KR20020005514A - 전도성 페이스트, 외부 전극 및 그의 제조 방법 - Google Patents

전도성 페이스트, 외부 전극 및 그의 제조 방법 Download PDF

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KR20020005514A
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Abstract

산화납을 실질적으로 포함하지 않는 글래스 프릿을 이용하여, 낮은 온도에서 소성이 가능하고, 또한 접착 강도를 충분히 얻을 수 있는 외부 전극 형성용 전도성 페이스트, 전자 부품의 외부 전극과 그 제조 방법, 및 전자 부품을 제공한다.
전도성 페이스트에 포함되는 글래스 프릿이, 산화납을 실질적으로 포함하지 않고, B203: 5.0 ∼ 30.0 중량%, SiO2: 10.0 ∼ 60. 0 중량%, BaO : 45.0 중량% 이하, ZnO : 20.0 중량% 이하, Al2O3: 12.0 중량% 이하 및 Na20 : 15.0 중량% 이하를 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 외부 전극용 전도성 페이스트; 및 상기 전도성 페이스트를 500 ∼ 750 ℃에서 소성하는 공정을 포함하는 외부 전극의 제조 방법을 제공한다.

Description

전도성 페이스트, 외부 전극 및 그의 제조 방법{CONDUCTIVE PASTE, OUTER ELECTRODE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME}
본 발명은 전자 부품의 외부 전극을 형성하기에 적합한 전도성 페이스트에 관한 것이며, 특히, 이에 포함되는 글래스 프릿이 환경에 유해한 납화합물을 실질적으로 포함하지 않는 전도성 페이스트에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 전도성 페이스트를 소성하여 얻어지는 전자 부품의 외부 전극, 그의 제조 방법, 및 상기 외부 전극을 갖춘 전자 부품에 관한 것이다.
자성체나 유전체를 소자로서 이용하는 전자 부품, 및 적층형의 전자 부품에 있어서, 이 부품의 단자전극으로서, 또는 회로를 구성하는 표면 패턴 등에 설치되는 외부 전극은, 전도성 페이스트를 인쇄 또는 도포하여 건조하고, 즉 용매를 제거한 후 소성하여 형성된다. 또한, 전자 부품의 외부 전극과 그것을 장착하는 프린트 회로기판과의 사이의 접착 강도를 유지하기 위해서, 외부 전극의 표면에 도금을 실시하고, 양자의 계면에 납땜을 실시한다.
외부 전극은 기계적 강도를 필요로 하기 때문에, 그것을 형성하기 위한 전도성 페이스트에는, 전도성 입자, 수지 및 용매 외에, 전극에 기계적 강도를 부여하기 위해, 글래스 프릿이 배합된다. 이 경우, 전도성 페이스트의 소성온도가 높으면, 소자의 내부 전극이 용융하여, 내부 결함을 일으킬 우려가 있다. 따라서, 이 용도의 전도성 페이스트에 포함되는 글래스 프릿에는, 보통, 다량의 산화납을 포함하는 저융점의 글래스 프릿이 이용된다.
한편, 다량의 산화납을 함유하는 글래스 프릿의 사용은, 환경에 미치는 영향이 크다. 따라서, 환경보전의 견지에서, 산화납을 실질적으로 포함하지 않는 글래스 프릿을 이용하는 전도성 페이스트가 요구되고 있다.
그렇지만, 산화납을 포함하지 않는 글래스 프릿을 이용하면, 전극과 소자, 기판 등간의 접착 강도를 얻을 수 없어, 전극이 소자, 기판 등으로부터 박리되는 경향이 발생한다. 전도성 페이스트의 소성온도를 높이면, 이 문제는 해결되지만, 상기와 같이 내부 전극의 용융이 생긴다.
따라서, 본 발명의 과제는 산화납을 실질적으로 포함하지 않는 글래스 프릿을 사용하여, 낮은 온도에서 소성이 가능하고, 또한 전극과 소자, 기판 등의 사이의 접착 강도가 충분히 얻어지는, 외부 전극 형성용 전도성 페이스트를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 과제는 상기 전도성 페이스트를 이용하는 전자 부품의 외부 전극과 그 제조 방법, 및 이 전극을 이용하는 전자 부품을 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상기의 과제를 달성하기 위해 검토를 거듭한 결과, 산화납을 실질적으로 포함하지 않아도, 상기의 과제를 만족시킬 수 있는 글래스 프릿의 조성을 발견하여 본 발명을 완성하게 되었다.
즉, 본 발명은 전자 부품의 외부 전극용 전도성 페이스트로서, 상기 전도성 페이스트에 포함되는 글래스 프릿이,
(1) 산화납을 실질적으로 포함하지 않고;
(2) 글래스 프릿 중에, 산화물 단위로서,
B203: 5.0 내지 30.0 중량%,
SiO2: 10.0 내지 60. 0 중량%, 및
BaO, ZnO, Al2O3및 Na20로부터 선택되는 한 가지 이상 산화물을 함유하고, 상기 BaO의 함유량이 60.0 중량% 이하, ZnO의 함유량이 30.0 중량%이하, Al2O3의 함유량이 12.0 중량% 이하, Na20의 함유량이 15.0 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 페이스트에 관한다.
본 발명은, 또한 이 전도성 페이스트를 소성하여 얻어지는 전자 부품의 외부 전극, 상기 전도성 페이스트를 온도 500 내지 750 ℃에서 소성하는 공정을 포함하는 전자 부품의 외부 전극의 제조 방법, 및 상기 외부 전극을 갖춘 전자 부품에 관한다.
본 발명의 전도성 페이스트는 전도성 입자, 글래스 프릿 및 부형제(Vehicle)을 포함하고, 상기 부형제로는 통상적으로, 수지 및 유기 용매를 포함한다.
본 발명의 전도성 페이스트에 이용되는 전도성 입자는, 은, 구리, 아연, 인듐, 주석, 니켈, 루테늄, 팔라듐 등의 금속입자; 및 이것들을 포함하는 합금입자가 예시되며, 단독으로 이용해도, 2종 이상을 병용해도 상관없다. 이 전도성 입자 중, 안정하고, 우수한 전도성을 비교적 용이하게 얻을 수 있으므로, 은 또는 은합금 입자가 바람직하며, 은 입자가 특히 바람직하다. 은합금으로서는, 은을 주성분으로 하는 AgCu 합금, AgAu 합금, AgPd 합금, AgNi 합금, AgSn 합금 등이 예시된다.
전도성 입자의 형상은, 구상(球狀), 링편상(ring 片狀), 침상(針狀) 등, 어떤 형상이라도 상관없다. 평균입자 크기는, 인쇄 또는 도포 후에 우수한 표면상태를 부여하며, 또, 형성된 전극에 우수한 전도성을 부여하므로, 보통 0.05 ∼ 30 ㎛이며, 0.1 ∼ 20 ㎛가 바람직하다. 또한, 여기서 평균 입자 크기란, 구상의 경우에는 입자 직경, 링 편상의 경우는 입자박편의 긴 직경, 침상의 경우는 길이의, 각각 평균을 말한다.
전도성 페이스트 중의 전도성 입자의 구성비는, 전도성 페이스트가 양호한 인쇄 특성을 나타내고, 얻어진 전극이 우수한 비저항을 얻을 수 있으므로, 10 ∼ 95 중량%가 바람직하며, 40 ∼ 80 중량%가 더욱 바람직하다.
본 발명의 전도성 페이스트에 이용되는 글래스 프릿은, 환경에 악영향을 미치는 산화납을 실질적으로 함유하고 있지 않고, 본 발명에 있어서 특징적인, 특정범위의 조성을 갖는 성분이다. 또한, 여기서 산화납이란, 납을 함유하는 산화물을 가리킨다. 이러한 조성의 글래스 프릿을 이용한 전도성 페이스트는, 비교적 낮은 온도에서 소성할 수 있고, 또한 얻어진 전극과 전자, 기판 등의 사이의 높은 접착 강도를 얻을 수 있다. 여기서 산화납을 실질적으로 함유하고 있지 않다라는 것은,상기 정의에 의한 산화납의 함유량이, 보통 1.5 중량% 미만, 바람직하게는, 1.0 중량% 미만인 것을 말하지만, 함유량이 더욱 낮고, 0 중량%에 가까운 것이 특히 바람직하다. 또한, 글래스 프릿은, 보통, 산화물의 그물모양 구조 및 수식체로 이루어진 비정질의 복합체지만, 조성은, 글래스 프릿 중의 단위산화물의 구성비로 나타낸다.
B203는, 글래스 프릿 중, 5.0 ∼ 30.0 중량%이며, 9.0 ∼ 20.0 중량%가 바람직하다.
SiO2는, 글래스 프릿 중, 10.0 ∼ 60.0 중량%이며, 15.0 ∼ 60.0 중량%가 바람직하다.
글래스 프릿에는, 또 BaO, ZnO, Al2O3및 Na20로부터 선택되는 한 가지 이상의 산화물을 포함한다. BaO의 배합량은, 글래스 프릿 중, 60.0 중량% 이하이며, 45.0% 이하가 바람직하며, 0.1 ∼ 40.0 중량%가 더욱 바람직하다. ZnO의 배합량은, 글래스 프릿 중, 30.0 중량% 이하이며, 20.0 중량% 이하가 바람직하며, 0.1 ∼ 15.0 중량%가 더욱 바람직하다. Al2O3의 배합량은, 글래스 프릿 중, 12.0 중량%이며, 8.0 중량% 이하가 바람직하며, 0.1 ∼ 7.0 중량%가 더욱 바람직하다. Na20의 배합량은, 글래스 프릿 중, 15.0 중량%이며, 9.0 중량%이하가 바람직하며, 0.1 ∼ 7.0 중량%가 더욱 바람직하다.
글래스 프릿에, 또한, ZrO2를 배합할 수 있다. ZrO2의 배합량은, 글래스 프릿중, 0.01 ∼ 10.0 중량%가 바람직하며, 0.1 ∼ 5.0 중량%가 더욱 바람직하다.
글래스 프릿에, 또한, TiO2를 배합할 수 있다. TiO2의 배합량은, 글래스 프릿 중, 0.01 ∼ 6.0 중량%가 바람직하며, 0.1 ∼ 3.0 중량%가 더욱 바람직하다.
이와 같은 조성의 글래스 프릿에, 필요에 따라, 산화납 이외의, 다른 임의의 산화물을, 본 발명의 특징을 손상하지 않는 범위에서, 예를 들어 글래스 프릿에 대해 합계 10.0 중량% 이하를 추가로 배합해도 좋다.
이와 같은 글래스 프릿은, 통상적인 방법에 의해, 원하는 산화물 구성비가 되도록 원료산화물을 배합하고, 용융한 후, 물 속에 담그던가, 물로 식힌 금속롤 사이를 관통시키는 등의 방법에 의해 급냉하여, 필요에 따라 더욱 분쇄하는 등의 방법에 의해 제조할 수 있다.
전도성 페이스트 중의 글래스 프릿의 구성비는, 전극과 소자, 기판 등의 사이의 접착강도를 유지하므로, 0.1 ∼ 30 중량%가 바람직하고, 5 ∼ 15중량%가 더욱 바람직하다.
본 발명의 전도성 페이스트에 이용되는 부형제은, 일반적으로, 수지를 유기용매에 용해시킨 것으로, 전도성 페이스트를 소자에 인쇄 또는 도포하는 것을 용이하게 하고, 또 소성에 이르는 사이, 소자에 대한 양호한 밀착성을 부여하는 것이다.
