KR20000035699A

KR20000035699A - 전자부품 시험장치

Info

Publication number: KR20000035699A
Application number: KR1019990052759A
Authority: KR
Inventors: 사이토노보루; 다카하시히로유키; 이가라시노리유키; 후쿠모토게이이치; 나카무라히로토; 와타나베유타카; 시마다게니치
Original assignee: 가부시키가이샤 어드밴티스트
Priority date: 1998-11-25
Filing date: 1999-11-25
Publication date: 2000-06-26
Also published as: SG98373A1; US20020109518A1; TW496961B; US20050225346A1; US6919734B2; US7362117B2; US20040070416A1; KR100427094B1; US20060255822A1

Abstract

본 발명의 전자부품 시험장치는 시험해야 할 전자부품이 착탈 자유롭게 접속된 접속단자와, 상기 접속단자에 전자부품을 접속하도록 이 전자부품을 상기 접속단자방향으로 밀착시키는 가압기구와, 상기 전자부품을 냉각하는 냉각장치를 구비한다. 냉각장치로서는 예를 들면, 전기의 통전에 의해 냉각을 행하는 소자가 이용된다. 또, 냉각장치의 개념에는, 전자부품의 주위에 냉각매체를 내뿜는 냉각매체 토출수단 및 냉각매체의 내뿜음에 의해 냉각효율을 높이기 위한 열교환용 요철 등이 포함된다. 본 발명의 전자부품 시험장치에서는 시험시에서 전자부품이 자기발열했다 하더라도 가압기구 접속단자 또는 소켓을 통해 전자부품을 냉각하므로, 전자부품의 자기발열에 의한 영향을 제거하여 전자부품을 스펙(speck) 대로 소정의 온도로 시험할 수 있다.

Description

전자부품 시험장치{Device testing apparatus}

본 발명은 IC 칩 등의 전자부품을 소정의 온도에서 시험하는 전자부품 시험장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 시험시에 전자부품이 자기발열해도 전자부품의 온도를 정확하게 제어하여 원하는 시험온도에서 전자부품을 시험할 수 있는 전자부품 시험장치에 관한 것이다.

반도체장치 등의 제조과정에서는 최종적으로 제조된 IC 칩 등의 시험을 시험하는 시험장치가 필요하게 된다. 이러한 시험장치의 일종으로서, 고온, 상온 또는 상온보다도 낮은 온도 조건에서 IC 칩을 시험하기 위한 장치가 알려져 있다. IC 칩의 특성으로서 고온, 상온 또는 저온에서도 양호하게 작동하는 것을 보증하기 위함이다.

이러한 시험장치에서는 테스트 헤드 상부를 챔버로 둘러싸고, 그 내부를 밀폐공간으로 한 후, IC 칩이 테스트 헤드상에 운송되고나서 IC 칩을 테스트 헤드로 가압하여 접속하여, 챔버 내부를 일정한 온도 범위내로 유지하면서 시험을 행한다. 이러한 시험에 의해 IC 칩은 양호하게 시험되어, 적어도 양품과 불량품으로 나눌 수 있다.

그러나, 최근에 IC 칩의 고속화 및 고집적화에 따라 작동시의 자기발열이 커지고, IC 칩의 시험에서도 자기발열하여 가령 챔버의 내부를 일정 온도로 유지했다고 해도 본래의 시험온도에서 IC 칩을 시험하는 것이 곤란해지고 있다. 예를 들면, IC 칩의 종류에 따라서는 30W의 자기발열을 발생시키는 것이 있다. 이렇게 자기발열이 큰 IC 칩을 시험하는 경우에는 아무리 챔버 내를 일정 온도로 해도, 규정의 시험온도범위 내에서 IC 칩을 시험하는 것이 곤란해져 가고 있다. 규정된 시험온도에서 IC 칩을 시험할 수 없는 경우에는 시험의 신뢰성이 저하되어 버리는 과제를 가진다.

따라서, 최근에는 IC 칩을 흡착유지하여 테스트 헤드의 소켓에 가압 유지하기 위한 흡착헤드에 온도센서를 부착하고, 시험시에 각 IC 칩의 온도를 계측하고, IC 칩이 자기발열에 의해 설정온도 이상으로 상승한 경우에 냉각풍을 내뿜는 구조의 시험장치가 개발되고 있다.

그러나, 시험장치의 종류에 따라서는 무한궤도로 회전하는 로터리 아암(rotary arm)에 흡착헤드가 장착되어 있는 것이 있고, 이렇게 흡착 헤드가 이동하는 시험장치에서는 흡착헤드에 온도센서를 부착시키면, 고온 센서로부터의 전기배선이 복잡하게 되는 과제를 가진다. 온도센서로부터의 전기배선을 통상의 전기배선으로 구성하면, 로터리 아암의 회전과 동시에 전기배선이 얽히기 때문에, 전기배선 도중에 로터리 조인트(rotary joint) 등의 특수한 접속기를 사용할 필요가 있다. 이 때문에, 시험장치가 고온으로 됨과 동시에 전기배선의 회전접속부에서의 회전마모가 문제가 되어 내구성이 저하한다.

또, 최악의 경우에는 고온센서의 케이블이 이동체인 흡착헤드의 이동에 의해 단선할 우려가 있다. 또, 흡착헤드의 흡착통로를 이용하여 여기에서부터 IC 칩으로 냉풍을 내뿜는 구성에서는 충분한 양의 냉풍을 IC 칩에 내뿜을 수 없어, 자기발열량이 큰 경우에 대처할 수 없는 문제도 있다.

본 발명의 목적은, 시험시에 전자부품이 자기발열했다 해도 전자부품의 온도를 정확하게 제어하여 원하는 시험온도에서 전자부품을 시험할 수 있는 전자부품 시험장치를 제공하는 것이다. 또다른 본 발명의 목적은 다수의 전자부품에 대해서도 단시간 또는 균일하게 온도인가를 행할 수 있는 전자부품 시험장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 관점에 관한 전자부품 시험장치는, 시험해야 할 전자부품이 착탈 자유롭게 접속된 접속단자와, 상기 접속단자에 전자부품을 접속함과 동시에, 이 전자부품을 상기 접속단자 방향으로 밀착시키는 가압기구와, 상기 가압기구에 장착되어 상기 전자부품을 냉각하는 냉각장치를 가진다.

본 발명의 제2 관점에 관한 전자부품 시험장치는, 시험해야 할 전자부품이 착탈 자유롭게 접속된 접속단자와 상기 접속단자를 직접 또는 간접적으로 냉각하는 냉각장치를 가진다.

본 발명의 제3 관점에 관한 전자부품 시험장치는, 시험해야 할 전자부품이 착탈이 자유롭게 접속된 접속단자를 가지는 소켓과 상기 소켓을 직접 또는 간접적으로 냉각하는 냉각장치를 가진다.

바람직하게는, 상기 냉각장치는 전기의 통전에 의해 냉각을 행하는 소자를 포함한다.

또 바람직하게는, 상기 냉각장치는 상기 전자부품의 주위에 냉각매체를 내뿜는 냉각매체 토출수단을 포함한다.

더 바람직하게는, 상기 냉각장치는 냉각매체의 내뿜음에 의해 냉각효울을 높이기 위한 열교환용 요철을 포함한다. 상기 열교환용 요철로는, 특별히 한정되지 않지만 흡방열체인 것이 바람직하다. 흡방열체로서는 예를 들면 방열 핀 등이 예시된다.

본 발명의 제1 내지 제3의 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는, 시험시에서 전자부품이 자기발열했다고 해도, 가압기구, 접속단자 또는 소켓을 통해 전자부품을 냉각하고 있으므로, 전자부품의 자기발열에 의한 영향을 제거하여 전자부품을 스펙대로 소정 온도에서 시험할 수 있다.

또, 전자부품의 상온시험을 행하는 경우에는 시험용 챔버를 사용하지 않게 할 수 있다. 단, 전자부품의 저온시험을 행하는 경우에는 전자부품만을 저온상태로 유지하면 결로가 문제가 되므로, 시험용 챔버에 의해 전자부품이 착탈 자유롭게 접속된 상기 접속단자의 주위를 둘러싸서, 챔버 내부의 주위분위기 온도를 일정한 저온상태로 유지하는 것이 바람직하다. 또, 전자부품의 고온시험을 행하는 경우에서도, 전자부품의 온도가 소정의 온도 이상으로 지나치게 상승하지 않도록 제어하는 관점에서 본 발명은 유효하다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제4 관점에 관한 전자부품 시험장치는 시험해야 할 전자부품이 착탈이 자유롭게 접속된 접속단자를 가지는 소켓과, 상기 접속단자에 전자부품을 접속하도록, 이 전자부품의 제 1면에 접촉하여 상기 전자부품을 상기 접속단자방향으로 밀착시키는 가압기구와, 상기 소켓측에 배치되어, 상기 제 1면과 반대측의 전자부품의 제 2면의 온도를 계측하는 온도센서와, 상기 전자부품의 주위에 냉각매체를 내뿜는 냉각매체 토출수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

상기 온도센서로는 특별히 한정되지 않고, 온도측정할 부분에 접촉하여 온도를 검출하는 전열쌍, 서미스터(themister) 등과 같은 접촉식 온도센서 또는 비접촉식으로 온도검출이 가능한 적외선 등을 이용한 방사온도계 등의 비접촉식 온도센서의 어느 것이어도 좋다.

본 발명에 관한 제5 관점에 관한 전자부품 시험장치는, 시험해야 할 전자부품이 착탈이 자유롭게 접속된 접속단자를 가지는 소켓과, 상기 접속단자에 전자부품을 접속하도록 이 전자부품의 제 1면에 접촉하여 상기 전자부품을 상기 접속단자 방향으로 밀착시키는 가압기구와, 상기 소켓측으로 배치되어 상기 제 1면과 반대측의 전자부품의 제 2면에 냉각매체를 내뿜는 냉각매체 토출수단을 가진다.

본 발명에 관한 제6 관점에 관한 전자부품 시험장치는, 시험해야 할 전자부품이 착탈이 자유롭게 접속된 접속단자를 가지는 소켓과, 상기 접속단자에 전자부품을 접속하도록 이 전자부품을 상기 접속단자 방향으로 밀착시키는 가압기구와, 상기 가압기구의 외주에 배치되어 상기 가압기구의 측면에 냉각매체를 내뿜는 냉각매체 토출수단을 가지는 것을 특징으로 한다.

이 경우에 있어서, 상기 가압기구의 외주면에는 열교환효율을 높이기 위한 요철이 형성되어 있는 것이 바람직하다.

본 발명의 제7 관점에 관한 전자부품 시험장치는, 시험해야 할 전자부품이 착탈이 자유롭게 접속된 접속단자를 가지는 소켓과, 상기 접속단자에 전자부품을 접속하도록 이 전자부품의 제 1면에 접촉하여, 상기 전자부품을 상기 접속단자방향으로 밀착시키는 가압기구와,

상기 가압기구측으로 배치되어, 상기 전자부품의 제 1면의 온도를 계측하는 비접촉식 온도센서와, 상기 전자부품의 주위에 냉각매체를 내뿜는 냉각매체 토출수단을 가진다.

본 발명의 제8 관점에 관한 전자부품 시험장치는, 시험해야 할 전자부품이 착탈이 자유롭게 접속된 접속단자를 가지는 소켓과, 상기 접속단자에 전자부품을 접속하도록 이 전자부품을 상기 접속단자방향으로 밀착시키는 가압기구와, 상기 가압기구측으로 배치되어, 상기 가압기구의 온도를 계측하는 비접촉식 온도센서와, 상기 전자부품의 주위에 냉각매체를 내뿜는 냉각매체 토출수단을 가지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제4 내지 제8 관점에 관한 전자부품 시험장치에서, 상기 가압기구로는, 특별히 한정되지 않지만 흡착 헤드의 하부에 장착된 흡착 노즐을 가지고, 상기 흡착 헤드가 로터리 아암에 장착되어 있고, 상기 로터리 아암이 회전축의 주변에 회전 자유롭게 장착되어 있는 것일 때 본 발명의 효과가 크다.

본 발명에 관한 제4 내지 제8 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는, 시험시에서 전자부품이 자기발열했다고 해도 그 전자부품의 온도상승을 온도센서가 검지하고, 전자부품이 필요이상으로 온도상승한 경우에, 전자부품에 직접 냉각매체를 내뿜거나 또는 가압기구에 냉각매체를 내뿜음으로써 전자부품을 냉각한다. 이 때문에, 전자부품의 자기발열에 의한 영향을 제거하여 전자부품을 스펙대로 소정의 온도에서 시험할 수 있다. 또, 냉각매체로는 소정 온도로 냉각된 건조공기인 것이 바람직하다. 건조공기가 바람직한 것은 특히 저온시험에서의 결로를 방지하기 때문이다.

또, 전자부품의 상온시험을 행하는 경우에는, 시험용 챔버를 사용하지 않을 수도 있다. 단, 전자부품의 저온시험을 행하는 경우에는 전자부품만을 저온상태로 유지하면 결로가 문제가 되는 경우가 있으므로, 시험용 챔버에 의해 전자부품이 착탈이 자유롭게 접속된 상기 접속단자의 주위를 둘러싸고, 챔버 내부의 주위분위기 온도를 일정한 저온상태로 유지하는 것이 바람직하다. 또, 전자부품의 고온시험을 행하는 경우에서도 전자부품의 온도가 소정의 온도 이상으로 지나치게 상승하지 않도록 제어하는 관점에서는 본 발명은 유효하다.

특히, 본 발명에 관한 제4 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는, 전자부품의 온도를 검출하는 온도센서가 상기 소켓측으로 배치되어 있다. 로터리 아암식의 흡착헤드를 가지는 전자부품 시험장치에서는 흡착헤드에 장착된 가압기구가 회전하지만, 소켓측은 회전가능한 가압기구측과는 달리 테스트 헤드의 상부에 고정되어 있다. 이 때문에, 본 발명의 제4 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는 온도센서로부터의 전기배선이 매우 용이하여, 온도센서로부터의 케이블의 단선 등의 사태를 피할 수 있다.

또, 로터리 아암식의 흡착 헤드를 가지는 전자부품 시험장치에서는, 회전축의 주위에 복수의 흡착헤드가 배치된 것이 일반적이고, 흡착헤드에 장착된 가압기구에 대해서 온도센서를 장착한 경우에는 가압기구의 수만큼 온도센서가 필요하게 된다. 이것에 대해서, 본 발명에 관한 전자부품 시험장치에서는, 전자부품이 장착된 소켓의 수에 대응하여 온도센서를 구비시키면 되므로 온도센서의 수를 줄일 수 있다.

본 발명의 제 5 전자부품 시험장치에서는 전자부품의 자기발열에 의한 온도상승을 제거하고, 스펙대로의 온도에서 전자부품의 시험을 행하기 위해 전자부품의 배면을 향해 소켓측으로부터 냉각매체를 내뿜는다. 종래에는, 냉각매체를 전자부품의 상면측(가압기구측)으로부터 전자부품의 주위를 향해 내뿜는 것이 일반적이었지만, 전자부품의 냉각이 충분하다고는 말할 수 없었다. 본 발명의 제5 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는 전자부품의 배면을 향해 직접적으로 냉각매체를 내뿜음으로써, 전자부품의 냉각효율이 향상하고, 전자부품의 자기발열에 의한 영향을 양호하게 제거하여 전자부품을 스펙대로 소정의 온도로 시험할 수 있다.

