子ビーム)又はイオンビーム撮像によるEUVLマスク検査を含むことができる様々な撮像技術を用いて検査することができる。電子ビーム又はイオンビームによる検査は、真空チャンバ内で行われる。
EUVLマスク10が、真空チャンバ(図示せず)内部に挿入され、これに制限されないがXYステージのようなステージの上に位置することができるチャック50上に配置される。検査中に、EUVLマスク10は、電子ビーム又はイオンビームの下で平行移動される(X方向及び/又はY方向に移動される)。
上述のように、EUVLマスク10の上側部分は、導電性層(14及び16)で製造され、それらの層は非導電性層12の上に位置する。後者は、比較的厚い(約6mm)ものとすることができ、石英プレートで製造することができる。
荷電粒子を用いたEUVLマスク10の走査は、電荷の蓄積を引き起こす場合がある。検査中での電荷の蓄積(これは、損傷を引き起こす場合がある)を除去するために、EUVLマスクの上側部分は、チャック50は導電性であるのでチャック50に電気的に結合すべきである。チャック50(かつとりわけチャックベース)は、所要の電位に接続することができる。例えば、チャック50を接地することができる。
検査中でのチャックに対するEUVLマスクの上側部分の電気的接続を可能にする結合モジュールを提供することができる。
結合モジュールは、EUVLマスクハンドリング処理中にEUVLマスクの上に置くことができる。結合モジュールは、上方から開いていることができ(これは、EUVLマスク10のパターン転写区域11を露出する開口を定めることができる)、但しEUVLマスクの周囲区域のようなパターン転写区域の外側に位置することができる様々の(例えば、2つ、3つ、4つ、又はそれよりも多く)ポイントでEUVLマスク10に接する。
結合モジュールは、EUVLマスクアセンブリの一部として、検査ツールの上に平行移動することができる。ロボット(又は他の転写ユニット)が、EUVLマスクと結合モジュールとを(一緒に又は個別に)搬送することができ、EUVLマスクを真空チャンバ内部に位置決めすることができ、EUVLをチャック上に置くことができ、かつ結合モジュールマスクをEUVLマスク及びチャックの上に置くことができる。
結合モジュールは、導電材料で製造することができ、導電材料及び絶縁材料を含むことができ、又は導電性コーティングによって被覆することができる。
EUVLマスク及びフレームのハンドリング
ロボットアームは、EUVLマスクを検査ツールへのその方向に搬送することができる。
EUVLマスクのローディング又はアンローディングにおける様々な段階は、公知であって更なる説明を必要としないことに注意されたい。これらの段階は、ロボットアームにより、EUVLマスクボックス(検査処理及び/又はリソグラフィ処理中、その中にEUVLマスクが配置される)を開く段階と、EUVLマスクを取り出す段階と、かつ更に(必要に応じ)マスクの表面が上下逆などになるようにマスクを反転させる段階とを含むことができる。
ロボットアームは、EUVLマスクを結合モジュール内に上方に移動する垂直運動により、結合モジュールの自己整列位置決めを行うことができる。
最初に、結合モジュールを、ベース(真空チャンバの外側)の上に置くことができる。
次に、ロボットアームは、このアーム及びEUVLマスクの垂直運動により、結合モジュールを持ち上げることができる。
結合モジュールは、EUVLマスクに対して自己整列することができる(例えば、EUVLマスクの側壁との軽度の接触により)。
垂直運動は、摩擦と分子汚染の発生を低減するために緩慢に行うことができる。
垂直運動の終わりに、結合モジュールはEUVLマスクの上に様々なポイントで接して配置される。
ロボットアームは、取り付けられた結合モジュールと共にEUVLマスクをEUVLマスク検査ツールチャック上に最後に置くことができる。
チャックは、開口部(図示せず)を有することができる真空チャンバ内に配置することができる。これは、EUVLマスクがチャックに接触するまで、その開口内部をロボットアームが移動することを可能にすることができる。次に、EUVLマスクは、更に下に移動し(ロボットアームにより)、かつ取り出される。
ローディング処理は、図8及び図9に示されている。
検査ジョブが完了すると、ロボットアームが復帰してEUVLマスクと結合モジュールとを持ち上げる。
結合モジュールは、一連の逆の段階でEUVLマスクからアンロードされる。結合モジュールは、そのベースから離れることができ、ロボットアームは、EUVLマスクをそのボックスに復帰させることを継続する。
結合モジュールは可搬とすることができ、標準EUVLマスクハンドリングロボットアームによってロードすることができる。
結合モジュール及びEUVLマスク
本発明の実施形態により、結合モジュールはチャックに緩く接触し、結合モジュールは、結合モジュールに取り付けられたバネ(又は他の伸縮性要素)を通じて接続することができる。バネは僅かに接触し、これは、電気的接触が生じることを可能にするが、結合モジュールがバネによって持ち上げられてそのためにEUVLマスク表面と結合モジュールとの接触を損なうのを防止する。
バネは、EUVLマスクの近くに(かつ更にEUVLマスクに接触して)位置することができ、又はEUVLマスクから僅かに離間する(かつ更に遠く離れる)ことができる。後者(遠隔位置)である時に、バネは、潜在的電気アーク放電(もしあれば)をEUVLマスクから遠く離れて生成させることができ、それによって汚染が低減される。
結合モジュールは、導電性コーティング又は導電性ワイヤリングを伴った非導電材料で製造することができ、結合モジュール上の特定のポイントの間でのみの接触の形成が可能とされる。こうした特徴部は、結合モジュールのレッグとEUVLマスクの上面の間の接触の品質のモニタリングを可能にする。
本発明の実施形態により、結合モジュールを提供することができ、結合モジュールは、開口を定める上側部分と、マスク接触要素と、チャック接触要素と、マスク接触要素と上側部分の間に接続することができる中間要素とを含むことができる。開口の形状及びサイズは、極端紫外線(EUVL)マスクのパターン転写区域の形状及びサイズに対応する。結合モジュールは、少なくとも1つのマスク接触要素がEUVLマスクの上側部分に接触した状態で、チャック接触要素がEUVLマスクを支持するチャックに接触するような形状及びサイズとすることができる。EUVLマスクがチャック上に配置することができる時に、結合モジュールは、EUVLマスクの上側部分とチャックの間に少なくとも1つの導電経路を提供することができる。
図2−図6は、EUVLマスク10、チャック50及び結合モジュール20の様々な要素(12、14及び16)を示している。結合モジュール20は、この上側部分(とりわけ層14及び追加的に又は代替的に層16)をチャック50に電気的に結合する。
図2−図6は、結合モジュール20の上側部分21に形成された開口22を示している。開口22のエッジは、この断面図では、2つの離間した破線25によって示されている。
図2、図5、及び図6は、バネ24を含むマスク接触要素を示している。バネ24は、ハウジング29内に組み込むことができ、又は様々な他の方法で中間要素23に接続することができる。
図2及び図5は、中間要素23の下に、かつEUVLマスク10の外部側壁17に極めて接近して位置するバネ24を示し、一方で図6は、EUVLマスク10から中間要素23よりも離れて位置するバネ24を示している。図5は、EUVLマスク10の外部側壁17と中間要素23の壁の間のスペーサ27を示している。
図6は、チャック50に緩く接触するバネ24を部分的に取り囲むハウジング29の組合せを示している。
図3は、中間要素23の2つの部分23(1)及び23(2)の間に接続されているバネ24を示し、中間要素23の下側部分23(1)(バネ24ではなく)がチャック50に接触するようになっている。
図2−図4及び図6は、2つのスパイク形状マスク接触要素26を示し、一方で図5は、3つ以上のスパイク形状マスク接触要素26を示している。図13−図15は、3つのマスク接触要素26(1)、26(2)及び26(3)を示している。
図4は、上側部分21と中間要素23の底端23(4)の間の高低差が、EUVLマスク10の高さよりも小さいものとすることができる本発明の実施形態を示している。
図7は、EUVLマスクのパターン転写区域11よりも僅かに大きい開口22を示す、結合モジュール20の平面図である。
マスク接触要素26(1)−26(3)は、パターン転写区域に含まれない箇所でEUVLマスクに接触することができるように配置される。
図10−図12は、本発明の実施形態による、チャック50と、EUVLマスク10と、結合モジュール20とを示している。
図10を参照すると、チャック50は円形の形状を有し、そのサイズは、支持することになるウェーハのサイズに適合すべきである。例えば、300mmウェーハ(すなわち、300ミリメートルの直径を有する円形ウェーハ)は、少なくとも300mmの直径を有することができる円形チャックによって支持することができる。
EUVLマスク10は、チャック50よりも非常に小さく、かつ矩形の形状(他の形状のチャック及びマスクを使用することもできるが)を有することができる。EUVLマスク10は、ウェーハ上にパターンを転写するのに使用されない周囲区域12によって取り囲まれたパターン転写区域11を含むことができる。
図10は、結合モジュール20の開口22の(内側)エッジ25と、EUVLマスク10の外側エッジ15と、結合モジュール20の外側エッジ28とを示している。
チャック50は、典型的に完全に平坦ではない。チャックは、チャックの様々な箇所に位置する場合がある、様々なチャック要素(例えば、真空開口、パイプ、保持要素、又は他の空間又は隆起)を典型的に含む。これらの様々なチャック要素は、図10に58と表示されており、チャック50の右上部に位置するとして(説明の都合のみのため)示されている。
チャック50が、高電圧(例えば、数千ボルト)に帯電すると、これらのチャック要素58(並びにEUVLマスク10のエッジ)は、アーク、スパークのような原因になる場合がある。本発明の実施形態により、結合モジュール20はこれらの要素(又はこれらの要素の少なくとも一部を覆うことができ、不要な電気又は静電気イベントの発生の機会を低減することができる。
図11−図15は、チャック50全体又はチャック50の大部分のいずれかを遮蔽する結合モジュール20を示している。この遮蔽は、不要な電気又は静電気イベントの生成を助ける可能性がある不規則性又は他のチャック要素58を低減する。
図11では、結合モジュール20はチャック50と殆ど同じ大きさであり、円形の形状を有する。
図12では、結合モジュール20は、チャック50と同じサイズを有する。
図13は、本発明の実施形態による、EUVLマスク10及び結合モジュール20を示している。
図13は、チャック20全体と同じ大きさとすることができ、かつ3つのマスク接触要素26(1)、26(2)、及び26(3)を有する結合モジュール20を示している。
第1のマスク接触要素26(1)は、EUVLマスク10の周囲区域12の右上エッジに接触する。第2のマスク接触要素26(2)は、EUVLマスク10の周囲区域12の右下エッジに接触する。第3のマスク接触要素26(3)は、EUVLマスク10の周囲区域12の左下エッジに接触する。マスク接触要素26(1)−26(3)の各々は、結合モジュール20とマスク10の間の導電経路を提供する。
電気試験及び酸化層破壊
図14は、本発明の実施形態による(a)EUVLマスク10及び結合モジュール20の平面図と(b)結合モジュール20の断面図(想像線70に沿った)とを含む。
図14は、互いに絶縁された2つの結合モジュール導電部分20(1)及び20(2)を含む結合モジュール20を示している。
図17は、互いに絶縁された3つの結合モジュール導電部分20(1)、20(2)及び20(3)を含む結合モジュール20を示している。これらの3つの結合モジュール導電部分の各々は、マスク接触要素26(1)−26(3)によって異なるマスク接触要素に電気的に結合されている。
異なる結合モジュール導電部分の間の絶縁は、これらの結合モジュール導電部分の間に絶縁材料を取り付けることにより又は結合モジュール導電部分の間に間隙(間隙20(0)のような)を形成することによって達成することができる。図14の断面図は、絶縁材料で製造された下側層22(1)を含む、結合モジュール20の上側部分22を示している。下側層22(1)は、結合モジュール導電部分20(1)及び20(2)を支持し一方で結合モジュール導電部分20(1)と20(2)の間の間隙20(0)を維持する。
第1の結合モジュール導電部分20(1)は、第1のマスク接触要素26(1)に接触し一方で第2の結合モジュール20(2)は、第2及び第3のマスク接触要素26(2)及び26(3)に接触する。
第1及び第2の結合モジュール導電部分20(1)及び20(2)は、EUVLマスク10により、第1、第2、及び第3のマスク接触要素26(1)、26(2)及び26(3)を通じて互いに短絡することができる。
換言すれば、第1から第3のマスク接触要素26(1)−26(3)が、EUVLマスク10に電気的に結合されると、その時にそれらは、第1及び第2の結合モジュール導電部分20(1)と20(2)の間の導電経路の一部を形成することができる。
例えば、第1のマスク接触要素26(1)がEUVLマスク10に接触しないか又は他の理由でEUVLマスク10に電気的に結合していない場合、その時に第1及び第2の結合モジュール導電部分20(1)と20(2)とが互いに絶縁されたままとすることができる。
その結果、第1及び第2の結合モジュール導電部分20(1)と20(2)の間の結合の評価は、第1から第3のマスク接触要素26(1)−26(3)が適切にEUVLマスク10に接触しているか否かを示すことができる。従って、第1及び第2の結合モジュール導電部分20(1)及び20(2)は、抵抗計、電圧計、電流計などのような測定デバイス(図15の測定デバイス71のような)の異なるターミナルに電気的に結合することができる。
そのような測定は、第1及び第2の結合モジュール導電部分20(1)及び20(2)がチャック50によって短絡されていないという仮定に基づくことに注意すべきであり、これは、チャック50の電気的絶縁要素にそれらを結合することによって達成することができる。図16は、第1及び第2の結合モジュール導電部分20(1)及び20(2)に電気的に結合された(導体81及び82をそれぞれ通じて)、チャック50の2つの相互に絶縁された要素51及び52を示している。
EUVLマスク10の導電部分は酸化される可能性があり、それによって不要な酸化層がEUVLマスク10の上側部分に形成する場合がある。この酸化層は非導電性であり、マスク接触要素26(1)−26(3)がEUVLマスク10に接触する時に、酸化層は、それらの間の導電経路の形成を妨げる場合がある。
これは、第1及び第2の結合モジュール導電部分20(1)及び20(2)が、EUVLマスク10を通じて互いに電気的に結合することを妨げる。
測定デバイス71が、そのような問題を感知することができる一方、電圧供給部0は、酸化層を除去するために又はマスク接触要素26(1)−26(3)によって接触された箇所での酸化層を少なくとも除去するのに十分高い可能な電圧パルス(又は他の電気信号)を発生させることにより、この問題の解決を助けることができる。
測定デバイス70及び電圧供給部80は、(a)第1及び第2の結合モジュール導電部分20(1)及び20(2)が互いに電気的に結合しているか否か(酸化層が存在しているか否かを判断することと同等とすることができる)を評価する段階と、(b)そのような酸化層が存在していると判断されたら−酸化層を破壊するために電圧供給部80によって電気信号を印加する段階との1回又はそれよりも多くの反復を含む処理に加わることができる。
1回の反復が失敗した場合、次の反復は、次の反復中に供給される信号の変更(例えば、電圧を高める)によって優先的に行うことができる。制限されない値は、例えば、3Vから400Vである数ボルトから数百ボルトの範囲とすることができる。
図18は、本発明の実施形態による方法100を示している。
方法100は、極端紫外線(EUVL)マスクを検査するのに適用される。
方法100は、チャック上にEUVLマスク及び結合モジュールを置くステージ100によって開始することができる。結合モジュールは、上述の結合モジュールのうちのいずれかとすることができる。結合モジュールは、EUVLマスクの上側部分とチャックとを電気的に結合する。
ステージ110の後に、結合モジュールの上側部分によって定められる開口を通過する荷電粒子ビームによってEUVLマスクのパターン転写区域の少なくとも一部分を走査するステージ120が続くことができ、その間に、チャック、結合モジュール及び荷電粒子ビームは、真空チャンバ内に位置する。
結合モジュールは、上述の結合モジュールのうちのいずれかとすることができる。本方法は、ローディング及び加えて真空チャンバから結合モジュール及びEUVLマスクをアンローディングするあらゆるステージを含むことができる。
説明を簡略にするために、図18は、EUVLマスク及び結合モジュールを真空チャンバ内に置くステージと、結合モジュール及びマスクを真空チャンバから取り出すステージとは示していない。
図19は、本発明による、マスク接触要素とEUVLマスクの間に形成される電気経路の導電性を改善する方法200を示している。
方法200は、EUVLマスクをチャック上に置き、結合モジュールの複数のマスク接触要素が、複数の位置でEUVLマスクに接触することを可能にする方法で結合モジュールを位置決めするステージ210によって開始することができる。結合モジュールは、相互に絶縁され複数のマスク接触要素に電気的に結合する、複数の結合モジュール導電部分を含む。複数の結合モジュール導電部分は、相互に絶縁された、チャックの異なる要素に電気的に結合する。
ステージ210の後に、EUVLマスクを通じて互いに短絡すべき1対の(複数の結合モジュール導電部分のうちの)結合モジュール導電部分が、互いに短絡していないかを評価するステージ220が続くことができる。これは、酸化層が、結合モジュール導電部分のこの対を絶縁する時に生じる場合がある。代替的に、結合モジュール導電部分が、酸化層の部分的生成によって形成する場合がある高抵抗経路によって互いに結合されている場合がある。
互いに短絡すべき結合モジュールの全ての導電部分が、互いに短絡していると判断されると、方法200は終了することができる(ENDステージ260に示すように)。
EUVLマスクを通じて互いに短絡すべき結合モジュールの1対の導電部分が互いに短絡していないと判断されると、ステージ220の後に、結合モジュール導電部分のこの対の間に電圧供給部によって電気信号が印加されるステージ230が続くことができる。
ステージ230の後、EUVLマスクを通じて互いに短絡すべき結合モジュール導電部分のこの対が互いに短絡していないかを評価するステージ240が続くことができる。
互いに短絡すべき結合モジュール導電部分のこの対が互いに短絡していると判断されると、方法200は終了することができる(ENDステージ260に示すように)。
図20−図25は、本発明の様々な実施形態による、EUVLマスクと結合モジュールとを示している。
本発明の実施形態により、EUVLマスクは、マスクカバー103とマスク支持要素101とを有するマスクホルダによって支持することができる。マスク支持モジュール101は、チャックの一部である又は結合モジュール20の一部であると見なすことができる。
図20は、本発明の実施形態によるEUVLマスク102と、マスクカバー103及びマスク支持モジュール101とを含む結合モジュールとの等角投影図を提供する。図21は、本発明の実施形態によるマスク支持モジュール101とEUVLマスク102とを示している。図22及び図23は、本発明の様々な実施形態によるマスク支持モジュール101を示している。図24及び図25は、本発明の様々な実施形態によるマスクカバー103の上面図及び下面図である。
図21を参照すると、マスク支持モジュール101は、バネホルダ105を有する整列バネ104と、3つのマスクボーダー106と、整列バネハンドルカム107と、2つの電気的接触バネ108及び109と、4つのマスクカバーサポート112とを含む。
マスク支持モジュール101は、例えば、硬質クロムである導電性コーティングを有する例えばアルミナである絶縁セラミックで製造することができる。フロントマスク表面は、絶縁空間によって分離された2つのコーティング区域110及び111を有する。これは、接触バネ108と109とを、導電性試験及び電気的ザッピングプロシージャのために異なる電位に接触させることを可能にする。整列バネ104は、EUVLマスクのコーナ楔に作用することができ、マスクを3つのマスクボーダー106に係合するように押圧し、そのようにマスク整列が行われる。
ハンドカム107は、整列バネ104からのEUVLマスク102の手動リリースのように設計されている。自動リリースは、専用デバイス(図示せず)によって行われる。4つのマスクコーナサポート112は、マスクカバー103にマスクカバーの固有振動数を高める更に別のサポートを提供するのに必要である。
図22は、マスク支持モジュール101の等角投影図である。EUVLマスク102は、ベースホルダ101の3つのバルジ113、114及び115の上に位置することができる。それらのバルジは、例えば、硬質クロムである導電性コーティングによって被覆され、マスク接触が可能であるマスク区域を通じてEUVLマスク102と接触する。
ホルダベース101の裏側は、図23に示されており、そこでは全体の表面が3つの区域に分割されている。第1の区域は大きい導電性コーティング区域117であり、第2の区域は小さい導電性コーティング区域116であり、かつ第3の区域は2つの導電性区域116及び117を分離する誘電体区域である。導電性区域116は接触バネ108に接続され、導電性バネ109は導電性区域117に接続される。これは、導電性試験及びザッピングプロシージャの達成を可能にする。
図24は、本発明の実施形態によるマスクカバー103の前側の等角投影図であり、図25は、マスクカバー103の裏側の等角投影図を提供する。
4つの孔118、119、120、及び121は、EUVLマスク102の前側へのマスクカバー10の取り付け及び取り外しを意図している。これは、専用機構(図示せず)によって行われる。カバー103は、例えば、アルミナセラミックである絶縁材料で製造され、前側の表面122及び裏側の表面131を除いた表面全体が、例えば、硬質クロムである導電性コーティングを有する。
図25を参照すると、導電性表面と絶縁性表面とのこの構成は、導電性試験とマスクザッピングプロシージャの達成を可能にする。マスクカバー103の裏側表面の上には、4つのスロットポケット127、128、129、及び130があり、それらは、マスクカバー103固有振動数をマスクカバーがEUVLマスク102に取り付けられた時に高める4つのマスクカバーサポート112との相互作用を意図している。マスクカバー103の中央部の方形ポケット126は、EUVLマスク102へのカバー取り付けを意図している。マスクカバー103は、3つの突出した小さい表面123、124、及び125を通じてEUVLマスク102と接触する。電気的接触の観点からは、突出表面125は、表面132との一体部分であり、2つの突出表面123及び124は、マスクカバー103の裏側の残りのコーティング部133との一体部分である。マスクカバー103がEUVLマスク102に取り付けられ、かつEUVLマスク102をマスクベース111上に装着した時(図20を参照されたい)、接触バネ108は、表面132との電気的接触を有し、接触バネ109は表面133との電気的接触を有する。このような構成は、導電性試験及びマスクザッピングプロシージャの実施を可能にする。3つの突出表面123、124、及び125の向きは、EUVLマスク102の前面の機械的接触の許された区域の向きによって定まる。
EUVLマスクを通じて互いに短絡すべき結合モジュール導電部分のこの対が(ステージ230にも関わらず)互いに短絡していないと判断されると、ステージ230の後にステージ240が続くことができ又はステージ230の間に印加された信号を変化させるステージ250が続くことができる。ステージ250の後にステージ230が続くことができる。ステージ250は、次の反復中に印加される信号の変化(例えば、電圧を高める)を含むことができる。制限されない値は、例えば、3Vから400Vである数ボルトから数百ボルトの範囲とすることができる。
本発明の特定の特徴を本明細書で図示して説明したが、多くの修正、置換、変更、及び均等物を当業者はここで想起するであろう。従って、特許請求の範囲は、全てのそのような修正及び変形を本発明の真の意図の範囲に含めるように意図されることは理解されるものとする。
10 EUVLマスク
20 結合モジュール
22 開口
50 チャック

Claims (13)

  1. 極端紫外線リソグラフィ(EUVL)マスクをチャックに結合するための結合モジュールであって、
