KR20140080750A - 반도체 소자 테스트 장치 - Google Patents

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KR20140080750A
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윤형섭
임종원
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김성일
강동민
남은수
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한국전자통신연구원
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치는 테스트를 위한 반도체 소자가 실장된 패키지가 수용되는 제 1 소켓, 및 상기 제 1 소켓과 결합하는 제 2 소켓을 포함하되, 상기 제 1 소켓은 상기 패키지를 수용하기 위한 홀이 형성되고, 상기 홀의 양측단에 상기 패키지의 입력 및 출력단자를 거치하기 위한 단자 패드가 형성되는 상단부, 및 상기 반도체 소자에 열을 가하기 위한 히터를 수용하는 히팅룸이 형성되고, 상기 히팅룸 내부에 상기 반도체 소자의 온도를 측정하기 위한 온도 감지부가 배치되는 하단부를 포함하고, 상기 제 2 소켓은 외부 전원으로부터 상기 테스트 신호를 전달받기 위한 패턴이 형성되는 프로브 카드를 포함한다.

Description

반도체 소자 테스트 장치{TEST DEVICE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 소자 테스트 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 전기적 특성 및 신뢰성을 테스트할 수 있는 반도체 소자 테스트 장치에 관한 것이다.
Si 반도체소자는 전체 반도체 시장의 약 90~95%를 차지할 정도로 수요가 많고, 다양한 종류의 반도체 소자가 생산되고 있다. 각각의 Si 반도체 소자는 표준화된 패키지 형태를 갖는다. 패키지된 Si 반도체소자의 성능 평가를 위한 테스트 장치도 표준화된 형태로 상용화되고 있다. 따라서, 상온에서 Si 반도체 소자의 전기적 특성은 표준화된 테스트 장치를 이용하여 측정하며, Si 반도체 소자의 신뢰성은 표준화된 신뢰성 테스트 장치를 이용하고 있다.
AlGaN/GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor; 고 전자 이동도 트랜지스터) 소자는 고출력이 요구되는 분야에 많이 사용되는 전력반도체 소자이다. 전력반도체 소자는 출력이 수 W ~ 100W 또는 그 이상으로 높기 때문에 많은 열이 발생한다. 따라서, 열 방출이 잘 되어야 하며, RF HEMT인 경우에는 기생 인덕턴스가 작아야 한다.
전력반도체 소자의 성능을 테스트하기 위해 여러 가지 테스트가 수행된다. 화합물 기반 전력반도체 소자는 Si 기반 반도체 소자와 달리 다품종 다량생산이 아닌 다품종 소량생산 규모이므로 표준화된 패키지가 없다. 테스트 장치 또한 표준화된 상용품이 없고, 제조사 별로 시험용 지그(jig)를 제작하여 상온에서 전기적 특성을 측정하고 있는 실정이다. 또한, 고온에서의 신뢰성 테스트 시에는, 히터에 의해 가해지는 열과 반도체 소자 동작 중에 발생되는 열에 의하여 반도체 소자의 접합온도가 약 250~300℃ 까지 상승한다. 이러한 온도 증가는 테스트 장치의 내구성에 영향을 미칠 수 있다. 그리고, 고온에서의 신뢰성 테스트를 위한 테스트 장치는 동작주파수가 수 GHz ~ 수십 GHz로 높기 때문에 지그 제작이 상당히 어려운 문제가 있다.
본 발명의 목적은 고온에서 전력반도체 소자의 신뢰성 테스트 및 전기적 특성 테스트가 가능한 반도체 소자 테스트 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치는 테스트를 위한 반도체 소자가 실장된 패키지가 수용되는 제 1 소켓, 및 상기 제 1 소켓과 결합하는 제 2 소켓을 포함하되, 상기 제 1 소켓은 상기 패키지를 수용하기 위한 홀이 형성되고, 상기 홀의 양측단에 상기 패키지의 입력 및 출력단자를 거치하기 위한 단자 패드가 형성되는 상단부, 및 상기 반도체 소자에 열을 가하기 위한 히터를 수용하는 히팅룸이 형성되고, 상기 히팅룸 내부에 상기 반도체 소자의 온도를 측정하기 위한 온도 감지부가 배치되는 하단부를 포함하고, 상기 제 2 소켓은 외부 전원으로부터 상기 테스트 신호를 전달받기 위한 패턴이 형성되는 프로브 카드를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 단자 패드는 절연성이며 200℃ 내지 250℃의 온도에 대한 내열성 재질로 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 온도 감지부는 열전대(thermocouple)일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 프로브 카드는 상기 테스트 신호를 상기 패키지의 입력 단자에 전달하는 적어도 하나의 컨택핀을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 프로브 카드는 FR-5 또는 세라믹 기판으로 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 컨택핀은 텅스텐핀 또는 포고핀일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 반도체 소자는 AlGaN 또는 GaN HEMT 소자일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제 1 및 제 2 소켓은 알루미늄으로 구성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치는 베이스 소켓 및 커버 소켓을 포함하는 반도체 소자 테스트 장치에 있어서, 상기 베이스 소켓은 상부로 돌출되는 볼록부를 포함하고, 상기 볼록부에는 상기 반도체 소자를 수용하기 위한 홀이 형성되고, 상기 홀 하부에는 상기 반도체 소자에 열을 가하기 위한 히팅룸이 형성되고, 상기 커버 소켓은 상기 볼록부와 결합되는 오목부를 포함하고, 상기 오목부에는 상기 반도체 소자에 테스트 신호를 인가하기 위한 프로브 카드가 배치된다.
일 실시예에서, 상기 히팅룸은 상기 홀과 접촉하도록 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 히팅룸 내부에는 상기 반도체 소자의 온도를 측정하기 위한 열전대(thermocouple)가 상기 홀과 접촉하여 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 홀 양측단에는 상기 반도체 소자의 입출력단자가 배치되는 단자 패드가 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 프로브 카드와 연결되고, 상기 테스트 신호를 상기 반도체 소자의 입출력단자에 전달하는 적어도 하나의 컨택핀이 상기 볼록부 방향으로 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 컨택핀은 텅스텐핀 또는 포고핀일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치는 고온에서의 반도체 소자의 전기적 특성 및 신뢰성을 테스트할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치는 히터와 프로브 기판이 각각 베이스 소켓과 커버 소켓에 분리 배치되므로 열에 의한 프로브 기판의 손상을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치는 반도체 소자의 하부를 가열하므로 가열 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치를 보여준다.
도 2는 도 1의 베이스 소켓을 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 베이스 소켓의 단면도를 보여준다.
도 4는 도 2의 베이스 소켓에 반도체 소자가 실장된 패키지가 배치된 상태를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 4의 패키지를 보여준다.
도 6은 도 1의 커버 소켓을 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 커버 소켓의 단면도를 보여준다.
도 8 및 도 9는 도 7의 프로브 기판 부분을 확대하여 보여주는 확대도이다.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 발명은 반도체 소자 테스트 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 전기적 특성 및 신뢰성을 테스트할 수 있는 반도체 소자 테스트 장치에 관한 것이다. 이하에서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치를 보여준다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치(100)는 베이스 소켓(110) 및 커버 소켓(120)을 포함할 수 있다. 베이스 소켓(110) 및 커버 소켓(120)은 예를 들어, 알루미늄(Al)으로 구성될 수 있다.
베이스 소켓(110)에는 테스트를 위한 패키지(130)가 수용될 수 있다. 반도체 소자는 패키지(130) 내부에 실장되어 테스트된다. 반도체 소자는 화합물 기반 전력반도체 소자일 수 있다. 반도체 소자는 예를 들어, AlGaN(Aluminium Gallium Nitride) 또는 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) 소자일 수 있다.
베이스 소켓(110)은 상단부(111) 및 하단부(112)로 구성될 수 있다.
상단부(111)에는 패키지(130)를 수용하기 위한 홀(111a)이 형성된다. 테스트를 위해 패키지(130)는 홀(111a) 내부로 삽입될 것이다. 홀(111a)의 양 측단에는 패키지(130)의 입력 및 출력 단자를 거치하기 위한 적어도 하나의 단자 패드(111b)가 형성된다.
하단부(112)에는 패키지(130)에 열을 가하기 위한 열원(112b)을 수용하는 히팅룸(112a)이 형성된다. 예를 들어, 히팅룸(112a)은 홀(111a)과 접촉하도록 형성될 수 있다. 히팅룸(112a) 내부의 열원(112b)의 온도가 높아질수록 더 많은 열이 홀(111a)을 통해 패키지(130)에 전달될 것이다. 따라서, 패키지(130)에 실장된 반도체 소자의 온도가 증가할 것이다. 반도체 소자에 열이 가해지면 반도체 소자의 수명(즉, 신뢰성)이 짧아질 수 있다. 이는 일 측면에서, 반도체 소자의 고장 시간이 단축되는 것으로 이해될 수 있다. 단축된 고장 시간을 기초로 상온에서의 반도체 소자의 수명(즉, 신뢰성)이 산출될 수 있다. 히팅룸(112a) 내부에는 패키지(130)에 실장된 반도체 소자의 온도를 측정하기 위한 온도 감지부(112c)가 배치될 수 있다. 온도 감지부(112c)는 반도체 소자의 온도를 측정하여 외부로 출력할 수 있다.
커버 소켓(120)은 베이스 소켓(110)과 결합될 수 있다. 커버 소켓(120)은 외부 전원으로부터 테스트 신호를 전달받기 위한 패턴이 형성되는 프로브 카드(121)를 포함할 수 있다. 테스트 신호는 예를 들어, 전압 또는 전류를 의미할 수 있다. 전기적 특성은 예를 들어, 패키지(130)의 전압, 전류 특성을 의미할 수 있다. 외부 전원으로부터 전달되는 테스트 신호는 프로브 카드(121)를 통해 패키지(130)의 입력 단자에 전달될 것이다. 패키지(130)의 입력 및 출력 단자는 내부에 실장된 반도체 소자와 전기적으로 연결될 수 있다. 반도체 소자의 전압 및/또는 전류 출력 신호는 패키지(130)의 출력 단자를 통해 프로브 카드(121)로 전달될 것이다. 한편, 반도체 소자가 테스트 신호를 전달받아 동작함에 따라, 패키지(130) 자체적으로 열이 발생될 수 있다.
커버 소켓(120) 상부에는 예를 들어, 방열판(미도시)이 배치될 수 있다. 방열판은 베이스 소켓(110)으로부터 방출되는 열을 차단할 수 있다. 방열판은 예를 들어, 알루미늄 방열판, 구리 방열판, 동 방열판, 철 방열판 등이 사용될 수 있다.
베이스 소켓(110) 및 커버 소켓(120)은 서로 분리되어 배치될 수 있다. 베이스 소켓(110) 및 커버 소켓(120)은 반도체 소자의 테스트를 위해 서로 결합되는 구조를 가질 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치(100)의 베이스 소켓(110) 및 커버 소켓(120)은 서로 분리되어 배치될 수 있다. 베이스 소켓(110)은 히팅룸(112a)의 열원(112b)을 통해 반도체 소자의 온도를 증가시킬 수 있다. 따라서, 고온에서의 반도체 소자의 전기적 특성 및 신뢰성을 테스트할 수 있다. 또한, 반도체 소자 테스트 장치(100)는 열원(112b)과 프로브 카드(121)가 각각 베이스 소켓(110)과 커버 소켓(120)에 분리 배치되므로 열에 의한 프로브 카드(121)의 손상을 방지할 수 있다. 따라서, 반도체 소자의 테스트의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이하의 도 2 내지 도 9를 통해 베이스 소켓(110) 및 커버 소켓(120)이 더욱 구체적으로 설명될 것이다.
도 2는 도 1의 베이스 소켓을 보여주는 평면도이다.
도 2를 참조하면, 베이스 소켓(110)은 상단부(111) 및 하단부(112)로 구성될 수 있다.
