JP2003151880A - 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法Info
- Publication number
- JP2003151880A JP2003151880A JP2001346697A JP2001346697A JP2003151880A JP 2003151880 A JP2003151880 A JP 2003151880A JP 2001346697 A JP2001346697 A JP 2001346697A JP 2001346697 A JP2001346697 A JP 2001346697A JP 2003151880 A JP2003151880 A JP 2003151880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- mask
- light
- pattern
- photosensitive substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 分割パターンを継ぎ露光する際、感光基板に
形成されるパターンの大きさを任意に設定できるととも
に、マスク上におけるパターンの分割位置を任意に設定
できる露光装置を提供する。 【解決手段】 走査型露光装置は、感光基板Ｐ上におけ
る投影領域５０の走査方向の幅を設定する視野絞りと、
非走査方向の幅を設定する遮光板と、非走査方向に移動
可能で且つパターン像の継ぎ部を設定するとともに、照
射領域の周辺に向かうに従い継ぎ部での積算露光量をほ
ぼ連続的に減衰させるブラインド３０とを備えている。
形成されるパターンの大きさを任意に設定できるととも
に、マスク上におけるパターンの分割位置を任意に設定
できる露光装置を提供する。 【解決手段】 走査型露光装置は、感光基板Ｐ上におけ
る投影領域５０の走査方向の幅を設定する視野絞りと、
非走査方向の幅を設定する遮光板と、非走査方向に移動
可能で且つパターン像の継ぎ部を設定するとともに、照
射領域の周辺に向かうに従い継ぎ部での積算露光量をほ
ぼ連続的に減衰させるブラインド３０とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクと感光基板
とを同期移動してマスクのパターンを感光基板に露光す
る走査型の露光装置及び露光方法に関し、特に、感光基
板上で隣り合うパターンの一部を重複して露光する露光
装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法に関するも
のである。
とを同期移動してマスクのパターンを感光基板に露光す
る走査型の露光装置及び露光方法に関し、特に、感光基
板上で隣り合うパターンの一部を重複して露光する露光
装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示デバイスや半導体デバイスは、
マスク上に形成されたパターンを感光基板上に転写す
る、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造され
る。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置
は、感光基板を載置して２次元移動する基板ステージと
パターンを有するマスクを載置して２次元移動するマス
クステージとを有し、マスク上に形成されたパターンを
マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながら投
影光学系を介して感光基板に転写するものである。そし
て、露光装置としては、感光基板上にマスクのパターン
全体を同時に転写する一括型露光装置と、マスクステー
ジと基板ステージとを同期走査しつつマスクのパターン
を連続的に感光基板上に転写する走査型露光装置との２
種類が主に知られている。このうち、液晶表示デバイス
を製造する際には、表示領域の大型化の要求から走査型
露光装置が主に用いられている。
マスク上に形成されたパターンを感光基板上に転写す
る、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造され
る。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置
は、感光基板を載置して２次元移動する基板ステージと
パターンを有するマスクを載置して２次元移動するマス
クステージとを有し、マスク上に形成されたパターンを
マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながら投
影光学系を介して感光基板に転写するものである。そし
て、露光装置としては、感光基板上にマスクのパターン
全体を同時に転写する一括型露光装置と、マスクステー
ジと基板ステージとを同期走査しつつマスクのパターン
を連続的に感光基板上に転写する走査型露光装置との２
種類が主に知られている。このうち、液晶表示デバイス
を製造する際には、表示領域の大型化の要求から走査型
露光装置が主に用いられている。
【０００３】走査型露光装置には、複数の投影光学系
を、隣り合う投影領域が走査方向で所定量変位するよう
に、且つ隣り合う投影領域の端部どうしが走査方向と直
交する方向に重複するように配置した、いわゆるマルチ
レンズ方式の走査型露光装置（マルチレンズスキャン型
露光装置）がある。マルチレンズ方式の走査型露光装置
は、良好な結像特性を維持しつつ、装置を大型化せずに
大きな露光領域を得ることができる。上記走査型露光装
置における各投影光学系の視野絞りは、例えば台形形状
で、走査方向の視野絞りの開口幅の合計は常に等しくな
るように設定されている。そのため、隣り合う投影光学
系の継ぎ部が重複して露光されるので、上記走査型露光
装置は、投影光学系の光学収差や露光照度が滑らかに変
化するという利点を有している。
を、隣り合う投影領域が走査方向で所定量変位するよう
に、且つ隣り合う投影領域の端部どうしが走査方向と直
交する方向に重複するように配置した、いわゆるマルチ
レンズ方式の走査型露光装置（マルチレンズスキャン型
露光装置）がある。マルチレンズ方式の走査型露光装置
は、良好な結像特性を維持しつつ、装置を大型化せずに
大きな露光領域を得ることができる。上記走査型露光装
置における各投影光学系の視野絞りは、例えば台形形状
で、走査方向の視野絞りの開口幅の合計は常に等しくな
るように設定されている。そのため、隣り合う投影光学
系の継ぎ部が重複して露光されるので、上記走査型露光
装置は、投影光学系の光学収差や露光照度が滑らかに変
化するという利点を有している。
【０００４】そして、走査型露光装置においては、マス
クと感光基板とを同期移動して走査露光を行った後に、
これらマスクと感光基板とを走査方向と直交する方向に
ステップ移動し、複数回の走査露光を行ってパターンの
一部を重複させて露光し、これらパターンを継ぎ合わせ
て合成することにより、大きな表示領域を有する液晶表
示デバイスを製造している。
クと感光基板とを同期移動して走査露光を行った後に、
これらマスクと感光基板とを走査方向と直交する方向に
ステップ移動し、複数回の走査露光を行ってパターンの
一部を重複させて露光し、これらパターンを継ぎ合わせ
て合成することにより、大きな表示領域を有する液晶表
示デバイスを製造している。
【０００５】走査露光とステップ移動とを繰り返すこと
により感光基板上でパターン合成を行う方法としては、
例えば、マスクに複数の分割パターンを形成しておき、
これら分割パターンを感光基板上で継ぎ合わせる方法
や、マスクのパターン像を複数の投影領域に分割し、こ
れら分割した投影領域を感光基板上で継ぎ合わせる方法
などがある。前者の方法は、例えば図２５に示すよう
に、マスクＭに３つの分割パターンＰａ、Ｐｂ、Ｐｃを
形成しておき、これら各分割パターンＰａ、Ｐｂ、Ｐｃ
を感光基板Ｐに順次露光し、感光基板Ｐ上で継ぎ合わせ
る方法である。
により感光基板上でパターン合成を行う方法としては、
例えば、マスクに複数の分割パターンを形成しておき、
これら分割パターンを感光基板上で継ぎ合わせる方法
や、マスクのパターン像を複数の投影領域に分割し、こ
れら分割した投影領域を感光基板上で継ぎ合わせる方法
などがある。前者の方法は、例えば図２５に示すよう
に、マスクＭに３つの分割パターンＰａ、Ｐｂ、Ｐｃを
形成しておき、これら各分割パターンＰａ、Ｐｂ、Ｐｃ
を感光基板Ｐに順次露光し、感光基板Ｐ上で継ぎ合わせ
る方法である。
【０００６】一方、後者の方法は、例えば図２６に示す
ように、マスクＭに形成されているパターンに対する露
光光の照射領域を走査露光毎に変更し、これら照射領域
に対応する投影領域で感光基板Ｐ上に順次走査露光し、
パターン合成を行うものである。ここで、投影光学系は
５つ設けられ、図２６（ａ）に示すように、それぞれの
投影領域１００ａ〜１００ｅは台形形状に設定されてお
り、走査方向（Ｘ方向）の積算露光量が常に等しくなる
ように、それぞれの端部をＹ方向に重ね合わせるように
配置され、Ｘ方向の投影領域の幅の総計が等しくなるよ
うに設定されている。そして、感光基板Ｐにパターンを
露光する際には、複数の投影領域１００ａ〜１００ｅの
うち、所定の投影領域に対応する光路をシャッタで遮光
してマスクＭの所定の領域のみが露光光で照射されるよ
うにし、複数回の走査露光において投影領域の端部どう
しが重複するように露光する。具体的には、図２６
（ｂ）に示すように、一回目の走査露光における投影領
域１００ｄの−Ｙ側の端部ａ１と、二回目の走査露光に
おける投影領域１００ｂの＋Ｙ側の端部ａ２とが重複す
るように露光される。同様に、二回目の走査露光におけ
る投影領域１００ｃの−Ｙ側の端部ａ３と、三回目の走
査露光における投影領域１００ｂの＋Ｙ側の端部ａ４と
が重複するように露光される。このとき、一回目の走査
露光においては投影領域１００ｅが遮光され、二回目の
走査露光においては投影領域１００ａ、１００ｄ、１０
０ｅが遮光され、三回目の走査露光においては投影領域
１００ａが遮光される。
ように、マスクＭに形成されているパターンに対する露
光光の照射領域を走査露光毎に変更し、これら照射領域
に対応する投影領域で感光基板Ｐ上に順次走査露光し、
パターン合成を行うものである。ここで、投影光学系は
５つ設けられ、図２６（ａ）に示すように、それぞれの
投影領域１００ａ〜１００ｅは台形形状に設定されてお
り、走査方向（Ｘ方向）の積算露光量が常に等しくなる
ように、それぞれの端部をＹ方向に重ね合わせるように
配置され、Ｘ方向の投影領域の幅の総計が等しくなるよ
うに設定されている。そして、感光基板Ｐにパターンを
露光する際には、複数の投影領域１００ａ〜１００ｅの
うち、所定の投影領域に対応する光路をシャッタで遮光
してマスクＭの所定の領域のみが露光光で照射されるよ
うにし、複数回の走査露光において投影領域の端部どう
しが重複するように露光する。具体的には、図２６
（ｂ）に示すように、一回目の走査露光における投影領
域１００ｄの−Ｙ側の端部ａ１と、二回目の走査露光に
おける投影領域１００ｂの＋Ｙ側の端部ａ２とが重複す
るように露光される。同様に、二回目の走査露光におけ
る投影領域１００ｃの−Ｙ側の端部ａ３と、三回目の走
査露光における投影領域１００ｂの＋Ｙ側の端部ａ４と
が重複するように露光される。このとき、一回目の走査
露光においては投影領域１００ｅが遮光され、二回目の
走査露光においては投影領域１００ａ、１００ｄ、１０
０ｅが遮光され、三回目の走査露光においては投影領域
１００ａが遮光される。
【０００７】ここで、一回目の走査露光によって感光基
板Ｐ上に形成される分割パターンのＹ方向の長さＬ１２
は、投影領域１００ａの短辺の＋Ｙ方向端点と投影領域
１００ｄの長辺の−Ｙ方向端点との間のＹ方向における
距離である。二回目の走査露光によって感光基板Ｐ上に
形成される分割パターンのＹ方向の長さＬ１３は、投影
領域１００ｂの長辺の＋Ｙ方向端点と投影領域１００ｃ
の長辺の−Ｙ方向端点との間のＹ方向における距離であ
る。三回目の走査露光によって感光基板Ｐ上に形成され
る分割パターンのＹ方向の長さＬ１４は、投影領域１０
０ｂの長辺の＋Ｙ方向端点と投影領域１００ｅの短辺の
−Ｙ方向端点との間のＹ方向における距離である。この
ように、それぞれの分割パターンのサイズ（Ｙ方向の長
さＬ１２、Ｌ１３、Ｌ１４）は、台形形状の投影領域の
長辺及び短辺のサイズに基づくものである。
板Ｐ上に形成される分割パターンのＹ方向の長さＬ１２
は、投影領域１００ａの短辺の＋Ｙ方向端点と投影領域
１００ｄの長辺の−Ｙ方向端点との間のＹ方向における
距離である。二回目の走査露光によって感光基板Ｐ上に
形成される分割パターンのＹ方向の長さＬ１３は、投影
領域１００ｂの長辺の＋Ｙ方向端点と投影領域１００ｃ
の長辺の−Ｙ方向端点との間のＹ方向における距離であ
る。三回目の走査露光によって感光基板Ｐ上に形成され
る分割パターンのＹ方向の長さＬ１４は、投影領域１０
０ｂの長辺の＋Ｙ方向端点と投影領域１００ｅの短辺の
−Ｙ方向端点との間のＹ方向における距離である。この
ように、それぞれの分割パターンのサイズ（Ｙ方向の長
さＬ１２、Ｌ１３、Ｌ１４）は、台形形状の投影領域の
長辺及び短辺のサイズに基づくものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の走査型露光方法及び走査型露光装置に
は、以下のような問題が存在する。図２５に示した方法
では、マスクＭ上に複数の独立した分割パターンを形成
するため、マスクＭ上におけるパターン構成に制約があ
る。更に、分割パターン毎に走査露光を行うため、走査
露光回数が増加し、スループットが低下する。
たような従来の走査型露光方法及び走査型露光装置に
は、以下のような問題が存在する。図２５に示した方法
では、マスクＭ上に複数の独立した分割パターンを形成
するため、マスクＭ上におけるパターン構成に制約があ
る。更に、分割パターン毎に走査露光を行うため、走査
露光回数が増加し、スループットが低下する。
【０００９】また、図２６に示した方法では、複数回の
走査露光によってパターン合成を行う際、上述したよう
に、それぞれの分割パターンのサイズ（Ｙ方向の長さＬ
１２、Ｌ１３、Ｌ１４）は、台形形状の投影領域の長辺
及び短辺のサイズに基づくものである。すなわち、図２
６に示した方法では、感光基板Ｐ上に形成されるパター
ンの大きさは投影領域の大きさ、ひいては視野絞りの大
きさ（形状）によって限定されてしまう。更に、分割パ
ターンの継ぎ合わせは、台形形状の投影領域の端部のみ
において行われるので、パターンの分割位置も限定され
る。このように、従来の方法では、パターンの分割位置
や、感光基板Ｐ上に形成されるパターンの大きさが限定
されてしまい、任意のデバイス作成が困難となる。
走査露光によってパターン合成を行う際、上述したよう
に、それぞれの分割パターンのサイズ（Ｙ方向の長さＬ
１２、Ｌ１３、Ｌ１４）は、台形形状の投影領域の長辺
及び短辺のサイズに基づくものである。すなわち、図２
６に示した方法では、感光基板Ｐ上に形成されるパター
ンの大きさは投影領域の大きさ、ひいては視野絞りの大
きさ（形状）によって限定されてしまう。更に、分割パ
ターンの継ぎ合わせは、台形形状の投影領域の端部のみ
において行われるので、パターンの分割位置も限定され
る。このように、従来の方法では、パターンの分割位置
や、感光基板Ｐ上に形成されるパターンの大きさが限定
されてしまい、任意のデバイス作成が困難となる。
【００１０】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、分割パターンの一部を重複させつつ感光基板上
で継ぎ合わせて露光する際、感光基板に形成されるパタ
ーンの大きさを任意に設定できるとともに、マスク上に
おけるパターンの分割位置を任意に設定でき、効率良い
デバイス製造を実現できる露光装置及び露光方法、並び
にデバイス製造方法を提供することを目的とする。
もので、分割パターンの一部を重複させつつ感光基板上
で継ぎ合わせて露光する際、感光基板に形成されるパタ
ーンの大きさを任意に設定できるとともに、マスク上に
おけるパターンの分割位置を任意に設定でき、効率良い
デバイス製造を実現できる露光装置及び露光方法、並び
にデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明は、実施の形態に示す図１〜図２４に対応付け
した以下の構成を採用している。本発明の露光装置（Ｅ
Ｘ）は、マスク（Ｍ）を光ビーム（ＥＬ）で照射する照
明光学系（ＩＬ）と、マスク（Ｍ）を載置するマスクス
テージ（ＭＳＴ）と、マスク（Ｍ）のパターン（４４，
４５ａ，４５ｂ，４６，４７）を露光するための感光基
板（Ｐ）を載置する基板ステージ（ＰＳＴ）とを有し、
光ビーム（ＥＬ）に対してマスク（Ｍ）と感光基板
（Ｐ）とを同期移動して走査露光し、マスク（Ｍ）のパ
ターン像（５０ａ〜５０ｇ，６２，６３）の一部が重複
して露光されるように複数回の走査露光に分けて感光基
板（Ｐ）にパターンの継ぎ露光を行う露光装置におい
て、感光基板（Ｐ）上に照明されるパターン像（５０ａ
〜５０ｇ）の走査方向（Ｘ）の幅（Ｌｘ）を設定する視
野絞り（２０）と、パターン像（５０ａ〜５０ｇ）の走
査方向と直交する方向（Ｙ）の幅（Ｌｙ）を設定する第
１の遮光板（４０）と、走査方向と直交する方向（Ｙ）
に移動可能で且つパターン像の重複する領域（４８，４
９，６４）を設定するとともに、照射する領域の周辺に
向かうに従い重複して露光される領域（４８，４９，６
６）での積算露光量をほぼ連続的に減衰させる第２の遮
光板（３０）とを備えたことを特徴とする。
め本発明は、実施の形態に示す図１〜図２４に対応付け
した以下の構成を採用している。本発明の露光装置（Ｅ
Ｘ）は、マスク（Ｍ）を光ビーム（ＥＬ）で照射する照
明光学系（ＩＬ）と、マスク（Ｍ）を載置するマスクス
テージ（ＭＳＴ）と、マスク（Ｍ）のパターン（４４，
４５ａ，４５ｂ，４６，４７）を露光するための感光基
板（Ｐ）を載置する基板ステージ（ＰＳＴ）とを有し、
光ビーム（ＥＬ）に対してマスク（Ｍ）と感光基板
（Ｐ）とを同期移動して走査露光し、マスク（Ｍ）のパ
ターン像（５０ａ〜５０ｇ，６２，６３）の一部が重複
して露光されるように複数回の走査露光に分けて感光基
板（Ｐ）にパターンの継ぎ露光を行う露光装置におい
て、感光基板（Ｐ）上に照明されるパターン像（５０ａ
〜５０ｇ）の走査方向（Ｘ）の幅（Ｌｘ）を設定する視
野絞り（２０）と、パターン像（５０ａ〜５０ｇ）の走
査方向と直交する方向（Ｙ）の幅（Ｌｙ）を設定する第
１の遮光板（４０）と、走査方向と直交する方向（Ｙ）
に移動可能で且つパターン像の重複する領域（４８，４
９，６４）を設定するとともに、照射する領域の周辺に
向かうに従い重複して露光される領域（４８，４９，６
６）での積算露光量をほぼ連続的に減衰させる第２の遮
光板（３０）とを備えたことを特徴とする。
【００１２】本発明によれば、視野絞り及び第１の遮光
板によって、感光基板上におけるパターン像の走査方向
及び走査方向と直交する方向の幅を設定し、この設定さ
れたパターン像を感光基板上で継ぎ合わせる際、第２の
遮光板を光路上に配置し、走査方向と直交する方向に移
動することにより、第２の遮光板によってマスクに対す
る光ビームの照射する領域（照明光学系の照射領域）を
任意に設定できる。したがって、パターンの継ぎ部分、
すなわち、マスクのパターンの分割位置を任意に設定で
きるので、感光基板に形成されるパターンの大きさを任
意に設定できる。また、第２の遮光板は走査方向と直交
する方向に移動可能に設けられ、照射する領域（照明光
学系の照射領域）の周辺に向かうに従いパターンの重複
領域での積算露光量をほぼ連続的に減衰させる減光特性
を有するので、重複領域における露光量を所望の値に設
定でき、重複領域と重複領域以外との露光量を一致させ
ることができる。したがって、精度良い露光処理を行う
ことができる。また、視野絞りに対して第２の遮光板を
移動することにより、感光基板に対する光ビームの照明
領域（投影光学系を備えた露光装置の場合は投影領域）
の大きさや形状を任意に設定できるので、継ぎ露光する
際の継ぎ合わせ精度の向上や、露光量の均一化を実現で
きる。
板によって、感光基板上におけるパターン像の走査方向
及び走査方向と直交する方向の幅を設定し、この設定さ
れたパターン像を感光基板上で継ぎ合わせる際、第２の
遮光板を光路上に配置し、走査方向と直交する方向に移
動することにより、第２の遮光板によってマスクに対す
る光ビームの照射する領域（照明光学系の照射領域）を
任意に設定できる。したがって、パターンの継ぎ部分、
すなわち、マスクのパターンの分割位置を任意に設定で
きるので、感光基板に形成されるパターンの大きさを任
意に設定できる。また、第２の遮光板は走査方向と直交
する方向に移動可能に設けられ、照射する領域（照明光
学系の照射領域）の周辺に向かうに従いパターンの重複
領域での積算露光量をほぼ連続的に減衰させる減光特性
を有するので、重複領域における露光量を所望の値に設
定でき、重複領域と重複領域以外との露光量を一致させ
ることができる。したがって、精度良い露光処理を行う
ことができる。また、視野絞りに対して第２の遮光板を
移動することにより、感光基板に対する光ビームの照明
領域（投影光学系を備えた露光装置の場合は投影領域）
の大きさや形状を任意に設定できるので、継ぎ露光する
際の継ぎ合わせ精度の向上や、露光量の均一化を実現で
きる。
【００１３】本発明の露光方法は、マスク（Ｍ）を光ビ
ーム（ＥＬ）で照射するとともに、光ビーム（ＥＬ）に
対してマスク（Ｍ）と感光基板（Ｐ）とを同期して走査
露光し、マスク（Ｍ）のパターン像（５０ａ〜５０ｇ，
６２，６３）の一部が重複して露光されるように複数回
の走査露光に分けて感光基板（Ｐ）にパターン合成を行
う継ぎ露光方法において、感光基板（Ｐ）上に照明され
るパターン像（５０ａ〜５０ｇ）の走査方向（Ｘ）の幅
（Ｌｘ）を視野絞り（２０）により設定し、パターン像
（５０ａ〜５０ｇ）の走査方向と直交する方向（Ｙ）の
幅（Ｌｙ）を視野絞り（２０）とは異なる第１の遮光板
（４０）により設定し、照射する領域の周辺に向かうに
従い重複領域（４８，４９，６４）の照射光量をほぼ連
続的に減衰させるとともに、パターン像（５０ａ〜５０
ｇ，６２，６３）の走査方向と直交する方向（Ｙ）に移
動可能に設けられた第２の遮光板（３０）を、継ぎ露光
を行う領域（４８，４９，６４）に合わせて設定するこ
とを特徴とする。
ーム（ＥＬ）で照射するとともに、光ビーム（ＥＬ）に
対してマスク（Ｍ）と感光基板（Ｐ）とを同期して走査
露光し、マスク（Ｍ）のパターン像（５０ａ〜５０ｇ，
６２，６３）の一部が重複して露光されるように複数回
の走査露光に分けて感光基板（Ｐ）にパターン合成を行
う継ぎ露光方法において、感光基板（Ｐ）上に照明され
るパターン像（５０ａ〜５０ｇ）の走査方向（Ｘ）の幅
（Ｌｘ）を視野絞り（２０）により設定し、パターン像
（５０ａ〜５０ｇ）の走査方向と直交する方向（Ｙ）の
幅（Ｌｙ）を視野絞り（２０）とは異なる第１の遮光板
（４０）により設定し、照射する領域の周辺に向かうに
従い重複領域（４８，４９，６４）の照射光量をほぼ連
続的に減衰させるとともに、パターン像（５０ａ〜５０
ｇ，６２，６３）の走査方向と直交する方向（Ｙ）に移
動可能に設けられた第２の遮光板（３０）を、継ぎ露光
を行う領域（４８，４９，６４）に合わせて設定するこ
とを特徴とする。
【００１４】本発明によれば、視野絞り及び第１の遮光
板によって、感光基板上におけるパターン像の走査方向
及び走査方向と直交する方向の幅を設定できる。そし
て、この設定されたパターン像を感光基板上で継ぎ合わ
せる際、継ぎ露光を行う領域に合わせて第２の遮光板を
設定することにより、マスクに対して光ビームを照射す
る領域（照明光学系の照射領域）を任意に設定できるの
で、パターンの継ぎ部分、すなわち、マスクのパターン
の分割位置を任意に設定できる。したがって、感光基板
に形成されるパターンの大きさを任意に設定でき、大き
なパターンを形成できる。そして、第２の遮光板は、パ
ターンの重複領域での照射光量をほぼ連続的に減衰させ
る減光特性を有するので、重複領域における露光量を所
望の値に設定できる。したがって、重複領域と重複領域
以外とのそれぞれの露光量を一致させることができ、精
度良い露光処理を行うことができる。
板によって、感光基板上におけるパターン像の走査方向
及び走査方向と直交する方向の幅を設定できる。そし
て、この設定されたパターン像を感光基板上で継ぎ合わ
せる際、継ぎ露光を行う領域に合わせて第２の遮光板を
設定することにより、マスクに対して光ビームを照射す
る領域（照明光学系の照射領域）を任意に設定できるの
で、パターンの継ぎ部分、すなわち、マスクのパターン
の分割位置を任意に設定できる。したがって、感光基板
に形成されるパターンの大きさを任意に設定でき、大き
なパターンを形成できる。そして、第２の遮光板は、パ
ターンの重複領域での照射光量をほぼ連続的に減衰させ
る減光特性を有するので、重複領域における露光量を所
望の値に設定できる。したがって、重複領域と重複領域
以外とのそれぞれの露光量を一致させることができ、精
度良い露光処理を行うことができる。
【００１５】本発明のデバイス製造方法は、マスク
（Ｍ）を光ビーム（ＥＬ）で照射するとともに、光ビー
ム（ＥＬ）に対してマスク（Ｍ）とガラス基板（Ｐ）と
を同期移動して走査露光する露光装置（ＥＸ）を用い、
マスク（Ｍ）のパターンの一部を継ぎ合わせて合成し
て、マスク（Ｍ）の連続したパターン領域（４６，４
７）よりも大きい液晶デバイスを製造するデバイス製造
方法において、ガラス基板（Ｐ）にマスク（Ｍ）のパタ
ーンの配置及び継ぎ合わせを行うパターンの継ぎ合わせ
位置の情報をレシピとして露光装置（ＥＸ）に設定し、
レシピに応じて、露光するマスク（Ｍ）のパターンに合
わせて露光光（ＥＬ）を照射するための照射領域を設定
するとともに、照射領域の一辺に位置する継ぎ合わせ位
置に設けられたマスク（Ｍ）のパターン（４８）に対し
て、継ぎ合わせ露光するための遮光板（３０）を位置合
わせして露光し、露光の後に、ガラス基板（Ｐ）を、走
査露光する方向と直交する方向（Ｙ）に移動させ、ガラ
ス基板（Ｐ）に対して露光された領域と一部重複する位
置に、露光するマスク（Ｍ）のパターンに合わせて露光
光を照射するための照射領域を設定するとともに、照射
領域の一辺に位置する継ぎ合わせ位置に設けられたマス
ク（Ｍ）のパターン（４９）に対して、継ぎ合わせ露光
するための遮光板（３０）を位置合わせして露光するこ
とを特徴とする。
（Ｍ）を光ビーム（ＥＬ）で照射するとともに、光ビー
ム（ＥＬ）に対してマスク（Ｍ）とガラス基板（Ｐ）と
を同期移動して走査露光する露光装置（ＥＸ）を用い、
マスク（Ｍ）のパターンの一部を継ぎ合わせて合成し
て、マスク（Ｍ）の連続したパターン領域（４６，４
７）よりも大きい液晶デバイスを製造するデバイス製造
方法において、ガラス基板（Ｐ）にマスク（Ｍ）のパタ
ーンの配置及び継ぎ合わせを行うパターンの継ぎ合わせ
位置の情報をレシピとして露光装置（ＥＸ）に設定し、
レシピに応じて、露光するマスク（Ｍ）のパターンに合
わせて露光光（ＥＬ）を照射するための照射領域を設定
するとともに、照射領域の一辺に位置する継ぎ合わせ位
置に設けられたマスク（Ｍ）のパターン（４８）に対し
て、継ぎ合わせ露光するための遮光板（３０）を位置合
わせして露光し、露光の後に、ガラス基板（Ｐ）を、走
査露光する方向と直交する方向（Ｙ）に移動させ、ガラ
ス基板（Ｐ）に対して露光された領域と一部重複する位
置に、露光するマスク（Ｍ）のパターンに合わせて露光
光を照射するための照射領域を設定するとともに、照射
領域の一辺に位置する継ぎ合わせ位置に設けられたマス
ク（Ｍ）のパターン（４９）に対して、継ぎ合わせ露光
するための遮光板（３０）を位置合わせして露光するこ
とを特徴とする。
【００１６】本発明によれば、パターンどうしを継ぎ合
わせて露光する際、マスクのパターンの継ぎ合わせ位置
（分割位置）の情報を予めレシピとして露光装置に設定
し、このレシピに応じて、継ぎ合わせ露光するための第
１の走査露光時に、前記継ぎ合わせ位置に遮光板を位置
合わせして露光し、第１の走査露光後、ガラス基板を走
査方向と直交する方向にステップ移動し、第２の走査露
光時に、継ぎ合わせ位置に遮光板を位置合わせして露光
することにより、第１の走査露光時及び第２の走査露光
時における遮光板の位置をそれぞれ調整するだけで、マ
スクのパターンを分割してガラス基板上で継ぎ合わせる
ことができる。このように、遮光板の位置を調整するだ
けで継ぎ合わせ位置を設定することができるので、継ぎ
合わせ精度は向上し、所望の性能を有するデバイスを製
造することができる。
わせて露光する際、マスクのパターンの継ぎ合わせ位置
（分割位置）の情報を予めレシピとして露光装置に設定
し、このレシピに応じて、継ぎ合わせ露光するための第
１の走査露光時に、前記継ぎ合わせ位置に遮光板を位置
合わせして露光し、第１の走査露光後、ガラス基板を走
査方向と直交する方向にステップ移動し、第２の走査露
光時に、継ぎ合わせ位置に遮光板を位置合わせして露光
することにより、第１の走査露光時及び第２の走査露光
時における遮光板の位置をそれぞれ調整するだけで、マ
スクのパターンを分割してガラス基板上で継ぎ合わせる
ことができる。このように、遮光板の位置を調整するだ
けで継ぎ合わせ位置を設定することができるので、継ぎ
合わせ精度は向上し、所望の性能を有するデバイスを製
造することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の露光装置及び露光
方法、並びにデバイス製造方法について図面を参照しな
がら説明する。図１は本発明の露光装置の一実施形態を
示す概略斜視図、図２は露光装置の概略構成図である。
方法、並びにデバイス製造方法について図面を参照しな
がら説明する。図１は本発明の露光装置の一実施形態を
示す概略斜視図、図２は露光装置の概略構成図である。
【００１８】図１及び図２において、露光装置ＥＸは、
マスクＭを載置するマスクステージＭＳＴと、マスクス
テージＭＳＴに載置されているマスクＭを露光光（光ビ
ーム）ＥＬで照射する照明光学系ＩＬと、マスクＭに形
成されているパターンを露光するための感光基板Ｐを載
置する基板ステージＰＳＴと、照明光学系ＩＬにより露
光光で照射されたマスクＭのパターン像を基板ステージ
ＰＳＴに投影露光する投影光学系ＰＬとを備えている。
照明光学系ＩＬは複数（本実施形態では７つ）の照明系
モジュールＩＭ（ＩＭａ〜ＩＭｇ）を有している。ま
た、投影光学系ＰＬも、照明系モジュールＩＭの数に対
応して複数（本実施形態では７つ）の投影光学系ＰＬａ
〜ＰＬｇを有している。投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇのそ
れぞれは、照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇのそれぞれ
に対応して配置されている。感光基板Ｐはガラスプレー
ト（ガラス基板）に感光剤（フォトレジスト）を塗布し
たものである。
マスクＭを載置するマスクステージＭＳＴと、マスクス
テージＭＳＴに載置されているマスクＭを露光光（光ビ
ーム）ＥＬで照射する照明光学系ＩＬと、マスクＭに形
成されているパターンを露光するための感光基板Ｐを載
置する基板ステージＰＳＴと、照明光学系ＩＬにより露
光光で照射されたマスクＭのパターン像を基板ステージ
ＰＳＴに投影露光する投影光学系ＰＬとを備えている。
照明光学系ＩＬは複数（本実施形態では７つ）の照明系
モジュールＩＭ（ＩＭａ〜ＩＭｇ）を有している。ま
た、投影光学系ＰＬも、照明系モジュールＩＭの数に対
応して複数（本実施形態では７つ）の投影光学系ＰＬａ
〜ＰＬｇを有している。投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇのそ
れぞれは、照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇのそれぞれ
に対応して配置されている。感光基板Ｐはガラスプレー
ト（ガラス基板）に感光剤（フォトレジスト）を塗布し
たものである。
【００１９】露光装置ＥＸは、露光光ＥＬに対してマス
クＭと感光基板Ｐとを同期移動して走査露光する走査型
露光装置であり、以下の説明において、投影光学系ＰＬ
の光軸方向をＺ方向とし、Ｚ方向に垂直な方向でマスク
Ｍ及び感光基板Ｐの同期移動方向（走査方向）をＸ方向
とし、Ｚ方向及びＸ方向（走査方向）と直交する方向
（非走査方向）をＹ方向とする。
クＭと感光基板Ｐとを同期移動して走査露光する走査型
露光装置であり、以下の説明において、投影光学系ＰＬ
の光軸方向をＺ方向とし、Ｚ方向に垂直な方向でマスク
Ｍ及び感光基板Ｐの同期移動方向（走査方向）をＸ方向
とし、Ｚ方向及びＸ方向（走査方向）と直交する方向
（非走査方向）をＹ方向とする。
【００２０】そして、露光装置ＥＸは、後で詳述するよ
うに、投影光学系ＰＬに設けられ、感光基板Ｐ上に照明
されるマスクＭのパターン像の走査方向（Ｘ方向）の幅
を設定する視野絞り２０と、投影光学系ＰＬのうち視野
絞り２０とほぼ同じ位置に設けられ、感光基板Ｐ上に照
明されるマスクＭのパターン像の非走査方向（Ｙ方向）
の幅を設定する遮光板（第１の遮光板）４０と、照明光
学系ＩＬに設けられ、非走査方向（Ｙ方向）に移動可能
に設けられたブラインド（第２の遮光板）３０とを備え
ている。
うに、投影光学系ＰＬに設けられ、感光基板Ｐ上に照明
されるマスクＭのパターン像の走査方向（Ｘ方向）の幅
を設定する視野絞り２０と、投影光学系ＰＬのうち視野
絞り２０とほぼ同じ位置に設けられ、感光基板Ｐ上に照
明されるマスクＭのパターン像の非走査方向（Ｙ方向）
の幅を設定する遮光板（第１の遮光板）４０と、照明光
学系ＩＬに設けられ、非走査方向（Ｙ方向）に移動可能
に設けられたブラインド（第２の遮光板）３０とを備え
ている。
【００２１】図２に示すように、照明光学系ＩＬは、超
高圧水銀ランプ等からなる光源１と、光源１から射出さ
れた光束を集光する楕円鏡１ａと、この楕円鏡１ａによ
って集光された光束のうち露光に必要な波長の光束を反
射し、その他の波長の光束を透過させるダイクロイック
ミラー２と、ダイクロイックミラー２で反射した光束の
うち更に露光に必要な波長（通常は、ｇ、ｈ、ｉ線のう
ち少なくとも１つの帯域）のみを通過させる波長選択フ
ィルタ３と、波長選択フィルタ３からの光束を複数本
（本実施形態では７本）に分岐して、反射ミラー５を介
して各照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇに入射させるラ
イトガイド４とを備えている。
高圧水銀ランプ等からなる光源１と、光源１から射出さ
れた光束を集光する楕円鏡１ａと、この楕円鏡１ａによ
って集光された光束のうち露光に必要な波長の光束を反
射し、その他の波長の光束を透過させるダイクロイック
ミラー２と、ダイクロイックミラー２で反射した光束の
うち更に露光に必要な波長（通常は、ｇ、ｈ、ｉ線のう
ち少なくとも１つの帯域）のみを通過させる波長選択フ
ィルタ３と、波長選択フィルタ３からの光束を複数本
（本実施形態では７本）に分岐して、反射ミラー５を介
して各照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇに入射させるラ
イトガイド４とを備えている。
【００２２】照明系モジュールＩＭは複数（本実施形態
ではＩＭａ〜ＩＭｇの７つ）配置されており（但し、図
２においては、便宜上照明系モジュールＩＭｇに対応す
るもののみ示している）、照明光学系ＩＭａ〜ＩＭｇの
それぞれは、Ｘ方向とＹ方向とに一定の間隔を持って配
置されている。そして、これら複数の照明系モジュール
ＩＭａ〜ＩＭｇのそれぞれから射出した露光光ＥＬは、
マスクＭ上の異なる小領域（照明光学系の照射領域）を
それぞれ照明する。
ではＩＭａ〜ＩＭｇの７つ）配置されており（但し、図
２においては、便宜上照明系モジュールＩＭｇに対応す
るもののみ示している）、照明光学系ＩＭａ〜ＩＭｇの
それぞれは、Ｘ方向とＹ方向とに一定の間隔を持って配
置されている。そして、これら複数の照明系モジュール
ＩＭａ〜ＩＭｇのそれぞれから射出した露光光ＥＬは、
マスクＭ上の異なる小領域（照明光学系の照射領域）を
それぞれ照明する。
【００２３】照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇのそれぞ
れは、照明シャッタ６と、リレーレンズ７と、オプティ
カルインテグレータとしてのフライアイレンズ８と、コ
ンデンサレンズ９とを備えている。照明シャッタ６は、
ライトガイド４の光路下流側に、光路に対して進退自在
に配置されている。照明シャッタ６は、光路を遮蔽した
ときにこの光路からの光束を遮光して、光路を解放した
ときに光束への遮光を解除する。照明シャッタ６には、
この照明シャッタ６を光束の光路に対して進退移動させ
るシャッタ駆動部６ａが接続されている。シャッタ駆動
部６ａは制御装置ＣＯＮＴによって制御される。
れは、照明シャッタ６と、リレーレンズ７と、オプティ
カルインテグレータとしてのフライアイレンズ８と、コ
ンデンサレンズ９とを備えている。照明シャッタ６は、
ライトガイド４の光路下流側に、光路に対して進退自在
に配置されている。照明シャッタ６は、光路を遮蔽した
ときにこの光路からの光束を遮光して、光路を解放した
ときに光束への遮光を解除する。照明シャッタ６には、
この照明シャッタ６を光束の光路に対して進退移動させ
るシャッタ駆動部６ａが接続されている。シャッタ駆動
部６ａは制御装置ＣＯＮＴによって制御される。
【００２４】また、照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇの
それぞれには光量調整機構１０が設けられている。この
光量調整機構１０は、光路毎に光束の照度を設定するこ
とによって各光路の露光量を調整するものであって、ハ
ーフミラー１１と、ディテクタ１２と、フィルタ１３
と、フィルタ駆動部１４とを備えている。ハーフミラー
１１は、フィルタ１３とリレーレンズ７との間の光路中
に配置され、フィルタ１３を透過した光束の一部をディ
テクタ１２へ入射させる。それぞれのディテクタ１２
は、常時、入射した光束の照度を独立して検出し、検出
した照度信号を制御装置ＣＯＮＴへ出力する。
それぞれには光量調整機構１０が設けられている。この
光量調整機構１０は、光路毎に光束の照度を設定するこ
とによって各光路の露光量を調整するものであって、ハ
ーフミラー１１と、ディテクタ１２と、フィルタ１３
と、フィルタ駆動部１４とを備えている。ハーフミラー
１１は、フィルタ１３とリレーレンズ７との間の光路中
に配置され、フィルタ１３を透過した光束の一部をディ
テクタ１２へ入射させる。それぞれのディテクタ１２
は、常時、入射した光束の照度を独立して検出し、検出
した照度信号を制御装置ＣＯＮＴへ出力する。
【００２５】図３に示すように、フィルタ１３は、ガラ
ス板１３ａ上にＣｒ等ですだれ状にパターンニングされ
たものであって、透過率がＹ方向に沿ってある範囲で線
形に漸次変化するように形成されており、各光路中の照
明シャッタ６とハーフミラー１１との間に配置されてい
る。
ス板１３ａ上にＣｒ等ですだれ状にパターンニングされ
たものであって、透過率がＹ方向に沿ってある範囲で線
形に漸次変化するように形成されており、各光路中の照
明シャッタ６とハーフミラー１１との間に配置されてい
る。
【００２６】これらハーフミラー１１、ディテクタ１２
及びフィルタ１３は、複数の光路毎にそれぞれ配設され
ている。フィルタ駆動部１４は、制御装置ＣＯＮＴの指
示に基づいてフィルタ１３をＹ方向に沿って移動する。
そして、フィルタ１３をフィルタ駆動部１４によって移
動することにより、各光路毎の光量が調整される。
及びフィルタ１３は、複数の光路毎にそれぞれ配設され
ている。フィルタ駆動部１４は、制御装置ＣＯＮＴの指
示に基づいてフィルタ１３をＹ方向に沿って移動する。
そして、フィルタ１３をフィルタ駆動部１４によって移
動することにより、各光路毎の光量が調整される。
【００２７】光量調整機構１０を透過した光束はリレー
レンズ７を介してフライアイレンズ８に達する。フライ
アイレンズ８は射出面側に二次光源を形成し、コンデン
サレンズ９を介してマスクＭの照射領域を均一な照度で
照射することができる。そして、コンデンサレンズ９を
通過した露光光ＥＬは、照明系モジュールのうち、直角
プリズム１６と、レンズ系１７と、凹面鏡１８とを備え
た反射屈折型光学系１５を通過した後、マスクＭを所定
の照射領域で照明する。マスクＭは、照明系モジュール
ＩＭａ〜ＩＭｇを透過した各露光光ＥＬによって異なる
照射領域でそれぞれ照明される。ここで、コンデンサレ
ンズ９と反射屈折型光学系１５との間には、ブラインド
駆動部３１によって非走査方向（Ｙ方向）に移動可能に
設けられたブラインド（第２の遮光板）３０が配置され
ている。ブラインドＢについては後述する。
レンズ７を介してフライアイレンズ８に達する。フライ
アイレンズ８は射出面側に二次光源を形成し、コンデン
サレンズ９を介してマスクＭの照射領域を均一な照度で
照射することができる。そして、コンデンサレンズ９を
通過した露光光ＥＬは、照明系モジュールのうち、直角
プリズム１６と、レンズ系１７と、凹面鏡１８とを備え
た反射屈折型光学系１５を通過した後、マスクＭを所定
の照射領域で照明する。マスクＭは、照明系モジュール
ＩＭａ〜ＩＭｇを透過した各露光光ＥＬによって異なる
照射領域でそれぞれ照明される。ここで、コンデンサレ
ンズ９と反射屈折型光学系１５との間には、ブラインド
駆動部３１によって非走査方向（Ｙ方向）に移動可能に
設けられたブラインド（第２の遮光板）３０が配置され
ている。ブラインドＢについては後述する。
【００２８】マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴ
は、一次元の走査露光を行うべくＸ方向に長いストロー
クと、走査方向と直交するＹ方向に所定距離のストロー
クとを有している。図２に示すように、マスクステージ
ＭＳＴは、このマスクステージＭＳＴをＸＹ方向に移動
するマスクステージ駆動部ＭＳＴＤを備えている。マス
クステージ駆動部ＭＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴによって
制御される。
は、一次元の走査露光を行うべくＸ方向に長いストロー
クと、走査方向と直交するＹ方向に所定距離のストロー
クとを有している。図２に示すように、マスクステージ
ＭＳＴは、このマスクステージＭＳＴをＸＹ方向に移動
するマスクステージ駆動部ＭＳＴＤを備えている。マス
クステージ駆動部ＭＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴによって
制御される。
【００２９】図１に示すように、マスクステージＭＳＴ
上のＸ方向及びＹ方向のそれぞれの端縁には、直交する
方向に移動鏡３２ａ、３２ｂがそれぞれ設置されてい
る。移動鏡３２ａには、レーザー干渉計３３ａが対向し
て配置されている。また、移動鏡３２ｂには、レーザー
干渉計３３ｂが対向して配置されている。これらレーザ
ー干渉計３３ａ、３３ｂのそれぞれは、移動鏡３２ａ、
３２ｂのそれぞれにレーザー光を射出しこれら移動鏡３
２ａ、３２ｂとの間の距離を計測することにより、マス
クステージＭＳＴのＸ方向及びＹ方向の位置、すなわ
ち、マスクＭの位置を高分解能、高精度に検出可能とな
っている。レーザー干渉計３３ａ、３３ｂの検出結果は
制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、
レーザー干渉計３３ａ、３３ｂの出力からマスクステー
ジＭＳＴの位置をモニタし、マスクステージ駆動部ＭＳ
ＴＤを制御することでマスクステージＭＳＴを所望の位
置へ移動する。
上のＸ方向及びＹ方向のそれぞれの端縁には、直交する
方向に移動鏡３２ａ、３２ｂがそれぞれ設置されてい
る。移動鏡３２ａには、レーザー干渉計３３ａが対向し
て配置されている。また、移動鏡３２ｂには、レーザー
干渉計３３ｂが対向して配置されている。これらレーザ
ー干渉計３３ａ、３３ｂのそれぞれは、移動鏡３２ａ、
３２ｂのそれぞれにレーザー光を射出しこれら移動鏡３
２ａ、３２ｂとの間の距離を計測することにより、マス
クステージＭＳＴのＸ方向及びＹ方向の位置、すなわ
ち、マスクＭの位置を高分解能、高精度に検出可能とな
っている。レーザー干渉計３３ａ、３３ｂの検出結果は
制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、
レーザー干渉計３３ａ、３３ｂの出力からマスクステー
ジＭＳＴの位置をモニタし、マスクステージ駆動部ＭＳ
ＴＤを制御することでマスクステージＭＳＴを所望の位
置へ移動する。
【００３０】マスクＭを透過した露光光ＥＬは、投影光
学系ＰＬ（ＰＬａ〜ＰＬｇ）にそれぞれ入射する。この
投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇは、マスクＭの照射範囲に存
在するパターン像を感光基板Ｐに結像させ、感光基板Ｐ
の特定領域にパターン像を投影露光するものであって、
各照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇに対応して配置され
ている。
学系ＰＬ（ＰＬａ〜ＰＬｇ）にそれぞれ入射する。この
投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇは、マスクＭの照射範囲に存
在するパターン像を感光基板Ｐに結像させ、感光基板Ｐ
の特定領域にパターン像を投影露光するものであって、
各照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇに対応して配置され
ている。
【００３１】図１に示すように、複数の投影光学系ＰＬ
ａ〜ＰＬｇのうち、投影光学系ＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬ
ｅ、ＰＬｇと投影光学系ＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆとが２
列に千鳥状に配列されている。すなわち、千鳥状に配置
されている各投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇは、隣合う投影
光学系どうし（例えば投影光学系ＰＬａとＰＬｂ、ＰＬ
ｂとＰＬｃ）をＸ方向に所定量変位させて配置されてい
る。これら各投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇは照明系モジュ
ールＩＭａ〜ＩＭｇから射出しマスクＭを透過した複数
の露光光ＥＬを透過させ、基板ステージＰＳＴに載置さ
れている感光基板ＰにマスクＭのパターン像を投影す
る。すなわち、各投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇを透過した
露光光ＥＬは、感光基板Ｐ上の異なる投影領域（照明領
域）にマスクＭの照射領域に対応したパターン像を所定
の結像特性で結像する。
ａ〜ＰＬｇのうち、投影光学系ＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬ
ｅ、ＰＬｇと投影光学系ＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆとが２
列に千鳥状に配列されている。すなわち、千鳥状に配置
されている各投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇは、隣合う投影
光学系どうし（例えば投影光学系ＰＬａとＰＬｂ、ＰＬ
ｂとＰＬｃ）をＸ方向に所定量変位させて配置されてい
る。これら各投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇは照明系モジュ
ールＩＭａ〜ＩＭｇから射出しマスクＭを透過した複数
の露光光ＥＬを透過させ、基板ステージＰＳＴに載置さ
れている感光基板ＰにマスクＭのパターン像を投影す
る。すなわち、各投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇを透過した
露光光ＥＬは、感光基板Ｐ上の異なる投影領域（照明領
域）にマスクＭの照射領域に対応したパターン像を所定
の結像特性で結像する。
【００３２】図２に示すように、投影光学系ＰＬａ〜Ｐ
Ｌｇのそれぞれは、像シフト機構１９と、２組の反射屈
折型光学系２１、２２と、視野絞り２０と、倍率調整機
構２３とを備えている。像シフト機構１９は、例えば、
２枚の平行平面板ガラスがそれぞれＹ軸周りもしくはＸ
軸周りに回転することで、マスクＭのパターン像をＸ方
向もしくはＹ方向にシフトさせる。マスクＭを透過した
露光光ＥＬは像シフト機構２３を透過した後、１組目の
反射屈折型光学系２１に入射する。
Ｌｇのそれぞれは、像シフト機構１９と、２組の反射屈
折型光学系２１、２２と、視野絞り２０と、倍率調整機
構２３とを備えている。像シフト機構１９は、例えば、
２枚の平行平面板ガラスがそれぞれＹ軸周りもしくはＸ
軸周りに回転することで、マスクＭのパターン像をＸ方
向もしくはＹ方向にシフトさせる。マスクＭを透過した
露光光ＥＬは像シフト機構２３を透過した後、１組目の
反射屈折型光学系２１に入射する。
【００３３】反射屈折型光学系２１は、マスクＭのパタ
ーンの中間像を形成するものであって、直角プリズム２
４とレンズ系２５と凹面鏡２６とを備えている。直角プ
リズム２４はＺ軸周りに回転自在となっており、マスク
Ｍのパターン像を回転可能となっている。
ーンの中間像を形成するものであって、直角プリズム２
４とレンズ系２５と凹面鏡２６とを備えている。直角プ
リズム２４はＺ軸周りに回転自在となっており、マスク
Ｍのパターン像を回転可能となっている。
【００３４】この中間像位置には、視野絞り２０が配置
されている。視野絞り２０は、感光基板Ｐ上での投影領
域を設定するものであって、特に、感光基板Ｐ上におけ
るパターン像の走査方向（Ｘ方向）の幅を設定する。視
野絞り２０を透過した光束は、２組目の反射屈折型光学
系２２に入射する。反射屈折型光学系２２は、反射屈折
型光学系２１と同様に、直角プリズム２７とレンズ系２
８と凹面鏡２９とを備えている。直角プリズム２７もＺ
軸周りに回転自在となっており、マスクＭのパターン像
を回転可能となっている。
されている。視野絞り２０は、感光基板Ｐ上での投影領
域を設定するものであって、特に、感光基板Ｐ上におけ
るパターン像の走査方向（Ｘ方向）の幅を設定する。視
野絞り２０を透過した光束は、２組目の反射屈折型光学
系２２に入射する。反射屈折型光学系２２は、反射屈折
型光学系２１と同様に、直角プリズム２７とレンズ系２
８と凹面鏡２９とを備えている。直角プリズム２７もＺ
軸周りに回転自在となっており、マスクＭのパターン像
を回転可能となっている。
【００３５】反射屈折型光学系２２から射出した露光光
ＥＬは、倍率調整機構２３を通過し、感光基板Ｐ上にマ
スクＭのパターン像を正立等倍で結像する。倍率調整機
構２３は、例えば、平凸レンズ、両凸レンズ、平凸レン
ズの３枚のレンズから構成され、平凸レンズと平凹レン
ズとの間に位置する両凸レンズをＺ方向に移動させるこ
とにより、マスクＭのパターン像の倍率を変化させる。
ＥＬは、倍率調整機構２３を通過し、感光基板Ｐ上にマ
スクＭのパターン像を正立等倍で結像する。倍率調整機
構２３は、例えば、平凸レンズ、両凸レンズ、平凸レン
ズの３枚のレンズから構成され、平凸レンズと平凹レン
ズとの間に位置する両凸レンズをＺ方向に移動させるこ
とにより、マスクＭのパターン像の倍率を変化させる。
【００３６】感光基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴ
は基板ホルダＰＨを有しており、この基板ホルダＰＨを
介して感光基板Ｐを保持する。基板ステージＰＳＴは、
マスクステージＭＳＴと同様に、一次元の走査露光を行
うべくＸ方向に長いストロークと、走査方向と直交する
Ｙ方向にステップ移動するための長いストロークとを有
しており、この基板ステージＰＳＴをＸＹ方向に移動す
る基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを備えている。基板ステ
ージ駆動部ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴによって制御さ
れる。更に、基板ステージＰＳＴはＺ方向にも移動可能
となっている。
は基板ホルダＰＨを有しており、この基板ホルダＰＨを
介して感光基板Ｐを保持する。基板ステージＰＳＴは、
マスクステージＭＳＴと同様に、一次元の走査露光を行
うべくＸ方向に長いストロークと、走査方向と直交する
Ｙ方向にステップ移動するための長いストロークとを有
しており、この基板ステージＰＳＴをＸＹ方向に移動す
る基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを備えている。基板ステ
ージ駆動部ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴによって制御さ
れる。更に、基板ステージＰＳＴはＺ方向にも移動可能
となっている。
【００３７】また、基板ステージＰＳＴは、マスクＭの
パターン面と感光基板Ｐの露光面のＺ方向の位置を検出
する検出装置（不図示）を備えており、マスクＭのパタ
ーン面と感光基板Ｐの露光面とが常に所定の間隔になる
ように位置制御される。この検出装置は、例えば、斜入
射方式の焦点検出系の１つである多点フォーカス位置検
出系によって構成され、この検出値、すなわち感光基板
ＰのＺ方向の位置情報は制御装置ＣＯＮＴに出力され
る。
パターン面と感光基板Ｐの露光面のＺ方向の位置を検出
する検出装置（不図示）を備えており、マスクＭのパタ
ーン面と感光基板Ｐの露光面とが常に所定の間隔になる
ように位置制御される。この検出装置は、例えば、斜入
射方式の焦点検出系の１つである多点フォーカス位置検
出系によって構成され、この検出値、すなわち感光基板
ＰのＺ方向の位置情報は制御装置ＣＯＮＴに出力され
る。
【００３８】図１に示すように、基板ステージＰＳＴ上
のＸ方向及びＹ方向のそれぞれの端縁には、直交する方
向に移動鏡３４ａ、３４ｂがそれぞれ設置されている。
移動鏡３４ａには、レーザー干渉計３５ａが対向して配
置されている。また、移動鏡３４ｂには、レーザー干渉
計３５ｂが対向して配置されている。これらレーザー干
渉計３５ａ、３５ｂのそれぞれは、移動鏡３４ａ、３４
ｂにレーザー光を射出してこれら移動鏡３４ａ、３４ｂ
との間の距離を計測することにより、基板ステージＰＳ
ＴのＸ方向及びＹ方向の位置、すなわち、感光基板Ｐの
位置を高分解能、高精度に検出可能となっている。レー
ザー干渉計３５ａ、３５ｂの検出結果は制御装置ＣＯＮ
Ｔに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、レーザー干渉計
３５ａ、３５ｂ、及び前記検出装置（多点フォーカス位
置検出系）の出力から基板ステージＰＳＴの位置をモニ
ターし、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを制御することで
基板ステージＰＳＴを所望の位置へ移動可能となってい
る。
のＸ方向及びＹ方向のそれぞれの端縁には、直交する方
向に移動鏡３４ａ、３４ｂがそれぞれ設置されている。
移動鏡３４ａには、レーザー干渉計３５ａが対向して配
置されている。また、移動鏡３４ｂには、レーザー干渉
計３５ｂが対向して配置されている。これらレーザー干
渉計３５ａ、３５ｂのそれぞれは、移動鏡３４ａ、３４
ｂにレーザー光を射出してこれら移動鏡３４ａ、３４ｂ
との間の距離を計測することにより、基板ステージＰＳ
ＴのＸ方向及びＹ方向の位置、すなわち、感光基板Ｐの
位置を高分解能、高精度に検出可能となっている。レー
ザー干渉計３５ａ、３５ｂの検出結果は制御装置ＣＯＮ
Ｔに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、レーザー干渉計
３５ａ、３５ｂ、及び前記検出装置（多点フォーカス位
置検出系）の出力から基板ステージＰＳＴの位置をモニ
ターし、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを制御することで
基板ステージＰＳＴを所望の位置へ移動可能となってい
る。
【００３９】マスクステージ駆動部ＭＳＴＤ及び基板ス
テージ駆動部ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴによってそれ
ぞれ独立して制御され、マスクステージＭＳＴ及び基板
ステージＰＳＴは、マスクステージ駆動部ＭＳＴＤ及び
基板ステージ駆動部ＰＳＴＤのそれぞれの駆動のもと
で、それぞれ独立して移動可能となっている。そして、
制御装置ＣＯＮＴは、マスクステージＭＳＴ及び基板ス
テージＰＳＴの位置をモニターしながら、両駆動部ＰＳ
ＴＤ、ＭＳＴＤを制御することにより、マスクＭと感光
基板Ｐとを投影光学系ＰＬに対して、任意の走査速度
（同期移動速度）でＸ方向に同期移動するようになって
いる。
テージ駆動部ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴによってそれ
ぞれ独立して制御され、マスクステージＭＳＴ及び基板
ステージＰＳＴは、マスクステージ駆動部ＭＳＴＤ及び
基板ステージ駆動部ＰＳＴＤのそれぞれの駆動のもと
で、それぞれ独立して移動可能となっている。そして、
制御装置ＣＯＮＴは、マスクステージＭＳＴ及び基板ス
テージＰＳＴの位置をモニターしながら、両駆動部ＰＳ
ＴＤ、ＭＳＴＤを制御することにより、マスクＭと感光
基板Ｐとを投影光学系ＰＬに対して、任意の走査速度
（同期移動速度）でＸ方向に同期移動するようになって
いる。
【００４０】ここで、マスクステージＭＳＴに支持され
ているマスクＭと、基板ステージＰＳＴに支持されてい
る感光基板Ｐとは、投影光学系ＰＬを介して共役な位置
関係に配置される。
ているマスクＭと、基板ステージＰＳＴに支持されてい
る感光基板Ｐとは、投影光学系ＰＬを介して共役な位置
関係に配置される。
【００４１】次に、視野絞り２０、遮光板（第１の遮光
板）４０及びブラインド（第２の遮光板）３０につい
て、図４及び図５を参照しながら説明する。図４及び図
５は、視野絞り２０、遮光板４０、ブラインド３０のそ
れぞれと、投影光学系ＰＬ、マスクＭ、感光基板Ｐのそ
れぞれとの位置関係を示した模式図である。図４には、
投影光学系ＰＬｇが代表して示されており、視野絞り２
０は、投影光学系ＰＬ（ＰＬｇ）に配置されており、ス
リット状の開口を有している。この視野絞り２０は、感
光基板Ｐ上における投影領域（照明領域）５０（５０
ｇ）の形状を設定するものであって、特に、パターン像
としての投影領域５０の走査方向（Ｘ方向）の幅Ｌｘを
設定するものである。視野絞り２０は、投影光学系ＰＬ
のうち、マスクＭと感光基板Ｐとに対してほぼ共役な位
置関係に配置されている。
板）４０及びブラインド（第２の遮光板）３０につい
て、図４及び図５を参照しながら説明する。図４及び図
５は、視野絞り２０、遮光板４０、ブラインド３０のそ
れぞれと、投影光学系ＰＬ、マスクＭ、感光基板Ｐのそ
れぞれとの位置関係を示した模式図である。図４には、
投影光学系ＰＬｇが代表して示されており、視野絞り２
０は、投影光学系ＰＬ（ＰＬｇ）に配置されており、ス
リット状の開口を有している。この視野絞り２０は、感
光基板Ｐ上における投影領域（照明領域）５０（５０
ｇ）の形状を設定するものであって、特に、パターン像
としての投影領域５０の走査方向（Ｘ方向）の幅Ｌｘを
設定するものである。視野絞り２０は、投影光学系ＰＬ
のうち、マスクＭと感光基板Ｐとに対してほぼ共役な位
置関係に配置されている。
【００４２】遮光板（第１の遮光板）４０も、感光基板
Ｐ上における投影領域の形状を設定するものであって、
特に、パターン像としての投影領域５０の非走査方向
（Ｙ方向）の幅Ｌｙを設定するものである。遮光板４０
も投影光学系ＰＬｇに設けられ、視野絞り２０と重なり
合うように配置されており、視野絞り２０と遮光板４０
とによって形成される開口Ｋによって、感光基板Ｐ上に
おける投影領域５０ｇのそれぞれの大きさ及び形状が設
定される。本実施形態において、視野絞り２０及び遮光
板４０によって形成される投影領域５０ｇは、平面視台
形形状に設定される。ここで、視野絞り２０に重なり合
うように配置されている遮光板４０も、投影光学系ＰＬ
のうち、マスクＭと感光基板Ｐとに対してほぼ共役な位
置関係に配置されている。
Ｐ上における投影領域の形状を設定するものであって、
特に、パターン像としての投影領域５０の非走査方向
（Ｙ方向）の幅Ｌｙを設定するものである。遮光板４０
も投影光学系ＰＬｇに設けられ、視野絞り２０と重なり
合うように配置されており、視野絞り２０と遮光板４０
とによって形成される開口Ｋによって、感光基板Ｐ上に
おける投影領域５０ｇのそれぞれの大きさ及び形状が設
定される。本実施形態において、視野絞り２０及び遮光
板４０によって形成される投影領域５０ｇは、平面視台
形形状に設定される。ここで、視野絞り２０に重なり合
うように配置されている遮光板４０も、投影光学系ＰＬ
のうち、マスクＭと感光基板Ｐとに対してほぼ共役な位
置関係に配置されている。
【００４３】なお、遮光板４０に対して感光基板Ｐを相
対的に移動させればよく、遮光板４０は固定であっても
移動できるものであってもよい。より自由度を持たせる
ためには、図４、図５に示すように移動させてもよい。
対的に移動させればよく、遮光板４０は固定であっても
移動できるものであってもよい。より自由度を持たせる
ためには、図４、図５に示すように移動させてもよい。
【００４４】遮光板４０には遮光板用駆動機構（不図
示）が設けられており、遮光板４０は、遮光板用駆動機
構の駆動のもとで、非走査方向（Ｙ方向）に移動可能と
なっている。そして、遮光板４０をＹ方向に移動するこ
とにより、例えば投影領域５０ｇのＹ方向の幅Ｌｙが任
意に設定可能となっており、これにより投影領域５０ａ
〜５０ｇを合わせた大きさが任意に設定される。ここ
で、投影光学系ＰＬｇに設けられている遮光板４０は独
立して移動可能となっており、遮光板４０のそれぞれの
Ｙ方向における位置をそれぞれ設定することにより、投
影領域５０の大きさ、形状は設定可能となっている。
示）が設けられており、遮光板４０は、遮光板用駆動機
構の駆動のもとで、非走査方向（Ｙ方向）に移動可能と
なっている。そして、遮光板４０をＹ方向に移動するこ
とにより、例えば投影領域５０ｇのＹ方向の幅Ｌｙが任
意に設定可能となっており、これにより投影領域５０ａ
〜５０ｇを合わせた大きさが任意に設定される。ここ
で、投影光学系ＰＬｇに設けられている遮光板４０は独
立して移動可能となっており、遮光板４０のそれぞれの
Ｙ方向における位置をそれぞれ設定することにより、投
影領域５０の大きさ、形状は設定可能となっている。
【００４５】なお、遮光板４０としては投影領域５０ａ
〜５０ｇに対して大きな遮光板を２枚設けるようにして
もよい。それは例えば図２０の符号３０Ｆのような形状
でもよい。位置は感光基板ＰやマスクＭ又はブラインド
３０近傍に設けてもよい。
〜５０ｇに対して大きな遮光板を２枚設けるようにして
もよい。それは例えば図２０の符号３０Ｆのような形状
でもよい。位置は感光基板ＰやマスクＭ又はブラインド
３０近傍に設けてもよい。
【００４６】ブラインド（第２の遮光板）３０は、図２
などに示したように、照明光学系ＩＬ（照明系モジュー
ルＩＭ）に配置されており、ブラインド駆動部３１によ
って非走査方向（Ｙ方向）に移動可能に設けられてい
る。ブラインド駆動部３１の駆動は制御装置ＣＯＮＴに
よって制御され、ブラインド３０は制御装置ＣＯＮＴの
基で移動する。本実施形態において、ブラインド３０
は、図１に示すように、照明系モジュールＩＭａ及び投
影光学系ＰＬａに対応する光路に近接する位置に設けら
れているブラインド３０Ａと、照明系モジュールＩＭｇ
及び投影光学系ＰＬｇに対応する光路に近接する位置に
設けられているブラインド３０Ｂとの２つである。そし
て、ブラインド３０は、図５に示すように、Ｙ方向に移
動することによって、視野絞り２０と遮光板４０とで形
成される開口Ｋの一部を遮光し（なお、図５では、見や
すいように開口Ｋのみが図示されており、視野絞り２０
及び遮光板４０は図示されていない）、投影領域５０の
大きさ及び形状を任意に設定する。
などに示したように、照明光学系ＩＬ（照明系モジュー
ルＩＭ）に配置されており、ブラインド駆動部３１によ
って非走査方向（Ｙ方向）に移動可能に設けられてい
る。ブラインド駆動部３１の駆動は制御装置ＣＯＮＴに
よって制御され、ブラインド３０は制御装置ＣＯＮＴの
基で移動する。本実施形態において、ブラインド３０
は、図１に示すように、照明系モジュールＩＭａ及び投
影光学系ＰＬａに対応する光路に近接する位置に設けら
れているブラインド３０Ａと、照明系モジュールＩＭｇ
及び投影光学系ＰＬｇに対応する光路に近接する位置に
設けられているブラインド３０Ｂとの２つである。そし
て、ブラインド３０は、図５に示すように、Ｙ方向に移
動することによって、視野絞り２０と遮光板４０とで形
成される開口Ｋの一部を遮光し（なお、図５では、見や
すいように開口Ｋのみが図示されており、視野絞り２０
及び遮光板４０は図示されていない）、投影領域５０の
大きさ及び形状を任意に設定する。
【００４７】ブラインド３０は、その先端部（開口Ｋに
相当する部分）におけるＸ方向の幅がＹ方向に向かって
漸次縮小するように斜めに形成された斜めブラインドで
ある。そして、この斜め部分によって露光光ＥＬを遮光
することにより、投影領域５０の形状が設定される。本
実施形態において、視野絞り２０と遮光板４０とブライ
ンド３０とによって形成される投影領域（照明領域）５
０は、台形形状（平行四辺形形状）に設定される。
相当する部分）におけるＸ方向の幅がＹ方向に向かって
漸次縮小するように斜めに形成された斜めブラインドで
ある。そして、この斜め部分によって露光光ＥＬを遮光
することにより、投影領域５０の形状が設定される。本
実施形態において、視野絞り２０と遮光板４０とブライ
ンド３０とによって形成される投影領域（照明領域）５
０は、台形形状（平行四辺形形状）に設定される。
【００４８】そして、ブラインド３０は、照明光学系Ｉ
Ｌのうち、マスクＭと感光基板Ｐとに対してほぼ共役な
位置関係に配置されている。すなわち、本実施形態にお
いて、視野絞り２０と遮光板４０とブラインド３０と
は、投影光学系ＰＬを介して共役な位置関係に配置され
ているマスクＭと感光基板Ｐとに対して、ほぼ共役な位
置関係に配置されている。
Ｌのうち、マスクＭと感光基板Ｐとに対してほぼ共役な
位置関係に配置されている。すなわち、本実施形態にお
いて、視野絞り２０と遮光板４０とブラインド３０と
は、投影光学系ＰＬを介して共役な位置関係に配置され
ているマスクＭと感光基板Ｐとに対して、ほぼ共役な位
置関係に配置されている。
【００４９】ここで、視野絞り２０と遮光板４０とブラ
インド３０とは、マスクＭと感光基板Ｐとに対して、共
役な位置関係に配置されていればよく、したがって、例
えば図６に示すように、遮光板（第１の遮光板）４０を
ブラインドＢに近接して配置してもよい。あるいは、ブ
ラインド３０を投影光学系ＰＬ内において視野絞り２０
に近接して配置してもよい。あるいは、これら各部材２
０，３０，４０をマスクＭ又は感光基板Ｐに近接する位
置に配置してもよい。すなわち、視野絞り２０、遮光板
４０、ブラインド３０のそれぞれは、マスクＭと感光基
板Ｐとに対して共役な位置（図２の符号Ａ、Ｂ参照）で
あれば、露光光ＥＬの光路上のいずれの位置に配置して
もよい。また、ブラインド３０は、共役面に対してデフ
ォーカスした位置に配置しても光量和は一定になるの
で、フォーカス方向にずれた位置でも構わない。
インド３０とは、マスクＭと感光基板Ｐとに対して、共
役な位置関係に配置されていればよく、したがって、例
えば図６に示すように、遮光板（第１の遮光板）４０を
ブラインドＢに近接して配置してもよい。あるいは、ブ
ラインド３０を投影光学系ＰＬ内において視野絞り２０
に近接して配置してもよい。あるいは、これら各部材２
０，３０，４０をマスクＭ又は感光基板Ｐに近接する位
置に配置してもよい。すなわち、視野絞り２０、遮光板
４０、ブラインド３０のそれぞれは、マスクＭと感光基
板Ｐとに対して共役な位置（図２の符号Ａ、Ｂ参照）で
あれば、露光光ＥＬの光路上のいずれの位置に配置して
もよい。また、ブラインド３０は、共役面に対してデフ
ォーカスした位置に配置しても光量和は一定になるの
で、フォーカス方向にずれた位置でも構わない。
【００５０】なお、遮光板４０はＹ方向に移動すること
によって投影領域５０のＹ方向の幅Ｌｙを設定するが、
Ｚ軸回りに回転移動可能に設け、遮光板４０をＺ軸回り
に回転することにより、図７に示すように、投影領域５
０の形状を変更することができる。同様に、ブラインド
３０をＺ軸回りに回転することによっても、投影領域５
０の形状を変更可能である。
によって投影領域５０のＹ方向の幅Ｌｙを設定するが、
Ｚ軸回りに回転移動可能に設け、遮光板４０をＺ軸回り
に回転することにより、図７に示すように、投影領域５
０の形状を変更することができる。同様に、ブラインド
３０をＺ軸回りに回転することによっても、投影領域５
０の形状を変更可能である。
【００５１】図８は、感光基板Ｐ上での投影光学系ＰＬ
ａ〜ＰＬｇの投影領域５０ａ〜５０ｇの平面図である。
各投影領域５０ａ〜５０ｇは、視野絞り２０及び遮光板
４０によって所定の形状（本実施形態では台形形状）に
設定される。投影領域５０ａ、５０ｃ、５０ｅ、５０ｇ
と、投影領域５０ｂ、５０ｄ、５０ｆとは、Ｘ方向に対
向して配置されている。さらに、投影領域５０ａ〜５０
ｇは、隣り合う投影領域の端部（境界部）どうし（５１
ａと５１ｂ、５１ｃと５１ｄ、５１ｅと５１ｆ、５１ｇ
と５１ｈ、５１ｉと５１ｊ、５１ｋと５１ｌ）が二点鎖
線で示すように、Ｙ方向に重なり合うように並列配置さ
れ、重複領域（継ぎ部）５２ａ〜５２ｆを形成する。そ
して、投影領域５０ａ〜５０ｇの境界部どうしをＹ方向
に重なり合うように並列配置することにより、Ｘ方向の
投影領域の幅の総計がほぼ等しくなるように設定されて
いる。こうすることにより、Ｘ方向に走査露光したとき
の露光量が等しくなるようになっている。
ａ〜ＰＬｇの投影領域５０ａ〜５０ｇの平面図である。
各投影領域５０ａ〜５０ｇは、視野絞り２０及び遮光板
４０によって所定の形状（本実施形態では台形形状）に
設定される。投影領域５０ａ、５０ｃ、５０ｅ、５０ｇ
と、投影領域５０ｂ、５０ｄ、５０ｆとは、Ｘ方向に対
向して配置されている。さらに、投影領域５０ａ〜５０
ｇは、隣り合う投影領域の端部（境界部）どうし（５１
ａと５１ｂ、５１ｃと５１ｄ、５１ｅと５１ｆ、５１ｇ
と５１ｈ、５１ｉと５１ｊ、５１ｋと５１ｌ）が二点鎖
線で示すように、Ｙ方向に重なり合うように並列配置さ
れ、重複領域（継ぎ部）５２ａ〜５２ｆを形成する。そ
して、投影領域５０ａ〜５０ｇの境界部どうしをＹ方向
に重なり合うように並列配置することにより、Ｘ方向の
投影領域の幅の総計がほぼ等しくなるように設定されて
いる。こうすることにより、Ｘ方向に走査露光したとき
の露光量が等しくなるようになっている。
【００５２】このように、各投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇ
による投影領域５０ａ〜５０ｇのそれぞれが重なり合う
重複領域（継ぎ部）５２ａ〜５２ｆを設けることによ
り、継ぎ部５２ａ〜５２ｆにおける光学収差の変化や照
度変化を滑らかにすることができる。ここで、継ぎ部５
２ａ〜５２ｆのＹ方向における位置や幅は、遮光板４０
を移動することによって任意に設定可能である。
による投影領域５０ａ〜５０ｇのそれぞれが重なり合う
重複領域（継ぎ部）５２ａ〜５２ｆを設けることによ
り、継ぎ部５２ａ〜５２ｆにおける光学収差の変化や照
度変化を滑らかにすることができる。ここで、継ぎ部５
２ａ〜５２ｆのＹ方向における位置や幅は、遮光板４０
を移動することによって任意に設定可能である。
【００５３】また、図８の破線で示すように、２つのブ
ラインド３０のうち、一方のブラインド３０Ａは±Ｙ方
向に移動してマスクＭに対する照射領域を設定すること
によって＋Ｙ側の投影領域５０ａの大きさ、形状を設定
可能であり、もう一方のブラインドの３０Ｂも±Ｙ方向
に移動してマスクＭに対する照射領域を設定することに
よって−Ｙ側の投影領域５０ｇの大きさ、形状を設定可
能である。更に、一方のブラインド３０Ａは、投影領域
５０ａに対応する光路を遮光するとともに投影領域５０
ｃの大きさ、形状を設定可能であり、もう一方のブライ
ンド３０Ｂは、投影領域５０ｇに対応する光路を遮光す
るとともに、投影領域５０ｅの大きさ、形状を設定可能
である。このように、ブラインド３０Ａ、３０Ｂのそれ
ぞれをＹ方向に移動することにより、複数の投影領域の
うち、特定の投影領域に対応する光路を遮光可能である
とともに、所定の投影領域の大きさ、形状を任意に設定
可能である
ラインド３０のうち、一方のブラインド３０Ａは±Ｙ方
向に移動してマスクＭに対する照射領域を設定すること
によって＋Ｙ側の投影領域５０ａの大きさ、形状を設定
可能であり、もう一方のブラインドの３０Ｂも±Ｙ方向
に移動してマスクＭに対する照射領域を設定することに
よって−Ｙ側の投影領域５０ｇの大きさ、形状を設定可
能である。更に、一方のブラインド３０Ａは、投影領域
５０ａに対応する光路を遮光するとともに投影領域５０
ｃの大きさ、形状を設定可能であり、もう一方のブライ
ンド３０Ｂは、投影領域５０ｇに対応する光路を遮光す
るとともに、投影領域５０ｅの大きさ、形状を設定可能
である。このように、ブラインド３０Ａ、３０Ｂのそれ
ぞれをＹ方向に移動することにより、複数の投影領域の
うち、特定の投影領域に対応する光路を遮光可能である
とともに、所定の投影領域の大きさ、形状を任意に設定
可能である
【００５４】また、ブラインド３０は、移動することに
よって、投影領域の境界部５１ａ、５１ｄ、５１ｅ、５
１ｈ、５１ｉ、５１ｌのそれぞれの大きさを設定可能で
ある。そして、ブラインド３０は、非走査方向（Ｙ方
向）に移動して投影領域の境界部の大きさ、形状を設定
することにより、投影領域（パターン像）の重複領域５
２ａ〜５２ｆを設定可能となっている。そして、ブライ
ンド３０はその先端部（開口Ｋに相当する部分）におけ
るＸ方向の幅がＹ方向に向かって漸次縮小するように斜
めに形成されているため、投影領域の境界部のそれぞれ
に対応する光路の一部を遮光することにより、投影領域
の周辺に向かうに従い重複領域での積算露光量をほぼ連
続的に減衰可能となっている。
よって、投影領域の境界部５１ａ、５１ｄ、５１ｅ、５
１ｈ、５１ｉ、５１ｌのそれぞれの大きさを設定可能で
ある。そして、ブラインド３０は、非走査方向（Ｙ方
向）に移動して投影領域の境界部の大きさ、形状を設定
することにより、投影領域（パターン像）の重複領域５
２ａ〜５２ｆを設定可能となっている。そして、ブライ
ンド３０はその先端部（開口Ｋに相当する部分）におけ
るＸ方向の幅がＹ方向に向かって漸次縮小するように斜
めに形成されているため、投影領域の境界部のそれぞれ
に対応する光路の一部を遮光することにより、投影領域
の周辺に向かうに従い重複領域での積算露光量をほぼ連
続的に減衰可能となっている。
【００５５】ここで、図８において、投影領域の境界部
５１ａ、５１ｅ、５１ｉの平面視における傾斜角度と、
ブラインド３０Ａの先端部における傾斜角度とは一致す
るように設定されており、同様に、投影領域の境界部５
１ｄ、５１ｈ、５１ｌの平面視における傾斜角度と、ブ
ラインド３０Ｂの先端部における傾斜角度とは一致する
ように設定されている。そして、ブラインド３０Ａは、
その先端部を境界部５１ａあるいは境界部５１ｅに対応
する光路の一部に配置することにより重複領域５２ａあ
るいは重複領域５２ｃを設定し、走査露光時において
は、重複領域５２ａ（５２ｃ）における積算露光量が−
Ｙ側に向かってほぼ連続的に減衰するように設定する。
ブラインド３０Ｂは、その先端部を境界部５１ｌあるい
は境界部５１ｈに対応する光路の一部に配置することに
より重複領域５２ｆあるいは重複領域５２ｄを設定し、
走査露光時においては、重複領域５２ｆ（５２ｄ）にお
ける積算露光量が＋Ｙ側に向かってほぼ連続的に減衰す
るように設定する。
５１ａ、５１ｅ、５１ｉの平面視における傾斜角度と、
ブラインド３０Ａの先端部における傾斜角度とは一致す
るように設定されており、同様に、投影領域の境界部５
１ｄ、５１ｈ、５１ｌの平面視における傾斜角度と、ブ
ラインド３０Ｂの先端部における傾斜角度とは一致する
ように設定されている。そして、ブラインド３０Ａは、
その先端部を境界部５１ａあるいは境界部５１ｅに対応
する光路の一部に配置することにより重複領域５２ａあ
るいは重複領域５２ｃを設定し、走査露光時において
は、重複領域５２ａ（５２ｃ）における積算露光量が−
Ｙ側に向かってほぼ連続的に減衰するように設定する。
ブラインド３０Ｂは、その先端部を境界部５１ｌあるい
は境界部５１ｈに対応する光路の一部に配置することに
より重複領域５２ｆあるいは重複領域５２ｄを設定し、
走査露光時においては、重複領域５２ｆ（５２ｄ）にお
ける積算露光量が＋Ｙ側に向かってほぼ連続的に減衰す
るように設定する。
【００５６】このように、視野絞り２０と遮光板４０と
ブラインド３０とによって投影領域は複数に分割され、
それぞれの大きさ、形状が任意に設定される。そして、
ブラインド３０の位置を設定することにより、走査露光
時において、マスクＭに対する照射領域の周辺に向かう
に従い積算露光量をほぼ連続的に減衰させ、重複領域５
２ａ〜５２ｆのＹ方向の積算露光量をほぼ連続的に変化
させる。
ブラインド３０とによって投影領域は複数に分割され、
それぞれの大きさ、形状が任意に設定される。そして、
ブラインド３０の位置を設定することにより、走査露光
時において、マスクＭに対する照射領域の周辺に向かう
に従い積算露光量をほぼ連続的に減衰させ、重複領域５
２ａ〜５２ｆのＹ方向の積算露光量をほぼ連続的に変化
させる。
【００５７】図２に戻って、基板ステージＰＳＴ上に
は、ディテクタ（光検出装置）４１が配設されている。
ディテクタ４１は、感光基板Ｐに照射されるべき露光光
の光量に関する情報を検出するものであって、検出した
検出信号を制御装置ＣＯＮＴへ出力する。なお、露光光
の光量に関する情報とは、物体面上に単位面積あたりに
照らされる露光光の量（照度）、あるいは、単位時間あ
たりに放射される露光光の量を含む。本実施形態におい
ては、この露光光の光量に関する情報を、照度として説
明する。
は、ディテクタ（光検出装置）４１が配設されている。
ディテクタ４１は、感光基板Ｐに照射されるべき露光光
の光量に関する情報を検出するものであって、検出した
検出信号を制御装置ＣＯＮＴへ出力する。なお、露光光
の光量に関する情報とは、物体面上に単位面積あたりに
照らされる露光光の量（照度）、あるいは、単位時間あ
たりに放射される露光光の量を含む。本実施形態におい
ては、この露光光の光量に関する情報を、照度として説
明する。
【００５８】このディテクタ４１は、感光基板Ｐ上の各
投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇに対応する位置の露光光の照
射量を計測する照度センサであって、図２４（ａ）に示
すようにＣＣＤセンサによって構成されている。ディテ
クタ４１は、基板ステージＰＳＴ上にＹ方向に配設され
たガイド軸（不図示）によって、感光基板Ｐと同一平面
の高さに設置可能となっており、ディテクタ駆動部によ
って走査方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に移
動可能に設けられている。
投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇに対応する位置の露光光の照
射量を計測する照度センサであって、図２４（ａ）に示
すようにＣＣＤセンサによって構成されている。ディテ
クタ４１は、基板ステージＰＳＴ上にＹ方向に配設され
たガイド軸（不図示）によって、感光基板Ｐと同一平面
の高さに設置可能となっており、ディテクタ駆動部によ
って走査方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に移
動可能に設けられている。
【００５９】このディテクタ４１は、１回又は複数回の
露光に先立ち、基板ステージＰＳＴのＸ方向の移動と照
度センサ駆動部によるＹ方向の移動とによって、投影光
学系ＰＬａ〜ＰＬｇに対応する各投影領域５０ａ〜５０
ｇの下で走査される。したがって、感光基板Ｐ上の投影
領域５０ａ〜５０ｇ及びこれら各５０ａ〜５０ｇの各境
界部５１ａ〜５１ｌにおける露光光の光量に関する情報
はディテクタ４１によって２次元的に検出されるように
なっている。ディテクタ４１によって検出された露光光
の光量に関する情報は制御装置ＣＯＮＴに出力される。
このとき、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージ駆動部Ｐ
ＳＴＤ及びディテクタ駆動部の各駆動量によって、ディ
テクタ４１の位置を検出可能となっている。
露光に先立ち、基板ステージＰＳＴのＸ方向の移動と照
度センサ駆動部によるＹ方向の移動とによって、投影光
学系ＰＬａ〜ＰＬｇに対応する各投影領域５０ａ〜５０
ｇの下で走査される。したがって、感光基板Ｐ上の投影
領域５０ａ〜５０ｇ及びこれら各５０ａ〜５０ｇの各境
界部５１ａ〜５１ｌにおける露光光の光量に関する情報
はディテクタ４１によって２次元的に検出されるように
なっている。ディテクタ４１によって検出された露光光
の光量に関する情報は制御装置ＣＯＮＴに出力される。
このとき、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージ駆動部Ｐ
ＳＴＤ及びディテクタ駆動部の各駆動量によって、ディ
テクタ４１の位置を検出可能となっている。
【００６０】図９に示すように、マスクＭのパターン領
域には、画素パターン４４と、この画素パターン４４の
Ｙ方向両端に位置する周辺回路パターン４５ａ、４５ｂ
とが形成されている。画素パターン４４には、複数のピ
クセルに応じた複数の電極が規則正しく配列されたパタ
ーンが形成されている。周辺回路パターン４５ａ、４５
ｂには、画素パターン４４の電極を駆動するためのドラ
イバ回路等が形成されている。
域には、画素パターン４４と、この画素パターン４４の
Ｙ方向両端に位置する周辺回路パターン４５ａ、４５ｂ
とが形成されている。画素パターン４４には、複数のピ
クセルに応じた複数の電極が規則正しく配列されたパタ
ーンが形成されている。周辺回路パターン４５ａ、４５
ｂには、画素パターン４４の電極を駆動するためのドラ
イバ回路等が形成されている。
【００６１】それぞれの投影領域５０ａ〜５０ｇは所定
の大きさに設定されており、この場合、図８に示すよう
に、長辺の長さはＬ１、短辺の長さはＬ２、隣り合う投
影領域どうしの間隔（投影領域のＹ方向のピッチ）はＬ
３に設定される。
の大きさに設定されており、この場合、図８に示すよう
に、長辺の長さはＬ１、短辺の長さはＬ２、隣り合う投
影領域どうしの間隔（投影領域のＹ方向のピッチ）はＬ
３に設定される。
【００６２】また、図９に示すマスクＭの周辺回路パタ
ーン４５ａ、４５ｂは、図１０に示す感光基板Ｐの周辺
回路パターン６１ａ、６１ｂと同一寸法、同一形状にそ
れぞれ形成し、両端外側の投影光学系５０ａ、５０ｇで
露光されるようにマスクＭ上に配置される。マスクＭの
画素パターン４４は、感光基板Ｐの画素パターン６０に
対してＸ方向の長さが同一で、Ｙ方向の長さが異なって
いる。
ーン４５ａ、４５ｂは、図１０に示す感光基板Ｐの周辺
回路パターン６１ａ、６１ｂと同一寸法、同一形状にそ
れぞれ形成し、両端外側の投影光学系５０ａ、５０ｇで
露光されるようにマスクＭ上に配置される。マスクＭの
画素パターン４４は、感光基板Ｐの画素パターン６０に
対してＸ方向の長さが同一で、Ｙ方向の長さが異なって
いる。
【００６３】次に、上述した構成を有する露光装置ＥＸ
を用いて、露光光ＥＬに対してマスクＭと感光基板Ｐと
を同期移動して走査露光し、マスクＭのパターン像の一
部が重複して露光されるように複数回の走査露光に分け
て感光基板Ｐにパターンの継ぎ露光を行う方法について
説明する。ここで、以下の説明においては、マスクステ
ージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴの移動は、マスクス
テージ駆動部ＭＳＴＤ及び基板ステージ駆動部ＰＳＴＤ
を介して全て制御装置ＣＯＮＴの制御に基づいて行われ
るものとする。
を用いて、露光光ＥＬに対してマスクＭと感光基板Ｐと
を同期移動して走査露光し、マスクＭのパターン像の一
部が重複して露光されるように複数回の走査露光に分け
て感光基板Ｐにパターンの継ぎ露光を行う方法について
説明する。ここで、以下の説明においては、マスクステ
ージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴの移動は、マスクス
テージ駆動部ＭＳＴＤ及び基板ステージ駆動部ＰＳＴＤ
を介して全て制御装置ＣＯＮＴの制御に基づいて行われ
るものとする。
【００６４】また、以下の説明においては、図９に示す
ように、マスクＭ上に形成されているパターンを、Ｙ方
向に長さＬＡを有し周辺回路パターン４５ａ及び画素パ
ターン４４の一部を含む分割パターン４６と、Ｙ方向に
長さＬＢを有し周辺回路パターン４５ｂ及び画素パター
ン４４の一部を含む分割パターン４７との２つの領域に
分割し、これら分割パターン４６，４７のそれぞれの一
部を重複して露光されるように２回の走査露光に分けて
感光基板Ｐ上でパターン合成を行うものとする。そし
て、感光基板Ｐ上の全体の露光パターンは、図１０に示
すように、２回の走査露光によって、Ｙ方向に長さＬＡ
を有し周辺回路パターン６１ａ及び画素パターン６０の
一部を含む分割パターン（露光領域）６２と、Ｙ方向に
長さＬＢを有し周辺回路パターン６１ｂ及び画素パター
ン６０の一部を含む分割パターン（露光領域）６３との
２つの領域に分割された分割パターンを合成したものと
する。
ように、マスクＭ上に形成されているパターンを、Ｙ方
向に長さＬＡを有し周辺回路パターン４５ａ及び画素パ
ターン４４の一部を含む分割パターン４６と、Ｙ方向に
長さＬＢを有し周辺回路パターン４５ｂ及び画素パター
ン４４の一部を含む分割パターン４７との２つの領域に
分割し、これら分割パターン４６，４７のそれぞれの一
部を重複して露光されるように２回の走査露光に分けて
感光基板Ｐ上でパターン合成を行うものとする。そし
て、感光基板Ｐ上の全体の露光パターンは、図１０に示
すように、２回の走査露光によって、Ｙ方向に長さＬＡ
を有し周辺回路パターン６１ａ及び画素パターン６０の
一部を含む分割パターン（露光領域）６２と、Ｙ方向に
長さＬＢを有し周辺回路パターン６１ｂ及び画素パター
ン６０の一部を含む分割パターン（露光領域）６３との
２つの領域に分割された分割パターンを合成したものと
する。
【００６５】ここで、長さＬＡは、投影領域５０ａの短
辺の＋Ｙ方向端点と、投影領域５０ｅの短辺と投影領域
５０ｅに対応する光路上に配置されたブラインド３０Ｂ
との交点との間のＹ方向における距離である。長さＬＢ
は、投影領域５０ｃの短辺と投影領域５０ｃに対応する
光路上に配置されたブラインド３０Ａとの交点と、投影
領域５０ｇの短辺の−Ｙ方向端点との間のＹ方向におけ
る距離である。
辺の＋Ｙ方向端点と、投影領域５０ｅの短辺と投影領域
５０ｅに対応する光路上に配置されたブラインド３０Ｂ
との交点との間のＹ方向における距離である。長さＬＢ
は、投影領域５０ｃの短辺と投影領域５０ｃに対応する
光路上に配置されたブラインド３０Ａとの交点と、投影
領域５０ｇの短辺の−Ｙ方向端点との間のＹ方向におけ
る距離である。
【００６６】また、分割パターン６２と分割パターン６
３とは、感光基板Ｐ上において重複領域（継ぎ部）６４
で重ね合わせるものとする。また、重複領域６４のＹ方
向の長さＬＫは、投影領域５０ａ〜５０ｇの重複領域５
２ａ〜５２ｆと同一距離とする。
３とは、感光基板Ｐ上において重複領域（継ぎ部）６４
で重ね合わせるものとする。また、重複領域６４のＹ方
向の長さＬＫは、投影領域５０ａ〜５０ｇの重複領域５
２ａ〜５２ｆと同一距離とする。
【００６７】そして、重複領域６４のＹ方向の距離であ
る長さＬＫは、図９に示すように、ブラインド３０Ｂの
Ｙ方向における位置と投影領域５０ｅとによって設定さ
れ、投影領域５０ｅのうち＋Ｙ側に向かうに従い積算露
光量がほぼ連続的に減衰する継ぎ部４８のＹ方向の距離
に一致する。同様に、長さＬＫは、ブラインド３０Ａの
Ｙ方向における位置と投影領域５０ｃとによって設定さ
れ、投影領域５０ｃのうち−Ｙ側に向かうに従い積算露
光量がほぼ連続的に減衰する継ぎ部４９のＹ方向の距離
に一致する。つまり、継ぎ部４８と継ぎ部４９とのＹ方
向の距離が一致するように、ブラインド３０Ａ、３０Ｂ
のそれぞれの先端部の形状（傾斜角度）が設定される。
なお、ブラインド３０Ａ、３０Ｂのそれぞれの先端部の
位置を検出する際には、図２４（ｂ）、（ｃ）のような
センサを用いてセンサを移動させて光量が半分（約５０
％）になった位置を検出して位置合わせしてもよい。
る長さＬＫは、図９に示すように、ブラインド３０Ｂの
Ｙ方向における位置と投影領域５０ｅとによって設定さ
れ、投影領域５０ｅのうち＋Ｙ側に向かうに従い積算露
光量がほぼ連続的に減衰する継ぎ部４８のＹ方向の距離
に一致する。同様に、長さＬＫは、ブラインド３０Ａの
Ｙ方向における位置と投影領域５０ｃとによって設定さ
れ、投影領域５０ｃのうち−Ｙ側に向かうに従い積算露
光量がほぼ連続的に減衰する継ぎ部４９のＹ方向の距離
に一致する。つまり、継ぎ部４８と継ぎ部４９とのＹ方
向の距離が一致するように、ブラインド３０Ａ、３０Ｂ
のそれぞれの先端部の形状（傾斜角度）が設定される。
なお、ブラインド３０Ａ、３０Ｂのそれぞれの先端部の
位置を検出する際には、図２４（ｂ）、（ｃ）のような
センサを用いてセンサを移動させて光量が半分（約５０
％）になった位置を検出して位置合わせしてもよい。
【００６８】そして、マスクＭにおいて、ブラインド３
０により継ぎ部４８、４９を形成すべき位置、つまり継
ぎ露光を行うべき領域は予め設定されており、この継ぎ
部４８、４９を設定しようとする位置（継ぎ露光を行う
領域）に相当して、マスクＭのパターン近傍に、ブライ
ンド３０を位置合わせるため位置合わせマーク６０（６
０Ａ、６０Ｂ）が形成されている。
０により継ぎ部４８、４９を形成すべき位置、つまり継
ぎ露光を行うべき領域は予め設定されており、この継ぎ
部４８、４９を設定しようとする位置（継ぎ露光を行う
領域）に相当して、マスクＭのパターン近傍に、ブライ
ンド３０を位置合わせるため位置合わせマーク６０（６
０Ａ、６０Ｂ）が形成されている。
【００６９】以下、図１１を参照しながら、露光手順に
ついて説明する。本実施形態においては、マスクＭの分
割パターン４６、４７の継ぎ部４８、４９を感光基板
（ガラス基板）Ｐで継ぎ合わせて合成して、マスクＭの
連続したパターン領域４５ａ、４４、４５ｂよりも大き
い液晶デバイスを製造するものとする。
ついて説明する。本実施形態においては、マスクＭの分
割パターン４６、４７の継ぎ部４８、４９を感光基板
（ガラス基板）Ｐで継ぎ合わせて合成して、マスクＭの
連続したパターン領域４５ａ、４４、４５ｂよりも大き
い液晶デバイスを製造するものとする。
【００７０】まず、制御装置ＣＯＮＴが分割パターンの
継ぎ露光の開始を指令する（ステップＳ１）。ここで、
制御装置ＣＯＮＴには、感光基板Ｐに対するマスクＭの
パターンの配置位置に関する情報、及びマスクＭにおけ
るパターンの継ぎ合わせ位置に関する情報が予めレシピ
として設定されている。すなわち、感光基板Ｐ上におい
てマスクＭの分割パターン４６、４７のそれぞれを露光
すべき位置が予め設定されているとともに、マスクＭ上
において継ぎ部４８，４９を設けるべき位置も予め設定
されている。
継ぎ露光の開始を指令する（ステップＳ１）。ここで、
制御装置ＣＯＮＴには、感光基板Ｐに対するマスクＭの
パターンの配置位置に関する情報、及びマスクＭにおけ
るパターンの継ぎ合わせ位置に関する情報が予めレシピ
として設定されている。すなわち、感光基板Ｐ上におい
てマスクＭの分割パターン４６、４７のそれぞれを露光
すべき位置が予め設定されているとともに、マスクＭ上
において継ぎ部４８，４９を設けるべき位置も予め設定
されている。
【００７１】制御装置ＣＯＮＴは、実際の露光処理を行
うに際し、装置のキャリブレーションを開始する。ま
ず、制御装置ＣＯＮＴは、視野絞り２０及び遮光板４０
を駆動するとともにマスクステージＭＳＴを駆動して、
マスクＭのパターンに合わせて露光光ＥＸを照射するた
めの照射領域を設定する。また、制御装置ＣＯＮＴは、
投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれに設けられている
視野絞り２０及び遮光板４０を用いて開口Ｋの大きさ及
び形状を調整し、感光基板Ｐ上に投影される投影領域５
０ａ〜５０ｇの走査方向（Ｘ方向）の幅及び非走査方向
（Ｙ方向）の幅を設定する。
うに際し、装置のキャリブレーションを開始する。ま
ず、制御装置ＣＯＮＴは、視野絞り２０及び遮光板４０
を駆動するとともにマスクステージＭＳＴを駆動して、
マスクＭのパターンに合わせて露光光ＥＸを照射するた
めの照射領域を設定する。また、制御装置ＣＯＮＴは、
投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれに設けられている
視野絞り２０及び遮光板４０を用いて開口Ｋの大きさ及
び形状を調整し、感光基板Ｐ上に投影される投影領域５
０ａ〜５０ｇの走査方向（Ｘ方向）の幅及び非走査方向
（Ｙ方向）の幅を設定する。
【００７２】そして、制御装置ＣＯＮＴは、レシピとし
て予め設定されている露光処理に関する情報に基づい
て、継ぎ露光を行う際のブラインド位置の設定を行う。
ここで、本実施形態では、図１０に示すように、一回目
の走査露光において、ブラインド３０Ｂは投影領域５０
ｅの一部を遮光するように配置され、ブラインド３０Ａ
は光路上から退避するように設定される。一方、二回目
の走査露光において、ブラインド３０Ａは投影領域５０
ｃの一部を遮光するように配置され、ブラインド３０Ｂ
は光路上から退避するように設定される。
て予め設定されている露光処理に関する情報に基づい
て、継ぎ露光を行う際のブラインド位置の設定を行う。
ここで、本実施形態では、図１０に示すように、一回目
の走査露光において、ブラインド３０Ｂは投影領域５０
ｅの一部を遮光するように配置され、ブラインド３０Ａ
は光路上から退避するように設定される。一方、二回目
の走査露光において、ブラインド３０Ａは投影領域５０
ｃの一部を遮光するように配置され、ブラインド３０Ｂ
は光路上から退避するように設定される。
【００７３】制御装置ＣＯＮＴは、一回目の走査露光を
行う際のブラインド３０Ｂの位置の設定を行う（ステッ
プＳ２）。すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、マスクＭに
対する露光光ＥＬの照射領域（すなわち分割パターン４
６）の一辺に位置する継ぎ部４８に設けられたマスクＭ
のパターンに対して、継ぎ露光するためのブラインド３
０Ｂを位置合わせする。
行う際のブラインド３０Ｂの位置の設定を行う（ステッ
プＳ２）。すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、マスクＭに
対する露光光ＥＬの照射領域（すなわち分割パターン４
６）の一辺に位置する継ぎ部４８に設けられたマスクＭ
のパターンに対して、継ぎ露光するためのブラインド３
０Ｂを位置合わせする。
【００７４】具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、継ぎ部
（重複領域）４８に対応してマスクＭ上に設けられてい
る位置合わせマーク６０Ｂと、ブラインド３０Ｂの先端
部とを位置合わせする。マスクＭの位置合わせマーク６
０Ｂとブラインド３０Ｂとを位置合わせする際には、図
１２の模式図に示すように、基板ステージＰＳＴに設け
られているアライメント用発光部７０からアライメント
光を射出し、投影光学系ＰＬを介してマスクＭの位置合
わせマーク６０Ｂに照射する。マスクＭの位置合わせマ
ーク６０Ｂに照射されたアライメント光は、マスクＭを
透過した後、ブラインド３０Ｂの先端部近傍を通過し
て、アライメント用受光部７１に受光される。ここで、
アライメント光を位置合わせマーク６０Ｂに照射しつつ
ブラインド３０ＢをＹ方向に移動することにより、受光
部７１に受光されていたアライメント光がブラインド３
０Ｂに遮光されて例えば光量が５０％の状態が生じる。
このときの受光部７１の検出信号は制御装置ＣＯＮＴに
出力され、制御装置ＣＯＮＴは、受光部７１がアライメ
ント光を受光していた状態から受光しなくなった状態に
変わったときのブラインド３０Ｂの位置を、位置合わせ
マーク６０Ｂに対してブラインド３０Ｂが位置合わせさ
れたと判断する。ブラインド３０Ｂは位置合わせマーク
６０Ｂに位置合わせされることにより、継ぎ部４８に対
しても位置合わせされる。
（重複領域）４８に対応してマスクＭ上に設けられてい
る位置合わせマーク６０Ｂと、ブラインド３０Ｂの先端
部とを位置合わせする。マスクＭの位置合わせマーク６
０Ｂとブラインド３０Ｂとを位置合わせする際には、図
１２の模式図に示すように、基板ステージＰＳＴに設け
られているアライメント用発光部７０からアライメント
光を射出し、投影光学系ＰＬを介してマスクＭの位置合
わせマーク６０Ｂに照射する。マスクＭの位置合わせマ
ーク６０Ｂに照射されたアライメント光は、マスクＭを
透過した後、ブラインド３０Ｂの先端部近傍を通過し
て、アライメント用受光部７１に受光される。ここで、
アライメント光を位置合わせマーク６０Ｂに照射しつつ
ブラインド３０ＢをＹ方向に移動することにより、受光
部７１に受光されていたアライメント光がブラインド３
０Ｂに遮光されて例えば光量が５０％の状態が生じる。
このときの受光部７１の検出信号は制御装置ＣＯＮＴに
出力され、制御装置ＣＯＮＴは、受光部７１がアライメ
ント光を受光していた状態から受光しなくなった状態に
変わったときのブラインド３０Ｂの位置を、位置合わせ
マーク６０Ｂに対してブラインド３０Ｂが位置合わせさ
れたと判断する。ブラインド３０Ｂは位置合わせマーク
６０Ｂに位置合わせされることにより、継ぎ部４８に対
しても位置合わせされる。
【００７５】ここで、位置合わせマーク６０Ｂはマスク
Ｍの−Ｘ側端部及び＋Ｘ側端部の２箇所に形成されてい
る。そして、これら２つの位置合わせマーク６０Ｂのそ
れぞれとブラインド３０Ｂとの位置合わせを予め行って
おき、これら位置情報に基づいてブラインド３０Ｂの位
置を設定しつつ走査露光することにより、ブラインド３
０Ｂによって所望の継ぎ部４８を設定できる。
Ｍの−Ｘ側端部及び＋Ｘ側端部の２箇所に形成されてい
る。そして、これら２つの位置合わせマーク６０Ｂのそ
れぞれとブラインド３０Ｂとの位置合わせを予め行って
おき、これら位置情報に基づいてブラインド３０Ｂの位
置を設定しつつ走査露光することにより、ブラインド３
０Ｂによって所望の継ぎ部４８を設定できる。
【００７６】以上のようにしてブラインド３０Ｂとマス
ク位置合わせマーク６０Ｂとの位置合わせを行ったら、
制御装置ＣＯＮＴは、このときのブラインド３０Ｂ及び
マスクステージＭＳＴ（マスクＭ）の位置に関する情報
を記憶装置（不図示）に記憶する（ステップＳ３）。
ク位置合わせマーク６０Ｂとの位置合わせを行ったら、
制御装置ＣＯＮＴは、このときのブラインド３０Ｂ及び
マスクステージＭＳＴ（マスクＭ）の位置に関する情報
を記憶装置（不図示）に記憶する（ステップＳ３）。
【００７７】次いで、制御装置ＣＯＮＴは、二回目の走
査露光を行う際のブラインド３０Ａの位置の設定を行う
（ステップＳ４）。すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、マ
スクＭに対する露光光ＥＬの照射領域（すなわち分割パ
ターン４７）の一辺に位置する継ぎ部４９に設けられた
マスクＭのパターンに対して、継ぎ露光するためのブラ
インド３０Ａを位置合わせする。
査露光を行う際のブラインド３０Ａの位置の設定を行う
（ステップＳ４）。すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、マ
スクＭに対する露光光ＥＬの照射領域（すなわち分割パ
ターン４７）の一辺に位置する継ぎ部４９に設けられた
マスクＭのパターンに対して、継ぎ露光するためのブラ
インド３０Ａを位置合わせする。
【００７８】具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、継ぎ部
（重複領域）４９に対応してマスクＭ上に設けられてい
る位置合わせマーク６０Ａと、ブラインド３０Ａの先端
部とを位置合わせする。マスクＭの位置合わせマーク６
０Ａとブラインド３０Ａとを位置合わせは、図１２を用
いて説明した方法と同様の手順で行うことができる。ブ
ラインド３０Ａは位置合わせマーク６０Ａに位置合わせ
されることにより、継ぎ部４９に対しても位置合わせさ
れる。
（重複領域）４９に対応してマスクＭ上に設けられてい
る位置合わせマーク６０Ａと、ブラインド３０Ａの先端
部とを位置合わせする。マスクＭの位置合わせマーク６
０Ａとブラインド３０Ａとを位置合わせは、図１２を用
いて説明した方法と同様の手順で行うことができる。ブ
ラインド３０Ａは位置合わせマーク６０Ａに位置合わせ
されることにより、継ぎ部４９に対しても位置合わせさ
れる。
【００７９】ここで、位置合わせマーク６０Ａもマスク
Ｍの−Ｘ側端部及び＋Ｘ側端部の２箇所に形成されてい
る。そして、これら２つの位置合わせマーク６０Ａのそ
れぞれとブラインド３０Ａとの位置合わせを予め行って
おき、これらの位置情報に基づいてブラインド３０Ａの
位置を設定しつつ走査露光することにより、ブラインド
３０Ａによって所望の継ぎ部４９を設定できる。
Ｍの−Ｘ側端部及び＋Ｘ側端部の２箇所に形成されてい
る。そして、これら２つの位置合わせマーク６０Ａのそ
れぞれとブラインド３０Ａとの位置合わせを予め行って
おき、これらの位置情報に基づいてブラインド３０Ａの
位置を設定しつつ走査露光することにより、ブラインド
３０Ａによって所望の継ぎ部４９を設定できる。
【００８０】以上のようにしてブラインド３０Ａとマス
ク位置合わせマーク６０Ａとの位置合わせを行ったら、
制御装置ＣＯＮＴは、このときのブラインド３０Ａ及び
マスクステージＭＳＴ（マスクＭ）の位置に関する情報
を記憶装置（不図示）に記憶する（ステップＳ５）。
ク位置合わせマーク６０Ａとの位置合わせを行ったら、
制御装置ＣＯＮＴは、このときのブラインド３０Ａ及び
マスクステージＭＳＴ（マスクＭ）の位置に関する情報
を記憶装置（不図示）に記憶する（ステップＳ５）。
【００８１】次に、各投影領域５０ａ〜５０ｇの照度キ
ャリブレーション及び位置検出を行う。まず、基板ステ
ージＰＳＴに感光基板Ｐを載置しない状態で、感光基板
Ｐ上における分割パターン６２（長さＬＡの部分）に対
応する領域に対して露光動作を開始する（ステップＳ
６）。具体的には、まず制御装置ＣＯＮＴがフィルタ駆
動部１４を駆動し、光源１からの光束が最大透過率でフ
ィルタ１３を透過するようにフィルタ１３を移動させ
る。フィルタ１３が移動すると、光源１から楕円鏡１ａ
を介して光束が照射される。照射された光束は、フィル
タ１３、ハーフミラー１１、マスクＭ、投影光学系ＰＬ
ａ〜ＰＬｇ等を透過した後、基板ステージＰＳＴ上に到
達する。このとき、露光光ＥＬの照射領域にパターン等
が形成されていない位置になるようにマスクＭを移動し
ておく。ここで、各投影領域５０ａ〜５０ｇのそれぞれ
は視野絞り２０及び遮光板４０によって設定されてお
り、ブラインド３０Ｂは光路から退避している。
ャリブレーション及び位置検出を行う。まず、基板ステ
ージＰＳＴに感光基板Ｐを載置しない状態で、感光基板
Ｐ上における分割パターン６２（長さＬＡの部分）に対
応する領域に対して露光動作を開始する（ステップＳ
６）。具体的には、まず制御装置ＣＯＮＴがフィルタ駆
動部１４を駆動し、光源１からの光束が最大透過率でフ
ィルタ１３を透過するようにフィルタ１３を移動させ
る。フィルタ１３が移動すると、光源１から楕円鏡１ａ
を介して光束が照射される。照射された光束は、フィル
タ１３、ハーフミラー１１、マスクＭ、投影光学系ＰＬ
ａ〜ＰＬｇ等を透過した後、基板ステージＰＳＴ上に到
達する。このとき、露光光ＥＬの照射領域にパターン等
が形成されていない位置になるようにマスクＭを移動し
ておく。ここで、各投影領域５０ａ〜５０ｇのそれぞれ
は視野絞り２０及び遮光板４０によって設定されてお
り、ブラインド３０Ｂは光路から退避している。
【００８２】これと同時に、ディテクタ４１を分割パタ
ーン６２に対応する領域内においてＸ方向及びＹ方向に
移動して、投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇに対応した投影領
域５０ａ〜５０ｇで走査させる。走査するディテクタ４
１によって、各投影領域５０ａ〜５０ｇにおける照度及
び境界部５１ａ〜５１ｌにおける照度Ｗａ〜Ｗｌを順次
計測する（ステップＳ７）。
ーン６２に対応する領域内においてＸ方向及びＹ方向に
移動して、投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇに対応した投影領
域５０ａ〜５０ｇで走査させる。走査するディテクタ４
１によって、各投影領域５０ａ〜５０ｇにおける照度及
び境界部５１ａ〜５１ｌにおける照度Ｗａ〜Ｗｌを順次
計測する（ステップＳ７）。
【００８３】ディテクタ４１の検出信号は制御装置ＣＯ
ＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４
１からの検出信号に基づいて画像処理を行い、各投影領
域５０ａ〜５０ｇ及び境界部５１ａ〜５１ｌの形状及び
照度を検出する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、この境
界部５１ａ〜５１ｌの照度Ｗａ〜Ｗｌを記憶装置に記憶
する。
ＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４
１からの検出信号に基づいて画像処理を行い、各投影領
域５０ａ〜５０ｇ及び境界部５１ａ〜５１ｌの形状及び
照度を検出する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、この境
界部５１ａ〜５１ｌの照度Ｗａ〜Ｗｌを記憶装置に記憶
する。
【００８４】次いで、ディテクタ４１が計測した境界部
５１ａ〜５１ｌの照度Ｗａ〜Ｗｌに基づいて、この照度
Ｗａ〜Ｗｌが略所定値で、且つ（｜Ｗａ−Ｗｂ｜、｜Ｗ
ｃ−Ｗｄ｜、｜Ｗｅ−Ｗｆ｜、｜Ｗｇ−Ｗｈ｜、｜Ｗｉ
−Ｗｊ｜、｜Ｗｋ−Ｗｌ｜）が最小になるように、ディ
テクタ４１により照度を計測しつつ各照明系モジュール
ＩＭａ〜ＩＭｇ毎にフィルタ１３を駆動させる（ステッ
プＳ８）。これにより、各光路毎の光束の光量が補正さ
れる。
５１ａ〜５１ｌの照度Ｗａ〜Ｗｌに基づいて、この照度
Ｗａ〜Ｗｌが略所定値で、且つ（｜Ｗａ−Ｗｂ｜、｜Ｗ
ｃ−Ｗｄ｜、｜Ｗｅ−Ｗｆ｜、｜Ｗｇ−Ｗｈ｜、｜Ｗｉ
−Ｗｊ｜、｜Ｗｋ−Ｗｌ｜）が最小になるように、ディ
テクタ４１により照度を計測しつつ各照明系モジュール
ＩＭａ〜ＩＭｇ毎にフィルタ１３を駆動させる（ステッ
プＳ８）。これにより、各光路毎の光束の光量が補正さ
れる。
【００８５】なお、このとき、光源１から照射された光
束は、ハーフミラー１１によりその一部がディテクタ１
２へ入射されており、ディテクタ１２は、入射した光束
の照度を計測し、検出した照度信号を制御装置ＣＯＮＴ
へ出力している。したがって、制御装置ＣＯＮＴは、デ
ィテクタ１２が検出した光束の照度に基づいて、この照
度が所定値になるようにフィルタ駆動部１４を制御する
ことで、各光路毎の光量を調整してもよい。
束は、ハーフミラー１１によりその一部がディテクタ１
２へ入射されており、ディテクタ１２は、入射した光束
の照度を計測し、検出した照度信号を制御装置ＣＯＮＴ
へ出力している。したがって、制御装置ＣＯＮＴは、デ
ィテクタ１２が検出した光束の照度に基づいて、この照
度が所定値になるようにフィルタ駆動部１４を制御する
ことで、各光路毎の光量を調整してもよい。
【００８６】制御装置ＣＯＮＴは、走査するディテクタ
４１によって検出された露光光の光量に関する情報に基
づいて、それぞれの境界部５１ａ〜５１ｌの位置を求め
る（ステップＳ９）。すなわち、走査するディテクタ４
１の検出信号に基づいて、制御装置ＣＯＮＴは、所定の
座標系に対する各境界部５１ａ〜５１ｌの形状を求め、
この求めた形状に基づいて、所定の座標系に対する各境
界部５１ａ〜５１ｌの位置を求める。具体的には、三角
形形状の境界部５１ａ〜５１ｌのうち、例えば先端位置
や図心位置など、代表される所定位置を求める。
４１によって検出された露光光の光量に関する情報に基
づいて、それぞれの境界部５１ａ〜５１ｌの位置を求め
る（ステップＳ９）。すなわち、走査するディテクタ４
１の検出信号に基づいて、制御装置ＣＯＮＴは、所定の
座標系に対する各境界部５１ａ〜５１ｌの形状を求め、
この求めた形状に基づいて、所定の座標系に対する各境
界部５１ａ〜５１ｌの位置を求める。具体的には、三角
形形状の境界部５１ａ〜５１ｌのうち、例えば先端位置
や図心位置など、代表される所定位置を求める。
【００８７】このとき、ディテクタ４１の位置は、基準
位置に対する各駆動部の駆動量に基づいて求めることが
できる。つまり、ディテクタ４１の初期位置（待機位
置）等を基準位置に設定し、この基準位置に対して、走
査するディテクタ４１の位置を求めることができる。制
御装置ＣＯＮＴは、基準位置に対するディテクタ４１の
位置に基づいて、各境界部５１ａ〜５１ｌの基準位置に
対する位置を求める。
位置に対する各駆動部の駆動量に基づいて求めることが
できる。つまり、ディテクタ４１の初期位置（待機位
置）等を基準位置に設定し、この基準位置に対して、走
査するディテクタ４１の位置を求めることができる。制
御装置ＣＯＮＴは、基準位置に対するディテクタ４１の
位置に基づいて、各境界部５１ａ〜５１ｌの基準位置に
対する位置を求める。
【００８８】そして、制御装置ＣＯＮＴは、境界部５１
ａ〜５１ｌの所定の座標系に対する位置を記憶装置に記
憶する。このとき、それぞれの投影領域５０ａ〜５０ｇ
（境界部５１ａ〜５１ｌ）の相対的な位置も記憶するこ
とになる。
ａ〜５１ｌの所定の座標系に対する位置を記憶装置に記
憶する。このとき、それぞれの投影領域５０ａ〜５０ｇ
（境界部５１ａ〜５１ｌ）の相対的な位置も記憶するこ
とになる。
【００８９】ブラインド３０Ｂを光路から退避した状態
で各投影領域５０ａ〜５０ｇの光量調整及び位置検出を
行ったら、制御装置ＣＯＮＴは記憶装置の情報に基づい
て、ブラインド３０ＢをステップＳ２で設定した位置に
配置し、この状態で露光動作を行う。そして、制御装置
ＣＯＮＴは継ぎ部４８に相当する投影領域５０ｅの小領
域ＫＢの照度をディテクタ４１で検出する（ステップＳ
１０）。ここで、小領域ＫＢはブラインド３０Ｂによ
り、−Ｙ方向に向かうに従い感光基板Ｐ上における重複
領域６４での積算露光量をほぼ連続的に減衰されてい
る。
で各投影領域５０ａ〜５０ｇの光量調整及び位置検出を
行ったら、制御装置ＣＯＮＴは記憶装置の情報に基づい
て、ブラインド３０ＢをステップＳ２で設定した位置に
配置し、この状態で露光動作を行う。そして、制御装置
ＣＯＮＴは継ぎ部４８に相当する投影領域５０ｅの小領
域ＫＢの照度をディテクタ４１で検出する（ステップＳ
１０）。ここで、小領域ＫＢはブラインド３０Ｂによ
り、−Ｙ方向に向かうに従い感光基板Ｐ上における重複
領域６４での積算露光量をほぼ連続的に減衰されてい
る。
【００９０】ディテクタ４１の検出信号は制御装置ＣＯ
ＮＴに出力され、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１
からの検出信号に基づいて画像処理を行い、小領域ＫＢ
の形状及び照度を検出する。そして、制御装置ＣＯＮＴ
は、この小領域ＫＢの形状及び照度Ｗｋｂを記憶装置に
記憶する。更に、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１
によって検出された露光光の光量に関する情報に基づい
て小領域ＫＢの位置及び形状を求める。小領域ＫＢの位
置は、三角形形状の小領域ＫＢのうち、例えば先端位置
や図心位置など、代表される所定位置である。
ＮＴに出力され、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１
からの検出信号に基づいて画像処理を行い、小領域ＫＢ
の形状及び照度を検出する。そして、制御装置ＣＯＮＴ
は、この小領域ＫＢの形状及び照度Ｗｋｂを記憶装置に
記憶する。更に、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１
によって検出された露光光の光量に関する情報に基づい
て小領域ＫＢの位置及び形状を求める。小領域ＫＢの位
置は、三角形形状の小領域ＫＢのうち、例えば先端位置
や図心位置など、代表される所定位置である。
【００９１】小領域ＫＢの照度、位置及び形状を求めた
ら、制御装置ＣＯＮＴはブラインド３０Ｂを光路から退
避させるとともに、ブラインド３０ＡをステップＳ４で
設定した位置に配置し、この状態で露光動作を行う。そ
して、制御装置ＣＯＮＴは継ぎ部４９に相当する投影領
域５０ｃの小領域ＫＡの照度をディテクタ４１で検出す
る（ステップＳ１１）。ここで、小領域ＫＡはブライン
ド３０Ａにより、＋Ｙ方向に向かうに従い感光基板Ｐ上
における重複領域６４での積算露光量をほぼ連続的に減
衰されている。
ら、制御装置ＣＯＮＴはブラインド３０Ｂを光路から退
避させるとともに、ブラインド３０ＡをステップＳ４で
設定した位置に配置し、この状態で露光動作を行う。そ
して、制御装置ＣＯＮＴは継ぎ部４９に相当する投影領
域５０ｃの小領域ＫＡの照度をディテクタ４１で検出す
る（ステップＳ１１）。ここで、小領域ＫＡはブライン
ド３０Ａにより、＋Ｙ方向に向かうに従い感光基板Ｐ上
における重複領域６４での積算露光量をほぼ連続的に減
衰されている。
【００９２】ディテクタ４１の検出信号は制御装置ＣＯ
ＮＴに出力され、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１
からの検出信号に基づいて画像処理を行い、小領域ＫＡ
の形状及び照度を検出する。そして、制御装置ＣＯＮＴ
は、この小領域ＫＡの形状及び照度Ｗｋａを記憶装置に
記憶する。更に、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１
によって検出された露光光の光量に関する情報に基づい
て小領域ＫＡの位置及び形状を求める。小領域ＫＡの位
置は、三角形形状の小領域ＫＡのうち、例えば先端位置
や図心位置など、代表される所定位置である。
ＮＴに出力され、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１
からの検出信号に基づいて画像処理を行い、小領域ＫＡ
の形状及び照度を検出する。そして、制御装置ＣＯＮＴ
は、この小領域ＫＡの形状及び照度Ｗｋａを記憶装置に
記憶する。更に、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１
によって検出された露光光の光量に関する情報に基づい
て小領域ＫＡの位置及び形状を求める。小領域ＫＡの位
置は、三角形形状の小領域ＫＡのうち、例えば先端位置
や図心位置など、代表される所定位置である。
【００９３】制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ１０で求
めた小領域ＫＢの照度Ｗｋｂと、ステップＳ１１で求め
た小領域ＫＡの照度Ｗｋａとに基づいて、この照度Ｗｋ
ａと照度Ｗｋｂが略所定値で、且つ（｜Ｗａ−Ｗｂ｜、
｜Ｗｃ−Ｗｄ｜、｜Ｗｅ−Ｗｆ｜、｜Ｗｇ−Ｗｈ｜、｜
Ｗｉ−Ｗｊ｜、｜Ｗｋ−Ｗｌ｜、｜Ｗｋａ−Ｗｋｂ｜）
が最小になるように、ディテクタ４１により照度を計測
しつつ各照明系モジュールＩＭｃ、ＩＭｅにフィルタ１
３を駆動させる（ステップＳ１２）。つまり、継ぎ部に
おける光量調整を行うとともに、この継ぎ部における光
量の検出結果に応じて、他の投影領域における露光量の
再調整を行う。
めた小領域ＫＢの照度Ｗｋｂと、ステップＳ１１で求め
た小領域ＫＡの照度Ｗｋａとに基づいて、この照度Ｗｋ
ａと照度Ｗｋｂが略所定値で、且つ（｜Ｗａ−Ｗｂ｜、
｜Ｗｃ−Ｗｄ｜、｜Ｗｅ−Ｗｆ｜、｜Ｗｇ−Ｗｈ｜、｜
Ｗｉ−Ｗｊ｜、｜Ｗｋ−Ｗｌ｜、｜Ｗｋａ−Ｗｋｂ｜）
が最小になるように、ディテクタ４１により照度を計測
しつつ各照明系モジュールＩＭｃ、ＩＭｅにフィルタ１
３を駆動させる（ステップＳ１２）。つまり、継ぎ部に
おける光量調整を行うとともに、この継ぎ部における光
量の検出結果に応じて、他の投影領域における露光量の
再調整を行う。
【００９４】また、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ１
０及びステップＳ１１で検出した小領域ＫＡ及び小領域
ＫＢの形状検出結果に基づいて、これら各小領域ＫＡ、
ＫＢの形状補正を行う（ステップＳ１３）。例えば、先
に検出した小領域ＫＢの形状に対して、後に検出した小
領域ＫＡの形状が所望の形状を有していない場合、例え
ば、走査露光することによって均一に重複しない場合
や、小領域ＫＡ及びＫＢによって形成される重複領域６
４の幅ＬＫが各投影領域５２ａ〜５２ｆの幅と大きく異
なる場合などにおいては、投影領域５０ｅあるいは投影
領域５０ｃに対応する投影光学系ＰＬｅあるいは投影光
学系ＰＬｃの像シフト機構１９、倍率調整機構２３、直
角プリズム２４，２７を駆動し、シフト、スケーリン
グ、ローテーションなどの像特性を補正（レンズキャリ
ブレーション）する。
０及びステップＳ１１で検出した小領域ＫＡ及び小領域
ＫＢの形状検出結果に基づいて、これら各小領域ＫＡ、
ＫＢの形状補正を行う（ステップＳ１３）。例えば、先
に検出した小領域ＫＢの形状に対して、後に検出した小
領域ＫＡの形状が所望の形状を有していない場合、例え
ば、走査露光することによって均一に重複しない場合
や、小領域ＫＡ及びＫＢによって形成される重複領域６
４の幅ＬＫが各投影領域５２ａ〜５２ｆの幅と大きく異
なる場合などにおいては、投影領域５０ｅあるいは投影
領域５０ｃに対応する投影光学系ＰＬｅあるいは投影光
学系ＰＬｃの像シフト機構１９、倍率調整機構２３、直
角プリズム２４，２７を駆動し、シフト、スケーリン
グ、ローテーションなどの像特性を補正（レンズキャリ
ブレーション）する。
【００９５】更に、制御装置ＣＯＮＴは、投影領域５０
ａ〜５０ｇのそれぞれの形状が所定の形状を有していな
かったり、隣接する投影領域５０ａ〜５０ｇどうしの重
複領域５２ａ〜５２ｆの幅が走査露光することによって
変化してしまう場合などにおいても、各投影光学系ＰＬ
ａ〜ＰＬｇの像シフト機構１９、倍率調整機構２３、直
角プリズム２４，２７を駆動して像特性を補正できる。
制御装置ＣＯＮＴはこれら補正値を記憶装置に記憶す
る。
ａ〜５０ｇのそれぞれの形状が所定の形状を有していな
かったり、隣接する投影領域５０ａ〜５０ｇどうしの重
複領域５２ａ〜５２ｆの幅が走査露光することによって
変化してしまう場合などにおいても、各投影光学系ＰＬ
ａ〜ＰＬｇの像シフト機構１９、倍率調整機構２３、直
角プリズム２４，２７を駆動して像特性を補正できる。
制御装置ＣＯＮＴはこれら補正値を記憶装置に記憶す
る。
【００９６】以上のようにして、継ぎ部を含む投影領域
５０ａ〜５０ｇのキャリブレーション（照度キャリブレ
ーション、レンズキャリブレーション）を行ったら、実
際に露光処理を行うべく、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭ
を露光光ＥＬの光路上に配置するとともに、不図示のロ
ーダを介して基板ステージＰＳＴの基板ホルダＰＨに感
光基板Ｐを載置する（ステップＳ１４）。
５０ａ〜５０ｇのキャリブレーション（照度キャリブレ
ーション、レンズキャリブレーション）を行ったら、実
際に露光処理を行うべく、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭ
を露光光ＥＬの光路上に配置するとともに、不図示のロ
ーダを介して基板ステージＰＳＴの基板ホルダＰＨに感
光基板Ｐを載置する（ステップＳ１４）。
【００９７】一回目の走査露光を行うべく、制御装置Ｃ
ＯＮＴは、上記各キャリブレーション工程で設定した設
定値や補正値に基づき、視野絞り２０及び遮光板４０に
よって走査方向及び非走査方向に所定の幅を有する投影
領域を設定するとともに、マスクステージＭＳＴを駆動
して、マスクＭのパターンに合わせて露光光ＥＸを照射
するための照射領域を設定する。そして、マスクＭのパ
ターン領域のうち、少なくとも一回目の走査露光で用い
る分割パターン４６に露光光ＥＬが照射されるようにマ
スクステージＭＳＴの位置を制御するとともに、図１２
を用いて説明したように、マスクＭに形成されている位
置合わせマーク６０Ｂを用いて、ブラインド３０Ｂが投
影領域５０ｇに対応する光路を遮光するとともに、投影
領域５０ｅの一部を遮光するように、ブラインド３０Ｂ
の位置調整を行う（ステップＳ１５）。
ＯＮＴは、上記各キャリブレーション工程で設定した設
定値や補正値に基づき、視野絞り２０及び遮光板４０に
よって走査方向及び非走査方向に所定の幅を有する投影
領域を設定するとともに、マスクステージＭＳＴを駆動
して、マスクＭのパターンに合わせて露光光ＥＸを照射
するための照射領域を設定する。そして、マスクＭのパ
ターン領域のうち、少なくとも一回目の走査露光で用い
る分割パターン４６に露光光ＥＬが照射されるようにマ
スクステージＭＳＴの位置を制御するとともに、図１２
を用いて説明したように、マスクＭに形成されている位
置合わせマーク６０Ｂを用いて、ブラインド３０Ｂが投
影領域５０ｇに対応する光路を遮光するとともに、投影
領域５０ｅの一部を遮光するように、ブラインド３０Ｂ
の位置調整を行う（ステップＳ１５）。
【００９８】更に、マスクＭの位置合わせマーク６０Ｂ
を用いて、基板ステージＰＳＴに載置されている感光基
板ＰとマスクＭとを位置合わせする（ステップＳ１
６）。ここで、感光基板Ｐには、継ぎ露光を行う領域、
すなわち感光基板Ｐの重複領域６４に相当してパターン
領域近傍に基板位置合わせマーク７２が予め形成されて
いる。制御装置ＣＯＮＴは、マスクステージＭＳＴに載
置されているマスクＭの位置合わせマーク６０Ｂと、基
板ステージＰＳＴに載置されている感光基板Ｐの位置合
わせマーク７２とを位置合わせすることにより、感光基
板Ｐの露光領域６２にマスクＭの分割パターン４６を位
置合わせして露光する。
を用いて、基板ステージＰＳＴに載置されている感光基
板ＰとマスクＭとを位置合わせする（ステップＳ１
６）。ここで、感光基板Ｐには、継ぎ露光を行う領域、
すなわち感光基板Ｐの重複領域６４に相当してパターン
領域近傍に基板位置合わせマーク７２が予め形成されて
いる。制御装置ＣＯＮＴは、マスクステージＭＳＴに載
置されているマスクＭの位置合わせマーク６０Ｂと、基
板ステージＰＳＴに載置されている感光基板Ｐの位置合
わせマーク７２とを位置合わせすることにより、感光基
板Ｐの露光領域６２にマスクＭの分割パターン４６を位
置合わせして露光する。
【００９９】なお、マスクＭの位置合わせマーク６０Ｂ
と感光基板Ｐの位置合わせマーク７２とを位置合わせす
る際には、例えば図１３の模式図に示すように、マスク
Ｍの上方に設けられた発光部７５からマスク位置合わせ
マーク６０Ｂに対してアライメント光を照射する。位置
合わせマーク６０Ｂに照射されたアライメント光はマス
クＭを透過し、投影光学系ＰＬを介して感光基板Ｐの基
板位置合わせマーク７２に照射される。そして、基板位
置合わせマーク７２で反射した反射光を、投影光学系Ｐ
Ｌ及びマスクＭの位置合わせマーク６０Ｂを介してマス
クＭの上方に設けられている受光部７６で検出し、マス
ク位置合わせマーク６０Ｂにおける反射光と、基板位置
合わせマーク７２における反射光とに基づいて、マスク
位置合わせマーク６０Ｂと基板位置合わせマーク７２と
が一致するように、基板ステージＰＳＴを位置調整すれ
ばよい。なお、感光基板Ｐはガラス基板であるため、基
板位置合わせマークにおける反射光を検出せずに、例え
ば基板ステージ側に受光部７６’を設けておき、マスク
位置合わせマーク６０Ｂを通過した光と基板位置合わせ
マーク７２を通過した光とに基づいてマスクＭと感光基
板Ｐとの位置合わせを行ってもよい。
と感光基板Ｐの位置合わせマーク７２とを位置合わせす
る際には、例えば図１３の模式図に示すように、マスク
Ｍの上方に設けられた発光部７５からマスク位置合わせ
マーク６０Ｂに対してアライメント光を照射する。位置
合わせマーク６０Ｂに照射されたアライメント光はマス
クＭを透過し、投影光学系ＰＬを介して感光基板Ｐの基
板位置合わせマーク７２に照射される。そして、基板位
置合わせマーク７２で反射した反射光を、投影光学系Ｐ
Ｌ及びマスクＭの位置合わせマーク６０Ｂを介してマス
クＭの上方に設けられている受光部７６で検出し、マス
ク位置合わせマーク６０Ｂにおける反射光と、基板位置
合わせマーク７２における反射光とに基づいて、マスク
位置合わせマーク６０Ｂと基板位置合わせマーク７２と
が一致するように、基板ステージＰＳＴを位置調整すれ
ばよい。なお、感光基板Ｐはガラス基板であるため、基
板位置合わせマークにおける反射光を検出せずに、例え
ば基板ステージ側に受光部７６’を設けておき、マスク
位置合わせマーク６０Ｂを通過した光と基板位置合わせ
マーク７２を通過した光とに基づいてマスクＭと感光基
板Ｐとの位置合わせを行ってもよい。
【０１００】ここで、基板位置合わせマーク７２は、マ
スク位置合わせマーク６０Ｂ同様、感光基板Ｐの−Ｘ側
端部及び＋Ｘ側端部の２箇所に形成されている。そし
て、これら＋Ｘ側及び−Ｘ側のマスク位置合わせマーク
６０Ｂのそれぞれと、＋Ｘ側及び−Ｘ側の基板位置合わ
せマーク７２のそれぞれとを予め位置合わせしておき、
これらの位置情報に基づいて走査露光を行うことにより
露光精度を向上できる。
スク位置合わせマーク６０Ｂ同様、感光基板Ｐの−Ｘ側
端部及び＋Ｘ側端部の２箇所に形成されている。そし
て、これら＋Ｘ側及び−Ｘ側のマスク位置合わせマーク
６０Ｂのそれぞれと、＋Ｘ側及び−Ｘ側の基板位置合わ
せマーク７２のそれぞれとを予め位置合わせしておき、
これらの位置情報に基づいて走査露光を行うことにより
露光精度を向上できる。
【０１０１】こうして、マスクＭと感光基板Ｐとの位置
合わせ、及びマスクＭとブラインド３０Ｂとの位置合わ
せを行ったら、制御装置ＣＯＮＴは感光基板Ｐに対して
一回目の走査露光処理を行う（ステップＳ１７）。初め
に、分割パターン６２（長さＬＡの部分）に対応する部
分を露光する。この場合、投影光学系ＰＬｆに対応する
照明系モジュールＩＭｆの照明シャッタ６がシャッタ駆
動部６ａの駆動により光路中に挿入され、図１０に示す
ように、投影領域５０ｆに対応する光路の照明光を遮光
する。このとき、照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｅ、Ｉ
Ｍｇの照明シャッタ６は各光路を開放している。そし
て、ブラインド３０Ｂが、投影領域５０ｅの一部を遮光
するとともに、投影領域５０ｇに対応する光路を遮光す
る。ブラインド３０Ｂにより、投影領域５０ｅにはＹ方
向に減光特性を有する小領域ＫＢが形成され、感光基板
Ｐに対しては、周辺回路６１ａと画素パターン６０の一
部を含むＹ方向の長さＬＡの露光領域が設定される。
合わせ、及びマスクＭとブラインド３０Ｂとの位置合わ
せを行ったら、制御装置ＣＯＮＴは感光基板Ｐに対して
一回目の走査露光処理を行う（ステップＳ１７）。初め
に、分割パターン６２（長さＬＡの部分）に対応する部
分を露光する。この場合、投影光学系ＰＬｆに対応する
照明系モジュールＩＭｆの照明シャッタ６がシャッタ駆
動部６ａの駆動により光路中に挿入され、図１０に示す
ように、投影領域５０ｆに対応する光路の照明光を遮光
する。このとき、照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｅ、Ｉ
Ｍｇの照明シャッタ６は各光路を開放している。そし
て、ブラインド３０Ｂが、投影領域５０ｅの一部を遮光
するとともに、投影領域５０ｇに対応する光路を遮光す
る。ブラインド３０Ｂにより、投影領域５０ｅにはＹ方
向に減光特性を有する小領域ＫＢが形成され、感光基板
Ｐに対しては、周辺回路６１ａと画素パターン６０の一
部を含むＹ方向の長さＬＡの露光領域が設定される。
【０１０２】そして、マスクＭと感光基板ＰとをＸ方向
に同期移動して一回目の走査露光を行う。これにより、
図１０に示すように、感光基板Ｐ上には、投影領域５０
ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ、及び投影領域５０ｅの一
部によって設定された分割パターン６２が露光される。
そして、ブラインド３０Ｂによって設定された小領域Ｋ
Ｂに基づいて、走査露光することにより分割パターン
（露光領域）６２の−Ｙ側の一辺に形成された重複領域
６４は、この分割パターン６２の−Ｙ側に向かうに従い
露光量をほぼ連続的に減衰される。
に同期移動して一回目の走査露光を行う。これにより、
図１０に示すように、感光基板Ｐ上には、投影領域５０
ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ、及び投影領域５０ｅの一
部によって設定された分割パターン６２が露光される。
そして、ブラインド３０Ｂによって設定された小領域Ｋ
Ｂに基づいて、走査露光することにより分割パターン
（露光領域）６２の−Ｙ側の一辺に形成された重複領域
６４は、この分割パターン６２の−Ｙ側に向かうに従い
露光量をほぼ連続的に減衰される。
【０１０３】次に、二回目の走査露光を行うため、基板
ステージＰＳＴの所定位置に対する位置合わせを行う
（ステップＳ１８）。具体的には、基板ステージＰＳＴ
を＋Ｙ方向に所定距離ステップ移動させるとともに、基
板ステージＰＳＴの位置の微調整を行う。二回目の走査
露光を行うための基板ステージＰＳＴの位置合わせは、
マスクＭのうち継ぎ部４９に対応して形成されているマ
スク位置合わせマーク６０Ａと、感光基板Ｐのうち重複
領域６４に対応して形成されている基板位置合わせマー
ク７２とを位置合わせすることにより行われる。制御装
置ＣＯＮＴは、図１３を用いて説明した手順と同様、発
光部７５からマスク位置合わせマーク６０Ａに対してア
ライメント光を照射し、投影光学系ＰＬを介して感光基
板Ｐの基板位置合わせマーク７２に照射されたアライメ
ント光の反射光と、マスク位置合わせマーク６０Ａにお
ける反射光とに基づいて、マスク位置合わせマーク６０
Ａと基板位置合わせマーク７２とが一致するように、基
板ステージＰＳＴを位置調整する。このように、マスク
Ｍに形成されているマスク位置合わせマーク６０と、感
光基板Ｐに形成されている基板位置合わせマーク７２と
を用いて、継ぎ露光する際の継ぎ部の位置合わせをする
ことにより、継ぎ部の位置決め精度を向上できる。
ステージＰＳＴの所定位置に対する位置合わせを行う
（ステップＳ１８）。具体的には、基板ステージＰＳＴ
を＋Ｙ方向に所定距離ステップ移動させるとともに、基
板ステージＰＳＴの位置の微調整を行う。二回目の走査
露光を行うための基板ステージＰＳＴの位置合わせは、
マスクＭのうち継ぎ部４９に対応して形成されているマ
スク位置合わせマーク６０Ａと、感光基板Ｐのうち重複
領域６４に対応して形成されている基板位置合わせマー
ク７２とを位置合わせすることにより行われる。制御装
置ＣＯＮＴは、図１３を用いて説明した手順と同様、発
光部７５からマスク位置合わせマーク６０Ａに対してア
ライメント光を照射し、投影光学系ＰＬを介して感光基
板Ｐの基板位置合わせマーク７２に照射されたアライメ
ント光の反射光と、マスク位置合わせマーク６０Ａにお
ける反射光とに基づいて、マスク位置合わせマーク６０
Ａと基板位置合わせマーク７２とが一致するように、基
板ステージＰＳＴを位置調整する。このように、マスク
Ｍに形成されているマスク位置合わせマーク６０と、感
光基板Ｐに形成されている基板位置合わせマーク７２と
を用いて、継ぎ露光する際の継ぎ部の位置合わせをする
ことにより、継ぎ部の位置決め精度を向上できる。
【０１０４】マスクＭと感光基板Ｐとの位置合わせをし
たら、制御装置ＣＯＮＴは、ブラインド３０Ｂを露光光
ＥＬの光路上から退避させるとともに、ブラインド３０
ＡをＹ方向に移動し、投影領域５０ｃの一部を遮光する
とともに、投影領域５０ａに対応する光路を遮光する
（ステップＳ１９）。このときのブラインド３０Ａのマ
スクＭに対する位置合わせも、図１２を用いて説明した
ように、マスク位置合わせマーク６０Ａを用いて行わ
れ、マスク位置合わせマーク６０Ａに対してブラインド
３０Ａが位置合わせされる。所定の位置に位置合わせさ
れたブラインド３０Ａは、投影領域５０ｃの一部に、Ｙ
方向に減光特性を有する小領域ＫＡを形成する。また、
投影光学系ＰＬｂに対応する照明系モジュールＩＭｂの
照明シャッタ６がシャッタ駆動部６ａの駆動により光路
中に挿入され、図１０に示すように、投影領域５０ｂに
対応する光路の照明光を遮光する。このとき、照明系モ
ジュールＩＭａ、ＩＭｃ〜ＩＭｇの照明シャッタ６は各
光路を開放している。そして、ブラインド３０Ａが、投
影領域５０ｃの一部を遮光するとともに、投影領域５０
ａに対応する光路を遮光し、感光基板Ｐに対しては、周
辺回路６１ｂと画素パターン６０の一部を含むＹ方向の
長さＬＢの露光領域が設定される。
たら、制御装置ＣＯＮＴは、ブラインド３０Ｂを露光光
ＥＬの光路上から退避させるとともに、ブラインド３０
ＡをＹ方向に移動し、投影領域５０ｃの一部を遮光する
とともに、投影領域５０ａに対応する光路を遮光する
（ステップＳ１９）。このときのブラインド３０Ａのマ
スクＭに対する位置合わせも、図１２を用いて説明した
ように、マスク位置合わせマーク６０Ａを用いて行わ
れ、マスク位置合わせマーク６０Ａに対してブラインド
３０Ａが位置合わせされる。所定の位置に位置合わせさ
れたブラインド３０Ａは、投影領域５０ｃの一部に、Ｙ
方向に減光特性を有する小領域ＫＡを形成する。また、
投影光学系ＰＬｂに対応する照明系モジュールＩＭｂの
照明シャッタ６がシャッタ駆動部６ａの駆動により光路
中に挿入され、図１０に示すように、投影領域５０ｂに
対応する光路の照明光を遮光する。このとき、照明系モ
ジュールＩＭａ、ＩＭｃ〜ＩＭｇの照明シャッタ６は各
光路を開放している。そして、ブラインド３０Ａが、投
影領域５０ｃの一部を遮光するとともに、投影領域５０
ａに対応する光路を遮光し、感光基板Ｐに対しては、周
辺回路６１ｂと画素パターン６０の一部を含むＹ方向の
長さＬＢの露光領域が設定される。
【０１０５】こうして、制御装置ＣＯＮＴは、一回目の
走査露光で投影露光された小領域ＫＢに基づく重複領域
６４（継ぎ部４８）に、二回目の走査露光で投影露光さ
れる小領域ＫＡに基づく継ぎ部４９が重ね合わせられる
ように、基板ステージＰＳＴを＋Ｙ方向に移動し、位置
合わせする。
走査露光で投影露光された小領域ＫＢに基づく重複領域
６４（継ぎ部４８）に、二回目の走査露光で投影露光さ
れる小領域ＫＡに基づく継ぎ部４９が重ね合わせられる
ように、基板ステージＰＳＴを＋Ｙ方向に移動し、位置
合わせする。
【０１０６】ここで、二回目の走査露光を行うためのス
テップ移動時、あるいはブラインド３０Ａの光路上への
配置時において、制御装置ＣＯＮＴはキャリブレーショ
ン時において記憶装置に記憶しておいた各設定値、補正
値に基づいて、感光基板Ｐに対する像特性の補正や、ブ
ラインド３０Ｂの微調整が可能である。すなわち、小領
域ＫＡに基づく重複領域６４と小領域ＫＢに基づく重複
領域６４とが一致するように像特性（シフト、スケーリ
ング、ローテーション）の調整が可能である。
テップ移動時、あるいはブラインド３０Ａの光路上への
配置時において、制御装置ＣＯＮＴはキャリブレーショ
ン時において記憶装置に記憶しておいた各設定値、補正
値に基づいて、感光基板Ｐに対する像特性の補正や、ブ
ラインド３０Ｂの微調整が可能である。すなわち、小領
域ＫＡに基づく重複領域６４と小領域ＫＢに基づく重複
領域６４とが一致するように像特性（シフト、スケーリ
ング、ローテーション）の調整が可能である。
【０１０７】また、パターンの重複領域６４と重複領域
以外とのそれぞれの露光光の照射量が略一致するよう
に、基板ステージＰＳＴの位置調整を行うことができ
る。すなわち、各小領域ＫＡ及びＫＢのそれぞれの形状
や光量はステップＳ１０〜Ｓ１３において予め検出、調
整されており、制御装置ＣＯＮＴは、記憶したそれぞれ
の小領域ＫＡ、ＫＢの形状又は光量に基づいて、パター
ンの重複領域６４と重複領域以外（すなわち領域６２，
６３）とのそれぞれの照度が略一致するように、基板ス
テージＰＳＴの位置の微調整を行う。具体的には、一回
目の走査露光による小領域ＫＢと二回目の走査露光によ
る小領域ＫＡとのそれぞれに基づく重複領域６４の露光
光の照射量が図１４に示すような照度分布において、例
えば、図１４（ａ）に示すように、一回目の走査露光の
小領域ＫＢと二回目の走査露光による小領域ＫＡとに基
づく重複領域６４の露光光の合計の照射量が、重複領域
６４以外の露光光の照射量より低い場合には、基板ステ
ージＰＳＴの位置を調整して重ね合わせ範囲を大きく
し、図１４（ｂ）に示すように、全ての位置において露
光光の照射量を略一致させる（ステップＳ２０）。
以外とのそれぞれの露光光の照射量が略一致するよう
に、基板ステージＰＳＴの位置調整を行うことができ
る。すなわち、各小領域ＫＡ及びＫＢのそれぞれの形状
や光量はステップＳ１０〜Ｓ１３において予め検出、調
整されており、制御装置ＣＯＮＴは、記憶したそれぞれ
の小領域ＫＡ、ＫＢの形状又は光量に基づいて、パター
ンの重複領域６４と重複領域以外（すなわち領域６２，
６３）とのそれぞれの照度が略一致するように、基板ス
テージＰＳＴの位置の微調整を行う。具体的には、一回
目の走査露光による小領域ＫＢと二回目の走査露光によ
る小領域ＫＡとのそれぞれに基づく重複領域６４の露光
光の照射量が図１４に示すような照度分布において、例
えば、図１４（ａ）に示すように、一回目の走査露光の
小領域ＫＢと二回目の走査露光による小領域ＫＡとに基
づく重複領域６４の露光光の合計の照射量が、重複領域
６４以外の露光光の照射量より低い場合には、基板ステ
ージＰＳＴの位置を調整して重ね合わせ範囲を大きく
し、図１４（ｂ）に示すように、全ての位置において露
光光の照射量を略一致させる（ステップＳ２０）。
【０１０８】あるいは、重複領域６４の露光光の照射量
と重複領域６４以外の露光光の照射量とが略一致するよ
うに、ブラインド３０を駆動し、重複領域６４における
露光光の照射量を調整してもよい。これにより、各光路
の光束の光量が補正することができる。
と重複領域６４以外の露光光の照射量とが略一致するよ
うに、ブラインド３０を駆動し、重複領域６４における
露光光の照射量を調整してもよい。これにより、各光路
の光束の光量が補正することができる。
【０１０９】なお、二回目の走査露光時におけるブライ
ンド３０Ａの光路上への配置は、キャリブレーション時
において基準位置に対する所望の位置が予め設定されて
いるので、この設定値に基づいて、ブラインド３０Ａを
移動させてもよい。
ンド３０Ａの光路上への配置は、キャリブレーション時
において基準位置に対する所望の位置が予め設定されて
いるので、この設定値に基づいて、ブラインド３０Ａを
移動させてもよい。
【０１１０】また、二回目の走査露光時における基板ス
テージＰＳＴのステップ移動は、基板位置合わせマーク
７２及びマスク位置合わせマーク６０Ａを用いずに行っ
てもよい。この場合、基板ステージＰＳＴのステップ移
動は、キャリブレーション時において予め求めておき、
この求めておいた情報に基づいてステップ移動すればよ
い。更に、キャリブレーション時に求めておいた各小領
域ＫＡ、ＫＢの位置に基づいて行ってもよい。すなわ
ち、一回目の走査露光で投影露光された基準位置に対す
る重複領域６４（継ぎ部４８）の位置は求められてお
り、この重複領域６４に、次に投影露光される継ぎ部４
９が所定の位置関係になるように、基板ステージＰＳＴ
の位置を設定すればよい。
テージＰＳＴのステップ移動は、基板位置合わせマーク
７２及びマスク位置合わせマーク６０Ａを用いずに行っ
てもよい。この場合、基板ステージＰＳＴのステップ移
動は、キャリブレーション時において予め求めておき、
この求めておいた情報に基づいてステップ移動すればよ
い。更に、キャリブレーション時に求めておいた各小領
域ＫＡ、ＫＢの位置に基づいて行ってもよい。すなわ
ち、一回目の走査露光で投影露光された基準位置に対す
る重複領域６４（継ぎ部４８）の位置は求められてお
り、この重複領域６４に、次に投影露光される継ぎ部４
９が所定の位置関係になるように、基板ステージＰＳＴ
の位置を設定すればよい。
【０１１１】そして、マスクＭと感光基板ＰとをＸ方向
に同期移動して二回目の走査露光を行う（ステップＳ２
１）。これにより、図１０に示すように、感光基板Ｐ上
には、投影領域５０ｃの一部、５０ｄ、５０ｅ、５０
ｆ、５０ｇによって設定された分割パターン６３が露光
される。そして、ブラインド３０Ａによって設定された
小領域ＫＡにより、走査露光することにより分割パター
ン（露光領域）６３の＋Ｙ側の一辺に形成された重複領
域６４は、この分割パターン６３の＋Ｙ側に向かうに従
い露光量をほぼ連続的に減衰される光量分布を有し、第
一回目の走査露光時に形成された重複領域６４と重複す
ることにより、所定の合成露光量が得られる。
に同期移動して二回目の走査露光を行う（ステップＳ２
１）。これにより、図１０に示すように、感光基板Ｐ上
には、投影領域５０ｃの一部、５０ｄ、５０ｅ、５０
ｆ、５０ｇによって設定された分割パターン６３が露光
される。そして、ブラインド３０Ａによって設定された
小領域ＫＡにより、走査露光することにより分割パター
ン（露光領域）６３の＋Ｙ側の一辺に形成された重複領
域６４は、この分割パターン６３の＋Ｙ側に向かうに従
い露光量をほぼ連続的に減衰される光量分布を有し、第
一回目の走査露光時に形成された重複領域６４と重複す
ることにより、所定の合成露光量が得られる。
【０１１２】このようにして、一枚のマスクＭを用い
て、このマスクＭよりも大きな感光基板Ｐに対する継ぎ
露光が完了する（ステップ２２）。
て、このマスクＭよりも大きな感光基板Ｐに対する継ぎ
露光が完了する（ステップ２２）。
【０１１３】以上説明したように、視野絞り２０及び遮
光板４０によって設定されたパターン像（投影領域）に
対してＹ方向に移動可能なブラインド３０を配置するこ
とにより、マスクＭにおけるパターンの継ぎ部（分割位
置）４８，４９を任意に設定できる。したがって、感光
基板Ｐに形成されるパターンの大きさを任意に設定で
き、任意のデバイスを効率良く製造できる。
光板４０によって設定されたパターン像（投影領域）に
対してＹ方向に移動可能なブラインド３０を配置するこ
とにより、マスクＭにおけるパターンの継ぎ部（分割位
置）４８，４９を任意に設定できる。したがって、感光
基板Ｐに形成されるパターンの大きさを任意に設定で
き、任意のデバイスを効率良く製造できる。
【０１１４】また、ブラインド３０は非走査方向に移動
可能に設けられ、照明光学系ＩＬの照射領域の周辺に向
かうに従いパターンの継ぎ部（重複領域）での積算露光
量をほぼ連続的に減衰させる減光特性を有するので、継
ぎ部における露光量を所望の値に設定でき、重複領域６
４と重複領域６４以外との露光量を一致させることがで
きる。したがって、精度良い露光処理を行うことができ
る。
可能に設けられ、照明光学系ＩＬの照射領域の周辺に向
かうに従いパターンの継ぎ部（重複領域）での積算露光
量をほぼ連続的に減衰させる減光特性を有するので、継
ぎ部における露光量を所望の値に設定でき、重複領域６
４と重複領域６４以外との露光量を一致させることがで
きる。したがって、精度良い露光処理を行うことができ
る。
【０１１５】また、視野絞り２０に対して遮光板４０及
びブラインド３０のそれぞれを移動可能としたことによ
り、感光基板Ｐに対する露光光ＥＬの投影領域５０ａ〜
５０ｇの大きさや形状を任意に設定できるので、継ぎ露
光する際の継ぎ合わせ精度の向上や、露光量の均一化を
実現できる。
びブラインド３０のそれぞれを移動可能としたことによ
り、感光基板Ｐに対する露光光ＥＬの投影領域５０ａ〜
５０ｇの大きさや形状を任意に設定できるので、継ぎ露
光する際の継ぎ合わせ精度の向上や、露光量の均一化を
実現できる。
【０１１６】視野絞り２０と遮光板４０とブラインド３
０とで投影領域を５０ａ〜５０ｇの複数に分割し、これ
らを継ぎ合わせて露光する、いわゆるマルチレンズスキ
ャン型露光装置としたことにより、良好な結像特性を維
持しつつ、装置を大型化せずに大きなパターンを形成で
きる。そして、投影光学系ＰＬは、走査方向に対して直
交する方向に並ぶ複数の投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇから
なり、複数の光学系ＰＬａ〜ＰＬｇのうち、所定の光学
系ＰＬａ〜ＰＬｇの光路を遮光することにより、走査露
光毎に投影領域を容易に調整できる。そして、分割パタ
ーン６２，６３の継ぎ合わせを行う際に、大型のマスク
Ｍを用いることなく、大型の感光基板Ｐに対して均一な
パターンを形成できる。したがって、装置の大型化及び
コストの増大を防ぐことができる。
０とで投影領域を５０ａ〜５０ｇの複数に分割し、これ
らを継ぎ合わせて露光する、いわゆるマルチレンズスキ
ャン型露光装置としたことにより、良好な結像特性を維
持しつつ、装置を大型化せずに大きなパターンを形成で
きる。そして、投影光学系ＰＬは、走査方向に対して直
交する方向に並ぶ複数の投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇから
なり、複数の光学系ＰＬａ〜ＰＬｇのうち、所定の光学
系ＰＬａ〜ＰＬｇの光路を遮光することにより、走査露
光毎に投影領域を容易に調整できる。そして、分割パタ
ーン６２，６３の継ぎ合わせを行う際に、大型のマスク
Ｍを用いることなく、大型の感光基板Ｐに対して均一な
パターンを形成できる。したがって、装置の大型化及び
コストの増大を防ぐことができる。
【０１１７】複数に分割された投影領域５０ａ〜５０ｇ
の形状は、台形形状であるので、継ぎ露光を行う際、継
ぎ部と継ぎ部以外との露光量を容易に一致させることが
できる。
の形状は、台形形状であるので、継ぎ露光を行う際、継
ぎ部と継ぎ部以外との露光量を容易に一致させることが
できる。
【０１１８】マスクＭ上において、継ぎ露光を行う領域
である継ぎ部４８、４９に相当して、ブラインド３０と
の位置合わせをするための位置合わせマーク６０Ａ、６
０Ｂを設けたことにより、この位置合わせマークを用い
てブラインド３０の位置合わせを精度良く行うことがで
きる。したがって、重複領域６４を所望の露光量で露光
できる。
である継ぎ部４８、４９に相当して、ブラインド３０と
の位置合わせをするための位置合わせマーク６０Ａ、６
０Ｂを設けたことにより、この位置合わせマークを用い
てブラインド３０の位置合わせを精度良く行うことがで
きる。したがって、重複領域６４を所望の露光量で露光
できる。
【０１１９】また、感光基板Ｐにも、継ぎ露光を行う領
域６４に相当して、マスク位置合わせマーク６０Ａ、６
０Ｂとの位置合わせを行うための基板位置合わせマーク
７２を設けたので、マスクＭと感光基板Ｐとの位置合わ
せを精度良く行って露光精度を向上できるとともに、複
数の走査露光を行うために基板ステージＰＳＴをステッ
プ移動する際にも、位置合わせマーク６０Ａ、６０Ｂ、
７２を用いて位置合わせすればよいので、位置合わせ精
度は向上する。
域６４に相当して、マスク位置合わせマーク６０Ａ、６
０Ｂとの位置合わせを行うための基板位置合わせマーク
７２を設けたので、マスクＭと感光基板Ｐとの位置合わ
せを精度良く行って露光精度を向上できるとともに、複
数の走査露光を行うために基板ステージＰＳＴをステッ
プ移動する際にも、位置合わせマーク６０Ａ、６０Ｂ、
７２を用いて位置合わせすればよいので、位置合わせ精
度は向上する。
【０１２０】また、本実施形態においては、投影領域５
０ａ〜５０ｇが重複する境界部５１ａ〜５１ｌの照度が
略一致するように照度を計測、補正しており、継ぎ部５
２ａ〜５２ｆにおける照度も均一にできる。そして、ブ
ラインド３０や遮光板４０のＹ方向の位置を変更して、
分割パターン６２、６３における重複領域６４における
照度も他の領域の照度と同一にでき、パターン全体を均
一な露光量で露光することができ、パターン線幅をパタ
ーン全面にわたって均一にできる。そのため、露光後の
液晶デバイスの品質は向上する。
０ａ〜５０ｇが重複する境界部５１ａ〜５１ｌの照度が
略一致するように照度を計測、補正しており、継ぎ部５
２ａ〜５２ｆにおける照度も均一にできる。そして、ブ
ラインド３０や遮光板４０のＹ方向の位置を変更して、
分割パターン６２、６３における重複領域６４における
照度も他の領域の照度と同一にでき、パターン全体を均
一な露光量で露光することができ、パターン線幅をパタ
ーン全面にわたって均一にできる。そのため、露光後の
液晶デバイスの品質は向上する。
【０１２１】なお、図９、図１０では、重複領域６４の
Ｙ方向の長さＬＫは、投影領域５０ａ〜５０ｇの重複領
域５２ａ〜５２ｆと同一距離に設定されているが、斜め
ブラインドであるブラインド３０Ａ（３０Ｂ）の先端部
の傾斜角度を変更することによって、分割パターン６２
及び６３どうしの重複領域６４のＹ方向の長さと、投影
領域５０ａ〜５０ｇどうしの重複領域５２ａ〜５２ｆの
Ｙ方向の長さとを異なるように設定してもよい。
Ｙ方向の長さＬＫは、投影領域５０ａ〜５０ｇの重複領
域５２ａ〜５２ｆと同一距離に設定されているが、斜め
ブラインドであるブラインド３０Ａ（３０Ｂ）の先端部
の傾斜角度を変更することによって、分割パターン６２
及び６３どうしの重複領域６４のＹ方向の長さと、投影
領域５０ａ〜５０ｇどうしの重複領域５２ａ〜５２ｆの
Ｙ方向の長さとを異なるように設定してもよい。
【０１２２】なお、本実施形態において、分割パターン
６２と分割パターン６３とをつなぎ合わせる際、一回目
の走査露光においてはブラインド３０Ｂで投影領域５０
ｅの一部を遮光して小領域ＫＢを形成し、二回目の走査
露光においてはブランド３０Ａで投影領域５０ｃの一部
を遮光して小領域ＫＡを形成し、これら小領域ＫＡ、Ｋ
Ｂを重ね合わせるようにしているが、小領域ＫＡ、ＫＢ
を形成する投影領域は、投影領域５０ａ〜５０ｇのいず
れでもよい。すなわち、複数の走査露光において任意の
投影領域に、Ｙ方向に減光特性を有する小領域を形成
し、これらを重ね合わせることができる。さらに、照明
シャッタ６による光路の遮光は、任意の光路に対して行
うことができる。
６２と分割パターン６３とをつなぎ合わせる際、一回目
の走査露光においてはブラインド３０Ｂで投影領域５０
ｅの一部を遮光して小領域ＫＢを形成し、二回目の走査
露光においてはブランド３０Ａで投影領域５０ｃの一部
を遮光して小領域ＫＡを形成し、これら小領域ＫＡ、Ｋ
Ｂを重ね合わせるようにしているが、小領域ＫＡ、ＫＢ
を形成する投影領域は、投影領域５０ａ〜５０ｇのいず
れでもよい。すなわち、複数の走査露光において任意の
投影領域に、Ｙ方向に減光特性を有する小領域を形成
し、これらを重ね合わせることができる。さらに、照明
シャッタ６による光路の遮光は、任意の光路に対して行
うことができる。
【０１２３】本実施形態では、一回目の走査露光にはブ
ラインド３０Ｂを用い、二回目の走査露光にはブライン
ド３０Ａを用いているが、図１５に示すように、一回目
の走査露光にはブラインド３０Ｂを用い、二回目の走査
露光にはブラインドを用いずに照明シャッタ６を用いて
所定の投影領域に対応する光路を遮光するようにしても
よい。なお、図１５において、一回目の走査露光では投
影領域５０ｆに対応する光路が照明シャッタ６によって
遮光されており、二回目の走査露光では投影領域５０
ａ、５０ｂに対応する光路が照明シャッタ６によって遮
光されている。
ラインド３０Ｂを用い、二回目の走査露光にはブライン
ド３０Ａを用いているが、図１５に示すように、一回目
の走査露光にはブラインド３０Ｂを用い、二回目の走査
露光にはブラインドを用いずに照明シャッタ６を用いて
所定の投影領域に対応する光路を遮光するようにしても
よい。なお、図１５において、一回目の走査露光では投
影領域５０ｆに対応する光路が照明シャッタ６によって
遮光されており、二回目の走査露光では投影領域５０
ａ、５０ｂに対応する光路が照明シャッタ６によって遮
光されている。
【０１２４】上記実施形態においては、並列する複数の
光路を７カ所とし、これに対応して照明系モジュールＩ
Ｍａ〜ＩＭｇ及び投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇを設ける構
成としたが、光路を１カ所とし、照明系モジュール及び
投影光学系を１つずつ有する構成であってもよい。すな
わち、マスクのパターン像の一部が重複して露光される
ように複数回の走査露光に分けて継ぎ露光を行う露光方
法及び露光装置に対して適用することができる。一方、
並列する複数の光路は７カ所に限らず、例えば６カ所以
下や８カ所以上とする構成であってもよい。
光路を７カ所とし、これに対応して照明系モジュールＩ
Ｍａ〜ＩＭｇ及び投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｇを設ける構
成としたが、光路を１カ所とし、照明系モジュール及び
投影光学系を１つずつ有する構成であってもよい。すな
わち、マスクのパターン像の一部が重複して露光される
ように複数回の走査露光に分けて継ぎ露光を行う露光方
法及び露光装置に対して適用することができる。一方、
並列する複数の光路は７カ所に限らず、例えば６カ所以
下や８カ所以上とする構成であってもよい。
【０１２５】上記実施形態において、投影領域における
露光光の光量に関する情報を検出するために設けられた
ディテクタ４１は１つであるが、基準位置に対する位置
が予め分かっているディテクタを複数設ける構成とする
ことも可能である。そして、この複数設けられたディテ
クタを用いて、各境界部５１ａ〜５１ｌにおける照度Ｗ
ａ〜Ｗｌを同時に検出する構成とすることが可能であ
る。この場合、各投影領域５０ａ〜５０ｇ及び境界部５
１ａ〜５１ｌの照度計測や、境界部５１ａ〜５１ｌの位
置検出を高速に行うことができ、作業性が向上する。
露光光の光量に関する情報を検出するために設けられた
ディテクタ４１は１つであるが、基準位置に対する位置
が予め分かっているディテクタを複数設ける構成とする
ことも可能である。そして、この複数設けられたディテ
クタを用いて、各境界部５１ａ〜５１ｌにおける照度Ｗ
ａ〜Ｗｌを同時に検出する構成とすることが可能であ
る。この場合、各投影領域５０ａ〜５０ｇ及び境界部５
１ａ〜５１ｌの照度計測や、境界部５１ａ〜５１ｌの位
置検出を高速に行うことができ、作業性が向上する。
【０１２６】上記実施形態において、キャリブレーショ
ンを行う際、ディテクタ４１によって照度検出を行い、
この検出結果に基づいてキャリブレーションを行う構成
であるが、キャリブレーション時に実際にテスト用感光
基板に対して露光処理を行い、形成されたパターンの形
状を計測し、この計測結果に基づいてキャリブレーショ
ンを行うようにしてもよい。
ンを行う際、ディテクタ４１によって照度検出を行い、
この検出結果に基づいてキャリブレーションを行う構成
であるが、キャリブレーション時に実際にテスト用感光
基板に対して露光処理を行い、形成されたパターンの形
状を計測し、この計測結果に基づいてキャリブレーショ
ンを行うようにしてもよい。
【０１２７】なお、上記実施形態において、一回目の走
査露光終了後、二回目の走査露光をするためのステップ
移動後の感光基板Ｐの位置合わせは、マスクＭに形成さ
れているマスク位置合わせマーク６０と、感光基板Ｐに
形成されている基板位置合わせマーク７２とを用いて行
われるが、キャリブレーション時において、ステップ移
動距離を予め設定し、この設定した結果に基づいてステ
ップ移動するようにいしてもよい。
査露光終了後、二回目の走査露光をするためのステップ
移動後の感光基板Ｐの位置合わせは、マスクＭに形成さ
れているマスク位置合わせマーク６０と、感光基板Ｐに
形成されている基板位置合わせマーク７２とを用いて行
われるが、キャリブレーション時において、ステップ移
動距離を予め設定し、この設定した結果に基づいてステ
ップ移動するようにいしてもよい。
【０１２８】また、液晶デバイス（半導体デバイス）は
複数の材料層を積層することにより形成されるが、例え
ば第２層目以降を露光処理するに際し、現象処理や各熱
処理によって感光基板Ｐが変形する場合がある。この場
合は、キャリブレーション時において感光基板Ｐのスケ
ーリングなど像特性の変化分を求めて補正値（オフセッ
ト値）を算出し、この補正値に基づいてステップ移動す
ればよい。更に、この場合も、上述したように、ローテ
ーション、シフトなどの各像特性の変化分に応じて、ブ
ラインド３０や遮光板４０の位置を駆動して投影領域を
設定し、継ぎ露光の制御を行うことができる。
複数の材料層を積層することにより形成されるが、例え
ば第２層目以降を露光処理するに際し、現象処理や各熱
処理によって感光基板Ｐが変形する場合がある。この場
合は、キャリブレーション時において感光基板Ｐのスケ
ーリングなど像特性の変化分を求めて補正値（オフセッ
ト値）を算出し、この補正値に基づいてステップ移動す
ればよい。更に、この場合も、上述したように、ローテ
ーション、シフトなどの各像特性の変化分に応じて、ブ
ラインド３０や遮光板４０の位置を駆動して投影領域を
設定し、継ぎ露光の制御を行うことができる。
【０１２９】なお、上記実施形態おける光源１は一つで
あるが、光源１を一つではなく、各光路毎に設けたり、
複数の光源を設け、ライトガイド等を用いて複数の光源
（または一つ）からの光束を一つに合成し、再び各光路
毎に光を分配させる構成であってもよい。この場合、光
源の光量のばらつきによる悪影響を排除できるととも
に、光源の一つが消えても全体の光量が低下するだけで
あり、露光されたデバイスが使用不能になってしまうこ
とを防止できる。また、光源１を複数設けて光束を合成
して分配する際、照射される露光光の照射量は、ＮＤフ
ィルタなどの透過する光量を変えるフィルタを光路中に
挿入することにより所望の照射量となるように調整し、
各投影領域５０ａ〜５０ｇにおける露光光の照射量を制
御するようにしてもよい。
あるが、光源１を一つではなく、各光路毎に設けたり、
複数の光源を設け、ライトガイド等を用いて複数の光源
（または一つ）からの光束を一つに合成し、再び各光路
毎に光を分配させる構成であってもよい。この場合、光
源の光量のばらつきによる悪影響を排除できるととも
に、光源の一つが消えても全体の光量が低下するだけで
あり、露光されたデバイスが使用不能になってしまうこ
とを防止できる。また、光源１を複数設けて光束を合成
して分配する際、照射される露光光の照射量は、ＮＤフ
ィルタなどの透過する光量を変えるフィルタを光路中に
挿入することにより所望の照射量となるように調整し、
各投影領域５０ａ〜５０ｇにおける露光光の照射量を制
御するようにしてもよい。
【０１３０】なお、上記実施形態では投影領域５０ａ〜
５０ｇの形状は台形形状であるが、六角形や菱形、ある
いは平行四辺形であっても構わない。一方、台形形状と
することにより、継ぎ露光を容易に安定して行うことが
できる。
５０ｇの形状は台形形状であるが、六角形や菱形、ある
いは平行四辺形であっても構わない。一方、台形形状と
することにより、継ぎ露光を容易に安定して行うことが
できる。
【０１３１】上記実施形態では、二回の走査露光により
感光基板Ｐ上に画面を合成する構成としたが、これに限
られるものではなく、例えば、三回以上の走査露光によ
り感光基板Ｐ上に画面を合成するような構成であっても
よい。
感光基板Ｐ上に画面を合成する構成としたが、これに限
られるものではなく、例えば、三回以上の走査露光によ
り感光基板Ｐ上に画面を合成するような構成であっても
よい。
【０１３２】なお、上記実施形態では、投影光学系ＰＬ
が複数（ＰＬａ〜ＰＬｇ）に分かれたものについて説明
したが、図６より容易に分かるように、視野絞り２０と
第１の遮光板４０とで形成される矩形のスリットを持つ
シングルレンズの投影光学系ＰＬを持つ露光装置や、矩
形ではなく円弧スリットの露光領域を持つ露光装置に対
しても適用可能で、第２の遮光板３０を露光領域に対し
て移動させることにより、任意の位置で継ぎが可能とな
る。
が複数（ＰＬａ〜ＰＬｇ）に分かれたものについて説明
したが、図６より容易に分かるように、視野絞り２０と
第１の遮光板４０とで形成される矩形のスリットを持つ
シングルレンズの投影光学系ＰＬを持つ露光装置や、矩
形ではなく円弧スリットの露光領域を持つ露光装置に対
しても適用可能で、第２の遮光板３０を露光領域に対し
て移動させることにより、任意の位置で継ぎが可能とな
る。
【０１３３】図１６に、三回の走査露光を行ってパター
ンを２つの分割パターンＰａ、Ｐｂ、Ｐｃに分割して合
成した例を示す。なお、図１６に示す複数の投影領域５
０は千鳥状ではなく、一列に配置された形態である。そ
して、パターンＰａを露光するにはブラインド３０Ｂを
用いて継ぎ部８０ａが形成され、パターンＰｂを露光す
るにはブラインド３０Ａ及び３０Ｂを用いて継ぎ部８０
ｂ及び８０ｃが形成され、パターンＰｃを露光するには
ブラインド３０Ａを用いて継ぎ部８０ｄが形成される。
ここで、マスクＭのパターンの周辺には、特定の形状周
期を有する回路パターンとしての周期パターン８１が形
成されている。そして、マスクＭとブラインド３０Ａ、
３０Ｂとの位置合わせをするための位置合わせマーク６
０Ａ、６０Ｂは、周期パターン８１のそれぞれの境界部
に相当する位置に形成されている。このような周期パタ
ーン８１を継ぎ露光する場合において、従来では、各投
影領域に応じて継ぎ部が設定されていたので継ぎ部の位
置を任意に設定できず、周期パターン８１を継ぎ露光す
るのに困難であったが、本発明では、Ｙ方向に移動可能
なブラインド３０によって継ぎ部の位置を任意に設定で
きるので、感光基板Ｐに形成される複数の周期パターン
８１ａ〜８１ｈのそれぞれに配設される配線の本数（ピ
ッチ）を一致させることができ、継ぎ露光を精度良く行
うことができる。
ンを２つの分割パターンＰａ、Ｐｂ、Ｐｃに分割して合
成した例を示す。なお、図１６に示す複数の投影領域５
０は千鳥状ではなく、一列に配置された形態である。そ
して、パターンＰａを露光するにはブラインド３０Ｂを
用いて継ぎ部８０ａが形成され、パターンＰｂを露光す
るにはブラインド３０Ａ及び３０Ｂを用いて継ぎ部８０
ｂ及び８０ｃが形成され、パターンＰｃを露光するには
ブラインド３０Ａを用いて継ぎ部８０ｄが形成される。
ここで、マスクＭのパターンの周辺には、特定の形状周
期を有する回路パターンとしての周期パターン８１が形
成されている。そして、マスクＭとブラインド３０Ａ、
３０Ｂとの位置合わせをするための位置合わせマーク６
０Ａ、６０Ｂは、周期パターン８１のそれぞれの境界部
に相当する位置に形成されている。このような周期パタ
ーン８１を継ぎ露光する場合において、従来では、各投
影領域に応じて継ぎ部が設定されていたので継ぎ部の位
置を任意に設定できず、周期パターン８１を継ぎ露光す
るのに困難であったが、本発明では、Ｙ方向に移動可能
なブラインド３０によって継ぎ部の位置を任意に設定で
きるので、感光基板Ｐに形成される複数の周期パターン
８１ａ〜８１ｈのそれぞれに配設される配線の本数（ピ
ッチ）を一致させることができ、継ぎ露光を精度良く行
うことができる。
【０１３４】上記実施形態において、ブラインド３０
は、その端部におけるＸ方向の幅がＹ方向に向かって漸
次縮小するように斜めに形成された斜めブラインドであ
るが、走査することにより重複領域でのＹ方向における
積算露光量をほぼ連続的に減衰させるものであればいい
ので、例えば、図１７に示すように、Ｘ方向の幅がＹ方
向に向かって漸次縮小するように斜めに形成された複数
の鋸歯状としてもよい。この場合、鋸歯部分のＹ方向に
おける形成範囲が、重複領域のＹ方向における長さＬＫ
である。なお、図１７は、投影領域５０ｆに対応する照
明シャッタ６が光路を遮光している状態を示している。
は、その端部におけるＸ方向の幅がＹ方向に向かって漸
次縮小するように斜めに形成された斜めブラインドであ
るが、走査することにより重複領域でのＹ方向における
積算露光量をほぼ連続的に減衰させるものであればいい
ので、例えば、図１７に示すように、Ｘ方向の幅がＹ方
向に向かって漸次縮小するように斜めに形成された複数
の鋸歯状としてもよい。この場合、鋸歯部分のＹ方向に
おける形成範囲が、重複領域のＹ方向における長さＬＫ
である。なお、図１７は、投影領域５０ｆに対応する照
明シャッタ６が光路を遮光している状態を示している。
【０１３５】上記実施形態において、投影領域５０ａに
近接して設けられたブラインド３０Ａと、投影領域５０
ｇに近接して設けられたブラインド３０Ｂとは、互いに
Ｙ方向に対向配置しているように説明したが、図１８に
示すように、Ｙ方向に移動可能な２つのブラインド３０
Ｃ及びブラインド３０ＤをＸ方向に並列配置する構成と
してもよい。この場合、ブラインド３０Ｃは、千鳥状に
配列された投影領域５０ａ〜５０ｇのうち、−Ｘ側に配
列された投影領域５０ａ、５０ｃ、５０ｅ、５０ｇに対
応して設けられ、ブラインド３０Ｄは、＋Ｘ側に配列さ
れた投影領域５０ｂ、５０ｄ、５０ｆに対応して設けら
れている。そして、ブラインド３０Ｃ及びブラインド３
０ＤのそれぞれがＹ方向に移動することにより、複数の
投影領域のうち、特定の投影領域の光路を遮光しつつ、
所定の投影領域の大きさ、形状を設定する。ここで、ブ
ラインド３０Ｃ及びブラインド３０ＤのＹ方向への移動
は、同期して移動する構成でもよいし、独立して移動す
る構成でもよい。また、この場合においても、図１８の
破線で示すように、ブラインド３０Ｃ及び３０Ｄのそれ
ぞれに対してＹ方向に対向する位置に、Ｙ方向に移動可
能なブラインド３０Ｃ’及び３０Ｄ’を配置してもよ
い。
近接して設けられたブラインド３０Ａと、投影領域５０
ｇに近接して設けられたブラインド３０Ｂとは、互いに
Ｙ方向に対向配置しているように説明したが、図１８に
示すように、Ｙ方向に移動可能な２つのブラインド３０
Ｃ及びブラインド３０ＤをＸ方向に並列配置する構成と
してもよい。この場合、ブラインド３０Ｃは、千鳥状に
配列された投影領域５０ａ〜５０ｇのうち、−Ｘ側に配
列された投影領域５０ａ、５０ｃ、５０ｅ、５０ｇに対
応して設けられ、ブラインド３０Ｄは、＋Ｘ側に配列さ
れた投影領域５０ｂ、５０ｄ、５０ｆに対応して設けら
れている。そして、ブラインド３０Ｃ及びブラインド３
０ＤのそれぞれがＹ方向に移動することにより、複数の
投影領域のうち、特定の投影領域の光路を遮光しつつ、
所定の投影領域の大きさ、形状を設定する。ここで、ブ
ラインド３０Ｃ及びブラインド３０ＤのＹ方向への移動
は、同期して移動する構成でもよいし、独立して移動す
る構成でもよい。また、この場合においても、図１８の
破線で示すように、ブラインド３０Ｃ及び３０Ｄのそれ
ぞれに対してＹ方向に対向する位置に、Ｙ方向に移動可
能なブラインド３０Ｃ’及び３０Ｄ’を配置してもよ
い。
【０１３６】上記実施形態においては、例えばブライン
ド３０Ａが投影領域３０ａに対応する光路を遮光しつ
つ、投影領域３０ｃの大きさ、形状を設定するといった
ように、１つのブラインド３０が複数の投影領域にまた
がるように配置されるように説明したが、図１９に示す
ように、複数の投影領域５０ａ〜５０ｇのそれぞれに対
応する光路上に対して、Ｙ方向に移動可能な小型のブラ
インド３０をそれぞれ配置する構成としてもよい（な
お、図１９では投影領域５０ｅに対応するブラインド３
０Ｅのみが示されている）。そして、特定の投影領域、
例えば投影領域５０ｆ及び５０ｇの光路を遮光したい場
合は、この投影領域５０ｆ及び５０ｇに対応する光路の
照明シャッタ６を用いて遮光すればよい。
ド３０Ａが投影領域３０ａに対応する光路を遮光しつ
つ、投影領域３０ｃの大きさ、形状を設定するといった
ように、１つのブラインド３０が複数の投影領域にまた
がるように配置されるように説明したが、図１９に示す
ように、複数の投影領域５０ａ〜５０ｇのそれぞれに対
応する光路上に対して、Ｙ方向に移動可能な小型のブラ
インド３０をそれぞれ配置する構成としてもよい（な
お、図１９では投影領域５０ｅに対応するブラインド３
０Ｅのみが示されている）。そして、特定の投影領域、
例えば投影領域５０ｆ及び５０ｇの光路を遮光したい場
合は、この投影領域５０ｆ及び５０ｇに対応する光路の
照明シャッタ６を用いて遮光すればよい。
【０１３７】また、図２０に示すように、投影領域５０
ａ〜５０ｇのそれぞれに対応して配置されＹ方向に移動
可能な小型の斜めブラインド３０Ｅと、複数の投影領域
を同時に遮光可能な大型の平面視矩形状ブラインド３０
Ｆとを組み合わせてもよい。ここで、ブラインド３０Ｆ
は感光基板Ｐの表面近傍、すなわち感光基板Ｐ及びマス
クＭに対してほぼ共役な位置に配置されるようになって
おり、例えばＹ方向に移動することにより、投影光学系
ＰＬと感光基板Ｐとの間に対して退避・配置可能となっ
ている。
ａ〜５０ｇのそれぞれに対応して配置されＹ方向に移動
可能な小型の斜めブラインド３０Ｅと、複数の投影領域
を同時に遮光可能な大型の平面視矩形状ブラインド３０
Ｆとを組み合わせてもよい。ここで、ブラインド３０Ｆ
は感光基板Ｐの表面近傍、すなわち感光基板Ｐ及びマス
クＭに対してほぼ共役な位置に配置されるようになって
おり、例えばＹ方向に移動することにより、投影光学系
ＰＬと感光基板Ｐとの間に対して退避・配置可能となっ
ている。
【０１３８】図２１は、第２の遮光板としてのブライン
ドの他の実施形態を示す図である。図２１に示すブライ
ンド３０Ｇは、ガラス基板に遮光のためのパターンであ
るクロムのドットパターンを設け遮光する部分と、透過
する部分との間で連続的に透過率を変えた部材である。
ブラインド３０ＧはＹ方向に移動可能となっており、光
を遮光する遮光部７７と、光を所定の透過率分布で透過
可能な透過部７８とを有している。遮光部７７は、ガラ
ス基板に遮光性材料であるクロム膜を設け、透過率をほ
ぼ０％に設定した領域である。透過部７８は、遮光性材
料であるクロムのドットを密度を変化させながらガラス
基板に蒸着することにより、遮光部７７との境界部から
先端部に向かうに従い、透過率を０〜１００％に連続的
に変化させた領域である。ここで、透過部７８における
クロムのドットは露光装置ＥＸの解像限界以下の大きさ
に設定されている。
ドの他の実施形態を示す図である。図２１に示すブライ
ンド３０Ｇは、ガラス基板に遮光のためのパターンであ
るクロムのドットパターンを設け遮光する部分と、透過
する部分との間で連続的に透過率を変えた部材である。
ブラインド３０ＧはＹ方向に移動可能となっており、光
を遮光する遮光部７７と、光を所定の透過率分布で透過
可能な透過部７８とを有している。遮光部７７は、ガラ
ス基板に遮光性材料であるクロム膜を設け、透過率をほ
ぼ０％に設定した領域である。透過部７８は、遮光性材
料であるクロムのドットを密度を変化させながらガラス
基板に蒸着することにより、遮光部７７との境界部から
先端部に向かうに従い、透過率を０〜１００％に連続的
に変化させた領域である。ここで、透過部７８における
クロムのドットは露光装置ＥＸの解像限界以下の大きさ
に設定されている。
【０１３９】このように、ブラインド３０Ｇに、光量分
布調整用フィルタとしての透過部７８を設けることによ
っても、パターン像の重複領域での積算露光量をほぼ連
続的に減衰させることができる。そして、透過部７８
を、ガラス基板にクロムのドットパターンを蒸着によっ
て形成することにより、光量分布の調整を分子レベルで
精度良く行うことができるので、継ぎ露光を行うに際
し、重複領域における露光量調整を精度良く行うことが
できる。
布調整用フィルタとしての透過部７８を設けることによ
っても、パターン像の重複領域での積算露光量をほぼ連
続的に減衰させることができる。そして、透過部７８
を、ガラス基板にクロムのドットパターンを蒸着によっ
て形成することにより、光量分布の調整を分子レベルで
精度良く行うことができるので、継ぎ露光を行うに際
し、重複領域における露光量調整を精度良く行うことが
できる。
【０１４０】上記各実施形態において、重複領域の露光
量分布を調整するために、斜めブラインドや鋸歯状ブラ
インドあるいは所定の透過率分布を有する透過部７８を
備えたブラインドを用いているが、ブラインドの光路方
向における位置を調整することによって、重複領域の露
光量分布を調整することもできる。すなわち、図２２
（ａ）に示すように、ブラインド３０を、マスクＭに対
して共役な位置から若干ずれた位置に配置する（デフォ
ーカスさせる）ことにより、ブラインド３０のエッジ部
を通過した露光光は拡散し、マスクＭを所定の光量分布
で照射する。ここで、このときの拡散光のマスクＭ上に
おける幅（すなわち、重複領域となるべき幅）ＬＫは、
照明光学系ＩＬの開口数をＮＡとし、マスクＭ上αの位
置にブラインド３０を配置した場合において、ＬＫ＝２
×α×ＮＡ となる。そして、図２２（ｂ）に示すよう
に、幅ＬＫにおける光量分布はＹ方向に連続的に減衰す
る光量分布を有する。このように、ブラインド３０の光
路方向（Ｚ方向）における位置を調整することによって
も、所望の幅ＬＫを有する重複領域を形成できる。
量分布を調整するために、斜めブラインドや鋸歯状ブラ
インドあるいは所定の透過率分布を有する透過部７８を
備えたブラインドを用いているが、ブラインドの光路方
向における位置を調整することによって、重複領域の露
光量分布を調整することもできる。すなわち、図２２
（ａ）に示すように、ブラインド３０を、マスクＭに対
して共役な位置から若干ずれた位置に配置する（デフォ
ーカスさせる）ことにより、ブラインド３０のエッジ部
を通過した露光光は拡散し、マスクＭを所定の光量分布
で照射する。ここで、このときの拡散光のマスクＭ上に
おける幅（すなわち、重複領域となるべき幅）ＬＫは、
照明光学系ＩＬの開口数をＮＡとし、マスクＭ上αの位
置にブラインド３０を配置した場合において、ＬＫ＝２
×α×ＮＡ となる。そして、図２２（ｂ）に示すよう
に、幅ＬＫにおける光量分布はＹ方向に連続的に減衰す
る光量分布を有する。このように、ブラインド３０の光
路方向（Ｚ方向）における位置を調整することによって
も、所望の幅ＬＫを有する重複領域を形成できる。
【０１４１】本実施形態の露光装置ＥＸとして、投影光
学系を用いることなくマスクＭと感光基板Ｐとを密接さ
せてマスクＭのパターンを露光するプロキシミティ露光
装置にも適用することができる。
学系を用いることなくマスクＭと感光基板Ｐとを密接さ
せてマスクＭのパターンを露光するプロキシミティ露光
装置にも適用することができる。
【０１４２】露光装置ＥＸの用途としては、角型のガラ
スプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の
露光装置に限定されることなく、例えば、半導体ウエハ
に回路パターンを露光する半導体製造用の露光装置や、
薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適当
できる。
スプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の
露光装置に限定されることなく、例えば、半導体ウエハ
に回路パターンを露光する半導体製造用の露光装置や、
薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適当
できる。
【０１４３】本実施形態の露光装置ＥＸの光源は、ｇ線
（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎ
ｍ）のみならず、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎ
ｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ2レー
ザ（１５７ｎｍ）などを用いることもできる。
（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎ
ｍ）のみならず、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎ
ｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ2レー
ザ（１５７ｎｍ）などを用いることもできる。
【０１４４】投影光学系ＰＬの倍率は等倍系のみならず
縮小系および拡大系のいずれでもよい。
縮小系および拡大系のいずれでもよい。
【０１４５】投影光学系ＰＬとしては、エキシマレーザ
などの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石な
どの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ2レーザやＸ線
を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にす
る。
などの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石な
どの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ2レーザやＸ線
を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にす
る。
【０１４６】基板ステージＰＳＴやマスクステージＭＳ
Ｔにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用
いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス
力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、
ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいい
し、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。
Ｔにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用
いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス
力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、
ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいい
し、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。
【０１４７】ステージの駆動装置として平面モ−タを用
いる場合、磁石ユニット（永久磁石）と電機子ユニット
のいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電
機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に
設ければよい。
いる場合、磁石ユニット（永久磁石）と電機子ユニット
のいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電
機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に
設ければよい。
【０１４８】基板ステージＰＳＴの移動により発生する
反力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されてい
るように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に
逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露
光装置においても適用可能である。
反力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されてい
るように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に
逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露
光装置においても適用可能である。
【０１４９】マスクステージＭＳＴの移動により発生す
る反力は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されて
いるように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）
に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた
露光装置においても適用可能である。
る反力は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されて
いるように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）
に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた
露光装置においても適用可能である。
【０１５０】以上のように、本願実施形態の露光装置
は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む
各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、
光学的精度を保つように、組み立てることで製造され
る。これら各種精度を確保するために、この組み立ての
前後には、各種光学系については光学的精度を達成する
ための調整、各種機械系については機械的精度を達成す
るための調整、各種電気系については電気的精度を達成
するための調整が行われる。各種サブシステムから露光
装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機
械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等
が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光
装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行わ
れ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。
は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む
各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、
光学的精度を保つように、組み立てることで製造され
る。これら各種精度を確保するために、この組み立ての
前後には、各種光学系については光学的精度を達成する
ための調整、各種機械系については機械的精度を達成す
るための調整、各種電気系については電気的精度を達成
するための調整が行われる。各種サブシステムから露光
装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機
械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等
が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光
装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行わ
れ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１５１】半導体デバイスは、図２３に示すように、
デバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この
設計ステップに基づいたマスクを製作するステップ２０
２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０
３、前述した実施形態の露光装置によりマスクのパター
ンを基板に露光する基板処理ステップ２０４、デバイス
組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工
程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０
６等を経て製造される。
デバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この
設計ステップに基づいたマスクを製作するステップ２０
２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０
３、前述した実施形態の露光装置によりマスクのパター
ンを基板に露光する基板処理ステップ２０４、デバイス
組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工
程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０
６等を経て製造される。
【０１５２】
【発明の効果】本発明によれば、視野絞り及び第１の遮
光板によって設定されたパターン像に対して走査方向と
直交する方向に移動可能な第２の遮光板を配置したこと
により、マスクにおけるパターンの継ぎ部を任意に設定
できる。したがって、感光基板に形成されるパターンの
大きさを任意に設定でき、任意のデバイスを効率良く製
造できる。また、視野絞りに対して第１及び第２の遮光
板のそれぞれを移動可能としたことにより、感光基板に
対する露光量の照明領域の大きさや形状を任意に設定で
きるので、継ぎ露光する際の継ぎ合わせ精度の向上や、
露光量の均一化を実現できる。そして、第２の遮光板
は、走査方向と直交する方向に移動可能に設けられ、照
明光学系の照射領域の周辺に向かうに従いパターンの重
複領域での積算露光量をほぼ連続的に減衰させる減光特
性を有するので、継ぎ部における露光量を所望の値に設
定でき、重複領域と重複領域以外との露光量を一致させ
ることができる。したがって、精度良い露光処理を行う
ことができ、高品質のデバイスを製造できる。
光板によって設定されたパターン像に対して走査方向と
直交する方向に移動可能な第２の遮光板を配置したこと
により、マスクにおけるパターンの継ぎ部を任意に設定
できる。したがって、感光基板に形成されるパターンの
大きさを任意に設定でき、任意のデバイスを効率良く製
造できる。また、視野絞りに対して第１及び第２の遮光
板のそれぞれを移動可能としたことにより、感光基板に
対する露光量の照明領域の大きさや形状を任意に設定で
きるので、継ぎ露光する際の継ぎ合わせ精度の向上や、
露光量の均一化を実現できる。そして、第２の遮光板
は、走査方向と直交する方向に移動可能に設けられ、照
明光学系の照射領域の周辺に向かうに従いパターンの重
複領域での積算露光量をほぼ連続的に減衰させる減光特
性を有するので、継ぎ部における露光量を所望の値に設
定でき、重複領域と重複領域以外との露光量を一致させ
ることができる。したがって、精度良い露光処理を行う
ことができ、高品質のデバイスを製造できる。
【図１】本発明の露光装置の一実施形態を示す概略斜視
図である。
図である。
【図２】本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成
図である。
図である。
【図３】フィルタを説明するための平面図である。
【図４】視野絞りと第１の遮光板と第２の遮光板とを説
明するための模式図である。
明するための模式図である。
【図５】視野絞りと第１の遮光板と第２の遮光板とを説
明するための模式図である。
明するための模式図である。
【図６】視野絞りと第１の遮光板と第２の遮光板とを説
明するための模式図である。
明するための模式図である。
【図７】第１の遮光板または第２の遮光板によって投影
領域が設定される様子を説明するための図である。
領域が設定される様子を説明するための図である。
【図８】投影光学系で設定される投影領域を示す図であ
る。
る。
【図９】マスクと投影領域との関係を示す平面図であ
る。
る。
【図１０】感光基板と投影領域との関係を示す平面図で
ある。
ある。
【図１１】露光動作のシーケンスを示すフローチャート
図である。
図である。
【図１２】マスク位置合わせマークと第２の遮光板とを
位置合わせする様子を説明する模式図である。
位置合わせする様子を説明する模式図である。
【図１３】マスク位置合わせマークと基板位置合わせマ
ークとを位置合わせする様子を説明する模式図である。
ークとを位置合わせする様子を説明する模式図である。
【図１４】重複領域において露光量が制御される様子を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図１５】継ぎ露光を行う際の他の実施形態を示す平面
図である。
図である。
【図１６】継ぎ露光を行う際の他の実施形態を示す平面
図である。
図である。
【図１７】第２の遮光板の他の実施形態を示す図であ
る。
る。
【図１８】第２の遮光板の他の実施形態を示す図であ
る。
る。
【図１９】第２の遮光板の他の実施形態を示す図であ
る。
る。
【図２０】第２の遮光板の他の実施形態を示す図であ
る。
る。
【図２１】第２の遮光板の他の実施形態を示す図であ
る。
る。
【図２２】重複領域を設定する際の他の実施形態を示す
図である。
図である。
【図２３】半導体デバイス製造工程の一例を示すフロー
チャート図である。
チャート図である。
【図２４】センサと位置計測とを示す図である。
【図２５】従来の継ぎ露光方法を示す図である。
【図２６】従来の継ぎ露光方法を示す図である。
２０ 視野絞り
３０ ブラインド（第２の遮光板）
４０ 遮光板（第１の遮光板）
４６，４７ 分割パターン
４８，４９ 重複領域
５０ａ〜５０ｇ 投影領域（照明領域）
５２ａ〜５２ｆ 重複領域（継ぎ部）
６０Ａ，６０Ｂ マスク位置合わせマーク
６２，６３ 分割パターン
６４ 重複領域（継ぎ部）
７２ 基板位置合わせマーク
ＣＯＮＴ 制御装置
ＥＬ 露光光（光ビーム）
ＥＸ 露光装置
ＩＬ 照明光学系
ＩＭａ〜ＩＭｇ 照明系モジュール
Ｍ マスク
ＭＳＴ マスクステージ
Ｌｘ パターン像の走査方向の幅
Ｌｙ パターン像の走査方向と直交する方向の幅
Ｐ 感光基板、ガラス基板
ＰＬ（ＰＬａ〜ＰＬｇ） 投影光学系
ＰＳＴ 基板ステージ
Ｘ 走査方向
Ｙ 非走査方向（走査方向と直交する方向）
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F046 AA11 BA05 CA02 CB02 CB05
CB08 CB13 CB23 CB25 CC01
CC02 CC03 DA01 DA02 DB01
DC12
Claims (10)
- 【請求項１】 マスクを光ビームで照射する照明光学系
と、前記マスクを載置するマスクステージと、前記マス
クのパターンを露光するための感光基板を載置する基板
ステージとを有し、前記光ビームに対して前記マスクと
前記感光基板とを同期移動して走査露光し、前記マスク
のパターン像の一部が重複して露光されるように複数回
の走査露光に分けて前記感光基板に前記パターンの継ぎ
露光を行う露光装置において、 前記感光基板上に照明される前記パターン像の走査方向
の幅を設定する視野絞りと、 前記パターン像の前記走査方向と直交する方向の幅を設
定する第１の遮光板と、 前記走査方向と直交する方向に移動可能で且つ前記パタ
ーン像の重複する領域を設定するとともに、前記照射す
る領域の周辺に向かうに従い前記重複して露光される領
域での積算露光量をほぼ連続的に減衰させる第２の遮光
板とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記視野絞りと前記第１の遮光板と前記
第２の遮光板とで形成される照明領域は、複数に分割さ
れていることを特徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記複数の分割された照明領域の形状
は、少なくとも１つが台形状の開口であることを特徴と
する請求項２記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記第２の遮光板は、ガラス基板に遮光
のためのパターンを設け遮光する部分と透過する部分と
の間で連続的に透過率を変えた部材であることを特徴と
する請求項１記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記マスクのパターン像を前記感光基板
に投影する投影光学系を備え、前記マスクと前記感光基
板とは前記投影光学系を介して共役な位置関係に配置さ
れるとともに、前記視野絞りと前記第１の遮光板と前記
第２の遮光板とも前記マスクと前記感光基板とに対して
ほぼ共役な位置関係に配置されることを特徴とする請求
項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。 - 【請求項６】 マスクを光ビームで照射するとともに、
前記光ビームに対して前記マスクと感光基板とを同期し
て走査露光し、前記マスクのパターン像の一部が重複し
て露光されるように複数回の走査露光に分けて前記感光
基板に前記パターン合成を行う継ぎ露光方法において、 前記感光基板上に照明される前記パターン像の走査方向
の幅を視野絞りにより設定し、 前記パターン像の前記走査方向と直交する方向の幅を前
記視野絞りとは異なる第１の遮光板により設定し、 前記照射する領域の周辺に向かうに従い前記重複領域の
照射光量をほぼ連続的に減衰させるとともに、前記パタ
ーン像の前記走査方向と直交する方向に移動可能に設け
られた第２の遮光板を、前記継ぎ露光を行う領域に合わ
せて設定することを特徴とする露光方法。 - 【請求項７】 前記継ぎ露光を行う領域に相当して前記
マスクのパターン領域近傍に前記第２の遮光板の位置を
合わせる位置合わせマークがあり、前記位置合わせマー
クと前記第２の遮光板の位置とを位置合わせして前記第
２の遮光板の位置を調整することを特徴とする請求項６
記載の露光方法。 - 【請求項８】 前記継ぎ露光を行う領域に相当して前記
感光基板のパターン領域近傍に基板位置合わせマークが
あり、前記基板位置合わせマークと前記マスクの位置合
わせマークとを位置合わせして露光を行うことを特徴と
する請求項７記載の露光方法。 - 【請求項９】 請求項１〜５のいずれか一項記載の露光
装置を用いて液晶デバイスを製造することを特徴とする
デバイス製造方法。 - 【請求項１０】 マスクを光ビームで照射するととも
に、前記光ビームに対して前記マスクとガラス基板とを
同期移動して走査露光する露光装置を用い、前記マスク
のパターンの一部を継ぎ合わせて合成して、前記マスク
の連続したパターン領域よりも大きい液晶デバイスを製
造するデバイス製造方法において、 前記ガラス基板に前記マスクのパターンの配置及び継ぎ
合わせを行う前記パターンの継ぎ合わせ位置の情報をレ
シピとして前記露光装置に設定し、 前記レシピに応じて、前記露光するマスクのパターンに
合わせて露光光を照射するための照射領域を設定すると
ともに、前記照射領域の一辺に位置する前記継ぎ合わせ
位置に設けられたマスクのパターンに対して、継ぎ合わ
せ露光するための遮光板を位置合わせして露光し、 前記露光の後に、前記ガラス基板を、前記走査露光する
方向と直交する方向に移動させ、 前記ガラス基板に対して露光された領域と一部重複する
位置に、前記露光するマスクのパターンに合わせて露光
光を照射するための照射領域を設定するとともに、前記
照射領域の一辺に位置する前記継ぎ合わせ位置に設けら
れた前記マスクのパターンに対して、継ぎ合わせ露光す
るための遮光板を位置合わせして露光することを特徴と
するデバイス製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001346697A JP4362999B2 (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| TW091122805A TW561523B (en) | 2001-11-12 | 2002-10-03 | Exposure device, exposure method, and manufacturing method of devices |
| KR1020020067721A KR100938191B1 (ko) | 2001-11-12 | 2002-11-04 | 노광 장치 및 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
| CNB021492751A CN1303649C (zh) | 2001-11-12 | 2002-11-08 | 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001346697A JP4362999B2 (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003151880A true JP2003151880A (ja) | 2003-05-23 |
| JP4362999B2 JP4362999B2 (ja) | 2009-11-11 |
Family
ID=19159824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001346697A Expired - Fee Related JP4362999B2 (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4362999B2 (ja) |
| KR (1) | KR100938191B1 (ja) |
| CN (1) | CN1303649C (ja) |
| TW (1) | TW561523B (ja) |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005107504A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-04-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 露光マスク、これを含む露光装置及びこれを利用した表示装置用表示板の製造方法 |
| JP2006039512A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-02-09 | Nikon Corp | 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
| JP2007179778A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP2008198663A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Nikon Corp | 照明装置、露光装置、露光装置の調整方法、及びデバイスの製造方法 |
| JP2008310163A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Nsk Ltd | 近接スキャン露光装置及びその照度制御方法 |
| WO2009088004A1 (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-16 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置 |
| WO2009128488A1 (ja) * | 2008-04-17 | 2009-10-22 | 株式会社ニコン | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2010004015A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| US7749691B2 (en) | 2004-08-31 | 2010-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a photoelectric conversion device using a plurality of reticles |
| US8467032B2 (en) | 2008-04-09 | 2013-06-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and electronic device manufacturing method |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| JP2013238670A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Canon Inc | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法及び開口板 |
| US8654310B2 (en) | 2006-02-16 | 2014-02-18 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, photomask and method for manufacturing photomask |
| KR101374413B1 (ko) | 2012-05-31 | 2014-03-17 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 향상된 반사성 전자빔 리소그래피를 위한 디바이스 및 방법 |
| JP2015012258A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、それらを用いたデバイスの製造方法 |
| JP2015102699A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-06-04 | 株式会社ニコン | 露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2016024257A (ja) * | 2014-07-17 | 2016-02-08 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| WO2017150388A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、遮光装置、及び露光方法 |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| KR20190009808A (ko) * | 2016-05-31 | 2019-01-29 | 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드 | 마스크 정렬기의 나이프 에지 세트. 넓은-시야-범위 마스크 정렬기, 및 노출 방법 |
| US10274760B2 (en) | 2016-04-28 | 2019-04-30 | Lg Display Co., Ltd. | Divisional exposure apparatus and method of manufacturing liquid crystal display using the same |
| JP2019117404A (ja) * | 2019-03-22 | 2019-07-18 | 株式会社ニコン | 露光装置、並びにディスプレイ及びデバイスの製造方法 |
| JP2019117403A (ja) * | 2019-03-22 | 2019-07-18 | 株式会社ニコン | 露光装置、並びにディスプレイ及びデバイスの製造方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4120502B2 (ja) * | 2003-07-14 | 2008-07-16 | 株式会社ニコン | 集光光学系、光源ユニット、照明光学装置および露光装置 |
| US8917378B2 (en) * | 2007-12-20 | 2014-12-23 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device with plurality of projection optical systems and pattern having first partial pattern area and second partial area having overlaid area with first partial pattern area |
| CN106164779B (zh) * | 2014-04-01 | 2019-01-22 | 株式会社尼康 | 基板处理装置 |
| CN104102094B (zh) * | 2014-06-27 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模挡板及其制造方法 |
| CN104391432B (zh) * | 2014-12-18 | 2016-06-29 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 扫描式光刻方法 |
| JP7240166B2 (ja) * | 2018-12-18 | 2023-03-15 | キヤノン株式会社 | 決定方法、露光方法、露光装置、および物品製造方法 |
| CN112612178A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-04-06 | 上海华力微电子有限公司 | 一种监控光刻机遮光片开口精度的标记及其使用方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0855794A (ja) * | 1995-08-29 | 1996-02-27 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
| JP2000058422A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP2001166497A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-06-22 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
| JP2001297975A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264431A (ja) * | 1995-03-28 | 1996-10-11 | Canon Inc | 走査投影露光装置 |
| JP2674578B2 (ja) * | 1995-08-29 | 1997-11-12 | 株式会社ニコン | 走査露光装置及び露光方法 |
| JPH09283433A (ja) * | 1996-04-16 | 1997-10-31 | Canon Inc | 走査露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 |
-
2001
- 2001-11-12 JP JP2001346697A patent/JP4362999B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-10-03 TW TW091122805A patent/TW561523B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-11-04 KR KR1020020067721A patent/KR100938191B1/ko active IP Right Grant
- 2002-11-08 CN CNB021492751A patent/CN1303649C/zh not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0855794A (ja) * | 1995-08-29 | 1996-02-27 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
| JP2000058422A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP2001166497A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-06-22 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
| JP2001297975A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
Cited By (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| JP2005107504A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-04-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 露光マスク、これを含む露光装置及びこれを利用した表示装置用表示板の製造方法 |
| US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| JP2006039512A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-02-09 | Nikon Corp | 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
| US8105765B2 (en) | 2004-08-31 | 2012-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7749691B2 (en) | 2004-08-31 | 2010-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a photoelectric conversion device using a plurality of reticles |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| JP2007179778A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| KR101404264B1 (ko) * | 2006-02-16 | 2014-06-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광방법, 노광장치, 포토마스크 및 포토마스크의 제조방법 |
| US8654310B2 (en) | 2006-02-16 | 2014-02-18 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, photomask and method for manufacturing photomask |
| JP2008198663A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Nikon Corp | 照明装置、露光装置、露光装置の調整方法、及びデバイスの製造方法 |
| JP2008310163A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Nsk Ltd | 近接スキャン露光装置及びその照度制御方法 |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| WO2009088004A1 (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-16 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置 |
| US8467032B2 (en) | 2008-04-09 | 2013-06-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and electronic device manufacturing method |
| WO2009128488A1 (ja) * | 2008-04-17 | 2009-10-22 | 株式会社ニコン | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2010004015A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2013238670A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Canon Inc | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法及び開口板 |
| KR101374413B1 (ko) | 2012-05-31 | 2014-03-17 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 향상된 반사성 전자빔 리소그래피를 위한 디바이스 및 방법 |
| JP2015012258A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、それらを用いたデバイスの製造方法 |
| JP2015102699A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-06-04 | 株式会社ニコン | 露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2016024257A (ja) * | 2014-07-17 | 2016-02-08 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2020173465A (ja) * | 2016-02-29 | 2020-10-22 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、遮光装置、及び露光方法 |
| WO2017150388A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、遮光装置、及び露光方法 |
| JPWO2017150388A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2018-11-29 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、遮光装置、及び露光方法 |
| TWI663482B (zh) * | 2016-02-29 | 2019-06-21 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、平板顯示器之製造方法、元件製造方法、遮光裝置、及曝光方法 |
| JP2022106891A (ja) * | 2016-02-29 | 2022-07-20 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 |
| JP7347578B2 (ja) | 2016-02-29 | 2023-09-20 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 |
| US10274760B2 (en) | 2016-04-28 | 2019-04-30 | Lg Display Co., Ltd. | Divisional exposure apparatus and method of manufacturing liquid crystal display using the same |
| JP2019517020A (ja) * | 2016-05-31 | 2019-06-20 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント（グループ）カンパニー リミティド | フォトリソグラフィ装置のナイフエッジ群、大視野フォトリソグラフィ装置、および露光方法 |
| KR20190009808A (ko) * | 2016-05-31 | 2019-01-29 | 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드 | 마스크 정렬기의 나이프 에지 세트. 넓은-시야-범위 마스크 정렬기, 및 노출 방법 |
| KR102176255B1 (ko) * | 2016-05-31 | 2020-11-09 | 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드 | 마스크 정렬기의 나이프 에지 세트. 넓은-시야-범위 마스크 정렬기, 및 노출 방법 |
| JP2019117404A (ja) * | 2019-03-22 | 2019-07-18 | 株式会社ニコン | 露光装置、並びにディスプレイ及びデバイスの製造方法 |
| JP2019117403A (ja) * | 2019-03-22 | 2019-07-18 | 株式会社ニコン | 露光装置、並びにディスプレイ及びデバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW561523B (en) | 2003-11-11 |
| KR100938191B1 (ko) | 2010-01-21 |
| CN1419266A (zh) | 2003-05-21 |
| CN1303649C (zh) | 2007-03-07 |
| KR20030040052A (ko) | 2003-05-22 |
| JP4362999B2 (ja) | 2009-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4362999B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
| JP2004335864A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JP2691319B2 (ja) | 投影露光装置および走査露光方法 | |
| JPH07161617A (ja) | 走査型露光装置 | |
| KR20080108226A (ko) | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 | |
| US6873400B2 (en) | Scanning exposure method and system | |
| JP2003347184A (ja) | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 | |
| US6288772B1 (en) | Scanning exposure method and scanning type exposure apparatus | |
| JP2926325B2 (ja) | 走査露光方法 | |
| JP4635354B2 (ja) | 露光方法及び継ぎ誤差計測方法並びにデバイス製造方法 | |
| JP2003272989A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP2001215717A (ja) | 走査露光方法および走査型露光装置 | |
| JP2674578B2 (ja) | 走査露光装置及び露光方法 | |
| JP2001305745A (ja) | 走査露光方法および走査型露光装置 | |
| JP2803666B2 (ja) | 走査露光方法及び回路パターン製造方法 | |
| JP2674579B2 (ja) | 走査露光装置および走査露光方法 | |
| JP2800731B2 (ja) | 走査露光方法、及び走査露光による回路素子製造方法 | |
| JP2000250226A (ja) | 露光装置 | |
| JP2001201867A (ja) | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 | |
| JP2011192900A (ja) | 投影光学装置及び露光装置並びにデバイス製造方法 | |
| JP3161430B2 (ja) | 走査露光方法、走査露光装置、及び素子製造方法 | |
| JP2674577B2 (ja) | 投影露光装置及び露光方法 | |
| JPH06177009A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH10256150A (ja) | 走査露光方法及び走査型露光装置 | |
| JP2000298353A (ja) | 走査露光方法および走査型露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041109 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060704 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070904 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071029 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080422 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080620 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081219 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090217 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090728 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090810 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4362999 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150828 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150828 Year of fee payment: 6 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |