KR20160076349A - 기액분리기 및 이를 구비한 기판 세정장치 - Google Patents

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KR20160076349A
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이승은
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Abstract

본 발명은 기액분리기 및 이를 구비한 기판 세정장치에 관한 것으로, 기판에 대한 세정공정이 진행되는 세정챔버와 연통되어 세정공정 중에 발생되는 기체와 액체가 혼합된 혼합유체가 통과하되, 하강 경로와 상승 경로를 구비한 유체 유로와; 상기 혼합유체에 포함된 액체를 흡수하고 상기 유체 유로에 배치된 흡액 부재를; 포함하여 구성되어, 혼합유체로부터 기체와 세정액을 효과적으로 분리할 수 있는 기액분리기 및 이를 구비한 기판 세정장치를 제공한다.

Description

기액분리기 및 이를 구비한 기판 세정장치{GAS-LIQUID SEPARATOR AND SUBSTRATE CLEANING APPARATUS HAVING THEREOF}
본 발명은, 기액분리기 및 이를 구비한 기판 세정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 기판의 세정공정 중에 발생되는 기체와 세정액이 혼합된 미스트 형태의 혼합유체로부터 기체와 세정액을 효과적으로 분리할 수 있는 기액분리기 및 이를 구비한 기판 세정장치에 관한 것이다.
일반적으로 평판 디스플레이 패널의 제조에 사용되는 기판을 제조함에 있어서, 공정 중의 하나인 세정공정은 초순수(DIW: De-Ionized Water) 등과 같은 세정액을 분사하여 기판 표면에 부착된 이물질을 제거한다.
한편, 기판의 세정공정 중 세정액의 일부는 미스트(mist) 형태로 비산되는데, 기체와 세정액이 혼합된 미스트 형태의 혼합유체가 외부로 배기되지 못하면 세정챔버 내부에 액적으로 달라붙어 기판에 낙하되기 때문에 기판 표면에 얼룩이 생기는 문제점이 있다.
따라서, 세정챔버의 외부로 미스트 형태의 혼합유체를 강제배출하기 위한 별도의 배출장치가 설치된다.
또한, 배출장치에 의해 배출되는 혼합유체는 기액분리기에 의해 기체와 액체인 세정액으로 분리 배출된다.
종래의 기액분리기는 세정공정이 진행되는 세정챔버에 연통되는 하우징에 혼합유체가 유입되는 유체 유입구가 형성되고, 하우징의 상부에는 혼합유체에서 분리된 기체가 배출되는 기체 배출구가 형성되고, 하우징의 하부에는 혼합유체에서 분리된 세정액이 배출되는 액체 배출구가 형성된다.
구체적으로, 혼합유체가 유체 유입구를 통해 하우징의 내부로 유입되면 밀도차에 의한 중력에 의해 기체와 액체가 분리되어 기체는 기체 배출구를 통해 배출되고, 세정액은 하우징의 하부에 고이게 된다.
그러나, 중력을 이용한 종래의 기액분리기는 배출되는 기체에 미스트 형태의 세정액이 포함되어 배출되는 경우가 빈번하게 발생되므로 혼합유체를 분리하는데 있어 효과적이지 못한 문제점이 있다.
대한민국 공개특허 특1998-024865(1998.07.06. 공개)
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 기판의 세정공정 중에 발생되는 기체와 세정액이 혼합된 미스트 형태의 혼합유체로부터 기체와 세정액을 효과적으로 분리할 수 있는 기액분리기 및 이를 구비한 기판 세정장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판에 대한 세정공정이 진행되는 세정챔버와 연통되어 세정공정 중에 발생되는 기체와 액체가 혼합된 혼합유체가 통과하되, 하강 경로와 상승 경로를 구비한 유체 유로와; 상기 혼합유체에 포함된 액체를 흡수하고 상기 유체 유로에 배치된 흡액 부재를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기액분리기를 제공한다.
여기서, 상기 유체유로의 하강 경로와 상승 경로는 나란히 배치되어 U자 형상을 이루는 것이 바람직하다. 이에 의하여 기체와 액체가 유동 공정 중에 관성에 의하여 분리되려는 성질을 나타내게 된다.
그리고, 상기 흡액 부재는 상기 U자 형상의 바닥에 위치하여, 흡액 부재를 거치면서 대부분의 액체를 혼합 유체로부터 확실하게 분리할 수 있다.
이 때, 상기 흡액 부재는 유체 유로의 단면을 전부 막는 형태로 이루어져, 혼합 유체로부터 모든 액체를 확실하게 분리할 수 있다.
이를 위하여, 상기 흡액 부재는 공기가 통과할 수 있으면서 액체를 포집할 수 있는 스폰지 등의 액체를 머금는 재질로 형성된다.
상기 유체유로의 내부에는 상기 혼합유체의 이동경로가 지그재그로 형성되게 상호 교호되게 설치된 복수의 격벽이 형성되어, 혼합 유체의 이동 경로를 보다 길게 유도하면서 혼합 유체 상의 액체가 격벽에 묻어 맺히도록 유도한다.
따라서, 상기 흡액 부재가 배치된 위치에서 상기 유체 유로로부터 분기된 액체 배출 유로가 형성되어, 흡액 부재에서 걸러낸 액체를 액체 배출 유로를 통해 분리하여 배출시킨다.
한편, 본 발명은, 기판에 세정액을 분사하여 기판에 묻은 이물질을 제거하는 세정공정이 진행되는 공간을 형성하는 세정챔버; 상기 세정챔버에 연통되되, 기판에 대한 세정공정 중 발생되는 기체와 세정액이 혼합된 혼합유체를 배출하는 제1 배출관; 및 상기 제1 배출관에 연통되되, 상기 혼합유체가 유입되는 유체 유입구와, 상기 혼합유체에서 분리된 기체가 배출되는 기체 배출구와, 상기 혼합유체에서 분리된 세정액이 배출되는 액체 배출구가 형성된 하우징을 구비한 전술한 구성의 기액분리기를 포함하여 구성된 기판 세정장치를 제공한다.
상기 액체 배출구는 상기 흡액 부재가 배치된 위치에서 상기 유체 유로로부터 분기된 액체 배출 유로 상에 형성된다.
그리고, 상기 세정챔버의 바닥면으로부터 연장 형성되어 세정 공정 중에 발생되는 이물질을 포함하는 액체를 배출하는 제2 배출관을; 더 포함하고, 상기 제2배출관은 상기 액체 배출 유로와 연통되게 구성하여, 기액 분리기로부터 분리된 액체를 세정 챔버로부터 배출되는 제2배출관을 통해 일괄 배출시킨다.
본 발명은, 하우징의 내부에 혼합유체가 하강 및 상승하는 유체유로를 형성하고, 아울러 유체유로에 혼합유체에 포함된 세정액을 흡수하는 흡액 부재를 마련함으로써 혼합유체로부터 기체와 세정액을 효과적으로 분리할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판에 대한 세정공정을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기액분리기를 나타내는 구조도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기액분리기에 의한 기체와 세정액의 분리동작을 나타내는 상태도이다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
이하에서 설명될 기판이란, LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등의 평면 디스플레이용 글래스(GLASS) 기판과, 반도체 웨이퍼(Wafer) 등을 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정장치를 나타내는 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판에 대한 세정공정을 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기액분리기를 나타내는 구조도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기액분리기에 의한 기체와 세정액의 분리동작을 나타내는 상태도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정장치(100)는, 세정공정이 진행되는 공간을 형성하는 세정챔버(180)와, 세정챔버(180)의 내부에 마련되는 스테이션(110)과, 스테이션(110)에 마련되되 기판(G)을 고정하고 회전시키는 스핀 척(120)과, 스핀 척(120)의 외부에 배치되는 보울(Bowl,130)과, 스테이션(110)에 마련되되 스핀 척(120)에 안착된 기판(G)에 세정액을 분사하는 세정액 분사노즐(150)을 포함한다.
세정챔버(180)는 기판(G)에 대한 세정공정이 진행되는 공간을 형성한다.
기판(G)에 대한 세정공정 중에 비산되는 초순수(DIW: De-Ionized Water) 등과 같은 세정액은 세정챔버(180)에 의해 외부로 배출되지 않는다.
그리고, 스테이션(110)은 세정챔버(180)의 내부에 마련되어 세정공정이 진행되는 작업대를 제공한다.
그리고, 스핀 척(120)은 기판(G)이 안착되도록 상면이 평판모양으로 형성된다. 그리고, 기판(G)은 스핀 척(120)에 고정된 상태에서 소정의 회전속도로 회전된다.
그리고, 보울(130)은 스테이션(110)에 마련되며 스핀 척(120)을 감싸도록 배치된다. 따라서, 기판(G)이 회전되는 경우에 기판(G)에서 비산되는 초순수(DIW: De-Ionized Water) 등과 같은 세정액이 보울(130)에 의해 차단된다.
그리고, 세정액 분사노즐(150)은 스테이션(110)에 마련되며 스핀 척(120)의 일측에 설치된다.
세정액 분사노즐(150)은 스핀 척(120)에 고정된 기판(G)에 세정액을 분사하도록 분사구 방향이 기판(G)을 향하도록 설치된다. 그리고, 세정액 분사노즐(150)은 스테이션(110)에 회전가능하게 설치된다.
도시되지는 않았으나, 세정액 분사노즐(150)에 결합되어 세정액 분사노즐(150)을 회전시키는 회전유닛(미도시)을 더 포함할 수 있다.
구체적으로, 회전유닛에 의해 기판(G)에 대한 세정작업 전에는 세정액 분사노즐(150)의 분사구가 기판(G)의 외측에 배치되고, 기판(G)에 대한 세정작업 중에는 세정액 분사노즐(150)의 분사구가 기판(G)의 상부에 배치되도록 회전된다.
상기와 같이 구성되는 기판 세정장치(100)를 이용한 세정공정을 살펴보면 다음과 같다.
도 2에서 도시한 바와 같이, 먼저, 세정될 기판(G)은 스핀 척(120)에 안착된다. 그리고, 스핀 척(120)은 기판(G)을 고정한 상태에서 기판(G)을 소정속도로 회전시킨다.
이때, 세정액 분사노즐(150)의 분사구에서 기판(G)에 초순수를 분사하여 기판(G)을 세정한다.
그리고, 기판(G)에 대한 세정이 완료된 경우, 기판(G)은 스핀 척(120)에 의해 회전되어 건조되며 이로써 세정공정이 완료된다.
이처럼, 기판(G)에 세정액을 분사하거나 스핀 척(120)을 회전시켜 기판(G)을 건조하는 동안 세정액 중 일부는 세정챔버(180)의 내부에서 미스트(mist) 형태로 비산되는데, 비산된 액체와 기체가 혼합된 미스트 형태의 혼합유체(M)가 외부로 배기되지 못하면 세정챔버(180)의 내부에 액적으로 달라붙고 기판(G)에 낙하되어 기판(G) 표면에 얼룩이 생길 수 있다.
따라서, 세정챔버(180)의 외부로 미스트 형태의 혼합유체(M)를 강제배출하여야 하며, 혼합유체(M)를 그대로 외부로 배출하면 환경오염 등의 문제를 야기할 수 있으므로, 혼합유체(M)를 기체와 액체인 액체로 분리 배출하여야 한다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정장치(100)는, 세정챔버(180)에 연통되되 기판(G)에 대한 세정공정 중 발생되는 기체와 액체가 혼합된 미스트(mist) 형태의 혼합유체(M)를 배출하는 제1 배출관(190)과, 세정챔버(180)에 연통되되 기판(G)에 대한 세정공정 중 발생되는 이물질과 세정액을 포함하는 액체를 배출하는 제2 배출관(191)과, 제1 배출관(190)에 연통되되 혼합유체(M)를 기체와 액체인 세정액으로 분리하는 기액분리기(200)를 더 포함한다.
제1 배출관(190)은 기액분리기(200)와 연결되며, 기액분리기(200)는 제1 배출관(190)을 통해 세정챔버(180)에서 배출되는 기체와 액체가 혼합된 미스트 형태의 혼합유체(M)가 유입된다.
그리고, 제2 배출관(191)은 세정챔버(180)의 바닥면에 연결되며, 세정공정 중에 발생되는 이물질을 포함하는 액체를 외부로 배출한다.
또한, 기액분리기(200)는 제3 배출관(192) 및 제4 배출관(193)과 연결된다. 제3 배출관(192)은 기액분리기(200)를 통과한 기체가 배출되는 부재이며, 제4 배출관(193)은 기액분리기(200)에서 분리된 액체가 배출되는 부재이다.
한편, 기액분리기(200)는 제1 배출관(190)을 통해 유입된 혼합유체(M)를 기체와 액체로 분리하는 역할을 한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 기액분리기(200)는, 하우징(210)과, 하우징(210)에 형성되되 제1 배출관(190)을 통해 혼합기체가 유입되는 유체 유입구(220)와, 하우징(210)에 형성되되 혼합유체(M)에서 분리된 기체가 배출되는 기체 배출구(230)와, 하우징(210)에 형성되되 혼합유체(M)에서 분리된 액체가 배출되는 액체 배출구(240)와, 하우징(210)의 내부에 유체 유입구(220)와 기체 배출구(230) 사이에서 상기 혼합유체(M)가 하강 및 상승하며 이동하도록 형성된 유체유로(250)와, 유체유로(250)의 내부에 마련되되 혼합유체(M)의 이동경로가 지그재그로 형성되도록 유체유로(250)를 따라 상호 교호되게 설치된 복수의 격벽(270)과, 유체유로(250)에 마련되되 스폰지와 같이 액체를 머금는 재질로 형성되어 혼합유체(M)에 포함된 세정액을 흡수하는 흡액부재(260)를 포함한다.
혼합유체(M)는 제1 배출관(190) 및 유체 유입구(220)를 통해 하우징(210)의 내부로 유입되고, 하우징(210)의 내부에는 혼합유체(M)의 이동경로인 유체유로(250)가 형성된다.
유체유로(250)는 하우징(210)의 상부영역에 형성된 유체 유입구(220)와 기체 배출구(230)를 연통되게 하며, 혼합유체(M)가 유체 유입구(220)에서 기체 배출구(230) 방향으로 하강 및 상승하며 이동할 수 있도록 U자 형상으로 형성된다.
그리고, 혼합유체(M)에 포함된 세정액을 흡착하도록 U자형 유체유로(250)의 하측에 형성되는 곡관부(251)에 흡액부재(260)가 삽입되어 설치된다.
혼합유체(M)가 흡액부재(260)를 통과하면, 혼합유체(M) 중 액체성분은 흡액부재(260)에 의해 흡착되고 기체성분은 유체유로(250)를 따라 기체 배출구(230)로 이동된다.
그리고, 흡액부재(260)에 의해 U자형 유체유로(250)의 곡관부(251)에는 액체인 세정액이 고이게 되므로, 분리된 세정액을 외부로 배출하도록 액체 배출구(240)는 U자형 유체유로(250)의 곡관부(251)에 연통되게 마련된다.
따라서, 혼합유체(M)에서 분리된 세정액은 액체 배출구(240) 및 제4 배출관(193)을 통해 외부로 배출된다.
그리고, 유체유로(250)를 따라 이동하는 혼합유체(M)의 이동경로를 증가시키기 위해 유체유로(250)의 내부에 격벽(270)이 마련된다.
격벽(270)은 유체유로(250)의 내벽에 유체유로(250)를 따라 상호 교호되게 복수 개 마련된다. 따라서, 도 4에서 도시한 바와 같이, 혼합유체(M)의 이동경로는 복수의 격벽(270)에 의해 지그재그로 형성된다.
이와 같이, 유체유로(250)에 복수의 격벽(270)을 설치하여 혼합유체(M)의 이동경로를 증가시킨다.
또한, 복수의 격벽(270)은 유체유로(250)의 내벽에서 하방으로 경사지게 형성되며, 도 4에서 도시한 바와 같이, 혼합유체(M)의 이동 중 분리된 액체는 격벽(270)을 타고 하방으로 흘러내리고 U자형 유체유로(250)의 곡관부(251)로 이동된다.
상기한 바와 같이, 본 실시예에 따른 기액분리기(200)는, 세정챔버(180)에서 제1 배출관(190)을 통해 유입된 혼합유체(M)를 유체유로(250)를 따라 하강 및 상승되게 하고 아울러 흡액부재(260)를 이용하여 혼합유체(M) 중 액체성분을 흡착함으로써 혼합유체(M)로부터 기체와 세정액을 효과적으로 분리할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
100: 기판 세정장치 110: 스테이션
120: 스핀 척 130: 보울
150: 세정액 분사노즐 180: 세정챔버
190: 제1 배출관 191: 제2 배출관
192: 제3 배출관 193: 제4 배출관
200: 기액분리기 210: 하우징
220: 유체 유입구 230: 기체 배출구
240: 액체 배출구 250: 유체유로
251: 곡관부 260: 흡액부재
270: 격벽

Claims (11)

  1. 기판에 대한 세정공정이 진행되는 세정챔버와 연통되어 세정공정 중에 발생되는 기체와 액체가 혼합된 혼합유체가 통과하되, 하강 경로와 상승 경로를 구비한 유체 유로와;
    상기 혼합유체에 포함된 액체를 흡수하고 상기 유체 유로에 배치된 흡액 부재를;
    포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기액분리기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유체유로의 하강 경로와 상승 경로는 나란히 배치되어 U자 형상을 이루는 것을 특징으로 하는 기액분리기.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 흡액 부재는 상기 U자 형상의 바닥에 위치한 것을 특징으로 하는 기액분리기.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 흡액 부재는 유체 유로의 단면을 전부 막는 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 기액분리기.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유체유로의 내부에는 상기 혼합유체의 이동경로가 지그재그로 형성되게 상호 교호되게 설치된 복수의 격벽이 형성된 것을 특징으로 하는 기액분리기.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 복수의 격벽은 하방으로 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 기액분리기.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 흡액 부재는 액체를 머금는 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 기액분리기.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흡액 부재가 배치된 위치에서 상기 유체 유로로부터 분기된 액체 배출 유로가 형성된 것을 특징으로 하는 기액 분리기.
  9. 기판에 세정액을 분사하여 기판에 묻은 이물질을 제거하는 세정공정이 진행되는 공간을 형성하는 세정챔버;
    상기 세정챔버에 연통되되, 기판에 대한 세정공정 중 발생되는 기체와 세정액이 혼합된 혼합유체를 배출하는 제1 배출관; 및
    상기 제1 배출관에 연통되되, 상기 혼합유체가 유입되는 유체 유입구와, 상기 혼합유체에서 분리된 기체가 배출되는 기체 배출구와, 상기 혼합유체에서 분리된 세정액이 배출되는 액체 배출구가 형성된 하우징을 구비한 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 기액분리기를;
    포함하여 구성된 기판 세정장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 액체 배출구는 상기 흡액 부재가 배치된 위치에서 상기 유체 유로로부터 분기된 액체 배출 유로 상에 형성된 것을 특징으로 하는 기액 분리기.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 세정챔버의 바닥면으로부터 연장 형성되어 세정 공정 중에 발생되는 이물질을 포함하는 액체를 배출하는 제2 배출관을;
    더 포함하고, 상기 제2배출관은 상기 액체 배출 유로와 연통되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980024865A (ko) 1996-09-24 1998-07-06 히가시 데츠로 세정 처리 방법 및 세정 처리 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200084167A (ko) * 2019-01-02 2020-07-10 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치

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