JP5487734B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5487734B2 JP5487734B2 JP2009136738A JP2009136738A JP5487734B2 JP 5487734 B2 JP5487734 B2 JP 5487734B2 JP 2009136738 A JP2009136738 A JP 2009136738A JP 2009136738 A JP2009136738 A JP 2009136738A JP 5487734 B2 JP5487734 B2 JP 5487734B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- conductive layer
- imaging device
- state imaging
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
第8の態様による固体撮像素子は、前記第1乃至第7のいずれかの態様において、前記導電層は、電源電位が印加される拡散領域の一部に絶縁膜を介して重なるように配置されたものである。
図1は、本発明の第1の実施の形態による固体撮像素子1を示す概略構成図である。この固体撮像素子1は、CMOS型固体撮像素子として構成されている。
図8は、本発明の第2の実施の形態による固体撮像素子の2×2個の画素4を模式的に示す概略平面図であり、図3に対応している。図9(a)は、図8中のC−C’線に沿った概略断面図である。図9(b)は、図8中のC−C’線に沿った各位置における所定期間(自行の読出期間以外の期間)中のシリコン表面(半導体表面)の電位を示すポテンシャル図である。図8及び図9において、図3及び図4中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
図10は、本発明の第3の実施の形態による固体撮像素子の2×2個の画素4を模式的に示す概略平面図であり、図8に対応している。図10において、図8中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
図11は、本発明の第4の実施の形態による固体撮像素子の2×2個の画素4を模式的に示す概略平面図であり、図3に対応している。図12(a)は、図11中のD−D’線に沿った概略断面図であり、図4(a)に対応している。図12(b)は、図11中のD−D’線に沿った各位置における所定期間(自行の読出期間以外の期間)中のシリコン表面(半導体表面)の電位を示すポテンシャル図であり、図4(b)に対応している。図11及び図12において、図3及び図4中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
図13は、本発明の第5の実施の形態による固体撮像素子の2×2個の画素4を模式的に示す概略平面図であり、図3に対応している。図14(a)は、図13中のE−E’線に沿った概略断面図である。図14(b)は、図13中のE−E’線に沿った各位置における所定期間(自行の読出期間以外の期間)中のシリコン表面(半導体表面)の電位を示すポテンシャル図である。図13及び図14において、図3及び図4中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
33 電源拡散領域
37 リセットトランジスタのゲート
38 P型拡散領域(コンタクト拡散領域)
60 導電層
PD フォトダイオード
FD 浮遊拡散部
RST リセットトランジスタ
Claims (9)
- 入射光に応じた電荷を生成し蓄積する光電変換部と、
前記電荷を受け取って電位に変換する浮遊拡散部と、
前記浮遊拡散部の電位をリセットするリセットトランジスタと、
前記光電変換部の周囲の所定領域に形成されかつ前記リセットトランジスタのゲートと電気的に接続された導電層と、
を備え、
自行の読出期間以外の期間では、前記リセットトランジスタがオンしており、
前記導電層は、前記自行の読出期間以外の期間において、前記光電変換部の周囲の所定領域の電荷が前記光電変換部以外の所定箇所に導かれるように、配置されたことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記導電層は、前記ゲートを構成する材料が前記ゲートから連続して延びることによって形成されたことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記導電層は、前記光電変換部の外周の1/8以上に沿うように配置されたことを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像素子。
- 前記導電層は、前記光電変換部の周囲の所定領域の電荷が前記光電変換部以外の所定箇所に導かれるように、配置されたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記所定箇所が、前記浮遊拡散部を含むことを特徴とする請求項4記載の固体撮像素子。
- 前記所定箇所が、電源電位が印加される拡散領域を含むことを特徴とする請求項4又は5記載の固体撮像素子。
- 前記導電層は、前記浮遊拡散部の一部に絶縁膜を介して重なるように配置されたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記導電層は、電源電位が印加される拡散領域の一部に絶縁膜を介して重なるように配置されたことを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記リセットトランジスタを構成するソース領域及びドレイン領域が形成された半導体層と、前記半導体層に形成され前記半導体層を所定電位に保つためのコンタクト拡散領域とを備え、
前記導電層は前記コンタクト拡散領域を囲むように配置されたことを特徴とする請求項1乃至8記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009136738A JP5487734B2 (ja) | 2009-06-05 | 2009-06-05 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009136738A JP5487734B2 (ja) | 2009-06-05 | 2009-06-05 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010283241A JP2010283241A (ja) | 2010-12-16 |
JP5487734B2 true JP5487734B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=43539710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009136738A Expired - Fee Related JP5487734B2 (ja) | 2009-06-05 | 2009-06-05 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5487734B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6071183B2 (ja) * | 2011-10-20 | 2017-02-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3319419B2 (ja) * | 1999-02-24 | 2002-09-03 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
US6350663B1 (en) * | 2000-03-03 | 2002-02-26 | Agilent Technologies, Inc. | Method for reducing leakage currents of active area diodes and source/drain diffusions |
JP2003234496A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP5214904B2 (ja) * | 2007-04-12 | 2013-06-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
-
2009
- 2009-06-05 JP JP2009136738A patent/JP5487734B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010283241A (ja) | 2010-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9711561B2 (en) | Solid-state imaging device and camera including discrete trench isolation structure | |
JP4752447B2 (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
US8530820B2 (en) | Solid-state imaging device with overflow drain region and contact thereto in different stacked substrates | |
JP6084922B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5459357B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2006261638A (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 | |
US20070126039A1 (en) | Solid state imaging apparatus | |
JP2015012241A (ja) | 撮像素子およびその製造方法、ならびに電子機器 | |
JP2010245100A (ja) | 固体撮像素子 | |
TW201222802A (en) | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
WO2021117523A1 (ja) | 固体撮像素子及び電子機器 | |
JP2007134639A (ja) | 光電変換装置及びそれを用いた撮像素子 | |
JP2016127058A (ja) | 撮像装置 | |
JP5581698B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP6689936B2 (ja) | 撮像装置の製造方法 | |
JP5487734B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP6775206B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP2008098255A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2009026892A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP5868451B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JP5012104B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2008263086A (ja) | フォトダイオード及びこれを用いた固体撮像素子 | |
JP2011003737A (ja) | 固体撮像素子、撮像装置 | |
JP2010135653A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP2011138848A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120604 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130912 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130924 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5487734 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |