KR20000058148A - 고체 촬상 장치 - Google Patents

고체 촬상 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000058148A
KR20000058148A KR1020000008661A KR20000008661A KR20000058148A KR 20000058148 A KR20000058148 A KR 20000058148A KR 1020000008661 A KR1020000008661 A KR 1020000008661A KR 20000008661 A KR20000008661 A KR 20000008661A KR 20000058148 A KR20000058148 A KR 20000058148A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoelectric conversion
conversion region
wiring layer
region
light
Prior art date
Application number
KR1020000008661A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100356630B1 (ko
Inventor
나가따쯔요시
후루미야마사유끼
나까시바야스따까
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본 덴기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛본 덴기 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR20000058148A publication Critical patent/KR20000058148A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100356630B1 publication Critical patent/KR100356630B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding

Abstract

감광도가 높은 고체 촬상 장치는 스미어(smear)를 감소시키고 화상 신호의 S/N비를 향상시킴으로써 획득된다.
고체 촬상 장치는 광전 변환 영역(14), 광전 변환 영역(14) 위에 개구(23A)를 갖는 차광막(22A), 및 다수의 배선층(13, 15A, 및 17)을 포함하되, 광 입사 영역을 한정하기 위해 광전 변환 영역(14)의 주변 영역으로 입사하는 광(25A)을 차광하도록 배선층(15A)의 일부를 개구의 상부에서 볼 때 개구의 에지로부터 돌출시킨다.

Description

고체 촬상 장치{SOLID IMAGING DEVICE}
본 발명은 촬상 장치에 관한 것으로, 특히 스미어(smear)의 발생을 방지한 촬상 장치에 관한 것이다.
CMOS 센서의 기본 셀인 활성형 XY 어드레스 방식의 고체 촬상 장치가 도 10에 도시되어 있다. 도 10에서, 참조 번호 10은 고체 촬상 장치 (CMOS 센서)를, 11은 P형 실리콘 기판을, 12는 P형 웰을, 14는 포토다이오드를 형성하는 N형 영역 (광전 변환 영역)을, 16은 게이트 SiO2막을, 18은 리셋 게이트를 형성하는 폴리실리콘막을, 20은 리셋 드레인을 형성하는 N+영역을, 21은 소자 분리용 필드 산화막을, 22는 광 입사 영역을 한정하기 위해 개구(23)가 형성되는 차광막을 형성하는 금속막을 가리킨다.
층간 절연막(24) 및 다수의 배선층(13, 15, 17, 19)은 광전 변환 영역(14)과 차광막(22) 사이에 제공되고, 광전 변환 영역(14)은 배선층 (도시되지 않음)에 의해 소스-폴로어-증폭기(source-follower-amplifier, 24)와 접속되어 있다.
소스-폴로어-증폭기(24)는 선택 스위치 MOS 트랜지스터(26), 검출용 MOS 트랜지스터(28), 및 부하용 MOS 트랜지스터(29)를 포함하고, 상기 MOS 트랜지스터(28)의 게이트는 광전 변환 영역(14)과 접속되어 있다.
상기한 바와 같이 구성된 CMOS 센서의 동작을 이하 설명한다. 먼저, 고펄스 øR을 리셋 게이트(18)에 인가함으로써, 포토다이오드(14)를 형성하는 N형 영역 (광전 변환 영역)의 전위가 설정된다. 다음에는, 저펄스 øR을 리셋 게이트(18)에 인가함으로써, 광전 변환에 의해 발생되는 전하가 공핍층에 축적된다. 축적된 전하의 양에 따라, N형 영역(14) (광전 변환 영역)의 전위가 변하며, 이러한 전위의 변화는 소스-폴로어-증폭기(24)의 출력 단자(30)로부터 출력된다.
종래의 CMOS 센서(10)의 구조에 있어서, 층간 절연막(24) 및 다수의 배선층(13, 15, 17, 19)과 같이, 개구(23)를 한정하는 차광막(22)과 실리콘 기판(11) 상의 광전 변환 영역(14) 사이에는 많은 소자들이 개재하므로, 차광막(22)과 광전 변환 영역(14) 사이의 간격 L0는 가시광의 파장 (약 80 내지 770㎚)보다 훨씬 더 큰 수 ㎛만큼 크게 되어, 개구(23)에 의해 회절된 회절광(25)은 도 10a에 도시된 바와 같이 광전 변환 영역(14)의 주변부로 입사하게 된다다.
그러므로, 종래의 CMOS 센서의 구조에 있어서, 광 회절 효과에 의해 광전 변환의 주변부로 입사하는 광 중 확장빔으로 인한 광전 변환에 의해 잘못된 신호 (일반적으로 "스미어(smear)"라 칭함)가 발생되어, 화상 신호의 S/N비가 저하되는 문제가 발생한다.
개구(23)의 크기 (예를 들면, 폭 W0)를 광전 변환 영역(14)의 크기 (예를 들면, 폭 W14)에 비례하여 감소시키는 기술이 제안되었지만, 이 기술은 광전 변환 영역으로 입사하는 광의 양을 감소시켜, 감광도(sensitivity)의 감소를 초래하는 문제에 직면하게 된다.
본 발명은, 상기 문제점들을 해결하고, 후술할 3가지 목적 중 적어도 하나를 달성하기 위한 것이다. 즉, 본 발명의 목적은 (1) 스미어를 감소시키고, (2) 화상 신호의 S/N비를 향상시키며, (3) 종래의 장치보다 감광도가 높은 고체 촬상 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적은: 광전 변환 영역; 상기 광전 변환 영역 위에 개구를 갖는 차광막; 상기 차광막과 상기 광전 변환 영역 사이의 중간 위치에 배치한 다수의 배선층을 포함하되, 상기 광전 변환 영역의 주변 영역으로 입사하는 입사광을 차광함으로써 광 입사 영역을 한정하도록, 입사광을 차광하기 위해 상기 개구의 상부에서 볼 때 상기 배선층의 일부가 상기 차광막의 내부로 돌출하도록 배치한 고체 촬상 장치를 제공하는 것이다.
