JP2009016690A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フォトダイオード33と、フォトダイオードと間を隔てて形成された浮遊拡散層34と、フォトダイオードと浮遊拡散層とが並ぶ第1の方向と交差する第2の方向における両端部のそれぞれが素子分離領域との境界よりも内側に位置するように形成されたトランスファゲート35と、トランスファゲートの第2の方向における両端部それぞれの下部近傍における素子領域の表面に、素子分離領域との境界まで延在するように形成されたチャネルストッパ層37とを具備する。
【選択図】 図2
Description
Claims (5)
- 半導体基板に形成され、素子分離領域によって分離された素子領域と、
前記素子領域の表面に形成されたフォトダイオードと、
前記素子領域の表面に前記フォトダイオードと間を隔てて形成された浮遊拡散層と、
前記フォトダイオードと前記浮遊拡散層との間の前記素子領域上に形成され、前記フォトダイオードと前記浮遊拡散層とが並ぶ第1の方向と交差する第2の方向における両端部のそれぞれが前記素子分離領域との境界よりも内側に位置するトランスファゲートと、
前記トランスファゲートの前記第2の方向における両端部それぞれの下部近傍における前記素子領域の表面に、前記素子分離領域との境界まで延在するように形成された拡散層からなるチャネルストッパ層
を具備したことを特徴とする固体撮像装置。 - 半導体基板上に光電変換部及び信号走査回路部を含む単位画素を二次元状に複数配置してなる撮像領域を備えた固体撮像装置であって、
前記単位画素は素子分離領域によって平面的に囲まれた素子領域に形成されており、かつ前記単位画素は前記光電変換部を構成するフォトダイオードと、フォトダイオードに隣接して設けられたトランスファゲートと、トランスファゲートに隣接して設けられた浮遊拡散層を含み、
前記トランスファゲートは、前記フォトダイオードと前記浮遊拡散層とが並ぶ第1の方向と交差する第2の方向における両端部のそれぞれが前記素子分離領域との境界よりも内側に位置するように形成され、
前記トランスファゲートの前記第2の方向における両端部それぞれの下部近傍における前記素子領域の表面に、前記素子分離領域との境界まで延在するように拡散層からなるチャネルストッパ層が形成されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記素子分離領域の外周に沿うように形成された拡散層からなる暗電流防止層をさらに具備したことを特徴とする請求項1または2記載の固体撮像装置。
- 前記チャネルストッパ層と前記暗電流防止層は同一導電型の不純物を含み、前記チャネルストッパ層の不純物濃度が前記暗電流防止層の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項3記載の固体撮像装置。
- 前記チャネルストッパ層が前記複数の単位画素の前記フォトダイオード相互間にも形成されており、複数の単位画素の前記フォトダイオードが前記チャネルストッパ層によって互いに分離されていることを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
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