KR20010012976A - 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치의 몰드 장치 및반도체 장치 - Google Patents

반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치의 몰드 장치 및반도체 장치 Download PDF

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KR20010012976A
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사토아키라
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야스카와 히데아키
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Abstract

반도체 어셈블리(10)는 반도체 칩(12)이 다이 패드(14)에 고착되어 있으며, 캐비티(38)내에 배치된다. 하형(36)에는 캐비티(38)내에 진퇴 자유로운 지지 핀(42)이 설치되어 있다. 지지 핀(42)은 하형(36)에 설치된 몰드 게이트의 축선상에 배치되어 있으며, 서보 모터(48)에 의해서 상하로 움직이도록 되어 있고, 다이 패드(14)의 하면에 접촉하여 반도체 어셈블리(10)를 지탱하고, 캐비티(38)에 주입된 수지의 흐름에 의해서 반도체 어셈블리(10)가 경사지거나, 상하 방향으로 변위하는 것을 방지한다.

Description

반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치의 몰드 장치 및 반도체 장치{Method of manufacturing semiconductor device, apparatus for molding semiconductor device, and semiconductor device}
반도체 장치에는 리드 프레임에 설치된 다이 패드에 반도체 칩을 접착제에 의해 고착함과 동시에, 반도체 칩의 전극과 리드 프레임의 리드를 금선에 의해서 접속하여 반도체 어셈블리로서, 이 반도체 어셈블리를 캐비티내에 배치하고, 그 후 캐비티내에 수지를 주입하여 경화시켜, 반도체 어셈블리 전체를 수지로 덮는 것이 있다. 도 9는 이러한 반도체 어셈블리의 일부를 도시하는 평면도이다.
도 9에 있어서, 반도체 어셈블리(10)는 반도체 칩(12)을 고착한 다이 패드(14)가 정사각형 또는 직사각형으로 형성되어 있다. 이 다이 패드(14)는 4개의 모서리부가 서스펜션 리드(16)에 의해서 리드 프레임 본체(18)에 접속되어 있으며, 서스펜션 리드(16)에 의해서 리드 프레임(18)에 지지되어 있다. 그리고, 리드 프레임 본체(18)의 각 서스펜션 리드(16)의 사이에는, 다수의 리드(20)가 형성되어 있으며, 이것들의 리드(20)에 와이어(금선: 22)를 통하여 반도체 칩(12)의 단자가 접속되어 있다.
이와 같이 구성된 반도체 어셈블리(10)는 리드(20)의 부분이 상하의 금형에 끼워진 상태로 캐비티내에 배치되어, 다이 패드(14)의 어느 것인가의 모서리부에 대응하여 설치된 금형의 수지 주입구로부터 수지가 캐비티내에 주입되어 수지 밀봉된다.
그런데, 다이 패드(14)는 얇고 폭이 좁은 서스펜션 리드(16)에 의해서 리드 프레임 본체(18)에 지지되어 있기 때문에, 반도체 어셈블리(10)를 배치한 캐비티에 수지를 주입하면, 도 10에 도시되는 바와 같이, 반도체 어셈블리(10)가 주입된 수지의 흐름에 의해서, 캐비티(24)내에서 수지의 주입 방향(수지 주입구의 축선 방향)에서 경사지거나, 처음의 배치 위치로부터 상하 방향으로 이동하기도 한다. 이 때문에, 전체의 두께(t)가 1mm나 1.4mm의 박형의 반도체 장치에 있어서는, 반도체 어셈블리(10)의 약간의 경사나 위치의 변동에 의해서, 다이 패드(14)나 와이어(22)가 금형에 접촉한 상태로 수지 밀봉되어, 수지의 경화후에 다이 패드(14)나 와이어(22)가 수지의 표면에 노출되어 보여서 불량으로 되어 버린다.
그래서, 종래는 반도체 칩(12)와 리드(20)를 와이어(22)에 의해서 접속하는 와이어 본딩 공정에 있어서 와이어(22)의 뻗는 높이를 조정하거나, 캐비티(24)에 수지를 주입하기 위한 몰드 조건을 조정하여 불량의 발생을 없애도록 하고 있지만, 가공의 격차등에 의해 다이 패드(14)나 와이어(22)가 외부에서 보이는 불량의 발생을 없앨수 없었다. 또한, 몰드 조건의 조정도 몰드후의 결과를 보고 조건을 내는 것을 행하고 있기 때문에, 재료의 변화등에 대한 대응의 지연이 발생하거나, 조정할 수 있는 폭도 작고, 상기의 불량을 없앨 수 없었다.
본 발명은 상기 종래 기술의 결점을 해소하기 위해서 이루어진 것으로, 수지 밀봉하는 몰드 공정에서의 불량의 발생을 없애는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치의 몰드 장치 및 반도체 장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 관한 반도체 장치의 몰드 장치의 설명도.
도 2는 실시예에 관한 지지 핀의 위치의 설명도.
도 3은 실시예에 관한 지지 핀에 의한 반도체 어셈블리를 지탱한 상태의 설명도.
도 4는 본 발명의 실시예에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 설명 블록도.
도 5는 제 2 실시예에 관한 몰드 장치의 설명도.
도 6은 제 3 실시예의 설명도.
도 7은 제 4 실시예의 설명도.
도 8은 제 5 실시예의 설명도.
도 9는 반도체 어셈블리의 일부 평면도.
도 10은 종래의 반도체 장치의 제조 방법의 설명도.
상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 관한 반도체 장치의 제조 방법은 리드 프레임의 다이 패드에 반도체 칩을 고착한 반도체 어셈블리를 금형의 캐비티내에 배치하여, 상기 캐비티내에 수지를 주입해서 상기 반도체 어셈블리를 상기 수지내에 봉입하는 공정을 포함하며,
상기 공정에서, 상기 금형의 수지 주입구의 거의 축선상에 배치한 적어도 하나의 지지 핀을 상기 반도체 어셈블리에 접촉시킴과 동시에, 상기 수지 주입구로부터 상기 캐비티내에 상기 수지를 주입한 후, 상기 지지 핀을 상기 금형내에 인입하여 상기 수지를 경화시킨다.
이와 같이 구성한 본 발명은 지지 핀을 반도체 어셈블리에 접촉시킨 상태로 수지를 주입하기 위해서, 지지 핀이 수지의 유동에 의한 반도체 어셈블리의 경사나 위치의 변동을 저지하여, 다이 패드나 와이어가 금형에 접촉하는 것을 방지할 수 있으며, 반도체 어셈블리의 수지 밀봉후에 다이 패드나 와이어가 외부에서 보이는 등의 불량을 없앨 수 있다. 또한, 수지를 주입한 후 수지가 경화하기 전에 지지 핀을 금형내에 인입하도록 하고 있기 때문에, 핀이 존재한 부분에 구멍을 발생하여 반도체 어셈블리가 노출하는 등을 방지할 수 있다.
지지 핀을 다이 패드에 접촉시키도록 하면, 반도체 칩을 손상시킬 우려가 없다. 그리고, 복수의 지지 핀을 수지 주입구 거의 축선에 따라 배치하면, 보다 안정되게 반도체 어셈블리를 지지할 수 있어, 반도체 어셈블리의 경사등을 더욱 없앨 수 있다. 또한, 지지 핀에 의해서 반도체 어셈블리를 억압하여, 지지 핀의 접촉부에서 이탈하는 방향으로 변위시키면, 리드 프레임의 리드와 반도체 칩을 접속한 와이어나 서스펜션 리드의 탄성에 의해, 반도체 어셈블리에 의한 지지 핀을 금형에 밀어넣는 힘이 작용하여, 높은 압력으로 수지가 캐비티에 유입되었다고 해도, 반도체 어셈블리가 수지에 의해서 들어 올려지는 것을 저지할 수 있다.
반도체 어셈블리는 고객의 요구 등에 의해서 캐비티내에 다이 패드를 밑으로 하여 배치되는 경우도 있고, 다이 패드를 위로 하여 배치되는 경우도 있어, 어느쪽의 상태로 배치해도 된다. 그리고, 다이 패드를 아래쪽에 배치하는 경우, 지지 핀은 금형의 하형에 설치하는 것이 바람직하고, 다이 패드를 위쪽에 배치하는 경우, 지지 핀을 상형에 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 지지 핀을 반도체 어셈블리의 상하에 접촉시켜, 상하의 지지 핀에 의해서 반도체 어셈블리를 끼워둔 상태로 하면, 수지 주입시에 있어서의 반도체 어셈블리의 위치 변동을 보다 확실하게 방지할 수 있다. 지지 핀을 한쌍 설치하여 이들을 다이 패드를 리드 프레임 본체에 지지하고 있는 서스펜션 리드에 접촉시키면, 지지 핀의 간격을 크게할 수 있어, 반도체 어셈블리의 지지를 안정하게 행할 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 반도체 장치의 제조 방법은 캐비티내에 배치한 방열 판을 금형의 수지 주입구의 거의 축선상에 배치한 지지 핀에 의해서 지탱하여, 반도체 칩을 고착한 리드 프레임의 다이 패드를 상기 방열판 위에 배치하여 상기 금형을 폐쇄하여, 상기 수지 주입구로부터 상기 캐비티내에 수지를 주입한 후, 상기 지지 핀을 상기 금형내에 인입하여 상기 수지를 경화시키는 구성으로 하였다. 이와 같이 구성한 본 발명은 수지 몰드(수지 밀봉)시에 방열판을 반도체 어셈블리에 장착할 수 있어, 공정의 간소화를 도모할 수 있다.
방열판의 하면에 위치 어긋남 방지용 오목부를 형성하여, 이 오목부를 거쳐서 지지 핀에 의해 방열판을 지지하면, 방열판의 위에 반도체 어셈블리를 배치할 때의 방열판의 변위를 방지할 수 있고, 방열판에 대한 반도체 어셈블리의 위치를 정확하게 결정할 수 있다. 그리고, 이 경우에 있어서도, 지지 핀을 수지 주입구의 거의 축선에 따라 복수 설치할 수 있다.
상기의 반도체 장치의 제조 방법을 실시하기 위한 반도체 장치의 몰드 장치는 리드 프레임의 다이 패드에 반도체 칩을 고착한 반도체 어셈블리를 배치하는 캐비티가 설치된 개폐 자유로운 금형과, 이 금형에 설치되어 상기 캐비티내에 수지를 주입하는 수지 주입구와, 상기 캐비티내에 출몰(出沒) 가능하게 설치되어 상기 수지 주입구의 거의 축선상에 배치되어, 상기 캐비티내의 상기 반도체 어셈블리에 접촉시키는 지지 핀과, 이 지지 핀을 축선 방향으로 이동시키는 액추에이터를 갖는 구성으로 하였다. 이것에 의해, 반도체 어셈블리가 수지의 흐름에 의해서 경사하거나 상하 방향으로 이동하는 것을 방지할 수 있고, 다이 패드나 와이어가 보이는 불량을 없앨 수 있다.
지지 핀을 수지 주입구의 거의 축선에 따라 복수 설치하는 것에 의해, 반도체 어셈블리의 경사등을 보다 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 지지 핀은 필요에 따라서 금형의 하형, 상형의 어느 곳에 설치해도 된다. 그리고, 지지 핀을 상형과하형의 양쪽에 설치하여 이것들의 지지 핀에 의해서 반도체 어셈블리를 끼우도록 해도 된다. 또한, 지지 핀은 다이 패드를 지지할 수 있도록 다이 패드와 대응한 위치에 설치할 수 있다. 또한, 수지 주입구의 거의 축선에 따른 지지 핀을 한쌍 설치하여, 이들을 캐비티내에 배치된 반도체 어셈블리의 다이 패드를 리드 프레임 본체에 지지하고 있는 서스펜션 리드와 대응한 위치에 배치하여, 서스펜션 리드를 지지하도록 해도 된다. 그리고, 지지 핀을 캐비티내에 출몰시키는 액추에이터를 서보 모터에 의해서 구성하면, 지지 핀의 상하 방향의 위치나 지지 핀의 금형으로의 인입 속도, 동작 모드등을 임의로 설정할 수 있어, 각종의 몰드 타입으로 용이하게 대응할 수 있으며, 또한 지지 핀의 인입시에 수지중에 기포등이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그리고, 본 발명에 관한 반도체 장치는 제 1항 내지 제 11항중 어느 한 항의 제조 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하고 있다. 이것에 의해, 다이 패드나 와이어가 보이는 불량품을 없앨 수 있다.
본 발명에 관한 반도체 장치의 제조 방법 및 몰드 장치 및 반도체 장치의 바람직한 실시예를 첨부 도면에 따라서 상세하게 설명한다. 또한, 상기 종래 기술에 있어서 설명한 부분에 대응하는 부분에 대해서는, 동일의 부호를 붙여 그 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 관한 반도체 장치의 몰드 장치의 설명도이다. 도 1에 있어서, 몰드 장치(30)는 금형(32)을 갖고 있다. 금형(32)은 상형(34)과 하형(36)으로 구성되어 있으며, 상형(34)과 하형(36)이 협동해서 반도체 어셈블리(10)의 리드(20)를 파지함과 동시에, 반도체 어셈블리(10)를 배치하는 캐비티(38)를 형성하도록 되어 있다. 그리고, 하형(36)에는 한쌍의 관통 구멍(40)이 형성되며, 이것들의 관통 구멍(40)를 통하여 하형(36)을 관통하여, 캐비티(38)에 출몰 자유로운 지지 핀(42)이 설치되어 있다.
지지 핀(42)은 캐비티(38)에 배치된 반도체 어셈블리(10)의 다이 패드(14)와 대응한 위치에 설치되어, 다이 패드(14)에 접촉되도록 이루어져 있다. 또한, 한쌍의 지지 핀(42)은 하단이 연결재(44)에 고정되어 있으며, 일체로 상하로 움직이도록 되어 있다. 그리고, 연결재(44)의 하부에는 로드(46)가 접속되어 있으며, 이 로드(46)의 하단이 액추에이터인 서보 모터(48)에 의해서 회전하는 정면 캠(50)에 결합되어 있으며, 정면 캠(50)의 회전에 의해서 화살표(52)와 같이 상하로 움직이도록 되어 있다. 또한, 한쌍의 지지 핀(42)은 도 2에 도시되는 바와 같이, 하형(36)에 형성한 수지 주입구인 몰드 게이트(54)의 축선(56)상에 배치되어 있다. 자세하게는 지지 핀(42)은 평면적으로 봐서, 수지 주입구의 축선상에 배치되어 있다. 또한, 지지 핀(42)은 수지 주입구의 축선에 교차하는 방향으로 진퇴하도록 설치되어 있다.
또한, 이 실시예에 있어서는, 다이 패드(14)는 정사각형으로 형성되어 있으며, 한쪽 길이(B)가 9.5mm, 또한 한쌍의 지지 핀(42)의 간격(p)이 6.5mm로 설정되어 있다. 또한, 반도체 어셈블리(10)는 도 3에 도시한 리드(20)의 하면과 다이 패드(14)의 상면과의 간격, 즉 디프레스량을 통상보다 크게해 두어, 수지 밀봉한 반도체 장치의 총 두께(t :도 1참조)가 1mm인 경우, 반도체 어셈블리(10)를 하형(36)에 세트하였을 때에, 도 3의 2점쇄선으로 도시한 다이 패드(14)의 하면과 하형(36)의 캐비티면과 간격(a)이 0.175mm가 되도록 하고 있다. 또한, 지지 핀(42)은 다이 패드(14)의 하면에 접촉시켜지며, 이것을 도 3의 실선으로 도시되는 바와 같이 약간 윗쪽으로 밀어 올려지도록 되어 있어, 실시예의 경우 지지 핀(42)에 의해서 밀어 올려진 다이 패드(14)의 하면과 하형(36)의 캐비티면과의 간격(b)이 0.26 내지 0.28mm가 되도록 설정되어 있다.
도 4는 도 1에 도시한 몰드 장치에 의한 반도체 장치의 제조 공정의 블록도이다. 반도체 칩(12)의 단자와 리드 프레임의 리드(20)를 와이어(22)에 의해 접속한 반도체 어셈블리(10)는 도 4의 스텝(60)으로 도시한 바와 같이, 수지와의 융합을 좋게 하기 위해서 165℃ 정도로 예열된다. 또한, 스텝(61)으로 도시되는 바와 같이, 금형(32)의 클리닝이 행하여진다. 금형(32)의 클리닝이 종료하면, 하형(36)에 예열한 반도체 어셈블리(10)를 세트한다(스텝(62)).
그 후, 서보 모터(48)를 구동하여 정면 캠(50)을 회전시켜, 로드(46), 연결재(44)를 통해서 지지 핀(42)을 상승시켜, 도 1에 도시되는 바와 같이, 지지 핀(42)의 상단을 반도체 어셈블리(10)의 다이 패드(14)의 하면에 접촉시켜, 반도체 어셈블리(10)를 지탱한다(스텝(63)). 이 때, 지지 핀(42)의 상하 방향의 위치를 검출하는 위치 센서(도시 생략)의 검출 신호를 도시하지 않은 제어 장치에 주어, 서보 모터(48)를 제어 장치로 제어하여 지지 핀(42)이 접촉하기 전에 도 1의 2점쇄선의 위치에 있는 반도체 어셈블리(10)를 약간 윗쪽으로 밀어 올리도록 한다. 구체적인 밀어 올림 양은 수지 밀봉후의 반도체 장치의 두께(t)가 1mm인 경우, 지지 핀(42)의 접촉부에 대하여 0.08 내지 0.2mm 정도 윗쪽으로 변위시킨다. 이것에 의해, 다이 패드(14)를 프레임 본체에 지지하고 있는 서스펜션 리드나 와이어(22)의 탄성에 의해서 다이 패드(14)가 지지 핀(42)으로 가압되어, 하형(36)에 형성한 몰드 게이트(54)로부터 큰 압력으로 몰드 수지가 주입되었다고 해도, 수지의 유동에 의해서 반도체 어셈블리(10)가 윗쪽으로 밀어 올려지는 것을 방지할 수가 있다.
다음에 상형(34)을 하강시켜 금형(32)을 폐쇄한다(스텝(64)). 또, 형 체결은 지지 핀(42)을 반도체 어셈블리(10)에 접촉하기 전에 실시해도 된다. 지지 핀(42)을 반도체 어셈블리(10)에 접촉시키기 전에 형 체결을 하면, 지지 핀(42)을 반도체 어셈블리(10)에 접촉시키었을 때에, 반도체 어셈블리(10)가 경사지거나, 위치 어긋남등의 우려가 없다.
형 체결이 종료되었으면, 캐비티(38)내에 몰드 수지를 몰드 게이트(54)를 통하여 주입한다(스텝(65)). 이 몰드 수지는 실시예의 경우 약180초로 경화하도록 조정하고 있다. 그리고, 캐비티(38)로의 수지의 주입이 종료되었으면, 캐비티(38)내의 수지에 압력을 가한 상태로 유지됨과 동시에, 수지 주입후 적시의 타이밍으로 서보 모터(48)를 역회전시켜 지지 핀(42)을 하형(36)에 인입한다(스텝(66)). 이 실시예의 경우, 수지의 주입 종료후, 12초 경과하였을 때에 지지 핀(42)을 인입하도록 하고 있다. 또, 지지 핀(42)의 인입 속도는 수지중에 기포를 발생하지 않는 속도로 제어하고 있다. 그리고, 지지 핀(42)이 하형(36)에 인입되면 지지 핀(42)이 빠진 공간에 주위의 수지가 유입되어 공간을 채운다.
그 후, 캐비티(38)내의 수지에 압력을 가한 상태를 수지가 경화할 때까지 유지한다(스텝(67)). 그리고, 수지가 경화되었으면, 스텝(68)에 도시되는 바와 같이 금형(32)을 개방하여, 하형(36)에 설치한 이젝터 핀에 의해서 반도체 어셈블리(10)를 밀어올려 금형(32)으로부터 취출한다(스텝(69)). 또한, 금형(32)으로부터 취출된 반도체 어셈블리(10)는 다음 공정으로 반송된다(스텝(70)).
이와 같이, 실시예에 있어서는, 지지 핀(42)을 다이 패드(14)의 하면에 접촉시켜 반도체 어셈블리(10)를 지탱한 상태로 캐비티(38)에 수지를 주입하고 있기 때문에, 수지의 흐름에 의해서 반도체 어셈블리(10)가 경사지거나, 수지의 흐름에 끌려서 반도체 어셈블리(10)가 아래쪽으로 이동하는 것을 저지할 수 있다. 또한, 지지 핀(42)에 의해서 반도체 어셈블리(10)를 핀(42)의 접촉부에 대하여 윗쪽으로 변위시키고 있기 때문에, 반도체 어셈블리(10)는 지지 핀(42)에 억압되기 때문에, 수지의 유동에 의해서 윗쪽으로 떠오르는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 다이 패드(14)나 와이어(22)가 외부에서 보이는 불량을 없앨 수 있다.
또한, 상기 실시예에 있어서는, 지지 핀(42)을 서보 모터(48)에 의해서 작동시키도록 하고 있기 때문에, 지지 핀(42)의 돌출 높이, 동작 속도, 동작 방법 등을 자유롭게 설정할 수 있어, 각종의 패키지 타입에 맞는 조건의 설정이 가능해진다. 그리고, 상기 실시예에 있어서는, 수지의 유동에 의한 반도체 어셈블리의 변위를 방지할 수 있기 때문에, 몰드 조건의 조정등을 필요로 하지 않고 몰드 공정의 가공 능력을 향상할 수 있다.
또한, 상기 실시예에 있어서는, 지지 핀(42)을 한쌍 설치한 경우에 대해서 설명하였지만, 지지 핀(42)은 1개나 3개라도 좋다. 그리고, 지지 핀(42)을 1개로 한 경우, 다이 패드(14)의 중앙부를 지탱하도록 하는 것이 바람직하다. 또한 이 경우, 지지 핀의 형상을 몰드 게이트(54)의 축선(56)의 방향으로 긴 타원으로 형성하면, 반도체 어셈블리(10)의 지지를 보다 안정하게 행할 수 있다. 또한, 상기 실시예에 있어서는, 액추에이터가 서보 모터(48)인 경우에 대해서 설명하였지만, 액추에이터는 실린더등이라도 양호하다.
도 5는 제 2 실시예의 설명도이다. 이 몰드 장치(80)는 지지 핀(62)이 상형(34)에 설치되어 있다. 그리고, 지지 핀(82)은 화살표(84)와 같이 상형(34)에 대하여 출몰 자유롭게 이루어져 있어, 캐비티(38)의 내부에 반도체 칩(12)을 하향으로 하여 배치된 반도체 어셈블리(10)의 다이 패드(14)에 접촉하도록 하고 있다.
이와 같이 구성한 제 2 실시예에 있어서는, 반도체 칩(12)을 하측으로 해서 배치된 반도체 어셈블리(10)의 다이 패드(14)를 지지 핀(82)에 의해서 지탱한 상태로 캐비티(38)에 몰드 수지를 주입하는 것에 의해, 상기 실시예와 같은 효과를 얻을 수 있다. 물론, 이 실시예에 있어서도, 지지 핀(82)을 복수 설치할 수 있다.
도 6은 제 3 실시예의 설명도이다. 이 실시예에 관한 몰드 장치(86)는 상형(34)과 하형(36)의 각각에 지지 핀(82, 42)이 설치되어 있어, 캐비티(38)내에 배치된 반도체 어셈블리(10)의 상하를 지지 핀(82, 42)에 의해서 끼워지도록 이루어져 있다. 이 실시예에 있어서는, 반도체 어셈블리(10)의 상하를 지지 핀(82, 42)에 의해서 끼우기 위해서, 주입 수지의 흐름에 의한 반도체 어셈블리(10)의 변위를 완전히 없앨 수 있다.
도 7은 제 4 실시예를 도시한 것이다. 이 제 4 실시예에 있어서는, 한쌍의 지지 핀(42)이 하형(36)에 출몰 자유롭게 설치되어 있다. 이것들의 지지 핀(42)은 다이 패드(14)를 리드 프레임 본체에 지지하고 있는 서스펜션 리드(16)와 대응한 위치에 배치되어 있어, 서스펜션 리드(16)의 하면에 접촉하여 반도체 어셈블리(10)를 지탱하도록 이루어져 있다. 이 지지 핀(42)이 접촉하는 서스펜션 리드(16)는 몰드 게이트가 설치되어 있는 부분에 대응한 다이 패드(14)의 모서리부와 이 모서리부와 대각 위치에 있는 모서리부에 설치되어 있다. 이 제 4 실시예에 있어서는, 다이 패드(14)의 대각 위치에 있는 서스펜션 리드(16)를 지탱하도록 이루어져 있기 때문에, 지지 핀(42)의 간격(p)을 크게 할 수 있어, 반도체 어셈블리(10)를 보다 안정하게 지지할 수 있다.
도 8은 제 5 실시예를 도시한 것이다. 이 실시예는 히트 싱크를 갖는 반도체 장치를 제조하기 위한 것이다. 우선, 하형(38)의 캐비티(38)내에 방열판(70)을 배치하여, 도 8의 파선으로 도시되는 바와 같이 지지 핀(42)에 의해서 방열판(70)을 지탱한다. 이 방열판(70)의 하면 중앙부에는, 위치 어긋남 방지 오목부(72)가 형성되어 있다. 또한, 지지 핀(42)은 상단부가 위치 어긋남 방지 오목부(72)에 끼워 넣어져 있어, 오목부(72)를 통해서 방열판(70)을 지지하고 있다. 그리고, 반도체 어셈블리(10)는 지지 핀(42)이 지탱하고 있는 방열판(70)의 상면에 배치된다. 반도체 어셈블리(10)를 배치한 후는 상형(34)을 폐쇄하여 수지를 캐비티(38)에 주입하여, 수지를 주입한 후에 적시의 타이밍으로 도 8의 실선으로 도시되는 바와 같이 지지 핀(42)을 하형(36)에 인입하여, 상기한 바와 같이 수지를 경화시킨다.
이 실시예에 있어서는, 수지 밀봉시에 방열판(70)을 반도체 어셈블리(10)에 장착할 수 있어, 공정의 간소화를 도모할 수 있다. 더구나, 위치 어긋남 방지 오목부(72)에 지지 핀(42)이 끼워 넣어져 있기 때문에, 방열판(70)에 반도체 어셈블리(10)를 배치하였을 때에, 방열판(70)이 어긋나거나, 지지 핀(42)으로부터 낙하하는 것을 방지할 수 있고, 방열판(70)과 반도체 어셈블리(10)와의 상대 위치의 위치 결정을 정확하게 할 수 있다. 또한, 이 실시예에 있어서도 지지 핀(42)을 복수설치해도 된다.

Claims (30)

  1. 리드 프레임의 다이 패드에 반도체 칩을 고착한 반도체 어셈블리를 금형의 캐비티내에 배치하여, 상기 캐비티내에 수지를 주입해서 상기 반도체 어셈블리를 상기 수지내에 봉입하는 공정을 포함하고,
    상기 공정에서 상기 금형의 수지 주입구의 거의 축선상에 배치한 적어도 하나의 지지 핀을 상기 반도체 어셈블리에 접촉시킴과 동시에, 상기 수지 주입구로부터 상기 캐비티내에 상기 수지를 주입한 후, 상기 지지 핀을 상기 금형내에 인입하여 상기 수지를 경화시키는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 지지 핀을 상기 반도체 어셈블리의 다이 패드에 접촉시키는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 지지 핀은 상기 수지 주입구의 거의 축선상에 복수배치되어 있는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 지지 핀은 상기 수지 주입구의 거의 축선상에 복수 배치되어 있는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 핀에 의해 상기 반도체 어셈블리를 가압하여, 반도체 어셈블리를 상기 지지 핀의 접촉부에서 이탈하는 방향으로 변위시키는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제 2 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 어셈블리는 상기 다이 패드를 아래쪽으로 하여 상기 캐비티내에 배치하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 반도체 어셈블리는 상기 다이 패드를 아래쪽으로 하여 상기 캐비티내에 배치하는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제 2 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 어셈블리는 상기 다이 패드를 위쪽으로 하여 상기 캐비티내에 배치하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제 5 항에 있어서, 상기 반도체 어셈블리는 상기 다이 패드를 위쪽으로 하여 상기 캐비티내에 배치하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 지지 핀을 상기 반도체 어셈블리의 상하에 접촉시키는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 지지 핀을 한쌍 준비하여, 상기 다이 패드를 리드 프레임 본체에 지지하고 있는 서스펜션 리드에 상기 지지 핀을 접촉시키는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 금형의 캐비티내에 배치한 방열판을 상기 금형의 수지 주입구의 거의 축선상에 배치한 적어도 하나의 지지 핀에 의해서 지탱하는 공정과,
    반도체 칩이 고착된 리드 프레임의 다이 패드를 상기 방열판의 위에 배치하여 상기 금형을 폐쇄하는 공정과,
    상기 수지 주입구로부터 상기 캐비티내에 수지를 주입한 후, 상기 지지 핀을 상기 금형내에 인입하여 상기 수지를 경화시키는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 방열판의 하면에는 위치 어긋남 방지 오목부가 형성되어 있으며, 상기 위치 어긋남 방지 오목부를 통해서 상기 지지 핀에 의해 상기 방열판을 지지하는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 상기 지지 핀은 상기 수지 주입구의 거의 축선상에 복수 배치되어 있는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 리드 프레임의 다이 패드에 반도체 칩이 고착되어 이루어지는 반도체 어셈블리를 배치하는 캐비티가 설치된 개폐 자유로운 금형과,
    상기 금형에 설치되어 상기 캐비티내에 수지를 주입하는 수지 주입구와,
    상기 캐비티내의 상기 수지 주입구의 거의 축선상에, 진퇴 가능하게 설치되고, 상기 캐비티내의 상기 반도체 어셈블리에 접촉시키는 적어도 하나의 지지 핀과,
    상기 지지 핀을 그 축선 방향으로 이동시키는 액추에이터를 갖는 반도체 장치의 몰드 장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 지지 핀은 상기 수지 주입구의 거의 축선을 따라 복수 설치되어 있는 반도체 장치의 몰드 장치.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 금형은 협동해서 상기 캐비티를 형성하는 상형과 하형으로 이루어지며, 상기 지지 핀은 상기 하형에 설치되어 있는 반도체 장치의 몰드 장치.
  18. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 금형은 협동해서 상기 캐비티를 형성하는 상형과 하형으로 이루어지며, 상기 지지 핀은 상기 상형에 설치되어 있는 반도체 장치의 몰드 장치.
  19. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 금형은 협동해서 상기 캐비티를 형성하는 상형과 하형으로 이루어지며, 상기 지지 핀은 상기 상형과 상기 하형의 각각에 설치되어 있는 반도체 장치의 몰드 장치.
  20. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 지지 핀은 상기 캐비티내에 배치된 상기 반도체 어셈블리의 상기 다이 패드와 대응한 위치에 설치되어 있는 반도체 장치의 몰드 장치.
  21. 제 17 항에 있어서, 상기 지지 핀은 상기 캐비티내에 배치된 상기 반도체 어셈블리의 상기 다이 패드와 대응한 위치에 설치되어 있는 반도체 장치의 몰드 장치.
  22. 제 18 항에 있어서, 상기 지지 핀은 상기 캐비티내에 배치된 상기 반도체 어셈블리의 상기 다이 패드와 대응한 위치에 설치되어 있는 반도체 장치의 몰드 장치.
  23. 제 19 항에 있어서, 상기 지지 핀은 상기 캐비티내에 배치된 상기 반도체 어셈블리의 상기 다이 패드와 대응한 위치에 설치되어 있는 반도체 장치의 몰드 장치.
  24. 제 15 항에 있어서, 상기 지지 핀은 상기 수지 주입구의 거의 축선에 따라 한쌍 설치되고, 각각의 지지 핀이 상기 캐비티내에 배치된 상기 반도체 어셈블리에 있어서의 상기 다이 패드를 리드 프레임 본체에 지지하고 있는 서스펜션 리드와 대응한 위치에 배치되어 있는 반도체 장치의 몰드 장치.
  25. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 액추에이터는 서보 모터인 반도체 장치의 제조 방법.
  26. 제 17 항에 있어서, 상기 액추에이터는 서보 모터인 반도체 장치의 제조 방법.
  27. 제 18 항에 있어서, 상기 액추에이터는 서보 모터인 반도체 장치의 제조 방법.
  28. 제 19 항에 있어서, 상기 액추에이터는 서보 모터인 반도체 장치의 제조 방법.
  29. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 10 항 또는 제 11 항중 어느 한 항에 기재된 제조 방법에 의해 제조된 반도체 장치.
  30. 제 12 항 또는 제 13 항에 기재된 제조 방법에 의해 제조된 반도체 장치.
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