상기 배선층은 금속 또는 폴리실리콘으로 이루어지는 것이 바람직하며, 또한 상기 리셋 드레인 영역에 접속된 Vdd 배선층, 상기 리셋 게이트 전극에 접속된 리셋 게이트 배선층, 리셋 게이트, XY 어드레스 배선층, 및 출력 배선층으로 구성된 그룹 중에서 상기 배선층을 선택하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 배선층을 상기 광전 변환 영역을 둘러싸도록 배치하거나, 상기 광전 변환 영역을 단속적으로 둘러싸도록 배치하거나, 또는 상기 광전 변환 영역의 적어도 한 부분을 덮도록 배치한다.
본 발명에 있어서, 다수의 배선층을 상기 광전 변환 영역과 다른 높이에 위치시키고, 다수의 배선층을 2 이상의 배선층의 조합으로 상기 광전 변환 영역을 둘러싸도록 배치한다.
본 발명의 고체 촬상 장치는 CMOS 센서 및 CCD 센서로서 응용될 수 있다.
본 발명의 고체 촬상 장치에 있어서, 차광막의 내부에 위치된 금속 또는 폴리실리콘 배선층을 광전 변환 영역으로 입사하는 광을 차광하도록 사용하고, 이 배선층을 광전 변환 영역에 근접하도록 배치하므로, 회절에 의해 입사광이 휘는 것을 감소시킬 수 있어서, 잘못된 신호 (스미어)를 감소시키고, 인접한 광전 변환 영역 또는 출력 회로의 확산층에 트랩핑(trapping)된 스미어에 의해 유발되는 S/N비의 저하를 피할 수 있다.
본 발명의 고체 촬상 장치에 있어서, 차광막의 개구의 에지로부터 내부로 돌출한 배선층을, 광전 변환 영역 둘레의 주변 영역으로 입사하는 광을 차광하기 위해 사용하므로, 동일한 광전 변환 영역의 광 입사 영역을 증가시키는 것이 가능하게 되어, 광전 변환 영역의 감광도 및 고체 촬상 장치의 감광도를 증가시키게 된다.
본 발명의 고체 촬상 장치에 있어서, 리셋 드레인층에 접속된 Vdd 배선층, 리셋 게이트에 접속된 리셋 게이트층, 리셋 게이트, XY 어드레스 배선층, 또는 출력 배선층과 같은 여러 배선층의 배치를 광전 변환 영역과 다른 높이에 있게 하면, 광전 영역을 둘러싸는 데 2 이상의 배선층들을 조합하여 사용하는 경우, 배선층으로부터 광전 변환 영역까지의 상대적인 거리를 감소시킬 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 제1 실시예의 측단면(도 1a) 및 평면(도 1b)을 도시하는 도면.
도 2는 도 1에 도시된 광전 변환 영역, 차광막, 및 배선층의 차광부를 도시하는 확대 측단면도.
도 3은 광전 변환층에 관한 배선층 위치의 일례를 도시하는 평면도.
도 4는 광전 변환층에 관한 배선층 위치의 일례를 도시하는 평면도.
도 5는 광전 변환층에 관한 배선층 위치의 일례를 도시하는 평면도.
도 6은 광전 변환층에 관한 배선층 위치의 일례를 도시하는 평면도.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제2 실시예의 측단면(도 7a) 및 평면(도 7b)을 도시하는 도면.
도 8은 도 7에 도시된 광전 변환 영역, 차광막, 및 배선층의 차광부를 도시하는 확대 측단면도.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 제3 실시예의 개략적인 측단면(도 9a) 및 평면(도 9b)을 도시하는 도면.
도 10a 및 도 10b는 종래의 고체 촬상 장치의 개략적인 측단면(도 10a) 및 평면(도 10b)을 도시하는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10A : 고체 촬상 장치
11 : P형 실리콘 기판
12 : P형 웰
13, 15A, 17 : 배선층
14 : 광전 변환 영역
16 : 게이트 SiO2막
18 : 리셋 게이트
20 : 리셋 드레인 영역
21 : 필드 산화막
22A : 차광막
23A : 개구
25A : 입사광
하기, 고체 촬상 장치의 제1 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 제1 실시예의 측단면(도 1a) 및 평면(도 1b)을 도시하는 도면이다. 도 2는 도 1에 도시된 광전 변환 영역, 차광막, 및 배선층의 차광부의 확대 측단면도이다.
도 1a, 도 1b, 및 도 2에 있어서, 참조 번호 10A는 제1 실시예에 따른 고체 촬상 장치를 가리키고, 11은 P형 실리콘 기판을 가리키며, 12는 P형 웰을, 14는 포토다이오드를 형성할 N형 영역 (광전 변환 영역)을, 16은 게이트 SiO2막을, 18은 리셋 게이트를 형성할 폴리실리콘막을, 20은 리셋 드레인을 형성할 N+형 영역을, 21은 분리 소자용 필드 산화막, 22A는 차광막용 금속막, 및 23A는 차광막(22A)으로 한정된 광을 입사시키는 개구를 가리킨다.
제1 실시예에 있어서, 고체 촬상 장치(10A)는 활성형 XY 어드레스 방식의 CMOS 센서를 구성한다. 도 1에 도시된 바와 같이, CMOS 센서의 기본 셀은 광전 변환 영역(14), 광전 변환 영역(14) 위에 개방된 개구(23A)를 구비하는 차광막(22A), 여러 가지 금속 또는 폴리실리콘으로 이루어지고 광전 변환 영역(14)과 차광막(22A) 사이의 중간 위치에 제공되는 배선층(13, 15A, 17, 19)을 포함한다.
광전 변환 영역(14)과 차광막(22A) 사이의 공간에는 층간 절연막(24)이 제공되고, 다수의 배선층(13, 15A, 17, 및 19)은 층간 절연막에 형성되며, 광전 변환 영역은 도 10에 도시된 소스 폴로어 증폭기(24)에 접속된다.
상기 배선층(13, 15A, 17, 19)은, 예를 들면, 알루미늄 금속 등의 금속으로 이루어지고 리셋 드레인 영역(20)에 접속된 Vdd 배선층(15A) (전원 배선층), 알루미늄 등의 금속으로 이루어지고 리셋 드레인 영역(20)에 접속된 리셋 게이트 배선층(13), 알루미늄 등으로 이루어진 XY 어드레스 선택 배선층(17), 및 열 배선층(19) (출력 배선층)을 포함한다.
여기서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 광전 변환 영역(14)의 주변부로 입사하는 광을 차광함으로써 광 입사 영역을 한정하기 위해, 개구의 상부로부터 볼 때 Vdd 배선층(15A)을 개구(23A)의 내부로 돌출하도록 배치하고, 광전 변환 영역(14)을 둘러싸도록 광전 변환 영역의 둘레에 Vdd 배선층(15A)을 배열한다.
도 10에 도시된 차광막(22)의 개구의 크기 (예를 들면, 폭 W0)와 광전 변환 영역(14)의 크기 (예를 들면, 폭 W14)가 다음과 같은 관계를 만족하도록 Vdd 배선층(15A)의 개구(40A)의 크기 (예를 들면, 폭 WA)를 설정한다:
W0< WA< W14
상기 고체 촬상 장치의 동작을 이하 설명한다. 먼저, 리셋 게이트(18)에 고펄스 øR을 인가함으로써 포토다이오드를 형성하는 N형 영역 (광전 변환 영역)을 설정한다. 다음에는, 리셋 게이트(18)에 저펄스를 인가함으로써 광전 변환에 의해 발생된 전하를 공핍층에 축적한다. 축적된 전하의 양에 따라 광전 변환 영역(14)의 전위가 변동하며, 이러한 전위의 변동은 출력 단자를 통해 출력된다.
이 때, 차광막(22A) 측으로부터 입사한 입사광(25A)의 일부가 개구(23A)의 회절 효과로 인해 회절되어, 광전 변환 영역(14)의 주변부로 입사하게 된다. 입사광(25A)이 개구(23A)의 주변부에 의해 회절되지만, Vdd 배선층(15A)이 개구의 내부로 돌출되게 배치되어 있으므로, 도 1b 및 도 2에 도시된 바와 같이, 개구의 상부에서 볼 때, 광전 변환 영역으로 입사하는 입사광은 개구로부터 돌출한 배선층에 의해 입사광의 주위를 차광함으로써 한정된다.
여기서, 도 1a, 도 1b, 및 도 2에 도시된 바와 같이, 개구(40A)를 한정하는 Vdd 배선층과 실리콘 기판(11) 상의 광전 변환 영역(14) 간의 거리 또는 높이 LA는, 다음와 같이 개구(23A)를 한정하는 차광막(22A)과 광전 변환 영역(14) 간의 거리 또는 높이 L0에 관계된다:
LA< L0
거리 LA가 거리 L0보다 짧기 때문에, Vdd층을 사용하면 회절 효과로 인한 입사광(25A)의 확장이 보다 작아진다. 결과적으로, 광전 변환 영역(14)의 주변부로 입사하는 광의 양을 감소시키고, 광전 변환에 의해 발생되는 스미어를 감소시킬 수 있어, 화상 신호의 S/N비를 향상시키게 된다.
상기한 바와, 도 1b 및 도 2에 도시된 바와 같이, 주변부 전체를 둘러싸도록 광전 변환 영역(14)의 주변부 둘레에 개구의 상부에서 볼 때 개구의 내부로 돌출하도록 Vdd 배선층을 배치하여, 광전 변환 영역(14)의 주변부로 입사하는 광을 차광함으로써 Vdd 배선층으로 광 입사 영역을 한정한다.
즉, 광전 변환 영역(14)으로 입사하는 광의 양이 개구의 크기에 비례하므로, 광전 변환 영역으로 입사하는 광의 양을 증가시키고, Vdd 배선층의 개구(40A)의 크기 (예를 들면, 폭 WA)가 차광막(22)의 개구(23)의 크기 (예를 들면, 폭 W0)와 다음 관계를 만족시키도록 설계하여, 개구(23)를 통해서만 광을 입사시키는 경우보다 감광도의 저하를 방지할 수 있다.
W0< WA
본 발명의 고체 촬상 장치의 제1 실시예에 따르면, 광전 변환 영역(14)을 한정하는 부분과 광전 변환 영역(14) 간의 거리 LA를 감소시킬 수 있으며, 금속으로 이루어지고 개구(23A)의 내부로 돌출되도록 배치된 Vdd 배선층(15A)을 사용하여 입사광을 차광시킴으로써 광 회절에 기인한 입사광의 확장을 감소시킬 수 있다. 따라서, 광이 광전 변환 영역(14)으로 입사하는 가능성을 감소시켜서 발생되는 스미어를 감소시킨 결과, 다른 인접한 광전 변환 영역에 의해 또는 출력 회로의 확산층에 의해 트랩핑되는 스미어에 의한 S/N비의 저하를 방지하게 된다.
광전 변환 영역(14)의 주변부로 입사하는 광을 차광하도록 Vdd 배선층을 배치하면, 광전 변환 영역(14)으로부터의 Vdd 배선층의 높이를 감소시킬 수 있어, 동일한 광전 변환 영역(12)에 비하여 광 입사 영역을 증가시킬 수 있다. 따라서, 입사광의 양을 증가시키고, 광전 변환 영역의 감광도를 증가시켜, 고체 촬상 장치(10A)의 감광도를 향상시킨다.
제1 실시예에 있어서, Vdd 배선층(15A)을 광전 변환 영역(14)의 주변부를 둘러싸도록 배치하였지만, 광전 변환 영역(14)을 단속적으로 둘러싸도록 배치하는 것도 가능하다; 즉, Vdd 배선층을 노치(notch, 15a)들을 제외한 광전 변환 영역(14)의 주변부의 둘레 전체에 배치하거나; 광전 변환 영역(14)의 주변부의 적어도 한 부분에 있도록 배치하는데, 즉 연속된 2변, 분리된 2변, 또는 광전 변환 영역의 한 변을 덮도록 배치한다. 이러한 경우에 있어서, Vdd 배선층에 의해 덮힌 주변부에서 Vdd 배선층의 효과를 얻게 된다.
또한, 광전 변환 영역의 상부에서 볼 때 입사광의 방향에서 광전 변환 영역(14)의 높이와 동일하거나 다를 수 있는 타배선층(13, 17, 및 19)과 Vdd 배선층을 결합시킴으로써, 광전 변환 영역(14)의 주변부를 종국적으로 둘러싸는 것도 가능하다. 그 때문에, 스미어 발생 방지, S/N비 저하 방지, 및 감광도 향상 등의 상술한 효과들을 얻게 된다.
하기, 본 발명의 고체 촬상 장치의 제2 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명할 것이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제2 실시예의 측단면(도 7a) 및 평면 단면(도 7b)을 도시하는 도면이다. 도 8는 도 7a 및 도 7b에 도시된 광전 변환 영역(14), 차광막, 및 배선층을 도시하는 확대 측단면도이다.
본 실시예에 있어서, 도 1 내지 도 6에 도시된 제1 실시예와 동일한 구성 요소는 동일한 참조 번호로 표시하였고, 이들 소자에 대한 설명은 생략한다. 도 7a, 도 7b, 및 도 8에 있어서, 참조 번호 10B는 본 실시예의 고체 촬상 장치를 가리키고, 15는 리셋 드레인층에 접속된 Vdd 배선층을 가리키며, 22B는 차광막을 형성할 금속막을, 23B는 차광막(22B)으로 한정된 입사광을 입사시키는 개구를 가리킨다.
본 실시예에 있어서, 도 1 내지 도 6에 도시된 제1 실시예와 다른 점은 광 입사 영역을 한정하는 배선층으로서 리셋 게이트 배선층을 선택한다는 점이다.
여기서, 광전 변환 영역(14)에 대한 게이트 배선층의 높이 또는 거리가 도 1 및 도 2에 도시된 Vdd 배선층(15A)의 높이 또는 거리보다 낮으므로, 리셋 게이트 배선층을 광전 변환 영역(14)에 보다 근접한 위치에 배치한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판 상의 광전 변환 영역으로부터의 리셋 게이트 배선층(13B)의 높이 LB는, 다음과 같이, 광전 변환 영역(14)으로부터의 개구(23B)를 한정하는 차광막의 높이 L0및 도 1 및 도 2에 도시된 제1 실시예의 Vdd 배선층의 높이 LA보다 낮다.
LB< LB< L0
광 입사 영역의 주변부에 대한 입사광을 차광함으로써 광 입사 영역을 한정하기 위해 광전 변환 영역(14)의 주변부를 둘러싸도록 리셋 게이트 배선층(13B)을 배치하고, 광전 변환 영역(14)의 주변 전체를 둘러싸도록 하기 위해 리셋 게이트 배선층(13B)을 광전 변환 영역(14)의 둘레에 위치시킨다.
리셋 게이트 배선층(13B)의 개구(41B)의 크기 (예를 들면, 폭 WB)를 개구(23)의 크기 (예를 들면, 폭 W0) 및 광전 변환 영역(14)의 크기 (예를 들면, 폭 W14)와 다음 관계를 만족시키도록 설정한다.
W0< WB< W14
본 실시예의 고체 촬상 장치(10B)의 동작은 제1 실시예의 고체 촬상 장치의 동작과 거의 동일하다.
동작 동안, 회절 효과에 의해 확장하는 차광막(23B)으로부터의 입사광(25B)의 일부는 도 8에 도시된 바와 같이 광전 변환 영역의 주변 영역으로 입사한다. 이러한 입사광(25B)의 일부는 차광막(22B)의 개구(23B)의 주변부에 의해 회절된다. 그러나, 개구의 상부에서 볼 때, 도 7b 및 도 8에 도시된 바와 같이, 개구(23B)의 주변부의 내부로 돌출하도록 리셋 게이트 배선층(13B)을 배치하면, 리셋 게이트 배선층(13B)의 개구(22B)에 의해 주변부로 입사하는 입사광을 차광함으로써 광 입사 영역을 한정할 수 있다.
여기서, 도 8에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(11) 상의 광전 변환 영역(14)으로부터 개구(23B)를 한정하는 리셋 게이트 배선층(13B)의 간격 LB는, 광전 변환 영역(14)으로부터 개구(23B)를 한정하는 차광막(22B)의 높이 L0(도 10에 도시된 개구(23)를 한정하는 차광막(22)의 높이 L0와 동일함)와 다음과 같은 관계에 있다.
LB< L0
즉, 본 실시예에 있어서, 입사광의 확장은 차광막의 개구를 사용하는 경우보다 리셋 게이트 배선층을 사용할 때 더 감소된다.
더욱이, 도 8에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(11) 상의 광전 변환 영역(14)으로부터 개구(41B)를 한정하는 리셋 게이트 배선층(13B)의 간격 LB은, 도 1 및 도 2에 도시된 Vdd 배선층(15A)과 실리콘 기판(11) 상의 광전 변환 영역(14)의 간격 LA와 다음과 같은 관계에 있다.
LB< LA
상기 관계는, 회절 효과에 의한 입사광(25B)의 확장에 기인한 높이가, 실리콘 기판(11) 상의 광전 변환 영역(14)으로부터 도 1 및 도 2에 도시된 제1 실시예의 Vdd 배선층의 높이보다 훨씬 낮다는 것을 가리킨다. 결과적으로, 광전 변환 영역의 둘레의 주변 영역으로 입사하는 광의 양을 감소시키고, 광전 변환 영역(14)에 발생하는 스미어를 감소시킬 수 있게 되어, 화상 신호의 S/N비를 향상시킬 수 있게 된다.
도 7b 및 도 8에 도시된 바와 같이, 광전 변환 영역(14)의 전체 주변 영역을 둘러싸면서, 개구의 상부에서 볼 때 개구(23B)로부터 내부로 돌출하도록 리셋 게이트 배선층(13B)을 배치하므로, 리셋 게이트 배선층(13B)의 개구(41B)에 의해 광전 변환 영역(14)의 주변부로 입사하는 광을 차광함으로써 광 입사 영역이 한정된다.
즉, 광전 변환 영역(14)으로 입사하는 광의 양과 개구들(23, 41B)의 크기를 비례하는 관계로 만들기 위해서는, 도 10에 도시된 개구(23)의 크기 (예를 들면, 폭 W0)와 다음 관계를 만족시키도록 리셋 게이트 배선층(13B)의 개구(41B)의 크기 (예를 들면, 폭 WB)를 설계한다:
W0< WB
결과적으로, 입사광이 개구(23)를 통과하는 경우와 비교할 때, 리셋 게이트 배선층(13B)의 개구(41B)를 통과하는 경우에, 광전 변환 영역(14)으로 입사하는 광의 양을 증가시킬 수 있게 되므로, 감광도의 저하를 방지할 수 있다.
더욱이, 도 8에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(11) 상의 광전 변환 영역(14)으로부터 개구(41B)를 한정하는 리셋 게이트 배선층(13B)의 높이 LB를, 실리콘 기판(11) 상의 광전 변환 영역(14)으로부터 도 1 및 도 2에 도시된 Vdd 배선층(15A)의 높이 LA와 다음과 같은 관계
LB< LA
에 있도록 설계하고, 그 크기 (예를 들면, 폭 WB)를, 도 1 및 도 2에 도시된 ㅂ와 같이 제1 실시예의 Vdd 배선층의 개구(15A)의 크기와 다음과 같은 관계
WA< WB
에 있도록 설계하므로, 입사광이 Vdd 배선층(15A)의 개구(40A)를 통과하는 제1 실시예와 비교할 때, 입사광이 리셋 게이트 배선층(13B)의 개구(41B)를 통과할 때에, 광전 변환 영역(14)으로 입사하는 광의 양을 증가시킬 수 있으므로, 감광도의 저하를 더 방지할 수 있다.
제2 실시예의 고체 촬상 장치(10B)에 따르면, 금속막으로 이루어지고 차광막(22B)의 내부에 위치하며 광전 변환 영역(14)에 광 입사 영역을 한정하는 리셋 게이트 배선층(13B)의 높이 LB를 낮춤으로써, 회절 효과에 기인한 입사광(25B) 빔의 확장을 감소시킬 수 있어서, 광전 변환 영역(14)의 둘레의 주변 영역으로 입사하는 광을 감소시켜 스미어를 더 감소시킨다. 이 때문에, 광전 변환 영역에 의해 또는 출력 회로의 확산층에 의해 트랩핑된 광에 기인한 스미어로 인한 화상 신호의 S/N비의 저하를 방지할 수 있게 된다.
본 실시예의 고체 촬상 장치에 있어서, 차광막(22B)의 내부에 배치된 리셋 게이트 배선층은 광전 변환 영역(14)의 주변 영역으로 입사하는 광을 차광하고, 광전 변환 영역(14)으로부터의 리셋 게이트 배선층(13B)의 높이를 낮추는 것은 회절에 의한 입사광(25B)의 확장을 감소키며, 동일한 광전 변환 영역(14)에 대한 광 입사 영역을 증가시킬 수 있어, 결과적으로는, 광전 변환 영역으로 입사하는 광의 양을 증가시킬 수 있으므로, 광전 변환 영역의 감광도 뿐만 아니라 고체 촬상 장치의 감광도를 향상시키게 된다.
제2 실시예에서는, 리셋 게이트 배선층(13B)을 광전 변환 영역(14)을 둘러싸도록 배치한다. 이 외에도, 광전 변환 영역(14)을 단속적으로 둘러싸도록 리셋 게이트 배선층을 배치할 수도 있다; 다시 말하자면, 노치(15a)들을 제외한 광전 변환 영역(14)의 둘레 전체에 리셋 게이트 배선층(13B)을 배치하거나; 광전 변환 영역(14) 주변 중 적어도 한 부분을 둘러싸도록 배치할 수도 있는데, 즉, 광전 변환 영역의 연속된 2변, 분리된 2변, 또는 한 변을 덮도록 배치할 수도 있다. 이러한 경우, 광전 변환 영역의 주변부의 일부에서 리셋 게이트 배선층의 효과를 얻는다.
또한, 광전 변환 영역의 상부에서 볼 때 입사광 방향으로 광전 변환 영역(14)과 높이가 다른 타배선층(13, 17, 및 19)과 리셋 게이트 배선층을 결합시킴으로써 광전 변환 영역(14)의 주변부를 완전히 둘러싸게 하는 것도 가능하다. 이 때문에, 스미어 발생 방지, S/N비 저하 방지, 및 감광도 향상 등의 상술한 효과들을 얻게 된다.
하기, 본 발명의 제3 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명할 것이다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 제3 실시예의 개략적인 측단면(도 9a) 및 평면(도 9b)을 도시하는 도면이다.
본 실시예에 있어서, 도 1 내지 도 6에 도시된 제1 실시예와 동일한 구성 요소들은 동일한 참조 번호로 표시하고, 이들 소자들의 설명은 생략한다. 도 9a 및 도 9b에 있어서, 참조 번호 10C는 제3 실시예의 고체 촬상 장치를 가리키고, 15는 리셋 드레인층에 접속된 Vdd 배선층을 가리키며, 22C는 차광막의 금속막을, 23C는 차광막(22B)에 의해 한정된 입사광을 입사시키는 개구를 가리킨다.
본 실시예에 있어서, 도 1 내지 도 6에 도시된 제1 실시예와 다른 점은 광 입사 영역을 한정하는 배선층으로서 폴리실리콘으로 이루어진 리셋 게이트(18C)를 선택한는 점이다.
여기서, 광전 변환 영역(14)으로부터의 리셋 게이트의 높이가 도 2에 도시된 Vdd 배선층(15A)의 높이 및 도 8에 도시된 리셋 게이트 배선층(13B)의 높이보다 낮으므로, 리셋 게이트(18C)를 광전 변환 영역(14)에 보다 근접하게 배치한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 리셋 게이트(18C)를, 광전 변환 영역(14)의 높이와 거의 동일한 높이에 위치하는 게이트 SiO2층 상에 형성한다.
여기서, 도 9b에 도시된 바와 같이, 광전 변환 영역(14)의 주변 영역을 둘러싸게 함으로써, 개구의 상부에서 볼 때, 광 입사 영역을 한정하기 위해 개구(23C)의 내부로 돌출하도록 리셋 게이트(18C)를 배치하고, 이 경우, 리셋 게이트(18C)를 도 2에 도시된 제1 실시예의 Vdd층(15A) 또는 도 8에 도시된 제2 실시예의 리셋 게이트 배선층(13B)보다 광전 변환 영역(14)에 더 근접하도록 배치한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 리셋 게이트(18C)를 광전 변환 영역(14)과 동일한 높이에 위치하는 게이트 SiO2층 상에 배치한다.
본 실시예에 있어서, 광전 변환 영역(14)의 주변 영역으로 입사하는 광을 차광하기 위해, 리셋 게이트(18C)는 개구(13C)의 상부에서 볼 때 개구(23C)의 에지로부터 내부로 돌출하고, 본 실시예에서는, 리셋 게이트는 광전 변환 영역(14)의 한 변만 차지할 뿐이다.
리셋 게이트(18C)의 내부 단부로부터 광전 변환 영역(14)의 대향하는 변까지의 크기 (예를 들면, 폭 WC)를, 도 10에 도시된 크기 (예를 들면, 폭 W0), 리셋 게이트 배선층(13B)의 개구(41B)의 크기 (예를 들면, WB), 및 크기 (예를 들면, W14)와 다음과 같은 관계를 만족시키도록 설계한다:
W0< WB< WC< W14
본 실시예의 고체 촬상 장치의 동작은 제1 및 제2 실시예와 유사하다.
차광막(22C)으로부터 입사하는 입사광(25C)은 개구(23C)에서의 회절 효과에 의해 회절한 후, 도 9a에 도시된 바와 같이 광전 변환 영역(14)의 주변부로 입사한다. 입사광(25C)이 차광막(22C)의 개구(23C)에 의해 회절되지만, 개구의 상부로부터 볼 때 개구(23C)로부터 내부로 돌출되어 있는 리셋 게이트(18C)에 의해 입사광이 차광되므로, 광전 변환 영역(14)의 광 입사 영역은 한정된다.
도 8에 도시된 바와 같이, 입사광이 리셋 게이트(18C)와 광전 변환 영역(14) 사이에는 회절될 공간이 존재하지 않는다. 이 때문에, 도 1에 도시된 제1 실시예에 있어서 개구(40A)를 한정하는 Vdd 배선층(15A), 및 도 8에 도시된 제2 실시예에 있어서 개구(41B)를 한정하는 리셋 게이트 배선층(13B)과 비교할 때, 본 실시예에서는 광전 변환 영역의 주변부로 입사하는 광의 양을 감소시키고, 회절광에 의해 발생하는 스미어를 감소시켜 화상 신호의 S/N비를 향상시킬 수 있다.
도 9a에 도시된 바와 같이, 광전 변환 영역(14)의 한 변에 배치되고 개구(23C)로부터 내부로 돌출된 리셋 게이트(18C)는 광전 변환 영역(14)으로 입사하는 광(25C)을 차광함으로써 광 입사 영역을 한정한다.
광전 변환 영역(14)으로 입사하는 광의 양은 리셋 게이트(18C)의 내측 변으로부터 광전 변환 영역(14)의 그 반대측 변까지의 크기 (예를 들면, 폭 WC)에 비례하고, 그 폭을, 리셋 게이트 배선층(13B)으로 한정한 개구(41B)의 크기 (예를 들면, 폭 WB) 및 개구(23)의 크기 (예를 들면, 폭 W0)와 다음과 같은 관계를 만족하도록 설계한다.
WO< WB< WC
결과적으로, 광 입사 여역이 도 10에 도시된 개구(23)에 의해 한정되는 경우보다 리셋 게이트(18C)에 의해 한정되는 경우에, 광전 변환 영역으로 입사하는 광의 양을 더 증가시키고, 감광도의 저하를 방지할 수 있다.
본 실시예의 고체 촬상 장치에 따르면, 차광막(22C)의 내부에 배치한 리셋 게이트(18C)에 의해 광전 변환 영역(14)의 주변 영역으로부터의 입사광(25C)을 차광하기 위해, 광전 변환 영역(14)으로부터의 광 입사 영역을 한정하는 배선층의 높이를 낮춤으로써, 회절광의 확장을 감소시킬 수 있다. 따라서, 광전 변환 영역의 주변부로 입사하는 광을 감소시킬 수 있고, 그 결과로서 스미어가 발생할 가능성을 감소시킬 수 있으므로, 인접하는 광전 변환 영역 및 출력 회로의 확산층에 트랩핑된 광에 의한 스미어에 기인한 화상 신호의 S/N비의 저하를 감소시킬 수 있다.
본 실시예의 고체 촬상 장치에 따르면, 광 입사 영역을 한정하기 위한 광전 변환 영역의 주변부로 입사하는 광(25C)을 차광하는 광전 변환 영역으로부터 리셋 게이트(18C)까지의 높이를 더 낮춤으로써, 광 입사 영역을 증가시킬 수 있고, 광전 변환 영역의 감광도 뿐만 아니라 고체 촬상 장치(10C)의 감광도를 향상시킬 수 있는 본 실시예의 효과를 획득한다.
본 실시예에 있어서, 리셋 게이트(18C)를 광전 변환 영역의 한 변을 덮도록 배치한다. 그러나, 또한, 광전 변환 영역의 상부에서 볼 때 입사광의 방향으로 광전 변환 영역(14)과 높이가 다른 타배선층(13, 17, 및 19)과 리셋 게이트(18C)를 결합시킴으로써, 광전 변환 영역(14)의 주변부를 완전히 둘러싸도록 할 수 있다. 이 때문에, 스미어 발생 방지, S/N비 저하 방지, 및 감광도 향상 등의 상술한 효과들을 획득한다.
그 외에도, 도 3에 도시된 제1 실시예를 설명한 바와 같이, 광전 변환 영역(14)의 주변부를 단속적으로 둘러싸도록 리셋 게이트(18C)를 배치할 수 있다; 즉, 노치들(15a)들을 제외한 광전 변환 영역(14)의 주변부의 둘레 전체에 리셋 게이트층(18C)을 배치하거나; 광전 변환 영역(14)의 주변부의 적어도 한 부분에 배치하는데, 다시 말하면, 연속된 2변, 분리된 2변, 또는 광전 변환 영역의 한 변을 덮도록 배치한다.
본 발명을 CMOS 센서에 관하여 설명하였지만, CCD 센서 등의 다른 응용에도 적용할 수 있다는 것을 주의하여야 한다.
게다가, 상술한 금속 배선층들 외의 다른 금속으로 이루어진 출력 배선층 등의 임의의 배선층들도 광 입사 영역을 한정하기 위해 사용할 수 있다는 것을 주의하여야 한다.
본 발명의 고체 촬상 장치에 의한 효과를 설명한다.
(1) 본 발명의 고체 촬상 장치에 있어서, 차광막의 내부에 배치된 금속 또는 폴리실리콘 배선층이 광전 변환 영역으로 입사하는 광을 차광하는 데 사용되고, 배선층이 광전 변환 영역에 근접하도록 배치되므로, 회절에 의해 입사광이 휘는 것이 감소될 수 있어서, 잘못된 신호 (스미어)를 감소시킬 수 있고, 인접한 광전 변환 영역 또는 출력 회로의 확산층에 트랩핑된 광에 의해 유발되는 스미어에 기인한 S/N 비의 저하를 피할 수 있다.
(2) 본 발명의 고체 촬상 장치에 있어서, 차광막의 개구의 에지로부터 내부로 돌출하도록 배치된 배선층이, 광전 변환 영역 둘레의 주변 영역으로 입사하는 광을 차광하는 데 사용되므로, 동일한 광전 변환 영역의 광 입사 영역을 증가시킬 수 있게 되어, 광전 변환 영역의 감광도 및 고체 촬상 장치의 감광도를 증가시키게 된다.
(3) 리셋 드레인층에 접속된 Vdd 배선층, 리셋 게이트에 접속된 리셋 게이트층, 리셋 게이트, XY 어드레스 배선층, 또는 출력 배선층 등의 여러 배선층들의 배치를 광전 변환 영역과 동일하거나 다른 높이에 위치시키고, 단독으로 또는 2 이상의 배선층의 조합으로 광전 변환 영역의 주변부를 둘러싸는 데 사용될 수 있으면, 다수의 배선층이 2 이상의 배선층으로 조합되어 사용되는 경우에, 배선층으로부터 광전 변환 영역까지의 상대적인 거리를 감소시킬 수 있다.

Claims (9)

  1. 고체 촬상 장치에 있어서,
    광전 변환 영역;
    상기 광전 변환 영역 상에 개구를 갖는 차광막; 및
    상기 차광막 및 상기 광전 변환 영역 사이의 중간 위치에 배치한 다수의 배선층
    을 포함하되,
    상기 광전 변환 영역의 주변 영역으로 입사하는 입사광을 차광함으로써 광 입사 영역을 한정하도록, 상기 입사광을 차광하기 위해 상기 배선층의 일부를 상기 개구의 상부에서 볼 때 상기 차광막의 내부로 돌출하도록 배치하는 고체 촬상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 배선층을 상기 광전 변환 영역을 둘러싸도록 배치하는 고체 촬상 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 배선층을 상기 광전 변환 영역을 단속적으로 둘러싸도록 배치하는 고체 촬상 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 배선층을 상기 광전 변환 영역의 적어도 한 부분을 덮도록 배치하는 고체 촬상 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 다수의 배선층을 상기 광전 변환 영역과 다른 간격으로 배치하는 고체 촬상 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 다수의 배선층을 2 이상의 조합으로 상기 광전 변환 영역을 둘러싸도록 배치하는 고체 촬상 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 배선층을 금속 또는 폴리실리콘으로 구성하는 고체 촬상 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 고체 촬상 장치는 리셋 드레인 영역 및 리셋 게이트 전극을 더 포함하되,
    상기 배선층을 상기 리셋 드레인 영역에 접속된 Vdd층, 상기 리셋 게이트 전극에 접속된 리셋 게이트 배선층, 리셋 게이트, XY 어드레스 배선층, 및 출력 배선층으로 구성된 그룹 중에서 선택하는 고체 촬상 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 고체 촬상 장치는 CMOS 센서 및 CCD 센서를 포함하는 고체 촬상 장치.
KR1020000008661A 1999-02-24 2000-02-23 고체 촬상 장치 KR100356630B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04720999A JP3319419B2 (ja) 1999-02-24 1999-02-24 固体撮像装置
JP1999-047209 1999-02-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000058148A true KR20000058148A (ko) 2000-09-25
KR100356630B1 KR100356630B1 (ko) 2002-10-18

Family

ID=12768773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000008661A KR100356630B1 (ko) 1999-02-24 2000-02-23 고체 촬상 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6316814B1 (ko)
JP (1) JP3319419B2 (ko)
KR (1) KR100356630B1 (ko)
TW (1) TW432709B (ko)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3759435B2 (ja) * 2001-07-11 2006-03-22 ソニー株式会社 Ｘ−ｙアドレス型固体撮像素子
JP4117672B2 (ja) * 2002-05-01 2008-07-16 ソニー株式会社 固体撮像素子及び固体撮像装置、並びにこれらの製造方法
JP2004111885A (ja) * 2002-07-23 2004-04-08 Toshiba Corp 半導体装置
JP2004063778A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Renesas Technology Corp 固体撮像素子
JP2004104203A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2004172335A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Sony Corp 固体撮像装置
US20050133879A1 (en) * 2003-04-07 2005-06-23 Takumi Yamaguti Solid-state imaging device, signal processing device, camera, and spectral device
US6812539B1 (en) * 2003-04-10 2004-11-02 Micron Technology, Inc. Imager light shield
KR100630679B1 (ko) * 2003-12-17 2006-10-02 삼성전자주식회사 포토 다이오드 및 이의 제조 방법
TWI265755B (en) * 2004-05-04 2006-11-01 Beyond Innovation Tech Co Ltd Lamp duplexing protection device and its operational method
JP2006237315A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
US20060273364A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Eastman Kodak Company Identical/symmetrical metal shielding
US7968888B2 (en) * 2005-06-08 2011-06-28 Panasonic Corporation Solid-state image sensor and manufacturing method thereof
JP4952089B2 (ja) * 2005-07-06 2012-06-13 株式会社Ｊｖｃケンウッド 固体撮像素子
US7683407B2 (en) * 2005-08-01 2010-03-23 Aptina Imaging Corporation Structure and method for building a light tunnel for use with imaging devices
KR100699863B1 (ko) * 2005-08-29 2007-03-27 삼성전자주식회사 크로스토크를 방지할 수 있는 ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그제조방법
US7633106B2 (en) * 2005-11-09 2009-12-15 International Business Machines Corporation Light shield for CMOS imager
JP5175030B2 (ja) 2005-12-19 2013-04-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
JP4833680B2 (ja) * 2006-02-08 2011-12-07 パナソニック株式会社 固体撮像装置
US7466002B2 (en) * 2006-06-19 2008-12-16 Mitutoyo Corporation Incident light angle detector for light sensitive integrated circuit
JP4976765B2 (ja) 2006-07-07 2012-07-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
DE102006040788B4 (de) * 2006-08-31 2013-02-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Integrierter Optokoppler mit organischem Lichtemitter und anorganischem Photodetektor
JP4315457B2 (ja) 2006-08-31 2009-08-19 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
KR100881200B1 (ko) * 2007-07-30 2009-02-05 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
JP4505488B2 (ja) * 2007-09-05 2010-07-21 シャープ株式会社 固体撮像素子および電子情報機器
JP5364995B2 (ja) * 2007-10-01 2013-12-11 株式会社ニコン 固体撮像素子及びこれを用いた電子カメラ
JP2010016056A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Canon Inc 光電変換装置
KR101087997B1 (ko) * 2009-04-17 2011-12-01 (주)실리콘화일 광도파관을 구비하는 이미지센서 및 그 제조방법
JP5487734B2 (ja) * 2009-06-05 2014-05-07 株式会社ニコン 固体撮像素子
JP2013038174A (ja) 2011-08-05 2013-02-21 Canon Inc 軟ｘ線検出装置、及び軟ｘ線検出システム
JP6071183B2 (ja) * 2011-10-20 2017-02-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP5432979B2 (ja) * 2011-12-22 2014-03-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
JP5971106B2 (ja) * 2012-12-17 2016-08-17 株式会社デンソー 光センサ
CA3144668A1 (en) * 2019-06-28 2020-12-30 Quantum-Si Incorporated Optical and electrical secondary path rejection

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63318154A (ja) * 1987-06-19 1988-12-27 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH0666452B2 (ja) * 1987-09-04 1994-08-24 株式会社東芝 固体撮像装置の製造方法
DE69218469T2 (de) * 1991-01-17 1997-11-06 Sony Corp CCD-Bildaufnahmevorrichtung
DE69320113T2 (de) * 1992-05-22 1999-03-11 Matsushita Electronics Corp Festkörper-Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3456000B2 (ja) * 1993-05-17 2003-10-14 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
US6133595A (en) * 1997-04-08 2000-10-17 Matsushita Electronics Corporation Solid state imaging device with improved ground adhesion layer

Also Published As

Publication number Publication date
US6316814B1 (en) 2001-11-13
KR100356630B1 (ko) 2002-10-18
TW432709B (en) 2001-05-01
JP2000252452A (ja) 2000-09-14
JP3319419B2 (ja) 2002-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100356630B1 (ko) 고체 촬상 장치
US7030918B1 (en) Solid-state image pickup device
KR100884860B1 (ko) 고체 촬상 장치
US20070210398A1 (en) Solid-state imaging device and method for driving the same
KR20230160810A (ko) 광 검출 장치 및 전자 기기
JP2866328B2 (ja) 固体撮像素子
EP1213765B1 (en) Solid state imaging device
JPH0247912B2 (ko)
US6809355B2 (en) Solid-state imaging device
CN112530983B (zh) 影像传感器
JPH03240379A (ja) 固体撮像素子
JPH05175471A (ja) 固体撮像装置
JPH0524671B2 (ko)
JPH0657056B2 (ja) 固体撮像素子
JP2008016733A (ja) 固体撮像装置
US20100013967A1 (en) Solid state imaging device
JPH05110045A (ja) 光電変換装置
JP2570054B2 (ja) 固体イメージセンサ
JP3191967B2 (ja) 固体撮像装置
JP3487069B2 (ja) 半導体受光素子
KR20100089748A (ko) 고체 촬상 소자, 촬상 장치, 및 고체 촬상 소자의 제조 방법
JP3384690B2 (ja) 光半導体集積回路
JPS6255961A (ja) 固体撮像装置
US6541749B1 (en) Photodetector pixel cell
JPS5923435Y2 (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee