JPH04225241A - 樹脂封止半導体装置の製造方法及びリードフレーム - Google Patents
樹脂封止半導体装置の製造方法及びリードフレームInfo
- Publication number
- JPH04225241A JPH04225241A JP40663790A JP40663790A JPH04225241A JP H04225241 A JPH04225241 A JP H04225241A JP 40663790 A JP40663790 A JP 40663790A JP 40663790 A JP40663790 A JP 40663790A JP H04225241 A JPH04225241 A JP H04225241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- resin
- cavity
- semiconductor device
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止半導体装置の
製造方法及びそのために用いるリードフレームの構造に
関するものである。
製造方法及びそのために用いるリードフレームの構造に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
以下に示すようなものがあった。図４はかかる従来の樹
脂封止半導体装置の製造方法を示す断面図、図５はそれ
によって製造された樹脂封止半導体装置の部分断面図で
ある。図４に示すように、モールド型の上型１と、下型
２が閉じた時にできるキャビティ３に半導体素子４が入
るように、半導体素子４を装着したリードフレーム５を
型の所定の位置に位置決めし、上型１と下型２を嵌合さ
せる。この時、耐熱型（ベント付）パッケージタイプの
下型キャビティには、半導体素子４が固定してあるリー
ドフレーム（ダイパッド）下面までベント孔となるベン
ト孔用ピン６が立設してある。上下型を一定の温度に加
熱した状態に保持した後、円筒形状に固形化した樹脂を
ポット７に投入し、プランジャ８の押圧により半導体素
子４がセットされたキャビティ３にゲート９を通して注
入される。キャビティ３内に注入された樹脂は充填完了
後、成形（凝固）するまである一定時間（４５〜６０秒
）必要となる。この間、プランジャ８は、押圧状態にあ
る。樹脂成形完了後、上下型を開き成形品取り出しとな
る。
以下に示すようなものがあった。図４はかかる従来の樹
脂封止半導体装置の製造方法を示す断面図、図５はそれ
によって製造された樹脂封止半導体装置の部分断面図で
ある。図４に示すように、モールド型の上型１と、下型
２が閉じた時にできるキャビティ３に半導体素子４が入
るように、半導体素子４を装着したリードフレーム５を
型の所定の位置に位置決めし、上型１と下型２を嵌合さ
せる。この時、耐熱型（ベント付）パッケージタイプの
下型キャビティには、半導体素子４が固定してあるリー
ドフレーム（ダイパッド）下面までベント孔となるベン
ト孔用ピン６が立設してある。上下型を一定の温度に加
熱した状態に保持した後、円筒形状に固形化した樹脂を
ポット７に投入し、プランジャ８の押圧により半導体素
子４がセットされたキャビティ３にゲート９を通して注
入される。キャビティ３内に注入された樹脂は充填完了
後、成形（凝固）するまである一定時間（４５〜６０秒
）必要となる。この間、プランジャ８は、押圧状態にあ
る。樹脂成形完了後、上下型を開き成形品取り出しとな
る。
【０００３】このようにして、図５に示すように、樹脂
封止半導体装置１０を得ることができる。図５において
、例えば、リードフレーム５の厚さｄ１は０．１５〜０
．２ｍｍ、半導体素子４の厚さｄ２ は０．２８〜０．
３５ｍｍ、ワイヤボンディング高さｄ３ は０．２ｍｍ
以下、ワイヤ上部とパッケージ上面との厚さｄ４ は０
．３７〜１．１７ｍｍ、リードフレーム下部とパッケー
ジ下面部との厚さｄ５ は０．８５〜０．９ｍｍと全体
的に薄くなっている。
封止半導体装置１０を得ることができる。図５において
、例えば、リードフレーム５の厚さｄ１は０．１５〜０
．２ｍｍ、半導体素子４の厚さｄ２ は０．２８〜０．
３５ｍｍ、ワイヤボンディング高さｄ３ は０．２ｍｍ
以下、ワイヤ上部とパッケージ上面との厚さｄ４ は０
．３７〜１．１７ｍｍ、リードフレーム下部とパッケー
ジ下面部との厚さｄ５ は０．８５〜０．９ｍｍと全体
的に薄くなっている。
【０００４】ここでモールド樹脂成形時に使用されるリ
ードフレーム（素材）３０は、図６に示すようなダイパ
ッド３１、ダイパッドサポート３２、リード３３、フレ
ーム３４等からなる。そして、図７に示すように、ダイ
パッド３１上部に半導体素子（ＩＣチップ）４をボンデ
ィングし、その後半導体素子４とリード３３間とをボン
ディングワイヤ３４によりワイヤボンディングを行い、
モールド樹脂３５の封止工程へと進む。
ードフレーム（素材）３０は、図６に示すようなダイパ
ッド３１、ダイパッドサポート３２、リード３３、フレ
ーム３４等からなる。そして、図７に示すように、ダイ
パッド３１上部に半導体素子（ＩＣチップ）４をボンデ
ィングし、その後半導体素子４とリード３３間とをボン
ディングワイヤ３４によりワイヤボンディングを行い、
モールド樹脂３５の封止工程へと進む。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
樹脂封止半導体装置の製造方法では、パッケージ厚が薄
いため、成形後、パッケージ上面にワイヤのはみ出しが
生じ、製品不良になるという問題点があった。それは、
前工程であるダイスボンディング、ワイヤボンディング
時に、リードフレームのダイパッド部を高温（ダイスボ
ンディング時：４８０〜５００度、ワイヤボンディング
時：３００度前後）にて作業するため、リードフレーム
のダイパッド部において反りが生じ、その反りが生じた
ままモールド成形すると、ワイヤ上部と、パッケージ上
面との隙間が非常に薄いため、ワイヤの一部がパッケー
ジ表面に出てきたり、ワイヤのはみ出し部からクラック
が発生する。
樹脂封止半導体装置の製造方法では、パッケージ厚が薄
いため、成形後、パッケージ上面にワイヤのはみ出しが
生じ、製品不良になるという問題点があった。それは、
前工程であるダイスボンディング、ワイヤボンディング
時に、リードフレームのダイパッド部を高温（ダイスボ
ンディング時：４８０〜５００度、ワイヤボンディング
時：３００度前後）にて作業するため、リードフレーム
のダイパッド部において反りが生じ、その反りが生じた
ままモールド成形すると、ワイヤ上部と、パッケージ上
面との隙間が非常に薄いため、ワイヤの一部がパッケー
ジ表面に出てきたり、ワイヤのはみ出し部からクラック
が発生する。
【０００６】本発明は、以上述べたワイヤのはみ出しや
、クラックが生じるという問題点を除去し、リードフレ
ームのダイパッド部において反りをなくし、薄型であり
ながら樹脂封止を良好に行い得る樹脂封止半導体装置の
製造方法及びそのリードフレームを提供することを目的
とする。
、クラックが生じるという問題点を除去し、リードフレ
ームのダイパッド部において反りをなくし、薄型であり
ながら樹脂封止を良好に行い得る樹脂封止半導体装置の
製造方法及びそのリードフレームを提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、樹脂封止半導体装置の製造方法において
、リードフレームに搭載される半導体素子を上下型によ
って形成されるキャビティ内にセットする工程と、該リ
ードフレームをリードフレーム押さえピンにより押さえ
る工程と、前記キャビティ内に樹脂を充填する工程とを
施すようにしたものである。
成するために、樹脂封止半導体装置の製造方法において
、リードフレームに搭載される半導体素子を上下型によ
って形成されるキャビティ内にセットする工程と、該リ
ードフレームをリードフレーム押さえピンにより押さえ
る工程と、前記キャビティ内に樹脂を充填する工程とを
施すようにしたものである。
【０００８】また、リードフレームに搭載される半導体
素子を上下型によって形成されるキャビティ内にセット
する工程と、該リードフレームをリードフレーム押さえ
ピンにより押さえる工程と、前記キャビティ内に樹脂を
充填する工程と、該樹脂が成形される前に前記リードフ
レーム押さえ用ピンをキャビティ面まで移動させるよう
にしたものである。
素子を上下型によって形成されるキャビティ内にセット
する工程と、該リードフレームをリードフレーム押さえ
ピンにより押さえる工程と、前記キャビティ内に樹脂を
充填する工程と、該樹脂が成形される前に前記リードフ
レーム押さえ用ピンをキャビティ面まで移動させるよう
にしたものである。
【０００９】更に、リードフレームに搭載される半導体
素子を上下型によって形成されるキャビティ内にセット
する工程と、該リードフレームを上下方向よりリードフ
レーム押さえピンにより押さえる工程と、前記キャビテ
ィ内に樹脂を充填し、成形する工程とを施すようにした
ものである。
素子を上下型によって形成されるキャビティ内にセット
する工程と、該リードフレームを上下方向よりリードフ
レーム押さえピンにより押さえる工程と、前記キャビテ
ィ内に樹脂を充填し、成形する工程とを施すようにした
ものである。
【００１０】
【作用】本発明によれば、上記したように、リードフレ
ームに搭載される半導体素子を上下型によって形成され
るキャビティ内にセットし、該リードフレームをリード
フレーム押さえピンにより押さえ、前記キャビティ内に
樹脂を充填するようにしたので、モールド成形時にリー
ドフレームの反りを押さえることができる。
ームに搭載される半導体素子を上下型によって形成され
るキャビティ内にセットし、該リードフレームをリード
フレーム押さえピンにより押さえ、前記キャビティ内に
樹脂を充填するようにしたので、モールド成形時にリー
ドフレームの反りを押さえることができる。
【００１１】従って、モールド成形後、パッケージ表面
に、ワイヤがはみ出したり、クラックが発生することが
なくなり、品質、歩留の向上を図ることができる。その
ために、リードフレームのダイパッド部へ、反りを押さ
えるための幅広の反り押さえ部を形成し、該反り押さえ
部に前記リードフレーム押さえピンを当接させるように
したものである。
に、ワイヤがはみ出したり、クラックが発生することが
なくなり、品質、歩留の向上を図ることができる。その
ために、リードフレームのダイパッド部へ、反りを押さ
えるための幅広の反り押さえ部を形成し、該反り押さえ
部に前記リードフレーム押さえピンを当接させるように
したものである。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す樹
脂封止半導体装置の製造方法を示す断面図、図２はそれ
に用いられるリードフレームの平面図、図３は本発明の
実施例を示す樹脂封止半導体装置の製造工程断面図であ
る。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す樹
脂封止半導体装置の製造方法を示す断面図、図２はそれ
に用いられるリードフレームの平面図、図３は本発明の
実施例を示す樹脂封止半導体装置の製造工程断面図であ
る。
【００１３】ここで用いるリードフレーム（素材）４０
は、図２に示すように、ダイパッド４１、ダイパッドサ
ポート４２、フレーム４３等からなり、この実施例では
、ダイパッドサポート４２のダイパッド４１への接続部
の幅寸法を大きくした、反り押さえ部４４を形成する。 以下、本発明の樹脂封止半導体装置の製造方法を、図１
を参照しながら説明する。
は、図２に示すように、ダイパッド４１、ダイパッドサ
ポート４２、フレーム４３等からなり、この実施例では
、ダイパッドサポート４２のダイパッド４１への接続部
の幅寸法を大きくした、反り押さえ部４４を形成する。 以下、本発明の樹脂封止半導体装置の製造方法を、図１
を参照しながら説明する。
【００１４】まず、モールド成形型内に半導体素子４を
搭載したリードフレームをセットする。その時、上型１
のキャビティ３において、リードフレームの反り押さえ
部４４へリードフレーム押さえピン５１を当接させる。 このリードフレーム押さえピン５１は４本が一体に駆動
板５０に固定されており、この駆動板５０は、図示しな
い外部力により駆動され、４本のリードフレーム押さえ
ピン５１は同時に上型１に形成される孔１ａを滑動させ
る。
搭載したリードフレームをセットする。その時、上型１
のキャビティ３において、リードフレームの反り押さえ
部４４へリードフレーム押さえピン５１を当接させる。 このリードフレーム押さえピン５１は４本が一体に駆動
板５０に固定されており、この駆動板５０は、図示しな
い外部力により駆動され、４本のリードフレーム押さえ
ピン５１は同時に上型１に形成される孔１ａを滑動させ
る。
【００１５】樹脂成形時においては、上下型を一定の温
度（１７０〜１８０度）に加熱した状態に保持した後、
円筒形状に固形化した樹脂をポット７に投入し、プラン
ジャ８の押圧により半導体素子４がセットされているキ
ャビティ３にゲート９を通し注入されるが、これまでの
間は、リードフレーム押さえピン５１は図示しない外部
力により、リードフレームの反り押さえ部４４を押さえ
込んでいる。樹脂がキャビティ３内に充填完了後、液状
状態にある間は、リードフレーム押さえピン５１は、図
示しない外部力により、キャビティ面まで上げられる。 樹脂充填後も樹脂が成形（凝固）完了までの間（約４５
〜６０秒）は、プランジャ８が押圧しているため、リー
ドフレーム押さえピン５１をリードフレームから外して
も反りは生じない。
度（１７０〜１８０度）に加熱した状態に保持した後、
円筒形状に固形化した樹脂をポット７に投入し、プラン
ジャ８の押圧により半導体素子４がセットされているキ
ャビティ３にゲート９を通し注入されるが、これまでの
間は、リードフレーム押さえピン５１は図示しない外部
力により、リードフレームの反り押さえ部４４を押さえ
込んでいる。樹脂がキャビティ３内に充填完了後、液状
状態にある間は、リードフレーム押さえピン５１は、図
示しない外部力により、キャビティ面まで上げられる。 樹脂充填後も樹脂が成形（凝固）完了までの間（約４５
〜６０秒）は、プランジャ８が押圧しているため、リー
ドフレーム押さえピン５１をリードフレームから外して
も反りは生じない。
【００１６】以下、本発明の樹脂封止半導体装置の製造
工程を、図３を参照しながら説明する。まず、図３（ａ
）に示すように、リードフレームに搭載される半導体素
子４を上下型によって形成されるキャビティ３内にセッ
トする。次に、図３（ｂ）に示すように、リードフレー
ム押さえ用ピン５１を降下させて、そのリードフレーム
押さえピン５１でリードフレーム４０を押さえるととも
に、キャビティ３内に樹脂を充填する。
工程を、図３を参照しながら説明する。まず、図３（ａ
）に示すように、リードフレームに搭載される半導体素
子４を上下型によって形成されるキャビティ３内にセッ
トする。次に、図３（ｂ）に示すように、リードフレー
ム押さえ用ピン５１を降下させて、そのリードフレーム
押さえピン５１でリードフレーム４０を押さえるととも
に、キャビティ３内に樹脂を充填する。
【００１７】次に、図３（ｃ）に示すように、樹脂が成
形（凝固）する前にリードフレーム押さえ用ピン５１を
キャビティ面まで引き上げる。なお、反り押さえ用ピン
の数は、正方形のダイパッド部に対して、対称に２本で
も、上記したように、各コーナー４箇所に４本設けるよ
うにしても良い。ピン数は特に限定するものではない。
形（凝固）する前にリードフレーム押さえ用ピン５１を
キャビティ面まで引き上げる。なお、反り押さえ用ピン
の数は、正方形のダイパッド部に対して、対称に２本で
も、上記したように、各コーナー４箇所に４本設けるよ
うにしても良い。ピン数は特に限定するものではない。
【００１８】図８は本発明の他の実施例を示す樹脂封止
半導体装置の製造方法を示す断面図、図９はそれに用い
られるリードフレームの平面図である。ここで用いるリ
ードフレーム（素材）６０は、図９に示すように、ダイ
パッド６１、ダイパッドサポート６２、フレーム６３等
からなり、この実施例では、ダイパッドサポート６２の
中間部に円形の反り押さえ部６４を形成する。
半導体装置の製造方法を示す断面図、図９はそれに用い
られるリードフレームの平面図である。ここで用いるリ
ードフレーム（素材）６０は、図９に示すように、ダイ
パッド６１、ダイパッドサポート６２、フレーム６３等
からなり、この実施例では、ダイパッドサポート６２の
中間部に円形の反り押さえ部６４を形成する。
【００１９】これらの図に示すように、モールド成形型
内に半導体素子４を搭載したリードフレーム６０をセッ
トした時、上下型キャビティへ、図９に示すリードフレ
ームのダイパッドサポート６２の中間部に、反りを押さ
えるための円形のリードフレーム反り押さえ部６４を、
上型では上型押さえピン６５で、下型では下型押さえピ
ン６６でそれぞれリードフレームを押さえ込む。
内に半導体素子４を搭載したリードフレーム６０をセッ
トした時、上下型キャビティへ、図９に示すリードフレ
ームのダイパッドサポート６２の中間部に、反りを押さ
えるための円形のリードフレーム反り押さえ部６４を、
上型では上型押さえピン６５で、下型では下型押さえピ
ン６６でそれぞれリードフレームを押さえ込む。
【００２０】このため、リードフレームは、型内にセッ
トされた時は、キャビティ面に対し、平行になる。この
状態で、上下型を一定温度（１７０〜１８０度）に加熱
した状態に保持した後、円筒形状に固形化した樹脂をポ
ット７に投入し、プランジャ８の押圧によりキャビティ
３にゲート９を通して注入する。樹脂充填完了後、成形
（凝固）完了まで約４５〜６０秒かかるが、その後、成
形品取り出しを行う。
トされた時は、キャビティ面に対し、平行になる。この
状態で、上下型を一定温度（１７０〜１８０度）に加熱
した状態に保持した後、円筒形状に固形化した樹脂をポ
ット７に投入し、プランジャ８の押圧によりキャビティ
３にゲート９を通して注入する。樹脂充填完了後、成形
（凝固）完了まで約４５〜６０秒かかるが、その後、成
形品取り出しを行う。
【００２１】なお、このようにして得られた樹脂封止半
導体装置には、上型押さえピン６５及び下型押さえピン
６６によって小さい孔ができることになるが、問題はな
く、むしろその孔はベント孔の機能を果たす。また、反
り押さえ用ピンの数は、品種によりダイパッドサポート
の数に応じて適宜選定することができる。
導体装置には、上型押さえピン６５及び下型押さえピン
６６によって小さい孔ができることになるが、問題はな
く、むしろその孔はベント孔の機能を果たす。また、反
り押さえ用ピンの数は、品種によりダイパッドサポート
の数に応じて適宜選定することができる。
【００２２】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、モールド成形時において、半導体素子を搭載し
たリードフレームの反りを押さえるため、キャビティに
リードフレーム押さえピンを設けるようにしたので、モ
ールド成形後、パッケージ表面に、ワイヤがはみ出した
り、クラックが発生することがなくなり、品質、歩留の
向上を図ることができる。
よれば、モールド成形時において、半導体素子を搭載し
たリードフレームの反りを押さえるため、キャビティに
リードフレーム押さえピンを設けるようにしたので、モ
ールド成形後、パッケージ表面に、ワイヤがはみ出した
り、クラックが発生することがなくなり、品質、歩留の
向上を図ることができる。
【００２４】また、上記モールド型にて成形するリード
フレームに幅広の反り押さえ部を設け、該反り押さえ部
にリードフレーム押さえピンを当接させるようにしたの
で、容易にリードフレームの反りを防止することができ
る。
フレームに幅広の反り押さえ部を設け、該反り押さえ部
にリードフレーム押さえピンを当接させるようにしたの
で、容易にリードフレームの反りを防止することができ
る。
【図１】本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例を示すリードフレームの平面図
である。
である。
【図３】本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の製
造工程断面図である。
造工程断面図である。
【図４】従来の樹脂封止半導体装置の製造方法を示す断
面図である。
面図である。
【図５】従来の樹脂封止半導体装置の部分断面図である
。
。
【図６】従来のリードフレームの平面図である。
【図７】従来の樹脂封止半導体装置の部分破断斜視図で
ある。
ある。
【図８】本発明の他の実施例を示す樹脂封止半導体装置
の製造方法を示す断面図である。
の製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施例を示すリードフレームの平
面図である。
面図である。
１ 上型
１ａ 孔
２ 下型
３ キャビティ
４ 半導体素子
７ ポット
８ プランジャ
９ ゲート
４０，６０ リードフレーム（素材）４１，６１
ダイパッド ４２，６２ ダイパッドサポート４３，６３
フレーム ４４，６４ 反り押さえ部 ５０ 駆動板 ５１ リードフレーム押さえピン６５ 上
型押さえピン ６６ 下型押さえピン
ダイパッド ４２，６２ ダイパッドサポート４３，６３
フレーム ４４，６４ 反り押さえ部 ５０ 駆動板 ５１ リードフレーム押さえピン６５ 上
型押さえピン ６６ 下型押さえピン
Claims (6)
- 【請求項１】（ａ）リードフレームに搭載される半導体
素子を上下型によって形成されるキャビティ内にセット
する工程と、 （ｂ）該リードフレームをリードフレーム押さえピンに
より押さえる工程と、 （ｃ）前記キャビティ内に樹脂を充填する工程とを施す
ことを特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】（ａ）リードフレームに搭載される半導体
素子を上下型によって形成されるキャビティ内にセット
する工程と、 （ｂ）該リードフレームをリードフレーム押さえピンに
より押さえる工程と、 （ｃ）前記キャビティ内に樹脂を充填する工程と、（ｄ
）該樹脂が成形される前に前記リードフレーム押さえ用
ピンをキャビティ面まで移動させる工程とを施す樹脂封
止半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】（ａ）リードフレームに搭載される半導体
素子を上下型によって形成されるキャビティ内にセット
する工程と、 （ｂ）該リードフレームを上下方向よりリードフレーム
押さえピンにより押さえる工程と、 （ｃ）前記キャビティ内に樹脂を充填し、成形する工程
とを施す樹脂封止半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 ダイパッドサポート部にリードフレー
ム押さえピンが当接する幅の広い反り押さえ部を形成す
るようにしたリードフレーム。 - 【請求項５】 反り押さえ部をダイパッド部に接続さ
れる部分に形成してなる請求項４記載のリードフレーム
。 - 【請求項６】 反り押さえ部をダイパッドサポートの
中間部に形成してなる請求項４記載のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40663790A JPH04225241A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 樹脂封止半導体装置の製造方法及びリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40663790A JPH04225241A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 樹脂封止半導体装置の製造方法及びリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225241A true JPH04225241A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18516257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40663790A Withdrawn JPH04225241A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 樹脂封止半導体装置の製造方法及びリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04225241A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7319042B2 (en) | 2001-12-07 | 2008-01-15 | Yamaha Corporation | Method and apparatus for manufacture and inspection of semiconductor device |
| JP2010109314A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-12-26 JP JP40663790A patent/JPH04225241A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7319042B2 (en) | 2001-12-07 | 2008-01-15 | Yamaha Corporation | Method and apparatus for manufacture and inspection of semiconductor device |
| JP2010109314A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6821822B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, molding device for semiconductor device, and semiconductor device | |
| JP3642685B2 (ja) | トランスファ成形装置 | |
| WO2006051844A1 (ja) | 樹脂封止金型および樹脂封止装置 | |
| JP5065747B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法及び製造装置 | |
| JPH04225241A (ja) | 樹脂封止半導体装置の製造方法及びリードフレーム | |
| JPH06124971A (ja) | 樹脂封止金型 | |
| JP3612063B2 (ja) | 樹脂封止金型、それを用いた樹脂封止方法および樹脂封止装置 | |
| JP2000003923A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法及びその樹脂封止装置 | |
| JP3924232B2 (ja) | 樹脂成形金型及び樹脂成形方法 | |
| JP3602422B2 (ja) | 樹脂封止装置 | |
| JP3609821B1 (ja) | 半導体装置封止用金型およびそれを用いた半導体装置封止方法 | |
| JPH03198354A (ja) | 樹脂封止型半導体集積回路の樹脂封止方法 | |
| JPH05267531A (ja) | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 | |
| KR20110123035A (ko) | 반도체 패키지 제조용 몰딩장치 및 몰딩방법 | |
| JP3092568B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置製造金型 | |
| JP2003174053A (ja) | 半導体素子の製造方法及び製造装置 | |
| JPH06177192A (ja) | 樹脂モールド装置 | |
| JPH08153845A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びリードフレームの製造方法 | |
| JPH10116847A (ja) | 半導体装置の製造方法およびトランスファモールド装置 | |
| JP3106946B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその金型 | |
| JP2001246640A (ja) | 電子素子の樹脂封止成形方法及び樹脂封止成形金型 | |
| JPH04246516A (ja) | 電子部品の樹脂モールド装置 | |
| JPH06126771A (ja) | 樹脂成形用金型 | |
| JPH08156029A (ja) | 半導体パッケージの製造方法と、これに用いられるフィルムおよび金型 | |
| JPH09260410A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |