KR19980024865A - 세정 처리 방법 및 세정 처리 장치 - Google Patents

세정 처리 방법 및 세정 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR19980024865A
KR19980024865A KR1019970048207A KR19970048207A KR19980024865A KR 19980024865 A KR19980024865 A KR 19980024865A KR 1019970048207 A KR1019970048207 A KR 1019970048207A KR 19970048207 A KR19970048207 A KR 19970048207A KR 19980024865 A KR19980024865 A KR 19980024865A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
cleaning
cleaning liquid
cup
discharge
Prior art date
Application number
KR1019970048207A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100508575B1 (ko
Inventor
후미오 사또
미쯔히로 사카이
다게시 쯔가모또
요이찌 혼다
기요미쯔 야마구찌
기미오 모또다
요시다가 마쯔다
데쯔야 사다
기요히사 다테야마
Original Assignee
히가시 데츠로
도쿄 에레쿠토론 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP27129296A external-priority patent/JP3289208B2/ja
Application filed by 히가시 데츠로, 도쿄 에레쿠토론 가부시끼가이샤 filed Critical 히가시 데츠로
Publication of KR19980024865A publication Critical patent/KR19980024865A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100508575B1 publication Critical patent/KR100508575B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Abstract

본 발명은 물체가 처리되는 경우 외부로 유동하거나 외부로 비산하는 처리액을 회수하기 위한 용기와, 세정액을 상기 용기내로 공급함으로써 용기의 내부 벽 표면을 세정하기 위한 세정 수단과, 용기의 내부 벽 표면이 세정 수단에 의해 세정되는 경우 용기로부터 배출된 액체를 회수하고, 회수된 액체를 세정 수단으로 공급하기 위한 순환 시스템을 포함하는 처리 장치를 제공한다.

Description

세정 처리 방법 및 세정 처리 장치
본 발명은 액정 디스플레이(이하에서는 LCD 라고 함) 및 반도체 장치에 사용되는 기판이 처리되는 시스템내의 세정 처리 방법 및 세정 처리 장치에 관한 것이다.
최근에는 예를 들면 LCD 기판상에 레지스트막을 형성하는데 사용되는 레지스트 피복기와 같은 다양한 종류의 처리 장치로서, 장치 자체 크기가 작아지고, 제조 비용이 감소되고 그리고 장치의 작동 비용이 감소되는 장치가 필요하게 되었다.
LCD의 제조 공정에서 일반적으로 사용되는 레지스트 피복기에 있어서, 레지스트 피복 및 세정 처리는 유리 기판(처리할 물체)상에서 이뤄지며, 레지스트 피복기로는 스핀-피복 및 스프레이 피복 형태의 2가지 종류가 있다.
예를 들면, 스핀-피복 형태의 레지스트 피복기는, 그 위에 유리 기판이 장착되며 수직으로 이동가능하며 자유롭게 회전할 수 있는 스핀 척과; 기판의 중간부에 레지스트 액체를 방울방울로 떨어뜨리는 레지스트 용액 방울방울 떨어뜨림기와; 기판의 표면을 세정하기 위한 세정액의 분사 노즐과; 기판을 이중으로 둘러싸는 방법으로 기판 외측에 배치된 회전 컵 및 배수 컵을 포함하며, 상기 회전 컵은 고정 컵 내측에 있으며, 회전 컵은 기판으로부터 외부로 유동하거나 외부로 비산하는 레지스트 액체 또는 용제를 수납한다.
이러한 레지스트 피복기에 있어서, 유리 기판은 수직으로 이동가능하며 자유롭게 회전할 수 있는 스핀 척상에 장착되며, 레지스트 액체는 원심력에 의해 일정한 레지스트 막을 형성하도록 기판을 회전시키는 동안에 기판의 중간부로 방울방울로 공급된다. 이 경우에, 기판으로부터 외부로 유동하거나 외부로 유동하는 레지스트 액의 잔류물은 배출될 회전 컵에 의해 회수된다. 하기의 단계에서, 스핀 척의 높이는 변경되며, 세정액은 세정액 분사 노즐로부터 기판의 에지로 공급되어 기판의 양 표면의 에지부를 세정하며, 폐기 액체는 배수 컵에 의해 회수되어 배출된다. 세정액으로는 용제와 같은 솔벤트가 사용되는데, 그 이유는 오염이 적고 보다 안전하기 때문이다.
동일한 레지스트 피복기에 있어서, 사용된 세정액(폐기 액체)은 그 내에 용해된 다량의 레지스트 성분을 갖고 있기 때문에, 사용된 세정액은 재사용할 수 없으며, 폐기 액체 파이프를 통해 폐기 액체 저장장치내에 저장된다. 저장 유닛내에 저장된 폐기 액체는 어느 정도로 수집될 경우 폐기된다.
배수 컵에 있어서, 레지스트 성분을 일정하게 포함하는 용제가 공급되기 때문에 레지스트 성분은 컵의 내부 벽상에 부착식으로 피복물로서 적층된다. 레지스트 성분이 부착되고 어느 정도로 적층될 때, 들러붙음이 야기되고, 배수 컵의 내부 벽은 일정 간격으로 종래대로 세정되며, 피복물은 분리된다. 또한 이러한 상황은 사용된 레지스트 액체 자체를 직접 수납하는 회전 컵의 경우에도 적용된다.
그러나, 종래의 레지스트 피복기에 있어서, 용제는 컵의 내측을 세정위해 독자적으로 사용되고 컵내에 배치된 노즐로부터 컵의 내부 표면쪽으로 분사되어 컵 내측의 피복물을 제거하고, 그에 따라 다량의 용제가 필요하다.
상술한 바와 같이, 피복 처리 장치인 종래의 레지스트 피복기에서는 문제가 있는데, 즉 처리가 반복되는 경우 컵의 내부 벽상에 레지스트 축적물이 접착되며, 이러한 축적물은 다량의 용제로 제거해야 할 필요가 있어서 세정에 필요한 비용이 많이 든다.
또한, 사용된 세정 액체는 세정할 유리 기판의 세정 처리에 사용되지 않고, 그에 따라 사용된 세정 액체는 폐기 액체로서 폐기됨으로써 작동 비용을 상승시킨다.
LCD 기판과 같은 처리할 물체의 표면상에 레지스트 액체를 적용하는 것이 스핀 피복 방법에 의해 실행되지만, 이 경우에는 LCD 기판이 장방형이여서 회전에 의해 공기내에 와류가 야기되기 때문에, 레지스트막의 두께가 일정하게 유지될 수 없다는 문제가 발생한다.
이러한 이유 때문에, LCD 기판들 및 LCD 기판을 지지하기 위한 지지 수단인 스핀 척의 측면위, 아래 및 근처의 종래의 둘러싸는 공간은 회전 컵에 의해 커버로 폐쇄되며, 정류판은 커버를 구비한 회전 컵내의 LCD 기판상에 배치되며, 커버를 구비한 회전 컵의 커버내에 형성된 공기 공급 포트를 통해 공급된 공기는 정류판에 의해 정류되어 회전 컵의 바닥에 위치된 배출 포트를 통해 배출된다. 이러한 방법에 있어서, 공기내의 와류에 의한 레지스트막의 두께의 불일치가 방지된다. 커버된 컵의 측면 및 하부를 폐쇄하도록 고정 컵이 배치되어 회전 법의 회전에 의해 발생된 공기 스트림이 회전 컵의 내측으로 역류하는 것이 방지된다.
그러나, 레지스트 액체가 이러한 종류의 스핀 피복 방법에 의해 적용되는 레지스트 피복기에 있어서, 레지스트 용액은 원심력에 의해 외측으로 분사되며, 그에 따라 레지스트는 회전 컵의 내부 측면 및 바닥, 커버된 컵의 배면 및 정류판의 하부 표면 등상에 부착된다. 또한, 레지스트가 고정 컵의 내부 측면 및 바닥에 부착될 우려가 있다. 이러한 방법에 있어서, 회전 커버, 고정 커버의 내측 및 커버상의 정류판상 등에 부착된 레지스트는 건조되어 입자를 형성한다. 입자가 LCD 기판상에 부착되면, 원형 패턴화 등에 문제가 발생하며, 동시에 수득율이 감소되는 문제가 발생한다.
본 발명의 목적은 처리된 물체를 세정하는데 사용된 세정액을 효율적으로 사용하는 세정 처리 방법 및 세정 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 2 목적은 세정 용액이 재사용되는 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 3 목적은 용기의 세정 효율이 성취될 수 있는 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 4 목적은 전체적인 장치의 작동 비용이 감소될 수 있는 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 5 목적은 피복 메카니즘의 회전 컵 및 고정 컵상에 부착된 레지스트와 같은 피복액이 제거되어 수득율을 향상시키는 세정 처리 방법 및 세정 처리 장치를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 성취하기 위해서, 본 발명의 세정 처리 방법은 세정액이 공급하여 처리된 물체를 세정한 후에 세정액을 회수하는 단계와, 회수된 액체로부터 가스를 분리 및 제거한 후에 세정액을 저장하는 단계와, 처리된 물체를 세정하는데 저장된 세정 액체를 재사용하는 단계를 포함한다.
세정 처리 방법에 있어서, 저장된 세정액은 물체의 처리를 위한 장치의 세정에 사용되는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 세정 처리 방법은 세정액이 부가적으로 공급되어 회수된 세정액용의 저장부가 세정액 및 첨가된 세정액의 혼합물로 보충되고, 회수된 세정액은 세정을 위해 사용된다.
본 발명의 세정 처리 장치는 처리된 물체로 세정액을 공급하기 위한 제 1 공급 수단과, 처리된 물체에 사용된 세정액을 회수하기 위한 회수 파이프와, 제거를 위해 회수된 액체로부터 가스를 분리하기 위한 가스/액체 분리 수단과, 가스/액체 분리 수단에 의해 분리된 세정액을 저장하기 위한 세정액 저장부와, 세정액 저장부내의 세정액을 처리할 물체로 공급하기 위한 제 2 세정액 공급 수단을 포함한다.
세정 처리 장치에서, 세정 처리 장치는 제 2 세정액 공급 수단을 더 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 세정 처리 장치에서, 상기 제 1 세정액 공급 수단은 세정액을 처리된 물체의 외주연부의 양 표면상의 위치쪽으로 분사하기 위한 다수의 노즐 구멍을 포함하며, 상기 노즐 구멍은 서로 간섭되지 않으며, 회수 파이프는 노즐의 외부 측방향으로 일정한 위치에 제공된다. 이 경우에, 타단부가 회수 파이프에 연결된 폐기 액체용의 루트의 개구부는 최외측 단부에서 최대 직경을 가진 테이퍼를 구비하여 노즐 구멍으로부터 분사된 세정 액체를 효율적으로 수납하는 것이 바람직하다. 즉, 노즐 구멍은 폐기 액체 루트의 최외측 단부에서 개구부의 내측에 위치되며, 단부는 테이퍼를 가지면, 개구부의 직경은 테이퍼진 단부에서 최대이다. 더욱이, 상술한 세정액 저장부는 세정액이 세정액 공급원으로부터 직접 공급되게 하는 방법으로 형성될 수 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 세정액은 물체에 공급되어 물체를 세정하며, 그후에 세정액은 회수되며, 가스는 회수된 액체로부터 분리되어 제거되고, 다음에 회수된 액체는 저장되고, 저장된 세정액은 세정할 물체의 세정에 재사용되고, 그에 따라 세정액을 효율적으로 사용할 수 있다. 따라서, 세정에 사용되는 세정액 양이 감소될 수 있기 때문에 비용이 감소되고 천연 자원을 효율적으로 사용할 수 있다.
세정 처리 장치의 세정을 위해 저장된 세정액을 재사용함으로써 동일한 처리 시스템에서 세정액의 사용 효율이 더 증가하며, 이에 의해 세정액의 파이프 시스템이 보다 간단하게 되어 장치의 크기가 감소될 수 있다.
세정 효율은 회수된 세정액의 저장부에 새로운 세정액을 공급하고, 세정할 물체를 세정하기 위해 공급 세정액 및 회수된 세정액의 액체 혼합물을 이용함으로써 더욱 증가되며, 세정 처리 장치의 신뢰성이 증가될 수 있다. 처리된 물체의 외주연부의 양 표면상의 위치, 즉 제 1 세정액 공급 수단이 세정액의 스트림이 서로 간섭하지 않는 위치쪽으로 세정액을 분사하기 위한 노즐 구멍을 구비하고 그리고 회수 파이프가 노즐 구멍의 외부 측방향으로 일정한 위치에 제공되면, 제 1 세정 단계에서 사용되고 제 1 세정액 공급 수단으로부터 공급된 세정액이 양호한 효율로 회수되기 때문에, 세정액의 손실이 방지되며, 결과적으로 세정 효율이 증가될 수 있다.
본 발명의 제 2 처리 장치는 물체가 처리되는 경우 외부로 유동하거나 외부로 비산하는 처리액을 회수하기 위한 용기와, 세정액을 상기 용기내로 공급함으로써 용기의 내부 벽 표면을 세정하기 위한 세정 수단과, 용기의 내부 벽 표면이 세정 수단에 의해 세정되는 경우 용기로부터 배출된 액체를 회수하고, 회수된 액체를 세정 수단으로 공급하기 위한 순환 시스템을 포함한다.
본 발명의 제 2 장치에 있어서, 용기의 내부 벽 표면이 세정 수단에 의해 세정되는 경우 용기로부터의 배출액은 순환 시스템에 의해 회수되며, 용기의 내측을 세정하기 위해 사용된 세정 수단으로 공급되기 때문에, 세정액이 재사용될 수 있다. 이에 의해, 세정액의 사용 체적이 감소되며, 동시에 전체 장치의 작동 비용이 감소될 수 있다.
본 발명의 제 3 처리 장치는, 상기 순환 시스템이 비사용된 세정액용의 새로운 세정액 저장부와, 용기로부터 배출된 배출액을 저장하기 위한 배출액 저장부와, 상기 배출액 저장부내에 저장된 배출액 및 상기 새로운 액체 저장부에 저장된 비사용된 세정액을 단독으로 또는 혼합하여 세정 수단으로 공급하기 위한 세정액 공급 수단을 포함하는 제 2 처리 장치로서 규정된 장치에 관한 것이다.