본 발명에 관한 제6 관점 관한 전자부품 시험장치에서는, 가압기구의 측면에 냉각매체를 내뿜는다. 전자부품의 시험에 이용하는 소켓의 주위에는 여러 종류의 부품이 배치되어, 전자부품을 향해 직접 냉각매체를 내뿜는 것이 곤란한 경우가 많다. 본 발명의 제6 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는 가압기구의 측면에 냉각매체를 내뿜음으로써, 간접적으로 전자부품을 냉각한다. 이 때, 가압기구의 외주에 열교환용 핀 등의 요철을 구비시킴으로써, 열교환 효율을 높여 효율적으로 가압기구를 냉각하여, 간접적으로 전자부품을 효율좋게 냉각할 수 있다. 본 발명의 제6 관점에 관한 전자부품 시험장치에서도, 전자부품의 자기발열에 의한 영향을 양호하게 제거하여, 전자부품을 스펙대로의 소정의 온도에서 시험할 수 있다.

본 발명의 제 7의 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는, 전자부품의 가압기구측 표면의 온도를 비접촉식 온도센서로 계측한다. 전자부품의 단자가 전자부품의 배면(제 2면) 전체에 배치되어 있는 경우, 그것에 대응하여 소켓에도 접속단자가 간격 없이 배치된다. 이러한 경우에는, 소켓측으로부터 전자부품의 온도를 계측하는 것은 곤란하다. 본 발명의 제7 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는 전자부품의 가압기구측 측면의 온도를 비접촉식 온도센서에서 계측한다.

비접촉식 온도센서라면, 가압기구에 대해 고정시킬 필요가 없고, 가압기구와 함께 회전시킬 필요도 없다. 따라서, 로터리 아암식의 흡착헤드를 구비한 전자부품 시험장치에서도 온도센서로부터의 전기배선이 복잡하게 되는 경우는 없다. 본 발명의 제7 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는, 이 비접촉식 온도센서를 이용하여 전자부품의 온도를 정확하게 계측하고, 그 계측결과에 따라 전자부품의 냉각매체를 내뿜어 전자부품을 냉각한다. 이 때문에, 전자부품의 자기발열에 의한 영향을 양호하게 제거하여, 전자부품을 스펙대로 소정의 온도에서 시험할 수 있다.

본 발명의 제8 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는 전자부품을 소켓 방향으로 밀착시키는 가압기구의 온도를 비접촉식 온도센서로 계측한다. 전자부품의 시험에 이용하는 소켓의 주위에는 여러종류의 부품이 배선되어, 전자부품의 가압측 표면(제 1면)으로부터 직접 온도를 계측하는 것이 곤란한 경우가 많다. 본 발명의 제8 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는 전자부품의 온도를 직접 계측하지 않고, 가압기구의 온도를 계측함으로써, 전자부품의 온도를 추정하여 전자부품의 자기발열에 의한 온도상승을 검출한다. 전자부품은 가압기구에 대해서 접촉하고 있으므로, 전자부품이 자기발열에 의해 온도상승하면, 가압기구도 온도가 상승한다. 단, 가압기구의 온도와 전자부품의 온도는 반드시 일치하지 않기 때문에, 검출된 가압기구의 온도로부터 전자부품의 온도를 추측하기 위해, 가압기구의 검출온도에 실험 등으로 구한 보정값을 고려하여 전자부품의 온도를 추측할 필요가 있다.

또, 본 발명의 제8 관점에 관한 전자부품 시험장치에서도 비접촉식 온도센서를 이용하고 있기 때문에, 이 온도센서를 가압기구에 대해 고정할 필요는 없고, 가압기구와 함께 회전시킬 필요도 없다. 따라서, 로터리 아암식의 흡착헤드를 구비한 전자부품 시험장치에서도, 온도센서로부터의 전기배선이 복잡하게 되는 경우는 없다. 또, 본 발명의 제8 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는, 이 비접촉식 온도센서를 이용하여 가압기구의 온도를 계측하고, 그 검출온도에서의 전자부품의 온도를 정확하게 예측하여 그 결과에 따라 전자부품에 냉각매체를 내뿜는 방식으로 전자부품을 냉각한다. 이 때문에, 전자부품의 자기발열에 의한 영향을 양호하게 제어할 수 있어, 전자부품을 스펙대로의 소정의 온도에서 시험할 수 있다.

상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 제9 관점에 관한 전자부품 시험장치는 전자부품을 유지 또는 가압하여 테스트 헤드의 콘택트부로 근접 및 원격 이동시키는 가압기구와,

상기 가압기구에 설치된 온도센서와, 상기 가압기구에 설치된 상기 온도센서의 제1 단자와, 상기 콘택트부측에 설치되어, 상기 가압기구의 이동에 따라 상기 온도센서의 제1 단자에 접촉 또는 비접촉하여 이루어진 제2 단자를 가진다.

본 발명의 제10 관점에 관한 전자부품 시험장치는, 전자부품을 유지 또는 가압하여 테스트 헤드의 콘택트부로 근접 및 원격 이동시키는 가압기구와, 상기 가압기구에 설치된 온도센서와, 상기 가압기구에 설치된 상기 온도센서의 제1 단자와, 상기 콘택트부측에 설치되어, 상기 가압기구의 이동에 따라 상기 온도센서의 제1 단자에 접촉 또는 비접촉하여 이루어진 제2 단자와, 상기 가압기구에 유지된 전자부품이 상기 콘택트부로 밀착된 상태에서, 상기 전자부품에 냉각풍을 내뿜는 에어블로우 유닛을 가진다.

바람직하게는, 상기 제1 단자 및 제2 단자의 적어도 한 쪽이, 상기 가압기구의 이동방향으로 이동가능하게 설치되어 있다.

바람직하게는, 상기 에어블로우 유닛은 상기 콘택트부의 주위에 배치되어 있다.

바람직하게는, 상기 에어블로우 유닛은 상기 콘택트부에 밀착되어진 전자부품에 대해 거의 수평으로 냉각풍이 토출하는 냉각풍 통로를 가진다.

본 발명의 제9 및 제10 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는, 적어도 온도센서에 의한 온도검출이 필요한 때는 제1 단자와 제2 단자가 접촉하고 있으므로, 그 이외의 때는 케이블 등으로 접속할 필요가 없어져, 온도센서의 케이블이 가압기구의 이동에 따라 단선할 우려가 없어진다.

특히, 본 발명의 제10 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는 콘택트부의 주위에 에러블로우 유닛을 설치하여, 전자부품에 대해서 거의 수평으로 냉각풍을 내뿜고 있으므로, 충분한 양의 냉각풍을 제공할 수 있고, 또 전자부품의 전체에 구석구석까지 내뿜어지므로 전자부품에 대한 냉각효과가 높아져, 전자부품의 자기발열에 의한 승온의 억제효과가 보다 현저하게 된다. 또, 승온억제효과가 높아지게 되므로, 소량의 유체를 내뿜거나 단시간동안 유체를 내뿜어서 냉각을 수행할 수 있다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명 제11 관점에 관한 전자부품 시험장치는, 트레이에 탑재한 상태에서 복수의 전자부품의 단자를 테스트 헤드의 콘택트부로 밀착시켜 테스트를 행하는 트레이와, 상기 트레이에 유지된 복수의 전자부품을 콘택트부 방향으로 가압하는 가압기구와, 상기 가압기구에 설치된 흡방열체를 가진다.

상기 흡방열체는 상기 가압기구 중 적어도 일부와 별개로 설치해도 되지만, 일체로 형성해도 좋다. 바람직하게는 상기 가압기구가, 상기 콘택트부에 대해 근접 또는 원격 이동가능하게 설치된 푸셔 베이스(pusher base)와, 상기 푸셔 베이스에 일체 또는 별개로 설치된 상기 콘택트부의 반대면으로부터 상기 전자부품에 접촉하여 이것을 가압하는 푸셔 블록을 가진다.

바람직하게는, 상기 푸셔 블록이 상기 푸셔 베이스와는 별개로 구성되어, 상기 푸셔 블록에 대해 상기 전자부품의 가압방향으로 탄성력을 부여하는 탄성체를 더 가진다.

바람직하게는, 상기 흡방열체는 상기 탄성체의 사이에 설치되어 있다. 더 바람직하게는 상기 흡방열체는 상기 탄성체의 양측에 설치되어 있다.

또, 바람직하게는 상기 흡방열체에 대해서, 상기 전자부품을 소정 온도로 하기 위한 챔버 내의 가스류가 내뿜어지도록 구성되어 있다. 더 바람직하게는, 상기 가압기구에는 상기 전자부품을 소정 온도로 하기 위한 챔버내의 가스류를 상기 흡방열체 방향으로 도입하기 위한 통로가 형성되어 있다.

또는, 상기 가압기구에는 상기 전자부품을 소정 온도로 하기 위해 챔버내의 가스류와는 별도의 온도제어용 가스를 상기 흡방열체 방향으로 도입하기 위한 노즐을 구비시켜도 된다.

본 발명의 제11 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는 전자부품에 접촉하는 푸셔 블록(가압부의 일부)에 흡방열체(냉각장치의 일종)가 설치되어 있으므로, 전자부품의 자기발열은 흡방열체에 의해 흡수됨과 동시에, 그곳으로부터 주변으로 흩어지게 된다. 그 결과, 특히 고온 테스트 등에서 문제가 되는 과열에 의한 전자부품의 파괴 또는 손상을 방지할 수 있다.

또, 고온 테스트에 한하지 않고 흡방열체의 흡방열효과에 의해 자기발열에 의한 승온이 제어되므로, 목표로 하는 정확한 온도에서 테스트를 행할 수 있게 되어, 테스트 결과의 신뢰성이 향상된다.

상기 흡방열체로서는 특별히 한정되지 않지만, 열전도성에 뛰어난 금속 등으로 구성되고, 방열 핀 등이 형성된 히트 싱크(heat sink)를 이용하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제11 관점에 관한 전자부품 시험장치에서, 전자부품을 콘택트부로 운송하는 형태는 전자부품을 트레이에 탑재한 상태에서 콘택트부로 밀착시키는 유형이고, 특히 이 유형에서는 다수의 전자부품을 동시에 측정하기 위해 다수의 전자부품을 동시에 가압한다. 이 때문에, 전자부품의 주위가 과밀상태가 되어 열이 자욱하게 되기 쉽다. 따라서, 본 발명의 제11 관점은, 전자부품을 트레이에 탑재한 상태에서, 콘택트부로 밀착시키는 유형의 전자부품 시험장치에 적용하는 것이 보다 바람직하다.

본 발명의 제11 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는, 전자부품의 단자를 테스트 헤드의 콘택트부로 밀착시킬 때, 푸셔 베이스를 콘택트부로 접근시켜 푸셔 블록에 의해 전자부품을 콘택트부측으로 가압한다.

이 때, 푸셔 베이스와 콘택트부와의 위치관계는 스토퍼 등의 기계적 기구 또는 전동 모터 등의 전기적 기구에 의해 기준 칫수가 규제된다. 이들 푸셔 베이스와 콘택트부와의 위치관계에 오차가 발생한 경우에는, 푸셔 블록이 탄성체에 의해 전자부품에 대해 탄성력을 부여하면서 그 오차를 흡수한다. 따라서, 전자부품에 과도한 가압력이 작용하거나, 반대로 가압력이 부족하거나 하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 본 발명의 제11 관점에 관한 전자부품 시험장치에서는 푸셔의 스트로크를 관리하는 것이 아니라, 푸셔 블록에 의한 하중을 관리함으로써 전자부품에 대한 가압력을 균일화한다.

상기 탄성체로는 특별히 한정되지 않지만, 코일 스프링 등의 각종 탄성체나 엑츄에이터(actuator) 등을 이용할 수 있다. 또, 상기 탄성체는 푸셔 베이스에 설치하는 한 편, 그외의 부위에도 설치할 수 있다.

푸셔 베이스와 콘택트부와의 위치관계에 발생하는 주요한 오차로는, 전자부품 자체의 두께(ΔX), 푸셔측의 스토퍼와 푸셔면과의 제조칫수(ΔY) 및 콘택트부측의 스토퍼와 콘택트 핀 선단과의 제조칫수(ΔZ)를 생각할 수 있다. 이들 ΔX∼ΔZ의 적산량은 통상 ±0.1∼±0.2㎜정도까지 상승한다. 그러나, 예를 들면 탄성체로서 코일 스프링을 이용한 경우에서 고찰하면 ±0.2㎜의 오차가 발생한 경우에서도 전자부품에 작용하는 가압력의 오차는 예를 들면, 기준하중 25gf/1ball에 대해서 ±3gf/1ball정도가 되어 과하중 또는 하중 부족이라는 문제는 전혀 없다.

상기 탄성체에서, 특별히 한정되지 않지만 그 탄성력이 가변으로 되어 있는 것이 보다 바람직하다.

이 탄성력의 가변이란, 푸셔 블록에 대해 부여된 전자부품의 가압방향의 탄성력을 가변가능하게 하는 것을 말하고, 구체적 수단은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 다른 탄성계수를 가지는 복수종의 탄성체를 교환함으로써 탄성력을 가변으로 하거나, 또는 같은 탄성체를 이용하여 그 탄성체의 기본 길이를 변경함으로써 탄성력을 가변으로 하는 것 등을 들 수 있다.

탄성체의 탄성력을 가변으로 함으로써, 전자부품의 테스트 조건에 따라 기준하중(가압력)이 변동해도 이것에 유연하게 대응할 수 있어, 전자부품 시험장치의 범용성이 높아진다.

본 발명에 관한 제11 관점에서는 상기 푸셔 베이스와 푸셔 블록과의 사이에 상기 탄성체와 흡방열체를 효율좋게 배치함으로써, 장치의 소형화를 도모할 수 있다.

또, 본 발명에 관한 제11 관점에서는, 복수의 전자부품에 대해 챔버 내의 가스류가 내뿜어지도록 구성함으로써, 상기 가스류가 각각의 전자부품에 대해 균등하게 공급되어, 전자부품의 자기발열 등에 의한 온도분포의 불균일을 효과적으로 억제할 수 있음과 동시에 온도승강시간을 단축할 수 있다.

또, 상기 푸셔 베이스 및/또는 푸셔 블록에 상기 가스류를 상기 흡방열체 방향으로 도입하기 위한 통로를 형성함으로써, 상기 가스류가 각각의 전자부품에 대해 균등하게 공급되어 전자부품의 자기발열 등에 의한 온도 분포의 불균일을 효과적으로 억제할 수 있음과 동시에 온도승강시간을 단축할 수 있다.

또, 상기 푸셔 베이스 및/또는 푸셔 블록에 상기 전자부품을 소정 온도로 하기 위한 챔버 내의 가스류와는 별도로, 온도제어용 가스를 상기 흡방열체 방향으로 도입하기 위한 노즐을 구비시킴으로써, 전자부품의 자기 발열 등에 의한 온도분포의 불균일을 효과적으로 억제할 수 있음과 동시에 온도승강시간을 단축시킬 수 있다.

본 발명의 제1 내지 제11 관점에 관한 전자부품 시험장치의 유형은, 특별히 한정되지 않지만, 전자부품을 파지(把持) 흡착 또는 단순히 가압하는 것 등에 적용할 수 있고, 몇 개의 전자부품을 유지하여 테스트하는 유형의 시험장치나 다수의 전자부품을 테스트 트레이에 탑재하여 테스트하는 유형의 시험장치 등에도 적용할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 관한 IC 칩 부품 시험장치의 개략 전체도,

도 2는 IC 칩 부품시험장치의 주요부 단면도,

도 3은 IC 칩 부품시험장치의 접속단자 근방을 도시한 주요부 단면도,

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 관한 IC 칩 부품시험장치의 접속단자 근방을 도시한 주요부 단면도,

도 5 내지 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 관한 IC 칩 부품시험장치의 주요부 단면도,

도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 IC 칩 부품시험장치의 개략 사시도,

도 14는 도 13에 도시한 전자부품시험장치에서 IC 칩의 처리방법을 도시한 개념도,

도 15는 도 13에 도시한 전자부품시험장치에 설치된 테스트 트레이의 분해사시도,

도 16은 도 13에 도시한 테스트 헤드에서 푸셔, 인서트(테스트 트레이), 소켓 가이드 및 콘택트 핀(콘택트부)의 구조를 도시한 분해사시도,

도 17은 도 16에 도시한 ⅩⅦ-ⅩⅦ선을 따른 주요부 단면도,

도 18은 도 16에 도시한 ⅩⅧ-ⅩⅧ선을 따른 주요부 단면도,

도 19는 매치 플레이트(match plate)의 일예를 도시한 분해사시도,

도 20은 테스트 챔버내의 구조를 도시한 단면도,

도 21은 본 발명의 다른 실시예를 도시한 분해사시도(도 16 상당도),

도 22는 도 21에 도시한 실시예의 매치 플레이트의 일예를 도시한 분해사시도,

도 23은 도 21에 도시한 실시예의 테스트 챔버내의 구조를 도시한 단면도,

도 24는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 분해사시도(도 16 상당도),

도 25는 도 24에 도시한 실시예의 테스트 헤드부에 있어서, XXV-XXV선을 따른 단면도,

도 26은 본 발명의 다른 실시예에 관한 전자부품 시험장치의 챔버 내부를 도시한 단면도,

도 27은 도 26에 도시한 매치 플레이트의 주요부 평면도,

도 28은 본 발명의 다른 실시예에 관한 전자부품 시험장치의 주요부 단면도이다.

〈 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 〉

2 … IC 칩 부품시험장치 34 … 반송장치

4 … 핸들러 36 … 소크 스테이지

6 … 챔버 38 … 턴 테이블

8 … 테스트 스테이지 42 … 오목부

10 … 테스트 헤드 50 … 회전부

20 … 소켓 헤드 70 … 온도제어장치

24 … 흡착 헤드 80 … 메인 베이스

30 … IC 격납부 100 … 배선 보드

(실시예)

이하, 본 발명을 도면에 도시한 실시예에 따라 상세하게 설명한다.

실시예 1

도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 관한 IC 칩 부품시험장치(2)는 시험해야 할 부품으로서의 IC 칩을 상온, 저온 또는 고온상태에서 시험하기 위한 장치이고, 핸들러(4)와 도시가 생략되어 있는 시험용 메인장치를 가진다. 핸들러(4)는 시험해야 할 IC 칩을 순차적으로 테스트 헤드에 설치한 IC 소켓으로 운송하고, 시험이 종료한 IC 칩을 테스트 결과에 따라 분류하여 소정의 트레이에 격납하는 동작을 실행한다.

본 실시예에서는, 핸들러(4)에는 챔버(6)가 구비되어 있고, 챔버(6) 내의 테스트 스테이지(8)에 테스트 헤드(10)의 상부가 노출되어 있다. 테스트 헤드(10)의 상부를 도 2에 도시한다. 테스트 헤드(10)의 상부에는 소켓(20)이 장착되어 있다. 소켓(20)에는 흡착헤드(24)에 의해 운송된 시험해야 할 IC 칩(22)이 착탈이 자유롭게 순차적으로 장착되도록 소켓(20)의 칩 착탈구가 챔버(6)의 내부를 향하고 있다.

테스트 헤드(10)에 설치한 IC소켓(20)은 케이블을 통해 시험용 메인장치(도시 생략)에 접속되어 있고, IC 소켓(20)에 착탈이 자유롭게 장착된 IC 칩(22)을 케이블을 통해 시험용 메인 장치에 접속하여, 시험용 메인 장치로부터의 시험용 신호에 따라 IC 칩(22)을 테스트한다. IC소켓(20)의 상세한 설명은 후술하기로 한다.

도 1에 도시한 바와 같이, 핸들러(4)는 이것으로부터 시험을 행할 IC 칩을 격납하고, 또 시험종료의 IC 칩을 분류하여 격납하는 IC 격납부(30)를 가진다. IC 격납부(30)에는 시험해야 할 IC 칩이 탑재되어 있는 로더용 트레이(32A)와, 시험종료의 IC 칩이 분류되어 탑재된 분류용 트레이(32B∼32E)와, 공 트레이(32F)와 옵션 트레이(32G)가 배치되어 있다. 이들 트레이(32A∼32G)는 X축 방향을 따라 소정 간격으로 배치되어 있고, Z축 방향(높이 방향)으로 적재되어 배치되어 있다.

로더용 트레이(32A)에 탑재된 IC 칩은 핸들러(4)에 장착되어 있는 제1 XY 반송장치(34)를 이용하여, 챔버(6) 내부의 소크 스테이지(soak stage)(36)상에 운송되도록 되어 있다. 또, 테스트 헤드(10)에서 테스트된 시험종료의 IC 칩은 최종적으로 제2 XY 반송장치(35)를 이용하여, IC 격납부(30)의 분류용 트레이(32B∼32E)에 분류되어 탑재된다. 분류용 트레이(32B∼32E) 중, 예를 들면 트레이(32C)는 양품용의 트레이이고, 그 외의 트레이는 불량품 또는 재시험을 위한 트레이이다.

공 트레이(32F)는 분류용 트레이(32B∼32E)가 시험종료의 IC 칩으로 가득차게 되면, 그 위에 반송되어 적재되어 분류용 트레이로서 이용된다. 옵션용 트레이(32G)는 그 외의 용도에 이용된다.

챔버(6)의 내부는 IC 칩의 전달부가 셔터 등에 의해 개폐가 자유롭게 구성되어 있는 것을 제외하고 밀폐구조이고, 예를 들면 실온에서 160℃정도의 고온 또는 실온에서 -60℃정도의 저온 상태로 유지가능하게 된다. 이 챔버(6)의 내부는, 소크 스테이지(36)와 테스트 스테이지(8)와 출구 스테이지(40)으로 나누어진다.

소크 스테이지(36)에는, 턴 테이블(38)이 배치되어 있다. 턴 테이블(38)의 표면에는 IC 칩이 일시적으로 수용된 오목부(42)가 원주방향을 따라 소정 피치로 배치되어 있다. 본 실시예에서는 턴 테이블(38)의 반경방향에는 2열의 오목부(42)가 형성되어 있고, 2열의 오목부(42)가 원주방향을 따라 소정 피치로 배치되어 있다. 턴 테이블(38)은 시계방향으로 회전한다. 제1 XY 반송장치(34)에 의해 탑재위치(44)에서 턴 테이블(38)의 오목부(42) 내에 탑재된 IC 칩은 턴 테이블(38)이 회전방향으로 인덱스 전송되는 사이에 시험할 온도조건까지 열 스트레스(저온 또는 고온)가 가해진다.

턴 테이블(38)의 회전중심을 기준으로 하여, 탑재위치(44)로부터 회전방향으로 약 240도의 위치에 있는 꺼내기 위치(46)에서는, 턴 테이블(38)상에 세 개의 콘택트 암(48) 내의 하나에 장착되어 있는 흡착 헤드가 위치하고, 그 위치에서 흡착 헤드에 의해 오목부(42)로부터 IC 칩을 꺼낼 수 있게 되어 있다. 세 개의 콘택트 암(48)은 회전축(50)에 대해 원주방향으로 대략 같은 간격의 각도로 장착되어 있고, 회전축(50)을 중심으로 시계방향의 회전방향으로 120도씩 인덱스 전송이 가능하게 되어 있다. 또, 인덱스 전송이란, 소정 각도회전후에 정지하고 그 후, 다시 소정 각도 회전하는 것을 반복하는 것이다. 콘택트 암(48)의 인덱스 전송에 즈음하여, 암(48)이 정지하고 있는 시간은 테스트 헤드(10)상의 소켓에 IC 칩이 장착되어 시험되고 있는 시간에, IC 칩을 소켓에 착탈하는 시간을 가한 시간에 상당한다. 이 인덱스 전송의 정지시간은, 턴 테이블(38)에서 인덱스 전송의 정지시간과 같고, 턴 테이블(38)과 콘택트 암(48)은 동기하여 인덱스 전송하도록 회전한다.

본 실시예에서는, 세 개의 콘택트 암(48) 내의 하나의 흡착 헤드가 소크 스테이지(36)의 꺼내기 위치(46)상에 위치하고, 다른 콘택트 암(48)의 흡착 헤드가 테스트 스테이지(8)의 콘택트 헤드(10)상에 위치하여 또 다른 콘택트 암(48)의 흡착 헤드가 출구 스테이지(40)의 입구(52)상에 위치한다.

턴 테이블(38)의 탑재 위치(44)에서 턴 테이블(38)의 오목부(42)에 탑재된 IC 칩은, 탑재위치(44)로부터 꺼내기 위치(46)까지 인덱스 전송되는 사이에, 소정의 열스트레스가 인가되어 꺼내기 위치(46)에서 콘택트 암(48)의 흡착헤드에 흡착된다. 흡착 헤드에 흡착된 IC 칩은 콘택트 암(48)이 시계방향으로 인덱스 전송됨으로써, 테스트 헤드(10)상에 배치된다. 그 위치에서, 도 2에 도시한 바와 같이 흡착헤드(24)에 의해 흡착유지된 IC 칩(22)은 소켓(20)에 장착되어 시험이 행해진다.

테스트 헤드(10) 상의 소켓(20)에 장착되어 시험이 종료된 IC 칩(22)은, 흡착헤드(24)에 다시 흡착되어 도 1에 도시한 콘택트 암(48)이 시계방향으로 인덱스 전송됨으로써, 출구 스테이지(40)의 입구(52)의 상부에 위치한다. 그 위치에서, 시험이 종료된 IC 칩은 화살표 A방향으로 출구 시프터에 의해 출구위치(54)로 슬라이드 이동된다. 출구 스테이지(40)의 출구위치에서는 출구 시프터상에 배치된 IC 칩은 시험시의 온도인 저온 또는 고온으로부터 상온까지 돌아간다. 저온시험의 경우에는, 이 출구 스테이지(40)에서 IC 칩을 상온까지 되돌림으로써, 챔버(6)로부터 꺼낸 직후의 IC 칩에 결로가 발생하는 것을 유효하게 방지할 수 있다.

출구 스테이지(40)의 출구위치(54)에서, 출구 시프터상에 배치된 IC 칩은 상온까지 되돌린 후, 도시가 생략되어 있는 출구 암에 의해 화살표 B방향으로 시프트 이동되어, 받는위치(56)에 배치되어 있는 출구 턴으로 이동된다. 출구 턴은, 화살표 C방향으로 회동하여 받는위치(56)와 배출위치(58)의 사이에서 왕복 이동가능하게 되어 있다. 출구 턴의 배출위치(58)에는, 제2XY 반송장치(35)의 흡착 헤드가 이동가능하게 구성되어 있고, 출구 턴에 의해 배출위치에 배치된 시험종료의 IC 칩을 반송장치(35)가 시험결과에 따라 분류용 트레이(32B∼32E)중 어느하나로 반송한다.

본 실시예에 관한 부품시험장치(2)에서는, 핸들러(4)의 챔버(6)내에서 소크 스테이지(36)의 천정부에 소크 스테이지용 열교환장치(60)가 배치되어 있음과 동시에, 테스트 스테이지(8)측 벽부에 테스트 스테이지용 열교환장치(62)가 배치되어 있다. 이들 열교환장치(60, 62)는 시험장치(2)가 저온시험이 가능한 것이면, 냉매로서 액체 질소 등을 이용한 냉각장치와 챔버내에 냉풍을 순환시킨 송풍장치를 구비한다. 시험장치가 고온시험이 가능한 경우에는, 이들 열교환장치(60, 62)는 가열장치와 송풍장치를 가진다. 시험장치가 저온시험 및 고온시험이 가능한 경우에는 이들 열교환장치(60, 62)는 냉각장치와 가열장치와 송풍장치를 가지고, 냉각장치와 가열장치를 변환하여 사용한다. 이들 열교환장치(60, 62)는 온도제어장치(70)에 의해 제어된다. 온도제어장치(70)에는 테스트 스테이지(8)에 배치된 온도센서(72)와, 소크 스테이지(36)에 배치된 온도센서(74)와 그 외의 센서로부터 출력신호가 입력되어 이들 센서로부터의 출력신호에 따라 열교환장치(60, 62)의 열교환량(출력)을 제어가능하게 되어 있다.

이하의 설명에서는, 시험장치(2)가 고온시험과 저온시험과의 쌍방이 가능한 시험장치이고, 그 장치를 이용하여 주로 저온시험을 행한 경우에 대해서 설명한다.

도 2에 도시한 바와 같이, 테스트 스테이지(8)에서는 단열재 등으로 구성된 챔버(6)의 바닥부 및 챔버(6)를 유지하는 메인 베이스(80)의 일부가 잘려져 있고, 거기에 테스트 헤드(10)상에 유지된 소켓(20)이 장착된다.

소켓(20)은 소켓 가이드(82)에 유지되어 있다. 소켓 가이드(82)는 베이스 링(88)에 장착된다. 베이스 링(88)은 고정 베이스(90)에 장착되어 있고, 챔버 개구부(92)를 구성하고 있다. 고정 베이스(90)는 챔버(6)와 같이 단열성을 가지고, 챔버(6) 및 메인 베이스(80)의 바닥부 개구부에 착탈이 자유롭게 고정된다.

소켓(20)의 배면(챔버의 외측)에는 저온용 소켓 어댑터(98)가 접속되어 있어, 소켓(20)의 단자와 전기적으로 접속되어 있다. 어댑터(98)는 배선 보드(100)의 대략 중앙부 표면에 고정되어 있어, 소켓(20)의 단자와 배선 보드(100)의 전기적 접속을 도모하고 있다. 배선 보드(100)의 하면에는 테스트 헤드(10)가 장착되어 있다. 또, 배선 보드(100)는 퍼포먼스 보드(perfomance board)라고도 한다.

테스트 헤드(10)는 도시가 생략되어 있는 시험용 메인장치로부터의 구동신호를 받아, 배선 보드(100) 및 어댑터(98)를 통해 소켓(20)에 장착되어 있는 IC 칩(22)에 시험용 구동신호를 송신한다.

본 실시예에서는, 도 2에 도시한 바와 같이 고정 베이스(90)의 배면(챔버의 외측)에는 단열재 및 시일부재를 겸한 장착판(150)을 퉁해 중앙부에 개구를 가진 가열 보드(106)가 보드 등에 의해 고정되어 있다. 가열 보드(106)는 HIFIX 피크라고도 하며, 러버 히터(rubber heater) 등의 면상 발열체(108)를 알루미늄판 등으로 끼운 것이다. 가열 보드(106)의 하면에는, 제1 시일 부재(112)가 미리 장착되어 있다. 제1 시일 부재(112)는 예를 들면 실리콘 스폰지 고무시트 등의 탄력성을 가진 시트로 구성되어 있다.

본 실시예에서는 테스트 보드로서의 배선 보드(100)의 대략 중앙부에 장착되어 있는 소켓 어댑터(98)를 소켓(20)에 대해 접속하여 고정할 때에, 배선 보드(100)의 외주표면이 가열 보드(106)의 하면에 제1 시일부재(112)를 통해 직접접촉하여 배선 보드(100a)가 가열 보드(106)에 의해 직접 가열된다.

가열 보드(106)에는, 방사상 건조용 통로(110)가 형성되어 있고, 소켓 가이드(82)와 배선 보드(100)의 사이에 형성된 제1 밀폐공간(118)에 건조가스를 봉입가능하게 되어 있다. 제1 밀폐공간(118)의 내부에 봉입하기 위한 건조가스로는 예를 들면, 이슬점 온도가 챔버(6)의 내부 온도보다도 낮은 건조 공기가 이용된다. 예를 들면, 챔버(6)의 내부가 -55℃정도인 경우에는, 건조용 통로(110)을 통해 제1 밀폐공간(118a)의 내부에 봉입된 건조공기의 이슬점온도는 -60℃정도인 것이 바람직하다. 건조공기의 온도는 예를 들면, 실온정도이다.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 실시예에서 소켓(20)에는 상하방향으로 탄성변형가능한 접속단자(21)가 장착되어 있고, 이 접속단자(21)의 하단은 배선 보드(100)에 대해 접속되어 있다. 접속단자(21)의 상단에는 IC 칩(22)의 단자(22a)가 가압되어 전기적으로 접속된 콘택트부(21a)가 형성되어 있다.

본 실시예에서는, 흡착 헤드(24)가 가압기구를 겸하고 있어, IC 칩(22)의 시험에 즈음해서는 진공흡착구멍(25)에 흡착된 IC 칩(22)을 접속단자(21)방향으로 가압하여 단자(22a)와 접속단자(21)의 콘택트부(21a)와의 전기적 접속을 확보하고 있다.

흡착 헤드(24)의 하단에는 IC 칩(22)의 단자(22a)의 상면에 접촉하여 이들의 단자(22a)를 접속단자(21)의 콘택트부(21a)에 대해 밀착시키는 가압 패드(26)가 장착되어 있다. 가압 패드(26)는 합성수지 등의 절연성 부재로 구성되어 있다.

진공흡착구멍(25)의 하단주위에 위치하는 위치 헤드(24)의 내부에는, IC 칩(27)에 직접 또는 절연부재를 통해 간접적으로 접촉하여 이들을 냉각하는 냉각장치(27)가 채워져 있다. 냉각장치(27)는 예를 들면 펠티에(peltier) 소자, 보텍스 튜브(vortex tube), 히트 파이프 냉각용 열교환부 등으로 구성되어 있다. 펠티에 소자는 통전에 의해 냉각가능한 소자이다. 볼텍스 튜브는 압축공기를 보냄으로써, 냉각가능한 냉각장치이다. 히트 파이프는 파이브 내부의 유체 이동을 이용하여 흡열을 행하는 장치이다. 열교환부로서는 액체질소 등의 냉매를 순환시키는 통로나, 냉동 사이클로부터의 냉각액을 순화시키는 통로등을 예시할 수 있다. 또, 냉각장치(27)로 펠티에 소자나 히트 파이프를 이용하는 경우에는 냉각하는 측과 반대의 위치가 방열부로 되기 때문에, 도 3에 도시한 바와 같이 냉각 핀(29)을 냉각장치(27)에 대해 접속해도 된다. 또, 흡착 헤드(24) 자체가 전열성에 뛰어난 경우에는, 흡착헤드의 외주면을 요철형상으로 가공하여 방열핀으로 해도 된다. 또, 냉각장치(27)로서는 상술한 이외의 다른 냉각장치이어도 된다.

냉각장치(27)의 근방에는 온도센서(28)가 배치되어 있어, 냉각장치(27)에 의해 냉각된 IC 칩(22)의 온도를 직접 또는 간접적으로 계측가능하게 되어 있다. 온도센서(28)로서는 특별히 한정되지 않지만, 백금 센서 등의 열전쌍, 그 외의 온도센서를 이용할 수 있다. 온도센서(28)에 의해 계측된 온도신호는 제어장치에 입력되어 시험중에서 IC 칩(22)의 자기발열을 제거하도록 냉각장치(27)에 의한 냉각출력을 제어하고, IC 칩(22)은 항상 소정 온도로 유지되도록 제어한다.

이러한 본 실시예에 관한 IC 칩 부품시험장치(2)에서는 시험시에서 IC 칩(22)이 자기발열했다고 해도, 냉각장치(27)가 IC 칩(22)을 냉각하므로 IC 칩(22)의 자기발열에 의한 영향을 제거하여 IC 칩(22)을 스펙대로 소정의 저온도에서 시험할 수 있다.

또, 본 실시예에 관한 전자부품시험장치에서는 내부가 상온이하의 온도로 냉각된 챔버(6)의 챔버 개구부(92a)의 주위에 가열보드(106)가 장착되어, 배선 보드(100a)를 전열에 의해 직접 가열하도록 구성되어 있다. 이 때문에, 소켓(20)의 배면에 위치하는 배선 보드(100)는 그 분위기 가스의 이슬점 이상의 온도로 가열된다. 이 때문에, 소켓 배면의 배선 보드(100)에서 결로가 발생하는 것을 유효하게 방지할 수 있다.

또, 본 실시예에 관한 IC 시험장치에서는 특수한 스페이싱 플레임(spacing frame) 등의 단열구조를 채용하지 않으므로, 제조비용도 저렴하게 된다. 또, 배선 포드(100)와 소켓(20)과의 거리가 현저하게 가까워지므로, 소켓(20)으로부터 배선 보드(100a)까지의 전기경로(배선 케이블 등)를 짧게 할 수 있어 잡음이 뒤섞이기 어려워 시험의 신뢰성이 향상한다.

또, 본 실시예에 관한 IC 시험장치에서는 소켓 가이드(82)의 배선 보드측으로 제1 밀폐공간(118)을 형성하도록 배선 보드(100)를 가열 보드(106)로 접촉시키고, 이 제1 밀폐공간(118)으로 건조가스를 보내기 위한 건조용 통로(110)를 가열포드(106)로 형성함으로써 제1 밀폐공간(118)이 건조가스로 가득차게 된다. 이에 따라, 소켓 가이드(82)의 배면에서의 결로를 더 유효하게 방지할 수 있다.

제2 실시예

도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에서는 흡착헤드(24a)측에는 냉각장치를 장착하지 않고, 소켓(20)측에 냉각장치(27a, 27b)를 장착하고 있다. 냉각장치(27a, 27b)의 배선위치는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 도 4에 도시한 바와 같이 소켓(20)과 소켓 어댑터(98)의 사이 또는 접속단자(21)의 하단위치에 배치된다.

소켓(20)과 소켓 어댑터(98)의 사이에 냉각장치(27a)를 배치하는 경우에는, 접속단자(21)와의 단락을 방지하기 위해 극간을 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 냉각장치(27a)는 소켓(20)을 통해, IC 칩(22)을 냉각하고, IC 칩(22)의 자기발열을 제거시켜 IC 칩(22)을 스펙대로 저온도에서 시험할 수 있다.

냉각장치(27b)를 접속단자(21)의 하단위치에 배치하는 경우에는 접속단자(21)의 합선을 방지하기 위해 플라스틱 등의 절연부재(29)를 통해서 접속단자(21)의 하단부에 냉각장치(27b)를 장착한다. 이 경우에는 냉각장치(27b)는 절연부재(29) 및 접속단자(21)를 통해서 IC 칩(22)을 냉각하고, IC 칩(22)의 자기발열을 제거시켜 IC 칩(22)을 스펙대로 저온도에서 시험할 수 있다.

냉각장치(27a 및 27b)는 상술한 냉각장치(27)와 동일한 냉각장치로 구성되어 있다. 그리고 냉각장치(27a 또는 27b) 자체가 절연성을 가진 경우에는 이들 냉각장치(27a 또는 27b)를 접속단자(21)에 직접 접촉시켜도 좋다. 냉각장치(27a 또는 27b)에는 냉각을 위해 필요하면 방열핀(29a 또는 29b)을 구비시켜도 좋다.

제1 실시예 및 제2 실시예의 변형 실시예

상술한 제1 및 제2 실시예에서는 주로 저온시험을 행하는 IC 칩 부품 시험장치(2)에 대해 설명했지만, 본 실시예의 장치(2)를 이용하여 전자부품의 상온시험을 행해도 좋다. 이 경우에는 시험용 챔버(6) 및 그 내부에 장착되어 있는 온도제어장치를 사용하지 않을 수도 있다. 시험용 챔버(6) 및 내부온도 제어장치가 없어도 냉각장치(27, 27a 및/또는 27b)만으로 IC 칩(22)을 소정의 온도로 제어할 수 있으면, 챔버(6) 및 내부온도 제어장치는 불필요하게 된다.

단, IC 칩(22)의 저온시험을 행하는 경우에는 IC 칩(22)만을 저온상태로 유지하면 결로가 문제가 되기 때문에, 시험용 챔버(6)를 이용하여 테스트 스테이지(8)의 주위를 덮고, 챔버(6) 내부의 주위분위기 온도를 저온상태로 일정하게 유지하는 것이 바람직하다.

또, IC 칩(22)의 고온시험을 행하는 경우에도 IC 칩(22)의 온도가 소정 온도 이상으로 너무 올라가지 않도록 제어하는 관점에서 보면 본 발명은 효과적이다.

제3 실시예

본 실시예에 관한 IC 칩 부품 시험장치의 전체구성은 도1에 도시하는 상기 제1실시예에 관한 부품 시험장치와 동일하므로 그 설명은 일부 생략한다.

도5에 도시하는 바와 같이, 테스트 스테이지에서는 단열재 등으로 구성된 챔버의 일부가 빠져 있고, 그곳에 테스트 헤드(110) 상에 유지된 소켓(120)이 장착된다.

소켓(120)은 소켓가이드(180)에 의해 유지되어 있다. 소켓가이드(180)는 도시가 생략되어 있는 베이스링 등을 통해서 도1에 도시하는 챔버(6)의 저부 개구부에 장착되어 있다.

소켓(120)의 배면(챔버의 외측)에는 배선 보드(184)가 배치되어 있다. 소켓(120)에는 상하방향으로 탄성변형이 가능한 접속단자(121)가 장착되어 있고, 이 접속단자(121)의 하측이 배선 보드(184)에 대해 접속되어 있다. 접속단자(121)의 상단에는 IC 칩(122)의 단자가 가압되어 전기적으로 접속된다. 배선 보드(184)의 하면에는 테스트헤드(110)가 장착되어 있다. 그리고 배선 보드(184)는 퍼포먼스 보드라고도 불린다.

테스트헤드(110)는 도시가 생략하고 있는 시험용 메인장치로부터의 구동신호를 받아서 배선 보드(184)를 통해서 소켓(120)의 접속단자(121)에 접속되어 있는 IC 칩(122)에 시험용 구동신호를 송신한다.

본 실시예에서는 도5에 도시하는 바와 같이 각 흡착헤드(124)의 하부에는 진공흡착구멍(125)을 가진 흡착노즐(127)이 구비되어있다. 이 흡착노즐(127)은 가압기구를 겸하고 있고, IC 칩(122)의 시험을 할 때에 진공흡착구멍(125)에 흡착된 IC 칩(122)을 접속단자(121) 방향으로 가압하고, IC 칩(122)의 단자와 접속단자(121)의 전기적 접속을 확보하고 있다.

흡착노즐(127)의 하단에는 IC 칩(122)의 상면(제1면)에 접촉하고, IC 칩(122)의 단자를 소켓(120)의 접속단자(121)에 대해 밀착시키는 가압패드(126)가 장착되어 있다. 가압패드(126)는 합성수지 등의 절연성 부재로 구성되어 있다. 그리고 흡착노즐(127)의 외주에는 외통(128)을 구비시켜도 좋다. 외통(128)은 예를 들면 전도성의 금속으로 구성되고, 그 하단이 IC 칩(122)에 대해 접촉함으로써 IC 칩(122)의 정전기를 놓치지 않도록 구성할 수도 있다. 본 발명에서는 이 외통(128)도 포함하여 가압기구라고 하기도 한다.

흡착노즐(127)에 형성되어 있는 진공흡착구멍(125)에는 도시가 생략되어 있는 배출기 등의 감압발생장치에 의해 부압(負壓)이 적당히 도입되고, 흡착패드(126)의 하단에 IC 칩(122)을 착탈이 자유롭게 흡착유지한다. 그리고 IC 칩(122)의 시험시에는 진공흡착구멍(125)에는 부압을 도입하지 않고, 흡착패드(126)에 의해 IC 칩(122)을 소켓(120) 방향으로 밀착시키고, IC 칩(122)의 단자와 소켓(120)의 접속단자의 접속을 도모하고 있다.

도5에 도시하는 바와 같이 본 실시에에서는 소켓(120) 및 배선 보드(184)의 대략 중앙부를 관통하여 온도센서용 보호통(186)이 장착되어 있다. 온도센서용 보호통(186)의 내부에는 축방향을 따라 축구멍(188)이 형성되어 있고, 축구멍(188)의 정부벽(頂部壁)의 배면에는 온도센서(190)가 장착되어 있다. 본 실시예에서는 온도센서(190)는 열전쌍, 백금측온저항체, 서미스터 등과 같은 접촉식 온도센서로 구성되어 있다. 이 온도센서(190)는 센서용 보호통(186)의 정부벽의 상면이 IC 칩(122)의 배면(제2면)에 밀착됨으로써, IC 칩(122)의 온도를 직접 측정가능하게 되어 있다.

온도센서(190)에 의해 검출된 IC 칩(122)의 온도데이터는 도시가 생략되어 있는 제어장치로 보내진다. 제어장치에서는 온도센서(190)로부터의 데이터에 의해 시험중에 IC 칩(122)이 자기발열에 의해 설정온도보다도 높게 된 것을 검지하고, 소켓가이드(180) 또는 그 밖의 부재에 형성되어 있는 냉각매체통로(182 : 냉각매체 토출수단)를 통해 IC 칩(122)의 주변에 냉각매체를 토출하고, IC 칩(122)의 냉각을 행한다.

냉각매체로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 이슬점온도가 챔버(6)의 내부온도와 동일 정도 또는 그것보다도 낮은 결점을 가지는 건조공기인 것이 바람직하다. 예를 들면 챔버(6)의 내부가 -55℃ 정도인 경우에는 냉각매체통로(182)를 통해서 IC 칩(122)의 주변에 내뿜어진 건조공기의 이슬점온도는 -55℃ 또는 그 이하의 온도인 것이 바람직하다. 냉각매체통로(182)를 통해서 IC 칩(122)을 향하여 토출되는 냉각매체 자체의 온도는 챔버(6)의 내부 공기온도와 동일 정도 이하로 온도제어된다. 이 냉각매체의 온도, 토출량 및 토출시간은 온도센서(190)에 의해 검출되는 IC 칩(122)의 온도가 시험 스펙의 허용범위내의 온도가 되도록 결정된다. 즉, 제어장치는 온도센서(190)에 의한 온도출력을 모니터하면서 시험중의 IC 칩(122)의 자기발열을 제거하도록 냉각매체통로(182)로부터 IC 칩(122)의 주위를 향하여 토출되는 냉각매체의 온도, 풍량 및 토출시간을 제어하고, IC 칩(122)이 항상 설정온도로 유지되도록 제어한다.

그리고 냉각매체통로(182)는 기존의 소켓 어댑터(180)의 관통구멍을 형성함으로써 구성되어 있지만, 소켓 어댑터(180)와는 별도의 부재에 냉각매체통로를 형성해도 좋고, 튜브나 노즐을 장착하여 냉각매체를 IC 칩(122)의 주위에 불게하도록 해도 좋다. 또, 냉각매체통로(182)는 단일이어도 좋지만, 복수인 경우에는 더욱 냉각효과가 향상한다. 그리고 이와 같은 냉각매체통로(182)등으로 이루어지는 냉각매체 토출수단과 함께, IC 칩(122)의 주위에 IC 칩(122)의 주위가스를 흡인하는 주위가스 흡인수단을 배치해도 좋다. IC 칩(122)의 주위에 존재하는 가스(IC 칩(122)의 자기발열에 의해 설정 온도보다도 높게 된 가스)를 흡인하면서 냉각매체 토출수단에 의해 IC 칩(122)의 주위를 냉각함으로써 더욱 냉각효율이 향상한다.

이와 같은 본 실시예에 관한 IC 칩 부품 시험장치에서는 시험시에 IC 칩(122)이 자기발열했다고 해도 그 자기발열을 온도센서(190)가 검출하고, IC 칩(122)의 자기발열에 의한 영향을 제거하도록 온도 및 풍량 등이 제어된 냉각매체를 냉각매체통로(182)로부터 IC 칩(122)을 향하여 소정 시간 토출되게 된다. 이 때문에, 시험시의 IC 칩(122)을 항상 스펙대로 소정의 설정온도에서 시험할 수 있다.

특히 본 실시예에 관한 IC 칩 부품 시험장치에서는 IC 칩(122)의 온도를 검출하는 온도센서(190)가 소켓(120)측에 배치되어 있기 때문에, 로터리 아암식의 흡착헤드를 가지는 시험장치에서도 온도센서(190)로부터의 전기배선이 단선이 된다. 즉, 종래에는 온도센서가 흡착노즐(127)측에 배치되어 있고, 흡착노즐(127)이 도1에 도시하는 로터리 아암(48)에 의해 회전시켜지기 때문에, 온도센서로부터의 전기배선의 도중에 회전접촉 접속단자 등을 설치할 필요가 있고, 그 배선이 번잡했다.

또, 로터리 아암식의 흡착헤드(124)를 갖는 시험장치에서는 도1에 도시하는 회전축(50) 주위에 복수의 로터리 아암(48)이 배치되는 것이 일반적이고, 흡착헤드(124)의 흡착노즐(127) 또는 외통(128)에 대해 온도센서를 장착하는 경우에는 흡착노즐(127) 또는 외통(128)의 수만큼 온도센서가 필요하게 된다. 이것에 대해 본 실시예에 관한 시험장치에서는 IC 칩(122)이 장착되는 소켓(120)의 수에 대응하여 온도센서(190)를 구비시키면 좋고, 온도센서(190)의 수를 저감할 수 있다.

제4 실시예

도6에 도시하는 바와 같이, 본 실시예에서는 도5에 도시하는 접촉식 온도센서(190) 대신에 자외선 등을 이용한 방사온도계 등의 비접촉식 온도센서(190a)를 배치하고 있다. 그 밖의 구조는 도5에 도시하는 실시예에 관한 시험장치와 동일하기 때문에, 공통되는 부재에는 공통되는 부호를 붙이고, 공통되는 부분의 설명은 생략한다.

도6에 도시하는 바와 같이 본 실시예에 관한 시험장치에서는 비접촉식의 온도센서(190a)를 갖는 이외에는 도5에 도시하는 실시예의 시험장치와 완전히 동일하기 때문에, 동일한 작용효과를 이룬다.

제5 실시예

도7에 도시하는 바와 같이, 본 실시예에서는 도5에 도시하는 소켓 어댑터(180)에 형성된 냉각매체통로(182)를 대신하여, 혹은 그것과 함께 IC 칩(122)의 배면(제2면)을 향하여 냉각매체를 부는 냉각매체 토출노즐(192 : 냉각매체 토출수단)을 소켓(120)의 배면에 장착하고 있다. 냉각매체 토출노즐(192)에는 튜브(194)가 접속되어 있고, 도시를 생략하고 있는 냉각매체 발생수단으로부터 냉각매체가 공급되어 노즐(192)로부터 IC 칩(122)의 배면을 향하여 냉각매체가 토출가능하게 되어 있다.

냉각매체 발생수단으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 저온시험의 경우에는 챔버(6)의 내부를 저온으로 하기 위한 액체질소를 이용한 열교환기와 송풍장치로 이루어지고, 고온시험의 경우에는 히터나 냉각소자를 이용한 열교환기와 송풍장치로 이루어진다.

그 밖의 구조는 도5에 도시하는 실시예에 관한 시험장치와 동일하기 때문에, 공통되는 부재에는 공통되는 부호를 붙이고, 공통되는 부분의 설명은 생략한다.

도7에 도시하는 바와 같이, 본 실시예에 관한 시험장치에서는 IC 칩(122)의 배면에 냉각매체를 내뿜는 토출노즐(192)을 배치한 것 이외에는 도5에 도시하는 실시예의 시험장치와 완전히 동일하기 때문에, 상기 제3 실시예와 동일한 작용효과를 이루며, 또한 IC 칩(122)의 냉각효율이 향상한다.

제6 실시예

도8에 도시하는 바와 같이, 본 실시예에서는 도5에 도시하는 소켓 어댑터(180)에 형성된 냉각매체통로(182)를 대시하여, 혹은 그것과 함께 흡착노즐(127) 및 외통(128 : 가압기구)의 측면에 냉각매체를 내뿜는 냉각매체 토출노즐(192a : 냉각매체 토출수단)을 배치하고 있다. 냉각매체 토출노즐(192a)은 본 실시예에서는 소켓 어댑터(180) 상에 고정되어 있다.

냉각매체 토출노즐(192a)에는 튜브(194a)가 접속되어 있고, 도시를 생략하고 있는 냉각매체 발생수단으로부터 냉각매체가 공급되도록 되어 있다. 냉각매체 발생수단으로서는 상기 제3 실시예에서 예시된 것과 동일한 것이 이용된다.

냉각매체 토출노즐(192a)로부터 냉각매체가 내뿜어지는 외통(128) 및/또는 흡착노즐(127)의 외주에는 열교환 효율을 높이고, 외통(128) 및/또는 흡착노즐(127)을 재빨리 냉각하기 위한 요철상 열교환용 핀(129)이 형성되어 있는 것이 바람직하다.

도8에 도시하는 바와 같이, 본 실시예에 관한 시험장치에서는 외통(128)의 외주에 열교환용 핀(129)을 형성하고, 외통(129)의 외주측면에 냉각매체를 내뿜는 토출노즐(192a)을 배치한 것 이외에는 도5에 도시하는 실시예의 시험장치와 완전히 동일하기 때문에, 상기 제3 실시예와 동일한 작용효과를 이루며, 또한 다음에 도시하는 작용효과를 이룬다.

즉, IC 칩(122)의 시험에 이용되는 소켓(120)의 주위에는 다양한 부품이 배치되고, IC 칩(122)을 향하여 직접 냉각매체를 내뿜는 것이 곤란한 것이 많다. 본 실시예에서는 외통(128)의 측면에 냉각매체를 내뿜음으로써 간접적으로 IC 칩(122)을 냉각한다. 이 때에 외통(128)의 외주에 열교환용 핀(129) 등의 요철을 구비시킴으로써, 열교환 효율을 높이고, 효율적으로 외통(128)을 냉각하며, 간접적으로 IC 칩(122)을 효율적으로 냉각할 수 있다. 본 실시예에서도 IC 칩(122)의 자기발열에 의한 영향을 적절하게 제거하고, IC 칩을 스펙대로 소정의 온도에서 시험할 수 있다.

그리고 본 실시예의 변형예로서 도8에 도시하는 냉각매체 토출노즐(192a)이나 냉각매체 토출통로(182)를 배치하지 않고 외통(128) 및/또는 흡착노즐(127)의 외주에 열교환용 핀(129) 등의 요철을 설치해도 좋다. IC 칩(122)의 자기발열이 그정도로 크지 않을 때에는 이들 요철에 의한 방열로도 IC 칩(122)을 냉각할 수 있다.

제7 실시예

도9에 도시하는 바와 같이, 본 실시예에서는 IC 칩(122)의 배면 전체에 단자가 형성되어 있고, 이들에 대응하여 소켓(120)에는 다수의 접속단자(121)가 배치되어 있다. 이 때문에, 본 실시예에서는 소켓(120)측에 온도센서(190 또는 190a)를 배치할 공간이 없다. 그래서 본 실시예에서는 도9에 도시하는 바와 같이, 흡착노즐(127) 및 외통(128)측(가압기구측)에 비접촉식 온도센서(190b)를 배치하고 있다. 이 비접촉식 온도센서(190b)는 소켓 어댑터(180)에 대해 고정되어 있고, 흡착노즐(127) 및 외통(128)에 대해 고정되어 있지 않으며, 이들과 함께는 이동하지 않도록 되어 있다. 이 비접촉식 온도센서(190b)의 온도측정 방향은 IC 칩(122)의 상면(제1면)을 향하게 되어 있고, IC 칩(122)의 온도를 비접촉식으로 측정가능하게 되어 있다.

도9에 도시하는 바와 같이, 본 실시예에 관한 시험장치에서는 상기 제3 실시예와 동일한 작용효과를 이루며, 또한 다음에 도시하는 작용효과를 이룬다.

즉, IC 칩(122)의 단자가 IC 칩(122)의 배면(제2면) 전체에 배치되어 있는 경우, 그것에 대응하여 소켓(120)에도 접속단자가 간격 없이 배치된다. 이와 같은 경우에는 소켓측으로부터 IC 칩(122)의 온도를 측정하는 것은 곤란하다. 본 실시예에서는 IC 칩(122)의 가압기구측 표면의 온도를 비접촉식 온도센서(190b)로 계측한다.

비접촉식 온도센서(190b)이면 흡착노즐(127) 또는 외통(128)에 대해 고정할 필요가 없고, 흡착노즐(127) 및 외통(128)과 함께, 로터리 아암에 의해 회전시킬 필요도 없다. 따라서 로터리 아암식의 흡착헤드(124)를 갖는 시험장치여도, 온도센서(190b)로부터 전기배선이 복잡하게 되지 않는다. 본 실시예의 시험장치에서는 이 비접촉식 온도센서(190b)를 이용하여 IC 칩(122)의 온도를 정확하게 계측하고, 그 계측결과에 따라 IC 칩(122)에 냉각매체를 내뿜고, IC 칩(122)을 냉각한다. 이 때문에, IC 칩(122)의 자기발열에 의한 영향을 적절하게 제거하고, IC 칩(122)을 스펙대로의 소정 온도에서 시험할 수 있다.

제8 실시예

도10에 도시하는 바와 같이, 본 실시예에서는 IC 칩(122)의 배면 전체에 단자가 형성되어 있고, 이들에 대응하여 소켓(120)에는 다수의 접속단자(121)가 배치되어 있다. 이 때문에, 본 실시예에서는 소켓(120)측에 온도센서(190 또는 190a)를 배치할 공간이 없다. 그래서 본 실시예에서는 도9에 도시한 바와 같이 흡착노즐(127) 및 외통(128)측(가압기구측)에 비접촉식 온도센서(190c)를 배치하고 있다. 이 비접촉식 온도센서(190c)는 소켓 어댑터(180)에 대해 고정되어 있고, 흡착노즐(127) 및 외통(128)에 대해서는 고정되어 있지 않으며, 이들과 함께는 이동하지 않도록 되어 있다. 이 비접촉식 온도센서(190c)의 온도측정 방향은 외통(128 : 가압기구)의 외주면을 향하게 되어 있고, 외통(128)의 온도를 비접촉식으로 계측가능하게 되어 있다.

도10에 도시하는 바와 같이, 본 실시예에 관한 시험장치에서는 상기 제3 실시예와 동일한 작용효과를 이루며, 또한 다음에 도시하는 작용효과를 이룬다.

즉, IC 칩(122)의 단자가 IC 칩(122)의 배면(제2면) 전체에 배치되어 있는 경우, 그것에 대응하여 소켓(120)에도 접속단자가 간격 없이 배치된다. 이와 같은 경우에는 소켓측으로부터 IC 칩(122)의 온도를 계측하는 것은 곤란하다. 또 소켓의 상부에는 흡착노즐(127) 및 외통(128)이 배치되고, 비접촉식의 온도센서를 이용해도 IC 칩(122)의 상면(제1면)으로부터 직접 온도를 계측하는 것이 곤란할 때가 많다. 그래서 본 실시예에서는 외통(128)의 온도를 비접촉식 온도센서(190c)로 계측한다.

비접촉식 온도센서(190c)를 사용한다면, 이를 흡착노즐(127) 또는 외통(128)에 대해 고정할 필요는 없고, 흡착노즐(127) 및 외통(128)과 함께 로터리 아암에 의해 회전시킬 필요도 없다. 따라서 로터리 아암식의 흡착헤드(124)를 갖는 시험장치이어도, 온도센서(190c)로부터의 전기배선이 복잡하게 되지는 않는다. 본 실시예의 시험장치에서는 이 비접촉식 온도센서(190c)를 이용하여, IC 칩(122)의 온도를 직접 계측하지 않고, 외통(128)의 온도를 계측함으로써, IC 칩(122)의 온도를 추정하고, IC 칩(122)의 자기발열에 의한 온도상승을 검출한다. IC 칩(122)은 외통(128)에 대해 접촉하고 있기 때문에, IC 칩(122)이 자기발열에 의해 온도상승하면 외통(128)도 온도상승하게 된다. 단, 외통(128)의 온도와 IC 칩(122)의 온도는 반드시 일치하지 않기 때문에, 검출된 외통(128)의 온도로부터 IC 칩(122)의 온도를 추측하기 위해 외통(128)의 검출온도에 실험 등에서 구해진 보정값을 고려하여, IC 칩(122)의 온도를 추측할 필요가 있다.

본 실시예에서는 이 비접촉식 온도센서(190c)를 이용하여 외통(128)의 온도를 계측하고, 그 검출온도로부터 IC 칩(122)의 온도를 정확하게 예측하며, 그 결과에 따라 IC 칩(122)에 냉각매체를 내뿜어, IC 칩(122)을 냉각한다. 이 때문에, IC 칩(122)의 자기발열에 의한 영향을 적절하게 제거할 수 있고, IC 칩(122)을 스펙대로의 소정 온도로 시험할 수 있다.

제3∼제8 실시예의 변형 실시예

상술한 실시예에서는 주로 저온시험을 행하는 IC 칩 부품 시험장치에 대해 설명했지만, 본 발명의 장치를 이용하여 전자부품의 상온시험을 행해도 좋다. 그 경우에는 시험용 챔버 및 그 내부에 장착되어 있는 온도제어장치를 사용하지 않을 수도 있다. 시험용 챔버 및 내부온도 제어장치가 없어도 냉각매체 토출통로(82), 냉각매체 토출노즐(192 또는 192a) 등의 냉각매체 토출수단만으로 IC 칩(122)을 소정의 상온으로 제어할 수 있으면, 챔버 및 내부온도 제어장치는 불필요하게 된다.

단, IC 칩(122)의 저온시험을 행하는 경우에는 IC 칩(122)만을 저온상태로 유지하면 결로가 문제가 되기 때문에, 시험용 챔버를 이용하여 테스트 스테이지의 주위를 덮고, 챔버 내부의 주위 분위기 온도를 저온상태로 일정하게 유지하는 것이 바람직하다.

또, IC 칩(122)의 고온시험을 행하는 경우에도 IC 칩(122)의 온도가 소정 온도 이상으로 너무 올라가지 않도록 제어하는 관점에서 보면 본 발명은 효과적이다.

제9 실시예

본 실시예에 관한 전자부품 시험장치의 전체구성은 특별히 한정되지 않지만, 도1에 도시한 전자부품 시험장치(2)이어도 좋고, 후술하는 도13에 도시한 전자부품 시험장치(1001)이어도 좋다.

도11 및 도12에 도시하는 바와 같이, 본 실시예의 전자부품 시험장치에서 흡착헤드(가압기구 : 304c)는 도시하지 않은 Z축 방향 구동장치에 장착되어 있다. 이 흡착헤드(304c)는 콘택트부(302a)에 대해 승강하는 푸셔베이스와 이 푸셔베이스에 대해 플로우팅 기구를 통해서 장착된 가동베이스를 갖는다. 가동베이스는 IC 칩을 흡착하기 위한 흡착패드(304c2)를 갖는 흡착헤드 본체(304c10)가 고정되어 있다.

가동베이스(도시는 생략한다)에 고정된 흡착헤드 본체(304c10)는 내부에 진공흡인을 행하기 위한 통공(304c11)이 형성되어 있다. 또 고무 등의 탄성체로 이루어진 흡착패드(304c2)는 흡착헤드 본체(304c10)내에 고정되어 있고, 진공흡인했을 때의 흡착력은 이 흡착패드(304c2)의 첨단에 부여된다.

특히 본 실시예의 흡착헤드 본체(304c10)에는 흡착패드(304c2)의 근방에 온도센서(304c12)가 매설되어 있고, 케이블(304c14)을 통해서 그 출력측의 단자(304c13 : 이하, 제1 단자라고 한다)가 흡착헤드 본체(304c10)로부터 아래쪽을 향하여 노출되어 설치되어 있다. 이 제1 단자(304c13)는 내부에 설치된 스프링 등의 탄성체에 의해 출몰이 자유롭게 구성되어 있고, 후술하는 제2 단자(302b1)에 접근하여 맞닿아도 파손되지 않도록 되어 있다.

테스트헤드(302)의 콘택트부(302a)의 주위에는 금속제의 블록으로 이루어지는 에어블로우유닛(302b)이 설치되어 있다. 이 에어블로우유닛(302b)은 그 내부에 냉각풍이 안내되는 냉각풍통로(302b2)가 형성되어 있고, 냉각풍통로의 출구에서 토출된 냉각풍은 도12에 도시하는 바와 같이 테스트 중에 있는 IC 칩을 향하여 거의 바로옆에서 흐르게 된다.

그리고 에어블로우유닛(302b)과 테스트헤드(302)의 사이에는 높이조정 블록(302b3)이 배치되어, 콘택트부(302a)의 형상에 따라 IC 칩의 높이위치가 달라도 그 높이 조정 블록(302b3)의 두께를 선택하면, 항상 냉각풍을 IC 칩의 바로 옆에서 불 수 있다. 이것에 의해 IC 칩의 테스트시에 생기는 자기발열을 방열시킬 수 있다.

또, 에어블로우유닛(302b)의 상면에는 상술한 제1 단자(304c13)에 대응하는 위치에 제2 단자(302b1)가 설치되어 있고, 온도센서(304c12)로부터의 출력신호는 케이블(304c14), 제1 단자(304c13) 및 제2 단자(302b1)를 통해서 도시하지 않은 콘트롤러로 보내진다.

IC 칩의 납땜볼 단자(HB)가 콘택트부(302a)의 콘택트(302a1)에 밀착되면, 제1 단자(304c13)가 제2 단자(302b1)에 접촉하기 때문에, 온도센서(304c12)를 이용하여 IC 칩의 온도를 검출하고, 도시하지 않은 콘트롤러로 송출한다. 이 온도데이터를 받은 콘트롤러에서는 IC 칩의 온도가 목적으로 하는 온도로부터 어느 정도 떨어져 있는지를 판단하고, 고온일 때에는 도12에 도시하는 바와 같이 냉각풍통로(302b2)로부터 냉각풍을 불게 하여 IC 칩을 냉각한다. 이것에 의해 IC 칩이 자기발열해도 그것을 냉각할 수 있다.

본 실시예에서는 온도센서(304c12)를 흡착헤드(304c)에 설치해도 흡착헤드(304c)의 이동에 의해 온도센서(304c12)의 케이블의 전선이 끊어지지 않으며, 그 결과 테스트 중에 생기는 자기발열을 그대로 정확하게 측정할 수 있다.

또 이것에 더하여 측정된 IC 칩의 온도에 따라 충분한 양의 냉각풍을 불게 할 수 있고, 그 결과, 특히 고온 테스트 등에서 문제가 되는 과열에 의한 전자부품의 파괴 또는 손상을 방지할 수 있다. 또, 고온 테스트에 한정되지 않고, 유체를 내뿜음으로써 자기발열에 의한 승온이 제어되기 때문에, 목적으로 하는 정확한 온도로 테스트를 행할 수 있으며, 테스트 결과의 신뢰성이 향상한다.

제10 실시예

도13에 도시하는 바와 같이, 본 실시예의 전자부품 시험장치(1001)는 IC 칩에 고온 또는 저온의 온도 스트레스를 가한 상태에서 IC가 적절하게 동작하는지 어떤지를 시험(검사)하고, 상기 시험결과에 따라 IC를 분류하는 장치이다. 이러한 온도 스트레스를 가한 상태에서의 동작 테스트는 시험대상이 되는 IC 칩이 다수 탑재된 트레이(이하 커스터머 트레이(KST)라고도 한다. 도시는 생략한다.)로부터 상기 전자부품 시험장치(1001)내를 반송되는 테스트 트레이(TST : 도15 참조)에 IC 칩을 옮겨 싣고 실시된다.

이 때문에, 본 실시예의 전자부품 시험장치(1001)는 도13 및 도14에 도시하는 바와 같이, 이제부터 시험을 행하는 IC 칩을 격납하고, 또 시험이 완료한 IC를 분류하여 격납하는 IC격납부(1200)와, IC격납부(1200)로부터 받은 IC 칩을 챕버부(1100)에 보내는 로더부(1300)와, 테스트 헤드를 포함하는 챔버부(1100)와 챔버부(1100)에서 시험이 행해진 시험이 완료한 IC 칩을 분류하여 꺼내는 언로더부(1400)로 구성되어 있다.

IC격납부(1200)

IC 격납부(1200)에는 시험전의 IC 칩을 격납하는 시험전 IC 스토커(1201)와, 시험의 결과에 따라 분류된 IC 칩을 격납하는 시험완료 IC 스토커(1202)가 설치되어 있다.

이들 시험전 IC 스토커(1201) 및 시험완료 IC 스토커(1202)는, 틀 형상의 트레이 지지틀(1203)과, 이 트레이 지지틀(1203)의 하부로부터 들어가 상부를 향해 승강하도록 이루어진 승강기(1204)를 구비하여 구성되어 있다. 트레이 지지틀(1203)에는 커스터머 트레이(KST)가 다수 겹쳐 쌓여 지지되고, 이 겹쳐 쌓인 커스터머 트레이(KST)만이 승강기(1204)에 의해 상하로 이동된다.

그리고, 시험전 IC 스토커(1201)에는 이제부터 시험이 행해질 IC 칩이 격납된 커스터머 트레이(KST)가 적층되어 유지되는 한편, 시험을 완료한 IC 스토커(1202)에는 시험을 마친 IC 칩이 적당히 분류된 커스터머 트레이(KST)가 적층되어 유지되고 있다.

또한, 이들 시험전 IC 스토커(1201)와 시험을 완료한 IC 스토커(1202)는 같은 구조로 되어 있기 때문에, 시험전 IC 스토커(1201)와 시험을 완료한 IC 스토커(1202)의 각각의 수를 필요에 따라 적당수로 설정할 수 있다.

도13 및 도14에 도시하는 예에서는 시험전 스토커(1201)에 2개의 스토커(STK-B)를 설치하고 또 그 이웃에 언로더부(1400)로 보내지는 공(空) 스토커(STK-E)를 2개 설치함과 동시에, 시험을 완료한 IC 스토커(1202)에 8개의 스토커(STK-1, STK-2, …, STK-8)를 설치하고 시험결과에 따라 최대 8개의 분류로 분류하여 격납할 수 있도록 구성되어 있다. 결국, 양품과 불량품의 구별 이외에, 양품 중에서도 동작속도가 고속인 것, 중속인 것, 저속인 것, 혹은 불량 중에서도 재시험이 필요한 것등으로 분류된다.

로더부(1300)

상술한 커스터머 트레이(KST)는 IC 격납부(1200)와 장치기판(1105) 사이에 설치된 트레이 이송 암(1205)에 의해 로더부(1300)의 창부(窓部 : 1306)에 장치기판(1105)의 하측으로부터 운반된다. 그리고, 이 로더부(1300)에서 커스터머 트레이(KST)에 실어진 IC 칩을 X-Y 반송장치(1304)에 의해 일단 프리사이서(preciser: 1305)로 이송하고, 여기에서 IC 칩의 상호 위치를 수정한 후, 이 프리사이서(1305)로 이송된 IC 칩을, 다시 X-Y 반송장치(1304)를 이용하여 로더부(1300)에 정지해 있는 테스트 트레이(TST)에 옮겨 싣는다.

커스터머 트레이(KST)로부터 테스트 트레이(TST)에 IC 칩를 옮겨 싣는 IC 반송장치(1304)로서는, 도13에 도시하는 바와 같이, 장치기판(1105)의 상부에 가설된 2개의 레일(1301)과, 이 2개의 레일(1301)에 의해 테스트 트레이(TST)와 커스터머 트레이(KST) 사이를 왕복할(이 방향을 Y방향이라 한다) 수 있는 가동 아암(1302)과, 이 가동 아암(1302)에 의해 지지되고 가동 아암(1302)을 따라 X방향으로 이동할 수 있는 가동 헤드(1303)를 구비하고 있다.

이 X-Y 반송장치(1304)의 가동 헤드(1303)에는 흡착 헤드가 아래 방향으로 장착되어 있고, 이 흡착 헤드가 공기를 흡인하면서 이동함으로써 커스터머 트레이(KST)에서 IC 칩을 흡착하고, 그 IC 칩을 테스트 트레이(TST)에 옮겨 싣는다. 이러한 흡착 헤드는 가동 헤드(1303)에 대해 예를들면 8개 정도 장착되어 있고, 한번에 8개의 IC 칩을 테스트 트레이(TST)에 옮겨 실을 수 있다.

챔버부(1100)

상술한 테스트 트레이(TST)는 로더부(1300)에서 IC 칩을 실은 후, 챔버부(1100)로 보내지고, 그 테스트 트레이(TST)에 탑재된 상태에서 각 IC 칩이 테스트된다.

챔버부(1100)는 테스트 트레이(TST)에 실려진 IC 칩에 목적으로 하는 고온 또는 저온의 열 스트레스를 가하는 항온조(1101)와, 이 항온조(1101)에서 열 스트레스가 가해진 상태에 있는 피시험 IC를 테스트 헤드에 접촉시키는 테스트 챔버(1102)와, 테스트 챔버(1102)에서 시험된 IC 칩으로부터 가해진 열 스트레스를 제거하는 제열조(除熱槽)(1103)로 구성되어 있다.

제열조(1103)에서는, 항온조(1101)에서 고온을 인가한 경우에는 IC 칩을 송풍에 의해 냉각하여 실온으로 되돌리고, 또 항온조(1101)에서 예를들면 -30。C 정도의 저온을 인가한 경우에는 IC 칩을 온풍 또는 히터 등으로 가열하여 결로가 생기지 않을 정도까지 되돌린다. 그리고, 이 제열된 IC 칩을 언로더부(1400)에 반출한다.

도14에 개념적으로 도시한 바와 같이 항온조(1101)에는 수직 반송장치가 설치되어 있고, 테스트 챔버(1102)가 비워질때까지의 시간 동안에 다수 매의 테스트 트레이(TST)가 이 수직 반송장치에 지지되면서 대기한다. 주로 이 대기중에 IC 칩에 고온 또는 저온의 열 스트레스가 인가된다.

테스트 챔버(1102)에는 그 중앙에 테스트 헤드(1104)가 배치되고, 테스트 헤드(1104) 상에 테스트 트레이(TST)가 운반되어, IC 칩의 입출력 단자(HB)를 테스트 헤드(1104)의 콘택트 핀(151)에 전기적으로 접촉시킴으로써 테스트가 행해진다. 한편, 시험이 종료한 테스트 트레이(TST)는 제열조(1103)에서 제열되어 IC의 온도를 실온으로 되돌린 다음, 언로더부(1400)로 배출된다.

또, 장치기판(1105)에 테스트 트레이 반송장치(1108)가 설치되어 있고, 이 테스트 트레이 반송장치(1108)에 의해 제열조(1103)로부터 배출된 테스트 트레이(TST)는 언로더부(1400) 및 로더부(1300)를 통해서 항온조(1101)로 반송된다.

도15는 본 실시예에서 사용되는 테스트 트레이(TST)의 구조를 도시하는 분해 사시도이다. 이 테스트 트레이(TST)는 사각형 프레임(12)에 다수의 살(1013)이 평행 및 등간격으로 설치되어 있고, 이들 살(1013)의 양측 및 살(1013)과 대향하는 프레임(1012)의 변(1012a)에 각각 다수의 장착편(1014)이 등간격으로 돌출되어 형성되어 있다. 이들 살(1013) 사이 및, 살(1013)과 변(1012a) 사이와, 2개의 장착편(1014)에 의해 인서트(insert) 수납부(1015)가 구성되어 있다.

각 인서트 수납부(1015)에는 각각 한 개의 인서트(1016)가 수납되도록 되어 있고, 이 인서트(1016)는 잠금개(fastener : 1017)를 이용해 2개의 장착편(1014)에 플로우팅 상태로 장착되어 있다. 이 때문에, 인서트(1016)의 양 단부에는 각각 장착편(1014)의 장착용 구멍(1021)이 형성되어 있다. 이러한 인서트(1016)는 예를들면 1개의 테스트 트레이(TST)에 16×4개 정도 장착되어 있다.

또한, 각 인서트(1016)는 동일 형상, 동일 치수로 되어 있고, 각각의 인서트(1016)에 IC 칩이 수납된다. 인서트(1016)의 IC 수용부(1019)는 수용할 IC 칩의 형상에 따라 결정되고, 도15에 도시한 예에서는 사각형의 오목부로 되어 있다.

여기에서 테스트 헤드(1104)에 대해 한번에 접속되는 IC 칩은, 도15에 도시한 바와 같이 4행×16열로 배치된 IC 칩이면, 예를들면 4행 4열의 IC 칩이 동시에 시험된다. 결국, 1회째의 시험에서는 1열째로부터 4열째까지 배치된 16개의 IC 칩을 테스트 헤드(1104)의 콘택트핀(1051)에 접속하여 시험하고, 2회째의 시험에서는 테스트 트레이(TST)를 1열만큼 이동시켜 2열째로부터 4열째까지 배치된 IC 칩을 동일하게 시험한다. 이러한 과정을 4회 반복함으로써 모든 IC 칩을 시험한다. 단 본 발명에서는 이것에 한정되지 않고, 모든 열 및 행에 인서트(1016)를 장착할 필요는 없으며, 테스트 방법에 따라 인서트(1016)의 장착위치를 선택할 수 있다. 이 시험의 결과는 테스트 트레이(TST)에 부착된 예를들면 식별번호와 테스트 트레이(TST)의 내부에서 할당된 IC 칩의 번호로 결정되는 주소에 기억된다.

도20에 도시하는 바와 같이, 테스트 헤드(1104)의 상측에는 Z축 구동장치(가압기구의 일부 : 1060)가 설치되어 있고, 예를 들면 유압 실린더에 의해 Z축 방향으로 상하 이동한다. 이 Z축 구동장치(1060)의 하측에는 도19에 도시하는 매치 플레이트(가압기구의 일부 : 1060)가 장착되어 있고, 이 매치 플레이트(1060)는 Z축 구동장치(1060)와 함께 승강하도록 상기 Z축 구동장치(1060)에 지지되어 있다.

매치 플레이트(1060)에는 IC 칩의 종류에 따라 형성된 푸셔(가압기구의 일부 : 1030)가 도19에 도시하는 바와 같이 한번에 테스트되는 IC 칩의 간격에 따라 설치되어 있다.

도16 및 도17에 한 개의 푸셔(1030)를 도시하지만, 이 푸셔(1030)는 상술한 매치 플레이트(1061)에 장착되어 Z축 구동장치(1060)와 함께 Z축 방향으로 상하 이동하는 리드 푸셔 베이스(1035) 및 푸셔 베이스(1034)와, 이 푸셔 베이스(1034)에 두 개의 스프링(탄성체에 해당한다 : 1036, 1036)을 통해서 장착된 푸셔 블록(1031)을 가지고 있다.

리드 푸셔 베이스(1035)와 푸셔 베이스(1034)는 도17에 도시된 바와 같이 볼트에 의해 고정되어 있고, 푸셔 베이스(1034)의 양측에는 후술하는 인서트(1016)의 가이드구멍(1020) 및 소켓 가이드(1040)의 가이드 부쉬(1041)가 삽입되는 가이드핀(1032)이 설치되어 있다. 또, 푸셔 베이스(1034)에는 상기 푸셔 베이스(1034)가 Z축 구동장치(1060)와 함께 하강했을 때에 하한을 규제하기 위한 스토퍼 가이드(1033)가 설치되어 있고, 이 스토퍼 가이드(1033)는 소켓 가이드(1040)의 스토퍼면(1042)에 맞닿음으로써, IC 칩을 파괴하지 않는 적절한 압력으로 밀착시키는 푸셔의 하한위치에 대한 기준치수가 결정된다.

도17 및 도18에 도시하는 바와 같이, 푸셔 블록(1031)은 예를 들면 알루미늄 또는 구리로 구성되고, 푸셔 베이스(1034)의 중앙에 개설된 통공에 삽입되어 리드 푸셔 베이스(1035)와 스프링(1036, 1036) 사이에 필요에 따라 끼움쇠(도시를 생략한다)가 개장되어 있다. 이 스프링(1036, 1036)은 푸셔 블록(1031)을 도면에서 아래방향(IC 칩을 향하는 방향)으로 스프링에 힘을 가하는 압축스프링(탄성체)으로, IC 칩에 대한 기준하중에 따른 탄성계수를 갖는다.

또, 스프링(1036)과 함께 필요에 따라 장착되는 끼움쇠는 스프링(1036)의 장착상태에서의 기준길이를 조절하고, 푸셔 블록(1031)에 작용하는 초기 하중을 조절하는 것이다. 결국, 동일 탄성계수의 스프링(1036)을 이용하는 경우에도 끼움쇠를 개장함으로써 푸셔 블록(1031)에 작용하는 초기 하중은 커진다. 그리고 스프링(1036)의 기준길이를 조절할 수 있으면 충분하기 때문에, 끼움쇠의 개장위치는 스프링(1036)과 푸셔 블록(1031)의 사이여도, 리드 푸셔 베이스(1035)와 스프링(1036)의 사이여도 좋다.

두 개의 스프링(1036, 1036)의 사이에 있어서, 푸셔 블록(1031)의 상면에는 열전도성이 우수한, 예를 들면 알루미늄제의 히터싱크(1038 : 흡방열체에 해당한다)가 고정되어 있다. 이 히터싱크(1038)는 푸셔 블록(1031)의 상면과 평면으로 맞닿아 있고, 반대면에는 표면적이 커지는 방열핀이 형성되어 있다. 푸셔 블록(1031)은 열전도성이 우수한 알루미늄이나 구리로 구성되고 IC 칩에 직접 접촉하기 때문에, 테스트중에 생기는 IC의 자기발열을 그대로 흡열하지만, 이 푸셔 블록(1031)에 전달한 열을 히터싱크(1038)에서 흡열하고, 방열핀으로부터 주위에 방열시킴으로써, IC 칩의 자기발열에 의한 IC 칩의 파괴나 손상 혹은 온도조건의 변동을 방지할 수 있다.

인서트(1016)는 도15에서도 설명한 바와 같이, 테스트 트레이(TST)에 대해 잠그개(1017)를 이용하여 장착되어 있지만, 그 양측에 상술한 푸셔(1030)의 가이드핀(1032) 및 소켓 가이드(1040)의 가이드 부시(1041)가 상하 각각으로부터 삽입되는 가이드구멍(1020)이 형성되어 있다. 상세한 도시는 생략하지만, 예를 들면 좌측의 가이드구멍(1020)은 상반 부분이 푸셔 베이스(1034)의 가이드핀(1032)이 삽입되어 위치결정이 행해지도록 하기 위한 소직경 구멍으로 되어 있다. 또, 가이드 구멍(1020)의 하반 부분은 소켓 가이드(1040)의 가이드 부시(1041)가 삽입되어 위치결정이 행해지도록 하기 위한 대직경 구멍으로 되어 있다. 즉, 도17에서 우측의 가이드구멍(1020)과, 푸셔 베이스(1034)의 가이드핀(1032) 및 소켓 가이드(1040)의 가이드 부시(1041)는 느슨하게 끼워 맞춰진 상태로 되어 있다.

도16 및 도17에 도시되는 바와 같이, 인서트(1016)의 중앙에는 IC 수용부(1019)가 형성되어 있고, 여기에 IC 칩을 떨어뜨림으로써 테스트 트레이(TST)에 IC 칩이 실리게 된다.

한편, 테스트 헤드(1104)에 고정되는 소켓 가이드(1040)의 양측에는 푸셔 베이스(1034)의 두 개의 가이드핀(1032)이 삽입되고, 이들 두 개의 가이드핀(1032)의 사이에서 위치결정을 행하기 위한 가이드 부쉬(1041)가 설치되어 있고, 이 가이드 부쉬(1041)의 좌측의 것은 인서트(1016)의 사이에서도 위치결정을 행한다.

소켓 가이드(1040)의 하측에는 복수의 콘택트 핀(1051)을 갖는 소켓(1050)이 고정되어 있고, 이 콘택트 핀(1051)은 도시하지 않은 스프링에 의해 위쪽 방향으로 스프링에 힘을 가하게 되어 있다. 따라서 IC 칩을 밀착시켜도 콘택트 핀(1051)이 소켓(1050)의 상면까지 후퇴하는 한편, IC 칩이 다소 경사져서 밀착되어도 모든 IC단자에 콘택트 핀(1051)이 접촉할 수 있게 되어 있다.

언로더부(1400)

도13에 도시하는 바와 같이, 언로더부(1400)에도 로더부(1300)에 설치된 X-Y 반송장치(1304)와 동일 구조의 X-Y 반송장치(1404, 1404)가 설치되고, 이 X-Y 반송장치(1404, 1404)에 의해 언로더부(1400)에 운반된 테스트 트레이(TST)로부터 시험을 완료한 IC가 커스터머 트레이(KST)에 옮겨 실린다.

도13에 도시한 바와 같이, 언로더부(1400)의 장치기판(1105)에는 그 언로더부(1400)에 운반된 커스터머 트레이(KST)가 장치기판(1105)의 상면으로 향하도록 배치되는 한쌍의 창부(1406, 1406)가 두 쌍 개설되어 있다.

또, 도시는 생략하였지만 각각의 창부(1406)의 하측에는 커스터머 트레이(KST)를 승강시키기 위한 승강 테이블이 설치되어 있고, 여기에서는 시험을 완료한 피시험 IC를 옮겨 실어 가득 차게 된 커스터머 트레이(KST)를 싣고 하강하여, 이 가득찬 트레이를 트레이 이송 암(1205)에 전달한다.

본 실시예의 전자부품 시험장치(1001)에서는 분류가능한 범주가 최대 8종류이지만, 언로더부(1400)의 창부(1406)에는 최대 4장의 커스터머 트레이(KST)밖에 배치할 수 없기 때문에, 이것을 보충하기 위해서 언로더부(1400)의 테스트 트레이(TST)와 창부(1406)와의 사이에 버퍼부(1405)를 설치하고, 이 버퍼부(1405)에 조금밖에 발생하지 않는 범주의 IC 칩을 일시적으로 맡겨두도록 하고 있다.

다음에 작용을 설명한다.

챔버부(1100)내의 테스트 공정에서 IC 칩은 도15에 도시하는 테스트 트레이(TST)에 탑재된 상태, 보다 상세하게는 각각의 IC 칩은 동 도면의 인서트(1016)의 IC 수용부(1019)에 떨어뜨려진 상태로 테스트 헤드(1104)의 상부로 반송된다.

테스트 트레이(TST)가 테스트 헤드(1104)에서 정지하면, Z축 구동장치(1060)가 하강하기 시작하고, 한 개의 푸셔(1030)가 한 개의 인서트(1016)에 대해 하강하게 된다. 이 때 도20에 도시하는 예에서는 두 개의 가압부(1062)에서 한 개의 푸셔(1030)가 가압된다. 그리고 도16에 도시하는 푸셔 베이스(1034)의 하면에 형성된 2개의 가이드핀(1032, 1032)은 인서트(1016)의 가이드구멍(1020, 1020)을 각각 관통하고, 또한 소켓 가이드(1040)의 가이드 부시(1041, 1041)에 끼워 맞추어진다.

이 상태를 도17 및 도18에 도시하였지만 테스트 헤드(1104 : 결국 전자부품 시험장치(1001)측)에 고정된 소켓(1050) 및 소켓 가이드(1040)에 대해 인서트(1016) 및 푸셔(1030)는 어느 정도의 위치오차를 갖고 있다. 그러나 푸셔 베이스(1034)의 좌측의 가이드핀(1032)이 인서트(1016)의 가이드구멍(1020)의 소직경 구멍에 끼워 맞춰짐으로써, 푸셔(1030)와 인서트(1016)의 위치맞춤이 행해지고, 그 결과 푸셔 베이스(1034)에 장착된 푸셔 블록(1031)은 X-Y방향에 대해 적절한 위치에서 IC 칩을 밀착시킬 수 있다.

또, 인서트(1016)의 좌측 가이드 구멍(1020)의 대직경 구멍을 소켓 가이드(1040)의 좌측 가이드 부시(1041)에 끼워 맞춤으로써 인서트(1016)와 소켓 가이드(1040)의 위치 맞춤이 행해지고, 이에 따라 IC 칩과 콘택트 핀(1051)의 X-Y방향에 대해 위치 정밀도가 높아지게 된다.

또한 인서트(1016)의 IC 수용부(1019)에 유지된 IC 칩은 푸셔(1030)에 의해 밀착시킬 때에 소켓(1050) 또는 소켓 가이드(1040)에 설치된 디바이스 가이드(1052)에 불러들여 위치결정(자세수정)되기 때문에, 입출력 단자와 콘택트 핀(1051)의 X-Y방향에 대한 위치맞춤을 고정밀도로 실현할 수 있게 된다.

이것에 대해 Z축 방향에 대해서는 푸셔 베이스(1034)의 스토퍼 가이드(1033)와 소켓 가이드(1040)의 스토퍼면(1042)이 맞닿았을 때의 IC 칩에 작용하는 하중이 문제가 되어, 너무 크면 IC 칩의 파손으로 이어지고, 너무 작으면 테스트 불능이 된다. 따라서 푸셔 베이스(1034)의 스토퍼 가이드(1033)와 푸셔 블록(1031)의 Z축 방향의 거리(Y)와, 콘택트 핀(1051)과 소켓 가이드(1040)의 소토퍼면(1042)의 Z축 방향의 거리(Z)를 정밀도 좋게 만들 필요가 있지만, 이것에도 한도가 있고, 또한 IC 칩 자체의 두께(X)도 크게 영향을 미친다.

그러나 본 실시예의 전자부품 시험장치(1001)에서는 푸셔의 스트로크를 관리하지 않고 푸셔 블록(1031)에 의한 하중을 관리함으로써 IC 칩에 대한 가압력을 균일화할 수 있다. 즉, 이들의 기준치수 X, Y, Z에 오차 △X, △Y, △Z가 생겼을 경우에도 푸셔 블록(1031)이 스프링(1036, 1036)으로부터의 작용에 의해 IC 칩에 대해 탄성력을 부여하면서 이들의 오차를 흡수한다. 따라서 IC 칩에 과도한 가압력이 작용한다든지, 역으로 가압력이 부족하게 된다든지 하는 현상을 방지할 수 있다.

또, 이러한 하중관리 이외에도 본 실시예에서는 푸셔 베이스(1031)에 히트싱크(1038)가 설치되어 있기 때문에, 테스트중에 IC가 자기발열해도 히트싱크(1038)에 흡수됨과 동시에 이곳으로부터 주위의 환경으로 달아나기 때문에, 특히 고온 테스트 등으로 문제가 되는 고열에 의한 IC의 파괴 또는 손상을 방지할 수 있다. 또 고온테스트에 한정되지 않고, 히트싱크(1038)의 흡방열 효과에 의해 자기발열에 의한 승온이 억제되기 때문에, 목적으로 하는 정확한 온도로 테스트를 행할 수 있고, 테스트 결과의 신뢰성이 향상된다.

또한 도16, 도17 및 도20에 도시하는 바와 같이 테스트 챔버(1102)에서는 그 풍향이 히트싱크(1038)에 대해 적절하게 작용하기 때문에 방열성이 보다 높아진다.

제11 실시예

본 실시예에 관한 전자부품 시험장치는 제10 실시예에 관한 전자부품 시험장치(1001)와 대략 동일하지만, 테스트 헤드에서의 IC의 측정수가 다르고, 이것에 따라 매치 플레이트(1061) 및 푸셔(1030)의 형상이 다르다. 또, 푸셔 베이스(1031)에 설치되는 히트싱크(1038)의 형상이 다르다.

즉, 상술한 제10 실시예의 매치 플레이트(1061)에서는 2행×8열인 것에 대해, 본 실시예에서는 도22 및 도23에 도시하는 바와 같이 4행×8열로 되어 있다. 이 때문에 도21에 도시하는 한 개의 푸셔(1030)는 도16에 도시하는 것에 대해 약 절반 만큼의 크기로 할 필요가 있기 때문에, 한 개의 스프링(1036)의 양측에 히트싱크(1038)를 설치하고 있다.

본 실시예에서도 푸셔 블록(1031)은 열전도성이 우수한 알루미늄이나 구리로 구성되고, IC 칩에 직접 접촉하기 때문에, 테스트중에 생기는 IC의 자기발열을 그대로 흡열하고, 이 푸셔 블록(1031)에 전해진 열을 히트싱크(1038)에서 흡열하고, 방열핀으로부터 주위로 방열함으로써, IC의 자기열에 의한 IC 칩의 파괴나 손상 혹은 온도조건의 변동을 방지할 수 있다.

제12 실시예

본 실시예에 관한 전자부품 시험장치는 제10 실시예에 관한 전자부품 시험장치(1001)와 대략 동일하지만, 도24 및 도25에 도시하는 바와 같이, 본 실시예에서는 푸셔 블록(1031)이 푸셔 베이스(1034)에 대해 고정되어 있고, 그 대신에 리드 푸셔 베이스(1035)의 가압부(1035a)와 푸셔 베이스(1034)의 사이에 스프링(1036, 1036)이 개장되어 있다. 즉, 가압부(1035a)는 리드 푸셔 베이스(1035)에 대해 Z축 방향으로 가동하게 되어 있다.

또, Z축 구동장치(1060)의 하사점 위치에서는 푸셔 베이스(1034)의 스토퍼 가이드(1033)와 소켓 가이드(1040)의 스토퍼면(1042)은 맞닿지 않는 치수로 되고, Z축 구동장치(1060)의 하사점 위치는 상기 Z축 구동장치(1060)의 프레임과 테스트 헤드의 스토퍼 포스트(1104a)가 맞닿음으로써 위치결정된다.

따라서 Z축 구동장치(1060)를 하강시켜 그 가압부(1062)로 리드 푸셔 베이스(1035)의 가압부(1035a)를 밀착시키면, IC 칩은 콘택트 핀(1051)으로부터 위쪽 방향의 힘을 받는 동시에, 스프링(1036)에 의한 아래쪽 방향의 힘을 받게 되고, 이들 양쪽의 밸런스를 조절함으로써 IC 칩에 작용하는 하중을 적절한 값으로 조절할 수 있다.

이러한 실시예에서는 푸셔 베이스(1034)에 푸셔 블록(1031)을 일체적으로 형성할 수 있기 때문에, 푸셔 베이스(1034)의 꼭대기면에 히트싱크(1038)를 장착하는 것이 바람직하다. 이것에 의해 테스트중에 생긴 IC의 자기발열은 푸셔블록(1031) 및 푸셔베이스(1034)를 통해서 히트싱크(1038)로 전달되고, 여기에서부터 주위로 방열되기 때문에, IC의 자기발열에 의한 IC 칩의 파괴나 손상 혹은 온도조건의 변동을 방지할 수 있다.

그리고 히트싱크(1038)는 푸셔 베이스(1034)에 대해 일체로 성형해도 좋다.

특히 본 실시예에서는 IC 칩에 접촉하는 것이 푸셔 블록(1031) 및 푸셔 베이스(1034)라고 했던 열용량이 큰 부재이기 때문에, 자기발열량이 현저하게 큰 IC 칩이어도 충분히 방열시킬 수 있다.

또, 본 실시예에서는 예를 들면 푸셔 블록(1031)과 히트싱크(1038)의 사이에 펠티에 소자를 개장하고, 이 펠티에 소자에 IC온도에 따라 소정 방향의 전류를 흐르게 함으로써 적절한 온도관리를 실현할 수 있다.

제13 실시예

본 실시예의 전자부품 시험장치의 전체구성은 제10 실시예에 관한 전자부품 시험장치(1001)와 대략 동일하지만 이하의 점에서 다르다.

본 실시예에서는 도27에 도시하는 바와 같이 매치 플레이트(2120)의 푸셔(2121)의 사이에 복수의 통공(2122 : 이하 제2 통공이라고 한다)이 형성되어 있다. 또, 도26에 도시하는 바와 같이 매치 플레이트(2120)의 직상부에 위치하는 Z축 구동장치(2110)의 위치에도 복수의 통공(2112 : 이하 제1 통공이라고 한다)이 형성되어 있다. 이러한 제1 및 제2 통공(2112, 2122)의 형상, 수량 또는 설정위치는 특별히 한정되지 않는다. 본 실시예에서는 도27에 도시되는 바와 같이, 4개의 푸셔(2121)에 둘러싸여지도록 한 개의 제2 통공(2122)을 형성하고, 매치 플레이트(2120) 전체로서도 제2 통공(2122)이 거의 균등하게 위치하도록 형성되어 있다.

또, 도26에 도시하는 바와 같이, 테스트 챔버(2102 : 또는 소크 챔버로 이동해도 좋다)의 상면 코너부에는 온도 인가 유닛(2130)이 설치되어 있고, 이 유닛(2130)의 내부에는 고온인가를 행하기 위한 히터(2131)와, 저온인가를 행하기 위한 액체질소의 토출노즐(2132)과, 이들 온풍 또는 냉풍을 챔버(2102)내에 공급하는 스크롤핀(2133)이 설치되어 있다. 또, 유닛(2130)에는 온풍 또는 냉풍이 동 도면의 흰색화살표로 도시되는 바와 같이 흘러내리도록 공급구(2134)와 흡입구(2135)가 형성되어 있다.

본 실시예에서는 온도인가 유닛(2130)으로부터 온풍 또는 냉풍 등의 가스흐름을 공급하지만, 이 가스흐름은 도26에 도시하는 바와 같이 테스트 챔버(2102)의 천정면을 따라서 흐를 때, 그 일부가 Z축 구동장치(2110)에 형성된 제1 통공(2112) 및 매치 플레이트(2120)에 형성된 제2 통공(2122)을 통해서 직접 히트싱크 또는 IC 칩에 내뿜어진다. 그 밖의 가스흐름은 테스트 챔버(102)의 우측벽을 따라서 회전하고, 매치 플레이트(2120)와 테스트 트레이(TST)의 간격을 통해서 유닛(2130)의 흡입구(2135)로 되돌아간다.

즉, 본 실시예의 전자부품 시험장치에서는 온도인가 유닛(2130)의 공급구(2134)에서 토출한 온풍 또는 냉풍 등의 가스흐름을 평면적으로 탑재된 복수의 피시험 IC 칩에 대해 병렬적으로 내뿜을 수 있기 때문에, 각 피시험 IC 칩에 공급되는 열량이 균등하게 되고, 복수의 피시험 IC 칩의 온도승강시간이 균등해진다. 이것에 의해 예를 들면 64개의 피시험 IC 칩을 탑재해도 온도 불균일 현상을 방지할 수 있고, 그 결과 온도승강시간을 단축할 수 있다. 또, IC 칩의 자기발열에 의한 온도분포의 불균일도 피할 수 있다.

제14 실시예

본 실시예의 전자부품 시험장치의 전체 구성은 제10 실시예에 관한 전자부품 시험장치(1001)와 대략 동일하지만, 이하의 점에서 다르다.

도28에 도시하는 바와 같이, 본 실시예에서는 Z축 구동장치(3060)의 하면에 구비되어 있는 한쌍의 가압부(3062) 사이에 노즐(3000)이 구비되어 있다. 노즐(3000)에는 온도제어된 가스(예를 들면 냉각풍)가 유통하는 유로(3002)와, 한 쌍의 토출구가 형성되어 있다. 각 토출구로부터는 매치 플레이트(3061)에 유지되어 있는 리드 푸셔 베이스(3035)에 연결된 푸셔 베이스(3034) 상에 구비되어 있는 각 히트싱크(3038)를 향하여 온도제어용 가스를 토출되도록 되어 있다.

온도제어용 가스는 챔버 내를 순환하여 IC 칩을 시험온도로 하기 위한 가스흐름과 동일 온도의 가스흐름이어도 좋지만, 다른 온도의 가스흐름이어도 좋다. 이 온도제어용 가스는 IC 칩의 자기발열에 의한 온도상승을 저감하는 냉각풍인 것이 바람직하다.

본 실시예에서는 상기 제10 실시예와 동일하게 푸셔 블록(3031)은 열전도성이 우수한 알루미늄이나 구리로 구성되고, 소켓(3050)에 수용된 IC 칩에 직접 접촉한다. 이 때문에, 테스트중에 생기는 IC 칩의 자기발열에 의한 열량은 푸셔 블록(3031)에 전달되고, 여기에서 푸셔 베이스(3034)를 통해서 또는 직접 히트싱크(3038)로 전달된다. 히트싱크(3038)에는 노즐(3000)의 토출구로부터 온도제어용 가스(냉각풍)가 내뿜어지고, 그래서 강제냉각된다. 이 때문에, 히트싱크(3038)의 방열핀으로부터 급속하게 방열되고, IC 칩의 자기발열에 의해 IC 칩의 온도가 시험온도 범위에서 벗어나는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.

그리고, 노즐(3000)은 Z축 구동장치(3060)가 아닌, 매치 플레이트(3061)에 구비시켜도 좋다.

그 밖의 실시예

그리고, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 범위내에서 다양하게 변형할 수 있다.

예를 들면 본 발명에 관한 전자부품 시험장치에 의해 시험되는 부품으로서는 IC 칩에 한정되지 않고, 그 밖의 전자부품이어도 좋다.

본 발명에 따르면, 전자부품에 대한 시험시에 시험중인 전자부품이 자기발열을 하더라도, 전술한 가압기구, 접속단자, 또는 소켓 등을 통해 전자부품을 냉각할 수 있고, 또한, 전자부품의 온도상승을 온도센서가 검지하여, 전자부품의 온도가 필요이상으로 상승한 경우, 전자부품에 직접 또는 간접으로 공기등의 냉각매체를 내뿜음으로써, 전자부품을 냉각할 수 있다. 그 결과, 시험중인 전자부품의 자기발열에 의한 영향을 제거하여 전자부품을 설계대로 소정 온도에서 시험할 수 있다는 효과를 갖는다.

Claims

시험해야 할 전자부품이 착탈 자유롭게 접속되는 접속단자와,

상기 접속단자에 전자부품이 접속되도록 이 전자부품을 상기 접속단자 방향으로 밀착시키는 가압기구와,

상기 가압기구에 장착되어 있고, 상기 전자부품을 냉각하는 냉각장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
시험해야 할 전자부품이 착탈 자유롭게 접속되는 접속단자와,

상기 접속단자를 직접 또는 간접적으로 냉각하는 냉각장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
시험해야 할 전자부품이 착탈 자유롭게 접속되는 접속단자를 갖는 소켓과,

상기 소켓을 직접 또는 간접적으로 냉각하는 냉각장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자부품이 착탈 자유롭게 접속되는 상기 접속단자의 주위 분위기 온도를 일정하게 하기 위한 챔버를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 냉각장치가 전기의 통전에 의해 냉각을 행하는 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 냉각장치가 상기 전자부품의 주위에 냉각매체를 내뿜는 냉각매체 토출수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 냉각장치가 냉각매체의 내뿜기에 의해 냉각효율을 높이기 위한 열교환용 요철을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제7항에 있어서, 상기 열교환용 요철이 흡방열체인 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
시험해야 할 전자부품이 착탈 자유롭게 접속되는 접속단자를 갖는 소켓과,

상기 접속단자에 전자부품이 접속되도록 상기 전자부품의 제1면에 접촉하고, 상기 전자부품을 상기 접속단자 방향으로 내뿜는 가압기구와,

상기 소켓측에 배치되어 있고, 상기 제1면과 반대측 전자부품의 제2면의 온도를 계측하는 온도센서와,

상기 전자부품의 주위에 냉각매체를 내뿜는 냉각매체 토출수단을 갖는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제9항에 있어서, 상기 온도센서는 접촉식 온도센서 및 비접촉식 온도센서 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
시험해야 할 전자부품이 착탈 자유롭게 접속되는 접속단자를 갖는 소켓과,

상기 접속단자에 전자부품을 접속하도록 이 전자부품의 제1면에 접촉하고, 상기 전자부품을 상기 접속단자에 밀착시키는 가압기구와,

상기 소켓측에 배치되고, 상기 제1면과 반대측 전자부품의 제2면에 냉각매체를 내뿜는 냉각매체 토출수단을 갖는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
시험해야 할 전자부품이 착탈 자유롭게 접속되는 접속단자를 갖는 소켓과,

상기 접속단자에 전자부품을 접속하도록 이 전자부품을 상기 접속단자 방향으로 밀착시키는 가압기구와,

상기 가압기구의 외주에 배치되고, 상기 가압기구의 측면에 냉각매체를 내뿜는 냉각매체 토출수단을 갖는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제12항에 있어서, 상기 가압기구의 외주면에는 열교환 효율을 높이기 위한 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
시험해야 할 전자부품이 착탈 자유롭게 접속되는 접속단자를 갖는 소켓과,

상기 접속단자에 전자부품을 접속하도록 이 전자부품의 제1면에 접촉하여, 상기 전자부품을 상기 접속단자 방향으로 밀착시키는 가압기구와,

상기 가압기구측에 배치되어 있고, 상기 전자부품의 제1면의 온도를 계측하는 비접촉식 온도센서와,

상기 전자부품의 주위에 냉각매체를 내뿜는 냉각매체 토출수단을 갖는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
시험해야 할 전자부품이 착탈 자유롭게 접속되는 접속단자를 갖는 소켓과,

상기 접속단자에 전자부품을 접속하도록 이 전자부품을 상기 접속단자 방향으로 밀착시키는 가압기구와,

상기 가압기구측에 배치되어 있고, 상기 가압기구의 온도를 계측하는 비접촉식 온도센서와,

상기 전자부품의 주위에 냉각매체를 내뿜는 냉각매체 토출수단을 갖는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제9항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가압기구가 흡착패드의 하부에 장착된 흡착노즐을 갖고, 상기 흡착헤드가 로터리 아암에 장착되어 있으며, 상기 로터리 아암이 회전축의 주위에 회전 자유롭게 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
전자부품을 유지 또는 가압하여 테스트 헤드의 콘택트부에 접근 및 원격 이동시키는 가압기구와,

상기 가압기구에 설치된 온도센서와,

상기 가압기구에 설치된 상기 온도센서의 제1 단자와,

상기 콘택트부측에 설치되고, 상기 가압기구의 이동에 따라 상기 온도센서의 제1 단자에 접촉 또는 비접촉이 되는 제2단자를 갖는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
전자부품을 유지 또는 가압하여 테스트 헤드의 콘택트부에 접근 및 원격 이동시키는 가압기구와,

상기 가압기구에 설치된 온도센서와,

상기 가압기구에 설치된 상기 온도센서의 제1 단자와,

상기 콘택트부측에 설치되고, 상기 가압기구의 이동에 따라 상기 온도센서의 제1단자에 접촉 또는 비접촉이 되는 제2 단자와,

상기 가압기구에 유지된 전자부품이 상기 콘택트부에 밀착된 상태에서 상기 전자부품에 냉각풍을 내뿜는 에어블로우유닛을 갖는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 제1 단자 및 제2 단자의 적어도 한쪽이 상기 가압기구의 이동방향으로 이동가능하게 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제18항에 있어서, 상기 에어블로우유닛은 상기 콘택트부의 주위에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제20항에 있어서, 상기 에어블로우유닛은 상기 콘택트부에 밀착된 전자부품에 대해서 거의 수평으로 냉각풍을 토출하는 냉각풍 통로를 갖는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
트레이에 탑재한 상태에서 복수의 전자부품 단자를 테스트 헤드의 콘택트부에 밀착시켜 테스트를 행하기 위한 트레이와,

상기 트레이에 유지된 복수의 전자부품을 콘택트부 방향으로 가압하는 가압기구와,

상기 가압기구에 설치된 흡방열체를 갖는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제22항에 있어서, 상기 가압기구가 상기 콘택트부에 대해 접근 및 원격 이동이 가능하게 설치된 푸셔 베이스와,

상기 푸셔 베이스에 일체 또는 별체로 설치되어 상기 콘택트부의 반대면에서 상기 전자부품에 접촉하여 이것을 가압하는 푸셔 블록을 갖는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제22항에 있어서, 상기 흡방열체가 상기 가압기구 중 적어도 일부와 일체로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제23항에 있어서, 상기 푸셔 블록이 상기 푸셔 베이스와는 별체로 구성되고, 상기 푸셔 블록에 대해 상기 전자부품의 가압방향으로 탄성력을 부여하는 탄성체를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제25항에 있어서, 상기 흡방열체는 상기 탄성체의 사이에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제25항에 있어서, 상기 흡방열체는 상기 탄성체의 양측에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제22항에 있어서, 상기 흡방열체에 대해 상기 전자부품을 소정 온도로 하기 위한 챔버내의 가스흐름을 내뿜도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제28항에 있어서, 상기 가압기구에는 상기 전자부품을 소정 온도로 하기 위한 챔버내의 가스흐름을 상기 흡방열체 방향으로 유도하기 위한 통로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.
제22항에 있어서, 상기 가압기구에는 상기 전자부품을 소정 온도로 하기 위한 챔버내의 가스흐름과는 별도의 온도제어용 가스를 상기 흡방열체 방향으로 유도하기 위한 노즐이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품 시험장치.