상단부(111)는 하단부(112)의 중심부에 배치될 수 있다. 하지만, 상단부(111)의 배치는 이에 한정되는 것은 아니다. 상단부(111)에는 패키지(130)를 수용하기 위한 홀(111a)이 형성된다. 홀(111a)은 상단부(111)에서 하단부(112) 방향으로 식각되어 형성될 수 있다. 홀(111a)의 장축 및 단축은 패키지(130)를 수용하는데 충분한 길이로 설계될 수 있다. 장축은 I-I'축과 수직한 방향의 축을 의미한다. 단축은 I-I'축과 평행한 방향의 축을 의미한다.
홀(111a)의 양 측단에는 패키지(130)의 입력 및 출력 단자를 거치하기 위한 단자 패드(111b)가 형성된다. 단자 패드(111b)는 예를 들어, I-I'축과 나란한 방향으로 형성될 수 있다.
도 3은 도 2의 베이스 소켓의 단면도를 보여준다.
도 3을 참조하면, 베이스 소켓(110)을 도 2에 도시된 I-I'축을 따라 절단한 단면도가 도시된다. 도 2를 참조하여 설명한 것과 중복되는 내용은 생략될 수 있다.
베이스 소켓(110)은 중심부가 볼록하게 형성될 수 있다. 즉, 베이스 소켓(110)은 상단부(111) 및 하단부(112)를 포함할 수 있다.
홀(111a)은 예를 들어, 상단부(111)와 하단부(112)가 접하는 부분까지 식각되어 형성될 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 홀(111a)은 반도체 소자가 실장된 패키지(130)가 수용될 수 있을 정도의 깊이로 식각되면 충분하다. 홀(111a)의 양 측단에 형성되는 단자 패드(111b)는 홀(111a)의 식각 방향과 동일한 방향으로 소정 깊이 식각되어 형성될 수 있다. 단자 패드(111b)는 절연성 소재로 형성될 수 있다. 또한, 단자 패드(111b)는 약 200℃ 내지 250℃의 온도에 대한 내열성 소재로 형성될 수 있다.
하단부(112)에는 패키지(130)에 열을 가하기 위한 열원(112b)을 수용하는 히팅룸(112a)이 형성된다. 예를 들어, 히팅룸(112a)은 홀(111a)의 하단부와 접촉하도록 형성될 수 있다. 따라서, 히팅룸(112a)은 반도체 소자의 하부를 가열할 수 있으므로 가열 효율을 향상시킬 수 있다.
히팅룸(112a) 내부에는 열원(112b) 및 온도 감지부(112c)가 배치될 수 있다.
열원(112b)은 예를 들어, 히터일 수 있다. 열원(112b)은 외부로부터 공급되는 동작 전압(Vd)을 이용하여 구동될 수 있다. 열원(112b)의 온도는 무선 또는 유선을 통해 외부에서 제어될 수 있다. 열원(112b)의 온도가 높아질수록 더 많은 열이 홀(111a)을 통해 패키지(130)에 전달될 것이다. 따라서, 패키지(130)에 실장된 반도체 소자의 온도를 증가시킬 수 있다.
온도 감지부(112c)는 반도체 소자의 온도를 측정하여 외부로 출력(Dout)할 수 있다. 예를 들어, 온도 감지부(112c)는 열전대(thermocouple)로 구성될 수 있다. 온도 감지부(112c)는 홀(111a)의 하단부와 접촉하도록 배치될 수 있다.
도 4는 도 2의 베이스 소켓에 반도체 소자가 실장된 패키지가 배치된 상태를 보여주는 평면도이다. 도 5는 도 4의 반도체 소자가 실장된 패키지를 보여준다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 테스트를 위해 패키지(130)는 홀(111a) 내부로 삽입되어 배치될 수 있다.
패키지(130)는 입력 단자(131), 출력 단자(132), 접지 단자(133), 및 패키지 커버(134)로 구성될 수 있다. 패키지(130)는 입력 단자(131)를 통해 외부로부터 테스트 신호를 입력받는다. 패키지(130)는 출력 단자(132)를 통해 반도체 소자의 전압 및/또는 전류 출력 신호를 외부로 전달한다. 접지 단자(133)는 접지에 연결될 수 있다. 패키지(130)의 입력 단자(131) 및 출력 단자(132)는 단자 패드(111b)에 배치될 수 있다.
도 6은 도 1의 커버 소켓을 보여주는 평면도이다.
도 6을 참조하면, 커버 소켓(120)은 프로브 카드(121) 및 커넥터(122)를 포함할 수 있다.
프로브 카드(121) 및 커넥터(122)는 J-J'축과 수직한 방향으로 커버 소켓(120)으로부터 돌출될 수 있다. 프로브 카드(121)에는 외부 전원으로부터 테스트 신호를 전달받기 위한 패턴이 형성된다. 테스트 신호는 후술되는 컨택핀(미도시)을 통해 패키지(130)의 입력 단자에 전달될 것이다. 프로브 카드(121)는 예를 들어, 수직형 프로브 카드 또는 MEMS(Micor Electro Mechanical Systems) 프로브 카드가 사용될 수 있다. 프로브 카드(121)는 내열성이 좋은 FR-5 또는 세라믹 기판으로 구성될 수 있다.
커넥터(122)는 외부 전원과 연결되어 외부 전원으로부터 테스트 신호를 공급받을 수 있다. 커넥터(122)는 공급되는 테스트 신호를 프로브 카드(121)로 전달할 것이다.
도 7은 도 6의 커버 소켓의 단면도를 보여준다.
도 7을 참조하면, 커버 소켓(120)을 도 6에 도시된 J-J'축을 따라 절단한 단면도가 도시된다. 도 6을 참조하여 설명한 것과 중복되는 내용은 생략될 수 있다.
커버 소켓(120)은 중심부가 오목하게 형성될 수 있다. 따라서, 커버 소켓(120)은 도 3에 도시된 베이스 소켓(110)과 맞물려서 결합될 수 있다.
커버 소켓(120)은 프로브 카드(121)를 포함할 수 있다. 프로브 카드(121)는 적어도 하나의 컨택핀(123)을 포함할 수 있다.
프로브 카드(121)는 커버 소켓(120)의 오목하게 형성된 부분에 배치될 수 있다. 상술한 바와 같이, 프로브 카드(121)는 커넥터(미도시)를 통해 외부 전원으로부터 테스트 신호를 전달받을 것이다.
컨택핀(123)은 프로브 카드(121)와 연결된다. 컨택핀(123)의 개수는 한정되지 않으며, 필요에 따라 복수 개의 컨택핀(123)이 프로브 카드(121) 위에 배치될 수 있다. 컨택핀(123)은 테스트 신호를 패키지(130)의 입력 단자에 전달할 수 있다. 예를 들어, 베이스 소켓(110) 및 커버 소켓(120)이 결합되는 경우 컨택핀(123)은 패키지(130)의 입력 단자 및 출력 단자와 접속될 것이다.
도 8 및 도 9는 도 7의 프로브 카드 부분을 확대하여 보여주는 확대도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 프로브 카드(121)는 예를 들어, 2개의 컨택핀(123)을 포함할 수 있다. 하지만, 컨택핀(123)의 개수는 이에 한정되는 것은 아니며, 패키지(130)의 단자에 따라 필요한 수로 설계될 수 있다.
컨택핀(123)은 각각 패키지(130)의 입력 단자 및 출력 단자와 접속될 수 있다. 컨택핀(123)은 베이스 소켓(110)의 단자 패드(111b)에 대응하는 위치에 배치될 수 있다. 컨택핀(123)은 예를 들어, 텅스텐핀 또는 포고핀(pogo pin)이 사용될 수 있다. 텅스텐핀은 탄성이 있는 텅스텐을 사용하고, 포고핀은 내부에 용수철이 있으므로 패키지(130)의 입력 및 출력 단자와의 컨택(contact)을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치는 히터와 프로브 기판이 각각 베이스 소켓과 커버 소켓에 분리 배치되므로 열에 의한 프로브 기판의 손상을 방지할 수 있다. 나아가, 반도체 소자 테스트 장치는 반도체 소자의 하부를 가열하므로 가열 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치는 상온에서의 반도체 소자의 전기적 특성 테스트 뿐만 아니라, 고온에서의 반도체 소자의 수명 테스트 및 번-인 테스트에 사용될 수 있다. 나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치는 RF 디바이스들에서 사용되는 CMC(Copper Molybdenum Copper) 패키지, 세라믹/금속 플랜지(Ceramic/metal flange) 패키지, 및 버터플라이(Butterfly) 패키지의 테스트에도 사용될 수 있다.
본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위와 기술적 사상에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 반도체 소자 테스트 장치 111a: 홀
110: 베이스 소켓 111b: 단자 패드
120: 커버 소켓 112a: 히팅룸
130: 패키지 112b: 히터
111: 상단부 112c: 온도 감지부
112: 하단부 131: 입력 단자
121: 프로브 기판 132: 출력 단자
122: 커넥터 133: 접지
123: 컨택핀 134: 패키지 커버

Claims (14)

  1. 테스트를 위한 반도체 소자가 실장된 패키지가 수용되는 제 1 소켓; 및
    상기 제 1 소켓과 결합하는 제 2 소켓을 포함하되,
    상기 제 1 소켓은 상기 패키지를 수용하기 위한 홀이 형성되고, 상기 홀의 양측단에 상기 패키지의 입력 및 출력단자를 거치하기 위한 단자 패드가 형성되는 상단부; 및
    상기 반도체 소자에 열을 가하기 위한 히터를 수용하는 히팅룸이 형성되고, 상기 히팅룸 내부에 상기 반도체 소자의 온도를 측정하기 위한 온도 감지부가 배치되는 하단부를 포함하고,
    상기 제 2 소켓은 외부 전원으로부터 상기 테스트 신호를 전달받기 위한 패턴이 형성되는 프로브 카드를 포함하는 반도체 소자 테스트 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단자 패드는 절연성이며 200℃ 내지 250℃의 온도에 대한 내열성 재질로 형성되는 반도체 소자 테스트 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도 감지부는 열전대(thermocouple)인 반도체 소자 테스트 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로브 카드는 상기 테스트 신호를 상기 패키지의 입력 단자에 전달하는 적어도 하나의 컨택핀을 포함하는 반도체 소자 테스트 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 프로브 카드는 FR-5 또는 세라믹 기판으로 구성되는 반도체 소자 테스트 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 컨택핀은 텅스텐핀 또는 포고핀인 반도체 소자 테스트 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 AlGaN 또는 GaN HEMT 소자인 반도체 소자 테스트 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 소켓은 알루미늄으로 구성되는 반도체 소자 테스트 장치.
  9. 베이스 소켓 및 커버 소켓을 포함하는 반도체 소자 테스트 장치에 있어서,
    상기 베이스 소켓은 상부로 돌출되는 볼록부를 포함하고, 상기 볼록부에는 상기 반도체 소자를 수용하기 위한 홀이 형성되고, 상기 홀 하부에는 상기 반도체 소자에 열을 가하기 위한 히팅룸이 형성되고,
    상기 커버 소켓은 상기 볼록부와 결합되는 오목부를 포함하고, 상기 오목부에는 상기 반도체 소자에 테스트 신호를 인가하기 위한 프로브 카드가 배치되는 반도체 소자 테스트 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 히팅룸은 상기 홀과 접촉하도록 배치되는 반도체 소자 테스트 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 히팅룸 내부에는 상기 반도체 소자의 온도를 측정하기 위한 열전대(thermocouple)가 상기 홀과 접촉하여 배치되는 반도체 소자 테스트 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 홀 양측단에는 상기 반도체 소자의 입출력단자가 배치되는 단자 패드가 형성되는 반도체 소자 테스트 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 프로브 카드와 연결되고, 상기 테스트 신호를 상기 반도체 소자의 입출력단자에 전달하는 적어도 하나의 컨택핀이 상기 볼록부 방향으로 배치되는 반도체 소자 테스트 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 컨택핀은 텅스텐핀 또는 포고핀인 반도체 소자 테스트 장치.
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