TW201740395A - 非晶質透明導電性膜、以及結晶質透明導電性膜及其製造方法 - Google Patents

非晶質透明導電性膜、以及結晶質透明導電性膜及其製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之非晶質透明導電性膜係於厚度方向依序具備透明基材及非晶質透明導電層。非晶質透明導電層包含非晶質之銦錫複合氧化物。非晶質透明導電層之厚度為30 nm以上且40 nm以下，非晶質透明導電層之比電阻為6.0×10-4Ω・cm以上且8.0×10-4Ω・cm以下，非晶質透明導電層之霍爾移動率為15.0 cm2/V・s以上且30.0 cm2/V・s以下。

Description

非晶質透明導電性膜、以及結晶質透明導電性膜及其製造方法
本發明係關於一種非晶質透明導電性膜、以及結晶質透明導電性膜及其製造方法，詳細而言係關於用於觸控面板用膜等之非晶質透明導電性膜、結晶質透明導電性膜、及結晶質透明導電性膜之製造方法。
先前以來，已知有圖像顯示裝置具備形成有包含銦錫複合氧化物(ITO)之透明配線層之觸控面板用膜。觸控面板用膜一般而言係於將ITO層積層於透明基材之透明導電性膜中，藉由將ITO層圖案化為配線圖案而製造。而且，已知有該觸控面板用膜為了降低其表面電阻值，而將ITO層藉由加熱等而結晶化(轉化)(例如，參照專利文獻1)。 於專利文獻1中揭示有一種製造方法，其係於透明基材上使用Sn原子量超過6重量%且15重量%以下之靶，於水之分壓為0.1%以下之環境氣體下，於基材溫度超過100℃且200℃以下之條件下進行濺鍍製膜，藉此形成包含ITO之非晶質透明導電層之後，對該非晶質透明導電層進行加熱而使之轉化為結晶性透明導電層。 如此獲得之結晶性透明導電層具有良好之表面電阻值。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利特開2012-134085號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，近年來，伴隨圖像顯示裝置之大型化，而要求進一步改良表面電阻值，即，進一步降低表面電阻值。 然而，為了降低表面電阻值，可列舉使包含ITO之透明導電層之厚度變厚之方法。然而，若使透明導電層變厚，則產生透明性等光學特性亦降低之不良情況。 又，亦期望降低非晶質之ITO結晶化之時間而提高生產性。 本發明之目的在於提供可使表面電阻值、光學特性及生產性良好之非晶質透明導電性膜、以及結晶質透明導電性膜及其製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明[1]包含一種非晶質透明導電性膜，其係於厚度方向依序具備透明基材及非晶質透明導電層，上述非晶質透明導電層包含非晶質之銦錫複合氧化物，上述非晶質透明導電層之厚度為30 nm以上且40 nm以下，上述非晶質透明導電層之比電阻為6.0×10-4 Ω・cm以上且8.0×10-4 Ω・cm以下，上述非晶質透明導電層之霍爾移動率為15.0 cm2 /V・s以上且30.0 cm2 /V・s以下。 本發明[2]包含[1]所述之非晶質透明導電性膜，其進而具備配置於上述透明基材與上述非晶質透明導電層之間之光學調整層。 本發明[3]包含[2]所述之非晶質透明導電性膜，其進而具備配置於上述透明基材與上述光學調整層之間之硬塗層。 本發明[4]包含一種結晶質透明導電性膜，其係將[1]～[3]中任一項所述之非晶質透明導電性膜加熱而成，且於厚度方向依序具備上述透明基材及包含結晶質之銦錫複合氧化物之結晶質透明導電層。 本發明[5]包含[4]所述之結晶質透明導電性膜，其中上述結晶質透明導電層之比電阻為1.8×10-4 Ω・cm以上且2.3×10-4 Ω・cm以下。 本發明[6]包含[4]或[5]所述之結晶質透明導電性膜，其中上述結晶質透明導電性膜對於波長450 nm之光之透過率與上述透明基材對於波長450 nm之光之透過率的差為7.0%以下。 本發明[7]包含一種結晶質透明導電性膜之製造方法，其包括如下步驟：準備非晶質透明導電性膜，該非晶質透明導電性膜於厚度方向依序具備透明基材及包含非晶質之銦錫複合氧化物之非晶質透明導電層；及藉由對上述非晶質透明導電性膜進行加熱，而將上述非晶質之銦錫複合氧化物轉化為結晶質之銦錫複合氧化物；上述非晶質透明導電層之厚度為30 nm以上且40 nm以下，上述非晶質透明導電層之比電阻為6.0×10-4 Ω・cm以上且8.0×10-4 Ω・cm以下，上述非晶質透明導電層之霍爾移動率為15.0 cm2 /V・s以上且30.0 cm2 /V・s以下。 [發明之效果] 根據本發明之非晶質透明導電性膜及使用其之結晶質透明導電性膜之製造方法，可生產性良好地製造表面電阻值及光學特性良好之結晶質透明導電性膜。 根據本發明之結晶質透明導電性膜，表面電阻值及光學特性良好。
於圖1中，紙面上下方向為上下方向(厚度方向，第1方向)，紙面上側為上側(厚度方向一側，第1方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側，第1方向另一側)。關於圖2～6，亦依據圖1。 1.非晶質透明導電性膜 非晶質透明導電性膜1具有包含特定厚度之膜形狀(包含片形狀)，沿著與厚度方向正交之特定方向(面方向)延伸，具有平坦之上表面及平坦之下表面。非晶質透明導電性膜1例如係圖像顯示裝置中所具備之觸控面板用基材等之一零件，即並非為圖像顯示裝置。即，非晶質透明導電性膜1係用以製作圖像顯示裝置等之零件，且係不包含LCD(liquid crystal display，液晶顯示器)模組等圖像顯示元件，而以單獨零件流通且產業上能夠利用之器件。 具體而言，如圖1所示，非晶質透明導電性膜1例如於厚度方向依序具備透明基材2、硬塗層3、光學調整層4、及非晶質透明導電層5。即，非晶質透明導電性膜1具備透明基材2、配置於透明基材2之上表面之第1硬塗層3A、配置於第1硬塗層3A之上表面之第1光學調整層4A、配置於第1光學調整層4A之上表面之第1非晶質透明導電層5A、配置於透明基材2之下表面之第2硬塗層3B、配置於第2硬塗層3B之下表面之第2光學調整層4B、及配置於第2光學調整層4B之下表面之第2非晶質透明導電層5B。非晶質透明導電性膜1較佳為包含透明基材2、硬塗層3(第1硬塗層3A及第2硬塗層3B)、光學調整層4(第1光學調整層4A及第2光學調整層4B)、及非晶質透明導電層5(第1非晶質透明導電層5A及第2非晶質透明導電層5B)。以下，對各層進行詳細敍述。 1－1.透明基材 透明基材2係確保非晶質透明導電性膜1之機械強度之基材。透明基材2對非晶質透明導電層5與硬塗層3及光學調整層4一同予以支持。 透明基材2例如為具有透明性之高分子膜。作為高分子膜之材料，可列舉：例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂；例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸樹脂(丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸樹脂)；例如聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物(COP)等烯烴樹脂；及例如聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、聚苯乙烯樹脂、降莰烯樹脂等。高分子膜可單獨使用或將2種以上一併使用。自透明性、耐熱性、機械性強度等觀點而言，較佳為，可列舉聚酯樹脂、烯烴樹脂，更佳為可列舉PET、COP。 透明基材2對於波長450 nm之光之透過率T1例如為80%以上，較佳為85%以上，又，例如為100%以下。透過率可使用高速積分球分光透過率測定器(「DOT-3」，村上色彩技術研究所公司製造)進行測定。 透明基材2之厚度自機械性強度、耐擦傷性、觸控面板用膜之點擊特性等觀點而言，例如為2 μm以上，較佳為20 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為150 μm以下。透明基材2之厚度例如可使用微計測器式厚度計進行測定。 再者，亦可於透明基材2之上表面及/或下表面，根據需要設置易接著層、接著劑層、隔離件等。 1－2.第1硬塗層 第1硬塗層3A係擦傷保護層(抗黏連層)，於積層有複數個非晶質透明導電性膜1之情形時等，用以難以於非晶質透明導電性膜1之兩面(即，第1非晶質透明導電層5A之上表面及第2非晶質透明導電層5B之下表面，(於結晶化後之結晶質透明導電性膜6之情形時為第1結晶質透明導電層7A之上表面及第2結晶質透明導電層7B之下表面)產生擦傷。又，第1硬塗層3A亦存在成為折射率調整層之情形，即以於將非晶質透明導電層5(結晶化後為結晶質透明導電層7)蝕刻為配線圖案之後，無法識別圖案部與未形成圖案部之非圖案部之差異之方式(即，以抑制視認到配線圖案之方式)，與下述之光學調整層4一同調整非晶質透明導電性膜1(結晶化後為結晶質透明導電性膜6)之折射率。 第1硬塗層3A具有膜形狀(包含片形狀)，例如，以與透明基材2之上表面接觸之方式配置於透明基材2之上表面整個面。更具體而言，第1硬塗層3A係以與透明基材2之上表面及第1光學調整層4A之下表面接觸之方式配置於透明基材2與第1光學調整層4A之間。 第1硬塗層3A例如為由硬塗層用樹脂組合物形成之樹脂層。 硬塗層用樹脂組合物例如含有樹脂。硬塗層用樹脂組合物較佳為含有樹脂與粒子，更佳為由樹脂與粒子構成。 作為樹脂，例如可列舉硬化性樹脂、熱塑性樹脂(例如，聚烯烴樹脂)等，較佳為，可列舉硬化性樹脂。 作為硬化性樹脂，例如，可列舉藉由活性能量線(具體而言，紫外線、電子線等)之照射而硬化之活性能量線硬化性樹脂，例如，藉由加熱而硬化之熱硬化性樹脂等，較佳為，可列舉活性能量線硬化性樹脂。 活性能量線硬化性樹脂例如可列舉於分子中包含具有聚合性碳-碳雙鍵之官能基之聚合物。作為此種官能基，例如，可列舉乙烯基、(甲基)丙烯醯基(甲基丙烯醯基及/或丙烯醯基)等。 作為活性能量線硬化性樹脂，例如，可列舉丙烯酸胺基甲酸酯、環氧丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系紫外線硬化性樹脂。 又，作為除活性能量線硬化性樹脂以外之硬化性樹脂，例如可列舉胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、矽氧烷系聚合物、有機矽烷縮合物等。 樹脂可單獨使用或將2種以上一併使用。 作為粒子，可列舉無機粒子、有機粒子等。作為無機粒子，可列舉例如二氧化矽粒子、例如包含氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅、氧化錫等之金屬氧化物粒子、及例如碳酸鈣等碳酸鹽粒子等。作為有機粒子，例如可列舉交聯丙烯酸系樹脂粒子等。粒子可單獨使用或將2種以上一併使用。 作為粒子，較佳為可列舉有機粒子，更佳為可列舉交聯丙烯酸系樹脂粒子。 粒子之最頻粒徑自耐擦傷性及透明性之觀點而言，例如為0.8 μm以上，較佳為1.0 μm以上，又，例如為20 μm以下，較佳為10 μm以下。於本說明書中，所謂最頻粒徑係指表示粒子分佈之極大值之粒徑，例如，藉由使用流動式粒子像分析裝置(Sysmex公司製造，製品名「FPTA-3000S」)以特定條件(Sheath液：乙酸乙酯，測定模式：HPF測定，測定方式：總量計數)進行測定而求出。作為測定試料，使用將粒子以乙酸乙酯稀釋為1.0重量%且使用超音波洗淨機均勻地分散而成者。 粒子之含有比率係相對於樹脂100質量份而例如為0.01質量份以上，較佳為0.1質量份以上，又，例如為10質量份以下，較佳為5質量份以下。 第1硬塗層3A之厚度自耐擦傷性、抑制配線圖案之視認之觀點而言，例如為200 nm以上，較佳為800 nm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為5 μm以下。 第1硬塗層3A之厚度例如可基於使用瞬間多通道測光系統(Intensified Multichannel Photodetector，增強多通道光檢測器)所觀察之干涉光譜之波長來計算。 1－3.第1光學調整層 第1光學調整層4A係如下層，即為了與第1硬塗層3A一同抑制視認到非晶質透明導電層5(結晶化後為結晶質透明導電層7)之配線圖案，並且確保非晶質透明導電性膜1優異之透明性，而調整非晶質透明導電性膜1(結晶化後為結晶質透明導電性膜6)之光學物性(例如，折射率)。 第1光學調整層4A具有膜形狀(包含片形狀)，例如，以與第1硬塗層3A之上表面接觸之方式配置於第1硬塗層3A之上表面整個面。更具體而言，第1光學調整層4A係以與第1硬塗層3A之上表面及第1非晶質透明導電層5A之下表面接觸之方式配置於第1硬塗層3A與非晶質透明導電層5之間。 第1光學調整層4A為由光學調整層用樹脂組合物形成之樹脂層。 光學調整層用樹脂組合物例如含有樹脂。光學調整層用樹脂組合物較佳為含有樹脂與粒子，更佳為由樹脂與粒子構成。 作為樹脂並無特別限定，可列舉與硬塗層用樹脂組合物中所使用之樹脂相同者。樹脂可單獨使用或將2種以上一併使用。較佳為，可列舉硬化性樹脂，更佳為，可列舉活性能量線硬化性樹脂。 樹脂之含有比率相對於光學調整層用樹脂組合物而例如為10質量%以上，較佳為25質量%以上，又，例如為95質量%以下，較佳為60質量%以下。 作為粒子，可根據第1光學調整層4A所要求之折射率而選擇適當之材料，例如，可列舉與硬塗層用樹脂組合物中所使用之粒子相同者。粒子可單獨使用或將2種以上一併使用。較佳為，可列舉無機粒子，更佳為，可列舉金屬氧化物粒子，進而較佳為，可列舉氧化鋯粒子(ZnO2 )。 粒子之平均粒徑(中值粒徑)例如為1 nm以上，較佳為5 nm以上，又，例如為500 nm以下，較佳為100 nm以下。 粒子之含有比率相對於光學調整層用樹脂組合物而例如為5質量%以上，較佳為40質量%以上，又，例如為90質量%以下，較佳為75質量%以下。 第1光學調整層4A之折射率例如為1.50以上，較佳為1.60以上，又，例如為1.80以下，較佳為1.75以下。於本發明中，折射率係藉由阿貝折射計而測定。 第1光學調整層4A之厚度自抑制視認到配線圖案、低電阻之觀點而言，例如為50 nm以上，較佳為80 nm以上，又，例如為300 nm以下，較佳為150 nm以下。 第1光學調整層4A之厚度例如可基於使用瞬間多通道測光系統所觀察之干涉光譜之波長來計算。 1－4.第1非晶質透明導電層 第1非晶質透明導電層5A係用以於後步驟中形成為配線圖案而形成圖案部(電路)之導電層。 如圖1所示，第1非晶質透明導電層5A係非晶質透明導電性膜1之最上層，具有膜形狀(包含片形狀)，且以與第1光學調整層4A之上表面接觸之方式配置於第1光學調整層4A之上表面整個面。 第1非晶質透明導電層5A係包含非晶質(amorphous)之銦錫複合氧化物(ITO)之ITO層。 氧化錫(SnO2 )含量相對於氧化錫及氧化銦(In2 O3 )之合計量而例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，又，例如為15質量%以下，較佳為13質量%以下。藉由使氧化錫之含量為上述下限以上，可使ITO層之耐久性更良好。藉由使氧化錫之含量為上述上限以下，可容易使ITO層結晶化，且可使透明性或比電阻之穩定性提高。 又，第1非晶質透明導電層5A既可由單層之ITO層形成，又，亦可由複層之ITO層形成。 於第1非晶質透明導電層5A由複層之ITO層形成之情形時，層數較佳為可列舉2層。 於第1非晶質透明導電層5A由2層形成之情形時，下層(與光學調整層4接觸之層)之氧化錫之含量較佳為多於上層(於表面露出之側之層)之氧化錫之含量。藉此，可使第1非晶質透明導電層5A之結晶化速度提高，且可使第1結晶質透明導電層7A之表面電阻值良好。 所謂本說明書中之「ITO」，只要為至少包含銦(In)與錫(Sn)之複合氧化物即可，亦可包含除該等以外之追加成分。作為追加成分，例如可列舉除In、Sn以外之金屬元素，具體而言，Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr、Ga等。 第1非晶質透明導電層5A之總厚度為30 nm以上且40 nm以下。較佳為，30 nm以上且35 nm以下。藉由使第1非晶質透明導電層5A之厚度為上述下限以上，而結晶化後之第1結晶質透明導電層7A之表面電阻值優異。另一方面，藉由使第1非晶質透明導電層5A之厚度為上述上限以下，可抑制結晶化後之第1結晶質透明導電層7A所產生之龜裂等，從而可使結晶質透明導電性膜6之可靠性提高。 第1非晶質透明導電層5A之厚度例如可使用螢光X射線分析裝置進行測定。 第1非晶質透明導電層5A之比電阻為6.0×10-4 Ω・cm以上且8.0×10-4 Ω・cm以下。較佳為6.2×10-4 Ω・cm以上，更佳為6.3×10-4 Ω・cm以上，又，較佳為7.0×10-4 Ω・cm以下，更佳為6.8×10-4 Ω・cm以下。藉由使第1非晶質透明導電層5A之比電阻為上述範圍，而使結晶化速度提高，可生產性良好地製造結晶質透明導電性膜6。又，結晶化後之第1結晶質透明導電層7A之表面電阻值及透過率優異。 比電阻例如可根據第1非晶質透明導電層5A之總厚度及表面電阻值而計算。 第1非晶質透明導電層5A之表面電阻值例如為150 Ω/□以上，較佳為180 Ω/□以上，更佳為200 Ω/□以上，又，例如為300 Ω/□以下，較佳為250 Ω/□以下，更佳為220 Ω/□以下。 表面電阻值例如可使用4端子法進行測定。 第1非晶質透明導電層5A之霍爾移動率為15.0 cm2 /V・s以上且30.0 cm2 /V・s以下。較佳為18.0 cm2 /V・s以上，更佳為21.0 cm2 /V・s以上，又，較佳為27.0 cm2 /V・s以下，更佳為25.0 cm2 /V・s以下。藉由使第1非晶質透明導電層5A之霍爾移動率為上述範圍，而使結晶化速度提高，可生產性良好地製造結晶質透明導電性膜6。又，結晶化後之第1結晶質透明導電層7A之表面電阻值及透過率優異。 第1非晶質透明導電層5A之載子密度例如為30.0×1019 /cm3 以上，較佳為40.0×1019 /cm3 以上，又，例如為50.0×1019 /cm3 以下，較佳為45.0×1019 /cm3 以下。 霍爾移動率及載子密度例如可藉由霍爾效應測定系統進行測定。 再者，作為非晶質透明導電層5之ITO層為非晶質例如可藉由將ITO層於20℃之鹽酸(濃度5質量%)中浸漬15分鐘之後，進行水洗、乾燥，並測定15 mm左右之間之端子間電阻而判斷。於本說明書中，於向鹽酸(20℃，濃度：5質量%)浸漬、水洗、乾燥後，ITO層之15 mm間之端子間電阻超過2 M Ω之情形時，設為ITO層為非晶質者。 1－5.第2硬塗層 第2硬塗層3B係以與透明基材2之下表面接觸之方式配置於透明基材2之下表面整個面。更具體而言，第2硬塗層3B係以與透明基材2之下表面及第2光學調整層4B之上表面接觸之方式配置於透明基材2與第2光學調整層4B之間。 第2硬塗層3B為與第1硬塗層3A相同之層，例如，可列舉與於第1硬塗層3A所述者相同者。即，第2硬塗層3B之材料、構成等例如與於第1硬塗層3A中所述之材料、構成等相同。 1－6.第2光學調整層 第2光學調整層4B係以與第2硬塗層3B之下表面接觸之方式配置於第2硬塗層3B之下表面整個面。更具體而言，第2光學調整層4B係以與第2硬塗層3B之下表面及第2非晶質透明導電層5B之上表面接觸之方式配置於第2硬塗層3B與第2非晶質透明導電層5B之間。 第2光學調整層4B為與第1光學調整層4A相同之層，例如，可列舉與於第1光學調整層4A中所述者相同者。即，第2光學調整層4B之材料、構成等例如與於第1光學調整層4A中所述之材料、構成等相同。 1－7.第2非晶質透明導電層 第2非晶質透明導電層5B係用以於後步驟中形成為配線圖案而形成圖案部(電路)之導電層。 如圖1所示，第2非晶質透明導電層5B為非晶質透明導電性膜1之最下層，具有膜形狀(包含片形狀)，且以與透明基材2之下表面接觸之方式配置於透明基材2之下表面整個面。 第2非晶質透明導電層5B為與第1非晶質透明導電層5A相同之層，即，為包含非晶質(amorphous)之銦錫複合氧化物(ITO)之ITO層。第2非晶質透明導電層5B之材料、構成等例如與於第1非晶質透明導電層5A中所述之材料、構成等相同。 2.非晶質透明導電性膜之製造方法 對製造(準備)非晶質透明導電性膜1之方法進行說明。 為了製造非晶質透明導電性膜1，例如於透明基材2之兩面依序設置硬塗層3、光學調整層4及非晶質透明導電層5。即，於透明基材2之上表面設置第1硬塗層3A，於其下表面設置第2硬塗層3B，繼而，於第1硬塗層3A之上表面設置第1光學調整層4A，於第2硬塗層3B之下表面設置第2光學調整層4B，繼而，於第1光學調整層4A之上表面設置第1非晶質透明導電層5A，於第2光學調整層4B之下表面設置第2非晶質透明導電層5B。以下，進行詳細敍述。 首先，準備公知或市售之透明基材2。 然後，根據需要，自透明基材2與硬塗層3之密接性之觀點而言，可對透明基材2之表面實施例如濺鍍、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子線照射、化學處理、氧化等蝕刻處理或底塗處理。又，可藉由溶劑洗淨、超音波洗淨等而將透明基材2除塵、清潔化。 繼而，於透明基材2之兩面設置硬塗層3。例如，藉由於透明基材2之兩面濕式塗佈硬塗層用樹脂組合物，而於透明基材2之上表面形成第1硬塗層3A，於透明基材2之下表面形成第2硬塗層3B。 具體而言，例如，製備將硬塗層用樹脂組合物利用溶劑稀釋而成之稀釋液，繼而，將稀釋液塗佈於透明基材2之兩面且使稀釋液乾燥。 作為溶劑，例如，可列舉有機溶劑、水系溶劑(具體而言，水)等，較佳為可列舉有機溶劑。作為有機溶劑，可列舉：例如甲醇、乙醇、異丙醇等醇化合物；例如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮化合物；例如乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯化合物；丙二醇單甲醚(PGME)等醚化合物；及例如甲苯、二甲苯等芳香族化合物等。溶劑可單獨使用或將2種以上一併使用。較佳為可列舉酮化合物、醚化合物。 稀釋液中之固形物成分濃度例如為1質量%以上，較佳為10質量%以上，又，例如為30質量%以下，較佳為20質量%以下。 作為塗佈方法，可根據稀釋液及透明基材而適當選擇。例如，可列舉浸漬塗佈法、氣刀塗佈法、淋幕式塗佈法、滾筒塗佈法、線棒塗佈法、凹版塗佈法、擠壓塗佈法等。 乾燥溫度例如為50℃以上，較佳為60℃以上，更佳為70℃以上，例如為200℃以下，較佳為150℃以下，更佳為100℃以下。 乾燥時間例如為0.5分鐘以上，較佳為1分鐘以上，例如為60分鐘以下，較佳為20分鐘以下。 藉由上述之塗佈及乾燥，而於透明基材2之兩面將硬塗層用樹脂組合物形成為膜形狀。 然後，於樹脂組合物之樹脂含有活性能量線硬化性樹脂之情形時，藉由於稀釋液之乾燥後照射活性能量線，而使活性能量線硬化性樹脂硬化。 再者，於含有熱硬化性樹脂作為硬塗層用樹脂組合物之樹脂之情形時，可藉由該乾燥步驟而與溶劑之乾燥一起使熱硬化性樹脂熱硬化。 繼而，於形成於透明基材2之兩面之硬塗層3之兩面設置光學調整層4。例如，藉由於硬塗層3(第1硬塗層3A、第2硬塗層3B)之表面濕式塗佈光學調整組合物，而於第1硬塗層3A之上表面形成第1光學調整層4A，於第2硬塗層3B之下表面形成第2光學調整層4B。 具體而言，製備將光學調整層用樹脂組合物利用溶劑稀釋而成之稀釋液，繼而，將稀釋液塗佈於硬塗層3之兩面且使稀釋液乾燥。 作為溶劑、稀釋方法、塗佈方法及乾燥方法，可列舉與硬塗層用樹脂組合物之稀釋液中所例示之溶劑、塗佈方法等相同者。 又，於樹脂組合物之樹脂含有活性能量線硬化性樹脂之情形時，藉由於稀釋液之乾燥後照射活性能量線，而使活性能量線硬化性樹脂硬化。 繼而，於光學調整層4之兩面設置非晶質透明導電層5。例如，藉由乾式方法，而於第1光學調整層4A之上表面形成第1非晶質透明導電層5A，於第2光學調整層4B之下表面形成第2非晶質透明導電層5B。 作為乾式法，例如可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等。較佳為，可列舉濺鍍法。 於採用濺鍍法之情形時，作為靶材，可列舉ITO。ITO之氧化錫濃度自ITO層之耐久性、結晶化等之觀點而言，例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，更佳為8質量%以上，又，例如為15質量%以下，較佳為13質量%以下。 作為濺鍍氣體，例如可列舉Ar等惰性氣體。又，可根據需要而一併使用氧氣等反應性氣體。於一併使用反應性氣體之情形時，反應性氣體之流量比並無特別限定，相對於濺鍍氣體及反應性氣體之合計流量比，例如為0.1流量%以上且5流量%以下。尤其，反應性氣體之流量只要根據濺鍍氣體及反應性氣體之流量比等而設定即可，例如，為8 sccm以上，較佳為10 sccm以上，又，例如未達15 sccm，較佳為12 sccm以下。藉由微調整反應氣體之流量，可更適當地形成所期望之第1非晶質透明導電層5A。 濺鍍時之放電氣壓自抑制濺鍍速率降低、放電穩定性等之觀點而言，例如為1 Pa以下，較佳為0.1 Pa以上且0.7 Pa以下。 濺鍍時之環境氣體中之水之分壓例如為10×10-4 Pa以下，較佳為5×10-4 Pa以下。又，水之分壓相對於濺鍍氣體之分壓，例如為1.0%以下，較佳為0.7%以下。藉此，可降低由懸鍵之終止所致之非晶質透明導電層5(第1非晶質透明導電層5A及第2非晶質透明導電層5B)之成長抑制，從而可適當地形成所期望之非晶質透明導電層5。 濺鍍時之溫度，具體而言，透明基材2中之基材溫度例如為100℃以下，較佳為50℃以下，更佳為30℃以下，又，例如為0℃以上，較佳為10℃以上。 再者，基材溫度係指於濺鍍時，與透明基材2接觸之搬送基材(搬送輥、搬送保持器等)之表面溫度。 用於濺鍍之電源例如既可為DC(direct current，直流)電源、AC(Alternating Current，交流)電源、MF(Multi-Frequency，多頻)電源及RF(radio frequency，射頻)電源之任一者，又，亦可為該等之組合。 又，為了形成所期望厚度或複層之非晶質透明導電層5及，亦可適當設定靶材或濺鍍之條件等而實施複數次濺鍍。 藉此，獲得所期望之非晶質透明導電性膜1。 再者，亦可根據需要，藉由公知之蝕刻方法而將非晶質透明導電層5形成為條紋狀等之配線圖案。 又，於上述製造方法中，亦可利用卷對卷方式，一面搬送透明基材2，一面於該透明基材2依序形成硬塗層3、光學調整層4及非晶質透明導電層5，又，亦可將該等層之一部分或全部利用批量方式(單片方式)形成。 3.結晶質透明導電性膜之製造方法 對製造結晶質透明導電性膜6之方法進行說明。 為了製造結晶質透明導電性膜6，而對非晶質透明導電性膜1之非晶質透明導電層5實施加熱處理。藉此，將非晶質透明導電層5(第1非晶質透明導電層5A及第2非晶質透明導電層5B)即非晶質之ITO轉化為結晶質透明導電層7(第1結晶質透明導電層7A及第2結晶質透明導電層7B)，即結晶質之ITO。 具體而言，例如，於大氣下對非晶質透明導電性膜1實施加熱處理。 加熱處理例如可使用紅外線加熱器、烘箱等實施。 加熱溫度例如為100℃以上，較佳為120℃以上，又，例如為200℃以下，較佳為160℃以下。藉由使加熱溫度為上述範圍內，可抑制透明基材2之熱損傷及自透明基材2產生之雜質，且可確實地結晶化。 加熱時間例如未達30分鐘，較佳為20分鐘以下，更佳為15分鐘以下，又，例如為1分鐘以上，較佳為5分鐘以上。 藉此，如圖2所示，獲得具備結晶質透明導電層7之結晶質透明導電性膜6。 再者，於結晶質透明導電層7未形成為配線圖案之情形時，亦可根據需要，於加熱處理後，藉由公知之蝕刻方法而將非晶質透明導電層5形成為條紋狀等之配線圖案。 4.結晶質透明導電性膜 如圖2所示，例如，結晶質透明導電性膜6係於厚度方向依序具備透明基材2、硬塗層3、光學調整層4、及結晶質透明導電層7。即，結晶質透明導電性膜6具備透明基材2、配置於透明基材2之上表面之第1硬塗層3A、配置於第1硬塗層3A之上表面之第1光學調整層4A、配置於第1光學調整層4A之上表面之第1結晶質透明導電層7A、配置於透明基材2之下表面之第2硬塗層3B、配置於第2硬塗層3B之下表面之第2光學調整層4B、及配置於第2光學調整層4B之下表面之第2結晶質透明導電層7B。結晶質透明導電性膜6較佳為包含透明基材2、硬塗層3(第1硬塗層3A及第2硬塗層3B)、光學調整層4(第1光學調整層4A及第2光學調整層4B)、及結晶質透明導電層7(第1結晶質透明導電層7A及第2結晶質透明導電層7B)。 透明基材2、硬塗層3及光學調整層4係與於非晶質透明導電性膜1所述者相同者。 第1結晶質透明導電層7A為結晶質透明導電性膜6之最上層，具有膜形狀(包含片形狀)，且以與光學調整層4之上表面接觸之方式配置於光學調整層4之上表面整個面。 第1結晶質透明導電層7A為包含結晶質之銦錫複合氧化物(ITO)之ITO層。 氧化錫(SnO2 )之含量係與上述之第1非晶質透明導電層5A相同。 第1結晶質透明導電層7A之厚度與第1非晶質透明導電層5A相同，為30 nm以上且40 nm以下。較佳為30 nm以上且35 nm以下。 第1結晶質透明導電層7A之比電阻例如未達2.5×10-4 Ω・cm，較佳為2.3×10-4 Ω・cm以下，又，例如為1.0×10-4 Ω・cm以上，較佳為1.8×10-4 Ω・cm以上。藉此，結晶質透明導電層7之表面電阻值優異。 第1結晶質透明導電層7A之表面電阻值例如為70 Ω/□以下，較佳為65 Ω/□以下，又，例如為10 Ω/□以上，較佳為30 Ω/□以上。 第1結晶質透明導電層7A之霍爾移動率例如為20.0 cm2 /V・s以上，較佳為24.5 cm2 /V・s以上，又，例如為35.0 cm2 /V・s以下，較佳為30.0 cm2 /V・s以下。藉此，第1結晶質透明導電層7A之表面電阻值優異。 第1結晶質透明導電層7A之載子密度例如為90×1019 /cm3 以上，較佳為100×1019 /cm3 以上，又，例如為150×1019 /cm3 以下，較佳為120×1019 /cm3 以下。 作為結晶質透明導電層7之ITO層為結晶質例如可藉由將ITO層於20℃之鹽酸(濃度5質量%)中浸漬15分鐘之後，進行水洗、乾燥，測定15 mm左右之間之端子間電阻而判斷。於本說明書中，於向鹽酸(20℃，濃度：5質量%)浸漬、水洗、乾燥後，15 mm間之端子間電阻為2 MΩ以下之情形時，設為ITO層為結晶質者。 如圖1所示，第2結晶質透明導電層7B為結晶質透明導電性膜6之最下層，具有膜形狀(包含片形狀)，且以與第2光學調整層4B之下表面接觸之方式配置於第2光學調整層4B之下表面整個面。 第2結晶質透明導電層7B為與第1結晶質透明導電層7A相同之層，例如，為與於第1結晶質透明導電層7A所述之材料及構成相同之材料及構成。 結晶質透明導電性膜6之總光線透過率例如為80%以上，較佳為85%以上，又，例如為100%以下。藉此，透明性等光學特性優異。 總光線透過率可使用霧度計按照JIS K 7105進行測定。 結晶質透明導電性膜6對於波長450 nm之光之透過率T2例如為78%以上，較佳為80%以上，更佳為81%以上，又，例如為100%以下。 結晶質透明導電性膜6之透過率T2小於透明基材2之透過率T1，該等之差(T1－T2)例如為7.0%以下，較佳為6.0%以下，更佳為5.0%以下。藉此，可抑制視認到配線圖案，作為觸控面板用膜之視認性變得良好。 而且，非晶質透明導電性膜1係於厚度方向依序具備透明基材2、第1硬塗層3A、第1光學調整層4A、包含非晶質之ITO之第1非晶質透明導電層5A。又，第1非晶質透明導電層5A之厚度為30 nm以上且40 nm以下，由於相對較厚，故而結晶化後之第1結晶質透明導電層7A之表面電阻值變得良好。又，於第1非晶質透明導電層5A中，使比電阻為6.0×10-4 Ω・cm以上且8.0×10-4 Ω・cm以下，使霍爾移動率為15.0 cm2 /V・s以上且30.0 cm2 /V・s以下，故而可使結晶化速度提高。又，結晶化後之第1結晶質透明導電層7A之透明性變得良好。推測該等之原因在於，藉由使比電阻及霍爾移動率為上述範圍，而使第1非晶質透明導電層5A之氧缺陷減少，從而結晶性增加，及有效地表現包斯丁-摩斯(Burstein-Moss)位移，尤其短波長側之透過率增加，但本發明並不限定於該推測。 又，由於結晶質透明導電性膜6係藉由對非晶質透明導電性膜1進行加熱而獲得，故而表面電阻值及光學特性良好。 非晶質透明導電性膜1及結晶質透明導電性膜6例如用於圖像顯示裝置中所具備之觸控面板用基材。作為觸控面板之形式，可列舉光學方式、超音波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等各種方式，尤其較佳地用於靜電電容方式之觸控面板。 5.變化例 於圖1之實施形態中，非晶質透明導電性膜1係於其兩面具備非晶質透明導電層5(第1非晶質透明導電層5A及第2非晶質透明導電層5B)、光學調整層4(第1光學調整層4A及第2光學調整層4B)、及硬塗層3(第1硬塗層3A及第2硬塗層3B)，例如，亦可如圖3所示，非晶質透明導電性膜1係僅於其單面具備非晶質透明導電層5、光學調整層4及硬塗層3。 即，圖3之非晶質透明導電性膜1係於厚度方向依序具備透明基材2、第1硬塗層3A(硬塗層3)、第1光學調整層4A(光學調整層4)、及第1非晶質透明導電層5A(非晶質透明導電層5)。 藉由對該圖3之非晶質透明導電性膜1進行加熱而結晶化所成之結晶質透明導電性膜6例如如圖4所示，係於厚度方向依序具備透明基材2、第1硬塗層3A(硬塗層3)、第1光學調整層4A(光學調整層4)、及第1結晶質透明導電層7A(結晶質透明導電層7)。 於圖3之實施形態中，非晶質透明導電性膜1具備硬塗層3、光學調整層4及第2非晶質透明導電層，例如，亦可如圖5所示，非晶質透明導電性膜1不具備硬塗層3、光學調整層4及第2非晶質透明導電層。 即，圖5之非晶質透明導電性膜1係於厚度方向依序具備透明基材2及第1非晶質透明導電層5A(非晶質透明導電層5)。詳細而言，圖5之非晶質透明導電性膜1係包含透明基材2及直接配置於該透明基材2之上表面之第1非晶質透明導電層5A。 藉由對該圖5之非晶質透明導電性膜1進行加熱而結晶化所成之結晶質透明導電性膜6例如如圖6所示，係於厚度方向依序具備透明基材2及第1結晶質透明導電層7A(結晶質透明導電層7)。 於圖4及圖6之實施形態中，結晶質透明導電性膜6之總光線透過率例如為80%以上，較佳為83%以上，又，例如為100%以下。 結晶質透明導電性膜6對於波長450 nm之光之透過率T2例如為78%以上，較佳為80%以上，又，例如為100%以下。 結晶質透明導電性膜6之透過率T2小於透明基材2之透過率T1，該等之差(T1－T2)例如為7.0%以下，較佳為6.0%以下。 又，例如，雖未圖示，但亦可於非晶質透明導電性膜1及自其獲得之結晶質透明導電性膜6，除上述以外，還於透明基材2與非晶質透明導電層5或結晶質透明導電層7之間介置其他層。 實施例 以下表示實施例及比較例，對本發明進而具體地進行說明。再者，本發明並不受實施例及比較例任何限定。又，以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體性數值可代替上述之「實施方式」中記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等符合記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。 實施例1 使用環烯烴聚合物(COP)膜(ZEON公司製造，商品名「ZEONOR」，厚度100 μm)作為透明基材。 繼而，對含有最頻粒徑1.3 μm之複數個單分散粒子(綜研化學公司製造，商品名「SX-130H」)與黏合劑樹脂(DIC公司製造，商品名「UNIDIC RS29-120)之硬塗層用樹脂組合物添加乙酸乙酯而製備稀釋液。粒子之含量相對於黏合劑樹脂100質量份為0.2質量份。繼而，使用凹版塗佈機將稀釋液以乾燥後之厚度成為1.0 μm之方式塗佈於透明基材之兩面，以80℃加熱1分鐘，藉此使塗膜乾燥。然後，藉由利用高壓水銀燈照射累計光量250 mJ/cm2 之紫外線而形成硬塗層。 繼而，使用凹版塗佈機將含有紫外線硬化性樹脂47質量份、氧化鋯粒子(中值粒徑40 nm)57質量份及PGME之光學調整組合物(JSR公司製造，商品名「Opstar Z7412」，固形物成分12質量%)塗佈於兩面之硬塗層之表面，以60℃加熱1分鐘，藉此使塗膜乾燥。然後，藉由利用高壓水銀燈照射累計光量250 mJ/cm2 之紫外線實施硬化處理，而以厚度100 nm(0.1 μm)於兩面形成折射率1.62之光學調整層。 繼而，於氬氣與氧之混合氣體0.4 Pa之環境氣體中，使用氧化錫10質量%/氧化銦90質量%之燒結體作為靶，實施反應性濺鍍法，於光學調整層之上表面形成厚度為25 nm之非晶質ITO層(第1層)。再者，於製膜時，將濺鍍裝置內排氣直至水之分壓成為1.0×10-4 Pa以下為止之後，以氧流量成為10 sccm之方式導入氬氣及氧氣，使基材溫度為20℃，於水分壓為3.0×10-4 Pa之環境氣體下實施製膜。此時之水之分壓相對於氬氣之分壓為0.01%。 繼而，除將靶變更為氧化錫3質量%/氧化銦97質量%之燒結體以外以相同之條件，進而實施濺鍍，進而積層厚度7 nm之非晶質ITO層(第2層)。藉此，於光學調整層之上表面形成第1非晶質透明導電層(厚度32 nm)。 繼而，亦於COP膜之下側之光學調整層之下表面，以與上述相同之順序，積層第2非晶質透明導電層(厚度32 nm)。即，於COP膜之下表面形成氧化錫10質量%/氧化銦90質量%之25 nm之ITO層，於該ITO層之下表面進而形成氧化錫3質量%/氧化銦97質量%之7 nm之ITO層。 藉此，獲得實施例1之非晶質透明導電性膜(參照圖1)。 實施例2 以使非晶質ITO層(第1非晶質透明導電層、第2非晶質透明導電層)之比電阻及霍爾密度成為表1之記載之值的方式，將氧流量變更為12 sccm，除此以外與實施例1相同地，獲得非晶質透明導電性膜(參照圖1)。 實施例3 使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(三菱樹脂公司製造，商品名「DIAFOIL」，厚度50 μm)作為透明基材，僅於該透明基材之上表面直接形成非晶質ITO層(第1非晶質透明導電層)。再者，關於非晶質ITO層之形成條件，以使非晶質ITO層之比電阻及霍爾密度成為表1之記載值之方式，將氧流量變更為11 sccm，除此以外與實施例1相同。藉此，獲得實施例3之非晶質透明導電性膜(參照圖5)。 實施例4～5 以使非晶質ITO層之構成、比電阻及霍爾密度成為表1之記載值之方式變更，除此以外與實施例3相同地，獲得非晶質透明導電性膜(參照圖5)。具體而言，於實施例4中，將氧流量變更為11 sccm，於實施例5中，將氧流量變更為12 sccm。 比較例1～3 以使透明基材、非晶質ITO層之厚度、比電阻及霍爾密度成為表1之原材料或值之方式變更，除此以外與實施例1相同地，獲得非晶質透明導電性膜(參照圖1)。具體而言，於比較例1中，將氧流量變更為5 sccm，於比較例2中，將氧流量變更為3 sccm，於比較例3中，將氧流量變更為7 sccm。 比較例4～5 以使透明基材、非晶質ITO層之厚度、比電阻及霍爾密度成為表1之原材料或值之方式變更，除此以外與實施例3相同地，獲得非晶質透明導電性膜(參照圖5)。具體而言，於比較例4中，將氧流量變更為7 sccm，於比較例5中，將氧流量變更為15 sccm。 (結晶化處理) 將各實施例及各比較例之非晶質透明導電性膜於140℃之熱風循環式烘箱內進行熱處理直至非晶質ITO層結晶化為止。 藉此，製造出各實施例及各比較例之透明導電性膜。 (評估) 關於各實施例及各比較例中所獲得之透明導電性膜(非晶質透明導電性膜及結晶質透明導電性膜)實施下述之評估。將結果示於表1。 ＜各層之厚度＞ 透明基材之厚度係使用微計測器式厚度計(Mitutoyo公司製造)進行測定。 硬塗層及光學調整層之厚度係使用瞬間多通道測光系統(「MCPD2000」，大塚電子公司製造)，根據干涉光譜之波形按照下述之條件計算。 非晶質ITO層之厚度係利用螢光X射線分析裝置(RIGAKU公司製造)按照下述之條件計算。 再者，加熱後之結晶質ITO層之厚度係與加熱前之非晶質ITO層之厚度相同。 ＜結晶化時間＞ 對各實施例及各比較例之非晶質透明導電性膜之非晶質ITO層結晶化為止之時間進行測定。結晶化係利用熱風循環式烘箱進行140℃之加熱，藉由下述之「電阻值之變化(下降)之完成確認」與「蝕刻試驗」而進行判定。 「電阻值之變化(下降)之完成確認」：將各非晶質透明導電性膜利用熱風循環式烘箱以140℃進行加熱，每隔15分鐘對ITO層之表面電阻值進行測定。伴隨結晶化而表面電阻值下降，若完成結晶化則表面電阻值變得固定，故而於表面電阻值變得固定之時間確認出結晶化時間。 「蝕刻試驗」：將透明導電性膜於20℃之鹽酸(濃度5質量%)中浸漬15分鐘，進行水洗、乾燥之後，利用測試機(Custom公司製造，製品名「數位測試機(M-04)」，測定極限值2 MΩ)測定相隔15 mm之2點間之電阻值(Ω)，藉此判定ITO層是否結晶化。於檢測出電阻值之情形時，評估為ITO層結晶化。 ＜表面電阻值及比電阻＞ 使用4端子法，測定各透明導電性膜之ITO層之表面電阻值(Ω/□)。又，根據該所測定之表面電阻值與上述已經測定之ITO層之厚度而計算比電阻(Ω・cm)。 ＜霍爾移動率及載子密度＞ 使用霍爾效應測定系統(Bio-Rad製造 商品名「HL5500PC」)，測定各透明導電性膜之ITO層之霍爾移動率及載子密度。 ＜總光線透過率＞ 使用霧度計(Suga Test Instruments製造)，按照JIS K7105測定各結晶質透明導電性膜之總光線透過率。 ＜於450 nm之透過率＞ 使用高速積分球分光透過率測定器(「DOT-3」，村上色彩技術研究所公司製造)，對各結晶質透明導電性膜測定對於波長450 nm之光之透過率T2。 又，相同地，對透明基材(COP、PET膜) 測定對於波長450 nm之光之透過率T1。 將透過率T1、透過率T2、及該等之差(T1－T2)示於表1。 [表1] 根據表1，於實施例1～5之非晶質透明導電性膜中，藉由結晶化而獲得之結晶質透明導電性膜中之結晶質ITO層之表面電阻值成為70 Ω/□以下，故而表面電阻值良好。又，總光線透過率為83.0%以上，具有與比較例1之非晶質ITO為25 nm(薄膜)之情形時同等之透過率，故而光學特性良好。又，結晶化時間短至15分鐘，生產性良好。 另一方面，於比較例1之非晶質透明導電性膜中，非晶質ITO層之厚度薄至25 nm，故而與實施例1～2相比，結晶質ITO層之表面電阻值成為98 Ω/□之較高之電阻值。 於比較例2之非晶質透明導電性膜中，比電阻較高而為9.8×10-4 Ω・cm，霍爾移動率較低而為14.6 cm2 /V・s，故而與實施例1～2相比，結晶ITO層之表面電阻值成為71 Ω/□之較高之電阻值。又，總光線透過率為82.0%，透過率差(T1－T2)亦成為8.0%，光學特性大幅度降低。 於比較例3之非晶質透明導電性膜中，比電阻較高而為8.3×10-4 Ω・cm，故而與實施例1～2相比，結晶ITO層之表面電阻值成為70 Ω/□之較高之電阻值。又，總光線透過率為82.6%，透過率差(T1－T2)亦成為7.4%，光學特性降低。進而，結晶化時間較長而為30分鐘，生產性並不良好。 於比較例4之非晶質透明導電性膜中，比電阻較高而為8.1×10-4 Ω・cm，故而與實施例3～5相比，結晶化時間較長而為30分鐘，生產性並不良好。 於比較例5之非晶質透明導電性膜中，比電阻較低而為5.3×10-4 Ω・cm，霍爾移動率較高而為31.5 cm2 /V・s，故而與實施例3～5相比，結晶ITO層之表面電阻值成為87 Ω/□之較高之電阻值。又，結晶化時間較長而為30分鐘，生產性並不良好。 再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其只不過為例示，並非限定性地解釋。由該技術領域之業者明白之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍。 [產業上之可利用性] 本發明之非晶質透明導電性膜及結晶質透明導電性膜可應用於各種工業製品，例如，較佳地用於圖像顯示裝置中所具備之觸控面板用基材等。
1‧‧‧非晶質透明導電性膜
2‧‧‧透明基材
3‧‧‧硬塗層
3A‧‧‧第1硬塗層
3B‧‧‧第2硬塗層
4‧‧‧光學調整層
4A‧‧‧第1光學調整層
4B‧‧‧第2光學調整層
5‧‧‧非晶質透明導電層
5A‧‧‧第1非晶質透明導電層
5B‧‧‧第2非晶質透明導電層
6‧‧‧結晶質透明導電性膜
7‧‧‧結晶質透明導電層
7A‧‧‧第1結晶質透明導電層
7B‧‧‧第2結晶質透明導電層
圖1係表示本發明之非晶質透明導電性膜之一實施形態之側剖視圖。 圖2係表示將圖1之非結晶質透明導電性膜結晶化而得之結晶質透明導電性膜之側剖視圖。 圖3係表示本發明之非晶質透明導電性膜之其他實施形態(於單面積層有非晶質ITO層之實施形態)之側剖視圖。 圖4係表示將圖3之非結晶質透明導電性膜結晶化而得之結晶質透明導電性膜之側剖視圖。 圖5係表示本發明之非晶質透明導電性膜之其他實施形態(於透明基材之上表面直接積層有非晶質ITO層之實施形態)之側剖視圖。 圖6係表示將圖5之非結晶質透明導電性膜結晶化而得之結晶質透明導電性膜之側剖視圖。
1‧‧‧非晶質透明導電性膜
2‧‧‧透明基材
3‧‧‧硬塗層
3A‧‧‧第1硬塗層
3B‧‧‧第2硬塗層
4‧‧‧光學調整層
4A‧‧‧第1光學調整層
4B‧‧‧第2光學調整層
5‧‧‧非晶質透明導電層
5A‧‧‧第1非晶質透明導電層
5B‧‧‧第2非晶質透明導電層

Claims (7)

  1. 一種非晶質透明導電性膜，其特徵在於： 於厚度方向依序具備透明基材及非晶質透明導電層， 上述非晶質透明導電層包含非晶質之銦錫複合氧化物， 上述非晶質透明導電層之厚度為30 nm以上且40 nm以下， 上述非晶質透明導電層之比電阻為6.0×10-4 Ω・cm以上且8.0×10-4 Ω・cm以下， 上述非晶質透明導電層之霍爾移動率為15.0 cm2 /V・s以上且30.0 cm2 /V・s以下。
  2. 如請求項1之非晶質透明導電性膜，其進而具備配置於上述透明基材與上述非晶質透明導電層之間之光學調整層。
  3. 如請求項2之非晶質透明導電性膜，其進而具備配置於上述透明基材與上述光學調整層之間之硬塗層。
  4. 一種結晶質透明導電性膜，其特徵在於： 其係將如請求項1之非晶質透明導電性膜加熱而成， 於厚度方向依序具備上述透明基材及包含結晶質之銦錫複合氧化物之結晶質透明導電層。
  5. 如請求項4之結晶質透明導電性膜，其中上述結晶質透明導電層之比電阻為1.8×10-4 Ω・cm以上且2.3×10-4 Ω・cm以下。
  6. 如請求項4之結晶質透明導電性膜，其中上述結晶質透明導電性膜對於波長450 nm之光之透過率與上述透明基材對於波長450 nm之光之透過率的差為7.0%以下。
  7. 一種結晶質透明導電性膜之製造方法，其特徵在於具備如下步驟： 準備非晶質透明導電性膜，該非晶質透明導電性膜於厚度方向依序具備透明基材及包含非晶質之銦錫複合氧化物之非晶質透明導電層；及 藉由對上述非晶質透明導電性膜進行加熱，而將上述非晶質之銦錫複合氧化物轉化為結晶質之銦錫複合氧化物； 上述非晶質透明導電層之厚度為30 nm以上且40 nm以下， 上述非晶質透明導電層之比電阻為6.0×10-4 Ω・cm以上且8.0×10-4 Ω・cm以下， 上述非晶質透明導電層之霍爾移動率為15.0 cm2 /V・s以上且30.0 cm2 /V・s以下。
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