    相互に絶縁された複数の結合モジュール導電部分であって、それぞれが、
    開口部分を定める上側部分と、
    前記上側部分と接続された少なくとも1つのマスク接触要素と、
    少なくとも1つのチャック接触要素と、
    前記少なくとも1つのチャック接触要素と前記上側部分の間に接続した中間要素と、
    を含む複数の結合モジュール導電部分を備え、
    前記開口の形状及びサイズが、EUVLマスクのパターン転写区域の形状及びサイズに対応し、
    前記複数の結合モジュール導電部分のそれぞれが、前記少なくとも1つのマスク接触要素が前記EUVLマスクの上側部分に接触した状態で、前記少なくとも1つのチャック接触要素が該EUVLマスクを支持するチャックに接触するような形状及びサイズであり、
    前記複数の結合モジュール導電部分のそれぞれが、前記EUVLマスクが結合モジュールと整列して前記チャック上に位置決めされた時に、該EUVLマスクの前記上側部分と該チャックの間に少なくとも1つの導電経路をもたらす、
    ことを特徴とする結合モジュール。
  2. 前記EUVLマスクが前記チャック上に位置決めされた時に該EUVLマスクのエッジを遮蔽することを特徴とする請求項1に記載の結合モジュール。
  3. 少なくとも1つのチャック接触要素が、バネを含むことを特徴とする請求項1に記載の結合モジュール。
  4. 前記複数の結合モジュール導電部分のそれぞれについて、前記少なくとも1つのマスク接触要素は、前記パターン転写区域の外側である位置で前記EUVLマスクに接触するように位置決めされることを特徴とする請求項1に記載の結合モジュール。
  5. 前記開口は、結合モジュールが前記EUVLマスク上に置かれた状態で前記パターン転写区域を露出することを特徴とする請求項1に記載の結合モジュール。
  6. 前記複数の結合モジュール導電部分のそれぞれについて、前記中間要素は、前記EUVLマスクの一部を取り囲むような形状であることを特徴とする請求項1に記載の結合モジュール。
  7. 前記複数の結合モジュール導電部分のそれぞれについて、前記中間要素は、結合モジュールがEUVLマスク上に置かれた時に該EUVLマスクの少なくとも1つの側壁に接触するような形状であることを特徴とする請求項1に記載の結合モジュール。
  8. 前記EUVLマスクの中心の周りに対称であることを特徴とする請求項1に記載の結合モジュール。
  9. ステンレス鋼で製造されることを特徴とする請求項1に記載の結合モジュール。
  10. 前記複数の結合モジュール導電部分のそれぞれについて、前記少なくとも1つの導電経路は、非導電性結合モジュールの導電性コーティングによって形成されることを特徴とする請求項1に記載の結合モジュール。
  11. 前記複数の結合モジュール導電部分のそれぞれについて、前記少なくとも1つの導電経路は、複数の導電経路を含むことを特徴とする請求項1に記載の結合モジュール。
  12. 前記複数の結合モジュール導電部分のそれぞれについて、前記少なくとも1つのマスク接触要素は、結合モジュールが前記EUVLマスク上に置かれた時に前記EUVLマスクに緩く接触するように配列されることを特徴とする請求項1に記載の結合モジュール。
  13. 請求項1乃至12のいずれか一項に記載の結合モジュールを用いて極端紫外線リソグラフィ(EUVL)マスクを検査する方法。
JP2012229291A 2011-09-27 2012-09-27 支持チャックにeuvlマスクを電気的に結合するための導電性要素 Expired - Fee Related JP5808723B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161539971P 2011-09-27 2011-09-27
US61/539,971 2011-09-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013074300A JP2013074300A (ja) 2013-04-22
JP5808723B2 true JP5808723B2 (ja) 2015-11-10

Family

ID=47910205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012229291A Expired - Fee Related JP5808723B2 (ja) 2011-09-27 2012-09-27 支持チャックにeuvlマスクを電気的に結合するための導電性要素

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8772737B2 (ja)
JP (1) JP5808723B2 (ja)
KR (1) KR101579748B1 (ja)
CN (1) CN103105725B (ja)
TW (1) TWI486725B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102254042B1 (ko) * 2013-08-12 2021-05-21 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드 마스크를 마스크 홀더에 부착하기 위한 시스템 및 방법
US9341937B2 (en) * 2014-04-25 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Lithography system and method for patterning photoresist layer on EUV mask
JP2016170310A (ja) * 2015-03-13 2016-09-23 株式会社荏原製作所 レチクル搬送装置、検査装置およびレチクル搬送方法
CN115298792A (zh) * 2019-10-28 2022-11-04 Asml荷兰有限公司 用于在带电粒子系统中对掩模进行检查和接地的系统
US11694869B2 (en) 2020-12-08 2023-07-04 Applied Materials Israel Ltd. Evaluating a contact between a wafer and an electrostatic chuck

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3368139B2 (ja) * 1996-03-19 2003-01-20 東芝機械株式会社 電子ビーム描画装置用試料ステージ
JP2001284205A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Nec Corp 荷電粒子ビーム描画装置
JP2003263969A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Jeol Ltd 試料ホルダ
JP2004139761A (ja) * 2002-10-15 2004-05-13 Advantest Corp ステージ装置及び荷電粒子装置
JP2004335513A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Nikon Corp レチクルの保持方法、保持装置及び露光装置
JP2005032886A (ja) 2003-07-10 2005-02-03 Nikon Corp マスクフレーム、露光方法及び露光装置
JP2005032963A (ja) * 2003-07-11 2005-02-03 Toshiba Mach Co Ltd 電子ビーム露光装置
US6984475B1 (en) * 2003-11-03 2006-01-10 Advanced Micro Devices, Inc. Extreme ultraviolet (EUV) lithography masks
US6960772B1 (en) * 2004-06-09 2005-11-01 International Business Machines Corporation Mask carrier
JP2006128188A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Nikon Corp 基板搬送装置、基板搬送方法および露光装置
US7514186B2 (en) * 2005-06-28 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. System for electrically connecting a mask to earth, a mask
JP4802025B2 (ja) * 2006-03-29 2011-10-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 基板のアース機構及び荷電粒子ビーム描画装置
WO2008075340A1 (en) * 2006-12-18 2008-06-26 Camtek Ltd. A chuck and a method for supporting an object
JP2008300756A (ja) * 2007-06-04 2008-12-11 Hitachi High-Technologies Corp ウェーハ保持機、および荷電粒子線装置
US7952851B2 (en) * 2008-10-31 2011-05-31 Axcelis Technologies, Inc. Wafer grounding method for electrostatic clamps
JP2010206177A (ja) * 2009-02-06 2010-09-16 Toshiba Corp 露光用マスク及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法
KR101660343B1 (ko) * 2009-04-13 2016-09-27 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 푸리에 필터링 및 이미지 비교를 구비한 마스크 검사
JP2011014630A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Nuflare Technology Inc 基板カバー着脱機構、基板カバー着脱方法および描画装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101579748B1 (ko) 2015-12-23
US20130075605A1 (en) 2013-03-28
US8772737B2 (en) 2014-07-08
CN103105725A (zh) 2013-05-15
KR20130033984A (ko) 2013-04-04
TW201317718A (zh) 2013-05-01
CN103105725B (zh) 2018-01-09
JP2013074300A (ja) 2013-04-22
TWI486725B (zh) 2015-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5808723B2 (ja) 支持チャックにeuvlマスクを電気的に結合するための導電性要素
KR101415551B1 (ko) 정전척, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP5417428B2 (ja) 電子顕微鏡および試料保持方法
JP7362741B2 (ja) オブジェクトテーブル
US20110142578A1 (en) Sample conveying mechanism
US9105446B2 (en) Charged particle beam apparatus
TWI507680B (zh) 帶電粒子束成像技術之電荷釋放方式
TWI438854B (zh) 基板處理裝置及其方法
US20230124558A1 (en) Beam manipulator in charged particle-beam exposure apparatus
JP5149207B2 (ja) 基板搭載装置
JP7220646B2 (ja) 荷電粒子線装置およびステージ
TW202230016A (zh) 用於在帶電粒子系統中檢測光罩及將光罩接地之系統
KR101087141B1 (ko) 플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법
TWI853284B (zh) 晶圓接地系統及非暫時性電腦可讀媒體
KR102704793B1 (ko) 웨이퍼 접지를 위한 방법, 장치 및 시스템
US20070247165A1 (en) Wafer backside particle detection for track tools
JP3913254B2 (ja) 半導体ウェハ検査装置及び半導体ウェハ検査方法
TW202105442A (zh) 適用於粒子束裝置之平台裝置
KR20240135868A (ko) 정전식 클램프를 포함하는 오브젝트 테이블
WO2020141091A2 (en) Apparatus for obtaining optical measurements in a charged particle apparatus
JP2003172715A (ja) 電子線装置及びデバイス製造方法
JP2004063876A (ja) 静電チャック機構
KR20050116758A (ko) 마스크 및 그 접지방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150204

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20150204

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20150216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150316

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150616

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150619

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150810

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150909

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5808723

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees