JPWO2005083756A1 - 事前計測処理方法、露光システム及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、本実施形態に係る露光システムの全体構成について、図1を参照して説明する。この露光システム100は、半導体ウエハやガラスプレート等の基板を処理して、マイクロデバイス等の装置を製造する基板処理工場に設置され、同図に示すように、レーザ光源等の光源を備えた露光装置200、該露光装置200に隣接して配置された塗布現像装置(同図では「トラック」と表示)300及び該塗布現像装置300内に配置されたインライン計測器400を備えている。同図では、図示の都合上、露光装置200及びインライン計測器400を含む塗布現像装置300は、これらを一体化した基板処理装置として、一つだけを表示しているが、実際には基板処理装置は複数設けられている。基板処理装置は、基板に対して、フォトレジスト等の感光剤を塗布する塗布工程、感光剤が塗布された基板上にマスク又はレチクルのパターンの像を投影露光する露光工程、及び露光工程が終了した基板を現像する現像工程等を行う。
各基板処理装置が備える露光装置200の構成を、図2を参照して説明する。この露光装置200は、ステップ・アンド・スキャン方式(走査露光方式)の露光装置であっても勿論よいが、ここでは、一例として、ステップ・アンド・リピート方式(一括露光方式)の露光装置について説明する。
次に、各基板処理装置が備える塗布現像装置300及び基板搬送装置について、図3を参照して説明する。塗布現像装置300は、露光装置200を囲むチャンバにインライン方式で接するように設置されている。塗布現像装置300には、その中央部を横切るようにウエハWを搬送する搬送ライン301が配置されている。この搬送ライン301の一端に未露光若しくは前工程の基板処理装置で処理がなされた多数のウエハWを収納するウエハキャリア302と、本基板処理装置で露光工程及び現像工程を終えた多数のウエハWを収納するウエハキャリア303とが配置されており、搬送ライン301の他端に露光装置200のチャンバ側面のシャッタ付きの搬送口(不図示)が設置されている。
次に、インライン計測器400について説明する。インライン計測器400は、事前計測センサを備えており、この事前計測センサは、基板に関する情報の種類、即ち計測項目に対応して少なくとも一つが設けられる。例えば、ウエハ上に形成されたアライメントマークやその他のマーク、パターンの線幅・形状・欠陥を計測するセンサ、ウエハの表面形状(フラットネス)を計測するセンサ、フォーカスセンサ等が例示される。センサは計測項目、ウエハの状態、解像度、その他に応じて柔軟に対応するため、複数種類設けて、状況に応じて選択して使用できるようにすることが望ましい。なお、オフライン計測機800についても、これと同様のものを用いることができるので、その説明は省略する。但し、インライン計測器400とオフライン計測機800とは、その計測方式(計測原理も含めて)や計測項目が異なるものを採用しても勿論よい。
次に、図5に示すウエハWに対するプロセスについて、各装置の動作をも含めて簡単に説明する。まず、図1中の工場内生産管理ホストシステム700からネットワーク及び露光工程管理コントローラ500を介して露光制御装置13に処理開始命令が出力される。露光制御装置13はこの処理開始命令に基づいて、露光装置200、コータ部310、デベロッパ部320、及びインライン計測器400に各種の制御信号を出力する。この制御信号が出力されると、ウエハキャリア302から取り出された1枚のウエハは、搬送ライン301を経て、レジストコータ311に搬送されてフォトレジストが塗布され、順次搬送ライン301に沿ってプリベーク装置312及びクーリング装置313を経た後(S10)、インライン計測器400のステージ装置に搬入されて、アライメントマークの事前計測処理が行われる(S11)。但し、ここでは、レジスト処理(S10)を行った後に事前計測処理(S11)を行うものとしたが、この順番は逆であってもよい。
上述したインライン計測器400によるインライン事前計測工程を追加したことにより、ウエハプロセス処理に遅延が生じることは否めないが、以下のようなパイプライン処理を適用することにより、遅延を抑制することが可能である。これを図6を参照して説明する。
図7にインライン事前計測によるアライメント最適化のシーケンスフローを示す。まず、インライン計測器400は、露光装置200又は解析システム600又は工場内生産管理ホストシステム700との通信により、露光装置内(アライメントセンサ14)で計測を行うべきアライメントマークの設計位置情報とマーク検出パラメータ(信号波形の処理アルゴリズムに関するパラメータであって、例えばスライスレベルなど)を取得する(S20)。次いで、インライン計測器400は、そのステージ装置を駆動して、ウエハWのアライメント対象のマークを事前計測センサ410の検出位置の近傍に順次位置決めしつつ、該アライメントマークの位置の計測を実施する(S21)。
(条件2)ラインパターンのエッジに関する波形であれば、Y方向に波形を辿った場合に、正のピークの後に負のピークが出現すること。従って、ノイズNZ1によるピークP1,P2をエッジ候補から除外する。
(条件3)Y方向に波形を辿った場合に、正のピークから次の負のピークまでのY方向の距離がラインパターンのY方向幅と考えられるが、YマークSYMのラインパターンSML1,SML2,SML3のY方向幅として許容値の範囲内であること。従って、ノイズNZ4、ラインパターンNL2によるピークP13,P14,P17,P18をエッジ候補から除外する。
ΔW1=(YE2−YE1)−DLW
ΔW2=(YE4−YE3)−DLW
ΔW3=(YE6−YE5)−DLW
によって、ラインパターン幅誤差ΔWk(k=1〜3)を求め、該ラインパターン幅誤差ΔWkの標準偏差を特徴量A1として算出する。(エッジ候補E1〜E6のY座標値をYE1〜YE6とする)
ΔD1=(YE3−YE2)−DLD1
ΔD2=(YE5−YE4)−DLD2
によって、ラインパターン間隔誤差ΔDm(m=1,2)を求め、該ラインパターン間隔誤差ΔDmの標準偏差を特徴量A2として算出する。
エッジ候補E1〜E6のピーク値の標準偏差を算出することによって求める。
まずはじめに、EGAに用いるショット配列変形計算モデルを示す。
ΔX = Cx_10 Wx + Cx_01 Wy + Cx_sx Sx + Cx_sy Sy + Cx_00 (式1)
ΔY = Cy_10 Wx + Cy_01 Wy + Cy_sx Sx + Cy_sy Sy + Cy_00 (式2)
各変数の意味は以下の通り。
Wx, Wy: ウェハ中心を原点とした計測点の位置
Sx, Sy: ショット中心を原点とした計測点の位置
Cx_10: ウェハスケーリングX
Cx_01: ウェハ回転
Cx_sx: ショットスケーリングX
Cx_sy: ショット回転
Cx_00: オフセットX
Cy_10: ウェハ回転
Cy_01: ウェハスケーリングY
Cy_sx: ショット回転
Cy_sy: ショットスケーリングY
Cy_00: オフセットY
ΔX = Cx_20 Wx2 + Cx_11 Wx Wy + Cx_02 Wy2
+ Cx_10 Wx + Cx_01 Wy
+ Cx_00
+ Cx_sx Sx + Cx_sy Sy (式3)
ΔY = Cy_20 Wx2 + Cy_11 Wx Wy + Cy_02 Wy2
+ Cy_10 Wx + Cy_01 Wy
+ Cy_00
+ Cy_sx Sx + Cy_sy Sy (式4)
ΔX = Cx_30 Wx3 + Cx_21 Wx2 Wy + Cx_12 Wx Wy2 + Cx_03 Wy3
+ Cx_20 Wx2 + Cx_11 Wx Wy + Cx_02 Wy2
+ Cx_10 Wx + Cx_01 Wy
+ Cx_00
+ Cx_sx Sx + Cx_sy Sy (式5)
ΔY = Cy_30 Wx3 + Cy_21 Wx2 Wy + Cy_12 Wx Wy2 + Cy_03 Wy3
+ Cy_20 Wx2 + Cy_11 Wx Wy + Cy_02 Wy2
+ Cy_10 Wx + Cy_01 Wy
+ Cy_00
+ Cy_sx Sx + Cy_sy Sy (式6)
通常、SDM(Super Distortion Matching)は、データベースに登録された各露光装置の投影光学系のディストーションデータとロット履歴からそれぞれのロットについて、過去に露光された装置のディストーションを取得し、これから露光する装置のディストーションとを比較して、露光エリア(ブラインド位置・オフセット)毎に、そのロットに対して最適なディストーションマッチングを行う機能である。
インライン事前計測によるフォーカス段差補正の運用シーケンスを図15に示す。
プロセスウエハ上に予め位相シフトフォーカスモニタマークを形成しておき、露光装置200での処理前に(露光装置内にそのプロセスウエハを搬入する前に)、インライン計測器400で、そのプロセスウエハW上に形成された位相シフトフォーカスモニタマークをアライメント計測することにより、各マーク位置でのフォーカスずれが計測できる。そして、この計測(事前計測)結果に基づいて、フォーカスオフセット、レベリングオフセットの最適な補正値が露光処理前に算出できる。フォーカスモニタのレチクルパターンは、180°以外のシフタを使用するとフォーカスの変化に応じて、像が非対称に変化することを利用して、フォーカス誤差ΔZを、重ね合わせ誤差ΔX,ΔYに変換できるように設計されている。1本のクロムラインをシフタ部とシフタなし部の間に置く。但し、シフタ部の位相シフト量は180°ではなく、90°である。位相シフトフォーカスモニタパターンを1ショット内に多数いれ、インライン事前計測を行うことにより、フォーカスオフセット、レべリングオフセットを算出し、露光装置200へ通知することにより、最適なフォーカス補正が行える。
インライン計測器400は、ウエハW上に形成されたパターンの線幅や形状、その他パターンの欠陥に関する情報を計測し、パターンの良否を評価し、レベルに応じてスコア化した上で生信号波形データとともに露光装置200に通知する。露光装置200は、インライン計測器400から通知された評価結果に基づき、パターンの不良箇所及び不良に近い箇所を特定し、当該箇所の生信号波形データに基づき、各種トレースデータ、及び重ね合わせ計測データとEGA(アライメント)計算結果を取得し、解析する対象となるショット位置を選定する。次いで、露光装置から不良及び不良に近い箇所を含む各種トレースデータ、及び重ね合わせ計測データとEGA(アライメント)計算結果を取得し、パターン不良との相関について解析する。ここで、重ね合わせ計測データは、露光装置以外の測定装置から取得してもよい。解析内容としては、フォーカストレースデータ、露光量トレースデータ、同期精度トレースデータを各々個別に解析し、パターン寸法制御性能を予測する。重ね合わせ計測データとEGA(アライメント)計算結果からは、重ね合わせ制御性能を予測する。不良との相関が認められた場合は、必要に応じて、露光装置200の動作パラメータを修正し、又は装置のメンテナンスを行う。以下に、各解析手法について説明する。
露光装置200側にて、露光処理中のフォーカストレースデータを取得する。フォーカストレースのZ追従誤差、ピッチ(Pitch)追従誤差及びロール(Roll)追従誤差を、事前計測されたショットフラットネスに反映させることにより、(A)Z平均(mean)及び(B)Z標準偏差(msd)を算出する。Z平均とZ標準偏差毎の線幅値(SEM、OCD法等による実測値、又は空間像シミュレーターによる計算値)を像高(像面湾曲を主とした光学収差の影響を考慮)毎にテーブルとして保持する。さらに、これらの線幅値テーブルファイルを露光条件毎に保持する。露光条件としては、露光波長λ、投影レンズ開口数NA、照明σ、照明条件(通常照明、変形照明)、マスクパターン種類(バイナリ、ハーフトーン、レベンソン等)、マスク線幅、ターゲット線幅、パターンピッチ等がある。ショット毎に計測されたフラットネスと露光処理中のフォーカストレースデータから上記線幅値テーブルを参照して、該当する条件での線幅値を算出する。これにより、実際にパターン線幅を測長することなしに、実際の線幅値を予測し、もし、線幅異常を検知した場合、露光後リアルタイムにスキャン速度の減速や段差補正の更新、フォーカス制御方法の変更や装置メンテナンスなど、不良品防止策が講じられる。
同期精度は、スキャン中の露光スリット領域におけるウエハステージに対するレチクルステージの追従ずれ量(X,Y,θ)を示し、移動平均値(mean)と移動標準偏差値(msd)で評価する。移動平均値(Xmean/ Ymean)は、スキャン中の変位に影響を与えて重ね合わせ精度に影響する。移動標準偏差値(Xmsd/ Ymsd)は、像面のコントラストを低下させ、パターン寸法精度に影響する。これらの値が許容値内であるかを判定し、もし、許容値超過の場合、露光後リアルタイムにスキャン速度の減速や段差補正の更新、同期精度制御方法、フォーカス制御方法の変更や装置メンテナンスなど、不良品防止策が講じられる。
トレースデータには、一定時間間隔毎に露光量結果が記録されている。露光量は、スキャン中、各位置におけるスリット領域での露光量平均で評価する。この値が許容値内であるかを判定し、もし、許容値超過の場合、露光後リアルタイムにスキャン速度の減速や露光量制御方法の変更や装置メンテナンスなど、不良品防止策が講じられる。
重ね合わせ測定装置、又は露光装置に組み込まれた重ね合わせ計測システムを使用して得られたデータを解析する。不良箇所の重ね合わせ計測結果が許容値内であるかを判定する。さらに、重ね合わせずれに対してEGA(アライメント)補正を行った残留成分(非線形成分)が許容値内であるかを判定する。また、EGA(アライメント)計算結果をウエハ間、ロット間で比較して大きな変動がないかをチェックする。
(1)露光装置の動作状況による事前計測の計測条件の最適化
例えば、露光装置200においてキャリブレーションやリトライが発生した場合には、それに要する時間だけ、露光処理が遅延することになる。言い換えると事前計測に使用する時間をその分だけ長くしても、露光処理のスループットに悪影響を与えることはないことになる。一方、事前計測工程では、計測項目、計測数、データ量等は、多いほどより詳細な分析や正確な補正値等の算出が可能になる。従って、露光装置200の動作状況(露光処理の中断の状況等)に応じて、事前計測工程における計測条件を最適化することが望ましい。この場合の最適化は、露光処理のスループットを低下させない範囲で、最大限の計測項目数、計測点数、計測データ量となるように行うことが望ましい。これにより、スループットに悪影響を与えることなく、より詳細な分析や正確な補正値の算出が可能となり、ひいては露光精度を向上させることができる。
上記実施形態で説明してきた露光システムは、基本的に露光装置200に搬入されるプロセスウエハの全てを、露光装置200に搬入する前にインライン計測器400で事前計測できる。このように全てのプロセスウエハを事前計測し、その計測結果から何らかの異常状態(例えば計測候補マークが計測不能である等)を見出し、そのような異常発生状況(異常の発生するタイミングや頻度、またその異常の内容)のデータを蓄積することもできる。
前工程においてエラーが多発している場合には、当該エラーの原因を特定する必要がある。そこで、この発明では、当該エラーの数に応じて事前計測工程での計測条件を最適化、より具体的には該障害や異常の原因を解析するのに有効な計測条件で事前計測を実施するようにすれば、当該障害や異常の原因をより正確に特定することが可能となる。
例えば、事前計測した結果が極めて良好であれば、露光装置200において、事前計測したものと同様のデータ収集は不要であると考えられ、不要なデータを再計測することは無駄である。このような無駄を省くため、事前計測された結果に基づいて、前記基板の前記露光装置における露光時の関連するデータの収集の有無を含む該データの収集条件を最適化することが望ましい。またデータ収集の有無だけでなく、そのデータの収集(計測)自体は露光装置側でも実施するが、(事前計測された結果に基づいて)そのデータの収集量(データ量、計測量)は増減する(事前計測結果が良好であれば露光装置側での同一データの計測量は低減する)、というように構成しても良い。
例えば、露光装置で収集することになっているデータを、事前計測でも収集するとすれば、同じデータを重複して収集することになり、効率的でない場合がある。従って、露光装置200で露光する際に収集するデータの収集条件に基づいて、事前計測工程でのデータ収集条件を最適化することにより、例えば重複収集を避けることにより、データ収集の高効率化を図ることができる。
次に、上述した露光システムをリソグラフィー工程において使用したデバイスの製造方法について説明する。
Claims (36)
- 基板を露光する露光装置に該基板を搬入する前に、該基板に形成されたマークを計測する事前計測工程と、
前記事前計測工程で計測された当該マークについての波形データを、前記露光装置、該露光装置とは独立に設けられた解析装置、及びそれら装置の少なくとも一方を管理するためにそれら装置よりも上位に位置する管理装置のうちの少なくとも一つの装置に通知する通知工程と、
を備えることを特徴とする事前計測処理方法。 - 前記事前計測工程で計測されたマークを所定の評価基準に従って評価する評価工程をさらに備え、
前記通知工程は、前記評価工程での評価結果に応じて、前記波形データの通知又は通知の禁止を選択可能であることを特徴とする請求項1に記載の事前計測処理方法。 - 前記通知工程は、前記波形データの通知を行わない場合には前記評価結果を通知することを特徴とする請求項2に記載の事前計測処理方法。
- 前記通知工程で通知された前記波形データ及び前記評価結果の少なくとも一方に基づいて、前記露光装置で前記基板の位置決めに用いるために計測するマークとして最適なマークを、該基板上に形成された複数のマークの中から選定するマーク選定工程をさらに備えることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の事前計測処理方法。
- 前記通知工程で通知された前記波形データ及び前記評価結果の少なくとも一方に基づいて、前記露光装置で前記基板の位置決めに用いるために当該マークを計測する際の最適な計測条件を選定する計測条件選定工程をさらに備えることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の事前計測処理方法。
- 前記基板に形成される前記マークは、前記基板を予備的に位置決めするためのプリアライメントマーク若しくは該基板の外形的特徴部分、該基板を精密に位置決めするためのファインアライメントマーク、及び該基板の該ファインアライメントマークを探索するためのサーチアライメントマークのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の事前計測処理方法。
- 前記計測条件は、前記露光装置で前記基板を位置決めするために用いるマーク数、マーク配置、フォーカスオフセット、当該計測に用いる照明条件、統計処理モードを含むことを特徴とする請求項5又は6に記載の事前計測処理方法。
- 前記評価工程は、前記所定の評価基準に従ってスコア化された評価結果を生成することを特徴とする請求項2〜7の何れか一項に記載の事前計測処理方法。
- 前記基板が前記露光装置内に搬入された後に該基板に形成されたマークを計測する本計測工程をさらに備え、
前記通知工程で通知された前記波形データ及び前記評価結果の少なくとも一方、並びに前記本計測工程の計測結果に基づいて、前記事前計測工程で計測に用いた計測装置と前記本計測工程で計測に用いた計測装置のマーク評価基準を整合させることを特徴とする請求項1〜8の何れか一項に記載の事前計測処理方法。 - 基板を露光する露光装置に該基板を搬入する前に、該基板に形成されたマークを計測する事前計測工程と、
前記事前計測工程で計測された当該マークを所定の評価基準に従って評価する評価工程と、
前記評価工程で求められた評価結果或いは評価に関連する情報を、前記露光装置、該露光装置とは独立に設けられた解析装置、及びそれら装置の少なくとも一方を管理するためにそれら装置よりも上位に位置する管理装置のうちの少なくとも一つの装置に通知する通知工程と、
を備えることを特徴とする事前計測処理方法。 - 基板を露光する露光装置に該基板を搬入する前に、該基板上に形成された複数のマークの位置を計測する事前計測工程と、
前記事前計測工程で計測された計測結果に基づいて当該マークの各々の設計位置からの誤差が最小となるような線形補正係数及び非線形補正係数を含む補正情報を算出する補正情報算出工程と、
を備えることを特徴とする事前計測処理方法。 - 基板を露光する露光装置に該基板を搬入する前に、該基板上に形成された複数のマークの位置を計測する事前計測工程と、
前記事前計測工程で計測された計測結果に基づいて、該基板を既に露光した他の露光装置の投影光学系の像歪みに関する情報を算出する像歪み算出工程と、
前記像歪み算出工程で算出した前記他の露光装置の投影光学系の像歪みに関する情報、及び予め求められた前記露光装置が備える投影光学系の像歪みに関する情報に基づいて、前記他の露光装置で生じた像歪みを前記露光装置で生じさせるための像歪み補正情報を算出する補正情報算出工程と、
を備えることを特徴とする事前計測処理方法。 - 基板を露光する露光装置に該基板を搬入する前に、該基板上に形成された位相シフトフォーカスマークを計測する事前計測工程と、
前記事前計測工程で計測された計測結果に基づいて、前記基板を既に露光した他の露光装置により露光された際のフォーカス誤差を求め、前記露光装置で前記基板を露光する際に用いるフォーカス補正情報を算出するフォーカス補正情報算出工程と、
を備えることを特徴とする事前計測処理方法。 - 基板を露光する露光装置に該基板を搬入する前に、該基板の表面形状を計測する事前計測工程と、
前記事前計測工程で計測された計測結果に基づいて、前記露光装置で露光する際に用いるフォーカス補正情報を算出する補正情報算出工程と、
を備えることを特徴とする事前計測処理方法。 - 基板を露光する露光装置に該基板を搬入する前に、該基板上に形成された複数のマークの位置を計測する事前計測工程と、
前記事前計測工程で計測に用いる計測装置内、前記計測装置から前記露光装置に前記基板を搬送する搬送装置内、及び前記露光装置内のうちの少なくとも1つの装置内における温度変化を計測する温度計測工程と、
前記温度計測工程で計測された温度変化に基づいて、前記事前計測工程で計測された前記マークの位置の変化を予測する予測工程と、
前記予測工程で予測された予測結果に基づいて、当該マークの各々の設計位置からの誤差が最小となるような線形補正係数及び非線形補正係数を含む補正情報を算出する補正情報算出工程と、
を備えることを特徴とする事前計測処理方法。 - 基板を露光する露光装置に該基板を搬入する前に、該基板上のマーク位置、マーク形状、パターン線幅、パターン欠陥、フォーカス誤差、表面形状、該基板を既に露光した他の露光装置内の温度、湿度及び気圧の少なくとも一つを計測する事前計測工程と、
前記事前計測工程で計測された計測結果に基づいて、当該基板の前記露光装置内への搬入処理を続行すべきか否かを判断する判断工程と、
を備えることを特徴とする事前計測処理方法。 - 基板を露光する露光装置に該基板を搬入する前に、該基板に関する情報を事前計測する事前計測工程と、
前記露光装置の動作状況に応じて、前記事前計測工程での計測条件を最適化する最適化工程と、
を備えることを特徴とする事前計測処理方法。 - 基板を露光する露光装置に該基板を搬入する前に、該基板に関する情報を事前計測する事前計測工程と、
前記事前計測工程で計測された計測結果から得られる周期性に応じて、前記事前計測工程での計測条件を最適化する最適化工程と、
を備えることを特徴とする事前計測処理方法。 - 基板を露光する露光装置に該基板を搬入する前に、該基板に関する情報を事前計測する事前計測工程と、
前記事前計測工程で計測された計測結果から得られるエラー件数に応じて、前記事前計測工程での計測条件を最適化する最適化工程と、
を備えることを特徴とする事前計測処理方法。 - 基板を露光する露光装置に該基板を搬入する前に、該基板に関する情報を事前計測する事前計測工程と、
前記事前計測工程で計測された計測結果に基づいて、前記基板の前記露光装置における露光時の関連するデータの収集条件を最適化する最適化工程と、
を備えることを特徴とする事前計測処理方法。 - 基板を露光する露光装置に該基板を搬入する前に、該基板に関する情報を事前計測する事前計測工程と、
前記基板を前記露光装置で露光する際に収集するデータの収集条件に基づいて、前記事前計測工程でのデータ収集条件を最適化する最適化工程と、
を備えることを特徴とする事前計測処理方法。 - 前記事前計測工程は、前記露光装置にインライン接続された塗布・現像装置内に設けられた計測装置で行われることを特徴とする請求項1〜21の何れか一項に記載の事前計測処理方法。
- 前記事前計測工程は、前記露光装置とは独立して設けられた計測装置で行われることを特徴とする請求項1〜21の何れか一項に記載の事前計測処理方法。
- 基板を露光する露光装置と、
前記露光装置に前記基板を搬入する前に、該基板に形成されたマークを計測する事前計測装置と、
前記事前計測工程で計測された当該マークについての波形データを、前記露光装置、該露光装置とは独立に設けられた解析装置、及びそれら装置の少なくとも一方を管理するためにそれら装置よりも上位に位置する管理装置のうちの、少なくとも一つの装置に通知する通知装置と、
を備えることを特徴とする露光システム。 - 前記事前計測装置で計測されたマークを所定の評価基準に従って評価する評価装置をさらに備え、
前記通知装置は、前記評価装置での評価結果に応じて、前記波形データの通知又は通知の禁止を選択可能であることを特徴とする請求項24に記載の露光システム。 - 基板を露光する露光装置と、
前記露光装置に前記基板を搬入する前に、該基板に形成されたマークを計測する事前計測装置と、
前記事前計測工程で計測された当該マークを所定の評価基準に従って評価する評価装置と、
前記評価装置で求められた評価結果或いは評価に関連する情報を、前記露光装置、該露光装置とは独立に設けられた解析装置、及びそれら装置の少なくとも一方を管理するためにそれら装置よりも上位に位置する管理装置のうちの少なくとも一つの装置に通知する通知装置と、
を備えることを特徴とする露光システム。 - 基板を露光する露光装置に該基板を搬入する前に、該基板上のマーク位置、マーク形状、パターン線幅、パターン欠陥、フォーカス誤差、表面形状、該基板を既に露光した他の露光装置内の温度、湿度及び気圧の少なくとも一つを計測する事前計測装置と、
前記事前計測装置で計測された計測結果に基づいて、当該基板の前記露光装置内への搬入処理を続行すべきか否かを判断する判断装置と、
を備えることを特徴とする露光システム。 - 前記事前計測装置及び前記判断装置の少なくとも一方は、前記露光装置にインライン接続された塗布・現像装置内に設けられることを特徴とする請求項24〜27の何れか一項に記載の露光システム。
- 前記事前計測装置及び前記判断装置の少なくとも一方は、前記露光装置にオフライン接続されているか、或いは前記露光装置内に配置されていることを特徴とする請求項27に記載の露光システム。
- 基板上にパターンを転写露光する露光装置内での露光処理前または露光処理後に、前記基板に対して所定処理を施す基板処理装置において、
マスクのパターンを介して基板を露光する露光装置に該基板を搬入する前に、該基板上のマーク位置、マーク形状、パターン線幅、パターン欠陥、フォーカス誤差、表面形状、該基板を既に露光した他の露光装置内の温度、湿度及び気圧の少なくとも一つを計測する事前計測装置と、
前記事前計測装置で計測された計測結果に基づいて、当該基板の前記露光装置内への搬入処理を続行すべきか否かを判断する判断装置と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - その内部に搬入された基板の位置合わせを行う位置合わせ装置を備えた所定装置内に該基板を搬入する前に、該基板に形成されたマークを計測する事前計測装置と、
前記事前計測工程で計測された当該マークについての波形データを、前記所定装置、該所定装置とは独立に設けられた解析装置、及びそれら装置の少なくとも一方を管理するためにそれら装置よりも上位に位置する管理装置のうちの、少なくとも一つの装置に通知する通知装置と、
を備えることを特徴とする事前計測システム。 - その内部に搬入された基板の位置合わせを行う位置合わせ装置を備えた所定装置内に該基板を搬入する前に、該基板に形成されたマークを計測する事前計測装置と、
前記事前計測装置で計測された当該マークを所定の評価基準に従って評価する評価装置と、
前記評価装置で求められた評価結果或いは評価に関連する情報を、前記所定装置、該所定装置とは独立に設けられた解析装置、及びそれら装置の少なくとも一方を管理するためにそれら装置よりも上位に位置する管理装置のうちの、少なくとも一つの装置に通知する通知する通知装置と、
を備えることを特徴とする事前計測システム。 - その内部に搬入された基板の位置合わせを行う位置合わせ装置を備えた所定装置内に該基板を搬入する前に、該基板上のマーク位置、マーク形状、パターン線幅、パターン欠陥、フォーカス誤差、表面形状、該基板に対して既に処理を施した他の所定装置の温度、湿度及び気圧の少なくとも一つを計測する事前計測装置と、
前記事前計測装置で計測された計測結果に基づいて、当該基板の前記所定装置への搬入処理を続行すべきか否かを判断する判断装置と、を備えることを特徴とする事前計測システム。 - その内部に搬入された基板の位置合わせを行う位置合わせ装置を備えた所定装置内に該基板を搬入する前に、該所定装置内で計測予定の該基板上のマークに関する情報を取得する取得装置と、
前記所定装置内に前記基板を搬入する前に、前記取得装置で取得された情報に従って前記基板上に形成されたマークを計測する事前計測装置と、
を備えることを特徴とする事前計測システム。 - 前記マークに関する情報は、前記マークの設計位置情報と、該マークの信号波形を処理する際の処理アルゴリズムに関するパラメータとを含むことを特徴とする請求項34に記載の事前計測システム。
- その内部に搬入された基板の位置合わせを行う位置合わせ装置を備え、且つ該位置合わせ装置による位置合わせ後に、該基板に対してある処理を施す処理装置と、
前記処理装置内に前記基板を搬入する前に、前記基板上に形成されたマークを計測する事前計測装置と、
前記処理装置側で計測予定のマークに関する情報を、該事前計測装置による事前計測動作の前に、該事前計測装置へ提供する情報提供装置と、を有し、
前記事前計測装置は、前記情報提供装置から提供された情報に従って、前記基板上に形成されたマークを計測することを特徴とする処理システム。
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