제 3 장치에서, 배출액 저장부내에 저장된 배출액 및 새로운 세정액 저장부내에 저장된 비사용된 세정액이 세정 수단으로 단독으로 또는 혼합하여 공급되기 때문에, 컵을 세정하는데 어려움이 발생하지 않는다.
본 발명의 제 4 처리 장치는, 상기 순환 시스템이 이미 처리된 물체의 적어도 일부분이 세정되는 경우 용기로 수집되고 배출된 제 1 배출액을 저장하기 위한 제 1 배출액 저장부와, 상기 용기의 내부 벽 표면이 세정되는 경우 용기로 수집되고 배출된 제 2 배출액을 저장하기 위한 제 2 배출액 저장부와, 제 1 배출액 저장부내에 저장된 제 1 배출액과, 제 2 배출액 저장부내에 저장된 제 2 배출액을 단독으로 또는 혼합하여 세정 수단으로 공급하기 위한 세정액 공급 수단을 포함하는 제 2 처리 장치로서 규정된 장치에 관한 것이다.
제 4 장치에 있어서, 제 2 배출액 저장부내에 저장된 제 1 배출액 및 제 2 배출액 저장부내에 저장된 제 2 배출액이 세정 수단에 단독으로 또는 혼합하여 공급되기 때문에, 일단 사용된 세정액은 양호한 효율로 사용될 수 있다.
본 발명의 제 5 세정 처리 장치는, 상기 세정액 공급 수단은 이미 처리된 물체의 적어도 일부분을 상기 제 1 배출액 저장부 및 제 2 배출액 저장부중 적어도 하나로 세정하기 위한 비사용된 세정액을 공급하며, 각 저장부내에 저장된 저장 액체를 단독으로 또는 혼합하여 세정 수단으로 공급하는 제 4 장치로서 규정된 장치에 관한 것이다.
제 5 처리 장치에 있어서, 제 1 및 제 2 배출액 저장부중 적어도 일부분이 새로운 세정액인 비사용된 세정액으로 공급되어 각 부분내에 저장된 배출액을 희석시키고 그리고 배출액은 세정 수단에 단독으로 또는 혼합하여 공급되기 때문에, 일단 사용된 세정 액체는 사용된 세정 액체의 세정 성능을 어떤 한계로 악화시키지 않고 사용될 수 있으며, 세정 액체의 재사용은 양호한 효율로 실행될 수 있다.
본 발명의 제 6 장치는, 상기 순환 시스템이 비사용된 세정액을 저장하기 위한 새로운 새정액 저장부와, 이미 처리된 물체의 적어도 일부분이 세정되는 경우 용기로 수집되고 배출된 제 1 배출 액체를 저장하기 위한 제 1 배출액 저장부와, 용기의 내부 벽 표면이 세정되는 경우 용기로 수집되고 배출된 제 2 배출액을 저장하기 위한 제 2 배출액 저장부와, 새로운 세정액 저장부내에 저장된 비사용된 세정액을 제 1 배출액 저장부와 제 2 배출액 저장부중 적어도 하나로 공급하고, 세정 수단으로 공급하기 위한 세정액 공급 수단을 포함하는 제 2 장치로서 규정된 장치에 관한 것이다.
제 6 장치에 있어서, 새로운 세정액 저장부내에 저장된 비사용된 세정액은 제 1 및 제 2 배출액 저장부중 적어도 하나로 공급물로서 첨가되고 그리고 비사용된 세정액으로 공급된 적어도 하나의 배출액 저장부로부터의 배출액은 세정 수단으로 공급되기 때문에, 컵을 세정하기 위한 세정액을 재사용하는 것은 세정 성능을 악화시킴이 없고 어렵지 않게 실행될 수 있어서, 컵 세정시의 세정 효율이 증진되고, 컵 세정 작동의 신뢰성이 또한 증가된다.
본 발명의 제 7 장치는, 순환 시스템이 비사용된 세정액을 저장하기 위한 새로운 새정액 저장부와, 이미 처리된 물체의 적어도 일부분이 세정되는 경우 용기로 수집되고 배출된 제 1 배출 액체를 저장하기 위한 제 1 배출액 저장부와, 용기의 내부 벽 표면이 세정되는 경우 용기로 수집되고 배출된 제 2 배출액을 저장하기 위한 제 2 배출액 저장부와, 제 1 배출액 저장부내에 저장된 제 1 배출액과, 제 2 배출액 저장부내에 저장된 제 2 배출액과, 새로운 세정액 저장부내에 저장된 비사용된 세정액을 단독으로 또는 혼합하여 세정 수단으로 공급하기 위한 세정액 공급 수단을 포함하는 제 2 장치로서 규정된 장치에 관한 것이다.
제 7 장치에 있어서, 제 1 배출액 저장부내에 저장된 제 1 배출액, 제 2 배출액 저장부내에 저장된 제 2 배출액 및 새로운 세정액 저장부내에 저장된 비사용된 세정액을 단독으로 또는 혼합하여 세정 수단으로 공급하기 때문에, 용기의 내측이 양호한 효율로 세정될 수 있다.
본 발명의 제 8 장치는, 상기 세정액 공급 수단이 각 저장부내의 세정액 및 배출액의 양을 검출하기 위한 검출 수단과, 상기 검출 수단에 의해 검출된 각 양에 의거해서 세정액 및 배출액의 유입양을 제어하기 위한 제어부를 포함하는 제 3 내지 제 7 세정 처리 장치로서 규정된 장치에 관한 것이다.
제 8 장치에 있어서, 각 저장부내에 저장된 세정액 및 배출액의 양이 검출되고 그리고 제어 수단이 검출 수단에 의해 검출된 액체의 양에 의해 각 저장부로부터 나온 세정액 및 배출액의 양을 제어하기 때문에, 장치의 부분으로 공급된 각 액체의 양이 최적화될 수 있다.
본 발명의 제 9 장치는, 상기 세정 수단은 처리된 물체의 근방에서 용기의 내부 벽 표면쪽으로 세정액을 분사하기 위한 제 1 분사 유닛과, 처리된 물체로부터 먼 배출 포트의 근방에서 내부 벽 표면쪽으로 세정액을 분사하기 위한 제 2 분사 유닛을 포함하며, 상기 순환 시스템은 사용된 세정액인 배출액을 제 2 분사 유닛으로 그리고 비사용된 세정액을 제 1 분사 유닛으로 공급하는 제 3 세정 처리 장치로서 규정된 장치에 관한 것이다.
제 9 장치에 있어서, 세정액으로 사용된 배출액과, 비사용된 세정액이 각기 제 2 분사 유닛 그리고 제 1 분사 유닛으로 분사되기 때문에, 세정액은 각 사용할 때에 양호한 효율로 사용될 수 있다.
본 발명의 제 10 장치는 물체가 처리되는 경우 외부로 유동하거나 외부로 비산하는 처리액을 회수하기 위한 용기를 구비하며, 용기의 내부 벽 표면은 표면상에 형성된 에틸렌 플루오르화물 기재 수지층을 구비하는 제 1 내지 제 10 장치로서 규정된 장치중 하나의 장치에 관한 것이다.
장치들에 있어서, 에틸렌 플루오르화물 기재 수지층이 내부 벽 표면상에 형성되기 때문에, 물체가 처리되는 경우 외부로 유동하거나 비산하는 처리 액체가 덜 부착된다.
본 발명의 제 11 장치는 처리 액체가 회수될 수 있는 용기의 회수 경로의 내부 표면상에 형성된 에틸렌 플루오르화물 기재 수지층을 구비하는 제 10 장치에 규정된 장치에 관한 것이다.
제 11 장치에 있어서, 에틸렌 플루오르화물 층으로 커버된 부분이 제한되며, 처리액의 접착이 최소화되어, 에틸렌 플루오르화물 기재 수지를 최소로 사용하여 처리액의 감소된 부착 효과가 성취된다.
본 발명의 일 실시예는 커버를 구비하며, 회전가능하며 처리된 물체 및 처리된 물체의 측면과 하부를 지지하기 위한 지지 수단을 둘러싸는 회전 컵과, 커버된 회전 컵의 측면 및 하부를 둘러싸는 고정 컵과, 커버된 회전 컵의 내측에 장착되며 그 위의 일정 위치에서 처리되는 물체를 커버하는 정류판을 포함하는 피복 메카니즘내의 컵의 세정 처리 장치에 있어서, 커버된 회전 컵의 커버의 중간에 뚫려진 공급 구멍에 의해 정류판상으로 세정액을 공급하기 위한 제 1 노즐과, 지지 수단 하부에 위치되며, 정류판의 외주연부의 하부 표면, 커버된 회전 컵의 내부 측면 표면 및 고정 컵의 바닥 표면쪽으로 세정액을 공급하기 위한 제 2 노즐을 포함하는 세정 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명의 장치에 있어서, 고정 컵 내측에 위치되며, 세정액을 커버된 회전 컵의 외측 표면의 하부 및 고정 컵의 내부 측면쪽으로 공급하기 위한 제 3 노즐을 더 포함한다. 이러한 경우에, 상기 고정 컵의 내부 표면의 하부는 외측으로 구부러져 있으며, 그 바닥은 개방되어 있으며, 세정액은 제 3 노즐로부터 고정 컵의 내부 측면 표면의 굽힘부쪽으로 공급될 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 커버를 구비하며, 회전가능하며 처리된 물체 및 처리된 물체의 측면과 하부를 지지하기 위한 지지 수단을 둘러싸는 회전 컵과, 커버된 회전 컵의 측면 및 하부를 둘러싸는 고정 컵과, 그 위의 일정 위치에서 처리되는 물체를 커버하는 정류판을 포함하는 피복 메카니즘의 컵의 세정 처리 방법에 있어서, 원심력에 의해 커버의 하부 표면으로 세정액을 공급하도록 커버된 회전 컵이 회전하는 동안에 커버된 회전 컵의 커버의 중간을 통해 정류판쪽으로 세정액을 공급하는 단계와, 이와 동시에 정류판의 외주연부의 하부 표면, 커버된 회전 컵의 내부 측면 표면 및 고정 컵의 바닥 표면쪽으로 세정액을 공급하는 단계를 포함하는 세정 처리 방법에 관한 것이다.
본 발명의 방법에 있어서, 세정액은 커버된 회전 컵의 외주연부의 하부 표면과, 고정 컵의 내부 측면 표면상으로 공급되는 것이 바람직하다.
본 발명의 방법에 있어서, 세정액은 제 1 회전 속도에서 커버된 회전 컵이 회전하는 동안에 커버된 회전 컵의 거의 중앙으로부터 정류판쪽으로 공급되며; 세정액은 제 1 회전 속도보다 빠른 제 2 회전 속도에서 커버된 회전 커버가 회전하는 동안에, 정류판의 외주연부의 하부 표면과, 커버된 회전 컵의 내부 측면 표면쪽으로 공급되며; 세정액은 제 1 회전 속도보다 느린 제 3 회전 속도에서 커버된 회전 컵이 회전하는 동안에 커버된 회전 컵의 바닥 표면상에 공급되는 것이 바람직하며, 상기 속도는 상기 제 1 회전 속도가 350 내지 650rpm 으로, 상기 제 2 회전 속도가 700 내지 1300rpm 으로, 상기 제 3 회전 속도가 14 내지 26rpm 으로 설정될 수 있다.
본 발명에 따르면, 커버된 회전 컵이 연속적으로 회전하는 조건에서, 세정 액체는 회전 컵의 커버 중앙으로부터 정류판쪽으로 공급되며, 동시에 세정 액체는 정류판의 외주연부의 하부 표면, 커버된 회전 컵의 내부 측면 표면 및 고정 컵의 바닥상에 공급되며, 이에 의해 회전 컵의 커버의 중심으로부터 공급된 세정액이 회전하는 정류판에 의해 야기된 원심력에 의해 외측으로 분무되어 커버의 하부 표면상에 부착된 피복액과, 정류판의 외주연부의 하부 표면에 부착된 피복액을 제거하며, 회전 컵의 내부 측면 표면 및 고정 컵의 바닥 표면은 이에 직접 공급된 세정 액체에 의해 제거된다.
또한, 회전 컵의 외주연부의 하부 표면 및 고정 컵의 내부 측면 표면상에 부착된 피복액은 그 위에 세정액을 공급함으로써 제거될 수 있다. 이 경우에, 고정 컵의 내부 측면 표면의 하부 부분은 고정 컵의 내부 측면 표면이 외측으로 구부러지게 하는 방법으로 형성될 수 있으며, 이에 의해 유동하는 공기 스트림의 정체된 공간으로서 회전 컵과 고정 컵 사이에 갭을 형성할 수 있어서, 피복액이 정체된 공간내에서 보유되어 상부로 역류되는 것이 방지된다. 더욱이, 고정 컵상에 부착된 피복액은 제 3 노즐로부터의 세정액을 고정 컵의 내부 측면 표면의 굽힘부쪽으로 공급함으로써 제거될 수 있다.
제 1 회전 속도, 예를 들면 350 내지 650 rpm에서 커버된 회전 컵이 회전하는 동안에 세정액이 커버된 회전 컵의 커버의 중앙으로부터 정류판쪽으로 공급될 때, 세정액은 회전 컵과 함께 회전하는 정류판의 회전에 의해 야기된 원심력에 의해 커버의 외주연부의 하부 표면상에 강제 충돌하며, 이에 의해 커버의 하부 표면상에 부착된 피복 액체가 제거될 수 있다. 제 2 회전 속도, 예를 들면 700 내지 1300rpm에서 커버된 회전 컵이 회전하는 동안에 세정액이 정류판의 외주연부의 하부 표면 및 커버된 회전 컵의 내부 측면 표면쪽으로 공급될 때, 세정액은 외주연부의 하부 표면 및 회전 컵의 내부 측면을 커버하는 넓은 표면에 걸쳐 양호한 효율로 공급될 수 있다. 14 내지 26rpm의 회전 속도로 커버된 회전 컵이 회전하는 동안에, 세정액이 커버된 회전 컵의 바닥 표면상에 공급되고 그 스트림의 타겟 영역이 중간으로부터 외주연부로 제거될 때, 바닥상에 부착된 피복액은 제거될 수 있다.
본 발명의 부가적인 목적 및 장점은 후술하는 설명에 기술되어 있으며, 이 설명으로부터 부분적으로 분명해진다. 본 발명의 목적 및 장점은 첨부한 특허청구범위에서 특별히 지적한 바와 같이 실현될 수 있고 조합될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 LCD 기판 처리 시스템의 구조를 도시하는 사시도,
도 2는 LCD 기판 처리 시스템의 레지스트 피복/제거 장치의 구조체를 도시하는 도면,
도 3은 레지스트 피복/제거 장치의 피복 메카니즘을 도시하는 단면도,
도 4는 도 3의 피복 메카니즘의 용기(처리실, 회전 컵 및 배수 컵)의 확대 단면도,
도 5는 도 4의 용기내의 표면상의 에틸렌 플루오르화물 기재 수지의 피복재를 도시하는 도면,
도 6은 장착 테이블의 평면을 도시하는 개략적인 사시도,
도 7은 도 6의 주요 부분의 확대 단면도,
도 8은 에지 제거 메카니즘의 단면도,
도 9a는 도 8의 에지 제거 메카니즘의 정면에 있는 노즐 구멍을 도시하는 평면도,
도 9b는 도 8의 에지 제거 메카니즘의 배면에 있는 노즐 구멍을 도시하는 평면도,
도 10은 제 1 세정 처리 장치를 도시하는 도면,
도 11은 용기의 일 변형예를 도시하는 도면,
도 12는 용기의 다른 변형예를 도시하는 도면,
도 13은 용기의 또다른 변형예를 도시하는 도면,
도 14는 제 2 세정 처리 장치를 도시하는 도면,
도 15는 제 3 세정 처리 장치를 도시하는 도면,
도 16은 제 4 세정 처리 장치에 구비된 레지스트 피복기를 도시하는 개략적인 평면도,
도 17은 본 발명의 제 4 장치를 도시하는 개략적인 단면도,
도 18은 제 4 장치의 주요 부분을 도시하는 확대 단면도,
도 19는 작동 상태의 세정 부분을 도시하는 개략적인 단면도,
도 20a, 20b 및 20c는 다른 종류의 제 2 세정 노즐을 도시하는 개략적인 단면도,
도 21a 및 21b는 다른 종류의 제 3 세정 노즐을 도시하는 개략적인 단면도.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 302 : 에지 제거 메카니즘 2, 301 : 피복 메카니즘
12, 312 : 회전 컵 14 : 배수 컵
16, 316 : 커버 22 : 회전 샤프트
33, 317 : 정류판 50, 350 : 장착 테이블
70, 70a, 70b, 70c, 370 : ER 탱크 71, 371 : 새로운 액체 탱크
72 : DR 탱크 90 : 로딩부
91 : 제 1 처리부 92 : 제 2 처리부
93 : 중간부
107, 108 : 레지스트 피복/제거 장치 109 : 가열 처리 장치
110 : 현상 장치 120 : 브러시 세정 장치
명세서의 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시한 것이며, 상술한 일반적 설명 및 이하의 바람직한 실시예의 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하기 위한 것이다.
본 발명의 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 LCD 기판용의 피복/현상 시스템(이하에서는 LCD 기판 처리 시스템이라고 함)의 구조를 도시하는 도면이다.
도면에 도시한 바와 같이, LCD 기판 처리 시스템은 처리해야 할 대상물, 예를 들면 장방형 유리 기판(G)[이하에서는 유리 기판(G)이라고 함]이 내로 또는 외부로 이송되게 하는 로딩부(90)와, 유리 기판(G)이 처리되는 처리부(91)와, 제 1 처리부(91)와 결합되고 제 1 처리부(91)와 사이에 중간부(93)가 위치되는 제 2 처리부(92)와, 제 2 처리부(92)와 노출 장치(95)와 같은 다른 장치사이로 유리 기판(G)을 공급 또는 수납하기 위한 이송부(94)를 포함한다.
로딩부(90)에는 카세트 스테이지(98)가 설치된다. 다수의 카세트(96, 97)는 카세트 스테이지(98)상에 장착되고, 다수의 비처리된 유리 기판(G)은 카세트(97)내에 수용된다. 비사용된 유리 기판내로 또는 기판외부로 이송하기 위한 핀셋(99)은 로딩부(90)내에 배치된다.
제 1 처리부(91)는 브러시 세정 장치(120), 제트 수세정 장치(130), 점착 처리 장치(105), 냉각 처리 장치(106), 한쌍의 레지스트 피복/제거 장치(107, 108)를 포함한다. 제 1 처리부(91)내의 중앙 통로에는 자유롭게 이동 또는 정지하는 방법으로 메인 아암(80a)이 배치되어 있다.
제 2 처리부(92)는 다수의 가열 처리 장치(109) 및 한쌍의 현상 장치(110)를 포함한다. 제 2 처리부(92)내의 중앙 통로에는 자유롭게 이동 또는 정지하는 방법으로 메인 아암(80b)이 구비되어 있다. 제 2 처리부(92)에는 유리 기판(G)을 내부 또는 외부로 이송하기 위한 핀셋(112)이 설치되어 있다. 중간부(93)에는 유리 기판(G)을 회송 또는 수납하기 위한 테이블(93a)이 설치되어 있다. 회송/수납부(94)에는 유리 기판(G)을 회송 또는 수납하기 위한 테이블(113)이 설치되어 있다. 노출 장치(95)는 정밀한 레지스트막상의 정밀한 패턴을 노출시키는데 사용된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 레지스트 피복/제거 장치(107, 108)의 각각은 피복액 공급 노즐(1a)로부터 공급된 레지스트액과 같은 피복액으로 유리 기판(G)의 표면을 피복하기 위한 피복 메카니즘(1)과; 유리 기판(G)의 외주연부상에 형성된 불필요한 피복막을 제거하기 위한 에지 제거 메카니즘(2)과; 레지스트액용의 솔벤트인 용제와 같은 세정액으로서 에지 제거 메카니즘(2)에서 사용된 세정액이 회수되고 그리고 용제가 피복 메카니즘(1)에서 컵 세정하기 위해 순환되는 순환 시스템인 세정 처리 장치(4)와; 피복 메카니즘(1)에 의해 레지스트로 이미 피복된 유리 기판(G)을 이송하기 위한 이송 메카니즘(3)을 포함하며; 상기 피복 메카니즘(1a) 및 에지 제거 메카니즘(2)은 인접하게 배치되는데, 달리 말하면 양 메카니즘(1, 2)이 동일한 분위기에서 일체로 수용된다. 에지 제거 메카니즘(2)에는 X 또는 Y 의 연장된 방향으로 가이드 레일(53)이 배치되며, 다수의 활주 부재(54)는 가이드 레일(53)상에 장착되어, 활주 부재(54)는 자유롭게 활주할 수 있다. 활주 부재(54)는 와이어와, 체인과, 벨트와, 벨트 스크류와, 단차모터와 공기실린더를 이용하는 가동 메카니즘을 포함하며, X 또는 Y 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 각 활주 부재(54)에는 에지 제거 메카니즘(2)을 구성하는 레지스트 제거 노즐(51)이 장착되어 있다. 또한, 가이드 레일(53)의 각 단면 근처에는 레지스트 제거 노즐(51)의 인접한 위치를 검출하여, 인접한 레지스트 제거 노즐(51)이 상호 간섭하지 않도록, 즉 서로 충돌하지 않도록 하는 센서(55)가 위치되어 있다. 이러한 센서를 구비하면, 인접한 제거 노즐(51)이 다른 레지스트 제거 노즐(51)에 접근하는 것을 검출하며, 이러한 검출 신호는 후술하는 제어부로 전달되고, 이동 메카니즘을 구동시키는 것이 제어부로부터의 제어 신호에 의해 정지되어 인접한 레지스트 제거 노즐(51)이 이들사이의 충돌인 간섭이 방지된다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 피복 메카니즘(1)은 수평면(θ 방향)으로 회전가능하며 그리고 그 위에서 유리 기판(G)이 도시하지 않은 진공 장치에 의해 진공-척(vacuum-chucked)되는 스핀 척(10)과; 각 개구부를 구비한 천장 및 바닥을 가진 원통형 형태이며, 스핀 척(10)의 상부 및 그 외주연부를 폐쇄하는 처리실(20)을 더 포함하는 회전 컵(12)과; 회전 컵(12)의 개구부(12a)가 자유롭게 폐쇄/개방되도록 자유롭게 장착 및 분리되는 커버(16)와; 회전 컵(12) 외측을 둘러싸는 방법으로 배치되며, 중공 링 형태인 배수 컵(14)을 포함한다. 배수 컵(14)은 회전 컵(12)으로부터의 폐기물을 수납 및 수집한다. 처리실(20), 회전 컵(12), 커버(16) 및 배수 컵(14)은 처리액 또는 세정액을 회수하기 위한 용기를 구성한다.
스핀 척(10)은 하부 위치에 배치된 구동 모터(21)에 의해 구동된 샤프트(22)의 회전에 의해 회전 샤프트(22)를 중심으로 수평면에서 자유 회전가능하며, 또한 수직 이동 실린더(23)에 결합되고 수직 이동 실린더(23)에 의해 구동되는 회전 샤프트(22)에 의해 수직 방향으로 이동 가능하다. 이러한 경우에, 회전 샤프트(23)는 스플라인 베어링(27)에 활주식으로 결합되며, 상기 스플라인 베어링(27)은 회전 내부 실린더(26a)내에 단단히 삽입되고, 다음에 이들 사이의 베어링(25a)에 의해 고정 칼라(24)내에 회전식으로 삽입된다. 피동 풀리(28a)는 스플라인 베어링(27)상에 장착되며, 벨트(29a)는 피동 풀리(28a)와 구동 풀리(21b)사이로 연장되며, 상기 구동 풀리(21b)는 구동 모터(21)의 구동 샤프트(21a)상에 고정된다. 따라서, 스핀 척(10)은 벨트(29a)의 도움으로 구동 모터(21)에 의해 회전된 회전 샤프트(22)의 회전에 의해 매개체로서 회전된다. 회전 샤프트(22)보다 하부에는 도시하지 않은 원통형 튜브가 위치된다. 원통형 튜브에서는 회전 샤프트(22)가 진공 시일(30)을 통해 수직 이동 실린더(23)에 결합되며, 회전 샤프트(22)가 수직 이동 실린더(23)에 의해 구동됨으로서 수직으로 이동할 수 있도록 구동된다.
회전 컵(12)은 회전 외부 실린더(26b)의 상단부상에 간접적으로 장착되며, 결합 실린더(31)는 회전 외부 실린더(26b)의 상단부에 직접적인 관계로 고정 장착되며, 상기 회전 외부 실린더(26b)는 고정 칼라(24)의 외주연 표면상에 장착된다. 회전 컵(12) 및 스핀 척(10)은 회전 컵(12)의 바닥(12b)과 스핀 척(10)의 하부 표면사이에서 밀봉 기능을 하는 베어링(32)과 함께 서로에 대해 회전가능하다. 구동 모터(21)로부터의 구동력은 회전 외부 실린더(26b)상에 고정 장착된 피동 풀리(28b)와, 구동 모터(21)의 구동 샤프트(21b)상에 장착된 구동 풀리(21b)사이로 연장하는 벨트(29b)에 의해 회전 컵(12)으로 전달된다. 이러한 경우에, 피동 풀리(28b)의 직경은 회전 샤프트(22)상에 고정 장착된 피동 풀리(28a)의 직경과 동일하게 제조되며, 벨트(29a, 29b)는 동일한 모터(21)와 결합되며, 이에 의해 회전 컵(12) 및 스핀 척910)은 동일한 속도로 회전된다. 래버린스 시일부(도시하지 않음)는 고정 칼라(24) 및 회전 내부 실린더(26a)의 반대 표면사이에 제공되며, 회전 컵(12)이 작동중인 경우 하부에 위치된 구동 시스템으로부터 회전 컵(12)의 내측으로 먼지가 유입되는 것이 방지된다. 피동 풀리(28a, 28b)의 직경을 상이하게 함으로써 회전 속도가 상이하게 선택될 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 회전 컵(12)은 테이퍼진 내부 측벽을 구비하며, 회전 컵(12)의 내경은 상방으로 감소된다. 그 이유는 회전 컵이 작동중인 경우 커버(16)의 중간부내에 구멍 뚫린 공기 공급 포트(34)로부터 공급된 공기 스트림이 커버(16) 아래에 배치된 정류판(33)상에 그리고 정류판을 따라 유동하고, 또한 테이퍼진 측벽을 따라 하방으로 유동하고, 다음에 하부 외주연부내의 적당한 위치, 즉 측벽의 하부상에 배치된 배출 포트(35)로부터 배출되기 때문이다.
공기 공급 포트(34) 및 배출 포트(35)가 제공된 이러한 상황에서, 공기 공급 포트(34)로부터 처리실(20)내로의 공기 스트림은 배출 포트(35)로부터 벗어나 외부로 유동하며, 이에 의해 회전 컵(12)이 회전하는 동안에 처리실이 필요한 음압보다 많이 감소되는 것이 방지된다. 그 외에, 처리가 종료한 후에 회전 컵(12)으로부터 커버(16)를 개방하는데 큰 힘이 들지 않으며, 커버(16)가 쉽게 분리될 수 있다.
한편, 도 4에 도시한 바와 같이, 링형 통로(14a)는 배수 컵(14)내에 형성되고, 배출 포트(36)는 링형 통로(14a)의 외부벽상의 적당한 위치(예를 들면, 외주연을 따라 4개 위치)에 형성되며, 배출 포트(36)는 도시하지 않은 배출 장치와 결합된다. 더욱이, 배출 통로(37)는 배수 컵(14)의 내부 벽의 상부에서 사출 방법으로 형성되며, 상기 배출 통로(37)는 배출 포트(36)(도 3 참조)와 연통되어 있다.
이러한 방법에 있어서, 배출 포트(36)가 배수 컵(14)의 외부 측벽상에 제공되고 그리고 배출 통로(37)가 배수 컵(14)의 내부 측벽의 상부에 형성되기 때문에, 회전 처리가 실시될 경우 원심력의 영향하에서 멀리 비산하고 배출 포트(35)를 통해 배수 컵(14)내로 유동하는 연무(mist)가 상부로부터 회전 컵(12)의 상부까지 비산하는 것이 방지되며, 연무는 배출 포트(36)를 통해 배출된다.
링형 통로(14a)는 배수 컵(14)의 바닥의 직립 벽과, 배수 컵(14)의 천장부의 현수 벽(14c)으로 분할되며, 또 배수 구멍(14e)은 외주연을 따라 적당한 거리에서 벽(14b, 14a)사이의 바닥에 형성된다.
커버(16)가 회전 컵(12)의 개구부(12a)에 고정되고 회전 처리 동안에 본체에서 회전될 필요가 있는 동안에, 회전 컵(12)의 상부 표면상에 박혀있고 고정 핀과 결합할 커버(16)(도시하지 않음)의 대응 위치에서 구멍과 결합하는 고정 핀이 제공되며, 서로 상호 결합할 수 있어서 커버(16) 및 회전 컵(12)을 서로 고정시켜 유지한다.
커버(16)가 도 3에서 가상선으로 표시한 바와 같이 개방 또는 폐쇄될 때, 로봇 아암(40)은 커버(16)의 상부 표면상으로 돌출된 팽창된 헤드(18) 아래에 삽입되고, 또 로봇 아암(40)으로부터 돌출하는 맞물림 핀은 결합 홈(18a)내로 끼워맞춤식으로 삽입되며, 그후 로봇 아암(40)은 커버(16)를 이동시키도록 수직으로 또는 측방으로 이동된다. 커버가 개방될 때 팽창된 헤드(18)내의 결합 홈(18a)과 로봇 아암(40)의 맞물림 핀(41)사이에서의 위치설정과, 커버(16)가 폐쇄될 때 고정 핀과 결합 구멍사이의 위치설정을 용이하게 하기 위해서, 양 경우의 위치설정은 구동 모터(21)인 서보 모터의 회전각을 제어함으로써 실시될 수 있다.
한편, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 비사용된 용제와 같은 세정액을 처리실(20)내의 회전 컵(12)의 내부 벽 표면(12c)쪽으로 분사하기 위한 제 1 제트부로서 용제 공급 노즐(15a)이 장착되어 있다. 회전 컵(12)의 외부 측면 표면의 하부 및 배수 컵(14)의 내부 측벽(14c)쪽으로 용제를 분사(공급)하기 위해 회전 컵(12) 아래에 그리고 회전 컵(12)을 따라 연장하는 배수 컵(14)의 바닥의 수평 스트립(14f)상에는 제 2 제트부인 용제 공급 노즐(15c)이 장착되어 있다. 제 2 제트부인 용제 공급 노즐(15a)은 재순환 용제와 같은 세정액을 회전 컵(12)의 외부 측면 쪽으로 분사하기 위한 배수 컵(14)의 벽(14c)상에 장착된다. 더욱이, 제 2 제트부인 용제 공급 노즐(15b)은 재순환 용제와 같은 세정액을 벽(14c)의 외부 측면 및 벽(14b)의 내부 측면쪽으로 분사하기 위한 배수 컵(14)의 벽(14b)상에 장착된다. 이들 용제 공급 노즐(15a, 15b, 15c)은 외주연을 따라 적당한 거리에 장착된다.
회전 컵(12) 및 배수 컵(14)은 스테인레스 시트(SUS 304) 등과 같은 것으로 제조된다. 이러한 플레이트는 다음 테이블내에 도시된 특정 재료중 하나로 제조된 피복막을 형성하도록 선택되며, 이러한 재료는 SUS304로 제한되지 않으며, 그 대신에 수지 또는 금속으로 제조될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 처리실(20) 및 링형 통로(14a)내의 표면, 예를 들면 회전 컵(12)의 내부 벽 표면(12a, 12b), 커버(16)의 내부 표면, 정류판(33)의 전방 및 후방 표면, 배수 컵(14)의 링형 통로(14a) 내측의 벽 표면[벽(14b, 14c)의 각각의 양 표면, 바닥(14d)의 내부 표면 및 배수 구멍(14e) 등의 표면]은 예를 들면 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE)과 같은 에틸렌 플루오르화물 기재 수지와 같은 피복 재료로 제조되고 두께가 약 60㎛인 막으로 피복되며, 상기 처리실(20) 및 링형 통로(14a)내의 표면은 처리액 또는 세정액(짧은 사선으로 해칭된 표면의 부분으로서 도시됨)과 접촉된다.
표 1은 도금 재료 및 피복 재료(실시예 1 내지 12)의 조합체의 예에서 실행한 접착 테스트(접촉각), 레지스트 부착 테스트, 닦는 테스트(매직 잉크 얼룩), 내화학성 테스트 및 경도 테스트를 도시한 것이며, 표 1은 각 테스트 결과에 대응하는 수치를 포함하고 있다. 표 1의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 도금 재료 및 피복 재료의 최선의 조합은 실시예 6의 것이다.
실시예 6은 피복 재료인 PTFE가 도금 재료인 SUS 304의 표면상에 60㎛의 두께의 막으로 피복되는 경우의 일 예이다. 이러한 경우에, 순수의 접촉각은 가장 큰 25.3°로 도시되어 있으며, 레지스트 접착제는 4 내지 5 입자 정도로 작으며, 레지스트 접착 정도(근접한 접촉 정도)는 다른 실시예에 비해 매우 낮다.
실시예 6 외에, 실시예 5의 조합체는 PTFE 및 에틸렌의 공중합체(PTFE + PFE)가 SUS 304 상에 100㎛ 정도의 두께의 막으로 피복되는 경우에 사용될 수 있으며, 결과는 접착 테스트(순수의 접촉각)가 실시예 6 보다 떨어지지만 레지스트 부착 테스트 및 닦는 테스트가 실시예 6 보다 우수한 것으로 도시되어 있다. 즉, 처리실(20) 및 링형 통로(14)의 내부 벽 표면이 에틸렌 수지로 피복되는 경우가 피복된 부분상에 적은 양의 잔류 레지스트를 가지고 있는 것을 입증하고, 보다 나은 결과를 도시하고 있다.
도 2에 도시된 에지 제거 메카니즘(5)은 도시하지 않은 진공 장치에 의해 유리 기판을 진공 보유하기 위한 장착 테이블(50)과; 이 장착 테이블(50)상에 보유된 유리 기판의 4개 측면의 외주연부의 상부 및 하부 표면상의 레지스트 솔벤트인 용제와 같은 세정액을 분사하기 위한 4개의 제거 노즐(51)을 포함하고 있다.
도 6에 도시한 바와 같이, 유리 기판(G)을 보유하는 다수의, 예를 들면 9개의 복사 패드(52)는 장착 테이블(50)의 상부 표면상에 부착된다.
도 7에 도시한 바와 같이, 패드(52)는 진공 구멍(50a)을 커버하는 방법으로 장착 테이블(50)내에 형성되고 진공 구멍(50a) 외측의 외주연을 따라 위치된 계단형 리세스(50b)내의 패킹(52a)에 의해 가압시키기 위한 링-너트(52b)에 의해 고정된 거의 크라운 형상의 오일 시일(52c)과; 패드가 제거 가능한 방법으로 오일 시일(52c)의 상부(52d)와 결합되는 중앙부에 흡입 구멍(52f)을 가진 상부 패드(52e)로 구성된다. 이러한 구성에 의하면, 유리 기판(G)이 상부 패드(52e)상에 장착되고 진공 장치가 흡입을 위해 구동될 때, 상부 패드(52e)는 유리 기판(G)의 경사 또는 변형과 일치되게 하는 동안에 근접 접촉 상태로 강제되어 유리 기판(G)이 안전하게 유지된다.
도 9a에 도시된 바와 같이, 제거 노즐(51)은 유리 기판(G)의 외주연 부분의 상부 표면을 커버하는 상부 수평 스트립(56a)과; 상부 수평 스트립(56a)의 외측으로 돌출하는 하부 수평 스트립(56b)을 포함하는 Π자형 단면의 분사 헤드(56)로 구성된다. 분사 헤드(56)의 상부 수평 스트립(56a) 및 하부 수평 스트립(56b)에는 전방 표면상의 레지스트를 제거하기 위한 용제 공급 경로(56c)와, 후방 표면상의 레지스트를 제거하기 위한 용제 공급 경로(56d)가 형성되어 있다. 전방 표면을 세정하기 위한 다수의 노즐 구멍(51a) 및 다수의 노즐 구멍(56b)은 각기 용제 공급 경로(56c, 56d)에 결합된다. 분사 헤드(56)의 수직부(56e)에서는 후술하게 될 회수 파이프(60)와 결합되는 배출액 경로(56f)가 중심선(C)을 따라 배치되어 있다. 배출액 경로(56f)의 기판 에지부의 측면 후방의 개구부(56g)는 테이퍼 형상이며, 배출액 경로(56f)의 직경은 개구부쪽으로 폭이 증가한다.
다수의 노즐 구멍(51a)은 제거 노즐(51)의 중심선(C)에 직각인 라인상에서 적당한 거리에서 결합된다. 이 경우에, 노즐 구멍(51a)은 중심선(C)이 아닌 그리고 배출액 경로(56f)의 팽창하는 테이퍼진 개구부(56g)의 내측의 위치에 배치된다.
한편, 도 9b에 도시된 바와 같이, 다수의 노즐 구멍(51b)은 노즐 구멍(51a, 51b)이 이들 사이를 간섭하지 않는 방법으로 이들 사이의 적당한 거리를 가진 위치에서 노즐 구멍(51a)에 반대인 직선상에 그리고 팽창하는 테이퍼진 개구부(56g)의 개구부 내측 상에서 배치된다. 노즐 구멍(51a, 51b)이 오프셋 방법으로 배치되는 이유는 노즐(51a, 51b)로부터의 제트 스트림이 서로 충돌하는 동안에, 용제가 둘레에 뿌려지고, 다음에 뿌려진 용제는 유리 기판(G)의 표면의 레지스트 막상에 부착되어 레지스트 막의 막 두께의 비균일성과 같은 나뿐 영향을 제공하는 반면에 나뿐 영향을 방지하게 하는 것이다. 게다가, 그 내측에 노즐 구멍(51a, 51b)이 배치되는 팽창하는 테이퍼진 개구부(56g)를 구비하면, 노즐 구멍(51a, 51b)으로부터 제공되거나 공급된 용제가 배출액 경로(56f)를 통해 용제를 멀리 외측으로 분사시킴이 없이 양호한 효율로 회수 파이프(60)내로 회수될 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 세정 처리 장치(4)는 레지스트 제거 노즐(51)의 배출액 경로(56f)를 통해 레지스트 제거 노즐(51)에 의해 형성된 레지스트 막을 이미 구비한 유리 기판(G)의 양 표면쪽으로 분사된 용제를 회수하는 회수 파이프(60)와; 이들 사이의 경로내의 선택 밸브(75)와 회수 파이프(60)를 결합하는 흡입 메카니즘(61)과; 흡입 메카니즘(61)에 의해 회수된 용제 및 공기의 혼합물로부터 가스/액체 분리를 실시하기 위한 가스/액체 분리 수단인 연무 트랩(62)과; 이미 사용하고 연무 트랩(62)으로부터 분리된 용제(A1)를 저장하기 위한 제 1 배출액 저장부인 에지 제거기 탱크(70)[이후에는 ER 탱크(70)라고 함]와; 공급물 공급 파이프(63a)와 ER 탱크(70)를 서로 연결하는 밸브(64a)와; 비사용된 용제(A0)(새로운 액체)를 저장하고 밸브(64a)에 결합된 새로운 액체 탱크(71)와; ER 탱크(70)와의 사이에 밸브(64b)가 끼워지고 사용된 용제(A1)(재생 이용을 위해)를 용제 공급 노즐(15a 내지 15c)로 공급하는 용재 재공급 파이프(65)와; 새로운 액체 탱크(71)로부터 제거 노즐(51)까지 사용된 용제(A0)를 공급하는 새로운 액체 공급 파이프(66)와; 이미 사용하고(재생 이용) 배출 구멍(14e)으로부터 배출된 용제(A2)(배출액)를 저장하는 제 2 배출액 저장부인 DR 탱크와; 새로운 액체 탱크(71)로부터의 비사용된 용제(A0(새로운 액체)를 공급하며 DR 탱크(72)와 밸브(64a)를 연결하는 공급물 공급 파이프(63b)와; DR 탱크와 용제 재공급 파이프(65)사이에 끼워진 밸브(64C)와; 각 탱크내에 저장된 용제의 액체 높이를 검출하며 탱크(70, 71, 72)내에 설치된 액체 높이 센서(74)와; 밸브(64a 내지 64c) 및 선택기 밸브(75)가 액체 높이 센서(74)에 의해 검출된 액체 높이의 정보에 의거하여 각기 제어되어, 각 탱크(70, 71, 72)의 용제의 유입이 제어되고, 도시하지 않은 다른 제거 메카니즘이 제거 노즐(51)의 위치를 검출하는 센서(55)내의 검출 정보에 의거하여 제어되게 하는 제어부(68)를 포함한다.
ER 탱크(70) 및 DR 탱크(72)는 용제 재공급 파이프(65)에 의해 용제 공급 노즐(15a 내지 15c)과 연결되며, 질소가스(이후에는 N2 가스라고 함)와 같은 불활성 가스는 도시하지 않은 불활성 가스 공급원으로부터 탱크(70, 72)로 공급되며, 탱크(70, 72)내의 용제(A1, A2)는 탱크(70, 72)내의 N2 가스 압력에 의해 용제 공급 노즐(15a 내지 15c)로부터 처리실(20)의 내측, 회전 컵(20)의 내외측 벽 및 배출 컵(14)의 벽 표면으로 분사되며, 그 동안에 밸브(64b, 64c)의 개방 정도는 조정된다. 용제(A1, A2)는 N2 가스 대신에 펌프를 사용하여 용제 공급 노즐(15a 내지 15c)로 공급될 수도 있다.
액체 높이 센서(74)는 그 내의 용제가 소정의 양 이상 또는 양 이하의 높이로 감소될 때 ER 및 DR 탱크(70, 72)의 액체 높이를 검출하며, 검출된 정보는 액체 높이 검출 신호로서 제어부(68)로 전달되며, 밸브(64a 내지 64c)의 개방 정도는 제어부(68)에 의한 액체 높이 검출 신호에 의거하여 제어된다. 제어부(68)는 배출액 파이프(76)를 통해 에지 제거 메카니즘(2)내의 제거 노즐(51)로부터 회수 개시시에 비사용된 용제(비교적 높은 농도의 레지스트를 가진 용제)를 배출하도록 선택 밸브(75)를 제어하며, 그 후에 제어부(68)는 다른 방향으로 유동을 스위치 전환하여 흡입 메카니즘(61)의 측면으로 용제를 보냄으로써, 회수에 적당한 용제의 회수가 실시된다.
여기에서, LCD 기판 처리 시스템의 외형을 설명한다.
LCD 기판 처리 시스템에 있어서, 카세트(96)내에 수용된 사용된 유리 기판(G)은 로딩부(90)의 포착 핀셋에 의해 제거되며, 유리 기판(G)은 제 1 처리부(91)의 이송 경로(102)상에서 이동하는 메인 아암(80)으로 이송되며, 브러시 세정 장치(120)내로 이송된다. 이러한 브러시 세정 장치(120)내에서 세정된 유리 기판(G0은 제트 물 세정 장치(130)내의 고압 제트 물에 의해 연속적으로 세정된다. 그후에, 유리 기판(G)은 유리 기판(G)이 접착 처리 장치(105)내에서 소수성 처리되는 공정이 가해지며, 냉각 처리 장치(106)에 의해 냉각되며, 그후에, 레지스트 막은 레지스트 피복/제거 장치(107, 108)내의 피복 메카니즘(1)에 의해 형성된다. 계속해서, 유리 기판은 인접한 에지 제거 메카니즘(2)의 측면으로 이송되어 에지 제거 메카니즘(2)에 의해 유리 기판(G)의 외주연 영역내의 레지스트 막의 불필요한 막을 제거한다. 따라서, 다음 단계에서, 유리 기판(G)이 외부로 이송될 때 메인 아암(80a, 80b) 등은 레지스트가 부착되지 않는데, 그 이유는 외주연 영역내의 레지스트 막이 제거되기 때문이다. 에지 제거 메카니즘(2)내의 불필요한 레지스트를 제거하는데 허용되고 레지스트로 오염된 배출액은 회수 파이프(60)에 의해 연무 트랩(62)내로 회수되며, 단지 용제인 액체 성분은 회수된 배출액에 가스/액체 분리 공정을 가함으로써 회수되어 ER 탱크(70)내에 저장된다. ER 및 DR 탱크(70, 72)내에 저장된 용제는 세정 처리 장치(4)를 이용하여 레지스트 피복/제거 장치(107, 108)의 컵을 세정하는데 다시 사용된다.
레지스트 피복/제거 장치(107, 108)에서 불필요한 레지스트가 제거된 유리 기판(G)은 가열 처리 장치(109)로 이송되어 유리 기판(G)을 열로 베이킹 처리하며, 그후 노출 장치(95)내의 유리 기판(G)의 표면상에 소정의 패턴이 노출된다. 노출된 유리 기판(G)은 제 2 처리부(92)의 이송 경로(102a)를 따라 이동하는 메인 아암(80b)에 의해 수용되며, 현상 장치(110)내로 이송되어 유리 기판(G)을 현상한 후에, 현상기에서 린스액으로 린스 세척되고, 다음에 현상 처리가 종료된다. 현상 처리로 이미 처리된 유리 기판(G)은 로딩부(90)내의 카세트(97)내에 수용되어 다음 처리 단계가 실시된다.
다음에, 상술한 세정 처리 장치(4)내의 반응(세정 및 순환 작동)을 설명한다.
피복 메카니즘(1)에서 피복 처리가 가해진 유리 기판(G)은 이송 메카니즘(3)에 의해 에지 제거 메카니즘(2)의 장착 테이블(50)상으로 이송되어 진공 흡입에 의해 보유된다.
제거 노즐(51)의 이동 메카니즘은 X 또는 Y 방향에서 측면을 따라 배열된 제거 노즐(51)을 이동시키도록 구동되며, 동시에 용제(A0)는 새로운 액체 탱크(71)로부터 노즐 구멍(51a, 51b)으로 공급되어, 용해되도록 분사되고 유리 기판(G)의 외주연부의 양 표면상에 부착된 불필요한 레지스트를 제거한다. 세정하는데 사용된 용제는 흡입 메카니즘(61)의 흡입에 의해 발생된 공기 스트립에 의해 회수 파이프(60)내로 유동하며, 선택 밸브(75) 및 흡입 메카니즘(61)을 통해 연무 트랩(62)내로 회수된다. 이러한 경우에, 세정의 개시시에 사용된 용제는 선택 밸브(75)를 스위치 전환함으로써 배출액 파이프(76)로부터 배출된다.
연무 트랩(62)내에서 회수된 용재(배출 물질)는 공기(가스)와 혼합되며, 그에 따라 공기(가스)만이 연무 트랩(62)의 배출 기능에 의해 외측으로 제거(배출)되며, 액체 성분만이 그 중량에 의해 ER 탱크(70)내에 저장된다.
ER 탱크(70)내의 용제의 저장된 양이 증가하는 경우, 용제의 액체 높이는 상승하며, 이 높이는 ER 탱크(70)의 상부에 배치된 액체 높이 센서(74)에 의해 검출되며, 검출된 정보는 제어부(68)로 전달된다.
제어부(68)는 제어 신호를 밸브(64b)로 보내서 밸브(64b)를 개방하고, 동시에 N2 가스는 도시하지 않은 N2 공급원으로부터 ER 탱크(70)내로 공급되며, ER 탱크(70)내의 용제(A1)는 공급된 N2 가스에 의해 용제 재공급 파이프(65)를 통해 용제 공급 노즐(15a 내지 15c)로 공급되며, 용제(A1)는 회전 컵(12)의 외측 표면 및 배수 컵(14)의 내부 측면 표면상에서 용제 공급 노즐(15a 내지 15c)을 통해 분사(공급)되어 컵 세정을 실행한다.
상술한 바와 같이 실행한 이러한 작동에 있어서, 처리실(20), 회전 컵(12) 및 배수 컵(14)의 벽상에 부착된 레지스트의 트레이스는 용해되어 제거되고, 레지스트 피복 처리 동안에 멀리 비산함으로써 레지스트의 부착이 실시된다. PTFE가 처리실(20), 회전 컵(12) 및 배수 컵(14)의 벽상에 피복물로서 도포되고 그리고 레지스트가 종래의 경우와 비교해서 적게 부착되기 때문에, 벽을 세정하는 세정 처리 실시 간격이 증가할 수 있다.
컵 세정이 실행되는 경우 배출된 용제는 배수 컵(14)의 배수 구멍(14e)을 통해 배출된 후에 DR 탱크(72)내로 저장된다.
ER 탱크(70 및 DR 탱크(72)내의 용제(A1, A2)의 양이 감소되는 경우, 이러한 사실은 높이 센서(74)에 의해 검출된다. 밸브(64a)는 제어부(68)에 의해 제어되며, 동시에 N2 가스는 도시하지 않은 N2 공급원으로부터 새로운 탱크(71)로 공급되어 새로운 탱크(71)내에 압력을 형성하고, 새로운 액체 탱크(71)내의 비사용된 용제(A0)는 공급물 공급 파이프(63a)를 통해 ER 탱크(70) 및 DR 탱크(72)로 공급하기 위해 제공된다.
상술한 방법에 있어서, 컵 세정의 세정 효율은 개선되고, 세정 처리 장치의 신뢰성이 증가되어 컵 세정의 어떠한 어렴움도 없다.
LCD 기판 처리 시스템의 제 1 실시예에 따르면, 에지 제거 메카니즘(2)내의 유리 기판(G)의 외주연부에 부착된 불필요한 레지스트를 제거하는데 사용된 용제(A1)는 ER 탱크(70)내에 저장되고, 컵 세정을 위해 사용된 용제(A2)는 DR 탱크(72)내에 저장되며, 탱크(70, 72)내에 저장된 용제(A1, A2)는 컵 세정에 재사용되며, 이에 의해 종래에는 배출된 용제가 효율적으로 사용될 수 있어서 용제의 손실이 방지되고 작동 비용이 절감된다.
더욱이, 피복 메카니즘 및 에지 제거 메카니즘(2)을 포함하는 동일한 처리 시스템에 있어서, 에지 제거 메카니즘(2)에 사용된 용제는 피복 메카니즘(1)내의 컵 세정에 재사용되기 때문에, 파이프 시스템은 파이프중 몇몇이 간략화될 수 있어 통상 사용되는 것이 제거되고 장치는 보다 작은 크기로 설계될 수 있다.
ER 및 DR 탱크(70, 72)에 저장된 용제의 높이가 낮을 경우, 높이 센서(74)에 의해 검출되며, 제어부(68)는 새로운 액체가 액체 높이 센서(74)로부터의 정보에 의거하여 새로운 탱크(71)로부터 탱크(70, 72)로 공급되게 제어하여 컵 세정에 어려움이 없게 한다. 결과적으로, 비사용된 용제의 재사용이 또한 최적화될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예를 설명한다.
도 4에 도시된 제 1 실시예가 배출 컵(14)의 링형 통로(14a) 및 회전 컵(12)의 외측 표면의 외측에 배치된 용기의 일 예에 관한 것이지만, 다양한 형상의 변형된 용기가 형성될 수 있다.
예를 들면, 배수 컵의 링형 통로(14a)내의 배출 경로가 회전 컵(12) 아래에 배치될 수 있는 것을 예상할 수 있다.
이러한 경우에, 도 11에 도시된 바와 같이, 링형 통로(14a)는, 배수 컵(14)의 천장부로부터 현수되는 현수 벽(14c)이 배수 구멍(14e)에 연결되고, 상부 스트립(14f)이 회전 컵(12)의 외측 표면과 벽(14c)사이에 형성되고, 내부 링(17)이 회전 컵(12)의 바닥(12b)과 뒷 부분(14g)사이에 형성되어 회전 컵(12)의 바닥(12b)과 내부 링(17)사이에 간극(14h)을 형성하며, 배출 가스 가이드 경로(141)는 배수 컵(14)의 뒷 부분(14g)과 내부 링(17)사이에 형성되고, 배출 가이드 경로(14i)의 입구(상류 위치내의 개구)에는 필터가 배치되고, 용제로부터 분리된 공기(가스)는 필터(19)를 통해 배출 경로(14j)로 배출되게 하는 방법으로 형성된다. 이러한 경우에, 용제 노즐(15a 내지 15d)은 각기 내부 링(17), 뒷 부분(14g) 및 벽(14c)에 장착되며, 용제는 세정할 물체인 대응 벽 표면으로 분사된다. 필터(19)는 예를 들면 메시로 짜여진 스테인레스강의 내부식성 와이어로 구성된 부재이며, 배출된 물질로부터 가스 및 액체를 분리하며, 연무는 배출 경로(14i)를 통해 배출되고, 용제는 배수 구멍(14e)으로 배출된다. 이러한 용기는 배출된 액체와 접촉된 벽 표면상에 약 60㎛의 벽 두께를 가진 피복 막을 갖고 있다.
도 12에 도시한 바와 같이, 배출 포트(36a)는 배수 컵(14)의 외벽의 상부에 형성되며, 링형 통로(14a)는 벽(14k)이 배출 포트(36a) 아래의 측벽의 하부로부터 내측으로 돌출하고, 벽(14c)이 배수 컵(14)의 천장부로부터 수직으로 현수되고, 돌출 벽(14k) 및 현수 벽(14c)이 우회로를 형성하게 하는 방법으로 형성된다. 한편, 상부가 최대 직경인 테이퍼진 개구를 가진 배수 구멍(14i)이 형성되어 배출액을 배출하는 효율이 개선될 수 있다. 이 경우에, 배수 컵에는 다수의 용제 공급 노즐(15a 내지 15d)이 장착되고, 용제는 세정할 물체인 대응 벽 표면으로 분사된다. 상술한 설명에 따라 구성된 용기에 있어서도 역시 배출액이 접촉되는 벽 표면은 약 60㎛ 두께의 PTFE 막으로 피복된다.
도 13에 도시한 바와 같이, 배출 포트(36a)는 배수 컵(14)의 상부에 형성되며, 두 개의 배출 루트는 배수 컵(14)의 바닥(14d)으로부터 직립하는 벽(14b) 및 배수 컵(14)의 천장부에 현수되는 벽(14c)으로 우회하는 방법으로 링형 통로(14a)를 분할함으로써 형성되며, 한편, 상부가 최대 직경인 테이퍼진 개구부를 구비한 배수 구멍(14m, 14n)은 벽(14b)에 의해 분할된 두 개의 바닥에서 형성되며, 오염 정도가 상이한 배출액은 다른 배수 구멍을 통해 배출되어, 배출액이 다른 용도로 사용될 수 있다. 이 경우에, 다수의 용제 공급 노즐(15a 내지 15d)는 배수 구멍(14)내에 장착되며, 용제는 세정할 물체인 각 벽 표면으로 분사된다. 이러한 용기에서도 역시 배출액에 접촉된 벽 표면은 약 60㎛ 두께의 PTFE 막으로 피복된다.
상기 실시예에 있어서, 유리 기판(G)의 외주연부내의 불필요한 레지스트를 제거하는데 사용된 용제는 레지스트 피복/제거 장치(107, 108)의 처리실(20), 회전 컵(12) 및 배수 컵(14)의 내측을 세정하기 위해 사용되며, 이러한 용제의 재사용은 상이한 형상의 컵을 세정하는데 적용할 수 있다는 것은 말할 필요도 없다. 게다가, 재사용 세정액의 대상은 레지스트 피복/제거 장치(107, 108)의 컵으로 제한할 필요는 없지만, 대신에 현상 장치와 같은 다른 어떠한 장치의 컵 세정 또는 메인 아암 또는 장착 테이블과 같은 컵이 아닌 물체의 세정이 상술한 재사용 세정액의 사용 범위내에 포함될 수 있다.
상술한 제 1 실시예에서, 본 발명은 LCD 기판 피복/현상 시스템에 적용되지만, 본 발명은 LCD 기판이 아닌 반도체 웨이퍼와 같은 다른 물체의 처리용 시스템에도 적용될 수 있다.
본 발명에 따른 세정 처리용 제 2 장치를 도 14를 참조하여 설명한다. 도 14는 LCD 기판의 피복/현상 장치의 구성을 도시한 것이다.
도 10의 세정 처리 장치와 상이한 점은 용제 재공급 파이프(65)가 새로운 탱크(71)와 결합되며, 파이프(65)와 탱크(71)사이에 밸브(64a, 64c)가 끼워진다는 것이다. 비사용된 용제(A1)가 ER 탱크(70)내에 존재하지 않거나 또는 충분하지 않을 경우, 새로운 액체 탱크내의 비사용된 용제는 회전 컵(12) 및 배수 컵(14)을 세정하기 위해 사용된다.
본 발명에 따른 제 3 세정 처리 장치를 도 15를 참조하여 설명한다.
도 10의 실시예의 세정 처리 장치와 상이한 점은 2개의 ER 탱크(70a, 70b)가 제공되고, ER 탱크(70c)가 비사용된 용제(A13)를 공급하기 위해 더 제공된다는 것이다.
그 중에, 비사용된 용제(A11)는 3방향 밸브(64d)를 통해 연무 트랩(62)으로부터 ER 탱크(70a)내로 회수된다. ER 탱크(70a)가 충전된다면, 밸브(64d)는 스위치 전환되고, 사용된 용제(A12)는 ER 탱크(70b)내로 회수된다. 사용된 용제(A12)는 ER 탱크(70b)내로 회수되는 반면에, 회수 컵(12) 및 배수 컵(14)은 ER 탱크(70a)내의 용제(A11)를 이용하여 세정된다. ER 탱크(70b)가 충전된다면, 밸브(64d)는 스위치 전환되고, 사용된 용제는 ER 탱크(70a)내로 회수되고, ER 탱크(70b)내의 용제(A12)는 세정을 위해 사용된다. 이러한 방법에 있어서, 2개의 ER 탱크(70a, 70b)는 선택적으로 사용되며, 사용된 용제는 연속적으로 사용될 수 있다.
또한, ER 탱크(70a, 70b)로부터 공급된 사용된 용제(A13)는 ER 탱크(70c)내에 저장된다. 사용된 용제(A13)는 공급 파이프(63c) 및 밸브(64e)를 통해 제거 노즐(51)로 공급되며, 유리 기판(G)의 외주연 부분의 양 표면으로 분사된다. 사용된 용제(A13)는 공급 파이프(63c) 및 밸브(64f)를 통해 회전 컵(12)의 내측을 세정하는데 사용된다. ER 탱크(70c)내에 저장된 용제(A13)내의 레지스트의 농도는 희석시킴으로써 일정 수치 또는 그 이하의 농도로 감소시켜서, 유기 기판(G)의 외주연부내의 불필요한 레지스트 막을 제거하거나 회전 컵(12)의 내측을 세정할 필요가 있다. 이러한 이유 때문에, ER 탱크(70c)내에 농도 센서(77)가 제공되어, 용제의 농도가 일정 수치와 동일하거나 높다면, 비사용된 용제(A0)는 희석을 위해 새로운 탱크(71)로부터 ER 탱크(70c)로 공급된다.
본 발명의 또다른 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예는 본 발명에 따른 세정 처리 장치가 LCD 기판용의 레지스트 피복 장치에 적용되는 경우이다.
도 16에 도시된 레지스트 피복 장치는 이것을 공급하는 레지스트 액체와 같은 피복 액체를 피복 액체 공급 노즐(301a)로부터 장방형 형상의 LCD 기판(G)(이하에서는 기판이라고 함)과 같은 각진 형상의 처리할 물체의 표면으로 공급하기 위한 피복 메카니즘(301)과, 기판(G)의 외주연부상에 피복되어 형성된 불필요한 레지스트 막을 제거하는 에지 제거 메카니즘(302) 및 피복 메카니즘에 의해 피복된 기판(G)을 에지 제거 메카니즘(302)으로 이동하는 이송 메카니즘(303)을 포함한다.
도 16에 도시된 바와 같이 피복 메카니즘(301)의 주요 부분으로는, 도시하지 않은 진공 장치에 의해 진공이 기판(G)을 지지하는 동안에 수평면(θ 방향)에서 기판(G)을 회전시키는 지지 수단인 스핀 척(310)과, 그 내에 각 개구부를 가진 천장 및 바닥을 가진 원통형 형태이며 스핀 척(310)의 상부 및 외주연부를 둘러싸는 처리실(320)을 구비한 회전 컵(312)과, 장착 또는 분리시킴으로써 회전 컵(312)의 개구부(312a)를 개방 또는 폐쇄할 수 있는 커버(316)와, 그 위의 일정한 위치에서 기판(G)을 커버하며 커버(316) 아래에 장착된 스핀 척(310)에 의해 보유되는 정류판(317)과, 회전 컵(312) 외측을 둘러싸도록 배치된 중공 링 형상의 고정 컵(314)이 있다. 또한, 피복 장치(301)는 회전 컵(312)의 바닥 표면 및 내측 표면과, 고정 컵의 외주연의 하부 표면 및 고정 컵의 내측 표면을 세정하는 세정 처리 장치를 더 포함한다.
스핀 척(310)은 하부 위치에 위치된 구동 모터(321)의 구동에 의해 회전되는 회전 샤프트(322)의 도움으로 수평면으로 자유롭게 회전할 수 있으며(그 축을 중심으로), 회전 샤프트(322)와 결합된 수직 이동 실린더(323)의 구동에 의해 상하로 이동할 수 있다. 이러한 경우에, 회전 샤프트(322)는 회전 내부 실린더(326a)내에 끼워맞춤식으로 삽입된 스플라인 베어링(327)과 활주식으로 결합되며, 상기 실린더(326a)는 고정 칼라(324)의 내주연 표면상에 회전식으로 장착되며, 그 사이에는 베어링(325a)이 끼워져 있다. 피동 풀리(328a)는 스플라인 베어링(327)상에 고정식으로 장착되며, 벨트(329a)는 피동 풀리(328a)와 구동 풀리(321b) 사이로 연장되며, 상기 구동 풀리(321b)는 구동 모터(321)의 구동 샤프트(321a)상에 고정식으로 장착된다. 따라서, 회전 샤프트(322)는 벨트(329a)의 도움으로 모터(321)의 구동에 의해 간접적으로 회전되며, 다음에 스핀 척(310)은 회전 샤프트(322)의 회전에 의해 회전된다. 도시하지 않은 실린더는 회전 샤프트(322)의 하부에 배치되며, 회전 샤프트(322)는 수직 이동 실린더(323)를 실린더에서 그 사이에 놓인 진공 시일부(330)와 결합하며, 회전 샤프트(322)는 수직 이동 실린더(323)의 구동에 의해 이동 가능하다.
회전 컵(312)은 고정 칼라(324)의 외주연 표면상에 장착된 회전 외부 실린더(326b)상에 고정된 결합 실린더(331)의 상부에 장착되며, 그 사이에 놓인 베어링(325)을 구비하며, 밀봉 기능을 하는 베어링(332)은 회전 컵(312)의 바닥(312b)과 스핀 척(310)사이에 배치되어 바닥(312b) 및 스핀 척(310)은 서로에 대해 회전가능하다. 회전 컵(312)은 피동 풀리(328b)의 회전에 의해 회전되며, 이 풀리(328b)는 회전 외부 실린더(326b)상에 고정식으로 장착되며 그리고 구동 모터(321)상에 고정식으로 장착된 구동 풀리(321b)의 작용과 조합하여 회전하며, 벨트(329b)는 풀리(328b)와 구동 모터(321)사이로 연장한다. 이러한 경우에, 피동 풀리(328b)의 직경은 회전 샤프트(322)상에 고정식으로 장착된 다른 피동 풀리(328a)의 직경과 동일하게 설정되며, 벨트(329a) 및 벨트(329b)는 동일한 구동 모터(321) 둘레에서 결합되며, 이에 의해 회전 컵(312) 및 스핀 척(310)은 동일한 회전 속도로 회전된다. 래버린스 밀봉부(도시하지 않음)는 고정 칼라(324), 회전 내부 실린더(326a) 및 고정 칼라(326b)의 대향 면사이의 갭내에 형성되며, 장치가 회전 처리되는 동안에 회전 컵(312)내로 먼지가 유입되는 것이 방지된다. 또한 피동 풀리(328a, 328b)가 직경이 상이하게 하여 회전속도가 상이하게 할 수 잇다.
회전 컵(312)은 그 직경이 상방으로 증가하는 테이퍼진 내부 측면 표면 구조를 가지며, 회전 컵(312)의 개구부(312a)와 커버사이의 패킹(318)에 의해 밀봉된 커버(316)의 중간부내에 형성된 공기 공급 구멍(334)으로부터 공급된 공기 스트림은 커버(316) 아래에 배치된 정류판(317)상에 및 정류판(317)을 따라 유동하고, 테이퍼진 내부 표면을 따라 더 유동하며, 하부 외주연부, 즉 측벽의 하부의 외주연 표면상의 적당한 위치에 형성된 배출 구멍(335)을 통해 배출된다. 상술한 공기 공급 구멍(334) 및 배출 구멍(335)을 제공하면, 회전 컵(312)이 회전할 때, 공기 공급 구멍(334)으로부터 처리실(320)내로 유동하는 공기는 배출 구멍(335)을 통해 배출되며, 이에 의해 처리실내의 압력이 필요한 음압보다 작은 수치로 감소되며, 커버(316)는 회전 컵(312)으로부터 해제될 수 있어서 세정 처리의 완료후에 개방될 때 큰 힘이 필요없이 커버를 개방할 수 있다.
한편, 링형 통로(314a)는 고정 컵(314)내에 형성되며, 배출 구멍(336)은 외주연 표면상의 적당한 위치(예를 들면 외주연을 따라 4개의 위치에)에 구멍(336)이 형성되어 있는 도시하지 않은 배출 장치에 결합되며, 동시에 반경방향으로 배치된 배출 경로(337)는 고정 컵(314)의 내주연부의 상부상에 형성되며, 배출 경로(337)는 배출 포트(336)(도 17 및 도 18)와 연통되어 있다. 고정 컵(314)의 외주연부상의 배출 포트(336) 및 고정 컵(314)의 내주연부상의 상부에 있으며 배출 포트(336)와 연통하는 배출 포트(337)를 구비하면, 회전 처리가 실행되는 경우 처리실(20)내의 원심력에 의해 멀리 비산한 후에 배출 포트(336)를 통해 고정 컵(314)내로 유동하는 연무는 회전 컵(312)내의 상부까지 유동하는 것이 방지되고 배출 포트(336)를 통해 배출된다.
링형 경로(314a)는 배출이 균일하게 실행될 수 있도록 우회하는 방법으로 그 바닥으로부터 직립한 고정 컵(314)의 외부 측벽(314b)과, 그 천장부로부터 현수된 고정 커버(314)의 내부 측벽(314c)으로 선택적으로 분할되며, 배수 구멍(314e)은 측벽(314b, 314c)의 외주연 표면을 따라 적당한 거리에서 외부 측벽(314b)과 내부 측벽(314c)사이의 바닥(314d)상에 형성된다. 크랭크 형상으로 외부로 굽은 굽힘부(314g)는 회전 컵(312)의 하부와 대향된 회전 컵(312)의 하부로서 제공되어, 굽힘부(314g) 아래에 개방 공간이 형성되게 한다. 이러한 굽힘부(314g)를 구비하면, 레지스트 피복 처리가 실시될 때 하방으로 유동하는 공기의 스트림내에 유동하지 않는 공기 공간이 형성될 수 있으며, 이에 의해 외측으로 멀리 분산된 레지스트가 공기 스트림상의 상방으로 다시 역류하는 것이 방지된다.
회전 컵(312)이 회전할 때 커버(316)가 회전 컵(312)의 개구부(312a)에 고정되는 상태에서 커버(316)가 회전될 필요가 있지만, 이러한 조건은 회전 컵(312)의 상부 표면으로부터 돌출하는 고정된 핀(도시하지 않음) 및 커버(316)상에 형성된 결합 구멍(도시하지 않음)이 각기 제공되고 그리고 고정된 핀 및 결합 구멍이 끼워맞춤식으로 결합되어 서로 커버(316) 및 회전 컵(312)을 고정할 때 발생할 수 있다. 도시하지 않은 로봇 아암은 커버를 개방 또는 폐쇄한다.
도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 세정 처리 장치(304)는, 예를 들렴 정류판(317)의 상부 표면상의 용제(B)와 같은 세정액을 분사(공급)하고 그리고 커버(316)의 중간부에 형성된 공급 구멍(334)을 통해 갭을 두고 삽입되는 제 1 노즐(305)과; 회전 컵(312)의 내부 측면 표면 및 그 바닥상의 용제(B)와 같은 세정액을 분사(공급)하는 스핀 척(310)의 회전 샤프트(322)상에 고정된 브래킷(319)상에 장착된 제 2 노즐(306)과; 고정 컵(314)의 바닥(314d)으로부터 내측으로 연장하는 수평 스트립(314f)상에 장착되고 그리고 회전 컵(312)의 외주연 부분의 하부 표면과 고정 컵(314)의 내부 측벽(314c)의 내부 측면 표면 쪽으로 용제(B)와 같은 세정액을 분사(공급)하는 제 3 노즐(307)을 포함한다. 제 1 내지 제 3 세정 노즐(305, 306, 307)은 용제 탱크(370, 371)에 결합되며, N2 가스의 가스 압력에 의해 독립적으로 용제를 분사할 수 있다. 용제 탱크(370)는 제 1 내지 제 3 세정 장치에서 상술한 바와 같은 ER 탱크이며, 회수된 용제(A1)를 포함하고 있다. 용제 탱크(371)는 새로운 액체를 포함하고 있다. ER 탱크(370)는 농도 센서를 구비하여 ER 탱크(370)의 액체내의 농도를 검출한다. ER 탱크(370)내의 레지스트 농도는 농도 센서(377)에 의해 측정되며, 농도가 소정의 수치를 초과하는 경우 현재의 액체를 희석시키도록 새로운 액체 탱크(371)로부터 새로운 액체가 공급된다.
이러한 구성에 의하면, 용제(B)는 정류판(317)상의 제 1 세정 노즐(305)로부터 분사되며, 다음에 용제(B)는 도 19에서 참조부호[(1)]로 표시한 바와 같이 커버(316)의 하부 표면상에 충돌하도록 회전하는 정류판(317)의 원심력에 의해 반경방향 외측으로 멀리 분사되어, 커버(16)의 하부 표면상에 부착된 레지스트(A)는 용해되어 제거될 수 있다.
도 20a, 20b 및 도 20c 에 도시한 바와 같이 제 2 세정 노즐(306)은 하기의 3가지 종류의 노즐 본체를 포함한다. 즉 정류판(317)의 외주연부의 하부 표면쪽으로 용제(B)를 분사하는 노즐 구멍(306a)을 가진 노즐 본체(306A)와, 회전 컵(312)의 내부 측면 표면쪽으로 용제(B)를 분사하는 노즐 구멍(306b)을 가진 노즐 본체(306B)와, 회전 컵(312)의 바닥의 내부 부분쪽으로 용제(B)를 분사하는 노즐 구멍(306c)을 가진 노즐 본체(306C)를 포함하며, 제 2 세정 노즐(306)은 회전 컵(312)의 외주연을 따라 120°의 동일 각도인 적당한 각도로 배치된다. 용제(B)는 각 노즐 본체(306A, 306B, 306C)의 노즐 구멍(306a, 306b, 306c)으로부터 회전하는 정류판(317)의 외주연부의 하부 표면쪽으로[도 19 및 도 20a에서 (2) 방향], 회전 컵(312)의 내부 측면 표면쪽으로[도 19 및 도 20b에서 (3) 방향] 그리고 회전 컵(312)의 바닥의 내부 부분쪽으로[도 19 및 도 20c에서 (4) 방향] 분사되며, 표면의 각 부분상에 부착된 레지스트를 용해 및 제거할 수 있다. 제 2 노즐(306)은 적어도 3개 종류의 노즐 본체(306A, 306B, 306C)만을 구비해야 하며, 다수 세트의 3개 종류는 회전 컵(312)의 외주연을 따라 적당한 동일 각도 위치에서 배치될 수도 있다.
도 21a 및 도 21b에 도시한 바와 같이, 제 3 노즐(307)은 하기의 2개 종류의 노즐 본체를 구비한다. 즉 회전 커버(312)의 외주연부의 하부 표면쪽으로 용제(B)를 분사하는 노즐 구멍(307a)을 가진 노즐 본체(307A)와; 고정 컵(314)의 내부 측벽(314c)[구체적으로 굽힘부(314g)]쪽으로 용제(B)를 분사하는 노즐 구멍(307b)을 가진 노즐 본체(307B)를 포함하며, 상기 2개 종류의 노즐 본체는 180°의 동일한 각도, 약 중심의 적당한 각도에서 회전 컵(312)의 원형 외주연부를 따라 배치된다. 용제(B)는 각 노즐 본체(307A, 307B)의 노즐 구멍(307a, 307b)으로부터 회전 컵(312)의 외주연부의 하부 표면[도 19 및 도 21a의 방향(5)]쪽으로 및 고정 커버(314)의 내부 측벽(314f)[구체적으로 굽힘부(314g)]쪽으로 분사되며, 이에 의해 대응하는 위치상에 위치된 레지스트는 용제 및 제거될 수 있다. 제 3 노즐(307)은 단지 적어도 2개 종류의 노즐 본체(307A, 307B)를 포함할 필요가 있으며, 2개 종류의 노즐 본체(307A, 307B)의 다수의 세트는 회전 컵(312)의 외주연을 따라 배치될 수도 있다.
도 16에 도시한 바와 같이 에지 제거 메카니즘(302)의 메인 부분은 도시하지 않은 진공 장치에 의해 기판(G)을 흡입함으로써 지지하는 장착 테이블(350)과, 장착 테이블(350)에 의해 지지된 기판(G)의 4개 측면의 에지 부분의 양 표면상에 레지스트 용제와 같은 세정액을 분사하는 제 1 세정 공급 수단인 4개의 제거 노즐(351)을 포함하고 있다.
제거 노즐(351)은 도 16의 X 또는 Y 방향중 한 방향으로 연장하게 제공된 가이드 레일(353)상에서 자유롭게 활주하도록 활주 부재(354)상에 장착된다. 활주 부재(354)는 단차 모터 및 공기 실린더 등을 이용하는 이동 메카니즘(도시하지 않음)과, 와이어, 체인 및 볼 스크류로 구성된다. 제거 노즐(351)의 인접한 위치를 검출하는 센서가 제공되어 인접한 제거 노즐(351)은 서로 충돌하지 않는다. 센서는 인접한 제거 노즐(351)중 하나가 다른 노즐에 접근하는 것을 검출하여, 검출 신호를 도시하지 않은 제어부로 전송한다. 이동 메카니즘의 구동은 제어부로부터의 제어 신호에 의해 정지되며, 이에 의해 인접한 제거 노즐(351)사이의 간섭 또는 충돌이 방지된다.
다음에 세정 처리 장치(304)에 의해 세정 작용을 설명한다. 커버(316)가 개방된 후에 레지스트 피복은 피복 메카니즘(301)에 의해 기판(G)상에서 실시되며, 스핀 척(310)은 상부로 이동하며, 기판(G)은 도시하지 않은 이송 아암에 의해 꺼내진다. 다음에, 커버(316)는 폐쇄되며, 스핀 척(310), 회전 컵(312) 및 커버(316)는 함께 회전(350 내지 630rpm 범위의 회전 속도로)하는 동시에 공급 구멍(334)에 갭을 갖고 이미 삽입된(공기 공급을 위해) 제 1 세정 노즐(305)은 회전 정류판(317)의 상부 표면의 중심부상으로 용제(B)를 분사한다. 이러한 상황에서, 정류판(317)의 상부 표면으로 용제(B)는 원심력에 의해 외측으로 멀리 분사되어 커버(316)의 외주연부의 하부 표면상에 충돌하며, 커버(316)의 외주연부의 하부 표면상에 부착된 레지스트(A)를 용해 및 제거한다[도 18 및 도 19의 (1) 참조].
다음에, 스핀 척(310) 및 회전 컵(312)은 보다 높은 속도(예를 들면 700 내지 1300rpm)로 회전되며, 동시에 용제(B)는 제 2 세정 노즐(306)의 노즐 본체(306A, 306B)로부터 정류판(317)의 외주연부의 하부 표면쪽으로 그리고 회전 컵(312)의 내부 측면 표면쪽으로 분사된다. 용제는 정류판(317)의 외주연부의 하부 표면 및 회전 컵(312)의 내부 측면 표면상에 충돌하여 레지스트(A)를 용해 제거한다(도 18 및 도 19의 (2) 및 (3) 참조]. 동시에, 정류판(317)의 외주연부의 하부 표면 및 회전 커버(312)의 내부 측면 표면을 세정하는 경우, 용제(B)는 제 3 세정 노즐(307)의 노즐 본체(307A, 307B)로부터 회전 컵(312)의 외주연부의 하부 표면쪽으로 그리고 고정 컵(314)의 내부 측면 표면, 즉 측벽(314f)[구체적으로 굽힘부(314g)]쪽으로 분사되어, 회전 컵(312)의 외주연부의 하부 표면 및 내부 측벽(314f)[구체적으로 굽힘부(314g)]상에 부착된 레지스트(A)를 용해 제거한다[도 18 및 도 19의 (5) 및 (6) 참조].
다음에, 스핀 척(310) 및 회전 컵(312)은 저속(예를 들면 14 내지 26rpm)으로 회전되며, 동시에, 제 2 세정 노즐(306)의 노즐 본체(306C)는 회전 컵의 바닥 표면상으로 용제(B)를 분사한다. 회전 컵(312)의 바닥 표면상에 분사된 용제는 원심력에 의해 회전 컵의 바닥 표면상에서 외주연부쪽으로 제거되어, 바닥 표면상에 부착된 레지스트(A)를 용해 제거하며[도 18 및 도 19의 (4) 참조], 레지스트가 배출 구멍(335)을 통해 배출될 때 배출 구멍(335)내에 부착된 레지스트(A)를 더 용해 제거한다.
상술한 실시예에 있어서, 세정 처리가 하기의 순서로 실시되는 경우의 세정 처리를 설명한 것이다. 즉, 커버(316)의 외주연부의 하부 표면을 세정하고[도 19의 (1) 참조], 정류판(317)의 하부 표면, 회전 컵(312)의 내부 측면 표면, 회전 컵(312)의 외부의 하부 표면 및 내부 측벽(314f)을 세정하고[도 19의 (2), (3), (5), (6) 참조], 회전 컵(312)의 바닥 표면 및 배출 구멍(335)을 세정한다[도 19의 (4) 참조]. 이러한 세정 순서는 상술한 순서로 제한되지 않으며 임의로 선택될 수도 있다. 또한, 세정 단계의 타이밍도 임의로 선택될 수 있는데, 예를 들면 많은 기판과 같은 소정 개수의 기판상에서 레지스트 피복이 종료하는 경우 각 시간이 경과한 후에 세정 처리가 순서대로 실행될 수 있다.
상술한 실시예에서, 본 발명의 세정 처리 장치 및 방법은 LCD 기판용 피복 장치에 적용하는 경우로 설명하였지만, 본 장치 및 방법은 유사한 방법으로 피복 장치가 아닌 현상 장치와 같은 다른 상이한 장치에 그리고 LCD 기판이 아닌 반도체 웨이퍼와 같은 물체용의 피복 장치, 현상 장치에서의 컵 세정에도 적용할 수 있다.
다른 장점 및 변형예는 본 기술 분야에 숙련된 자들에 의해 취해질 수 있다. 따라서, 보다 넓은 범위의 본 발명은 특정 설명과 여기에서 도시하고 설명한 대표적인 실시예로 제한되지 않는다. 따라서, 특허청구범위 및 그의 동등물에 의해 한정된 본 발명의 개요의 정신 및 영역으로부터 벗어남이 없이 다양한 변경이 이뤄질 수 있다.
본 발명에 따르면, 세정액은 물체에 공급되어 물체를 세정하며, 그후에 세정액은 회수되며, 가스는 회수된 액체로부터 분리되어 제거되고, 다음에 회수된 액체는 저장되고, 저장된 세정액은 세정할 물체의 세정에 재사용되고, 그에 따라 세정액을 효율적으로 사용할 수 있다. 따라서, 세정에 사용되는 세정액 양이 감소될 수 있기 때문에 비용이 감소되고 천연 자원을 효율적으로 사용할 수 있는 효과가 있다.

Claims (24)

  1. 세정 처리 방법에 있어서,
    세정액이 공급하여 처리된 물체를 세정한 후에 세정액을 회수하는 단계와,
    회수된 액체로부터 가스를 분리 및 제거한 후에 세정액을 저장하는 단계와,
    처리된 물체를 세정하는데 저장된 세정 액체를 사용하는 단계를 포함하는 세정 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 저장된 세정액은 물체의 처리를 위한 장치의 세정에 사용되는 세정 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 회수된 세정액용의 저장부는 세정액과, 공급된 세정액의 혼합물이 공급되며, 상기 회수된 세정액은 물체를 처리하는데 사용되는 세정 처리 방법.
  4. 세정 처리 장치에 있어서,
    처리된 물체로 세정액을 공급하기 위한 제 1 공급 수단과,
    처리된 물체에 사용된 세정액을 회수하기 위한 회수 파이프와,
    제거를 위해 회수된 액체로부터 가스를 분리하기 위한 가스/액체 분리 수단과,
    가스/액체 분리 수단에 의해 분리된 세정액을 저장하기 위한 세정액 저장부와,
    세정액 저장부내의 세정액을 처리할 물체로 공급하기 위한 제 2 세정액 공급 수단을 포함하는 세정 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 세정액 공급 수단은 물체의 처리를 위한 장치에 제공되는 세정 처리 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 세정액 공급 수단은 세정액을 처리된 물체의 외주연부의 양 표면상의 위치쪽으로 분사하기 위한 다수의 노즐 구멍을 포함하며, 상기 노즐 구멍은 서로 간섭되지 않으며 적당한 거리에 배열되며 회수 파이프와 결합된 세정 처리 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 세정액 저장부는 세정액 공급원으로부터 세정액이 공급되는 세정 처리 장치.
  8. 처리 장치에 있어서,
    물체가 처리되는 경우 외부로 유동하거나 외부로 비산하는 처리액을 회수하기 위한 용기와,
    세정액을 상기 용기내로 공급함으로써 용기의 내부 벽 표면을 세정하기 위한 세정 수단과,
    용기의 내부 벽 표면이 세정 수단에 의해 세정되는 경우 용기로부터 배출된 액체를 회수하고, 회수된 액체를 세정 수단으로 공급하기 위한 순환 시스템을 포함하는 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 순환 시스템은,
    비사용된 세정액용의 새로운 세정액 저장부와,
    용기로부터 배출된 배출액을 저장하기 위한 배출액 저장부와,
    상기 배출액 저장부내에 저장된 배출액 및 상기 새로운 액체 저장부에 저장된 비사용된 세정액을 단독으로 또는 혼합하여 세정 수단으로 공급하기 위한 세정액 공급 수단을 포함하는 처리 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 순환 시스템은,
    이미 처리된 물체의 적어도 일부분이 세정되는 경우 용기로 수집되고 배출된 제 1 배출액을 저장하기 위한 제 1 배출액 저장부와,
    상기 용기의 내부 벽 표면이 세정되는 경우 용기로 수집되고 배출된 제 2 배출액을 저장하기 위한 제 2 배출액 저장부와,
    제 1 배출액 저장부내에 저장된 제 1 배출액과, 제 2 배출액 저장부내에 저장된 제 2 배출액을 단독으로 또는 혼합하여 세정 수단으로 공급하기 위한 세정액 공급 수단을 포함하는 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 세정액 공급 수단은 이미 처리된 물체의 적어도 일부분을 상기 제 1 배출액 저장부 및 제 2 배출액 저장부중 적어도 하나로 세정하기 위한 비사용된 세정액을 공급하며, 각 저장부내에 저장된 저장 액체를 단독으로 또는 혼합하여 세정 수단으로 공급하는 처리 장치.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 순환 시스템은,
    비사용된 세정액을 저장하기 위한 새로운 새정액 저장부와,
    이미 처리된 물체의 적어도 일부분이 세정되는 경우 용기로 수집되고 배출된 제 1 배출 액체를 저장하기 위한 제 1 배출액 저장부와,
    용기의 내부 벽 표면이 세정되는 경우 용기로 수집되고 배출된 제 2 배출액을 저장하기 위한 제 2 배출액 저장부와,
    새로운 세정액 저장부내에 저장된 비사용된 세정액을 제 1 배출액 저장부와 제 2 배출액 저장부중 적어도 하나로 공급하고, 세정 수단으로 공급하기 위한 세정액 공급 수단을 포함하는 처리 장치.
  13. 제 8 항에 있어서,
    비사용된 세정액을 저장하기 위한 새로운 새정액 저장부와,
    이미 처리된 물체의 적어도 일부분이 세정되는 경우 용기로 수집되고 배출된 제 1 배출 액체를 저장하기 위한 제 1 배출액 저장부와,
    용기의 내부 벽 표면이 세정되는 경우 용기로 수집되고 배출된 제 2 배출액을 저장하기 위한 제 2 배출액 저장부와,
    제 1 배출액 저장부내에 저장된 제 1 배출액과, 제 2 배출액 저장부내에 저장된 제 2 배출액과, 새로운 세정액 저장부내에 저장된 비사용된 세정액을 단독으로 또는 혼합하여 세정 수단으로 공급하기 위한 세정액 공급 수단을 포함하는 처리 장치.
  14. 제 9 항 내지 제 13 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정액 공급 수단은,
    각 저장부내의 세정액 및 배출액의 양을 검출하기 위한 검출 수단과,
    상기 검출 수단에 의해 검출된 각 양에 의거해서 세정액 및 배출액의 유입양을 제어하기 위한 제어부를 포함하는 처리 장치.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 세정 수단은 처리된 물체의 근방에서 용기의 내부 벽 표면쪽으로 세정액을 분사하기 위한 제 1 분사 유닛과, 처리된 물체로부터 먼 배출 포트의 근방에서 내부 벽 표면쪽으로 세정액을 분사하기 위한 제 2 분사 유닛을 포함하며,
    상기 순환 시스템은 사용된 세정액인 배출액을 제 2 분사 유닛으로 그리고 비사용된 세정액을 제 1 분사 유닛으로 공급하는 처리 장치.
  16. 처리 장치에 있어서,
    물체가 처리되는 경우 외부로 유동하거나 외부로 비산하는 처리액을 회수하기 위한 용기를 구비하며, 용기의 내부 벽 표면은 표면상에 형성된 에틸렌 플루오르화물 기재 수지층을 구비하는 처리 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    처리 액체가 회수될 수 있는 용기의 회수 경로의 내부 표면상에 형성된 에틸렌 플루오르화물 기재 수지층을 구비하는 처리 장치.
  18. 커버를 구비하며, 회전가능하며 처리된 물체 및 처리된 물체의 측면과 하부를 지지하기 위한 지지 수단을 둘러싸는 회전 컵과, 커버된 회전 컵의 측면 및 하부를 둘러싸는 고정 컵과, 커버된 회전 컵의 내측에 장착되며 그 위의 일정 위치에서 처리되는 물체를 커버하는 정류판을 포함하는 피복 메카니즘내의 컵의 세정 처리 장치에 있어서,
    커버된 회전 컵의 커버의 중간에 뚫려진 공급 구멍에 의해 정류판상으로 세정액을 공급하기 위한 제 1 노즐과,
    지지 수단 하부에 위치되며, 정류판의 외주연부의 하부 표면, 커버된 회전 컵의 내부 측면 표면 및 고정 컵의 바닥 표면쪽으로 세정액을 공급하기 위한 제 2 노즐을 포함하는 세정 처리 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    고정 컵 내측에 위치되며, 세정액을 커버된 회전 컵의 외측 표면의 하부 및 고정 컵의 내부 측면쪽으로 공급하기 위한 제 3 노즐을 더 포함하는 세정 처리 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 고정 컵의 내부 표면의 하부는 외측으로 구부러져 있으며, 그 바닥은 개방되어 있으며, 세정액은 제 3 노즐로부터 고정 컵의 내부 측면 표면의 굽힘부쪽으로 공급될 수 있는 세정 처리 장치.
  21. 커버를 구비하며, 회전가능하며 처리된 물체 및 처리된 물체의 측면과 하부를 지지하기 위한 지지 수단을 둘러싸는 회전 컵과, 커버된 회전 컵의 측면 및 하부를 둘러싸는 고정 컵과, 그 위의 일정 위치에서 처리되는 물체를 커버하는 정류판을 포함하는 피복 메카니즘의 컵의 세정 처리 방법에 있어서,
    원심력에 의해 커버의 하부 표면으로 세정액을 공급하도록 커버된 회전 컵이 회전하는 동안에 커버된 회전 컵의 커버의 중간을 통해 정류판쪽으로 세정액을 공급하는 단계와, 이와 동시에 정류판의 외주연부의 하부 표면, 커버된 회전 컵의 내부 측면 표면 및 고정 컵의 바닥 표면쪽으로 세정액을 공급하는 단계를 포함하는 세정 처리 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    세정액은 커버된 회전 컵의 외주연부의 하부 표면과, 고정 컵의 내부 측면 표면상으로 공급되는 세정 처리 방법.
  23. 제 21 항 또는 제 22 항에 있어서,
    세정액은 제 1 회전 속도에서 커버된 회전 컵이 회전하는 동안에 커버된 회전 컵의 거의 중앙으로부터 정류판쪽으로 공급되며; 세정액은 제 1 회전 속도보다 빠른 제 2 회전 속도에서 커버된 회전 커버이 회전하는 동안에, 정류판의 외주연부의 하부 표면과, 커버된 회전 컵의 내부 측면 표면쪽으로 공급되며; 세정액은 제 1 회전 속도보다 느린 제 3 회전 속도에서 커버된 회전 컵이 회전하는 동안에 커버된 회전 컵의 바닥 표면상에 공급되는 세정 처리 방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 1 회전 속도는 350 내지 650rpm 이며, 상기 제 2 회전 속도는 700 내지 1300rpm 이며, 상기 제 3 회전 속도는 14 내지 26rpm 인 세정 처리 방법.
KR1019970048207A 1996-09-24 1997-09-23 세정처리방법및장치와기판처리용장치 KR100508575B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-271292 1996-09-24
JP27129296A JP3289208B2 (ja) 1996-09-24 1996-09-24 洗浄処理方法及び洗浄処理装置
JP96-318606 1996-11-15
JP943297 1997-01-22
JP97-009432 1997-01-22
JP97-9432 1997-01-22

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050005393A Division KR100549879B1 (ko) 1996-09-24 2005-01-20 도포장치용 캡의 세정 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980024865A true KR19980024865A (ko) 1998-07-06
KR100508575B1 KR100508575B1 (ko) 2005-10-21

Family

ID=27278479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970048207A KR100508575B1 (ko) 1996-09-24 1997-09-23 세정처리방법및장치와기판처리용장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6391110B1 (ko)
KR (1) KR100508575B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160076349A (ko) 2014-12-22 2016-06-30 주식회사 케이씨텍 기액분리기 및 이를 구비한 기판 세정장치
KR20160117987A (ko) * 2015-04-01 2016-10-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN111439697A (zh) * 2020-04-24 2020-07-24 深圳市群卜鸿科技有限公司 一种安全系数高的液压设备

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6807972B2 (en) * 2002-03-29 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Gutter and splash-guard for protecting a wafer during transfer from a single wafer cleaning chamber
DE10243022A1 (de) * 2002-09-17 2004-03-25 Degussa Ag Abscheidung eines Feststoffs durch thermische Zersetzung einer gasförmigen Substanz in einem Becherreaktor
US20080016713A1 (en) * 2006-07-12 2008-01-24 Liu Zhi L Apparatus, system and method for processing a substrate that prohibits air flow containing contaminants and/or residues from depositing on the substrate
KR100829923B1 (ko) * 2006-08-30 2008-05-16 세메스 주식회사 스핀헤드 및 이를 이용하는 기판처리방법
US7741583B2 (en) * 2007-03-22 2010-06-22 Tokyo Electron Limited Bake plate lid cleaner and cleaning method
KR100923268B1 (ko) * 2007-08-29 2009-10-23 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법
US9421617B2 (en) 2011-06-22 2016-08-23 Tel Nexx, Inc. Substrate holder
US8613474B2 (en) 2011-07-06 2013-12-24 Tel Nexx, Inc. Substrate loader and unloader having a Bernoulli support
KR102009883B1 (ko) * 2011-08-04 2019-10-22 엘지디스플레이 주식회사 표시모듈 세정장치 및 세정방법
JP7232737B2 (ja) * 2019-08-07 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN114472310A (zh) * 2022-01-14 2022-05-13 成都飞机工业(集团)有限责任公司 一种小型零件清洗设备及清洗方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5041165A (en) 1984-10-02 1991-08-20 Urbani William G Dirty surface cleaning method
JPS6314434A (ja) * 1986-07-04 1988-01-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理方法および装置
US4788994A (en) * 1986-08-13 1988-12-06 Dainippon Screen Mfg. Co. Wafer holding mechanism
JPS6377569A (ja) * 1986-09-19 1988-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の回転式表面処理装置
US5095927A (en) * 1987-04-27 1992-03-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor gas-liquid separation
JP2675309B2 (ja) * 1987-09-19 1997-11-12 パイオニア株式会社 無電解めっき方法及びその装置
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
US5235995A (en) * 1989-03-27 1993-08-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization
JPH0216633A (ja) * 1988-07-05 1990-01-19 Nec Corp ソフトウェア使用権登録方式
US5503681A (en) 1990-03-16 1996-04-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning an object
US5488964A (en) * 1991-05-08 1996-02-06 Tokyo Electron Limited Washing apparatus, and washing method
JPH053184A (ja) * 1991-06-24 1993-01-08 Sony Corp ウエハの洗浄方法
KR0167572B1 (ko) * 1991-09-20 1999-02-01 이노우에 아키라 기판도포장치
JP3110218B2 (ja) * 1992-09-25 2000-11-20 三菱電機株式会社 半導体洗浄装置及び方法、ウエハカセット、専用グローブ並びにウエハ受け治具
KR100248565B1 (ko) * 1993-03-30 2000-05-01 다카시마 히로시 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치
US5608943A (en) * 1993-08-23 1997-03-11 Tokyo Electron Limited Apparatus for removing process liquid
JP3177728B2 (ja) * 1993-08-23 2001-06-18 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US5540244A (en) * 1993-12-07 1996-07-30 Advanced Environmental Recycling Technologies, Inc. Method and apparatus for cleaning and recycling post-consumer plastic films
JP3388628B2 (ja) * 1994-03-24 2003-03-24 東京応化工業株式会社 回転式薬液処理装置
US5431178A (en) * 1994-03-30 1995-07-11 Chiu; Hsien Hsin Centrifugal type, enclosed cleaning apparatus
JP3099054B2 (ja) * 1994-09-09 2000-10-16 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及びその方法
JPH0888168A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 M Setetsuku Kk スピンナ
JPH08108125A (ja) * 1994-10-13 1996-04-30 Sony Disc Technol:Kk 液供給装置
US5730162A (en) * 1995-01-12 1998-03-24 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrates
TW406216B (en) * 1995-05-24 2000-09-21 Tokyo Electron Ltd Apparatus for coating resist on substrate
JP3518948B2 (ja) * 1995-08-24 2004-04-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板の回転処理装置
KR0169228B1 (ko) * 1995-12-29 1999-02-01 김광호 회전식 도포기의 배출 감광액 회수 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160076349A (ko) 2014-12-22 2016-06-30 주식회사 케이씨텍 기액분리기 및 이를 구비한 기판 세정장치
KR20160117987A (ko) * 2015-04-01 2016-10-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN111439697A (zh) * 2020-04-24 2020-07-24 深圳市群卜鸿科技有限公司 一种安全系数高的液压设备

Also Published As

Publication number Publication date
US6391110B1 (en) 2002-05-21
KR100508575B1 (ko) 2005-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100549879B1 (ko) 도포장치용 캡의 세정 처리 방법
KR100284559B1 (ko) 처리방법 및 처리장치
KR100508575B1 (ko) 세정처리방법및장치와기판처리용장치
KR0167572B1 (ko) 기판도포장치
KR100217291B1 (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
KR101223354B1 (ko) 기판 처리 장치
JPH0573245B2 (ko)
KR100249272B1 (ko) 회전식 기판처리장치
JP3276601B2 (ja) 洗浄処理方法及び洗浄処理装置
JPH07115060A (ja) 処理装置及び処理方法
JP3250095B2 (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JP2893146B2 (ja) 塗布装置
JPH06310418A (ja) 処理装置
JPH05259060A (ja) 塗布装置
JPH05160017A (ja) 塗布装置
JP3289208B2 (ja) 洗浄処理方法及び洗浄処理装置
JPH08281184A (ja) 処理装置及び処理方法
JP3840388B2 (ja) 基板処理装置
TWI231950B (en) Substrate processing apparatus and cleaning method
JP3408895B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3277278B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JPH06120132A (ja) レジスト塗布装置
KR100798769B1 (ko) 기판 처리장치
JP3648329B2 (ja) レジスト塗布装置
JP3421557B2 (ja) 塗布処理方法および塗布処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090724

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee