KR102618669B1 - 비정질 투명 도전성 필름, 그리고, 결정질 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
비정질 투명 도전성 필름은, 투명 기재와, 비정질 투명 도전층을 두께 방향으로 순서대로 구비한다. 비정질 투명 도전층은, 비정질의 인듐·주석 복합 산화물로 이루어진다. 비정질 투명 도전층의 두께가 30 ㎚ 이상 40 ㎚ 이하이고, 비정질 투명 도전층의 비저항이 6.0 × 10-4 Ω·㎝ 이상 8.0 × 10-4 Ω·㎝ 이하이고, 비정질 투명 도전층의 홀 이동도가 15.0 ㎠/V·s 이상 30.0 ㎠/V·s 이하이다.
Description
본 발명은, 비정질 투명 도전성 필름, 그리고, 결정질 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법, 상세하게는, 터치 패널용 필름 등에 사용되는 비정질 투명 도전성 필름, 결정질 투명 도전성 필름, 및, 결정질 투명 도전성 필름의 제조 방법에 관한 것이다.
종래부터, 화상 표시 장치는, 인듐·주석 복합 산화물 (ITO) 로 이루어지는 투명 배선층이 형성된 터치 패널용 필름을 구비하는 것이 알려져 있다. 터치 패널용 필름은, 일반적으로, ITO 층을 투명 기재에 적층한 투명 도전성 필름에 있어서, ITO 층을 배선 패턴으로 패터닝함으로써 제조된다. 그리고, 이 터치 패널용 필름은, 그 표면 저항치를 저감시키기 위해, ITO 층을 가열 등에 의해 결정화 (전화 (轉化)) 하는 것이 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1 에는, 투명 기재 상에, Sn 원자량이 6 중량％ 초과 15 중량％ 이하인 타깃을 사용하고, 물의 분압이 0.1 ％ 이하인 분위기에서, 기재 온도가 100 ℃ 초과 200 ℃ 이하인 조건에서 스퍼터 제막 (製膜) 함으로써, ITO 로 이루어지는 비정질 투명 도전층을 형성한 후, 그 비정질 투명 도전층을 가열하여 결정성 투명 도전층으로 전화하는 제조 방법이 개시되어 있다.
이와 같이 하여 얻어지는 결정성 투명 도전층은, 양호한 표면 저항치를 가지고 있다.
그러나, 최근, 화상 표시 장치의 대형화에 수반하여, 추가적인 표면 저항치의 개량, 즉, 추가적인 표면 저항치의 저감이 요구되고 있다.
그런데, 표면 저항치를 저감시키기 위해서는, ITO 로 이루어지는 투명 도전층의 두께를 두껍게 하는 방법을 들 수 있다. 그러나, 투명 도전층을 두껍게 하면, 투명성 등의 광학 특성도 저감되는 문제가 발생한다.
또, 비정질의 ITO 가 결정화되는 시간을 저감시켜, 생산성을 향상시키는 것도 요망되고 있다.
본 발명의 목적은, 표면 저항치, 광학 특성 및 생산성을 양호하게 할 수 있는 비정질 투명 도전성 필름, 그리고, 결정질 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명 [1] 은, 투명 기재와 비정질 투명 도전층을 두께 방향으로 순서대로 구비하고, 상기 비정질 투명 도전층은, 비정질의 인듐·주석 복합 산화물로 이루어지고, 상기 비정질 투명 도전층의 두께가 30 ㎚ 이상 40 ㎚ 이하이고, 상기 비정질 투명 도전층의 비저항이 6.0 × 10-4 Ω·㎝ 이상 8.0 × 10-4 Ω·㎝ 이하이고, 상기 비정질 투명 도전층의 홀 이동도가 15.0 ㎠/V·s 이상 30.0 ㎠/V·s 이하인, 비정질 투명 도전성 필름을 포함하고 있다.
본 발명 [2] 는, 상기 투명 기재와 상기 비정질 투명 도전층 사이에 배치되는 광학 조정층을 추가로 구비하는, [1] 에 기재된 비정질 투명 도전성 필름을 포함하고 있다.
본 발명 [3] 은, 상기 투명 기재와 상기 광학 조정층 사이에 배치되는 하드 코트층을 추가로 구비하는, [2] 에 기재된 비정질 투명 도전성 필름을 포함하고 있다.
본 발명 [4] 는, [1] ∼ [3] 중 어느 한 항에 기재된 비정질 투명 도전성 필름을 가열하여 이루어지고, 상기 투명 기재와, 결정질의 인듐·주석 복합 산화물로 이루어지는 결정질 투명 도전층을 두께 방향으로 순서대로 구비하는, 결정질 투명 도전성 필름을 포함하고 있다.
본 발명 [5] 는, 상기 결정질 투명 도전층의 비저항이, 1.8 × 10-4 Ω·㎝ 이상 2.3 × 10-4 Ω·㎝ 이하인, [4] 에 기재된 결정질 투명 도전성 필름을 포함하고 있다.
본 발명 [6] 은, 파장 450 ㎚ 의 광에 대한 상기 결정질 투명 도전성 필름의 투과율과, 파장 450 ㎚ 의 광에 대한 상기 투명 기재의 투과율의 차가, 7.0 ％ 이하인, [4] 또는 [5] 에 기재된 결정질 투명 도전성 필름을 포함하고 있다.
본 발명 [7] 은, 투명 기재와, 비정질의 인듐·주석 복합 산화물로 이루어지는 비정질 투명 도전층을 두께 방향으로 순서대로 구비하는 비정질 투명 도전성 필름을 준비하는 공정, 및, 상기 비정질 투명 도전성 필름을 가열함으로써, 상기 비정질의 인듐·주석 복합 산화물을, 결정질의 인듐주석 복합 산화물로 전화하는 공정을 구비하고, 상기 비정질 투명 도전층의 두께가 30 ㎚ 이상 40 ㎚ 이하이고, 상기 비정질 투명 도전층의 비저항이 6.0 × 10-4 Ω·㎝ 이상 8.0 × 10-4 Ω·㎝ 이하이고, 상기 비정질 투명 도전층의 홀 이동도가 15.0 ㎠/V·s 이상 30.0 ㎠/V·s 이하인, 결정질 투명 도전성 필름의 제조 방법을 포함하고 있다.
본 발명의 비정질 투명 도전성 필름 및 그것을 사용한 결정질 투명 도전성 필름의 제조 방법에 의하면, 표면 저항치 및 광학 특성이 양호한 결정질 투명 도전성 필름을 양호한 생산성으로 제조할 수 있다.
본 발명의 결정질 투명 도전성 필름에 의하면, 표면 저항치 및 광학 특성이 양호하다.
도 1 은, 본 발명의 비정질 투명 도전성 필름의 일 실시형태의 측단면도를 나타낸다.
도 2 는, 도 1 의 비결정질 투명 도전성 필름을 결정화한 결정질 투명 도전성 필름의 측단면도를 나타낸다.
도 3 은, 본 발명의 비정질 투명 도전성 필름의 다른 실시형태 (편면에 비정질 ITO 층이 적층되어 있는 실시형태) 의 측단면도를 나타낸다.
도 4 는, 도 3 의 비결정질 투명 도전성 필름을 결정화한 결정질 투명 도전성 필름의 측단면도를 나타낸다.
도 5 는, 본 발명의 비정질 투명 도전성 필름의 다른 실시형태 (투명 기재의 상면에 비정질 ITO 층이 직접 적층되어 있는 실시형태) 의 측단면도를 나타낸다.
도 6 은, 도 5 의 비결정질 투명 도전성 필름을 결정화한 결정질 투명 도전성 필름의 측단면도를 나타낸다.
도 2 는, 도 1 의 비결정질 투명 도전성 필름을 결정화한 결정질 투명 도전성 필름의 측단면도를 나타낸다.
도 3 은, 본 발명의 비정질 투명 도전성 필름의 다른 실시형태 (편면에 비정질 ITO 층이 적층되어 있는 실시형태) 의 측단면도를 나타낸다.
도 4 는, 도 3 의 비결정질 투명 도전성 필름을 결정화한 결정질 투명 도전성 필름의 측단면도를 나타낸다.
도 5 는, 본 발명의 비정질 투명 도전성 필름의 다른 실시형태 (투명 기재의 상면에 비정질 ITO 층이 직접 적층되어 있는 실시형태) 의 측단면도를 나타낸다.
도 6 은, 도 5 의 비결정질 투명 도전성 필름을 결정화한 결정질 투명 도전성 필름의 측단면도를 나타낸다.
도 1 에 있어서, 지면 상하 방향은, 상하 방향 (두께 방향, 제 1 방향) 으로서, 지면 상측이 상측 (두께 방향 일방측, 제 1 방향 일방측), 지면 하측이 하측 (두께 방향 타방측, 제 1 방향 타방측) 이다. 도 2 ∼ 6 에 대해서도, 도 1 에 준거한다.
1. 비정질 투명 도전성 필름
비정질 투명 도전성 필름 (1) 은, 소정의 두께를 갖는 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고, 두께 방향과 직교하는 소정 방향 (면 방향) 으로 연장되고, 평탄한 상면 및 평탄한 하면을 갖는다. 비정질 투명 도전성 필름 (1) 은, 예를 들어, 화상 표시 장치에 구비되는 터치 패널용 기재 등의 일 부품이고, 요컨대, 화상 표시 장치는 아니다. 즉, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 은, 화상 표시 장치 등을 제작하기 위한 부품이고, LCD 모듈 등의 화상 표시 소자를 포함하지 않고, 부품 단독으로 유통되어, 산업상 이용 가능한 디바이스이다.
구체적으로는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 은, 예를 들어, 투명 기재 (2) 와, 하드 코트층 (3) 과, 광학 조정층 (4) 과, 비정질 투명 도전층 (5) 을 두께 방향으로 순서대로 구비한다. 요컨대, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 은, 투명 기재 (2) 와, 투명 기재 (2) 의 상면에 배치되는 제 1 하드 코트층 (3A), 제 1 하드 코트층 (3A) 의 상면에 배치되는 제 1 광학 조정층 (4A) 과, 제 1 광학 조정층 (4A) 의 상면에 배치되는 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 과, 투명 기재 (2) 의 하면에 배치되는 제 2 하드 코트층 (3B) 과, 제 2 하드 코트층 (3B) 의 하면에 배치되는 제 2 광학 조정층 (4B) 과, 제 2 광학 조정층 (4B) 의 하면에 배치되는 제 2 비정질 투명 도전층 (5B) 을 구비한다. 비정질 투명 도전성 필름 (1) 은, 바람직하게는, 투명 기재 (2) 와, 하드 코트층 (3) (제 1 하드 코트층 (3A) 및 제 2 하드 코트층 (3B)) 과, 광학 조정층 (4) (제 1 광학 조정층 (4A) 및 제 2 광학 조정층 (4B)) 과, 비정질 투명 도전층 (5) (제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 및 제 2 비정질 투명 도전층 (5B)) 으로 이루어진다. 이하, 각 층에 대해 상세히 서술한다.
1-1. 투명 기재
투명 기재 (2) 는, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 의 기계 강도를 확보하는 기재이다. 투명 기재 (2) 는, 비정질 투명 도전층 (5) 을, 하드 코트층 (3) 및 광학 조정층 (4) 과 함께 지지하고 있다.
투명 기재 (2) 는, 예를 들어, 투명성을 갖는 고분자 필름이다. 고분자 필름의 재료로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 수지, 예를 들어, 폴리메타크릴레이트 등의 (메트)아크릴 수지 (아크릴 수지 및/또는 메타크릴 수지), 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 시클로올레핀 폴리머 (COP) 등의 올레핀 수지, 예를 들어, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 멜라민 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리스티렌 수지, 노르보르넨 수지 등을 들 수 있다. 고분자 필름은, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 투명성, 내열성, 기계적 강도 등의 관점에서, 바람직하게는, 폴리에스테르 수지, 올레핀 수지를 들 수 있고, 보다 바람직하게는, PET, COP 를 들 수 있다.
파장 450 ㎚ 의 광에 대한 투명 기재 (2) 의 투과율 (T1) 은, 예를 들어, 80 ％ 이상, 바람직하게는, 85 ％ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 ％ 이하이다. 투과율은, 고속 적분구 분광 투과율 측정기 (「DOT-3」, 무라카미 색채 기술 연구소사 제조) 를 사용하여 측정할 수 있다.
투명 기재 (2) 의 두께는, 기계적 강도, 내찰상성, 터치 패널용 필름에 있어서의 타점 특성 등의 관점에서, 예를 들어, 2 ㎛ 이상, 바람직하게는, 20 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 300 ㎛ 이하, 바람직하게는, 150 ㎛ 이하이다. 투명 기재 (2) 의 두께는, 예를 들어, 마이크로 게이지식 두께계를 사용하여 측정할 수 있다.
또한, 투명 기재 (2) 의 상면 및/또는 하면에는, 필요에 따라, 접착 용이층, 접착제층, 세퍼레이터 등이 형성되어 있어도 된다.
1-2. 제 1 하드 코트층
제 1 하드 코트층 (3A) 은, 복수의 비정질 투명 도전성 필름 (1) 을 적층한 경우 등에, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 의 양면 (즉, 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 상면 및 제 2 비정질 투명 도전층 (5B) 의 하면, (결정화 후의 결정질 투명 도전성 필름 (6) 의 경우에는, 제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 의 상면 및 제 2 결정질 투명 도전층 (7B) 의 하면) 에 찰상을 잘 발생시키지 않게 하기 위한 찰상 보호층 (안티 블로킹층) 이다. 또, 제 1 하드 코트층 (3A) 은, 비정질 투명 도전층 (5) (결정화 후에는, 결정질 투명 도전층 (7)) 을 배선 패턴으로 에칭한 후에, 패턴부와, 패턴부가 형성되어 있지 않은 비패턴부의 상이가 인식되지 않도록 (즉, 배선 패턴의 시인을 억제하도록), 후술하는 광학 조정층 (4) 과 함께, 비정질 투명 도전성 필름 (1) (결정화 후에는, 결정질 투명 도전성 필름 (6)) 의 굴절률을 조정하는 굴절률 조정층이 되는 경우도 있다.
제 1 하드 코트층 (3A) 은, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 예를 들어, 투명 기재 (2) 의 상면 전체면에, 투명 기재 (2) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 제 1 하드 코트층 (3A) 은, 투명 기재 (2) 와 제 1 광학 조정층 (4A) 사이에, 투명 기재 (2) 의 상면 및 제 1 광학 조정층 (4A) 의 하면에 접촉하도록 배치되어 있다.
제 1 하드 코트층 (3A) 은, 예를 들어, 하드 코트층용 수지 조성물로 형성되는 수지층이다.
하드 코트층용 수지 조성물은, 예를 들어, 수지를 함유한다. 하드 코트층용 수지 조성물은, 바람직하게는, 수지와 입자를 함유하고, 보다 바람직하게는, 수지와 입자로 이루어진다.
수지로는, 예를 들어, 경화성 수지, 열가소성 수지 (예를 들어, 폴리올레핀 수지) 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 경화성 수지를 들 수 있다.
경화성 수지로는, 예를 들어, 활성 에너지선 (구체적으로는, 자외선, 전자선 등) 의 조사에 의해 경화되는 활성 에너지선 경화성 수지, 예를 들어, 가열에 의해 경화되는 열경화성 수지 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 활성 에너지선 경화성 수지를 들 수 있다.
활성 에너지선 경화성 수지는, 예를 들어, 분자 중에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 관능기를 갖는 폴리머를 들 수 있다. 그러한 관능기로는, 예를 들어, 비닐기, (메트)아크릴로일기 (메타크릴로일기 및/또는 아크릴로일기) 등을 들 수 있다.
활성 에너지선 경화성 수지로는, 예를 들어, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등의 (메트)아크릴계 자외선 경화성 수지를 들 수 있다.
또, 활성 에너지선 경화성 수지 이외의 경화성 수지로는, 예를 들어, 우레탄 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실록산계 폴리머, 유기 실란 축합물 등을 들 수 있다.
수지는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.
입자로는, 무기 입자, 유기 입자 등을 들 수 있다. 무기 입자로는, 예를 들어, 실리카 입자, 예를 들어, 산화지르코늄, 산화티탄, 산화아연, 산화주석 등으로 이루어지는 금속 산화물 입자, 예를 들어, 탄산칼슘 등의 탄산염 입자 등을 들 수 있다. 유기 입자로는, 예를 들어, 가교 아크릴 수지 입자 등을 들 수 있다. 입자는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.
입자로는, 바람직하게는, 유기 입자, 보다 바람직하게는, 가교 아크릴 수지 입자를 들 수 있다.
입자의 최빈 입자경은, 내찰상성 및 투명성의 관점에서, 예를 들어, 0.8 ㎛ 이상, 바람직하게는, 1.0 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 20 ㎛ 이하, 바람직하게는, 10 ㎛ 이하이다. 본 명세서에 있어서, 최빈 입자경이란, 입자 분포의 극대치를 나타내는 입경을 말하고, 예를 들어, 플로식 입자 이미지 분석 장치 (Sysmex 사 제조, 제품명 「FPTA-3000S」) 를 사용하여, 소정 조건 (Sheath 액 : 아세트산에틸, 측정 모드 : HPF 측정, 측정 방식 : 토탈 카운트) 에서 측정함으로써 구해진다. 측정 시료로는, 입자를 아세트산에틸로 1.0 중량％ 로 희석하고, 초음파 세정기를 사용하여 균일하게 분산시킨 것을 사용한다.
입자의 함유 비율은, 수지 100 질량부에 대해, 예를 들어, 0.01 질량부 이상, 바람직하게는, 0.1 질량부 이상이고, 또, 예를 들어, 10 질량부 이하, 바람직하게는, 5 질량부 이하이다.
제 1 하드 코트층 (3A) 의 두께는, 내찰상성, 배선 패턴의 시인 억제의 관점에서, 예를 들어, 200 ㎚ 이상, 바람직하게는, 800 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 10 ㎛ 이하, 바람직하게는, 5 ㎛ 이하이다.
제 1 하드 코트층 (3A) 의 두께는, 예를 들어, 순간 멀티 측광 시스템을 사용하여 관측되는 간섭 스펙트럼의 파장에 기초하여 산출할 수 있다.
1-3. 제 1 광학 조정층
제 1 광학 조정층 (4A) 은, 제 1 하드 코트층 (3A) 과 함께, 비정질 투명 도전층 (5) (결정화 후에는, 결정질 투명 도전층 (7)) 에 있어서의 배선 패턴의 시인을 억제하면서, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 이 우수한 투명성을 확보하기 위해서, 비정질 투명 도전성 필름 (1) (결정화 후에는, 결정질 투명 도전성 필름 (6)) 의 광학 물성 (예를 들어, 굴절률) 을 조정하는 층이다.
제 1 광학 조정층 (4A) 은, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 예를 들어, 제 1 하드 코트층 (3A) 의 상면 전체면에, 제 1 하드 코트층 (3A) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 제 1 광학 조정층 (4A) 은, 제 1 하드 코트층 (3A) 과 비정질 투명 도전층 (5) 사이에, 제 1 하드 코트층 (3A) 의 상면 및 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 하면에 접촉하도록 배치되어 있다.
제 1 광학 조정층 (4A) 은, 광학 조정층용 수지 조성물로 형성되는 수지층이다.
광학 조정층용 수지 조성물은, 예를 들어, 수지를 함유한다. 광학 조정층용 수지 조성물은, 바람직하게는, 수지와 입자를 함유하고, 보다 바람직하게는, 수지와 입자로 이루어진다.
수지로는 특별히 한정되지 않지만, 하드 코트층용 수지 조성물에서 사용하는 수지와 동일한 것을 들 수 있다. 수지는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 바람직하게는, 경화성 수지, 보다 바람직하게는, 활성 에너지선 경화성 수지를 들 수 있다.
수지의 함유 비율은, 광학 조정층용 수지 조성물에 대해, 예를 들어, 10 질량％ 이상, 바람직하게는, 25 질량％ 이상이고, 또, 예를 들어, 95 질량％ 이하, 바람직하게는, 60 질량％ 이하이다.
입자로는, 제 1 광학 조정층 (4A) 이 요구하는 굴절률에 따라 바람직한 재료를 선택할 수 있고, 예를 들어, 하드 코트층용 수지 조성물에서 사용하는 입자와 동일한 것을 들 수 있다. 입자는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 바람직하게는, 무기 입자, 보다 바람직하게는, 금속 산화물 입자, 더욱 바람직하게는, 산화지르코늄 입자 (ZnO2) 를 들 수 있다.
입자의 평균 입자경 (메디안 직경) 은, 예를 들어, 1 ㎚ 이상, 바람직하게는, 5 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 500 ㎚ 이하, 바람직하게는, 100 ㎚ 이하이다.
입자의 함유 비율은, 광학 조정층용 수지 조성물에 대해, 예를 들어, 5 질량％ 이상, 바람직하게는, 40 질량％ 이상이고, 또, 예를 들어, 90 질량％ 이하, 바람직하게는, 75 질량％ 이하이다.
제 1 광학 조정층 (4A) 의 굴절률은, 예를 들어, 1.50 이상, 바람직하게는, 1.60 이상이고, 또, 예를 들어, 1.80 이하, 바람직하게는, 1.75 이하이다. 본 발명에 있어서, 굴절률은, 아베 굴절률계에 의해 측정된다.
제 1 광학 조정층 (4A) 의 두께는, 배선 패턴의 시인 억제, 저저항의 관점에서, 예를 들어, 50 ㎚ 이상, 바람직하게는, 80 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 300 ㎚ 이하, 바람직하게는, 150 ㎚ 이하이다.
제 1 광학 조정층 (4A) 의 두께는, 예를 들어, 순간 멀티 측광 시스템을 사용하여 관측되는 간섭 스펙트럼의 파장에 기초하여 산출할 수 있다.
1-4. 제 1 비정질 투명 도전층
제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 은, 후공정에서 배선 패턴으로 형성하여, 패턴부 (회로) 를 형성하기 위한 도전층이다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 은, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 의 최상층으로서, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 제 1 광학 조정층 (4A) 의 상면 전체면에, 제 1 광학 조정층 (4A) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 은, 비정질 (어모퍼스) 의 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 로 이루어지는 ITO 층이다.
산화주석 (SnO2) 함유량은, 산화주석 및 산화인듐 (In2O3) 의 합계량에 대해, 예를 들어, 0.5 질량％ 이상, 바람직하게는, 3 질량％ 이상이고, 또, 예를 들어, 15 질량％ 이하, 바람직하게는, 13 질량％ 이하이다. 산화주석의 함유량을 상기 하한 이상으로 함으로써, ITO 층의 내구성을 보다 더 양호하게 할 수 있다. 산화주석의 함유량을 상기 상한 이하로 함으로써, ITO 층의 결정화를 용이하게 하고, 투명성이나 비저항의 안정성을 향상시킬 수 있다.
또, 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 은, 단층의 ITO 층으로 형성되어 있어도 되고, 또, 복층의 ITO 층으로 형성되어 있어도 된다.
제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 이, 복층의 ITO 층으로 형성되어 있는 경우, 층 수는, 바람직하게는, 2 층을 들 수 있다.
제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 이, 2 층으로 형성되어 있는 경우, 하층 (광학 조정층 (4) 에 접촉하는 층) 의 산화주석의 함유량은, 바람직하게는, 상층 (표면에 노출되는 측의 층) 의 산화주석의 함유량보다 많다. 이로써, 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 결정화 속도를 향상시키면서, 제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 의 표면 저항치를 양호하게 할 수 있다.
본 명세서 중에 있어서의「ITO」란, 적어도 인듐 (In) 과 주석 (Sn) 을 함유하는 복합 산화물이면 되고, 이들 이외의 추가 성분을 함유해도 된다. 추가 성분으로는, 예를 들어, In, Sn 이외의 금속 원소를 들 수 있고, 구체적으로는, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W, Fe, Pb, Ni, Nb, Cr, Ga 등을 들 수 있다.
제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 총 두께는, 30 ㎚ 이상 40 ㎚ 이하이다. 바람직하게는, 30 ㎚ 이상 35 ㎚ 이하이다. 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 두께를 상기 하한 이상으로 함으로써, 결정화 후의 제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 의 표면 저항치가 우수하다. 한편, 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 두께를 상기 상한 이하로 함으로써, 결정화 후의 제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 에 발생하는 크랙 등을 억제할 수 있고, 결정질 투명 도전성 필름 (6) 의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 두께는, 예를 들어, 형광 X 선 분석 장치를 사용하여 측정할 수 있다.
제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 비저항은, 6.0 × 10-4 Ω·㎝ 이상 8.0 × 10-4 Ω·㎝ 이하이다. 바람직하게는, 6.2 × 10-4 Ω·㎝ 이상, 보다 바람직하게는, 6.3 × 10-4 Ω·㎝ 이상이고, 또, 바람직하게는, 7.0 × 10-4 Ω·㎝ 이하, 보다 바람직하게는, 6.8 × 10-4 Ω·㎝ 이하이다. 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 비저항을 상기 범위로 함으로써, 결정화 속도가 향상되고, 결정질 투명 도전성 필름 (6) 을 양호한 생산성으로 제조할 수 있다. 또, 결정화 후의 제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 의 표면 저항치 및 투과율이 우수하다.
비저항은, 예를 들어, 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 총 두께 및 표면 저항치로부터 산출할 수 있다.
제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 표면 저항치는, 예를 들어, 150 Ω/□ 이상, 바람직하게는, 180 Ω/□ 이상, 보다 바람직하게는, 200 Ω/□ 이상이고, 또, 예를 들어, 300 Ω/□ 이하, 바람직하게는, 250 Ω/□ 이하, 보다 바람직하게는, 220 Ω/□ 이하이다.
표면 저항치는, 예를 들어, 4 단자법을 이용하여 측정할 수 있다.
제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 홀 이동도는, 15.0 ㎠/V·s 이상 30.0 ㎠/V·s 이하이다. 바람직하게는, 18.0 ㎠/V·s 이상, 보다 바람직하게는, 21.0 ㎠/V·s 이상이고, 또, 바람직하게는, 27.0 ㎠/V·s 이하, 보다 바람직하게는, 25.0 ㎠/V·s 이하이다. 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 홀 이동도를 상기 범위로 함으로써, 결정화 속도가 향상되고, 결정질 투명 도전성 필름 (6) 을 양호한 생산성으로 제조할 수 있다. 또, 결정화 후의 제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 의 표면 저항치 및 투과율이 우수하다.
제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 캐리어 밀도는, 예를 들어, 30.0 × 1019/㎤ 이상, 바람직하게는, 40.0 × 1019/㎤ 이상이고, 또, 예를 들어, 50.0 × 1019/㎤ 이하, 바람직하게는, 45.0 × 1019/㎤ 이하이다.
홀 이동도 및 캐리어 밀도는, 예를 들어, 홀 효과 측정 시스템에 의해 측정할 수 있다.
또한, 비정질 투명 도전층 (5) 인 ITO 층이 비정질인 것은, 예를 들어, ITO 층을 20 ℃ 의 염산 (농도 5 질량％) 에 15 분간 침지한 후, 수세·건조시켜, 15 ㎜ 정도 간의 단자간 저항을 측정함으로써 판단할 수 있다. 본 명세서에 있어서는, 염산 (20 ℃, 농도 : 5 질량％) 에 대한 침지·수세·건조 후에, ITO 층의 15 ㎜ 간의 단자간 저항이 2 MΩ 를 초과하는 경우, ITO 층이 비정질인 것으로 한다.
1-5. 제 2 하드 코트층
제 2 하드 코트층 (3B) 은, 투명 기재 (2) 의 하면 전체면에, 투명 기재 (2) 의 하면에 접촉하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 제 2 하드 코트층 (3B) 은, 투명 기재 (2) 와 제 2 광학 조정층 (4B) 사이에, 투명 기재 (2) 의 하면 및 제 2 광학 조정층 (4B) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
제 2 하드 코트층 (3B) 은, 제 1 하드 코트층 (3A) 과 동일한 층이고, 예를 들어, 제 1 하드 코트층 (3A) 에서 상기 서술한 것과 동일한 것을 들 수 있다. 즉, 제 2 하드 코트층 (3B) 의 재료, 구성 등은, 예를 들어, 제 1 하드 코트층 (3A) 에서 상기 서술한 재료, 구성 등과 동일하다.
1-6. 제 2 광학 조정층
제 2 광학 조정층 (4B) 은, 제 2 하드 코트층 (3B) 의 하면 전체면에, 제 2 하드 코트층 (3B) 의 하면에 접촉하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 제 2 광학 조정층 (4B) 은, 제 2 하드 코트층 (3B) 과 제 2 비정질 투명 도전층 (5B) 사이에, 제 2 하드 코트층 (3B) 의 하면 및 제 2 비정질 투명 도전층 (5B) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
제 2 광학 조정층 (4B) 은, 제 1 광학 조정층 (4A) 과 동일한 층이고, 예를 들어, 제 1 광학 조정층 (4A) 에서 상기 서술한 것과 동일한 것을 들 수 있다. 즉, 제 2 광학 조정층 (4B) 의 재료, 구성 등은, 예를 들어, 제 1 광학 조정층 (4A) 에서 상기 서술한 재료, 구성 등과 동일하다.
1-7. 제 2 비정질 투명 도전층
제 2 비정질 투명 도전층 (5B) 은, 후공정에서 배선 패턴으로 형성하여, 패턴부 (회로) 를 형성하기 위한 도전층이다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 제 2 비정질 투명 도전층 (5B) 은 비정질 투명 도전성 필름 (1) 의 최하층으로서, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 투명 기재 (2) 의 하면 전체면에, 투명 기재 (2) 의 하면에 접촉하도록 배치되어 있다.
제 2 비정질 투명 도전층 (5B) 은, 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 과 동일한 층이고, 즉, 비정질 (어모퍼스) 의 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 로 이루어지는 ITO 층이다. 제 2 비정질 투명 도전층 (5B) 의 재료, 구성 등은, 예를 들어, 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 에서 상기 서술한 재료, 구성 등과 동일하다.
2. 비정질 투명 도전성 필름의 제조 방법
비정질 투명 도전성 필름 (1) 을 제조 (준비) 하는 방법을 설명한다.
비정질 투명 도전성 필름 (1) 을 제조하기 위해서는, 예를 들어, 투명 기재 (2) 의 양면에, 하드 코트층 (3), 광학 조정층 (4) 및 비정질 투명 도전층 (5) 을 순서대로 형성한다. 즉, 투명 기재 (2) 의 상면에 제 1 하드 코트층 (3A), 그 하면에 제 2 하드 코트층 (3B) 을 형성하고, 이어서, 제 1 하드 코트층 (3A) 의 상면에 제 1 광학 조정층 (4A), 제 2 하드 코트층 (3B) 의 하면에 제 2 광학 조정층 (4B) 을 형성하고, 이어서, 제 1 광학 조정층 (4A) 의 상면에 제 1 비정질 투명 도전층 (5A), 제 2 광학 조정층 (4B) 의 하면에 제 2 비정질 투명 도전층 (5B) 을 형성한다. 이하, 상세히 서술한다.
먼저, 공지 또는 시판되는 투명 기재 (2) 를 준비한다.
그 후, 필요에 따라, 투명 기재 (2) 와 하드 코트층 (3) 의 밀착성의 관점에서, 투명 기재 (2) 의 표면에, 예를 들어, 스퍼터링, 코로나 방전, 화염, 자외선 조사, 전자선 조사, 화성 (化成), 산화 등의 에칭 처리나 하도 (下塗) 처리를 실시할 수 있다. 또, 용제 세정, 초음파 세정 등에 의해 투명 기재 (2) 를 제진 (除塵), 청정화할 수 있다.
이어서, 투명 기재 (2) 의 양면에 하드 코트층 (3) 을 형성한다. 예를 들어, 투명 기재 (2) 의 양면에 하드 코트층용 수지 조성물을 습식 도공함으로써, 투명 기재 (2) 의 상면에 제 1 하드 코트층 (3A), 투명 기재 (2) 의 하면에 제 2 하드 코트층 (3B) 을 형성한다.
구체적으로는, 예를 들어, 하드 코트층용 수지 조성물을 용매로 희석한 희석액을 조제하고, 계속해서, 희석액을 투명 기재 (2) 의 양면에 도포하여, 희석액을 건조시킨다.
용매로는, 예를 들어, 유기 용매, 수계 용매 (구체적으로는, 물) 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 유기 용매를 들 수 있다. 유기 용매로는, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 등의 알코올 화합물, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤 화합물, 예를 들어, 아세트산에틸, 아세트산 부틸 등의 에스테르 화합물, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 등의 에테르 화합물, 예를 들어, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 화합물 등을 들 수 있다. 용매는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 바람직하게는, 케톤 화합물, 에테르 화합물을 들 수 있다.
희석액에 있어서의 고형분 농도는, 예를 들어, 1 질량％ 이상, 바람직하게는, 10 질량％ 이상이고, 또, 예를 들어, 30 질량％ 이하, 바람직하게는, 20 질량％ 이하이다.
도포 방법으로는 희석액 및 투명 기재에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 딥 코트법, 에어 나이프 코트법, 커튼 코트법, 롤러 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비아 코트법, 익스트루전 코트법 등을 들 수 있다.
건조 온도는, 예를 들어, 50 ℃ 이상, 바람직하게는, 60 ℃ 이상, 보다 바람직하게는, 70 ℃ 이상이고, 예를 들어, 200 ℃ 이하, 바람직하게는, 150 ℃ 이하, 보다 바람직하게는, 100 ℃ 이하이다.
건조 시간은, 예를 들어, 0.5 분 이상, 바람직하게는, 1 분 이상이고, 예를 들어, 60 분 이하, 바람직하게는, 20 분 이하이다.
상기한 도포 및 건조에 의해, 투명 기재 (2) 의 양면에, 하드 코트층용 수지 조성물을 필름 형상으로 형성한다.
그 후, 수지 조성물의 수지가 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 희석액의 건조 후에, 활성 에너지선을 조사함으로써, 활성 에너지선 경화성 수지를 경화시킨다.
또한, 하드 코트층용 수지 조성물의 수지로서, 열경화성 수지를 함유하는 경우에는, 이 건조 공정에 의해, 용매의 건조과 함께, 열경화성 수지를 열 경화시킬 수 있다.
이어서, 투명 기재 (2) 의 양면에 형성된 하드 코트층 (3) 의 양면에, 광학 조정층 (4) 을 형성한다. 예를 들어, 하드 코트층 (3) (제 1 하드 코트층 (3A), 제 2 하드 코트층 (3B)) 의 표면에 광학 조정 조성물을 습식 도공함으로써, 제 1 하드 코트층 (3A) 의 상면에 제 1 광학 조정층 (4A), 제 2 하드 코트층 (3B) 의 하면에 제 2 광학 조정층 (4B) 을 형성한다.
구체적으로, 광학 조정층용 수지 조성물을 용매로 희석한 희석액을 조제하고, 계속해서, 희석액을 하드 코트층 (3) 의 양면에 도포하여, 희석액을 건조시킨다.
용매, 희석 방법, 도포 방법 및 건조 방법으로는, 하드 코트층용 수지 조성물의 희석액에서 예시한 용매, 도포 방법 등과 동일한 것을 들 수 있다.
또, 수지 조성물의 수지가 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 희석액의 건조 후에, 활성 에너지선을 조사함으로써, 활성 에너지선 경화성 수지를 경화시킨다.
이어서, 광학 조정층 (4) 의 양면에 비정질 투명 도전층 (5) 을 형성한다. 예를 들어, 건식 방법에 의해, 제 1 광학 조정층 (4A) 의 상면에 제 1 비정질 투명 도전층 (5A), 제 2 광학 조정층 (4B) 의 하면에 제 2 비정질 투명 도전층 (5B) 을 형성한다.
건식법으로는, 예를 들어, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 스퍼터링법을 들 수 있다.
스퍼터링법을 채용하는 경우, 타깃재로는, ITO 를 들 수 있다. ITO 의 산화주석 농도는, ITO 층의 내구성, 결정화 등의 관점에서, 예를 들어, 0.5 질량％ 이상, 바람직하게는, 3 질량％ 이상, 보다 바람직하게는, 8 질량％ 이상이고, 또, 예를 들어, 15 질량％ 이하, 바람직하게는, 13 질량％ 이하이다.
스퍼터 가스로는, 예를 들어, Ar 등의 불활성 가스를 들 수 있다. 또, 필요에 따라, 산소 가스 등의 반응성 가스를 병용할 수 있다. 반응성 가스를 병용하는 경우에 있어서, 반응성 가스의 유량비는 특별히 한정되지 않지만, 스퍼터 가스 및 반응성 가스의 합계 유량비에 대해, 예를 들어, 0.1 유량％ 이상 5 유량％ 이하이다. 특히, 반응성 가스의 유량은, 스퍼터 가스 및 반응성 가스의 유량비 등에 따라 설정하면 되는데, 예를 들어, 8 sccm 이상, 바람직하게는, 10 sccm 이상이고, 또, 예를 들어, 15 sccm 미만, 바람직하게는, 12 sccm 이하이다. 반응 가스의 유량을 미세 조정함으로써, 원하는 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 을 보다 바람직하게 형성할 수 있다.
스퍼터시의 방전 기압은, 스퍼터링 레이트의 저하 억제, 방전 안정성 등의 관점에서, 예를 들어, 1 Pa 이하이고, 바람직하게는, 0.1 Pa 이상 0.7 Pa 이하이다.
스퍼터시의 분위기에 있어서의 물의 분압은, 예를 들어, 10 × 10-4 Pa 이하, 바람직하게는, 5 × 10-4 Pa 이하이다. 또, 물의 분압은, 스퍼터 가스의 분압에 대해, 예를 들어, 1.0 ％ 이하, 바람직하게는, 0.7 ％ 이하이다. 이로써, 단글링 본드의 종결에 의한 비정질 투명 도전층 (5) (제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 및 제 2 비정질 투명 도전층 (5B)) 의 성장 억제를 저감시킬 수 있어, 원하는 비정질 투명 도전층 (5) 을 바람직하게 형성할 수 있다.
스퍼터시의 온도, 구체적으로는, 투명 기재 (2) 에 있어서의 기재 온도는, 예를 들어, 100 ℃ 이하, 바람직하게는, 50 ℃ 이하, 보다 바람직하게는, 30 ℃ 이하이고, 또, 예를 들어, 0 ℃ 이상, 바람직하게는, 10 ℃ 이상이다.
또한, 기재 온도는, 스퍼터시에 있어서, 투명 기재 (2) 에 접촉하는 반송 기재 (반송 롤, 반송 홀더 등) 의 표면 온도를 말한다.
스퍼터링에 사용하는 전원은, 예를 들어, DC 전원, AC 전원, MF 전원 및 RF 전원 중 어느 것이어도 되고, 또, 이들의 조합이어도 된다.
또, 원하는 두께나 복층의 비정질 투명 도전층 (5) 을 형성하기 위해서, 타깃재나 스퍼터링의 조건 등을 적절히 설정하여 복수 회 스퍼터링을 실시해도 된다.
이로써, 원하는 비정질 투명 도전성 필름 (1) 이 얻어진다.
또한, 필요에 따라, 공지된 에칭 수법에 의해 비정질 투명 도전층 (5) 을 스트라이프상 등의 배선 패턴으로 형성해도 된다.
또, 상기 제조 방법에서는, 롤 투 롤 방식으로 투명 기재 (2) 를 반송시키면서, 그 투명 기재 (2) 에, 하드 코트층 (3), 광학 조정층 (4) 및 비정질 투명 도전층 (5) 을 순서대로 형성해도 되고, 또, 이들 층의 일부 또는 전부를 배치 방식 (매엽 방식) 으로 형성해도 된다.
3. 결정질 투명 도전성 필름의 제조 방법
결정질 투명 도전성 필름 (6) 을 제조하는 방법을 설명한다.
결정질 투명 도전성 필름 (6) 을 제조하기 위해서는, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 의 비정질 투명 도전층 (5) 에 대해, 가열 처리를 실시한다. 이로써, 비정질 투명 도전층 (5) (제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 및 제 2 비정질 투명 도전층 (5B)), 즉, 비정질의 ITO 가, 결정질 투명 도전층 (7) (제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 및 제 2 결정질 투명 도전층 (7B)), 즉, 결정질의 ITO 로 전화된다.
구체적으로는, 예를 들어, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 에 대기 하에서 가열 처리를 실시한다.
가열 처리는, 예를 들어, 적외선 히터, 오븐 등을 사용하여 실시할 수 있다.
가열 온도는, 예를 들어, 100 ℃ 이상, 바람직하게는, 120 ℃ 이상이고, 또, 예를 들어, 200 ℃ 이하, 바람직하게는, 160 ℃ 이하이다. 가열 온도를 상기 범위 내로 함으로써, 투명 기재 (2) 의 열 손상 및 투명 기재 (2) 로부터 발생하는 불순물을 억제하면서, 결정화를 확실하게 할 수 있다.
가열 시간은, 예를 들어, 30 분 미만, 바람직하게는, 20 분 이하, 보다 바람직하게는, 15 분 이하이며, 또, 예를 들어, 1 분 이상, 바람직하게는, 5 분 이상이다.
이로써, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 결정질 투명 도전층 (7) 을 구비하는 결정질 투명 도전성 필름 (6) 이 얻어진다.
또한, 결정질 투명 도전층 (7) 이 배선 패턴으로 형성되어 있지 않은 경우에는, 필요에 따라, 가열 처리 후에, 공지된 에칭 수법에 의해 비정질 투명 도전층 (5) 을 스트라이프상 등의 배선 패턴으로 형성해도 된다.
4. 결정질 투명 도전성 필름
결정질 투명 도전성 필름 (6) 은, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어, 투명 기재 (2) 와, 하드 코트층 (3) 과, 광학 조정층 (4) 과, 결정질 투명 도전층 (7) 을 두께 방향으로 순서대로 구비한다. 요컨대, 결정질 투명 도전성 필름 (6) 은, 투명 기재 (2) 와, 투명 기재 (2) 의 상면에 배치되는 제 1 하드 코트층 (3A), 제 1 하드 코트층 (3A) 의 상면에 배치되는 제 1 광학 조정층 (4A) 과, 제 1 광학 조정층 (4A) 의 상면에 배치되는 제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 과, 투명 기재 (2) 의 하면에 배치되는 제 2 하드 코트층 (3B) 과, 제 2 하드 코트층 (3B) 의 하면에 배치되는 제 2 광학 조정층 (4B) 과, 제 2 광학 조정층 (4B) 의 하면에 배치되는 제 2 결정질 투명 도전층 (7B) 을 구비한다. 결정질 투명 도전성 필름 (6) 은, 바람직하게는, 투명 기재 (2) 와, 하드 코트층 (3) (제 1 하드 코트층 (3A) 및 제 2 하드 코트층 (3B)) 과, 광학 조정층 (4) (제 1 광학 조정층 (4A) 및 제 2 광학 조정층 (4B)) 과, 결정질 투명 도전층 (7) (제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 및 제 2 결정질 투명 도전층 (7B)) 으로 이루어진다.
투명 기재 (2), 하드 코트층 (3) 및 광학 조정층 (4) 은, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 에서 상기한 것과 동일한 것이다.
제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 은, 결정질 투명 도전성 필름 (6) 의 최상층으로서, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 광학 조정층 (4) 의 상면 전체면에, 광학 조정층 (4) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 은, 결정질의 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 로 이루어지는 ITO 층이다.
산화주석 (SnO2) 의 함유량은, 상기한 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 과 동일하다.
제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 의 두께는, 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 과 동일하고, 30 ㎚ 이상 40 ㎚ 이하이다. 바람직하게는, 30 ㎚ 이상 35 ㎚ 이하이다.
제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 의 비저항은, 예를 들어, 2.5 × 10-4 Ω·㎝ 미만, 바람직하게는, 2.3 × 10-4 Ω·㎝ 이하이고, 또, 예를 들어, 1.0 × 10-4 Ω·㎝ 이상, 바람직하게는, 1.8 × 10-4 Ω·㎝ 이상이다. 이로써, 결정질 투명 도전층 (7) 의 표면 저항치가 우수하다.
제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 의 표면 저항치는, 예를 들어, 70 Ω/□ 이하, 바람직하게는, 65 Ω/□ 이하이고, 또, 예를 들어, 10 Ω/□ 이상, 바람직하게는, 30 Ω/□ 이상이다.
제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 의 홀 이동도는, 예를 들어, 20.0 ㎠/V·s 이상, 바람직하게는, 24.5 ㎠/V·s 이상이고, 또, 예를 들어, 35.0 ㎠/V·s 이하, 바람직하게는, 30.0 ㎠/V·s 이하이다. 이로써, 제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 의 표면 저항치가 우수하다.
제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 의 캐리어 밀도는, 예를 들어, 90 × 1019/㎤ 이상, 바람직하게는, 100 × 1019/㎤ 이상이고, 또, 예를 들어, 150 × 1019/㎤ 이하, 바람직하게는, 120 × 1019/㎤ 이하이다.
결정질 투명 도전층 (7) 인 ITO 층이 결정질인 것은, 예를 들어, ITO 층을 20 ℃ 의 염산 (농도 5 질량％) 에 15 분간 침지한 후, 수세·건조시켜, 15 ㎜ 정도 간의 단자간 저항을 측정함으로써 판단할 수 있다. 본 명세서에 있어서는, 염산 (20 ℃, 농도 : 5 질량％) 에 대한 침지·수세·건조 후에, 15 ㎜ 간의 단자간 저항이 2 MΩ 이하인 경우, ITO 층이 결정질인 것으로 한다.
제 2 결정질 투명 도전층 (7B) 은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 결정질 투명 도전성 필름 (6) 의 최하층으로서, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 제 2 광학 조정층 (4B) 의 하면 전체면에, 제 2 광학 조정층 (4B) 의 하면에 접촉하도록 배치되어 있다.
제 2 결정질 투명 도전층 (7B) 은, 제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 과 동일한 층이고, 예를 들어, 제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 에서 상기 서술한 재료 및 구성과 동일한 재료 및 구성이다.
결정질 투명 도전성 필름 (6) 의 전광선 투과율은, 예를 들어, 80 ％ 이상, 바람직하게는, 85 ％ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 ％ 이하이다. 이로써, 투명성 등의 광학 특성이 우수하다.
전광선 투과율은, 헤이즈 미터를 사용하여, JIS K 7105 에 준거하여 측정할 수 있다.
파장 450 ㎚ 의 광에 대한 결정질 투명 도전성 필름 (6) 의 투과율 (T2) 은, 예를 들어, 78 ％ 이상, 바람직하게는, 80 ％ 이상, 보다 바람직하게는, 81 ％ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 ％ 이하이다.
결정질 투명 도전성 필름 (6) 의 투과율 (T2) 은, 투명 기재 (2) 의 투과율 (T1) 보다 작고, 이들 차 (T1 － T2) 는, 예를 들어, 7.0 ％ 이하, 바람직하게는, 6.0 ％ 이하, 보다 바람직하게는, 5.0 ％ 이하이다. 이로써, 배선 패턴의 시인을 억제할 수 있어, 터치 패널용 필름으로서의 시인성이 양호해진다.
그리고, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 은, 투명 기재 (2) 와, 제 1 하드 코트층 (3A) 과, 제 1 광학 조정층 (4A) 과, 비정질의 ITO 로 이루어지는 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 을 두께 방향으로 순서대로 구비한다. 또, 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 두께가 30 ㎚ 이상 40 ㎚ 이하로, 비교적 두껍게 되어 있기 때문에, 결정화 후의 제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 의 표면 저항치가 양호해진다. 또, 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 에 있어서, 비저항을 6.0 × 10-4 Ω·㎝ 이상 8.0 × 10-4 Ω·㎝ 이하로 하고, 홀 이동도를 15.0 ㎠/V·s 이상 30.0 ㎠/V·s 이하로 하고 있기 때문에, 결정화 속도를 향상시킬 수 있다. 또, 결정화 후의 제 1 결정질 투명 도전층 (7A) 의 투명성이 양호해진다. 이들은, 비저항 및 홀 이동도를 상기 범위로 함으로써, 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 의 산소 결함이 감소되고 있고, 결정성이 증가되고 있는 것에 의한 것, 및, 버스테인·모스 시프트가 효과적으로 발현되고, 특히 단파장측의 투과율이 증가되고 있는 것으로 추찰되지만, 본 발명은 이 추찰에 한정되지 않는다.
또, 결정질 투명 도전성 필름 (6) 은, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 을 가열함으로써 얻어지고 있기 때문에, 표면 저항치 및 광학 특성이 양호하다.
비정질 투명 도전성 필름 (1) 및 결정질 투명 도전성 필름 (6) 은, 예를 들어, 화상 표시 장치에 구비되는 터치 패널용 기재에 사용된다. 터치 패널의 형식으로는, 광학 방식, 초음파 방식, 정전 용량 방식, 저항막 방식 등의 각종 방식 을 들 수 있고, 특히 정전 용량 방식의 터치 패널에 바람직하게 사용된다.
5. 변형예
도 1 의 실시형태에서는, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 은, 그 양면에, 비정질 투명 도전층 (5) (제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 및 제 2 비정질 투명 도전층 (5B)) 과, 광학 조정층 (4) (제 1 광학 조정층 (4A) 및 제 2 광학 조정층 (4B)) 과, 하드 코트층 (3) (제 1 하드 코트층 (3A) 및 제 2 하드 코트층 (3B)) 을 구비하고 있지만, 예를 들어, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 은, 그 편면에만, 비정질 투명 도전층 (5), 광학 조정층 (4) 및 하드 코트층 (3) 을 구비할 수도 있다.
즉, 도 3 의 비정질 투명 도전성 필름 (1) 은, 투명 기재 (2), 제 1 하드 코트층 (3A) (하드 코트층 (3)), 제 1 광학 조정층 (4A) (광학 조정층 (4)), 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) (비정질 투명 도전층 (5)) 을 두께 방향으로 순서대로 구비하고 있다.
이 도 3 의 비정질 투명 도전성 필름 (1) 을 가열함으로써 결정화되는 결정질 투명 도전성 필름 (6) 은, 예를 들어, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 투명 기재 (2), 제 1 하드 코트층 (3A) (하드 코트층 (3)), 제 1 광학 조정층 (4A) (광학 조정층 (4)), 제 1 결정질 투명 도전층 (7A) (결정질 투명 도전층 (7)) 을 두께 방향으로 순서대로 구비하고 있다.
도 3 의 실시형태에서는, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 은, 하드 코트층 (3), 광학 조정층 (4) 및 제 2 비정질 투명 도전층을 구비하고 있지만, 예를 들어, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 은, 하드 코트층 (3), 광학 조정층 (4) 및 제 2 비정질 투명 도전층을 구비하고 있지 않아도 된다.
즉, 도 5 의 비정질 투명 도전성 필름 (1) 은, 투명 기재 (2) 및 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) (비정질 투명 도전층 (5)) 을 두께 방향으로 순서대로 구비하고 있다. 상세하게는, 도 5 의 비정질 투명 도전성 필름 (1) 은, 투명 기재 (2) 와, 그 투명 기재 (2) 의 상면에 직접 배치되는 제 1 비정질 투명 도전층 (5A) 으로 이루어진다.
이 도 5 의 비정질 투명 도전성 필름 (1) 을 가열함으로써 결정화되는 결정질 투명 도전성 필름 (6) 은, 예를 들어, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 투명 기재 (2) 및 제 1 결정질 투명 도전층 (7A) (결정질 투명 도전층 (7)) 을 두께 방향으로 순서대로 구비하고 있다.
도 4 및 도 6 의 실시형태에 있어서, 결정질 투명 도전성 필름 (6) 의 전광선 투과율은, 예를 들어, 80 ％ 이상, 바람직하게는, 83 ％ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 ％ 이하이다.
파장 450 ㎚ 의 광에 대한 결정질 투명 도전성 필름 (6) 의 투과율 (T2) 은, 예를 들어, 78 ％ 이상, 바람직하게는, 80 ％ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 ％ 이하이다.
결정질 투명 도전성 필름 (6) 의 투과율 (T2) 은, 투명 기재 (2) 의 투과율 (T1) 보다 작고, 이들 차 (T1 － T2) 는, 예를 들어, 7.0 ％ 이하, 바람직하게는, 6.0 ％ 이하이다.
또, 예를 들어, 도시하지 않지만, 비정질 투명 도전성 필름 (1) 및 그것으로부터 얻어지는 결정질 투명 도전성 필름 (6) 에는, 상기 이외에, 투명 기재 (2) 와, 비정질 투명 도전층 (5) 또는 결정질 투명 도전층 (7) 사이에, 다른 층을 개재시킬 수도 있다.
실시예
이하에 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은, 조금도 실시예 및 비교예에 한정되지 않는다. 또, 이하의 기재에 있어서 사용되는 배합 비율 (함유 비율), 물성치, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기의 「발명을 실시하기 위한 형태」에 있어서 기재되어 있는, 그것들에 대응하는 배합 비율 (함유 비율), 물성치, 파라미터 등 해당 기재의 상한치 (「이하」, 「미만」으로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한치 (「이상」, 「초과」로서 정의되어 있는 수치) 로 대체할 수 있다.
실시예 1
투명 기재로서, 시클로올레핀 폴리머 (COP) 필름 (제온사 제조, 상품명 「제오노아」, 두께 100 ㎛) 을 사용하였다.
이어서, 최빈 입자경 1.3 ㎛ 의 복수 개의 단분산 입자 (소켄 화학사 제조, 상품명 「SX-130H」) 와 바인더 수지 (DIC 사 제조, 상품명 「유니딕 RS29-120) 를 함유하는 하드 코트층용 수지 조성물에 아세트산에틸을 첨가하여, 희석액을 조제하였다. 입자의 함유량은, 바인더 수지 100 질량부에 대해 0.2 질량부였다. 계속해서, 투명 기재의 양면에, 희석액을 그라비아 코터를 사용하여 건조 후의 두께가 1.0 ㎛ 가 되도록 도포하고, 80 ℃ 에서 1 분간 가열함으로써, 도막을 건조시켰다. 그 후, 고압 수은 램프로, 적산 광량 250 mJ/㎠ 의 자외선을 조사함으로써, 하드 코트층을 형성하였다.
이어서, 양면의 하드 코트층의 표면에, 자외선 경화성 수지 47 질량부, 산화지르코니아 입자 (메디안 직경 40 ㎚) 57 질량부 및 PGME 를 함유한 광학 조정 조성물 (JSR 사 제조, 상품명 「옵스타 Z7412」, 고형분 12 질량％) 을 그라비아 코터를 사용하여 도포하고, 60 ℃ 에서 1 분간 가열함으로써 도막을 건조시켰다. 그 후, 고압 수은 램프로, 적산 광량 250 mJ/㎠ 의 자외선을 조사하여 경화 처리를 실시함으로써, 두께 100 ㎚ (0.1 ㎛) 로 굴절률 1.62 의 광학 조정층을 양면에 형성하였다.
이어서, 아르곤 가스와 산소의 혼합 가스 0.4 Pa 의 분위기 중에서, 산화주석 10 질량％/산화인듐 90 질량％ 의 소결체를 타깃으로서 사용하고, 반응성 스퍼터링법을 실시하여, 두께가 25 ㎚ 인 비정질 ITO 층 (제 1 층) 을 광학 조정층의 상면에 형성하였다. 또한, 제막시에는, 스퍼터 장치 내를, 물의 분압이 1.0 × 10-4 Pa 이하가 될 때까지 배기한 후, 산소 유량이 10 sccm 이 되도록 아르곤 가스 및 산소 가스를 도입하고, 기재 온도를 20 ℃ 로 하여, 물 분압이 3.0 × 10-4 Pa 인 분위기에서 제막을 실시하였다. 이 때의 물의 분압은, 아르곤 가스의 분압에 대해 0.01 ％ 였다.
계속해서, 타깃을 산화주석 3 질량％/산화인듐 97 질량％ 의 소결체로 변경한 것 이외에는 동일한 조건에서, 스퍼터링을 추가로 실시하여, 두께 7 ㎚ 의 비정질 ITO 층 (제 2 층) 을 추가로 적층시켰다. 이로써, 제 1 비정질 투명 도전층 (두께 32 ㎚) 을 광학 조정층의 상면에 형성하였다.
이어서, COP 필름의 하측의 광학 조정층의 하면에도, 상기와 동일한 순서로, 제 2 비정질 투명 도전층 (두께 32 ㎚) 을 적층하였다. 즉, COP 필름의 하면에, 산화주석 10 질량％/산화인듐 90 질량％ 의 25 ㎚ 의 ITO 층을 형성하고, 그 ITO 층의 하면에, 산화주석 3 질량％/산화인듐 97 질량％ 의 7 ㎚ 의 ITO 층을 추가로 형성하였다.
이로써, 실시예 1 의 비정질 투명 도전성 필름을 얻었다 (도 1 참조).
실시예 2
비정질 ITO 층 (제 1 비정질 투명 도전층, 제 2 비정질 투명 도전층) 의 비저항 및 홀 밀도를 표 1 에 기재된 값이 되도록, 산소 유량을 12 sccm 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비정질 투명 도전성 필름을 얻었다 (도 1 참조).
실시예 3
투명 기재로서 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (미츠비시 수지사 제조, 상품명 「다이아 호일」, 두께 50 ㎛) 을 사용하고, 이 투명 기재의 상면에만 비정질 ITO 층 (제 1 비정질 투명 도전층) 을 직접 형성하였다. 또한, 비정질 ITO 층의 형성 조건에 대해서는, 비정질 ITO 층의 비저항 및 홀 밀도를 표 1 에 기재된 값이 되도록, 산소 유량을 11 sccm 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하였다. 이로써, 실시예 3 의 비정질 투명 도전성 필름을 얻었다 (도 5 참조).
실시예 4 ∼ 5
비정질 ITO 층의 구성, 비저항 및 홀 밀도를 표 1 에 기재된 값이 되도록 변경한 것 이외에는, 실시예 3 과 동일하게 하여, 비정질 투명 도전성 필름을 얻었다 (도 5 참조). 구체적으로는, 실시예 4 에서는, 산소 유량을 11 sccm 으로 변경하고, 실시예 5 에서는, 산소 유량을 12 sccm 으로 변경하였다.
비교예 1 ∼ 3
투명 기재, 비정질 ITO 층의 두께, 비저항 및 홀 밀도를 표 1 의 소재 또는 값이 되도록 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비정질 투명 도전성 필름을 얻었다 (도 1 참조). 구체적으로는, 비교예 1 에서는, 산소 유량을 5 sccm 으로 변경하고, 비교예 2 에서는, 산소 유량을 3 sccm 으로 변경하고, 비교예 3 에서는, 산소 유량을 7 sccm 으로 변경하였다.
비교예 4 ∼ 5
투명 기재, 비정질 ITO 층의 두께, 비저항 및 홀 밀도를 표 1 의 소재 또는 값이 되도록 변경한 것 이외에는, 실시예 3 과 동일하게 하여, 비정질 투명 도전성 필름을 얻었다 (도 5 참조). 구체적으로는, 비교예 4 에서는, 산소 유량을 7 sccm 으로 변경하고, 비교예 5 에서는, 산소 유량을 15 sccm 으로 변경하였다.
(결정화 처리)
각 실시예 및 각 비교예의 비정질 투명 도전성 필름을, 140 ℃ 의 열풍 순환식 오븐 내에서, 비정질 ITO 층이 결정화될 때까지 열 처리하였다.
이로써, 각 실시예 및 각 비교예의 투명 도전성 필름을 제조하였다.
(평가)
각 실시예 및 각 비교예에서 얻어진 투명 도전성 필름 (비정질 투명 도전성 필름 및 결정질 투명 도전성 필름) 에 대해 하기의 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
＜각 층의 두께＞
투명 기재의 두께는, 마이크로 게이지식 두께계 (미츠토요사 제조) 를 사용하여 측정하였다.
하드 코트층 및 광학 조정층의 두께는, 순간 멀티 측광 시스템 (「MCPD2000」, 오오츠카 전자사 제조) 을 사용하여, 간섭 스펙트럼의 파형을 기초로 하여 하기의 조건에서 산출하였다.
비정질 ITO 층의 두께는, 형광 X 선 분석 장치 (리가쿠사 제조) 로, 하기의 조건에서 산출하였다.
또한, 가열 후의 결정질 ITO 층의 두께는, 가열 전의 비정질 ITO 층의 두께와 동일하였다.
＜결정화 시간＞
각 실시예 및 각 비교예의 비정질 투명 도전성 필름의 비정질 ITO 층이 결정화될 때까지의 시간을 측정하였다. 결정화는, 열풍 순환식 오븐에 의해 140 ℃ 의 가열을 실시하고, 하기의 「저항치의 변화 (저하) 의 완료 확인」과「에칭 시험」에 의해 판정하였다.
「저항치의 변화 (저하) 의 완료 확인」 : 각 비정질 투명 도전성 필름을 열풍 순환식 오븐으로 140 ℃ 에서 가열하고, 15 분간마다 ITO 층의 표면 저항치를 측정하였다. 결정화에 수반하여 표면 저항치가 저하되고, 완료되면 표면 저항치가 일정해지기 때문에, 표면 저항치가 일정해지는 시간에서 결정화 시간을 확인하였다.
「에칭 시험」 : 투명 도전성 필름을 20 ℃ 의 염산 (농도 5 질량％) 에 15 분간 침지하고, 수세·건조시킨 후에, 15 ㎜ 이간된 2 점간의 저항치 (Ω) 를 테스터 (커스텀사 제조, 제품명 「디지털 테스터 (M-04)」, 측정 한계치 2 MΩ) 로 측정함으로써, ITO 층이 결정화되어 있는지의 여부를 판정하였다. 저항치가 검출된 경우, ITO 층이 결정화되어 있는 것이라고 평가하였다.
＜표면 저항치 및 비저항＞
4 단자법을 이용하여, 각 투명 도전성 필름의 ITO 층의 표면 저항치 (Ω/□ ) 를 측정하였다. 또, 이 측정된 표면 저항치와, 상기에서 측정한 ITO 층의 두께로부터, 비저항 (Ω·㎝) 을 산출하였다.
＜홀 이동도 및 캐리어 밀도＞
홀 효과 측정 시스템 (바이오라드 제조 상품명 「HL5500PC」) 을 사용하여, 각 투명 도전성 필름의 ITO 층의 홀 이동도 및 캐리어 밀도를 측정하였다.
＜전광선 투과율＞
헤이즈 미터 (스가 시험기 제조) 를 사용하여, JIS K7105 에 준하여, 각 결정질 투명 도전성 필름의 전광선 투과율을 측정하였다.
＜450 ㎚ 에 있어서의 투과율＞
고속 적분구 분광 투과율 측정기 (「DOT-3」, 무라카미 색채 기술 연구소사 제조) 를 사용하여, 각 결정질 투명 도전성 필름에 대해 파장 450 ㎚ 의 광에 대한 투과율 (T2) 을 측정하였다.
또, 동일하게 하여, 투명 기재 (COP, PET 필름) 에 대해 파장 450 ㎚ 의 광에 대한 투과율 (T1) 을 측정하였다.
투과율 (T1), 투과율 (T2), 및, 이들의 차 (T1 － T2) 를 표 1 에 나타낸다.
표 1 에 의하면, 실시예 1 ∼ 5 의 비정질 투명 도전성 필름에서는, 결정화에 의해 얻어지는 결정질 투명 도전성 필름에 있어서의 결정질 ITO 층의 표면 저항치가 70 Ω/□ 이하가 되기 때문에, 표면 저항치가 양호하다. 또, 전광선 투과율이, 83.0 ％ 이상이고, 비교예 1 의 비정질 ITO 가 25 ㎚ (박막) 인 경우와 동등한 투과율을 가지고 있기 때문에, 광학 특성이 양호하다. 또, 결정화 시간이 15 분으로 짧아, 생산성이 양호하다.
한편, 비교예 1 의 비정질 투명 도전성 필름에서는, 비정질 ITO 층의 두께가 25 ㎚ 로 얇기 때문에, 실시예 1 ∼ 2 와 비교하여, 결정질 ITO 층의 표면 저항치가 98 Ω/□ 이라는 높은 저항치가 되어 있다.
비교예 2 의 비정질 투명 도전성 필름에서는, 비저항이 9.8 × 10-4 Ω·㎝ 와 높고, 홀 이동도가 14.6 ㎠/V·s 로 낮기 때문에, 실시예 1 ∼ 2 와 비교하여, 결정 ITO 층의 표면 저항치가 71 Ω/□ 이라는 높은 저항치가 되어 있다. 또, 전광선 투과율이 82.0 ％ 이고, 투과율 차 (T1 － T2) 도 8.0 ％ 가 되어 있어, 광학 특성이 대폭 저하되어 있다.
비교예 3 의 비정질 투명 도전성 필름에서는, 비저항이 8.3 × 10-4 Ω·㎝ 로 높기 때문에, 실시예 1 ∼ 2 와 비교하여, 결정 ITO 층의 표면 저항치가 70 Ω/□ 이라는 높은 저항치가 되어 있다. 또, 전광선 투과율이 82.6 ％ 이고, 투과율 차 (T1 － T2) 도 7.4 ％ 가 되어 있어, 광학 특성이 저하되어 있다. 나아가서는, 결정화 시간이 30 분으로 길어, 생산성이 양호하지는 않다.
비교예 4 의 비정질 투명 도전성 필름에서는, 비저항이 8.1 × 10-4 Ω·㎝ 로 높기 때문에, 실시예 3 ∼ 5 와 비교하여, 결정화 시간이 30 분으로 길어, 생산성이 양호하지는 않다.
비교예 5 의 비정질 투명 도전성 필름에서는, 비저항이 5.3 × 10-4 Ω·㎝ 로 낮고, 홀 이동도가 31.5 ㎠/V·s 로 높기 때문에, 실시예 3 ∼ 5 와 비교하여, 결정 ITO 층의 표면 저항치가 87 Ω/□ 이라는 높은 저항치가 되어 있다. 또, 결정화 시간이 30 분으로 길어, 생산성이 양호하지는 않다.
또한, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않아, 한정적으로 해석해서는 안된다. 당해 기술 분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 이후에 기재하는 청구의 범위에 포함된다.
본 발명의 비정질 투명 도전성 필름 및 결정질 투명 도전성 필름은, 각종 공업 제품에 적용할 수 있고, 예를 들어, 화상 표시 장치에 구비되는 터치 패널용 기재 등에 바람직하게 사용된다.
1 : 비정질 투명 도전성 필름
2 : 투명 기재
3A : 제 1 하드 코트층
4A : 제 1 광학 조정층
5A : 제 1 비정질 투명 도전층
6 : 결정질 투명 도전성 필름
7A : 제 1 결정질 투명 도전층
2 : 투명 기재
3A : 제 1 하드 코트층
4A : 제 1 광학 조정층
5A : 제 1 비정질 투명 도전층
6 : 결정질 투명 도전성 필름
7A : 제 1 결정질 투명 도전층
Claims (7)
- 투명 기재와, 비정질 투명 도전층을 두께 방향으로 순서대로 구비하고,
상기 비정질 투명 도전층은, 비정질의 인듐·주석 복합 산화물로 이루어지고,
상기 비정질 투명 도전층의 두께가, 30 ㎚ 이상 40 ㎚ 이하이고,
상기 비정질 투명 도전층의 비저항이 6.0 × 10-4 Ω·㎝ 이상 7.1 × 10-4 Ω·㎝ 이하이고,
상기 비정질 투명 도전층의 홀 이동도가 15.0 ㎠/V·s 이상 30.0 ㎠/V·s 이하인 것을 특징으로 하는 비정질 투명 도전성 필름. - 제 1 항에 있어서,
상기 투명 기재와 상기 비정질 투명 도전층 사이에 배치되는 광학 조정층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 비정질 투명 도전성 필름. - 제 2 항에 있어서,
상기 투명 기재와 상기 광학 조정층 사이에 배치되는 하드 코트층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 비정질 투명 도전성 필름. - 제 1 항에 기재된 비정질 투명 도전성 필름을 가열하여 이루어지고,
상기 투명 기재와, 결정질의 인듐·주석 복합 산화물로 이루어지는 결정질 투명 도전층을 두께 방향으로 순서대로 구비하는 것을 특징으로 하는 결정질 투명 도전성 필름. - 제 4 항에 있어서,
상기 결정질 투명 도전층의 비저항이, 1.8 × 10-4 Ω·㎝ 이상 2.3 × 10-4 Ω·㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 결정질 투명 도전성 필름. - 제 4 항에 있어서,
파장 450 ㎚ 의 광에 대한 상기 결정질 투명 도전성 필름의 투과율과, 파장 450 ㎚ 의 광에 대한 상기 투명 기재의 투과율의 차가, 7.0 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 결정질 투명 도전성 필름. - 투명 기재와, 비정질의 인듐·주석 복합 산화물로 이루어지는 비정질 투명 도전층을 두께 방향으로 순서대로 구비하는 비정질 투명 도전성 필름을 준비하는 공정, 및,
상기 비정질 투명 도전성 필름을 가열함으로써, 상기 비정질의 인듐·주석 복합 산화물을, 결정질의 인듐주석 복합 산화물로 전화하는 공정을 구비하고,
상기 비정질 투명 도전층의 두께가, 30 ㎚ 이상 40 ㎚ 이하이고,
상기 비정질 투명 도전층의 비저항이 6.0 × 10-4 Ω·㎝ 이상 7.1 × 10-4 Ω·㎝ 이하이고,
상기 비정질 투명 도전층의 홀 이동도가 15.0 ㎠/V·s 이상 30.0 ㎠/V·s 이하인 것을 특징으로 하는 결정질 투명 도전성 필름의 제조 방법.
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|---|---|---|---|---|
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| KR20200038270A (ko) * | 2017-08-04 | 2020-04-10 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 히터 |
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| US11991871B2 (en) * | 2018-12-12 | 2024-05-21 | Nitto Denko Corporation | Impedance matching film for radio wave absorber, impedance matching film-attached film for radio wave absorber, radio wave absorber, and laminate for radio wave absorber |
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| JP7198096B2 (ja) * | 2019-01-30 | 2022-12-28 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
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| JP7378937B2 (ja) * | 2019-02-22 | 2023-11-14 | 日東電工株式会社 | 光透過性導電フィルム |
| WO2020262047A1 (ja) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 日東電工株式会社 | 結晶化インジウムスズ複合酸化物膜、透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
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| JP2021186966A (ja) * | 2020-05-25 | 2021-12-13 | 日東電工株式会社 | 光透過性導電性シート、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ、電磁波シールド部材および画像表示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003297150A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-17 | Nitto Denko Corp | 透明導電積層体とその製造方法 |
| JP5767744B1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-08-19 | 積水ナノコートテクノロジー株式会社 | 光透過性導電性フィルム及びそれを有するタッチパネル |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6351068B2 (en) * | 1995-12-20 | 2002-02-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | Transparent conductive laminate and electroluminescence light-emitting element using same |
| CN105439541B (zh) * | 2009-10-06 | 2018-09-14 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 氧化铟烧结体、氧化铟透明导电膜以及该透明导电膜的制造方法 |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003297150A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-17 | Nitto Denko Corp | 透明導電積層体とその製造方法 |
| JP5767744B1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-08-19 | 積水ナノコートテクノロジー株式会社 | 光透過性導電性フィルム及びそれを有するタッチパネル |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200047384A (ko) | 2018-10-24 | 2020-05-07 | 국립감염증연구소장이 대표하는 일본국 | 중증열성혈소판감소증후군(sfts) 바이러스 검출용 프라이머 세트 |
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