KR19990008114A - 소자를 수용하는 리세스를 지닌 실리콘기판 및 이러한 리세스를생성하는 방법 - Google Patents

Abstract

소자를 수용하기 위한 리세스(2)를 지닌 실리콘기판(1)에서, 이 기판과 일체가 된 홀딩소자(3)는 리세스(2)에 수용된 소자를 적소에 유지시키기 위해 리세스(2)에 대해 부분적으로 연장해 있다.

Description

소자를 수용하는 리세스를 지닌 실리콘기판 및 이러한 리세스를 생성하는 방법

에칭된 홈, 소위 실리콘기판의 V-홈에 광섬유를 수용하므로써 매우 높은 정확도로 광섬유를 정확히 배치시키는 것이 광-전자 분야에 공지되어 있다.

그러나, 광섬유를 이러한 홈에 설치할 때, 모든 설치작동중 광섬유를 각각의 홈에 적소에 위치시키가 어렵다.

광섬유를 홈에 접착시킬 때, 접착층의 두께로 인해 광섬유가 홈에서 일어나게 되어 기판상에서의 수직방향은 물론 양방향에서의 각각의 광섬유가 일정하지 않게 된다.

본 발명의 목적은 실리콘기판에 수용된 소자에 대해 간단한 홀딩소자를 제공 하는 것이다.

기판과 일체가 된 하나 이상의 홀딩소자가 리세스에 수용된 소자를 적소에 유지하기 위해 리세스에 부분적으로 연장하게 하므로써 이것이 본 발명을 따른 기판에서 얻어진다.

실리콘기판에 리세스를 만드는 본 발명을 따른 방법은 리세스에 수용된 소자를 적소에 유지시키기 위한 영역에 해당하는 홀딩소자을 에칭하기 위해 의도한 리세스를 따라 부분적으로 연장한 기판상의 하나 이상의 영역을 마스킹하는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 소자를 수용하는 리세스를 지닌 실리콘기판은 물론 소자를 수용하는 실리콘기판에 리세스를 만들고 의도한 리세스의 양측에 기판의 영역을 마스킹하고 이후 리세스를 에칭하는 방법에 관한 것이다.

도 1은 본 발명을 따른 홀딩소자의 제1실시예를 따른 V-홈형태의 리세스를 지닌의 실리콘 기판의 사시도.

도 2는 본 발명을 따른 홀딩유닛의 제2실시예를 따른 V-홈형태의 리세스를 지닌 실리콘기판의 부분의 평면도.

도 3은 본 발명을 따른 홀딩 소자의 제3실시예를 따른 V-홈의 형태의 리세스를 지닌 실리콘기판의 부분의 평면도.

도 1은 소자 (도시되어 있지 않음), 예를들면, 또 다른 소자에 대해 배열될 광섬유, 겹쳐 이어진 두 개의 광섬유, 회전축, 홈에서 앞, 뒤로 변위하는 피스톤 로드를 수용하기 위한 V-홈(2) 형태의 리세스를 지닌 기판(1)의 사시도이다. 다수의 이러한 홈이 동일 기판에 존재할 수 있다.

이러한 홈(2)은 제1도핑형태(n형 또는 p형)인 실리콘기판(1)이 제2도핑형태 (p형 및 n형)의 도펀트로 의도한 홈(2) 양측에 도프되므로서 생성된다. 이때, 의도한 홈(2)은 공지된 방식으로 에치된다. 이와 관련하여, 주지해야 할 것은 리세스가 반도체칩 형태의 전기소자을 수용할 수 있는 순서로 형성될 수 있다.

도 1에 도시된 실시예에서, 기판(1)과 일체가 되어 형성된 두 개의 홀딩소자는 홈(2)을 따라 경사지게 연장되어 브리지를 형성하므로써 광 스플라이싱 작동과 연관하여 하나의 광섬유를 적소에 유지하기 위해 홈(2)에 수용된 광섬유(도시하지 않음)를 적소에 유지되도록 되어 있다.

도 1에 도시된 홀딩소자 및 브리지(3)는 브리지(3)에 해당하는 기판(1)상의 영역이 상기 제2도핑형태의 상기 도펀트로 도프되기 때문에 본 발명의 방법의 제1실시예에 따라 생성되고 이때, 브리지(3)가 홈 (2)의 에칭과 관련하여 에칭된다.

브리지(3)는 반드시 동일한 폭을 갖지는 않지만 실질적으로는 어느형으로도 될 수 있다.

주지해야 할 것은 홈을 따라 수직하게 연장한 브리지가 (100)방향 실리콘에서 에칭되지만 어느 경우에, 소정의 관계가 브리지가 에칭할 때 형성되기 위해 브리지의 형태와 기판상의 홈의 상부 양쪽 가장자리에 대한 브리지의 각 사이에 존재한다.

브리지(3)의 두께는 기판(1)이 브리지(3)를 형성하는 영역내에 도프을 얼마의 깊이로 하는 것에 의존한다.

도 2는 홈(2')과 실시예에서 홈의 폭의 반이하에 해당하게 실시예에서 도시된 거리로 홈(2')에 걸쳐 이 홈(2')의 좌측으로부터 연장한 텅의 형태의 홀딩 소자(4)를 지닌 기판(1')의 부분의 개략적인 평면도이다.

이와 관련하여, 주지해야 할 것은 홈을 따라 전체적으로 연장하지 않은 홀딩 소자는 홈의 에지에 수직하다는 것이다.

또한, 도 3은 홈(2)과 이 홈(2)의 반보다 약간 길게 본 실시예에서 도시된 거리로 홈에 거쳐 홈의 양측으로부터 수직하게 연장한 텅형의 홀딩소자(5)를 지닌 홈(2)의 개략적인 평면도이다.

도 2와 도 3의 텅은 어느 종류의 소자를 홈에 유지시키기 위해 수동으로 위로 들어올려질 수 있게 가요성이 얻어지는 두께로 만들어질 수 있다.

따라서, 본 발명을 따른 홀딩소자는 기판의 홈 및/또는 리세스의 에칭과 관련하여 위에서 설명한 방식으로 기판과 일체가 되어 형성되어 있고 광섬유 또는 기타의 소자를 적소에 위치시키기 위해 바람직한 두께로 간단한 방식으로 만들어질 수 있다.

본 발명을 따른 방법의 실시예에서, 소자와 접촉하여 홀딩작용을 향상시키도록 수동으로 누룰 수 있는 두께와 유연성의 브리지를 만들 수 있다.

Claims (7)

1. 기판과 일체가 되고 리세스의 길이보다 폭이 작고 리세스(2, 2', 2)에 수용된 소자를 적소에 유지시키기 위해 리세스(2, 2', 2)에 걸쳐 부분적으로 연장한 홀딩소자(3, 4, 5)를 특징으로 하는 소자를 수용하는 리세스(2, 2', 2)를 지닌 실리콘기판(1, 1', 1).
2. 청구항 1에 있어서, 상기 하나 이상의 홀딩소자(3)는 리세스(2)를 따라 완전히 연장한 브리지로 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘기판.
3. 청구항 1에 있어서, 상기 하나 이상의 홀딩 소자(4, 5)는 리세스(2', 2) 위로 부분적으로 연장한 텅으로 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘기판.
4. 청구항 1 내지 청구항 3중 어느 한 항에 있어서, 상기 하나 이상의 홀딩소자(3)는 리세스(2) 위로 경사지게 연장한 것을 특징으로 하는 실리콘기판.
5. 소자를 수용하고 의도한 리세스의 양쪽에 기판(1, 1', 1)의 마스킹 영역을 포함하고 리세스를 에칭하는 실리콘기판(1, 1', 1)을 만드는 방법에 있어서, 의도한 길이보다 폭이 작고 리세스에 수용된 소자를 적소에 유지하기 위한 영역에 해당하는 홀딩소자(3, 4, 5)를 에칭하기 위해 의도한 리세스(2, 2', 2) 위로 연장한 기판상의 하나 이상의 영역을 마스킹하는 것을 특징으로 하는 실리콘기판을 만드는 방법.
6. 청구항 5에 있어서, 기판은 제1도핑형태에 있서, 상기 마스킹은 제2도핑형태의 도펀트로 상기영역의 기판을 도핑하므로써 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
7. 청구항 6에 있어서, 의도한 리세스에 대해 연장한 기판상의 하나 이상의 영역은 홀딩소자의 바람직한 두께에 해당하는 깊이로 도핑되는 것을 특징으로 하는 방법.