JP5569094B2 - 低融点ガラス組成物及びそれを用いた導電性ペースト材料 - Google Patents
低融点ガラス組成物及びそれを用いた導電性ペースト材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5569094B2 JP5569094B2 JP2010073963A JP2010073963A JP5569094B2 JP 5569094 B2 JP5569094 B2 JP 5569094B2 JP 2010073963 A JP2010073963 A JP 2010073963A JP 2010073963 A JP2010073963 A JP 2010073963A JP 5569094 B2 JP5569094 B2 JP 5569094B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- conductive paste
- lead
- layer
- paste material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 53
- 238000002844 melting Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 title claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 20
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本発明は、特に結晶シリコン太陽電池に形成される電極において、良好な電気特性が得られ、また、シリコン半導体基板との密着性が良好な無鉛導電性ペースト材料に良好な低融点ガラス組成物に関する。
半導体シリコン基板を用いた電子部品として、図１に示すような太陽電池素子が知られている。図１に示すように、太陽電池素子は、厚みが２００μｍ程度のｐ型半導体シリコン基板１の受光面側にｎ型半導体シリコン層２を形成し、受光面側表面に受光効率をあげるための窒化珪素膜などの反射防止膜３、さらにその反射防止膜３上に半導体と接続した表面電極４が形成されている。また、ｐ型半導体シリコン基板１の裏側には、アルミニウム電極層５が一様に形成されている。
このアルミニウム電極層５は、一般に、アルミニウム粉末、ガラスフリット、エチルセルロースやアクリル樹脂などのバインダーを含む有機ビヒクルとからなるアルミニウムペースト材料を、スクリーン印刷などを用いて塗布し、６００〜９００℃程度の温度で短時間焼成することで形成される。
このアルミニウムペーストの焼成において、アルミニウムがｐ型半導体シリコン基板１に拡散することで、アルミニウム電極層５とｐ型半導体シリコン基板１との間にＢＳＦ（Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）層６と呼ばれるＳｉ−Ａｌ共晶層が形成され、さらにはアルミニウムの拡散による不純物層ｐ＋層７が形成される。
このｐ＋層７は、ｐｎ接合の光起電力効果によって生成したキャリアの再結合による損失を抑制する効果をもたらし、太陽電池素子の変換効率向上に寄与する。
このＢＳＦ効果に関しては、アルミニウムペーストに含まれるガラスフリットとして、鉛を含有するガラスを用いることで高い効果を得ることが可能であるということが開示されている（例えば特許文献１、２参照）。
しかしながら、鉛成分はガラスを低融点とする上で重要な成分ではあるものの、人体や環境に与える弊害が大きい。上記特開２００７−５９３８０号公報や特開２００３−１６５７４４号公報に開示されているガラスフリットは、鉛成分を含むという問題がある。
本発明は、シリコン半導体基板を用いる太陽電池用の導電性ペーストに含まれる低融点ガラスにおいて、その組成が、実質的に鉛成分を含まず、質量％で、ＳｉＯ２ １〜１５、Ｂ２Ｏ３ １８〜３０、Ａｌ２Ｏ３ ０〜１０、ＺｎＯ ２５〜４３、ＲＯ（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯより選択される１種以上の合計） ８〜３０、及びＲ２Ｏ（Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏより選択される１種以上の合計） ６〜１７、を含むことを特徴とするＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＲＯ−Ｒ２Ｏ系無鉛低融点ガラスである。
また、前記無鉛低融点ガラスの３０℃〜３００℃における熱膨張係数が（８０〜１３０）×１０−７／℃、軟化点が４００℃以上５５０℃以下であることを特徴とする上記の導電性ペースト材料である。
また、上記の導電性ペースト材料を使用することを特徴とする太陽電池素子である。
さらに、上記の導電性ペースト材料を使用することを特徴とする電子材料用基板である。
本発明による導電性ペーストが使用される一般的な結晶Ｓｉ太陽電池セルの概略断面図を、図１として説明する。
本発明の無鉛低融点ガラスフリットを含む導電性ペースト材料を使用することで、高いＢＳＦ効果を得ることができる。また、シリコン半導体基板との良好な密着性を得ることができる。さらに、実質的に鉛成分を含まないため人体や環境に与える弊害がない。
本発明の導電性ペースト材料は、アルミニウム粉末とエチルセルロースやアクリル樹脂などのバインダーを含む有機ビヒクルに加えて、ガラスフリットを含み、ガラスフリットが実質的に鉛成分を含まず、質量％でＳｉＯ２を１〜１５、Ｂ２Ｏ３を１８〜３０、Ａｌ２Ｏ３を０〜１０、ＺｎＯを２５〜４３、ＲＯ（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）を８〜３０、Ｒ２Ｏ（Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）を６〜１７含むＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＲＯ−Ｒ２Ｏ系無鉛低融点ガラスであることを特徴とする。
本発明のガラスフリットにおいて、ＳiＯ２はガラス形成成分であり、別のガラス形成成分であるＢ２Ｏ３と共存させることにより、安定したガラスを形成することができるもので、１〜１５％（質量％、以下においても同様である）の範囲で含有させる。１５％を越えると、ガラスの軟化点が上昇し、成形性、作業性が困難となる。より好ましくは、２〜１４％の範囲である。
Ｂ２Ｏ３はガラス形成成分であり、ガラス溶融を容易とし、ガラスの熱膨張係数において過度の上昇を抑え、かつ、焼付け時にガラスに適度の流動性を与え、ガラスの誘電率を低下させるものである。ガラス中に１８〜３０％の範囲で含有させる。１８％未満ではガラスの流動性が不充分となり、焼結性が損なわれる。他方３０％を越えるとガラスの安定性を低下させる。より好ましくは１９〜２７％の範囲である。
Ａｌ２Ｏ３は、ガラスの結晶化を抑制して安定化させる成分である。ガラス中に０〜１０％の範囲で含有させることが好ましい。１０％を超えるとガラスの軟化点が上昇し、成形性、作業性が困難となる。
ＺｎＯはガラスの軟化点を下げる成分もので、ガラス中に２５〜４３％の範囲で含有させる。２５％未満では上記作用を発揮し得ず、４３％を超えるとガラスが不安定となり結晶を生じ易い。好ましくは２８〜４２％の範囲である。
ＲＯ（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）はガラスの軟化点を下げ、適度に流動性を与えるもので、ガラス中に８〜３０％の範囲で含有させる。８％未満ではガラスの軟化点の低下が不十分で、焼結性が損なわれる。他方３０％を越えるとガラスの熱膨張係数が高くなりすぎる。より好ましくは１０〜２７％の範囲である。
Ｒ２Ｏ（Ｌi２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）はガラスの軟化点を下げ、適度に流動性を与え、熱膨張係数を適宜範囲に調整するものであり、６〜１７％の範囲で含有させる。６％未満ではガラスの軟化点の低下が不十分で、焼結性が損なわれる。他方１７％を越えると熱膨張係数を過度に上昇させる。より好ましくは８〜１５％の範囲である。
この他にも、一般的な酸化物で表すＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＴｅＯ２などを加えてもよい。
この他にも、一般的な酸化物で表すＣｕＯ、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＴｅＯ２などを加えてもよい。
本発明の低融点ガラスは実質的にＰｂＯを含まない。ここで、実質的にＰｂＯを含まないとは、ＰｂＯがガラス原料中に不純物として混入する程度の量を意味する。例えば、低融点ガラス中における０．３質量％以下の範囲であれば、先述した弊害、すなわち人体、環境に対する影響、絶縁特性等に与える影響は殆どなく、実質的にＰｂＯの影響を受けないことになる。
前記低融点ガラスの３０℃〜３００℃における熱膨張係数が（８０〜１３０）×１０−７／℃、軟化点が４００℃以上５５０℃以下であることを特徴とする導電性ペースト材料である。熱膨張係数が（８０〜１３０）×１０−７／℃を外れると電極形成時に剥離、基板の反り等の問題が発生する。好ましくは、（８５〜１２５）×１０−７／℃の範囲である。
前記低融点ガラスの３０℃〜３００℃における熱膨張係数が（８０〜１３０）×１０−７／℃、軟化点が４００℃以上５５０℃以下であることを特徴とする導電性ペースト材料である。熱膨張係数が（８０〜１３０）×１０−７／℃を外れると電極形成時に剥離、基板の反り等の問題が発生する。好ましくは、（８５〜１２５）×１０−７／℃の範囲である。
また、軟化点が５５０℃を越えると焼成時に十分に流動しないためシリコン半導体基板との密着性が悪くなるなどの問題が発生する。好ましくは、４２０℃以上５２０℃以下である。
また、上記の導電性ペースト材料を使用することを特徴とする太陽電池素子である。
さらに、上記の導電性ペースト材料を使用することを特徴とする電子材料用基板である。
以下、実施例に基づき、説明する。
（導電性ペースト材料）
まず、ガラス粉末は、実施例に記載した所定組成となるように各種無機原料を秤量、混合して原料バッチを作製する。この原料バッチを白金ルツボに投入し、電気加熱炉内で１０００〜１３００℃、１〜２時間で加熱溶融して表１の実施例１〜５、表２の比較例１〜４に示す組成のガラスを得た。ガラスの一部は型に流し込み、ブロック状にして熱物性(熱膨張係数、軟化点)測定用に供した。残余のガラスは急冷双ロール成形機にてフレーク状とし、粉砕装置で平均粒径１〜４μｍ、最大粒径１０μｍ未満の粉末状に整粒した。
まず、ガラス粉末は、実施例に記載した所定組成となるように各種無機原料を秤量、混合して原料バッチを作製する。この原料バッチを白金ルツボに投入し、電気加熱炉内で１０００〜１３００℃、１〜２時間で加熱溶融して表１の実施例１〜５、表２の比較例１〜４に示す組成のガラスを得た。ガラスの一部は型に流し込み、ブロック状にして熱物性(熱膨張係数、軟化点)測定用に供した。残余のガラスは急冷双ロール成形機にてフレーク状とし、粉砕装置で平均粒径１〜４μｍ、最大粒径１０μｍ未満の粉末状に整粒した。
次いで、αテルピネオールとブチルカルビトールアセテートからなるペーストオイルにバインダーとしてのエチルセルロースと上記ガラス粉、また導電性粉末としてアルミニウム粉末を所定比で混合し、粘度、５００±５０ポイズ程度の導電性ペーストを調製した。
なお、軟化点は、熱分析装置ＴＧ―ＤＴＡ（リガク（株）製）を用いて測定した。また、熱膨張係数は、熱膨張計を用い、５℃/分で昇温したときの３０〜３００℃での伸び量から求めた。
次に、ｐ型半導体シリコン基板１を準備し、その上部に上記で作製した導電性ペーストをスクリーン印刷した。これらの試験片を、１４０℃のオーブンで１０分間乾燥させ、次に電気炉にて８００℃条件下で1分間焼成し、ｐ型半導体シリコン基板１にアルミニウム電極層５とＢＳＦ層６を形成した構造を得た。
このようにして得られたサンプルについて、電極間のオーム抵抗に影響を及ぼすアルミニウム電極層５の表面抵抗を４探針式表面抵抗測定器で測定した。
次に、アルミニウム電極層５のｐ型半導体シリコン基板１との密着性を調べるために、メンディングテープ（ニチバン製）をアルミニウム電極層５に貼り付け、剥離したときのアルミニウム電極層５の剥がれ状態を目視にて評価した。
その後、アルミニウム電極層５を形成したｐ型半導体シリコン基板１を水酸化ナトリウム水溶液に浸漬して、アルミニウム電極層５およびＢＳＦ層６をエッチングすることでｐ＋層７を表面に露出させ、ｐ＋層７の表面抵抗を４探針式表面抵抗測定器で測定した。
ｐ＋層７の表面抵抗とＢＳＦ効果には相関があり、ｐ＋層７の表面抵抗が低いほどＢＳＦ効果が高く、太陽電池素子としての変換効率が高いとされている。ここでは、ｐ＋層７の表面抵抗の目標値を３５Ω／□以下とした。
（結果）
無鉛低融点ガラス組成および、各種試験結果を表に示す。
無鉛低融点ガラス組成および、各種試験結果を表に示す。
表１における実施例１〜５に示すように、本発明の組成範囲内においては、ｐ型半導体シリコン基板１との密着性も良好である。更には、太陽電池素子の変換効率に関係するｐ＋層７の抵抗値も低く結晶Ｓｉ太陽電池用の導電性ペーストとして好適である。
また、軟化点が４００℃〜５５０℃であり、好適な熱膨張係数（８０〜１３０）×１０−７／℃を有している。
他方、本発明の組成範囲を外れる表２における比較例１〜４は、ｐ型半導体シリコン基板１との良好な密着性が得られない、ｐ＋層７の抵抗値が高い、または溶解後にガラスが潮解性を示すなど、結晶Ｓｉ太陽電池用の導電性ペーストとしては適用し得ない。
１ ｐ型半導体シリコン基板
２ ｎ型半導体シリコン層
３ 反射防止膜
４ 表面電極
５ アルミニウム電極層
６ ＢＳＦ層
７ Ｐ＋層
２ ｎ型半導体シリコン層
３ 反射防止膜
４ 表面電極
５ アルミニウム電極層
６ ＢＳＦ層
７ Ｐ＋層
Claims (5)
- シリコン半導体基板を用いる太陽電池用の導電性ペーストに含まれる低融点ガラスにおいて、その組成が、実質的に鉛成分を含まず、質量％で、
ＳｉＯ２ １〜１５、
Ｂ２Ｏ３ １８〜３０、
Ａｌ２Ｏ３ ０〜１０、
ＺｎＯ ２５〜４３、
ＲＯ（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯより選択される１種以上の合計） ８〜３０、
及び、
Ｒ２Ｏ（Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏより選択される１種以上の合計） ６〜１７、を含むことを特徴とするＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＲＯ−Ｒ２Ｏ系無鉛低融点ガラス。 - ３０℃〜３００℃における熱膨張係数が（８０〜１３０）×１０−７／℃、軟化点が４００℃以上５５０℃以下であることを特徴とする請求項１に記載の無鉛低融点ガラス。
- 請求項１または請求項２のいずれかの無鉛低融点ガラスを使用していることを特徴とする導電性ペースト。
- 請求項１または請求項２のいずれかの無鉛低融点ガラスを使用していることを特徴とする太陽電池素子。
- 請求項１または請求項２のいずれかの無鉛低融点ガラスを使用していることを特徴とする電子材料用基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010073963A JP5569094B2 (ja) | 2010-03-28 | 2010-03-28 | 低融点ガラス組成物及びそれを用いた導電性ペースト材料 |
| CN201180009596.6A CN102762509B (zh) | 2010-03-28 | 2011-03-18 | 低熔点玻璃组合物及使用其的导电性糊剂材料 |
| PCT/JP2011/056526 WO2011122369A1 (ja) | 2010-03-28 | 2011-03-18 | 低融点ガラス組成物及びそれを用いた導電性ペースト材料 |
| TW100110466A TWI469944B (zh) | 2010-03-28 | 2011-03-25 | A low melting point glass composition and a conductive paste material using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010073963A JP5569094B2 (ja) | 2010-03-28 | 2010-03-28 | 低融点ガラス組成物及びそれを用いた導電性ペースト材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011207629A JP2011207629A (ja) | 2011-10-20 |
| JP5569094B2 true JP5569094B2 (ja) | 2014-08-13 |
Family
ID=44712080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010073963A Expired - Fee Related JP5569094B2 (ja) | 2010-03-28 | 2010-03-28 | 低融点ガラス組成物及びそれを用いた導電性ペースト材料 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5569094B2 (ja) |
| CN (1) | CN102762509B (ja) |
| TW (1) | TWI469944B (ja) |
| WO (1) | WO2011122369A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5888493B2 (ja) * | 2011-02-10 | 2016-03-22 | セントラル硝子株式会社 | 導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いた太陽電池素子 |
| CN103915127B (zh) * | 2013-01-03 | 2017-05-24 | 上海匡宇科技股份有限公司 | 用于表面高方阻硅基太阳能电池正面银浆及其制备方法 |
| JP6398351B2 (ja) | 2013-07-25 | 2018-10-03 | セントラル硝子株式会社 | 蛍光体分散ガラス |
| WO2015162298A1 (de) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Ceramtec Gmbh | Aluminiumpaste für dickfilmhybride |
| CN104402234B (zh) * | 2014-11-13 | 2016-09-21 | 海安建海新能源有限公司 | 晶体硅太阳能电池正面银浆用玻璃粉及其制备方法 |
| CN110550864B (zh) * | 2019-09-29 | 2022-09-02 | 长沙新材料产业研究院有限公司 | 一种低膨胀系数绝缘介质浆料及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029654B2 (ja) * | 1979-08-29 | 1985-07-11 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッドの製造方法 |
| JP3534684B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2004-06-07 | Ｔｄｋ株式会社 | 導電ペーストおよび外部電極とその製造方法 |
| EP1361199B1 (en) * | 2002-04-24 | 2008-01-09 | Central Glass Company, Limited | Lead-free low-melting glass |
| JP2007070196A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Central Glass Co Ltd | 無鉛低融点ガラス |
| WO2007102287A1 (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 導電性ペースト及び太陽電池 |
| JP2011502345A (ja) * | 2007-10-18 | 2011-01-20 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 伝導性組成物、および半導体デバイスの製造における使用方法：複数の母線 |
| CN101483207B (zh) * | 2009-01-07 | 2013-02-13 | 范琳 | 一种环保型硅太阳能电池正面栅线电极银导体浆料 |
-
2010
- 2010-03-28 JP JP2010073963A patent/JP5569094B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-18 CN CN201180009596.6A patent/CN102762509B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-18 WO PCT/JP2011/056526 patent/WO2011122369A1/ja active Application Filing
- 2011-03-25 TW TW100110466A patent/TWI469944B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI469944B (zh) | 2015-01-21 |
| CN102762509B (zh) | 2015-11-25 |
| CN102762509A (zh) | 2012-10-31 |
| WO2011122369A1 (ja) | 2011-10-06 |
| TW201141809A (en) | 2011-12-01 |
| JP2011207629A (ja) | 2011-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5609319B2 (ja) | 低融点ガラス組成物及びそれを用いた導電性ペースト材料 | |
| JP5888493B2 (ja) | 導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いた太陽電池素子 | |
| JP5272373B2 (ja) | 多結晶Ｓｉ太陽電池 | |
| JP5685813B2 (ja) | 絶縁被覆用無鉛低融点ガラスペースト | |
| JP5569094B2 (ja) | 低融点ガラス組成物及びそれを用いた導電性ペースト材料 | |
| JPWO2009041182A1 (ja) | Ａｇ電極ペースト、太陽電池セルおよびその製造方法 | |
| JP5910509B2 (ja) | 導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いた太陽電池素子 | |
| JP5796281B2 (ja) | 電極形成材料 | |
| JP2013189372A (ja) | 導電性ペースト材料 | |
| JP5943295B2 (ja) | 電極形成用ガラス及びこれを用いた電極形成材料 | |
| JP2014028713A (ja) | 電極形成用ガラス及びこれを用いた電極形成材料 | |
| JP2012140296A (ja) | 耐腐食性を有する無鉛低融点ガラス組成物 | |
| JP2011035035A (ja) | 太陽電池電極用導電性組成物 | |
| JP2012074652A (ja) | 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池 | |
| JP2010238958A (ja) | 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121220 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140527 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140609 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5569094 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |