KR102176255B1 - 마스크 정렬기의 나이프 에지 세트. 넓은-시야-범위 마스크 정렬기, 및 노출 방법 - Google Patents

마스크 정렬기의 나이프 에지 세트. 넓은-시야-범위 마스크 정렬기, 및 노출 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102176255B1
KR102176255B1 KR1020187037337A KR20187037337A KR102176255B1 KR 102176255 B1 KR102176255 B1 KR 102176255B1 KR 1020187037337 A KR1020187037337 A KR 1020187037337A KR 20187037337 A KR20187037337 A KR 20187037337A KR 102176255 B1 KR102176255 B1 KR 102176255B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
scan
shutter blade
fov
wide
exposure
Prior art date
Application number
KR1020187037337A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190009808A (ko
Inventor
빈 왕
시아오펭 양
홍 시아
Original Assignee
상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드 filed Critical 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20190009808A publication Critical patent/KR20190009808A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102176255B1 publication Critical patent/KR102176255B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

포토리소그래피 기계를 위한 셔터 블레이드 어셈블리, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계 및 노출 방법이 개시된다. 각각의 조명 테스트 동안 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리가 이동되고 이어서 테스트 후에 정렬 마크들 위로 이동된다. 노출 동아, 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 마스크 스테이지와 함께 동일한 방향 및 동일한 속도로 이동해서 그것은 포토마스크(4) 상에 정렬 마크들에 대해 고정되게 머무른다. 전체-FoV 노출의 경우, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리가 이동될 필요는 없고, 부분-FoV 노출의 경우, 그것은 부분 노출 FoV 내로 이동되고 조명 광을 조절함으로써 원하는 형상을 가진 광점을 얻기 위해 윈도우를 거기서 정의한다. 그 후에, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리가 고정되게 유지되고, 노출 FoV는 마스크 및 웨이퍼 스테이지들을 이동시킴으로써 간단히 현재 노출된 영역으로부터 노출되는 새로운 영역으로 옮겨질 수 있다. 이러한 과정은 노출되는 모든 영역들이 노출될 때까지 반복될 수 있다. 다중 셔터 블레이드 어셈블리들에 대한 필요가 없기 때문에, 간결화가 얻어지고, 정확성을 제어 요구들이 낮아질 수 있다.

Description

마스크 정렬기의 나이프 에지 세트. 넓은-시야-범위 마스크 정렬기, 및 노출 방법
본 발명은 반도체 제조 분야에 관한 것이고, 구체적으로, 포토리소그래피 기계를 위한 셔터 블레이드 어셈블리, 넓은-FoV(시야 범위; Field of View) 포토리소그래피 기계 및 노출 방법에 관한 것이다.
평평한 패널 제조 분야에서, 얇은 필름 트랜지스터들(TFTs)을 제조하기 위한 포토리소그래피 기계는 대물렌즈 어셈블리에 의해 기판의 표면 상으로 포토마스크 패턴의 이미지를 투사하는 주요 설비이다. 평평한 패널 디스플레이 산업의 빠른 발전으로, 기판들의 크기는 계속적으로 증가한다. 제조 수율을 증가시키기 위해서, 대물렌즈 어셈블리들은 오직 하나의 시야 범위(FoV)를 가지는 초기의 것에서부터 최근의 다중-FoV 것들로 진화했다. 예를 들어, 세대6(Generation 6; G6) 대물렌즈 어셈블리는 6개의 FoV들을 가지며, 즉 6개의 대물렌즈들로 구성되어 있다. 이동가능한 셔터는 마스크 마크들의 조명, 음영 등에 의해 고정 노출을 위한 메커니즘이고, 종래의 이동가능한 셔터는 조명 디바이스 아래에 놓인다. 도 1에 도시된 바와 같이, 예시로서 세대 4.5(G4.5) 이동가능한 셔터에서, 그것은 4개의 셔터 블레이드들로 구성되는데, 즉, 제1 Y-방향 셔터 블레이드(101), 제1 X-방향 셔터 블레이드(102), 제2 Y-방향 셔터 블레이드(103) 및 제2 X-방향 셔터 블레이드(104)로 구성된다. 일반적인 노출 동안, 마스크 스테이지 및 웨이퍼 스테이지는 동일한 방향 및 동일한 속도로 이동하고, 동시에 이동가능한 셔터는 마스크 스테이지와 동기화하여 이동하여서 포토마스크 상에 마스크들을 가리며, 여기서 제1 및 제2 X-방향 셔터 블레이드들(102, 104)은 FoV의 X-방향 크기를 제어하고, 제1 및 제2 Y-방향 셔터 블레이드들(101, 103)은 FoV의 Y-방향 크기를 제어한다. 고정 노출 동안, 제1 및 제2 Y-방향 셔터 블레이드들(101, 103)에 의해 정의된 슬릿은 Y 방향에서 스캔을 수행한다. 그러나, 최근의 다중-FoV 체계에서 사용될 때, 각각의 FoV에는 그러한 이동 가능한 셔터가 설비될 필요가 있을 것인데, 이는 시스템을 부피가 크게 하고 구조적으로 복잡하게 한다. 게다가, 다중-FoV 체계는 셔터 크기 및 셔터 스트로크 양자의 팽창을 필요로 한다. 예를 들어, 6개의 대물렌즈들을 이용하는 G6 시스템들은 G4.5 시스템에서의 40mm로부터 750mm로 셔터 크기 증가를 필요로 하고, 또한 G4.5 시스템에서 44mm로부터 1100mm로 셔터 스트로크 증가를 필요로 한다. 그러므로, 종래의 이동가능한 셔터들은 최근의 시스템들의 필요성을 만족시키지 못한다.
더욱이, 도 2 및 3을 참조하여, 각각의 FoV에 대해서, 제1 및 제2 Y-방향 셔터 블레이드들(101, 103)은 마스크 스테이지의 이동에 기초하여 계산된 속도로 엄격히 노출 동안 Y 방향으로 이동할 필요가 있다. 일반적인 노출 동안, 이동가능한 셔터를 위한 주요한 일은 정렬 마크를 가려서 웨이퍼 상에 정렬 마크를 프린트하는 것을 방지하는 것이다. 특히, 도 2에 도시된 바와 같이, 마스크 가림(shading) 작업을 만족시키기 위해서, G4.5 이동가능한 셔터는 다음의 4 단계들에 따라 포토마스크(404)와 동기화되어야 한다: 포토마스크(40) 상의 전방 마스크(404a)가 그 위의 조명 디바이스(401)와 정렬되게 이동하면(도 2a에 도시), 제2 Y-방향 셔터 블레이드(103)는 원하는 FoV 폭이 얻어질 때까지 마스크를 가리면서 포토마스크(404)와 동기화하여 이동하고(도 2b에 도시); 포토마스크(404) 상의 후방 마스크(404b)가 그 위의 조명 디바이스(401)와 정렬되게 이동하면(도 2에 도시), 제1 Y-방향 셔터 블레이드(101)는 마스크를 가리면서 그것이 FoV의 근위 에지에 도달할 때까지 포토마스크(404)와 동기화하여 이동한다(도 2d에 도시). 고정 노출 동안, 이동가능한 셔터를 위한 주요 작업은 조명 디바이스와 함께 일을 하여 본질적으로 조명도, 감쇠비, 스캔 속도 및 슬릿 폭에 따라 달라지는 노출을 제어한다. 도 3에 도시된 바와 같이, G4.5 이동가능한 셔터에 의해 수행되는 고정 노출 동안, 포토마스크(404)가 스캔-노출 되는 영역과 정렬되게 이동할 때, 조명 디바이스(401)는 활성화되고 원하는 폭을 가진 슬릿을 정의하는 제1 및 제2 Y-방향 셔터 블레이드들(101, 103)은 스캔을 위한 동일한 속도로 이동한다. 동시에, 포토마스크(404) 아래에 위치된 센서(605)는 빛을 수신하고, 이는 슬릿 및 마스크 스테이지를 통과하고, 노출에 대한 데이터를 획득한다.
그러므로, 종래의 이동가능한 셔터들은 일반적인 그리고 고정 노출 모두에서 블레이드 속도 제어를 필요로 한다. 게다가, 에러가 일어날 수 있는 블레이드 속도 변화가 일반적인 노출 모드 및 고정 노출 모드 사이의 스위칭 동안 필요하다.
상술한 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 포토리소그래피 기계를 위한 셔터 블레이드 어셈블리, 넓은-FoV 포토리소그래피 기계, 및 노출 방법을 제안한다.
이를 위해, 본 발명에서 제공된 포토리소그래피 기계를 위한 셔터 블레이드 어셈블리는 포토리소그래피 기계 내에 위치되고, 포토리스그래피 기계에 의해 수행된 노출, 마스크 스테이지 및 웨이퍼 스테이지는 스캔 방향으로 정의된 동일한 방향으로 이동하며, 스캔 방향에 수평으로 직교하는 방향은 비-스캔 방향으로 정의된다.
셔터 블레이드 어셈블리는 다음을 포함한다:
스캔 방향으로 이동가능한 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리, 상기 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 마스크 스테이지에 의해 수행된 포토마스크 상에 정렬 마크들을 가리도록 구성됨; 및
비-스캔 방향으로 이동가능한 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리.
포토리소그래피 기계의 조명 디바이스에 의해 제공된 조명 빛의 광점은 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리에 의해 정의된 윈도우에 의해 잘린 후에 노출을 위해 이용된다.
노출 동안, 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 포토마스크 상에서 정렬 마크들에 대해 고정되게 머물고, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 조명 디바이스에 대해 고정되게 머문다.
본 발명은 또한 노출되는 다중 영역들을 노출시키기 위한 넓은-시야의 범위(FoV) 포토리소그래피 기계를 제공하고, 상부로부터 아래로 순차적으로 배치된, 다음을 포함한다:
조명 광을 제공하기 위한 조명 디바이스;
포토마스크를 수반하기 위한 마스크 스테이지; 및
스캔-노출되는 기판을 수반하기 위한 웨이퍼 스테이지, 노출 동안, 웨이퍼 스테이지 및 마스크 스테이지는 동일한 방향 및 동일한 속도로 이동하고, 상기 방향은 스캔 방향으로 정의되고, 스캔 방향에 수평으로 직교하는 방향은 비-스캔 방향으로 정의됨,
넓은-FoV 포토리소그래피 기계는 다음을 더 포함한다:
스캔 방향으로 이동가능한 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리, 스캔 방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 포토마스크 상의 정렬 마크들을 가리도록 구성됨; 및
비-스캔 방향으로 이동가능한 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리,
포토리소그래피 기계의 조명 디바이스에 의해 제공된 조명 광의 광점은 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리에 의해 정의된 윈도우에 의해 잘린 후에 노출을 위해 이용된다.
노출되는 다중 영역들 각각의 노출은 포트마스크 상의 정렬 마크들에 대해 고정되게 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리를 유지하고 조명 디바이스에 대해 고정되게 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리를 유지함으로써 수행되고, 노출되는 다중 영역들의 노출은 마스크 스테이지 및 웨이퍼 스테이지를 조명 디바이스의 조명 FoV 내로 노출되는 다중 영역들을 연속적으로 이동시키도록 구동함으로써 완성될 수 있다.
바람직하게, 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 마스크 스테이지를 위한 거친-움직임 스테이지(coarse-motion stage) 상에 배치될 수 있고 포토마스크보다 위에 위치되며, 스캔-방향 셔터 블레이드는 노출 동안 마스크 스테이지를 위한 거친-움직임 스테이지와 함께 이동한다.
바람직하게, 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 서로에 대해 길이방향으로 평행하게 연장하는 후방 셔터 블레이드 및 전방 셔터 블레이드를 포함한다.
바람직하게, 각각의 전방 및 후방 셔터 블레이드들은 비-스캔 방향에 길이방향으로 평행하게 연장하는 금속 시트(sheet)이고, 후방 셔터 블레이드는 그 안에 형성된 비-스캔 방향에 길이방향으로 평행하게 연장하는 슬릿이다.
바람직하게, 센서가 마스크 스테이지 아래에 배치되고 슬릿을 통해 통과한 조명 광을 감지하도록 구성된다.
바람직하게, 스캔-방향 셔터 블레이드 서브 어셈블리는 제1 이동 가이드 및 제1 구동 부재를 더 포함하고, 제1 이동 가이드는 스캔 방향을 따라 길이방향으로 연장하고, 제1 구동 부재는 전방 및 후방 셔터 블레이드들이 제1 이동 가이드를 따라 이동하게 구동하도록 구성된다.
바람직하게, 서로 평행한 두 개의 제1 이동 가이드들이 제공되고, 전방 및 후방 셔터 블레이드들 각각의 두 개의 끝 부분들은 두 개의 제1 이동 가이드들을 따라 이동가능하다.
바람직하게, 제1 구동 부재는 전방 및 후방 셔터 블레이드들 각각의 두 개의 단부들에 배치된 선형 모터들을 포함한다.
바람직하게, 해제(decoupling) 디바이스들이 제1 이동 가이드들 및 전방 및 후방 셔터 블레이드들 각각의 두 개의 단부들 사이에 연결들 내에 배열된다.
바람직하게, 해제 디바이스들은 크로스 롤러 링들이다.
바람직하게, 블레이드 로킹 디바이스들이 제1 이동 가이드들 및 전방 및 후방 셔터 블레이드들 각각의 두 개의 단부들 사이에 연결들에서 제공된다.
바람직하게, 블레이드 로킹 디바이스들은 제1 이동 가이드들 상의 전방 및 후방 셔터 블레이드들을 움직이지 못하도록 구성된 가이드 클램프들이다.
바람직하게, 제1 이동 가이드들에는 개별적인 방향 측정 디바이스들이 제공된다.
바람직하게, 방향 측정 디바이스들은 격자 스케일들(grating scales)이다.
바람직하게 넓은-FoV 포토리소그래피 기계는 마스크 스테이지 및 기판 사이에 배치된 대물렌즈 어셈블리를 더 포함하고, 대물렌즈 어셈블리는 배열로 배열된 몇몇의 대물렌즈들을 포함한다.
바람직하게, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 대물렌즈 어셈블리 및 기판 사이에 배치된다.
바람직하게, 셔터 블레이드들은 직사각형이다.
바람직하게, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 제2 이동 가이드 및 제2 구동 부재를 더 포함하고, 각각은 비-스캔 방향으로 길이방향으로 연장하며, 제2 구동 부재는 네 개의 셔터 블레이드들이 제2 이동 가이드를 따라 이동하여서 FoV 적응을 달성하게 구동하도록 구성된다.
바람직하게 서로 대향하는 두 개의 제2 이동 가이드들이 제공되고, 각각의 제2 이동 가이드들은 셔터 블레이드들 중 두 개를 지지하고, 셔터 블레이드들 중 두 개는 두 개의 제2 이동 가이드들 중 대응하는 하나를 따라 이동가능하다.
바람직하게, 제2 구동 부재는 리드 스크류에 결합되는 회전 모터 및 제2 이동 가이드에 평행하게 연장하는 리드 스크류(lead screw)를 포함하고, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리의 셔터 블레이드들 각각은 리드 스크류와 협력하는 회전 모터에 의해 구동된다.
본 발명은 또한 위에서 정의된 바와 같은 넓은-FoV 포토리소그래피 기계를 이용하는 노출 방법을 제공하고, 이는 다음 단계들을 포함한다:
1) 노출 전에, 스캔 방향 내에서 노출되는 영역 위로 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리를 이동시킴으로써 노출되는 영역을 위한 조명 테스트를 수행하는 단계;
2) 노출되는 영역 위로 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리를 이동시키고, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리에 의해, 조명 광을 자르기 위한 윈도우를 정의하는 단계;
3) 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리가 포토마스크 상의 정렬 마크들에 대해 고정되고 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리가 조명 디바이스에 대해 고정되어서, 노출되는 영역을 노출시키도록, 마스크 스테이지 및 웨이퍼 스테이지를 동일한 방향으로 이동시키고 마스크 스테이지와 함께 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리를 이동시키는 단계; 및
4) 마스크 스테이지 및 웨이퍼 스테이지를 이동시킴으로써 조명 디바이스의 조명 FoV 안으로 노출되는 새로운 영역을 이동시키고 노출되는 새로운 영역을 노출시키도록 단계 1) 내지 단계 3)을 반복하는 단계.
바람직하게, 포토마스크는 대칭되게 분포된 두 개의 정렬 구역들 및 배열로 정렬된 몇몇의 패턴 구역들을 포함하고, 두 개의 정렬 구역들은 포토마스크의 개별적인 단부들에 분포되고, 각각의 패턴 구역들은 노출되는 영역에 대응한다.
바람직하게, 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 전방 셔터 블레이드 및 후방 셔터 블레이드를 포함하고, 노출 동안, 전방 및 후방 셔터 블레이드들은 개별적인 정렬 구역들 위에 위치되어서 정렬 구역들로부터 멀리 조명 광을 차단한다.
바람직하게, 단계 2)에서, 스캔 방향에서 노출되는 영역 위로 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리를 이동시킴으로써 수행되는 노출되는 영역을 위한 조명 테스트는 다음을 포함한다: 마스크 스테이지 아래에 배치된 센서에 의해, 마스크 스테이지 및 후방 셔터 블레이드 내 슬릿을 연속적으로 통과한 조명 광을 수신하고 스캔 방향 내 후방 셔터 블레이드를 이동시키며, 정렬 구역들 위로 전방 셔터 블레이드를 고정하는 단계; 및 수신된 조명 광으로부터 노출되는 영역을 위한 조명 데이터를 얻는 단계.
셔터 블레이드 어셈블리, 넓은-FoV 포토리소그래피 기계 및 본 발명에서 제공된 노출 방법에서, 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 각각의 조명 테스트 동안 이동되고 테스트 후에 정렬 마크들 위로 이동된다. 노출 동안, 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 동일한 방향 및 동일한 속도로 마스크 스테이지와 함께 이동하여서 그것은 포토마스크(4) 상의 정렬 마크들에 대해 고정되게 머무른다. 전체-FoV 노출의 경우, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리가 이동될 필요가 있고, 부분-FoV 노출의 경우, 그것은 부분 노출 FoV 안으로 이동되고 조명 광을 조절함으로써 원하는 형상으로 광점을 얻기 위한 윈도우를 거기서 정의한다. 그 후에, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 고정되고 유지되고, 노출 FoV는 현재 노출된 영역으로부터 노출되는 새로운 영역으로 마스크 및 웨이퍼 스테이지들을 이동시킴으로써 옮겨질 수 있다. 이러한 과정은 노출되는 모든 영역들이 노출될 때까지 반복될 수 있다.
종래 기술과 비교하여, 본 발명은 다음의 이점들을 제공한다:
1. 그것은 구조적으로 더 간단해지는데 다양한 노출 FoV들을 가진 적용들에서 노출 작업들이 마스크 및 웨이퍼 스테이지들을 이동시킴으로써 간단히 동일한 스캔-방향 및 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리들로 수행될 수 있기 때문이다.
2. 노출 동안, 스캔-방향 및 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리들이 다양한 속도로 마스크 및 웨이퍼 스테이지들과 함께 항상 이동할 필요가 없다. 이는 정확도를 제어할 필요성을 낮추고 고장 가능성을 줄일 수 있다.
도 1은 종래의 이동가능한 셔터의 구조적 개략도이다.
도 2는 종래의 이동가능한 셔터 내 Y-방향 셔터 블레이드들이 일반적인 노출 동안 어떻게 이동하는지를 도식적으로 나타내는 흐름도이다.
도 3은 종래의 이동가능한 셔터 내 Y-방향 셔터 블레이드들이 고정 노출 동안 어떻게 이동하는지를 도식적으로 나타내는 다이어그램이다.
도 4는 본 발명에 따른 일반적인 노출 동안 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리의 구조적 개략도이다.
도 5는 후방 셔터 블레이드의 구조적 개략도이다.
도 6은 본 발명에 따른 일반적인 노출 동안 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리 내 셔터 블레이드들의 위치들을 도식적으로 설명하는 다이어그램이다.
도 7은 본 발명에 따른 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리의 구조적 개략도이다.
도 8은 본 발명에 따른 전체-FoV 노출 동안 비-스캔-방향 셔터 블레이드 내 셔터 블레이드들의 위치들을 도식적으로 설명하는 다이어그램이다.
도 9는 본 발명에 따른 부분-FoV 노출 동안 미-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리 내 셔터 블레이드들의 도식적인 위치들을 설명하는 다이어그램이다.
본 발명의 특정 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 이하에서 상세히 설명될 것이어서 본 발명의 이점들, 특징들, 목적들은 더욱 명백해질 것이고 쉽게 이해될 것이다.
도 4 내지 7을 참조하여, 본 발명은 포토리소그래피(photolithography) 기계를 위한 셔터 블레이드 어셈블리를 제공한다. 셔터 블레이드 어셈블리는 포토리소그래피 기계 내에 배치되고, 포토리소그래피 기계에 의해 수행된 노출 동안, 마스크 스테이지 및 웨이퍼 스테이지는 스캔 방향으로 정의되는 동일한 방향으로 이동하고, 스캔 방향에 수평으로 직교하는 방향은 비-스캔 방향으로 정의된다.
셔터 블레이드 어셈블리는 다음을 포함한다:
스캔 방향으로 이동가능한 스캔-방향 셔터 블레이드 어셈블리, 상기 스캔-방향 셔터 블레이드 어셈블리는 정렬 마크들이 노출 동안 기판 상에서 프린트되는 것을 방지하도록 마스크 상에 수반된 포토마스크 상의 정렬 마크들을 필수적으로 가리며, 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 정렬 마크들에 대해 고정되게 유지되도록 노출 동안 마스크 스테이지와 동일한 방향으로 그리고 동일한 속도로 이동하도록 구성됨.
비-스캔 방향으로 이동가능한 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리, 상기 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 필연적으로, 부분-FoV 노출 동안, 부분 노출 FoV 내 타겟 영역 위로 윈도우를 정의하며, 이를 통해 조명 디바이스로부터의 광이 통과하고 그에 따라 그것의 노출을 위한 타겟 영역 상의 원하는 광점을 형성하돌고 조절되도록 구성된다.
상술한 타겟 영역의 노출 후에, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 고정되게 유지되고, 마스크 및 웨이퍼 스테이지들은 이동하고 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 마스크 스테이지와 함께 이동하여서, 포토마스크(4)의 다음 타겟 영역은 부분 노출 FoV로 들어가고 노출된다. 이러한 과정은 반복되어서 모든 타겟 영역들이 마스크 및 웨이퍼 스테이지들을 이동시킴으로써 간단히 노출될 수 있다.
본 발명은 또한 노출을 위한 상기 셔터 블레이드 어셈블리를 이용하여 넓은-FoV 포토리소그래피 기계를 제공한다. 넓은-FoV 포토리소그래피 기계는, 위로부터 아래방향으로, 다음을 포함한다:
조명 광을 제공하기 위한 조명 디바이스(미도시);
표면 상에 포토마스크(4)를 수반하는 마스크 스테이지(미도시), 상기 마스크 스테이지에는 마스크 스테이지를 둘러싸는 거친-움직임 스테이지(coarse-motion stage; 207)가 제공되고, 거친-움직임 스테이지(207)는 마스크 스테이지의 넓은-스트로크 이동을 가능하게 함;
본 실시예에서 여섯 개의 대물렌즈들(306)로 구성되는, 대물렌즈 어셈블리, 대물렌즈들(306) 중 세 개를 각각 포함하는 두 개의 평행한 열들 내로 배열되고, 세 개의 대물렌즈들(306)는 비-스캔 방향을 따라 연장함; 및
표면 상에, 스캔-노출되는 기판(미도시)을 수반하는, 웨이퍼 스테이지(미도시), 상기 웨이퍼 스테이지는 마스크 스테이지와 동일한 속도 및 동일한 방향으로 이동하도록 구성되고, 이러한 방향은 스캔 방향으로 정의되며, 스캔 방향에 수평으로 직교하는 방향은 비-스캔 방향으로 정의됨.
넓은-FoV 포토리소그래피 기계는 다음을 더 포함한다:
정렬 마크들이 조명 광에 의해 조사되고 그에 따라 기핀 상으로 프린트되는 것을 방지하도록 포토마스크(4) 상에 정렬 마크들을 가리기 위해 포토마스크(4)보다 더 높게 위치되고 마스크 스테이지를 위한 거친-움직임 스테이지(207) 상에 배치된, 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리, 상기 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 스캔 방향으로 이동하도록 구성됨; 및
대물렌즈 어셈블리 및 기판 사이에 배치된 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리, 상기 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 비-스캔 방향으로 이동하도록 구성됨.
도 4를 참조하여, 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 다음과 같이 구성될 수 있다. 두 개의 제1 이동 가이드들(205)은 스캔 방향에 평행한 거친-움직임 스테이지(207)의 개별적인 에지들 상에 배치되어서 그것들은 개별적인 에지들에 길이방향으로 평행하게 연장하고 제1 이동 가이드들(205)의 길이는 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리를 위한 스트로크 범위를 정의한다. 두 개의 셔터 블레이드들은 두 개의 제1 이동 가이드들(205)에 의해 지지되고, 두 개의 셔터 블레이드들은 전방 셔터 블레이드(203) 및 후방 셔터 블레이드(204)로 구성된다. 두 개의 셔터 블레이드들은 비-스캔 방향에 길이방향으로 평행하게 연장하는 길쭉한 금속 시트들이고, 각각의 두 개의 셔터 블레이드들은 제1 이동 가이드들(205)에 의해 그것의 양 단부들에서 지지되어서, 그것들은 스캔 방향으로 제1 이동 가이드들(205) 상에서 이동할 수 있다. 각각의 셔터 블레이드들에는, 그것의 양 단부들에서, 본 실시예에서 선형 모터들(206)로서 실현되는 개별적인 구동 부재들이 제공된다. 바람직하게, 제1 이동 가이드들(205)은 선형 모터들(206) 상에 지지되어서 선형 모터들(206)은 제1 이동 가이드들(205)을 따라 이동하도록 셔터 블레이드들을 구동할 수 있다.
바람직하게, 도 4를 참조하여, 두 개의 셔터 블레이드들 각각에는, 그것의 양 단부들에서, 크로스 롤러 링들(202)로서 실현되는 개별적인 해제 디바이스들이 제공될 수 있다. 이러한 크로스 롤러 링들(202)은 수직 방향을 따라 가해진 충격으로부터 비-스캔 방향 내 셔터 블레이드들의 이동을 해제할 수 있다. 게다가, 두 개의 셔터 블레이드들에는 또한 블레이드 로킹 디바이스들이 제공될 수 있고, 이들은 제1 이동 가이드들(205) 및 셔터 블레이드들의 단부들 사이 연결들에서 가이드 클램퍼들(guide clapmpers; 208)로서 본 실시예에서 실현된다. 셔터 블레이드들 각각을 위해, 원하는 위치로 이동할 때, 관련된 가이드 클램퍼들(208)은 상기 위치에서 그것을 잠글 수 있다.
바람직하게, 도 5를 참조하여, 후방 셔터 블레이드(204)는 그것의 중심부 주변에서 슬릿(2041)을 정의할 수 있다. 슬릿(2041)은 스캔 방향에 길이방향으로 평행하게 연장한다. 노출 전에, 슬릿은 후방 셔터 블레이드(204)가 스캔 방향으로 이동되는 조명 테스트를 수행할 수 있고, 마스크 스테이지 아래에 배치된 센서(미도시)는 슬릿(2041) 및 마스크 스테이지를 통해 연속하게 전파하는 조명 광을 수신한다.
바람직하게, 도 4를 계속 참조하여, 로케이터들(locators)이 이동 동안 두 개의 셔터 블레이드들을 위치시키기 위해 제1 이동 가이드들(205) 상에 제공될 수 있다. 본 실시예에서, 로케이터들은 격자 스케일들(201)로 실현된다.
도 7을 참조하여, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 대물렌즈(306) 아래에 배치되고 네 개의 셔터 블레이드들, 제2 이동 가이드들(307) 및 제2 구동 부재들을 포함한다. 네 개의 셔터 블레이드들 각각, 즉 제1 셔터 블레이드(301), 제2 셔터 블레이드(302), 제3 셔터 블레이드(303) 및 제4 셔터 블레이드(304)는 직사각형일 수 있다. 네 개의 셔터 블레이드들은 비-스캔-방향에 길이방향으로 평행하게 연장하는 두 개의 제2 이동 가이드들(307) 상에 고르게 분포될 수 있다. 제2 구동 부재들 각각은 제2 이동 가이드들(307)에 길이방향으로 평행하게 연장하는 리드 스크류(308) 및 리드 스크류(308)에 결합된 회전 모터(305)를 포함할 수 있다. 셔터 블레이드들은 일대일(one-to-one) 대응으로 리드 스크류들(308) 상에 배치될 수 있다. 각각의 셔터 블레이드들은 결합되는 회전 모터(305)와 상호 협력하는 개별적인 리드 스크류(308)의 작동 하에서 제2 이동 가이드(307) 중 대응하는 하나 상에서 개별적으로 이동할 수 있다. 네 개의 셔터 블레이드들 각각의 스트로크는 인코더 회전 모터(305)에 의해 측정될 수 있다. 본 실시예에서, 두 개의 제2 이동 가이드들(307)은 대물렌즈 어셈블리의 대물렌즈(306)의 개별적인 열들 아래에 배치될 수 있다. 제2 이동 가이드들(307) 각각은 셔터 블레이드들 중 두 개를 지지하고, 이러한 두 개의 셔터 블레이드들 각각은 리드 스크류(308) 및 회전 모터(305)의 개별적인 쌍에 의해 제2 이동 가이드(307) 상에서 이동하도록 구동될 수 있다. 이러한 방식으로, 대물렌즈들(306)의 각각의 열로부터의 광선의 전달이 제어될 수 있다. 다시 말해서, 네 개의 셔터 블레이드들은 조명 광을 조절하도록 상호 협력할 수 있어서 노출되는 타겟 영역 내 원하는 광점을 얻을 수 있다.
본 발명은 또한 위에서 정의된 넓은-FoV 포토리소그래피 기계를 이용한 노출 방법을 제공한다. 상기 방법은 아래에서 상세한 바와 같이 다음 단계들을 포함한다.
단계 1에서, 포토마스크(4)가 제공되고, 이는 몇몇의 주기적인 패턴 구역들(402)의 배열 및 정렬 구역(401)을 구비한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 정렬 구역들(401)은 포토마스크(4)의 단부 부분들 내에서 대칭되게 배치되고 정렬 구역들(401)은 노출 동안 기판과 함께 포토마스크(4)를 정렬하기 위한 정렬 마크들을 포함한다.
패턴 구역들(402) 각각은 기판의 프린트 구역에 대응한다. 기판의 각각의 프린트 구역은 하나의 노출 사이클 내에서 포토마스크(4)의 대응하는 패턴 구역(402)의 도움으로 노출된다. 각각의 노출 사이클이 시작되기 전에, 패턴 및 프린트 구역들은 모두 노출 FoV 내로 이동되고, 이어서 조명 테스트 포토리소그래피를 위한 기판의 다양한 위치들에서 충분한 조명을 보증하도록 수행된다. 이러한 조명 테스트는 노출 FoV 내 스캔-방향에서 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리를 이동시키는 것을 포함한다. 특히, 도 4 및 5를 참조하여, 전방 셔터 블레이드(203)가 정렬 구역들(401) 중 하나 위에 고정되게 머무를 때, 조명 디바이스가 활성화되고 이어서 후방 셔터 블레이드(204)가 스캔 방향으로 이동된다. 동시에, 마스크 스테이지 아래에 배치된 센서는 조명 데이터를 얻도록 마스크 스테이지 및 후방 셔터 블레이드(204) 내 슬릿(2041)을 통과하는 조명 광을 수신한다.
단계 2에서, 도 8 및 9를 참조하여, 노출 사이클이 전체-FoV 노출인 경우에, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 이동될 필요가 없다. 그러나, 노출 사이클이 부분-FoV 노출이라면, 조명 테스트에 이어서, 후방 셔터 블레이드(204)가 포토마스크(4)의 다른 정렬 구역(401) 위로 위치되도록 이동되고 이 위치에서 정렬 구역(401)에 대해 고정되게 유지된다. 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 이어서 노출 FoV 안으로 이동되고, 제1, 제2, 제3 및 제4 셔터 블레이드들(301, 302, 303 및 304)은 프린트 구역 상에 원하는 광점이 형성되도록 조명 광을 조절하는 윈도우(window)를 정의하도록 함께 작동한다. 그 후에, 프린트 구역은 동일한 속도와 동일한 방향으로 마스크 스테이지 및 웨이퍼 스테이지를 이동시키고 마스크 스테이지와 동기화되게, 즉 동일한 방향 및 동일한 속도로, 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리를 이동시킨다.
단계 3에서: 마스크 및 웨이퍼 스테이지들은 동일한 방향으로 이동되어서 노출되는 다음 프린트 구역이 노출 FoV 내로 옮겨진다. 단계 1 및 2는 모든 프린트 구역이 노출될 때까지 반복된다.
본 발명에서 제공된 포토리소그래피 기계를 위한 셔터 블레이드 어셈블리, 넓은-FoV 포토리소그래피 기계 및 노출 방법에서, 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 각각의 조명 테스트 동안만 이동되고 테스트 후 정렬 마크들 위로 이동된다. 노출 동안, 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 동일한 방향 및 동일한 속도로 마크 스테이지와 함께 이동하여서 그것은 포토마스크(4) 상의 정렬 마크들에 대해 고정되게 머무른다. 전체-FoV 노출의 경우, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리가 이동될 필요는 없고, 부분-FoV 노출의 경우, 그것은 부분 노출 FoV 안으로 이동되고 조명 광을 조절함으로써 원하는 형상으로 광점을 얻기 위해 거기서 윈도우를 정의한다. 그 후에, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 고정되게 유지되고, 노출 FoV는 마스크 및 웨이퍼 스테이지들을 이동시킴으로써 간단히 현재 노출된 영역으로부터 노출되는 새로운 영역으로 옮겨질 수 있다. 이러한 과정은 노출되는 모든 영역들이 노출될 때까지 반복될 수 있다.
종래 기술과 비교하여, 본 발명은 다음의 이점들을 제공한다:
1. 그것은 구조적으로 더 간단한데 다양한 노출 FoV들을 가진 적용들 내에서 노출 작업들이 마스크 및 웨이퍼 스테이지들을 이동시킴으로써 간단히 동일한 스캔-방향 및 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리들로 이행될 수 있기 때문이다.
2. 노출 동안, 스캔-방향 및 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리들이 다양한 속도로 마스크 및 웨이퍼 스테이지들과 함께 항상 이동할 필요가 없다. 이는 제어 정확성에 대한 요구를 낮출 수 있고 고장 가능성을 줄일 수 있다.
당업자가 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 그것의 다양한 변형들 및 변경들을 만들 수 있음은 명백하다. 따라서, 본 발명은 그러한 변형들 및 변경들이 첨부된 청구범위의 범위 및 그것의 균등범위에 있다면 그러한 모든 변형들 및 변경들을 포괄할 수 있는 것으로 의도된다.
도 1 내지 3에서: 401- 조명 디바이스; 404-포토마스크; 404a-전방 마스크; 404b-후방 마스크; 101-제1 Y-방향 셔터 블레이드; 102-제1 X-방향 셔터 블레이드; 103-제2 Y-방향 셔터 블레이드; 104-제2 X-방향 셔터 블레이드; 605-센서.
도 4 내지 9에서: 201- 격자 스케일; 202-크로스 롤러 링; 203- 전방 셔터 블레이드; 204-후방 셔터 블레이드; 2041-슬릿; 205-제1 이동 가이드; 206-리니어 모터; 207-거친-움직임 스테이지; 208-가이드 클램퍼; 301- 제1 셔터 블레이드; 302-제2 셔터 블레이드; 303-제3 셔터 블레이드; 304-제4 셔터 블레이드; 305-회전 모터; 306-대물렌즈; 307-제2 이동 가이드; 308-리드 스크류; 4-포토마스크; 401-정렬 구역; 402-패턴 구역;
노출되는 영역

Claims (26)

  1. 포토리소그래피 기계를 위한 셔터 블레이드 어셈블리에 있어서,
    상기 셔터 블레이드 어셈블리는 상기 포토리소그래피 기계 내에 배치되고, 상기 포토리소그래피 기계는 마스크 스테이지와 웨이퍼 스테이지가 스캔 방향으로 정의되는 동일한 방향으로 이동하는 노출을 수행하도록 구성되고, 상기 스캔 방향에 수평으로 직교하는 방향은 비-스캔 방향으로 정의되며,
    상기 셔터 블레이드 어셈블리는,
    상기 스캔 방향으로 이동가능한 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리 - 상기 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 상기 마스크 스테이지에 의해 수반된 포토마스크 상에 정렬 마크들을 가리도록 구성됨 -; 및
    상기 비-스캔 방향으로 이동가능한 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리;
    를 포함하고,
    상기 포토리소그래피 기계의 조명 디바이스에 의해 제공된 조명 광의 광점은 상기 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리에 의해 정의된 윈도우에 의해 잘린 후 노출을 위해 이용되고,
    노출 중에, 상기 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 상기 포토마스크 상에 상기 정렬 마크들에 대해 고정되게 머무르고, 상기 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 상기 조명 디바이스에 대해 고정되게 머무르고,
    상기 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 서로 길이방향으로 평행하게 연장하는 전방 셔터 블레이드 및 후방 셔터 블레이드를 포함하고, 상기 전방 셔터 블레이드 및 후방 셔터 블레이드 각각은 상기 비-스캔 방향에 길이방향으로 평행하게 연장하는 금속 시트이고, 상기 후방 셔터 블레이드는 그 안에 형성된 비-스캔 방향에 길이방향으로 평행하게 연장하는 슬릿을 구비하는,
    셔터 블레이드 어셈블리.
  2. 노출되는 다중 영역들을 위한 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계에 있어서,
    상기 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계는,
    위로부터 아래방향으로 순차적으로 배치되는,
    조명 광을 제공하기 위한 조명 디바이스;
    포토마스크를 수반하기 위한 마스크 스테이지; 및
    스캔-노출되는 기판을 수반하기 위한 웨이퍼 스테이지;
    를 포함하고,
    노출 중에, 상기 웨이퍼 스테이지 및 상기 마스크 스테이지는 동일한 방향 및 동일한 속도로 이동하고, 상기 방향은 스캔 방향으로 정의되고, 상기 스캔 방향에 수평으로 직교하는 방향은 비-스캔 방향으로 정의되며,
    상기 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계는,
    상기 스캔 방향으로 이동가능한 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리 - 상기 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 상기 포토마스크 상에 정렬 마크들을 가리도록 구성됨 -; 및
    상기 비-스캔 방향으로 이동가능한 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리;
    를 포함하고,
    상기 포토리소그래피 기계의 조명 디바이스에 의한 조명 광의 광점은 상기 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리에 의해 정의된 윈도우에 의해 잘린 후 노출을 위해 이용되고,
    노출되는 다중 영역 각각의 노출은 상기 포토마스크 상의 상기 정렬 마크들에 대해 고정되게 상기 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리를 유지시키고 상기 조명 디바이스에 대해 상기 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리를 유지시킴으로써 수행되며, 노출되는 다중 영역들의 노출은 상기 조명 디바이스의 조명 FoV 안으로 노출되는 다중 영역들을 연속해서 이동시키도록 상기 웨이퍼 스테이지 및 상기 마스크 스테이지를 구동함으로써 완성될 수 있고,
    상기 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 서로 길이방향으로 평행하게 연장하는 전방 셔터 블레이드 및 후방 셔터 블레이드를 포함하고, 상기 전방 셔터 블레이드 및 후방 셔터 블레이드 각각은 상기 비-스캔 방향에 길이방향으로 평행하게 연장하는 금속 시트이고, 상기 후방 셔터 블레이드는 그 안에 형성된 비-스캔 방향에 길이방향으로 평행하게 연장하는 슬릿을 구비하는,
    넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 마스크 스테이지를 위한 거친-움직임 스테이지 상에 배치되고 포토마스크보다 높이 위치되며, 상기 스캔-방향 셔터 블레이드는 노출 동안 마스크 스테이지를 위한 거친-움직임 스테이지와 함께 이동하는, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제2항에 있어서,
    센서가 마스크 스테이지 아래에 배치되고 슬릿을 통과하는 조명 광을 감지하도록 구성되는, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 제1 이동 가이드 및 제1 구동 부재를 더 포함하고, 상기 제1 이동 가이드는 스캔 방향을 따라 길이방향으로 연장하고, 상기 제1 구동 부재는 제1 이동 가이드를 따라 이동하도록 전방 및 후방 셔터 블레이드들을 구동하도록 구성되는, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  8. 제7항에 있어서,
    서로 평행한 두 개의 제1 이동 가이드들이 제공되고, 전방 및 후방 셔터 블레이드들 각각의 두 개의 단부들은 두 개의 제1 이동 가이드들을 따라 이동가능한, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 구동 부재는 전방 및 후방 셔터 블레이드들 각각의 두 개의 단부들에 배치되는, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  10. 제8항에 있어서,
    해제 디바이스들이 제1 이동 가이드들 및 전방 및 후방 셔터 블레이드들 각각의 두 개의 단부들 사이 연결들 내에 배열되는, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 해제 디바이스들은 크로스 롤러 링들인, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  12. 제8항에 있어서,
    블레이드 로킹 디바이스들이 제1 이동 가이드들 및 전방 및 후방 셔터 블레이드들 각각의 두 개의 단부들 사이 연결들에 제공되는, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 블레이드 로킹 디바이스들은 제1 이동 가이드들 상에 전방 및 후방 셔터 블레이드들을 움직이지 않도록 구성되는 가이드 클램퍼들인, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 제1 이동 가이드들에는 개별적인 방향 측정 디바이스들이 제공되는, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 방향 측정 디바이스들은 격자 스케일들인, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  16. 제2항에 있어서,
    기판 및 마스크 스테이지 사이에 배치된 대물렌즈 어셈블리를 더 포함하고, 상기 대물렌즈 어셈블리는 배열 내 몇몇의 대물렌즈들을 포함하는, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 대물렌즈 어셈블리 및 기판 사이에 배치되는, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  18. 제2항에 있어서,
    상기 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 두 행 및 두 열 내에 배열된 네 개의 셔터 블레이드들을 포함하는, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 셔터 블레이드들은 직사각형인, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 제2 이동 가이드 및 제2 구동 부재를 더 포함하고, 각각은 비-스캔 방향 내 길이방향으로 연장하고, 상기 제2 구동 부재는 FoV 조절을 달성하기 위해 제2 이동 가이드를 따라 이동하도록 네 개의 셔터 블레이드들을 구동하도록 구성되는, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  21. 제20항에 있어서,
    서로 대향하는 두 개의 제2 이동 가이드들이 제공되고, 상기 제2 이동 가이드들 각각은 셔터 블레이드들 중 두 개를 지지하고, 상기 셔터 블레이드들 중 두 개는 두 개의 제2 이동 가이드들 중 대응하는 하나를 따라 이동가능한, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 제2 구동 부재는 제2 이동 가이드에 평행하게 연장하는 리드 스크류 및 상기 리드 스크류에 결합되는 회전 모터를 포함하고, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리의 셔터 블레이드들 각각은 리드 스크류와 상호 협력하는 회전 모터에 의해 구동되는, 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계.
  23. 제2항에 따른 넓은-시야 범위(FoV) 포토리소그래피 기계를 이용하는 노출 방법에 있어서,
    1) 노출 전에, 스캔 방향 내 노출되는 영역 위로 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리를 이동시킴으로써 노출되는 영역을 위한 조명 테스트를 수행하는 단계;
    2) 노출되는 영역 위로 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리를 이동시키고, 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리에 의해, 조명 광을 자르기 위한 윈도우를 정의하는 단계;
    3) 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리가 포토마스크 상에 정렬 마크들에 대해 고정되고 비-스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리가 조명 디바이스에 대해 고정되어, 노출되는 영역을 노출시키도록, 동일한 방향으로 웨이퍼 스테이지 및 마스크 스테이지를 이동시키고 마스크 스테이지와 함께 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리를 이동시키는 단계; 및
    4) 마스크 스테이지 및 웨이퍼 스테이지를 이동시킴으로써 조명 디바이스의 조명 FoV 내로 노출되는 새로운 영역을 이동시키고 노출되는 새로운 영역을 노출시키도록 단계 1) 내지 3)을 반복하는 단계;
    를 포함하는, 노출 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 포토마스크는 대칭되게 분포된 두 개의 정렬 구역들 및 정렬되게 배열된 몇몇의 패턴 구역들을 포함하고, 상기 두 개의 정렬 구역들은 개별적인 포토마스크 각각에 분배되고, 패턴 구역들 각각은 노출되는 영역에 대응하는, 노출 방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리는 전방 셔터 블레이드 및 후방 셔터 블레이드를 포함하고, 노출 동안, 전방 및 후방 셔터 블레이드들은 개별적인 정렬 구역들 위에 위치되어서 정렬 구역들로부터 멀리 조명 광을 차단하는, 노출 방법.
  26. 제23항에 있어서,
    상기 단계 2)에서, 스캔 방향으로 노출되는 영역 위로 스캔-방향 셔터 블레이드 서브어셈블리를 이동시킴으로써 수행되는 노출되는 영역을 위한 조명 테스트는:
    스캔 방향 내 셔터 후방 셔터 블레이드를 이동시키고, 마스크 스테이지 아래에 배치된 센서에 의해, 마스크 스테이지 및 수방 셔터 블레이드 내 슬릿을 연속하게 통과한 조명 광을 수신하며, 정렬 구역들 위로 전방 셔터 블레이드를 고정하는 단계; 및
    수신된 조명 광으로부터 노출되는 영역을 위한 조명 데이터를 얻는 단계;
    를 포함하는,
    노출 방법.
KR1020187037337A 2016-05-31 2017-05-27 마스크 정렬기의 나이프 에지 세트. 넓은-시야-범위 마스크 정렬기, 및 노출 방법 KR102176255B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610378442.9A CN107450271B (zh) 2016-05-31 2016-05-31 光刻机刀口组、大视场光刻机和曝光方法
CN201610378442.9 2016-05-31
PCT/CN2017/086270 WO2017206828A1 (zh) 2016-05-31 2017-05-27 光刻机刀口组、大视场光刻机和曝光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190009808A KR20190009808A (ko) 2019-01-29
KR102176255B1 true KR102176255B1 (ko) 2020-11-09

Family

ID=60478515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187037337A KR102176255B1 (ko) 2016-05-31 2017-05-27 마스크 정렬기의 나이프 에지 세트. 넓은-시야-범위 마스크 정렬기, 및 노출 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10732509B2 (ko)
JP (1) JP6706343B2 (ko)
KR (1) KR102176255B1 (ko)
CN (1) CN107450271B (ko)
TW (1) TWI681260B (ko)
WO (1) WO2017206828A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113050381B (zh) * 2019-12-27 2022-04-26 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种拼接物镜的剂量控制装置、方法和曝光设备
CN113741150B (zh) * 2020-05-29 2022-05-03 上海微电子装备(集团)股份有限公司 可调节狭缝结构和曝光装置
CN113176712A (zh) * 2021-04-25 2021-07-27 上海图双精密装备有限公司 一种适于接触式光刻机的曝光装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353108A (ja) * 2001-05-24 2002-12-06 Nikon Corp 露光方法、露光装置、フォトマスク、デバイス製造方法、及びフォトマスク製造方法
JP2003151880A (ja) * 2001-11-12 2003-05-23 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR100420195B1 (ko) * 1995-06-02 2004-06-04 가부시키가이샤 니콘 주사형노광장치,주사노광방법및마이크로디바이스의제조방법
JP2004273666A (ja) * 2003-03-07 2004-09-30 Nikon Corp 露光装置
JP2006120798A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Canon Inc 露光装置
CN102650831A (zh) * 2011-04-01 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 曝光机台及曝光机台中自由设定遮板的方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0622192B2 (ja) * 1985-04-25 1994-03-23 キヤノン株式会社 表示パネル製造方法
JPH0782981B2 (ja) * 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
EP0358521B1 (en) * 1988-09-09 1995-06-07 Canon Kabushiki Kaisha An exposure apparatus
JP2697014B2 (ja) * 1988-10-26 1998-01-14 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2805220B2 (ja) * 1989-09-21 1998-09-30 キヤノン株式会社 露光装置
DE69128655T2 (de) * 1990-03-02 1998-05-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Belichtungsgerät
US5506684A (en) * 1991-04-04 1996-04-09 Nikon Corporation Projection scanning exposure apparatus with synchronous mask/wafer alignment system
US6078381A (en) * 1993-02-01 2000-06-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
JP3362454B2 (ja) * 1993-06-16 2003-01-07 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる素子製造方法
JPH07283124A (ja) 1994-04-06 1995-10-27 Canon Inc X線露光装置
JPH08115872A (ja) * 1994-10-13 1996-05-07 Nikon Corp 露光装置
JP3555208B2 (ja) * 1994-12-14 2004-08-18 株式会社ニコン 露光方法
US5780861A (en) * 1996-11-26 1998-07-14 Advanced Micro Devices, Inc. Adjustable blade reticle assembly
JP2926325B2 (ja) * 1997-01-23 1999-07-28 株式会社ニコン 走査露光方法
JPH10284363A (ja) * 1997-04-08 1998-10-23 Nikon Corp スリット幅決定方法及び露光量制御方法
JPH11260711A (ja) 1998-03-11 1999-09-24 Canon Inc X線露光装置およびデバイス製造方法
DE69933903T2 (de) * 1998-04-14 2007-05-24 Asml Netherlands B.V. Lithograpischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
TW447009B (en) * 1999-02-12 2001-07-21 Nippon Kogaku Kk Scanning exposure method and scanning type exposure device
JP3035297B1 (ja) * 1999-05-27 2000-04-24 株式会社ケムテックジャパン プリント基板の製造装置および製造方法
EP1164436A3 (en) * 2000-06-14 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Operation of a lithographic projection apparatus
JP2002036373A (ja) * 2000-07-25 2002-02-05 Sanyo Electric Co Ltd 光造形装置
JP2003324028A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Jfe Steel Kk 平面磁気素子の製造方法
JP2004047687A (ja) * 2002-07-11 2004-02-12 Renesas Technology Corp 露光方法
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1431829A1 (en) * 2002-12-19 2004-06-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus
US7423730B2 (en) * 2003-05-28 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1491960B1 (en) * 2003-05-30 2012-04-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US6950175B2 (en) * 2003-06-02 2005-09-27 Asml Holding N.V. System, method, and apparatus for a magnetically levitated and driven reticle-masking blade stage mechanism
TW200507066A (en) * 2003-07-25 2005-02-16 Nikon Corp Exposure apparatus
JP2009031561A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Adtec Engineeng Co Ltd 投影露光装置及び分割露光方法
JP2009141263A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Toshiba Corp 露光方法、フォトマスクおよびレチクルステージ
NL2007367A (en) * 2010-11-01 2012-05-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
JP6168614B2 (ja) * 2011-12-28 2017-07-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのためのマスク及び走査投影露光方法
WO2013135494A2 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
CN103439865B (zh) 2013-08-16 2015-03-25 中国科学院上海光学精密机械研究所 用于步进扫描光刻机的扫描狭缝装置
CN103931731A (zh) * 2014-04-04 2014-07-23 曹培银 刮鳞器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100420195B1 (ko) * 1995-06-02 2004-06-04 가부시키가이샤 니콘 주사형노광장치,주사노광방법및마이크로디바이스의제조방법
JP2002353108A (ja) * 2001-05-24 2002-12-06 Nikon Corp 露光方法、露光装置、フォトマスク、デバイス製造方法、及びフォトマスク製造方法
JP2003151880A (ja) * 2001-11-12 2003-05-23 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2004273666A (ja) * 2003-03-07 2004-09-30 Nikon Corp 露光装置
JP2006120798A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Canon Inc 露光装置
CN102650831A (zh) * 2011-04-01 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 曝光机台及曝光机台中自由设定遮板的方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190009808A (ko) 2019-01-29
CN107450271B (zh) 2019-10-25
JP6706343B2 (ja) 2020-06-03
TW201809896A (zh) 2018-03-16
US20200041910A1 (en) 2020-02-06
US10732509B2 (en) 2020-08-04
JP2019517020A (ja) 2019-06-20
WO2017206828A1 (zh) 2017-12-07
TWI681260B (zh) 2020-01-01
CN107450271A (zh) 2017-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102176255B1 (ko) 마스크 정렬기의 나이프 에지 세트. 넓은-시야-범위 마스크 정렬기, 및 노출 방법
US10585361B2 (en) Projection exposure apparatus and method
US10197919B2 (en) Adjusting device and adjusting method for exposure device
JP2010224544A (ja) レーザビーム露光装置およびその方法
JP2019086709A (ja) 露光システム、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
US20060290911A1 (en) Scanning photolithography apparatus and method
CN101174104B (zh) 确定光刻投影装置最佳物面和最佳像面的方法及相关装置
KR20130113356A (ko) 포토마스크 및 그것을 사용하는 레이저 어닐링 장치 및 노광 장치
WO2017012782A1 (en) Lithographic apparatus and method
JP2006084783A (ja) 両面露光装置のマスクアライメント方法及びマスクアライメント装置
JP4693347B2 (ja) 露光用シャッター、露光装置、露光方法、及び基板製造方法
JP2006295148A (ja) 露光装置
KR100762396B1 (ko) 마스크리스 노광기용 디엠디 정렬 방법
KR102375197B1 (ko) 노광 장치 및 노광 방법
KR20170128601A (ko) 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법, 및 노광 방법
KR20170128599A (ko) 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법, 및 노광 방법
JPH10247617A (ja) 投影露光方法及び投影露光装置
KR102560814B1 (ko) 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법, 및 노광 방법
JP6131607B2 (ja) 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
TWI732502B (zh) 遮罩對準標記、遮罩對準系統、光刻裝置及其方法
US10088756B2 (en) Lithographic apparatus and method
JPH08195335A (ja) 露光方法及び露光装置
KR101161882B1 (ko) 마스크리스 노광기장치 및 그 정렬방법
JP6701597B2 (ja) 露光装置、露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
WO2018043257A1 (ja) 露光装置及び露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant