KR102439647B1 - 광학적으로 식별 가능한 마크가 제공된 레티클 포드와 이를 식별하는 방법 - Google Patents

광학적으로 식별 가능한 마크가 제공된 레티클 포드와 이를 식별하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 베이스 및 상기 베이스에 장착된 리드를 포함하는 레티클 포드를 개시한다. 베이스는 적어도 하나의 제 1 마크 및 적어도 하나의 제 2 마크를 갖는 바닥면을 포함한다. 제 1 마크는 광원에 대한 제 1 반사율을 갖고, 제 2 마크는 광원에 대한 제 2 반사율을 갖는다. 제 1 반사율은 제 2 반사율과 다르며 둘 다 바닥면의 나머지 영역의 반사율과도 다르다.

Description

광학적으로 식별 가능한 마크가 제공된 레티클 포드와 이를 식별하는 방법{RETICLE POD PROVIDED WITH OPTICALLY IDENTIFIABLE MARKS AND METHOD FOR IDENTIFYING THE SAME}
본 발명은 레티클 포드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 주변에 광학적으로 식별 가능한 마크가 제공된 레티클 포드 및 상기 레티클 포드 상의 마크를 식별하는 방법에 관한 것이다.
개방 메카니즘의 관점에서, 레티클 포드는 일반적으로 전면 개방 메카니즘이 제공된 유형과 상단 개방 메카니즘이 제공된 다른 유형으로 각각 분류될 수 있다. 그러나, 레티클 포드의 유형에 관계없이, 레티클 포드를 프로세싱 장치(예를 들어, 황색광 리소그래피 프로세스를 수행하는 장치)의 플랫폼에 정확하고 정밀하게 배치하여 레티클 포드가 전체 공정에서 어떠한 경로 오프셋 및 위치 변위 없이 플랫폼에서 성공적으로 개방될 수 있도록 해야 한다.
특허 번호 TWM496146으로 발행된 공개 공보는 마크가 제공된 EUV(Extreme Ultraviolet) 레티클 포드를 개시하는데, 상기 레티클 포드는 포드와 포드의 바디에 제공된 적어도 하나의 마크를 포함하며, 상기 마크는 레이저 조각 방식으로 형성된다. 마크는 레이저 빔에 대한 반사율을 갖는다. 따라서, 공정 장치의 플랫폼에는 레이저 감지 접근 방식이 탑재되어 플랫폼에 대한 레티클 포드의 방향을 식별할 수 있다. 구체적으로, 플랫폼은 레티클 포드가 필요한 위치에 있는지를 확인하기 위해 마크에 부딪히는 레이저 빔을 제공하고 상기 마크로부터 반사된 레이저 빔을 수신하도록 구성될 수 있다.
이러한 레이저 감지 또는 광 감지를 포함할 수 있는 종래 및 미래의 반도체 프로세싱 장치의 관점에서, 다양한 공정에서 다양한 요구를 충족하거나 생성하기 위해 광학적으로 식별 가능한 마크가 제공된 레티클 포드의 개발이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 베이스 및 상기 베이스와 결합되는 리드를 포함하는 레티클 포드를 제공하는 것이다. 베이스는 적어도 하나의 제 1 마크와 적어도 하나의 제 2 마크가 제공되는 바닥면을 갖고, 제 1 마크는 광원에 대한 제 1 반사율을 가지며, 제 2 마크는 광원에 대한 제 2 반사율을 갖고, 제 1 반사율은 제 2 반사율과 다르다.
일 실시예에서, 적어도 하나의 마크는 바닥면의 중심축 상에 위치하고, 제 2 마크는 중심축에 의해 정의된 바닥면의 일측에 위치한다.
일 실시예에서, 바닥면은 중심축에 수직이고 바닥면을 제 1 영역 및 제 2 영역으로 분할하는 횡축을 가지며, 적어도 하나의 제 1 마크는 중심축 및 횡축의 크로스에 위치하고 제 2 마크는 제 2 영역에 위치한다.
일 실시예에서, 제 1 마크는 원형 마크이고, 제 2 마크도 원형 마크이며, 상기 제 1 마크의 직경은 상기 제 2 마크의 직경보다 크다.
일 실시예에서, 제 2 마크의 중심과 중심축이 횡 오프셋 거리를 정의하고, 제 2 마크의 중심과 횡축이 수직 오프셋 거리를 정의하며, 횡 오프셋 거리가 수직 오프셋 거리보다 작다.
일 실시예에서, 횡 오프셋 거리는 18mm이고, 수직 오프셋 거리는 58mm이다.
일 실시예에서, 광원은 특정 파장을 갖는 레이저 빔이다.
일 실시예에서, 적어도 하나의 제 1 마크는 제 1 표면 거칠기를 갖고, 적어도 하나의 제 2 마크는 상기 제 1 표면 거칠기와 상이한 제 2 표면 거칠기를 가지며, 상기 제 1 표면 거칠기와 상기 제 2 표면 거칠기 모두가 바닥면의 다른 영역의 거칠기와 다르다.
본 발명의 또 다른 목적은 적어도 하나의 제 1 마크와 적어도 하나의 제 2 마크가 제공된 바닥면을 갖는 베이스를 포함하는 레티클 포드를 식별하는 방법을 제공하는 것이다. 제 1 마크는 광원에 대한 제 1 반사율을 갖고, 제 2 마크는 광원에 대한 제 2 반사율을 가지며, 제 1 반사율은 제 2 반사율과 다르다. 상기 방법은: 다수의 프로브 광이 제공된 프로세싱 플랫폼에 레티클 포드를 배치하는 단계; 상기 프로브 광을 적어도 하나의 제 1 마크 및 적어도 하나의 제 2 마크에 각각 투사하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 제 1 마크로부터 제 1 반사광 및 적어도 하나의 제 2 마크로부터 제 2 반사광을 수신하고, 그에 따라 적어도 하나의 제 1 메시지 및 적어도 하나의 제 2 메시지를 생성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 메시지는 레티클 포드가 정확한 위치에 배치되었는지 여부를 나타내고, 상기 적어도 하나의 제 2 메시지는 레티클 포드의 식별을 나타낸다.
일 실시예에서, 프로브 광은 특정 파장을 갖는 레이저 빔이다.
일 실시예에서, 상기 방법은 적어도 하나의 제 1 반사광에 대응하는 적어도 하나의 제 1 전압값 및 적어도 하나의 제 2 반사광에 대응하는 적어도 하나의 제 2 전압값을 수신하는 단계를 더 포함하고, 상기 적어도 하나의 제 1 전압값은 상기 적어도 하나의 제 2 전압값과 다르다.
일 실시예에서, 적어도 하나의 제 1 전압값은 4.8 내지 5.2V이고, 적어도 하나의 제 2 전압값은 4.0V 미만이다.
일 실시예에서, 상기 식별은 레티클 포드 또는 레티클의 모델 또는 버전을 포함한다.
본 발명의 또 다른 목적은 레티클 포드를 식별하는 방법을 제공하는 것이다. 상기 방법은 레티클 포드의 베이스의 바닥면에 광원에 대한 제 1 반사율을 갖는 적어도 하나의 제 1 마크 및 상기 제 1 반사율과 상이하고 레티클 포드의 식별과 관련된 광원에 대한 제 2 반사율을 갖는 적어도 하나의 제 2 마크를 제공하는 단계; 다수의 프로브 광이 제공된 프로세싱 플랫폼에 레티클 포드를 배치하는 단계; 프로브 광을 적어도 하나의 제 1 마크 및 적어도 하나의 제 2 마크에 투사하는 단계; 및 적어도 하나의 제 1 마크로부터 제 1 반사광 및 적어도 하나의 제 2 마크로부터 제 2 반사광을 수신하고, 적어도 하나의 제 1 메시지 및 적어도 하나의 제 2 메시지를 생성하는 단계를 포함하며, 상기 적어도 하나의 메시지는 레티클 포드가 정확한 위치에 배치되었는지 여부를 나타내는 반면, 적어도 하나의 제 2 메시지는 레티클 포드의 식별을 나타낸다.
일 실시예에서, 적어도 하나의 제 1 마크 및 적어도 하나의 제 2 마크가 레이저 조각 방식에 의해 베이스의 바닥면에 형성된다.
본 발명의 내용에 포함됨.
본 발명은 첨부 도면 및 이하의 설명을 참조로 보다 철저히 이해될 수 있다. 도면을 참조로 제한적이고 배타적인 의도가 아닌 다양한 예들을 설명할 것이다. 도면에 표시된 요소는 구조 및 관련 원리를 설명하기 위해 반드시 실제 크기로 예시된 것은 아니다.
도 1은 레티클 포드의 분해도이다.
도 2는 본 발명에 따른 레티클 포드의 저면도이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 복수의 마크 및 그에 대응하는 감지 광원을 갖는 프로세싱 장치의 플랫폼 상의 본 발명에 따른 레티클 포드를 도시한다.
첨부 도면을 참조로 본 발명의 보다 완전한 설명을 아래에 제공하며, 예시적인 실시예를 설명하기 위해 예가 제공된다. 그럼에도 불구하고, 본 발명의 청구된 주제는 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 포함되거나 청구된 주제의 구성은 본 명세서에 개시된 임의의 예시적인 실시예에 국한되지 않아야 한다. 예시적인 실시예는 단지 예로서 제공된다. 마찬가지로, 본 발명은 청구되거나 포함된 주제에 대해 상당히 넓은 범위를 제공하도록 의도된다. 게다가, 예를 들어, 청구된 주제는 방법, 장치 또는 시스템으로 구현될 수 있다. 따라서, 특정 실시예는 예를 들어 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 또는 이들의 (논-소프트웨어로 알려진) 임의의 조합의 형태일 수 있다.
본 설명에서 사용된 "실시예"라는 용어는 반드시 정확히 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니며, 본 설명에서 사용된 "다른(일부/특정) 실시예"라는 용어는 반드시 다른 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 이 설명의 목적은 예시적인 실시예의 전부 또는 일부의 조합을 포함하는 예를 사용하여 청구된 주제를 설명하는 것이다.
도 1은 외부 포드(100) 및 내부 포드(110)를 포함하는 EUV 레티클 포드일 수 있는 레티클 포드의 분해도를 도시한다. 외부 포드(100)는 내부 포드(110)를 수용하기 위해 서로 결합할 수 있는 리드(101) 및 베이스(102)를 갖는다. 내부 포드(110)는 리드(111) 및 베이스(112)가 있고, 레티클(120)을 수용하도록 구성된다.
외부 포드(100) 및 내부 포드(110)는 자세한 내용이 있으나 여기서 생략하며, 본 발명의 관련 부분에 대해서만 설명한다. 구체적으로 도시 및 설명되지는 않았지만, 당업자는 일부 구성에서 외부 포드(100)의 리드(101) 내부에 복수의 제한 핀이 제공될 수 있고, 베이스(102)에 배기 밸브가 제공될 수 있으며, 내부 포드(110)의 리드(111)에는 필터 채널이 제공될 수 있다고 예측할 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 레티클 포드의 저면도를 도시한다. 보다 구체적으로, 이는 레티클 포드의 내부 포드의 저면도로서, 내부 포드의 바닥면(200)과 대응하는 리드에 속하는 한 쌍의 고정 부재(210)를 보여주기 위해 단순화하였다. 한 쌍의 고정 부재(210)를 손으로 잡고 베이스에서 들어올려 레티클을 노출시킬 수 있다. 레티클 포드가 프로세싱 장치의 플랫폼에 배치되는 경우, 바닥면(200)은 플랫폼의 운반 인터페이스와 접촉하거나 결합한다. 일부 유형의 플랫폼은 광학 기반 측정 및 식별을 달성하는 데 사용되는 여러 프로브 광원과 해당 판독 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 베이스의 바닥면(200)에는 상기 광학 식별에 적합한 복수의 마크가 제공된다. 도시된 실시예에서, 바닥면(200)에는 3 개의 제 1 마크(201) 및 하나의 제 2 마크(202)가 제공된다. 상기 제 1 마크(201)는 플랫폼에 배치될 때 베이스(112)의 수평을 확인하기 위해 사용된다. 상기 제 2 마크(202)는 레티클 포드에 관한 정보(예를 들어, 버전)를 확인하는 데 사용된다. 이러한 제 1 마크(201) 중 하나는 일반적으로 바닥면(200)의 중심, 보다 구체적으로 Y 방향을 따라 중심 축(203)에 위치하며 바닥면(200)을 2 개의 대칭 절반부(200A, 200B)로 나눈다.
중심축(203)상의 제 1 마크(201)는 X 방향을 따라 횡축(204)을 더 정의하고, 상기 횡축(204)은 중심축(203)에 수직이다. 횡축(204)은 바닥면(200)을 제 1 영역(200')과 제 2 영역(200'')으로 더 분할한다. 중심축(203)의 제 1 마크(201) 이외에, 다른 두 개의 제 1 마크(201)가 모두 제 1 영역(200') 내에 하지만 각각의 절반부(200A, 200B) 내에 위치한다. 도시된 바와 같이, 횡 오프셋 거리는 절반부(200A, 200B)와 중심축(203)에 위치한 제 1 마크(201)에 의해 정의되는 반면, 수직 오프셋 거리는 각각의 절반부(200A, 200B) 및 횡축에 위치한 제 1 마크(201)에 의해 정의되며, 횡 오프셋 거리가 수직 오프셋 거리보다 크다. 즉, 2 개의 절반부(200A, 200B)에 대해 위치된 제 1 마크(201)는 수직축(203)보다 횡축(204)에 더 인접해 있다.
제 2 마크(202)는 바닥면(200)의 제 2 영역(200'')의 절반부(200A)에 위치한다. 제 2 마크(202)의 중심과 중심축(203)의 중심이 횡 오프셋 거리(D1)를 정의한다. 제 2 마크(202)의 중심과 수직축(204)이 수직 오프셋 거리(D2)를 정의한다. D1이 D2보다 작다. 이와 같이, 제 2 마크는 중심축(203)에 상대적으로 인접하고, 제 2 마크(202)는 중심축(203)의 제 1 마크(201)에 비교적 인접한다.
도시된 실시예에서, 제 1 마크(201) 및 제 2 마크(202)는 일반적으로 원형이고, 제 2 마크(202)의 직경은 제 1 마크(201)의 직경보다 작다. 바닥면(200)은 실제로 완전한 평면이 아님을 알아야 한다. 구조적 간섭을 피하기 위해, 제 1 마크(201)와 제 2 마크(202)를 불완전한 원형으로 절단할 수 있다. 대안으로, 제 1 마크(201) 및 제 2 마크(202)는 불완전한 평면으로 인해 서로 다른 높이에 위치할 수 있지만, 저면도에서 원형으로 관찰될 수 있다.
일 실시예에서, 중심축(203)상의 제 1 마크(201)가 바닥면(200)의 중심에 위치할 수 있어, 상기 제 1 마크(201)를 통과하는 중심축(203) 및 횡축(204)이 바닥면(200)을 동일한 절반부(200A, 200B)로 나누고 제 1 영역(200')과 제 2 영역(200'')의 동일한 면적으로 나누게 된다. 바람직하게는, 제 2 마크(202)는 16mm 직경 또는 그보다 큰 직경을 갖는 원형 형상이다. 제 2 마크(202)의 중심과 중심축(203) 사이의 횡 오프셋 거리(D1)는 18mm인 한편, 제 2 마크(202)의 중심과 횡축(204) 사이의 수직 오프셋 거리(D2)는 58mm이다.
그럼에도 불구하고, 제 2 마크(202)의 형상 및 커버리지는 도면에 의해 제한되지 않는다. 가능한 실시예에서, 제 2 마크(202)의 커버리지는 제 2 영역(200'')의 2 개의 절반부(200A, 200B)를 포함할 수 있거나, 제 1 및 제 2 영역(200', 200'')을 포함할 수 있다.
상기 제 1 마크(201) 및 제 2 마크(202)는 비표면 처리(specific surface processing)에 의해 바닥면(200)에 형성되고, 상기 표면 처리는 제 1 마크(201) 및 제 2 마크(202)에 제 1 광학 반사율 및 제 2 광학 반사율을 각각 부여한다. 본 발명에 따른 상기 "반사율"은 특정 광원(예를 들어, 특정 파장을 갖는 레이저 빔)에 대한 광학 반사율을 지시하는 것을 알아야 한다. 내부 포드의 베이스가 금속으로 제조된 경우, 제 1 마크(201) 및 제 2 마크(202)는 레이저 표면 처리 또는 금속 표면에 가해진 화학 반응에 의해 형성된다. 제 1 마크(201) 및 제 2 마크(202)는 금속 표면에 다른 재료의 필름을 부착하여 제조될 수도 있다. 따라서, 제 1 마크(201)의 제 1 반사율과 제 2 마크(202)의 제 2 반사율은 베이스의 바닥면(200)의 반사율과 다르다.
보다 구체적으로, 상기 마크는 TLSM(실버 매트 반려동물 라벨 회사) 또는 다른 재료 및 색상의 다른 스티커일 수 있다. 대안으로, 은, 알루미늄 또는 구리와 같은 금속 재료가 전기 도금, 기화, 무전해 도금, 브레이징, 임베딩 및 초음파 융합과 같은 방식으로 마크의 미리 결정된 영역에 부착되어 상대적으로 높거나 낮은 반사율을 생성할 수 있다. 감소된 마크 반사율을 얻기 위해 탄소 나노 튜브를 포함하는 코팅이 타겟 표면에 도포될 수 있다.
반사율 차이는 특정 파장의 레이저 빔을 제 1 마크(201), 제 2 마크(202) 및 바닥면(200)의 다른 영역에 각각 투사하고 해당 반사 방향으로 반사된 값을 수신하여 관찰할 수 있다. 예를 들어, 특정 출력 값의 레이저 빔을 제 1 마크(201)에 투사하고 반사 방향으로 반사된 레이저 빔의 출력 값을 측정한다; 측정된 출력 값이 투사 레이저의 60 %이면, 제 1 마크(201)는 광원에 대해 60 % 반사율을 갖는다. 프로세싱 장치에서, 반사광의 판독값은 다른 마크 반사율에 따른 전압값으로 변환될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 마크의 반사율은 표면 거칠기에 의해 결정된다. 상술한 레이저 표면 처리는 베이스의 원래 표면을 거칠게 하는 것으로, 플랫폼에서 제공된 프로브 광원이 거친 표면에 부딪힐 때 불규칙한 반사를 일으켜 반사 방향으로의 반사를 감소시킨다. 예를 들어, 제 1 마크(201) 및 제 2 마크(202)는 각각 제 1 표면 거칠기 및 제 2 표면 거칠기를 가지며, 제 1 표면 거칠기 및 제 2 표면 거칠기는 서로, 또한 바닥면의 다른 영역과 상당히 다르다. 제 1 마크(201)와 제 2 마크(202)에서 각각 반사된 빛이 서로 간섭하여 판독값에 영향을 주는 것을 방지하기 위해, 본 발명에 따른 중심축(203)의 제 2 마크(202)와 제 1 마크(201)는 반사광이 플랫폼에 의해 판독될 때 서로 간섭하지 않도록 보장하는 특정 관계를 갖는다.
일부 실시예에서, 추가의 제 3 마크(203)가 한 쌍의 고정 부재(210)의 하향면에 제공될 수 있어, 플랫폼이 리드가 리드의 베이스 또는 방향 위에 있는지를 식별하는 것을 도울 수 있다.
본 발명은 레티클 포드를 식별하는 방법을 더 제공하는데, 상기 레티클 포드에는 상기 제 1 마크(201) 및 제 2 마크(202)가 제공된다. 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 상기 레티클 포드(300)가 프로세싱 플랫폼(310)의 운반 표면 위에 배치되는 것을 개략적으로 도시한다. 상기 방법은 복수의 프로브 광원(311, 312, 313, 314)을 갖는 프로세싱 플랫폼(310) 상에 상기 레티클 포드를 배치하는 단계를 포함하며, 프로브 광원은 특정 파장을 갖는 레이저 광원이고, 각각의 프로브 광원은 광 감지기를 더 포함한다.
상기 방법은 프로브 광원(311, 312, 313, 314)으로부터의 프로브 광을 각각 제 1 마크(201) 및 제 2 마크(202)로 투사하는 단계를 포함한다. 도면에 도시된 바와 같이, 프로브 광원(311, 312, 313, 314)은 제 1 마크(201) 및 제 2 마크(202)에 대응하도록 배열된다. 실제로, 프로브 광이 마크에 비스듬히 부딪히도록 구성할 수 있으며, 그런 후 반사광도 또한 비스듬해질 수 있다. 일부 실시예에서, 프로브 광원(311, 312, 313, 314)은 광 가이드 어셈블리를 통해 이러한 마크에 프로브 광을 투사한다. 이러한 프로브 광원(311, 312, 313, 314)은 동일한 광학 파라미터를 가질 수 있다. 대안으로, 제 1 마크(201)에 대응하는 프로브 광원(311, 312, 313)은 제 2 마크(202)에 대응하는 프로브 광원(314)과 다른 구성을 가질 수 있다.
상기 방법은 상기 플랫폼(310)에 의해 제 1 마크(201)로부터 제 1 반사광을 수신하고 제 2 마크(202)로부터 제 2 반사광을 수신하며, 이에 따라 제 1 메시지 및 제 2 메시지를 생성하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 플랫폼은 반사광을 전압값으로 변환할 수 있으며, 이에 의해 제 1 반사광은 제 1 전압값에 해당하는 한편, 제 2 반사광은 제 2 전압값에 해당한다. 제 1 전압값은 일반적으로 제 1 마크(201)와 제 2 마크(202) 사이의 반사율 차이로 인해 제 2 전압값과 다르다.
광 감지기가 제 1 마크(201)에 관한 각각의 제 1 전압값을 판독하고 각각의 제 1 전압값이 미리 결정된 범위 내에 있는 경우, 상기 제 1 메시지는 레티클 포드가 정확한 위치에 배치되었음을 나타낸다. 광 감지기가 제 2 마크(202)에 관한 제 2 전압값을 판독하고 제 2 전압값이 미리 결정된 범위 내에 있는 경우, 상기 제 2 메시지는 레티클 포드의 식별을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 제 1 마크(201)에 대한 제 1 전압값의 미리 결정된 범위는 4.8 내지 5.2V이고, 제 2 마크(202)에 대한 제 2 전압값의 미리 결정된 범위는 (0이 아닌) 4.0V 미만이다. 상기 "메시지"는 플랫폼에서 전송된 감지 결과이다.
상기 식별은 레티클 포드 모델 또는 버전의 표시를 포함한다. 예를 들어, 플랫폼은 감지된 제 2 전압값을 플랫폼에 의해 액세스 가능한 저장소에 저장되고 제 2 전압값에 대한 레티클 포드 또는 레티클에 관한 정보(예를 들어, 모델 또는 버전)를 포함하는 미리 결정된 레티클 포드 식별 목록과 연관시킬 수 있다.
상술한 실시예의 설명을 고려하여, 본 발명은 기계 플랫폼에 의해 정보를 식별할 수 있는 레티클 포드 및 이러한 레티클 포드를 식별하는 방법을 개시하여, 레이저 감지 방식이 제공되는 프로세싱 장치가 정보 식별, 제조 공정에서 데이터 조작 개선을 레티클 포드에 더 제공할 수 있도록 한다.
100 외부 포드
101 리드
102 베이스
110 내부 포드
111 리드
112 베이스
120 레티클
200 바닥면
200A, 200B 절반부
200’ 제 1 영역
200” 제 2 영역
201 제 1 마크
202 제 2 마크
203 중심축
204 횡축
210 고정 부재
300 내부 포드
310 프로세싱 플랫폼
311, 312, 313, 314 프로브 광원
D1 횡 오프셋 거리
D2 수직 오프셋 거리

Claims (15)

  1. 베이스 및 상기 베이스와 결합되는 리드를 포함하는 레티클 포드로서,
    상기 베이스는 적어도 하나의 제 1 마크와 적어도 하나의 제 2 마크가 제공된 바닥면을 갖고, 상기 제 1 마크는 광원에 대한 제 1 반사율을 가지며, 상기 제 2 마크는 광원에 대한 제 2 반사율을 갖고, 상기 제 1 반사율은 상기 제 2 반사율과 다른 레티클 포드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 마크가 바닥면의 중심축 상에 위치하고, 제 2 마크는 상기 중심축에 의해 정의된 상기 바닥면의 일측에 위치하는, 레티클 포드.
  3. 제 2 항에 있어서,
    바닥면은 중심축에 수직이고 바닥면을 제 1 영역 및 제 2 영역으로 분할하는 횡축을 가지며, 적어도 하나의 제 1 마크는 상기 중심축과 횡축의 크로스 상에 위치하고, 제 2 마크는 제 2 영역에 위치하는 레티클 포드.
  4. 제 3 항에 있어서,
    제 1 마크는 원형 마크이고, 제 2 마크도 원형 마크이며, 상기 제 1 마크의 직경은 상기 제 2 마크의 직경보다 큰 레티클 포드.
  5. 제 4 항에 있어서,
    제 2 마크의 중심과 중심축이 횡 오프셋 거리를 정의하고, 제 2 마크의 중심과 횡축이 수직 오프셋 거리를 정의하며, 횡 오프셋 거리가 수직 오프셋 거리보다 작은 레티클 포드.
  6. 제 5 항에 있어서,
    횡 오프셋 거리는 18mm이고, 수직 오프셋 거리는 58mm인 레티클 포드.
  7. 제 1 항에 있어서,
    광원은 특정 파장을 갖는 레이저 빔인 레티클 포드.
  8. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 제 1 마크는 제 1 표면 거칠기를 갖고, 적어도 하나의 제 2 마크는 상기 제 1 표면 거칠기와 상이한 제 2 표면 거칠기를 가지며, 상기 제 1 표면 거칠기와 상기 제 2 표면 거칠기 모두가 바닥면의 다른 영역의 거칠기와 다른 레티클 포드.
  9. 광원에 대한 제 1 반사율을 갖는 적어도 하나의 제 1 마크와 상기 제 1 반사율과 상이한 광원에 대한 제 2 반사율을 갖는 적어도 하나의 제 2 마크가 제공된 바닥면을 갖는 베이스를 포함하는 레티클 포드를 식별하는 방법으로서, 상기 방법은:
    다수의 프로브 광이 제공된 프로세싱 플랫폼에 레티클 포드를 배치하는 단계;
    상기 프로브 광을 적어도 하나의 제 1 마크 및 적어도 하나의 제 2 마크에 각각 투사하는 단계; 및
    상기 적어도 하나의 제 1 마크로부터 제 1 반사광 및 적어도 하나의 제 2 마크로부터 제 2 반사광을 수신하고, 그에 따라 적어도 하나의 제 1 메시지 및 적어도 하나의 제 2 메시지를 생성하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 메시지는 레티클 포드가 정확한 위치에 배치되었는지 여부를 나타내고, 상기 적어도 하나의 제 2 메시지는 레티클 포드의 식별을 나타내는 레티클 포드를 식별하는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    프로브 광은 특정 파장을 갖는 레이저 빔인 레티클 포드를 식별하는 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    적어도 하나의 제 1 반사광에 대응하는 적어도 하나의 제 1 전압값 및 적어도 하나의 제 2 반사광에 대응하는 적어도 하나의 제 2 전압값을 수신하는 단계를 더 포함하고, 상기 적어도 하나의 제 1 전압값은 상기 적어도 하나의 제 2 전압값과 다른 레티클 포드를 식별하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    적어도 하나의 제 1 전압값은 4.8 내지 5.2V이고, 적어도 하나의 제 2 전압값은 4.0V 미만인 레티클 포드를 식별하는 방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    식별은 레티클 포드 또는 레티클의 모델 또는 버전을 포함하는 레티클 포드를 식별하는 방법.
  14. 레티클 포드의 베이스의 바닥면에 광원에 대한 제 1 반사율을 갖는 적어도 하나의 제 1 마크 및 상기 제 1 반사율과 상이하고 레티클 포드의 식별과 관련된 광원에 대한 제 2 반사율을 갖는 적어도 하나의 제 2 마크를 제공하는 단계;
    다수의 프로브 광이 제공된 프로세싱 플랫폼에 레티클 포드를 배치하는 단계;
    프로브 광을 적어도 하나의 제 1 마크 및 적어도 하나의 제 2 마크에 투사하는 단계; 및
    적어도 하나의 제 1 마크로부터 제 1 반사광 및 적어도 하나의 제 2 마크로부터 제 2 반사광을 수신하고, 적어도 하나의 제 1 메시지 및 적어도 하나의 제 2 메시지를 생성하는 단계를 포함하며,
    상기 적어도 하나의 제 1 메시지는 레티클 포드가 올바른 위치에 배치되는 지 여부를 나타내는 반면, 적어도 하나의 제 2 메시지는 레티클 포드의 식별을 나타내는 동안 레티클 포드를 식별하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    적어도 하나의 제 1 마크 및 적어도 하나의 제 2 마크가 레이저 조각 방식에 의해 베이스의 바닥면에 형성되는 레티클 포드를 식별하는 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11104496B2 (en) * 2019-08-16 2021-08-31 Gudeng Precision Industrial Co., Ltd. Non-sealed reticle storage device
US20220102177A1 (en) * 2020-09-30 2022-03-31 Gudeng Precision Industrial Co., Ltd. Reticle pod with antistatic capability
WO2023204983A1 (en) * 2022-04-19 2023-10-26 Entegris, Inc. Reticle container having magnetic latching

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3195812B2 (ja) 1991-12-27 2001-08-06 ホーヤ株式会社 自覚式検眼装置
US20040027573A1 (en) 2000-12-11 2004-02-12 Akira Takahashi Position measuring method, exposure method and system thereof, device production method
KR101435214B1 (ko) 2005-12-28 2014-09-17 가부시키가이샤 니콘 레티클 반송장치, 노광장치, 레티클 반송방법, 레티클의처리방법, 디바이스 제조방법 및 레티클 커버의 관리방법

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0682744B2 (ja) * 1986-05-30 1994-10-19 キヤノン株式会社 自動マスク搬送装置
JPH0766091A (ja) * 1993-08-25 1995-03-10 Sony Corp ウェーハ、識別情報読み取り方法、集積回路製造装置及び集積回路製造方法
JP3193567B2 (ja) * 1994-04-27 2001-07-30 キヤノン株式会社 基板収容容器
US5956576A (en) * 1996-09-13 1999-09-21 International Business Machines Corporation Enhanced protection of semiconductors with dual surface seal
KR19990058169A (ko) * 1997-12-30 1999-07-15 윤종용 웨이퍼 카세트 구조
DE10024734A1 (de) * 1999-05-20 2001-01-18 Hyundai Electronics Ind Halbleiterfabrikautomatisierungssystem und Verfahren zum Transportieren von Halbleiterwafern
JP2006124034A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Hoya Corp 薄膜付基板の支持部材、薄膜付基板の収納容器、マスクブランク収納体、転写マスク収納体、及び薄膜付基板の輸送方法
JP2006173276A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Miraial Kk レチクル処理システム
JP4581681B2 (ja) * 2004-12-27 2010-11-17 株式会社ニコン レチクル保護装置および露光装置
US7607543B2 (en) * 2005-02-27 2009-10-27 Entegris, Inc. Reticle pod with isolation system
US7528936B2 (en) * 2005-02-27 2009-05-05 Entegris, Inc. Substrate container with pressure equalization
CN101321674B (zh) * 2005-09-27 2010-10-13 诚实公司 掩模盒
US7808616B2 (en) * 2005-12-28 2010-10-05 Nikon Corporation Reticle transport apparatus, exposure apparatus, reticle transport method, and reticle processing method
CN201032516Y (zh) * 2007-02-13 2008-03-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩模盒
JP2009229639A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 E-Sun Precision Industrial Co Ltd フォトマスクケース
JP4278699B1 (ja) * 2008-03-27 2009-06-17 Ｔｄｋ株式会社 密閉容器及び該密閉容器の蓋開閉システム、ウエハ搬送システム、及び密閉容器の蓋閉鎖方法
TWI344926B (en) * 2008-12-05 2011-07-11 Gudeng Prec Industral Co Ltd Reticle pod
TWI411563B (zh) * 2009-09-25 2013-10-11 Gudeng Prec Industral Co Ltd 光罩盒
US8207504B2 (en) * 2009-11-19 2012-06-26 Applied Materials Israel, Ltd. Inspection of EUV masks by a DUV mask inspection tool
JP5612300B2 (ja) * 2009-12-01 2014-10-22 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、その製造方法及び基板処理装置
US8552725B2 (en) * 2009-12-07 2013-10-08 Northrop Grumman Guidance & Electronics Company, Inc. Systems and methods for obstructing magnetic flux while shielding a protected volume
TWI414464B (zh) * 2011-01-11 2013-11-11 Gudeng Prec Ind Co Ltd 具有固定結構之極紫外光光罩儲存傳送盒
JP5886525B2 (ja) * 2011-01-18 2016-03-16 株式会社ディスコ カセット
CN102789132B (zh) * 2011-01-28 2014-07-16 家登精密工业股份有限公司 具有固定结构的极紫外光光罩储存传送盒
JP5713875B2 (ja) * 2011-11-15 2015-05-07 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
TWI501910B (zh) * 2011-11-17 2015-10-01 Gudeng Prec Ind Co Ltd 具有排水結構之極紫外光光罩儲存傳送盒
JP6084019B2 (ja) * 2012-11-28 2017-02-22 信越ポリマー株式会社 基板収納容器用の蓋体及び基板収納容器
CN104517878B (zh) * 2013-09-26 2017-03-29 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 托盘原点定位系统及托盘原点定位方法
TWM496146U (zh) * 2014-09-24 2015-02-21 Gudeng Prec Ind Co Ltd 具有標記之極紫外光光罩盒
JP6772574B2 (ja) * 2016-06-16 2020-10-21 株式会社村田製作所 圧電振動子及びその製造方法
CN109690401B (zh) * 2016-08-27 2022-08-02 恩特格里斯公司 具有侧光罩遏制的光罩舱
KR102127783B1 (ko) * 2017-01-25 2020-06-30 구뎅 프리시젼 인더스트리얼 코포레이션 리미티드 Euv 레티클 포드
TWI634383B (zh) * 2017-01-26 2018-09-01 家登精密工業股份有限公司 光罩盒
TWI690771B (zh) * 2018-01-11 2020-04-11 家登精密工業股份有限公司 光罩壓抵單元及應用其之極紫外光光罩容器
US11302546B2 (en) * 2018-07-30 2022-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor process system and method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3195812B2 (ja) 1991-12-27 2001-08-06 ホーヤ株式会社 自覚式検眼装置
US20040027573A1 (en) 2000-12-11 2004-02-12 Akira Takahashi Position measuring method, exposure method and system thereof, device production method
KR101435214B1 (ko) 2005-12-28 2014-09-17 가부시키가이샤 니콘 레티클 반송장치, 노광장치, 레티클 반송방법, 레티클의처리방법, 디바이스 제조방법 및 레티클 커버의 관리방법

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