수지는, 열가소성이어도 열경화성이어도 좋다. 열가소성 수지로서는, 아크릴 수지, 에틸 셀룰로오스, 폴리에스테르, 폴리설폰, 페녹시 수지, 폴리 아미드 등이예시된다. 열경화성 수지로서는, 요소수지, 멜라민 수지, 구아나민 수지와 같은 아미노 수지; 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 페놀 노보락(novolak)형, 알리시클릭 에폭시 수지; 옥세탄(oxetane) 수지; 레졸 타입과 같은 페놀 수지 및 노보락형 페놀 수지 등이 바람직하다. 에폭시 수지의 경우, 자기 경화형 수지를 사용해도, 아민류, 이미다졸류, 산무수물 또는 오늄(onium)염과 같은 경화제나 경화촉진제를 사용해도 되고, 아미노 수지나 페놀 수지를, 에폭시 수지의 경화제로서 기능시켜도 된다. 수지는 단독으로 사용하거나, 2종 이상을 병용해서 사용할 수 있다. 수지로서는 연소하더라도 전도층 중에 수지나 그 분해생성물이 잔존하는 양이 적다는 이유에서 열가소성 수지가 바람직하다.
유기용매는 수지의 종류에 따라 선택된다. 유기용매로서는, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌 및 테트라린과 같은 방향족 탄화수소류; 테트라하이드로퓨란과 같은 에테르류; 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론(isophorone)과 같은 케톤류; 2-피롤리돈, 및 1-메틸-2-피롤리돈과 같은 락톤류; 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 또한 이들에 대응하는 프로필렌글리콜 유도체와 같은 에테르알콜류; 이에 대응하는 초산 에스테르와 같은 에스테르류; 및 마론산, 호박산 등과 같은 디카르본산의 메틸에스테르, 에틸에스테르와 같은 디에스테르류가 예시된다. 유기용매는 단독으로 사용하거나, 2종 이상을 병용하여 사용하여도 상관없다.
전도성 페이스트 중 부형제의 구성비는, 보통 5 ∼ 90 중량%이며, 15 ∼ 50중량%가 바람직하다. 부형제 중 수지와 유기용매의 중량비는, 이용되는 전도성 입자, 글래스 프릿 및 수지의 종류와 구성비, 또한 전도성 페이스트를 인쇄 또는 도포하는 방법 등에 의해, 임의로 선택되지만, 보통, 수지가 5 ∼ 50 중량%, 유기용매가 50 ∼ 95 중량%이다.
본 발명의 전도성 페이스트에는 또한, 필요에 따라, 분산제, 증감제, 티소트로픽제, 소포제, 실란커플링제 등을 배합할 수 있다. 분산제로서는, 지방족 다가 카본산 에스테르, 불포화지방산 아민염; 소르비탄 모노올레이트와 같은 계면활성제; 및 폴리에스테르 아민염, 폴리아미드와 같은 고분자 화합물 등이 예시된다. 실란커플링제로서는, 3-아미노 프로필 트리메톡시실란, 3-아미노프로필 트리에톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노 프로필 트리 메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노 프로필 메틸 디메톡시실란, 3-메르캅토 프로필 트리 메톡시실란, 3-클로로 프로필 트리메톡시실란, 3-클로로 프로필 메틸 디메톡시실란, 3-클로로 프로필 트리 에톡시실란, 3-클로로 프로필 메틸 디에톡시실란, 3-글리시드 키시프로필 트리 메톡시 실란, 3-글리시드 키시프로필 메틸 디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸 트리 메톡시실란 등이 예시되며, 전도성 입자, 수지, 및 외부 전극을 접착시키는 소자나 기판 등의 종류에 따라 선택된다.
본 발명의 전도성 페이스트는, 소자, 기판 등에 인쇄 또는 도포하는 방법에 따라, 적당한 점도로 조제할 수 있다. 예를 들어, 스크린 인쇄에 이용되는 경우, 상온에서 전도성 페이스트의 외관 점도는, 10 ∼ 500 Pa·s가 바람직하며, 15 ∼ 100 Pa·s가 더욱 바람직하다.
본 발명의 전도성 페이스트는, 예를 들어 다음과 같이 해서 조제할 수 있다. 즉, 수지를 유기용매에 용해시켜서, 부형제을 조제한다. 이것에, 전도성 입자, 글래스 프릿 및 필요에 따라 배합하는 다른 성분을 배합하여, 3개의 롤, 폿트밀, 니더와 같은 혼합수단에 의해 균일하게 분산시킴에 따라, 전도성 페이스트를 얻을 수 있다. 조제온도는, 특히 한정되지 않고, 예를 들어 상온에서 조제할 수 있다.
본 발명의 외부 전극의 제조 방법은, 다음과 같다. 즉, 우선 전도성 페이스트를, 자성체, 유전체 등의 소자, 기판, 전동회로 등, 외부 전극을 설치하고 싶은 대상에, 인쇄 또는 도포한다. 인쇄는, 예를 들어 스크린 인쇄, 전사 등에 의해 행하고, 도포는, 예를 들어 어플리케이터, 디스펜서 등을 이용하여 행한다. 인쇄 또는 도포하는 두께는, 보통, 소성 후의 외부 전극의 두께가 5 ∼ 100μm가 되는 두께이다.
자성체로서는 산화철; 코발트 페라이트, 니켈 페라이트, 구리 페라이트, 아연페라이트, 바륨 페라이트, 희토류 페라이트, 망간 페라이트, Ni-Zn 페라이트, Cu-Zn 페라이트, Mn-Zn 페라이트, Mn-Mg 페라이트, Mn-Ni 페라이트, Fe-Al-Co 페라이트와 같은 페라이트류; 이트륨-철 가넷(garnet)과 같은 가넷류; 철-니켈합금, 철-니켈-코발트합금, 철-니켈-크롬합금, 코발트-니켈합금, 구리-니켈-철합금, 구리-니켈-코발트합금, 바나듐-철-코발트합금, 니켈-망간합금과 같은 합금류가 예시된다. 유전체로서는 티탄산마그네슘, 티탄산칼슘, 티탄산스트론튬, 티탄산발륨, 티탄산납, 주석산칼슘, 주석산바륨, 지르콘산 바륨 및 그것들의 고용체, 알루미나, 펠로브스카이트 등이 예시되며, 우수한 유전특성 때문에 티탄산 바륨이 바람직하다. 기판으로서는 세라믹, 알루미나 등이 예시된다.
이어서, 인쇄 또는 도포된 전도성 페이스트를 건조하여, 전도체층을 형성한다. 건조는 보통 70∼250 ℃로 2∼15 분간 가열함으로써 실시된다.
이어서, 얻어진 전도체층을 소성하여, 본 발명의 전자 부품의 외부 전극을 형성시킨다.
본 발명에 의한 전자 부품의 외부 전극의 제조 방법으로서 특징적인 것은, 소성공정에서, 온도 500∼750 ℃, 바람직하게는 600∼670 ℃로 소성하는 것이다. 소성온도가 500 ℃미만에서는 소성이 불충분하며, 기계적 강도, 및 소자, 기판, 전도성 회로 등에 대한 충분한 접착 강도, 또 프린트 회로기판에 대해서는 납땜을 할 때, 충분한 접착 강도를 갖는 전극을 얻을 수 없다. 반면, 750 ℃를 넘으면, 내부 전극이 침범되어 내부결함이 일어나거나, 전기특성의 변동이 일어나거나 한다.
소자의 외부 전극을 프린트 배선 기판에 접착시킴으로써, 소자를 이 기판에 장착하는 경우는, 소성에 의해 얻어진 전극의 프린트 배선기판에 대한 접착 강도를 높이기 위해서, 니켈, 주석과 같은 금속으로 도금을 행한다. 도금은, 전해도금이어도, 무전해 도금이어도 좋지만 이와 같은 전극도금에는 사이즈 정밀도 때문에 전해도금이 바람직하다. 니켈과 주석으로 이중도금하는 것이 바람직하다. 이어서, 프린트 배선기판과의 사이에 납땜을 하고, 소자를 이 기판에 장착한다.
본 발명의 전자 부품은, 본 발명의 외부 전극을 갖춘 것이며, 인덕터, 컨덴서 등이 예시된다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하겠다. 본 발명은 이 실시예들에 의해 한정되는 것이 아니다. 실시예 및 비교예에서, 부는 중량부, 조성의 %는 중량%로 나타낸다.
실시예1 ∼ 4, 비교예1, 2
표 1에 나타내는 조성의, 글래스 프릿을 작제했다. 단, 비교예 1의 글래스 프릿은, 본 발명의 범위외의 조성을 갖는 것이며, 비교예 2의 글래스 프릿은, 산화납을 주성분으로 하는 종래의 글래스 프릿이다.
실시예 비교예
1 2 3 4 1 2
조성(%)BaOZnOB2O3SiO2Al2O3Na20ZrO2TiO2PbO 3515103055--- 35101032553-- 351010225585- 351010305532- 5510101555--- --1030----60
에틸셀룰로스 5부를 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 15부에 용해하여, 부형제를 제조했다. 이 부형제에 교반기로 교반하면서, 은 가루 70부 및 상기 조성으로 제작한 각각의 글래스 프릿 10부를 서서히 가하고, 실온에서, 또한 동일 조건으로, 롤 간극을 점차 좁혀가면서 3개 롤에 3회 통과시킴으로써 균일하게 혼합해서, 각각의 전도성 페이스트를 제조했다.
이와 같이 해서 얻어진 전도성 페이스트를, 각각, 내부 전극을 갖는 2012 사이즈의 페라이트 칩의 양면에, 소성후 두께가 30 ㎛가 되도록 균일하게 도포하고,150 ℃에서 10 분간 건조한 후, 공기중에서 각각 450 ℃, 650 ℃ 또는 800 ℃에서 10 분간, 각각의 온도까지의 승온과 300 ℃까지의 냉각시키는 데 필요한 시간을 합쳐 60분간 가열함으로써 소성하고, 또한 니켈도금 및 주석도금을 행하여, 페라이트 칩의 양면에 외부 전극을 형성시켰다. 단, 450 ℃ 또는800 ℃에서 소성한 시료는, 모두 비교용 시료이다.
이와 같이 해서 형성한 외부 전극과 페라이트 칩간의 접착 강도를 다음과 같은 방법으로 측정했다. 즉, 외부 전극의 양면에 리드선을 납땜하고, 그 한쪽을 고정하고, 다른 한쪽을 푸쉬 풀 게이지로 잡아당겨, 박리 또는 파괴했을 때의 강도를 측정했다.
또, 소성후의 전극 상태를 관찰하고, 또한, 전도성 페이스트를 소성했을 때 생긴 내부결함을, 전기특성의 변화 또는 단면의 관찰에 의해 측정했다. 이 결과들을, 표 2에 나타낸다.
소성온도(℃) 항목 실시예 비교예
1 2 3 4 1 2
450 접착강도(kgf)전극의 상태내부결함의 유무 <1.0ХО <1.0ХО <1.0ХО <1.0ХО <1.0ХО <1.0ХО
650 접착강도(kgf)전극의 상태내부결함의 유무 3.8ОО 4.5ОО 3.5ОО >5.0ОО 2.8ОО >5.0ОО
800 접착강도(kgf)전극의 상태내부결함의 유무 4.6ОХ >5.0ОХ >5.0ОХ >5.0ОХ 4.1ОХ >5.0ОХ
전극의 상태 O: 소성완료 X: 소성부족내부결함의 유무 O: 결함없음 X: 결함있음
표 2에서 확실히 알 수 있듯이, 본 발명의 전도성 페이스트를 650 ℃에서 소성하여 얻어진 외부 전극은, 산화납을 함유하는 종래의 글래스 프릿을 포함하는 비교예 2의 전도성 페이스트로부터 얻어진 외부 전극과 똑같이, 페라이트 칩에 대해 우수한 접착성을 나타내며, ZrO2및 TiO2를 함유하는 글래스 프릿을 이용한 실시예 4의 전도성 페이스트로부터는, 특히 우수한 접착강도를 나타내는 외부 전극을 얻을 수 있다. 그것에 대해서, 본 발명의 범위외의 조성을 갖는 글래스 프릿을 이용한 비교예1의 전도성 페이스트는, 충분한 접착 강도의 외부 전극을 얻을 수 없었다. 또한, 각 실시예 및 비교예의 전도성 페이스트는, 소성온도가 450℃에서는, 소성이 부족하고, 충분한 접착 강도를 얻을 수 없고, 800 ℃에서는, 접착 강도는 우수하나, 내부 결함이 발생한다.
본 발명에 의해 얻어지는, 전자 부품의 외부 전극을 형성시키기 위한 전도성 페이스트는, 글래스 프릿 중에 산화납을 포함하지 않기 때문에 환경에 대한 악영향이 없고, 게다가, 소자의 내부 전극의 용융에 의한 내부결함과 같은 문제를 발생하지 않기 위한, 낮은 온도에서 소성할 수 있다. 게다가, 소자, 기판 등에 대하여, 충분한 접착강도의 외부 전극을 얻을 수 있다.
즉, 상기의 전도성 페이스트를 이용하여, 온도 500 ∼ 750 ℃에서 소성하는 공정을 포함하는, 본 발명의 외부 전극의 제조 방법에 의해, 상기와 같은 문제점을 포함하지 않고, 또한 충분한 접착강도를 갖는, 전자 부품의 외부 전극을 제조할 수 있다.
따라서, 본 발명의 전도성 페이스트 및 외부 전극과 그 제조 방법은, 환경을 보존하면서, 종래와 동등한 전자 부품을 제공하여, 그 의의와 유용성이 크다.

Claims (6)

  1. 전자 부품의 외부 전극용 전도성 페이스트로서, 상기 전도성 페이스트에 포함되는 글래스 프릿이,
    (1) 산화납을 실질적으로 포함하지 않고;
    (2) 글래스 프릿 중에, 산화물 단위로서,
    B203: 5.0 내지 30.0 중량%,
    SiO2: 10.0 내지 60. 0 중량%, 및
    BaO, ZnO, Al2O3및 Na20로부터 선택되는 한 가지 이상 산화물을 함유하고, 상기 BaO의 함유량이 60.0 중량% 이하, ZnO의 함유량이 30.0 중량%이하, Al2O3의 함유량이 12.0 중량% 이하, Na20의 함유량이 15.0 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 페이스트.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 글래스 프릿이 추가로 0.01 내지 10.0 중량%의 ZrO2를 함유하는 전도성 페이스트.
  3. 제 1 항 또는 2 항에 있어서, 상기 글래스 프릿이 추가로 0.01 내지 6.0 중량%의 TiO2를 함유하는 전도성 페이스트.
  4. 제 1 항 내지 3 항 중 어느 한 항에 따른 전도성 페이스트를 소성하여 얻어지는 전자 부품의 외부 전극.
  5. 제 1 항 내지 3 항 중 어느 한 항에 따른 전도성 페이스트를 500 내지 750 ℃의 온도에서 소성하는 단계를 포함하는 것으로 이루어지는 전자 부품 외부 전극의 제조 방법.
  6. 제 4 항에 따른 외부 전극을 갖춘 전자 부품.
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