JP2010135653A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】暗電流を低減し、得られた画像の画質を向上させる。
【解決手段】固体撮像素子1は、N型のシリコン基板51と、その上に配置されたP型ウエル52と、所定領域に渡って配置された複数の画素を備える。各画素は、P型ウエル52中に配置され入射光に応じて光電変換された電荷を蓄積するN型の電荷蓄積層15aを有する。P型ウエル52に固定電位を供給するためのP型拡散領域38が、前記所定領域においてP型ウエル52中に配置される。N型領域60が、P型拡散領域38の下方においてN型層51に到達するように、P型ウエル52中に配置される。P型拡散領域38で発生した電荷がN型領域60に吸い込まれる。
【選択図】図4
【解決手段】固体撮像素子1は、N型のシリコン基板51と、その上に配置されたP型ウエル52と、所定領域に渡って配置された複数の画素を備える。各画素は、P型ウエル52中に配置され入射光に応じて光電変換された電荷を蓄積するN型の電荷蓄積層15aを有する。P型ウエル52に固定電位を供給するためのP型拡散領域38が、前記所定領域においてP型ウエル52中に配置される。N型領域60が、P型拡散領域38の下方においてN型層51に到達するように、P型ウエル52中に配置される。P型拡散領域38で発生した電荷がN型領域60に吸い込まれる。
【選択図】図4
Description
本発明は、固体撮像素子及びその製造方法に関するものである。
CMOS型等の増幅型やCCD型などの固体撮像素子の出力信号をディスプレイ上に映したとき、画像中に白点、白線、黒点、黒線あるいは明るさのムラなどが観測されることがある。これらは画像欠陥あるいは画像傷と呼ばれ、代表的なものとして暗時に目立つ白傷(暗電流ムラ)がある。暗電流ムラは、特に低照度時や高温環境下において、画像全体がすりガラスを通したようにザラつく現象である。暗電流ムラの発生原因は多岐にわたるが、プロセス条件(ドライエッチ工程における基板表面のダメージ)、構造上のストレス応力(LOCOS周辺部、AL配線周辺など)、各種汚染などに起因する。暗電流ムラは小さなものでも非常に目立つため、暗電流ムラの発生を最小にするための様々な努力がなされている。
例えば、暗電流ムラの原因の一つであるフォトダイオードにおける電荷の表面再結合を抑制するため、フォトダイオードの表面に電荷蓄積層と逆導電型を有する層(ピニング層あるいは空乏化防止層などと呼ばれる。)が形成されている(例えば、下記特許文献1)。
特開2007−234927号公報
本発明は、フォトダイオードにおける電荷の表面再結合とは別の原因による暗電流を低減することができ、得られた画像の画質を向上させることができる固体撮像素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段として、以下の各態様を提示する。第1の態様による固体撮像素子は、(i)第1導電型の第1半導体層と、(ii)前記第1半導体層の上に配置された第2導電型の第2半導体層と、(iii)所定領域に渡って配置され、各々が、前記第2半導体層中に配置され入射光に応じて光電変換された電荷を蓄積する第1導電型の電荷蓄積部を有する複数の画素と、(iv)前記所定領域において前記第2半導体層中に配置され、前記第2半導体層に固定電位を供給するための第2導電型拡散領域と、(v)前記第2導電型拡散領域の少なくとも一部の下方において前記第1半導体層に到達するように前記第2半導体層中に配置された第1導電型領域と、を備えたものである。
第2の態様による固体撮像素子は、前記第1の態様において、前記電荷蓄積部と前記第2導電型拡散領域とが、上方から見た平面視で、素子分離用選択酸化膜を介して隣り合うものである。
第3の態様による固体撮像素子は、前記第1又は第2の態様において、前記第1半導体層が基板層であり、前記第2半導体層がウエルであるものである。
第4の態様による固体撮像素子の製造方法は、前記第1乃至第3のいずれかの態様による固体撮像素子を製造する製造方法であって、第1導電型の半導体基板の一部に第2導電型不純物を注入して前記第2の半導体層を形成する段階を備え、前記段階は、前記半導体基板における前記第2導電型不純物を注入しない領域として前記第1導電型領域を形成する段階を含むものである。
本発明によれば、フォトダイオードにおける電荷の表面再結合とは別の原因による暗電流を低減することができ、得られた画像の画質を向上させることができる固体撮像素子及びその製造方法を提供することができる。
以下、本発明による固体撮像素子及びその製造方法について、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の一実施の形態による固体撮像素子1を示す概略構成図である。この固体撮像素子1は、CMOS型固体撮像素子として構成されている。
図1に示すように、この固体撮像素子1は、一般的なCMOS型固体撮像素子と同様に、垂直走査回路2と、水平走査回路3と、2次元状に配置された複数の画素4と、周知のCDS回路等を含む読み出し回路5と、出力アンプ6とを有している。各画素4のフォトダイオード15(図1では図示せず。図2参照)が出力する電気信号が垂直走査回路2によって読み出し回路5に行単位で取り出され、水平走査回路3によって列単位で出力アンプ6を介して出力端子7に画像信号として出力されるようになっている。このように、垂直走査回路2及び水平走査回路3は、画素4を駆動する回路を構成している。画素4が2次元状に配置された領域が画素領域10である。複数の画素4は、画素領域10に渡って配置されている。この固体撮像素子1では、垂直走査回路2、水平走査回路3、読み出し回路5及び出力アンプ6が周辺回路を構成している。周辺回路が配置された領域が周辺回路領域である。周辺回路領域は、画素領域10の周辺に配置されている。
図2は、図1中の1つの画素4を示す回路図である。各画素4は、図2に示すように、選択トランジスタ11と、ゲート電極の電位に応じた信号を出力する増幅トランジスタ(画素アンプ)12と、リセットトランジスタ13と、転送トランジスタ14と、光電変換部としてのフォトダイオード15と、フローティングディフュージョン16とを有している。図2において、VDDは電源電圧である。また、図2において接地電位と示している固定電位VSSは、配線24(図3参照)を介してP型ウエル52(図4参照)に供給される電位である。
図1及び図2に示すように、画素4の選択トランジスタ11のゲート電極は行毎に選択線20に共通に接続されている。画素4のリセットトランジスタ13のゲート電極は、行毎にリセット線21に共通に接続されている。画素4の転送トランジスタ14のゲート電極は、行毎に転送線22に共通に接続されている。画素4の選択トランジスタ11のソースは、列毎に垂直信号線23に共通に接続されている。選択線20、リセット線21及び転送線22は、垂直走査回路2に接続されている。垂直信号線23は、読み出し回路5に接続されている。
図3は、図1中の1つの画素4を模式的に示す概略平面図である。図4は、図3中のA−A’線に沿った概略断面図である。図3及び図4では、一部の配線等は省略して示している。また、実際には、フォトダイオード15の上部にはカラーフィルタやマイクロレンズが配置されるが、ここでは省略する。
図3において、符号16a,16b,31〜33は、N型のシリコン基板51上に形成されたP型ウエル52(図4参照)中に配置されたN型不純物拡散領域である。本実施の形態では、N型のシリコン基板51が第1導電型の第1半導体層に相当し、P型ウエル52が第2導電型の第2半導体層に相当している。なお、拡散領域33は、図示しない配線により電源電圧VDDが印加される電源拡散部である。拡散領域16a,16bは、配線41によって接続され、全体としてフローティングディフュージョン16を構成している。符号34〜37は、ポリシリコン層で構成された前記各トランジスタのゲート電極である。フォトダイオード15は、P型ウエル52にN型層(電荷蓄積層)15a(図4参照)が形成されることで構成されている。このフォトダイオード15は、空乏化防止層(ピニング層)をなす高濃度のP型層15b(図5参照)を基板表面側に付加した構造として、埋め込みフォトダイオードとして構成されている。P型層15bによって、暗電流ムラの原因の一つであるフォトダイオード15における電荷の表面再結合が抑制される。しかし、本発明では、フォトダイオード15は、空乏化防止層15bの無いフォトダイオードにしても良い。各フォトダイオード15は、図4に示すように、LOCOSによる厚い素子分離用選択酸化膜53及びその下に配置されたP型の分離拡散領域54によって分離されている。なお、素子分離用選択酸化膜53は、画素領域10において、フォトダイオード15、N型不純物拡散領域16a,16b,31〜33及び後述するP型不純物拡散領域38を除く領域のほぼ全体に形成されている。
フォトダイオード15は、入射する光を光電変換し、生じた電荷を電荷蓄積層15aに蓄積する。フォトダイオード15の電荷蓄積層15aに蓄積された電荷は、転送トランジスタ14がオン状態とされることによってフローティングディフュージョン16(拡散領域16a,16b)に転送される。
転送トランジスタ14は、フォトダイオード15の電荷蓄積層15aをソース、フローティングディフュージョン16の拡散領域16aをドレインとするMOSトランジスタである。転送トランジスタ14は、そのゲート電極34に印加される駆動信号により駆動される。
フローティングディフュージョン16(拡散領域16a,16b)は、配線41によって、増幅トランジスタ12のゲート電極36に電気的に接続されている。
増幅トランジスタ12は、電源拡散部33をドレイン、拡散領域32をソースとするMOSトランジスタである。前述したように、増幅トランジスタ12の電極36は、フローティングディフュージョン16(拡散領域16a,16b)に接続されている。そして、増幅トランジスタ12は、そのゲート電極36の電圧に応じた電気信号を出力する。したがって、増幅トランジスタ12は、フォトダイオード15で生成・蓄積された電荷の量に応じた電気信号を出力する。
選択トランジスタ11は、拡散領域32をドレイン、拡散領域31をソースとするMOSトランジスタである。選択トランジスタ11は、オン状態にされることで、増幅トランジスタ12の出力を垂直信号線23に出力する。すなわち、増幅トランジスタ12と選択トランジスタ11によって、ソースフォロワによる読み出しが可能となっている。
リセットトランジスタ13は、電源拡散部33をドレイン、フローティングディフュージョン16の拡散領域16bをソースとするMOSトランジスタである。リセットトランジスタ13は、オン状態にされることで、フローティングディフュージョン16に蓄積されている電荷をリセットする。
画素領域10において、P型ウエル52中には、P型ウエル52に固定電位VSSを供給するための第2導電型拡散領域としての高濃度のP型拡散領域38が配置されている。このP型拡散領域38は、配線24と接続されたコンタクト用金属39(図4参照)とオーミック接合するコンタクト拡散領域となっており、固定電位VSSが印加される部位をなす配線24と接続されている。本実施の形態では、P型拡散領域38は、各フォトダイオード15の図3中の右側に配置されている。P型拡散領域38とフォトダイオード15とは、上方から見た(図3中の紙面手前側から見た)平面視で、素子分離用選択酸化膜53(図3では省略、図4参照)を挟んで隣り合っている。
そして、本実施の形態では、P型ウエル52中には、第1導電型領域としてのN型領域60が、P型拡散領域38の一部(図示の例では、中央部)の下方においてN型層51(N型のシリコン基板51の層)に到達するように配置されている。なお、N型領域60は、P型拡散領域38の全部の下方に配置してもよい。
なお、図4において、55,56は層間絶縁膜であり、配線23,24等は、層間絶縁膜55,56間に配置されている。図面には示していないが、層間絶縁膜56上には、2層目以降の配線層、必要な層間絶縁膜、カラーフィルタやマイクロレンズ等が設けられている。
次に、本実施の形態による固体撮像素子1の製造方法の一例について、図5乃至図8を参照してその主要な工程を説明する。図5乃至図8は、この製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図であり、図4に対応している。なお、基板51には前述した周辺回路も形成されるが、周辺回路の形成は従来の固体撮像素子の場合と同様であるので、その説明は省略する。また、以下の説明では、図4に現れる要素に着目することとし、前述したトランジスタの拡散領域やゲート電極の形成等の説明も省略する。
まず、N型のシリコン基板51を用意し、基板51の表面に犠牲酸化膜(シリコン酸化膜)71を形成する。この犠牲酸化膜71は、続いて行われるイオン注入工程によって、基板51に欠陥が発生するのを防ぐ目的で形成される。
次に、図5(a)に示すように、ホウ素イオンを所定条件で基板51の画素領域10及びその他の必要な領域に注入し、比較的浅い位置にP型ウエル52を形成する。
次いで、図5(b)に示すように、N型領域60に対応する領域にレジストマスク72を形成した後、ホウ素イオンを所定条件で基板51に注入する。このイオン注入によって、画素領域10におけるN型領域60以外の領域、及びその他の必要な領域において、P型ウエル52が深くなるように形成される。レジストマスク72を形成した領域では、P型ウエル52は浅いままである。これにより、N型領域60が、基板51におけるホウ素イオンが注入されない領域として形成される。もっとも、N型のシリコン基板51の領域の全体(N型領域60に相当する領域を含む。)に深いP型ウエル52を形成した後、そのP型ウエル52におけるN型領域60に相当する領域のみにリンイオン等を注入することで、N型領域60を形成することも可能である。
引き続いて、レジストマスク72を除去する。次に、犠牲酸化膜71上に、分離拡散領域54に相当する領域に開口73aを有するレジストマスク73を、形成する。次いで、開口73aに相当する箇所の犠牲酸化膜71をエッチングにより除去する。この状態で、図6(a)に示すように、ホウ素イオンを注入し、分離拡散領域54を形成する。
その後、レジストマスク73を除去した後、図6(b)に示すように、周知のLOCOS工程により素子分離用選択酸化膜53を形成する。
次に、フォトダイオード15に相当する領域に開口74aを有するレジストマスク74を形成した後、図7(a)に示すように、リンイオンを注入し、電荷蓄積層15aを形成する。このとき、リンイオンは、必要に応じて、基板に対して斜めに打ち込んでもよい。引き続いて、図7(b)に示すように、ホウ素イオンを注入し、空乏化防止層15bを形成する。
次に、レジストマスク74を除去した後、コンタクト拡散領域をなすP型拡散領域38に相当する領域に開口75aを有するレジストマスク75を、形成する。この状態で、図8(a)に示すように、ホウ素イオンを注入し、P型拡散領域38を形成する。
次いで、レジストマスク75を除去した後、層間絶縁膜55を形成し、フォトリソエッチング法により層間絶縁膜55におけるP型拡散領域38の箇所にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールにタングステンを埋め込んで、コンタクト用金属39を形成する(図8(b))。
その後、配線23,24を形成し、更に層間絶縁膜56を形成する(図4参照)。引き続いて、一般的なCMOS型固体撮像素子と同様に、2層目以降の配線層の形成、必要な層間絶縁膜の形成、カラーフィルタやマイクロレンズ等の形成などの、各工程を順次経ることによって、本実施の形態による固体撮像素子1が完成する。
ここで、本実施の形態による固体撮像素子1と比較される比較例による固体撮像素子100について、図9を参照して説明する。図9は、この比較例による固体撮像素子100の一部を模式的に示す概略断面図であり、図4に対応している。図9において、図4中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
この比較例による固体撮像素子100が本実施の形態による固体撮像素子1と異なる所は、コンタクト拡散領域をなす高濃度のP型拡散領域38の下方には、N型領域60が形成されておらず、N型領域60に相当する領域もP型ウエル52となっている点のみである。
本実施の形態においてもこの比較例においても、高濃度のP型拡散領域38は結晶欠陥を誘発するため、暗電流成分となり得る電荷を発生させる。この比較例によれば、図9に示すように、N型領域60が形成されていない。このため、P型拡散領域38で発生した電荷は、図9中の矢印Xで示すように、電荷蓄積層15aに到達してしまい、暗電流を発生させる。
これに対し、本実施の形態によれば、高濃度のP型拡散領域38の下方には、N型層51(N型のシリコン基板51の層)に到達するようにN型領域60が形成されている。したがって、本実施の形態では、P型拡散領域38で発生した電荷は、図4中の矢印Yで示すように、N型領域60に吸い込まれる。その結果、本実施の形態によれば、電荷蓄積層15aに流れる暗電流を低減することができ、得られた画像の画質を向上させることができる。
また、前記比較例では、P型拡散領域38で発生した電荷はフローティングディフュージョン16の拡散領域16aにも到達する。これに対し、本実施の形態では、P型拡散領域38で発生した電荷はN型領域60に吸い込まれるので、拡散領域16aに流れる暗電流も低減することができる。本実施の形態によれば、この点からも、得られた画像の画質を向上させることができる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されるものではない。例えば、前述した各導電型は逆導電型としてもよいことは、言うまでもない。また、P型ウエル52に代えて、P型エピタキシャル層を用いることも可能である。
1 固体撮像素子
4 画素
15a 電荷蓄積層
38 P型拡散領域(コンタクト拡散領域)
51 N型のシリコン基板
52 P型ウエル
53 素子分離用選択酸化膜
60 N型領域
4 画素
15a 電荷蓄積層
38 P型拡散領域(コンタクト拡散領域)
51 N型のシリコン基板
52 P型ウエル
53 素子分離用選択酸化膜
60 N型領域
Claims (4)
- 第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の上に配置された第2導電型の第2半導体層と、
所定領域に渡って配置され、各々が、前記第2半導体層中に配置され入射光に応じて光電変換された電荷を蓄積する第1導電型の電荷蓄積部を有する複数の画素と、
前記所定領域において前記第2半導体層中に配置され、前記第2半導体層に固定電位を供給するための第2導電型拡散領域と、
前記第2導電型拡散領域の少なくとも一部の下方において前記第1半導体層に到達するように前記第2半導体層中に配置された第1導電型領域と、
を備えたことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記電荷蓄積部と前記第2導電型拡散領域とが、上方から見た平面視で、素子分離用選択酸化膜を介して隣り合うことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記第1半導体層が基板層であり、前記第2半導体層がウエルであることを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像素子。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像素子を製造する製造方法であって、
第1導電型の半導体基板の一部に第2導電型不純物を注入して前記第2の半導体層を形成する段階を備え、
前記段階は、前記半導体基板における前記第2導電型不純物を注入しない領域として前記第1導電型領域を形成する段階を含む、
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008311667A JP2010135653A (ja) | 2008-12-07 | 2008-12-07 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
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JP (1) | JP2010135653A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015153912A (ja) * | 2014-02-14 | 2015-08-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
-
2008
- 2008-12-07 JP JP2008311667A patent/JP2010135653A/ja active Pending
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