CN1419266A - 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种曝光装置，在分割图案继续曝光之际，能够任意设定在感光基板形成的图案的大小，同时亦能任意设定罩幕上的图案的分割位置。其手段为使用的扫描型曝光装置，备有视野光圈，可设定感光基板P的投影区域(50)的扫描方向的宽度；及遮光板，设定感光基板P上的投影区域(50)的非扫描方向的宽度；以及遮蔽器(30)，能在非扫描方向移动，可设定图案像的接合部且能使接合部累积曝光量向照射区域的周边连续地衰减。

Description

曝光装置、曝光方法以及元件制造方法

技术领域

本发明为关于使罩幕与感光基板同步移动，并将罩幕的图案在感光基板曝光的扫描型曝光装置及曝光方法，特别是有关将感光基板上相邻的图案的一部份，重复曝光的曝光装置及曝光方法，以及元件的制造方法。

背景技术

液晶显示元件或半导体元件，均用将罩幕上形成的图案在感光基板上转写的所谓微影蚀刻(photolithography and etch)的方法制造。在该微影蚀刻工程使用的曝光装置，包括载置感光基板可二次元移动的基板台，以及载置有图案的罩幕可做二次元移动的罩幕台。一面逐次移动罩幕台及基板台，一面将罩幕上形成的图案经过投影光学系统转到感光基板。所谓的曝光装置，已知主要有二种类型，即将罩幕上的全部图案同时转写到感光基板上的总括型曝光装置，以及一面同步扫描罩幕台及基板台且一面连续的将罩幕的图案转写到感光基板上的扫描型曝光装置。其中，制造液晶显示元件之际，因要求显示区域的大型化，所以主要采用扫描型曝光装置。

扫描型曝光装置中，将复数的投影光学系统配置成，在扫描方向依所定的量位移形成相邻的投影区域，且相邻投影区域的邻接端部，在与扫描方向直交的方向重叠，有所谓多镜方式的扫描型曝光装置(mult-lens scan型曝光装置)。多镜方式的扫描型曝光装置，不仅可维持良好的成像特性，并且不需大型化装置就可得大的曝光区域。上述扫描型曝光装置的各投影光学系统的视野光圈，譬如成梯形形状，在扫描方向的视野光圈的开口宽度的合计量被设定成常相等，因为相邻投影光学系统的接合部被重复曝光，所以上述扫描型曝光装置，有投影光学系统的光学像差或曝光照度变化圆滑的优点。

扫描型曝光装置，在罩幕与感光基板同步移动扫描曝光后，将该些罩幕与感光基板向与扫描方向直交的方向进步移动，进行复数次的扫描曝光，使图案的一部份重复曝光，将该些图案接合合成，可制成有大显示区域的液晶显示元件。

重复进行扫描曝光及进步移动在感光基板上合成图案的方法，有如先在罩幕形成复数的分割图案，再将该些分割图案在感光基板上接合的方法；或将罩幕的图案像分割为复数的投影区域，将该些分割的投影区域在感光基板上接合的方法等。前面的方法如图25所示，先在罩幕M形成三个分割图案Pa、Pb、Pc，再将该些各分割图案Pa、Pb、Pc在感光基板P顺次曝光，在感光基板P上接合的方法。

另一方面，后面的方法为如图26所示每次扫描时变更对罩幕M形成的图案的曝光的照射区域，在该些照射区域对应的投影区域，向感光基板P上顺次扫描曝光，再进行图案合成者。此处，设五个投影光学系统，如图26(a)所示，各别的投影区域100a～100e设定成梯形，形成在扫描方向(X方向)累计曝光量保持相同，且各个的端部在Y方向重叠，在X方向的投影区域的宽度的总计相等的设计。在感光基板曝光图案之际，复数的投影区域100a～100e之中，将所定的投影区域对应的光路用快门遮光，使成为只在罩幕M的所定区域曝光照射的情况，此时，经复数次的扫描曝光，使投影区域的邻接端部重复曝光。具体的说，如图26(b)所示，第一次的扫描曝光在投影区域100d的-Y侧端部a1，与第二次的扫描曝光在投影区域100b的+Y侧端部a2被重复曝光。同样地，第二次的扫描曝光在投影区100c的-Y侧端部a3，与第三次扫描曝光在投影区域100b的+Y侧端部Aa4被重复曝光。此时，在第一次的扫描曝光时投影区域100e被遮光；在第二次的扫描曝光时，投影区域100a、100d、100e被遮光；在第三次的扫描曝光时投影区域100a被遮光。

此处，第一次的扫描曝光在感光基板P上形成的分割图案在Y方向的长度L12，为投影区域100a的短边的+Y方向端点，到投影区域100d的长边的-Y方向端点之间的Y方向的距离。第二次的扫描曝光在感光基板P上形成的分割图案在Y方向的长度L13，为投影区域100b的长边的+Y方向端点，到投影区域100c的长边的-Y方向端点之间的Y方向的距离。第三次的扫描曝光在感光基板P上形成的分割图案在Y方向的长度L14，为投影区域100b的长边的+Y方向端点，到投影区域100e的短边的-Y方向端点之间的Y方向的距离。如此，各个分割图案的大小(Y方向的长度L12、L13、L14)，为依据梯形投影区域的长边及短边来决定者。

上述的公用的扫描型曝光方法及扫描型曝光装置有以下的问题。

在图25所示的方法，为在罩幕M上形成复数个独立的分割图案，在罩幕M上的图案构成受限制。而且为在每一分割图案扫描曝光，扫描曝光次数增加，降低生产量。

又，在图26所示的方法，由复数次扫描曝光进行图案合成之际，如上所述各个分割图案的大小(Y方向的长度L12、L13、L14)依据梯形投影区域的长边及短边的长短而定者。亦即，在图26所示的方法，于感光基板P上形成的图案的大小，依投影区域的大小及视野光圈的大小(形状)的限定。而且，分割图案的接合只在梯形投影区域的端部形成，所以，图案的分割位置亦受其限定。如上所述，在公知的方法，图案的分割位置或感光基板P上形成的图案大小受到限制，要制作任意的元件有困难。

发明内容

本发明即鉴于上述情况、目的在于提供一种曝光装置及曝光方法，以及元件制造方法，能在感光基板上将分割图案的一部份重复接合曝光之际，同时设定在感光基板形成的图案的大小，而且亦能任意设定在罩幕上的图案的分割位置，可效率良好的制造元件。

为解决上述的课题，本发明采用如在实施例的图1～图24所示，以下说明其构成。

本发明的曝光装置(EX)具以下的特征：有对罩幕(M)照射光束(EL)的照明光学系统(IL)，及载置罩幕(M)的罩幕台(MST)，以及载置感光基板(P)供罩幕(M)的图案(44、45a、45b、46、47)曝光的基板台(PST)。此种可对光束(EL)同步移动罩幕(M)与感光基板(P)施行扫描曝光，使罩幕(M)的图案影像(50a～50g、62、63)的一部份重复曝光用分成复数次的扫描曝光在感光基板(P)继续曝光图案的曝光装置，配设视野光圈(20)以设定感光基板(P)上被照明的图案影像(50a～50g)的扫描方向(X)的宽度(Lx)；及第一遮光板(40)可设定图案影像(50a～50g)的与扫描方向直交的方向(Y)的宽度(Ly)；以及第二遮光板(30)，可在与扫描方向直交的方向(Y)移动且设定图案的重复区域(48、49、64)，同时对向照射区域的周边，将在重复曝光区域(48、49、66)的累积曝光量大略连续的衰减。

依本发明，可用视野光圈及第一遮光板，设定在感光基板上的图案像的扫描方向及与扫描方向直交的方向的宽度，该设定的图案像在感光基板上接合之际，在光路上配置第二遮光板，可在与扫描方向直交的方向移动，由第二遮光板的移动，可任意设定光束在罩幕的照射区域(照明光学系统的照射区域)。因此，图案的接合部份，即罩幕的图案的分割位置可任意设定，故可任意设定感光基板形成的图案的大小。又，第二遮板配置成可在与扫描方向直交的方向移动，具有可沿对向照射区域的周边，在图案重复区域将累积曝光量大约连续性衰减的减光特性，故可在重复区域设定所望值的曝光量，可使重复区域与重复区域以外的曝光量一致。因此，能进行精度良好的曝光处理。又，对视野光圈移动第二遮光板，可任意设定光束对感光基板的照明区域(配备投影光学系的曝光装置的场合为投影区域)的大小或形状，故继续曝光之际可提高接合精度及曝光的均一度。

本发明的曝光方法，为在罩幕(M)照射光束(EL)的同时，对光束(EL)同步移动罩幕(M)与或感光基板(P)扫描曝光，分成复数次的扫描曝光，使罩幕(M)的图案像(50a～50g、62、63)的一部份重复曝光，在感光基板(P)进行图案合成的连续曝光方法。用视野光圈(20)设定在感光基板(P)上的被照明的图案像(50a～50g)的扫描方向(X)的宽度(Lx)；用与视野光圈相异的第一遮光板(40)设定，图案像(50a～50g)的扫描方向的直交方向(Y)的宽度(Ly)，再配合继续进行曝光的区域(48、49、64)设定第二遮光板(30)，该第二遮光板(30)可向照射区域的周边连续的衰减重复区域(48、49、64)的照射光量，并能够在图案像(50a～50g、62、63)的(Y)方向移动。

依本发明，可用视野光圈及第一遮光板设定感光基板上的图案像的扫描方向的宽度及与扫描方向直交的方向的宽度。然后，该图案像在感光基板上接合之际，配合继续进行曝光的区域设定第二遮光板，就可任意设定光束对罩幕的照射区域(照明光学系统的照射区域)，故能够任意设定图案的连接部份，亦即罩幕的图案的分割部份。因此，可任意设定在感光基板形成的图案的大小，能够形成大的图案。又，第二遮光板具有能够连续的衰减图案的重复区域的照射光量的减光特性，故可设定重复区域的曝光量为所期望之值。所以，能够使重复区域与重复区域以外的各别的曝光量一致，能进行精度良好的曝光处理。

本发明的元件制造方法为，使用以光束(EL)照射罩幕(M)，同时对光束(EL)同步移动罩幕(M)与玻璃基板(P)的扫描曝光型曝光装置(EX)，将罩幕(M)的图案的一部份接合合成，以制造此罩幕(M)的连续的图案区域(46、47)更大的液晶元件的制造方法。将在玻璃基板(P)进行的罩幕(M)的图案的配置及接合的图案接合位置的情报做为格式(recipe)在曝光装置设定，再配合该格式设定欲曝光的罩幕(M)的图案供曝光(EL)照射的照射区域，同时对设在位于射区域的一边的接合位置的罩幕(M)的图案(48)，叠合接合曝光的遮光板(30)的位置并曝光之。曝光之后，使玻璃基板(P)向与扫描方向的直交方向(Y)移动，在玻璃基板(P)的被曝光区域及一部份要重复的位置，设定欲与曝光的罩幕(M)的图案合并照射曝光的照射区域，同时对设于照射区域的一边的接合位置的罩幕(M)的图案(49)，叠合接合曝光的遮光板(30)的位置并曝光。

依本发明，在图案间接合曝光之际，将罩幕的图案的接合位置(分割位置)的情报，做为格式预先在曝光装置设定，再配合格该格式，在接合曝光的第一次扫描曝光时，在该接合位置对合遮光板位置再曝光。在第一次扫描曝光之后，将玻璃基板向与扫描方向直交的方向进步移动，在第二次扫描曝光时，在接合位置叠合遮光板位置再曝光，因此，只在第一次扫描曝光时及第二次扫描曝光时分别调整遮光板的位置，就可将罩幕的图案分割再于玻璃基板上接合。如上述，只要调整遮光板的位置就可设定接合的位置，故可提升接合精度，能制造具有所望性能的元件。

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明。

附图说明

图1本发明的曝光装置的一实施例的概略斜视图。

图2本发明的曝光装置的一实施例的概略构成图。

图3为说明滤光器的平面图。

图4为说明视野光圈与第一遮光板及第二遮光板的模式图。

图5为说明视野光圈与第一遮光板及第二遮光板的模式图。

图6为说明视野光圈与第一遮光板及第二遮光板的模式图。

图7为依第一遮光板或第二遮光板设定的投影区域的形状图。

图8为投影光学系统设定的投影区域图。

图9为罩幕与投影区域的关系的平面图。

图10为感光基板与投影区域的关系的平面图。

图11为曝光动作的序列的流程图。

图12为罩幕位置对合标记与第二遮光板的位置对合的状态的模式图。

图13为罩幕幕位置对合标记与基板位置对合标记的位置对合的状态的模式图。

图14为在重复区域曝光量受控制的状态的说明图。

图15为其它实施例进行继续曝光之际的平面图。

图16为其它实施例进行继续曝光之际的平面图。

图17为其它实施例的第二遮光板。

图18为其它实施例的第二遮光板。

图19为其它实施例的第二遮光板。

图20为其它实施例的第二遮光板。

图21为其它实施例的第二遮光板。

图22为设定重复区域之际的其它实施例之图。

图23为半导体元件制工程的一例的流程图。

图24为感应器与计测位置的图。

图25为公知的继续曝光方法。

图26为公知的继续曝光方法。标号说明：

20       视野光圈                             30           遮蔽器(第二遮光板)

40       遮光板(第一遮光板)                   46、47       分割图案

48、49   重复区域

50a～50g 投影区域(照明区域)                   52a～52f     重复区域(接续部)

60A、60B 罩幕位置对合标记                     62、63       分割图案

64       重复区域                             72           基板位置对合标记

CONT     控制装置                             EL           曝光(光束)

EX       曝光装置                             IL           照明光学系统

IMa～IMg 照明元件                             M            罩幕

MST      罩幕台

Lx       图案像的扫描方向的宽度

Ly       图案像的与扫描方向直交的方向的宽度

P        感光基板、玻璃基板                   PL(Pla～PLg) 投影光学系统

PST      基板台                               X            扫描方向

Y        非扫描方向(与扫描方向直交的方向)

具体实施方式

以下参照图面说明本发明的曝光装置与曝光方法，以及元件的制造方法。图1本发明的曝光装置的一个实施例的概略斜视图，图2为曝光装置的概略构成图。

图1及图2中，曝光装置EX包括载置罩幕M的罩幕台MST；及照明光学系统IL，可发出曝光(光束)EL照射罩幕台MST上的罩幕M；及基板台PST，载置感光基板P以便在罩幕M形成的图案曝光；以及投影光学系统PL，将照明光学系统IL曝光照射的罩幕M的图案影像，在基板台PST投影曝光。该照明光学系统IL有复数的(本实施例为七个)的照明元件IM(IMa～IMg)。投影光学系统PL也有与照明元件IM数对应的复数个(本例为七个)投影光学系统PLa～PLg。投影光学系统PLa～PLg个别对应照明元件IMa～IMg配置。感光基板P为在玻璃板(玻璃基板)涂布感光剂而成者。

该曝光装置EX，为将罩幕M与感光基板P同步对曝光移动扫描曝光的扫描型曝光装置。在以下的说明中，设定投影光学系统PL的光轴方向为Z方向，与Z方向垂直的罩幕M与感光基板P的同步移动方向(扫描方向)为X方向，与Z方向及X方向直交的方向(非扫描方向)为Y方向。

然后，如后面要详述的，曝光装置EX设有；视野光圈20，设在投影光学系统PL，用以设定在感光基板上照明的罩幕M的图案像的扫描方向(X方向)的宽度；及第一遮光板40，设于投影光学系统PL中，与视野光圈20大约相同的位置，用以设定在感光基板照明的罩幕M的图案像的非扫描方向(Y方向)的宽度，以及第二遮光板(blind)30，设于照明光学系统IL，可在非扫描方向(Y方向)移动。

如图2所示，照明光学系统IL包括：光源1由超高压水银等组成；及椭圆镜1a用以聚集由光源1射出的光束；及分色镜(dichroicmirror)2，可将该椭圆镜1a收聚的光束之中，必要波长的光束反射，其它波长的光束则直接透过；及波长选择滤光器3，在分色镜2反射的光束中，只让曝光更必要的波长(通常为g、h、i线之中的至少一个波段)通过；以及光导向设备4，将波长选择滤光器3通过的光束，分岐为复数支(本实施例为7支)，经反射镜5射入各照明元件IMa～IMg。

照明元件IM配置有复数个(本实施中有IMa～IMg七个)(但图2为方便计，只显示照明元件IMg对应部份)，照明光学系IMa～IMg各别在X方向与Y方向保持一定间隔的布置。该些复数的照明元件IMa～IMg个别射出的曝光EL，个别照明罩幕M上不同的小区域(照明光学系统的照射区域)。

照明元件IMa～IMg各个备有，照明快门6，及中继透镜(relaylens)7，飞眼透镜8当做光学积分器，以及聚光镜9。当照明快门6遮断光路时，即遮断该光路的光束；打开光路时，即解除该光束的遮光。在照明快门6，连接快门驱动部6a驱动该照明快门6对光束的光路进退移动。快门驱动部6a由控制装置CONT控制。

又，各个照明元件IMa～IMg各别设有光量调整机构10。该光量调整机构10为设定每一光路的光束的照度而调整各光路的曝光量的设备，配置有半透明镜11、及检波器12、及滤光器13、以及滤光器驱动部14。半透明镜11配置在滤光器13与中继透镜7之间的光路中，将透过滤光器13的光束的一部份射入检波器12。各个检波器12经常独立检测入射光束的照度，并将检测的照度信号输出到控制装置CONT。

如图3所示，滤光器13为在玻璃板13A上用铬(Cr)等涂成帘子状图形而成者，其透过率沿Y方向在某范围内逐渐变化线形而形成。该滤光器13配置在各光路中的照明快门6与半透明镜11之间。

在复数的每一个光路，各配设有半透明镜11，检波器12及滤光器13。滤光器驱动部14，依控制装置CONT的指示沿Y方向移动滤光器13。如此，用滤光器驱动部14移动滤光器13，可调整每一光路个别的光量。

透过光路调整机构10的光束，再经过中继透镜7到达飞眼透镜8。飞眼透镜8在射出面形成二次光源，经过聚光镜9就可以均一的照度照射罩幕M的照射区域。然后，通过聚光镜9的曝光EL，在通过照明元件中包括直角棱镜16及透镜系统以及凹面透镜的反射屈折型光学系统15后，照明罩幕M的所定的照明区域。罩幕M即依照透过照明元件IMa～IMg的各曝光EL照明不同的各照射区域。此处，在聚光镜9与反射屈折型光学系统15之间，配置有第二遮光板30(Blind遮蔽器)，该第二遮光板30可由遮光板驱动部31驱动在非扫描方向(Y方向)移动。关于遮蔽器B将在后面说明。

支持罩幕M的罩幕台MST，有进行一次元的扫描曝光的X方向的长行程，及与扫描方向直交的到Y方向的所定距离的行程。如图2所示，罩幕台MST具有可将该罩幕台MST向XY方向移动的罩幕台驱动部MSTD。罩幕台驱动部MSTD由控制装置CONT控制。

如图1所示，在罩幕台MST上的X方向及Y方向各别的边端，各设置垂直方向的移动镜32a、32b。在移动镜32a设有对向的激光干涉计33a，移动镜32b有激光干涉计33b对向配置。该些激光干涉计33a、33b各对其对向的移动镜32a、32b射出激光测计其与移动镜32a、32b间的距离，依此可高精度检测罩幕台MST的X向及Y方向的位置，亦即罩幕的位置。激光干涉计33a、33b的检测结果，输出至控制装置CONT。控制装置CONT由激光干涉计33a、33b的输出监控罩幕台MST的位置，控制罩幕台驱动部MSTD，移动罩幕台MST至所望的位置。

透过罩幕M的曝光EL，各别射入投影光学系统PL(PLa～PLg)。该投影光学系统PLa～PLg乃为将罩幕M的照射范围内存在的图案在感光基板P成像，在感光基板P的特定区域投影曝光图案像的设备，与各照明元件IMa～IMg对应配置。

如图1所示，复数的投影光学系统PLa～PLg之中，投影光学系Pla、PLc、PLg与投影光学系PLb、PLd；PLf成二列多鸟状排列。即成多鸟状配置的各投影光学系统PLa～PLg的紧邻投影光学系(例如PLa与PLb、PLb与PLc)在X方向成定量变位的配置。该些各投影光学系PLa～PLg，使由照明元件IMa～IMg射出透过罩幕M的复数的曝光通过，再于基板台PST载置的感光基板P投影罩幕M的图案像。亦即通过各投影光学系PLa～PLg的曝光EL，在感光基板P上的不同投影区域(照明区域)，将罩幕M的照射区域对应的图案像依所定的成像特性成像。

如图2所示，各个投影光学系统PLa～PLg，各设有像移动机构19，及两组的反射屈折型光学系统21、22，及视野光圈20，以及倍率调整机构23。像移动机构19，为如用两片平行的平面玻璃板分别在Y轴或X轴周围回转，将罩幕M的图案像往X方向或Y方向移动。透过罩幕M的曝光EL通过过像移动机构19之后，射入第一组的反射屈折型光学系统21。

反射屈折型光学系统21乃为形成罩幕M的图案的中间像的设备，包括有直角棱镜24、透镜系统25及凹面透镜26。直角棱镜24可在Z轴周围自由回转，能够旋转罩幕M的图案像。

在该中间像的位置，设有视野光圈20。视野光圈20为设定在感光基板P上的投影区域的设备，特别是设定在感光基板P上的图案像的扫描方向(X方向)的宽度。通过视野光圈20的光束，射入第二组的反射屈折型光学系统22。反射屈折型光学系统22与反射屈折型光学系统21同样地，具备直角棱镜27、透镜系统28及凹面透镜29。直角棱镜27亦可自由绕Z轴回转，可以回转罩幕M的图案像。

由反射凹折型光学系统22射出的曝光EL，通过倍率调整机构23，在感光基板P上结成罩幕M的图案像的等倍正像。倍率调整机构23为由平凸透镜、双凸透镜及平凸透镜的三片透镜构成。往Z方向移动位于两片平凸透镜之间的双凸透镜，就可变化罩幕M的图案像的倍率。

在支持感光基板P的基板台PST有基板架PH，经该基板架PH载置感光基板P。基板台PST与罩幕台MST同样地，有进行一次元扫描曝元的X方向的长行程(stroke)，及与扫描方向直交的Y方向的逐步移动用的长行程，以及将该基板台PST向XY方向移动的基板台驱动部PSTD。基板台驱动部PSTD由控制装置CONT控制。尚有，基板台PST亦能够向Z方向移动。

又，基板台PST设有检测罩幕M的图案面与感光基板的曝光面的Z方向位置的检测装置(未图标)，可控制罩幕M的图案面与感光基板P的曝光面，常在所定的间隔的位置。该检测装置由斜入射方式的焦点检测系统的一种的多点焦点位置检出系统构成，该检测值，即感光基板P的Z方向的位置情报，输出至控制装置CONT。

如图1所示，在基板台PST上的X方向及Y方向各别的边端的直交方向各设有移动镜34a、34b。在移动镜34a有激光干涉计35a对向配置。在移动镜34b有激光干涉计35b对向配置。该些激光干涉计35a、35b分别向其对向的移动镜34a、34b射出激光，测计其与移动镜34a、34b射出激光，测计其与移动镜34a、34b之间的距离。如此，可高分辨率，高精度地检测基板台PST的X方向及Y方向的位置，亦即感光基板P的位置。激光干涉计的检测结果，输出到控制装置CONT。控制装置CONT利用激光干涉计35a、35b及前述检测装置(多点焦点位置检测系统)的输出，监视基板台PST的位置，控制基板台驱动部PSTD，使基板台PST移动至所望的位置。

罩幕台驱动部MSTD及基板台驱动PSTD，由控制装置CONT分别独立控制，罩幕台MST及基板台PST本来就由罩幕台驱动部MSTD与基板台驱动部PSTD各别驱动，可个别独立移动。所以，控制装置CONT可以一面监视罩幕台MST与基板台OST的位置，一面控制两个驱动部PSTD及MSTD，使罩幕M与感光基板P对投影光学系统PL，以住意的扫描速度(同步移动速度)向X方向同步移动。

此处，在罩幕台MST支持的罩幕M，与基板台PST支持的感光基板P，透过投影光学系统PL配置成共轭的位置关系。

其次，参照图4及图5说明视野光圈20，遮光板(第一遮光板)40及遮蔽器(第二遮光板)30。图4及图5为表示视野光圈20，遮光板40、遮蔽器30的个别与投影光学系统PL、罩幕M、感光基板P的位置关系的模型图。

在图4中，以投影光学系统PLg代表显示，视野光圈20配置在投影光学系统PL(PLg)，有缝隙将的开口。该视野光圈20为设定感光基板P上的投影区域(照明区域)50(50g)的形状的设备，特别是设定图案像的投影区域50的扫描方向(X方向)的宽度Lx。视野光圈20配置于投影光学系统PL之内，对罩幕M及感光基板P成大约共轭的位置关系。

遮光板(第一遮光板)40亦为设定在感光基板P上的投影区域的形状的设备，特别是为设定图案像的投影区域50的非扫描方向(Y方向)的宽度Ly。遮光板40亦设于投影光学系统PLg，配置成与视野光圈重叠，由视野光圈20与遮光板40形成的开口K，设定感光基板P上的投影区域50g的大小及形状。在本实施例中，视野光圈20与遮光板40形成的投影区域50g为平面梯形形状。此处，与视野光圈20重叠配置的遮光板40，亦在在投影光学系统PL之内，对罩幕M及感光基板P成大略共轭的位置关系。

又，对遮光板40相对的移动感光基板P也可以，所以遮光板40为固定的或可移动皆可以，为保持更大的自由度，如图4、图5所示的移动也可以。

在遮光板40设有遮光板驱动机构(未图标)，遮光板40在遮光板驱动机构的驱动下，可往非扫描方向(Y方向)移动。所以，把遮光板40往Y方向移动，可任意设定投影区域50g的Y方向的宽度Ly，如此，可任意设定投影区域50a～50g合并后的大小。此处，在投影光学系统PLg设置的遮光板40，可以独立移动，各遮光板40的Y方向的位置可个别设定，所以能够设定投影区域50的大小与形状。

又，对投影区域50a～50g设置大的遮光板两张当做遮光板40亦可，例如图2图的标号30F所示的形状也可以。遮光板40的位置设在感光基板P或罩幕M或遮蔽器30的近傍亦可。

遮蔽器(第二遮光板)30为如图2等所示，配置于照明光学系统IL(照明元件IM)，由遮蔽器驱动部31驱动可在非扫描方向(Y方向)移动。遮蔽器驱动部31的驱动由控制装置CONT控制，遮蔽器30依控制装置CONT的控制移动。在本实施例，遮蔽器30如图1所示，包括：遮蔽器A，设在对应照明元件IMa及投影光学系统Pla的光路近接的位置，以及遮蔽器B，设在照明元件IMg与投影光学系统PLg对应的光路的近接位置。所以，遮蔽器30如图5所示，往Y方向移动可遮住视野光圈20与遮光板40所形成的开口K的一部份(图5中为方便认识只示开口K，未图标视野光圈20及遮光板40)，以任意设定投影区域50的大小及形状。

遮蔽器30的前端部(相当开口K的部份)的X方向的宽度向Y方向逐渐缩小，形成斜向的斜形遮蔽器。用其斜形部份遮蔽曝光EL，可设定投影区域50的形状。本实施例中，视野光圈20与遮光板40及遮蔽器30形成的投影区域(照明区域)50，被设定成梯形形状(平形四边形形状)。

遮蔽器30配置于照明光学系统IL之内，对罩幕M与感光基板P大略共轭的关系位置。即，本实施例中，视野光圈20、遮光板40及遮蔽器30配置在对罩幕M与感光基板P的大略共轭的关系位置，而该罩幕M与感光基板P又透过投影光学系统PL成共轭的关系位置的配置。

此处，视野光圈20与遮光板40及遮蔽器30，只要配置在对罩幕M与感光基板P共轭的相关位置就可以。因此，例如图6所示，将遮光板(第一遮光板)40接近遮蔽器B设置也可以。或将遮蔽器30配置在投影光学系统内视野光圈20的近傍也可以。或将该些各元件20、30、40在罩幕M或2感光基板P的近接位置配置也可以。亦即，视野光圈20，遮光板40、遮蔽器30各别，只要在对罩幕M与感光基板P共轭的位置(参考图2的A、B标号)，配置于曝光EL的光路上的任可位置都可以。又，遮光器30配置在对共轭面散焦的位置，其光量和仍然为一定，所以配置在聚焦方向稍偏离的位置也无妨。

又，遮光板40虽可利用Y方向的移动设定投影区域50的Y方向的宽度Ly，因设计成可绕Z轴回转，将遮光板40绕Z轴回转，就如图7所示，能够变更投影区域50的形状。同样地，沿Z轴回转遮蔽器30，亦可改变投影区域50的形状。

图8为投影光学系统Pla～PLg在感光基板P上的投影区域50a～50g的平面图。各投影区域50a～50g依视野光圈20及遮光板40设定成所定的形状(本例为梯形)。投影区域50a、50c、50e、50g与投影区域50b、50d、50f在X方向相对向配置。而且，在投影区域50a～50g的邻接的投影区域的端部(边界部)间(51a与51b、51c与51d、51e与51f、51g与51h、51i与51j、51k与51l)用二点锁线所示的，在Y方向重叠并列配置，形成重复区域(接合部)52a～52f。因投影区域50a～50g的边界部间在Y方向重叠的并列配置，投影区域的X方向的宽度总计被设定成大略相等，如此可使在X方向扫描曝光时的曝光量相等。

如上所述，设置各投影光学系统Pla～PLg的投影区域50a～50g的各别的重复区域(接合部)52a～52f，能够缓和在接合部52a～52f的光学像差的变化或照度变化。此处，接合部52a～52f的Y方向的位置或宽度，可移动遮光板40任意设定。

又如图8的虚线所示，两组遮蔽器30之中，一方的遮蔽器30A在±Y方向移动设定对罩幕M的照射区域的方式，设定+Y侧的投影区域50a的大小、形状；另一方的遮蔽器30B，亦在±Y方向移动设定对罩幕M的照射区域，以设定-Y侧的投影区域50g的大小、形状。尚且，一方的遮蔽器30A尚能够遮蔽对应投影区域50a的光路，同时设定投影区域50c的大小及形状；另一方的遮蔽器30B，在遮蔽投影区域50g对应光路的同时，亦可设定投影区域50e的大小及形状。如此，遮蔽器30A、30B的个别在Y方向移动可遮住复数的投影区域之中，特定的投影区域对应的光路，能够任意设定所定投影区域的大小及形状。

又，遮蔽器30的移动，可设定投影区域的边界部51a、51d、51e、51h、51i、51l各别的大小。因此，遮蔽器30利用在非扫描方向(Y方向)移动设定投影区域的边界部的大小与形状，可设定投影区域(图案像)的重复区域52a～52f。另外，因遮蔽器30的前端部(相当开口K的部份)的X方向的宽度向Y方向逐渐缩小形成倾斜形，可遮断投影区域的边界部各别对应的光路的一部份，可向投影区域的周边连续的减衰在重复区域的累计曝光量。

图8中，投影区域的边界部51a、51e、51i的平面的倾斜角度，设定成与遮蔽器30A的前端部的倾斜角度一致。同样地，投影区域的边界部51d、51h、51l的平面的倾斜角度，设成与遮蔽器30B的前端部的倾斜角度一致。遮蔽器30A，将其前端部配置在边界部51a或51e对应的光路一部份，设定重复区域52a或52c，使扫描曝光时，在重复区域52a(52c)的累计曝光量向-Y侧大略连续的衰减。遮蔽器30B，将其前端部置在边界部51l或51h对应的光路一部份，设定重复区域52f或52d，使扫描曝光时在重复区域52f(52d)的累计曝光量向+Y侧大略连续的衰减。

如上所述，由视野光圈20、遮光板40反遮蔽器30将投影区域分割为复数个，其大小、形状可任意设定。如此，由设定遮厂器30的位置，在扫描曝光时，对向罩幕M的照射区域的周边大略连续的衰减累积曝光量，并连续的变化重复区域52a～52f的Y方向累积曝光量。

回到图2，在基板台PST上，设有光检测器41。光检测器41为检测照射在感光基板P的该曝光的光量有关情报的设备，该检测的信号输出至控制装置CONT。

又，该曝光的光量有关的情报，包括物体面上单位面积所照射的曝光的量，或单位时间内放射的曝光的光量。在本实施例中，该曝光的光量有关的情报，以照度表示说明。

该光检测器41为计测感光基板P上的各投影光学系统Pla～PLg的对应位置的曝光照射量的照度感应器，如图24(a)所示，由CCD感应器构成。光检测器41由配置基板台PST上成Y方向的引导轴(未图标)支持，设置成与感光基板P同一平面的高度，由检测器驱动部驱动，可在与扫描方向(X方向)直交的方向(Y方向)移动。

该光检测器41，在一次或复数次的曝光之前，由基板台PST的X方向的移动，及检测器驱动部的Y方向的驱动，在投影光学系统Pla～PLg对应的各投影区域的下方被扫描。因此，感光基板P上的投影区域50a～50g及该些各50a～50g的各边界部50a～50l的曝光的光量有关情报，可由光检测器41二次元的检测。光检测器41检测的曝光的光量有关的情报输出至控制装置CONT。此时，控制装置CONT，依基板驱动部PSTD及检测器驱动部的各驱动量，可以检测出光检测器41的位置。

如图9所示，在罩幕M的图案区域中形成像素图案44及，位于该像素图案44的Y方向两端的周边电路图案45a、45b。在像素图案44中，对应复数的像素的复数个电极，形成整齐规则配列的图案。在周边电路图案45a、45b中，形成驱动像素图案44的电极的驱动电路。

各个投影区域50a～50g依所定的大小设定，此时，如图8所示，设长边的长度为L1，短边的长度为L2，邻接投影区域的间隔(投影区域Y方向距离)为L3。

又，图9所示罩幕M的周边电路图案45a、45b，为与图10所示感光基板P的周边电路图案61a、61b同一尺寸，同一形状，配置在罩幕M上可受两端外侧的投影光学系统50a、50g曝光。罩幕M的像素图案44，与感光基板P的像素图案60，X方向的长度相同，但Y方向长度不同。

其次，说明利用具有上述构成的曝光装置EX，对曝光EL同步移动罩幕M与感光基板P进行扫描曝光，并使罩幕M的图案像的一部份重复曝光，分成复数次的扫描曝光，在感光基板P连接曝光图案的方法。

在以下的说明中，罩幕台MST及基板台PST的移动，全部由控制装置CONT控制，透过罩幕台驱动部MSTD及基板台驱动部PSTD操作。

又，在以下的说明中，如图9所示，将在罩幕M上形成的图案，分割成两个区域，即分割图案46，Y方向长度为LA包含周边电路图案45a及像素图案44的一部份；以及分割图案47，Y方向的长度LB包含周边电路图案45b及像素图案44的一部份。将该些分割图案46、47各个的一部重复曝光，分成两次的扫描曝光在感光基板P上进行图案合成。然后，感光基板P上全体的曝光图案为如图10所示，因两次的扫描曝光，形成的分割图案(曝光区域)62，Y方向长度为LA，包含周边电路图案61a与像素图案60的部份，以及分割图案(曝光区域)63，Y方向长度为LB，包含周边电路图案61b与像素图案60的部份。该全体的曝光图案即由该些二组分割图案62、63合成。

此处，长度LA为投影区域50a的短边的+Y方向端点，与投影区域50e的短边与在对应50e的光路配置的遮蔽器30B的交点之间的Y方向的距离。长度LB为投影区域50c的短边与配置于对应投影区域50c的光路的遮蔽器30A的交点，与投影区域50g的短边的-Y方向端点间的Y方向的距离。

又，设分割图案62与分割图案63，在感光基板P上的重复区域(接合部)64重叠；设重复区域64的Y方向的长度LK与投影区域50a～50g的重复区域52a～52f同一距离。

则，重复区域64的Y方向的距离的长度LK，如图9所示，由遮蔽器30B的Y方向的位置与投影区域50e来设定，与在投影区域50e之内向+Y侧连续衰减累计曝光量的接续部48的Y方向距离一致。同样地，长度LK由遮蔽器30A的Y方向的位置与投影区域50c来设定，与在投影区域50c内的向-Y侧连续衰减累计曝光量的接续部49的Y方向距离一致。亦即，设定遮蔽器30A、30B各别的前端部的形状(倾斜角度)，使接续部48与49的Y方向的距离一致。

又，在检测遮蔽器48、49各别的前端部位置时，可使用如图24(b)、(c)所示的感应器，移动至感应器检测光量为一半(约50％)时的位置，再对合此位置亦可。

在罩幕M上，依遮蔽器30形成接续部48、49的各位置，即欲进行接续曝光的各区域已预先设定好，在相当该接续部48、49的欲设定位置(接续曝光区域)的罩幕M的图案近傍，设置为对合遮蔽器30的位置的位置对合标记60(60A、60B)。

以下，参照图11说明曝光顺序。本实施例为，将罩幕M的分割图案46、47的接续部48、49，在感光基板(玻璃基板)P接续合成，以制造较罩幕M的连续图案区域45a、44、45b更大的液晶元件。

首先，由控制装置CONT预先设定，对感光基板P的罩幕M的图案配置位置有关的情报，及在罩幕M的图案接合位置有关的情报。即在感光基板P上的罩幕M的分割图案46、47各别需曝光的位置，预先设定，同时在罩莫M上的接续部48、49的设置位置，亦先设定。

控制装置CONT，驱动视野光圈20与遮光板40的同时也驱动罩幕台MST，对合罩幕M的图案，以设定曝光EX照射的照射区域。又，控制装置CONT使用投影光学系统Pla～PLg各别设置的视野光圈20及遮光板40，调整开口K的大小及形状，来设定在感光基板投影的投影区域50a～50g的扫描方向(X方向)的宽度，及非扫描方向(Y方向)的宽度。

然后，控制装置CONT，依据预先设定的格式化的曝光处理有关情报，设定持续曝光进行之际的遮蔽器的位置。

此处，在本实施例，如图10所示。在第一次的扫描曝光时，遮蔽器30B配置成遮住投影区域50e的一部份；遮蔽器30A则设定成避开光路。另一方面，在第二次的扫描曝光时，遮蔽器30A配置成遮住投影区域50c的一部份，遮蔽器B别设定成避开光路。

控制装置CONT，设定第一次扫描曝光进行时的遮蔽器30B的位置(步骤S2)。

即，控制装置CONT，对在罩幕M的曝光EL的照射区域(即分割图案46)的一边的接续部48内设置的罩幕M的图案，对合继续曝光用的蔽遮器30B的位置。

具体地说，控制装置CONT，将设于罩幕M上与接续部(重复区域)48对应的位置对合标记60B，与遮蔽器30B的前端部的位置对合。在罩幕M的位置对合标记60B与遮蔽器30B合对位置之际，如图12的模式图所示，由设在基板台PST的校准用发光部70射出校准光线，通过投影光学系统PL照射到罩幕的位置对合标记60B。照射到罩幕M的位置对合标记60B的校准光，透过罩幕后，通过遮蔽器30B的前端部近傍，在校准用受光部71受光。此时，一面将校准光照射位置对合标记，一面将遮蔽器30B在Y方向移动，就可产生受光部71接受的校准光被遮蔽器30B遮光，受光量只有例如50％的状态。此时，受光部71的检出信号输出到控制装置CONT，控制装置CONT，将受光部71从有接受校准光的状态到变为无受光状态时的遮蔽器30B的位置，对照位置对合标记60B，判断遮蔽器30B已经对合位置。遮蔽器30B与位置对合标记60B位置对准了，对接续部48也对位了。

此处，位置对合标记60B，设在罩幕M的-X侧端部及+X侧端部二处。该二位置对合标记60B各别与遮蔽器30B的位置对合，预先做好，就可依据该些预做的位置情报设定遮蔽30B的位置再行扫描曝光，可用遮蔽器30B设定所望的接续部48。

如以上所述，在遮蔽器30B与罩幕位置对合标记60B的位置对合后，控制装置CONT，将此时的遮蔽器30B及罩幕台MST(罩幕M)的位置有关情报，在记忆装置(未图标)记忆(步骤S3)。

其次，控制装置CONT，设定第二次扫描曝光进行时，遮蔽器30A的位置(步骤S4)。

即，控制装置CONT，对在罩幕M的曝光EL的照射区域(分割图案47)的一边的接续部49内的图案，对合继续曝光用的遮蔽器30A的位置。

具体地说，控制装置CONT，将设于罩幕M上与接续部(重复区域)49对应的位置对合标记60A，与遮蔽器30A的前端部的位置对合。在罩幕M的位置对合标记60A与遮蔽器30A的位置合对，可用图12说明的方法同样的顺序进行。由遮蔽器30A与位置对合标记60A位置对合，对接续部49亦可对准位置。

此处，位置对合标记60A，亦设在罩幕M的-X侧端部及+X侧端部的二处。该二处位置对合标记60A各别与遮蔽器30A的位置对合，预先做好。就可依据该些位置情报边设定遮蔽器30A的位置边做扫描曝光，可用遮蔽器30A设定所望的接续部49。

如以上所述，遮蔽器30A与罩幕位置对合标记60A位置对合后，控制装置CONT，将此时遮蔽器30A及罩幕台MST(罩幕M)的位置有关情报在记忆装置记存(步骤S5)。

其次，进行各投影区域50a～50g的照度校正及位置检测。

先在基板台PST未载置感光基板P的状态，在对应感光基板P上的分割图案62(长LA的部份)的区域，开始曝光动作(步骤S6)。

具体的说法为，首先，控制装置CONT驱动滤光器驱动部14，移动滤光器13，使光源1来的光束以最大透过率透过滤光器13。滤光器13移动时，光束由光源1透过椭圆镜1a照射。照射的光束透过滤光器13，半透明镜11、罩幕M，投影光学系统Pla～PLg等之后，到达基板台PST上。此时，将罩幕M移动到一个，在曝光EL的照射区域不会形图案等的位置。

此时，各投影区域50a～50g已由各视野光圈20及遮光板40设定，遮蔽器30B已退离光路。

与此同时，将光检测器41在分割图案62对应的区域内，往X方向及Y方向移动，使在投影光学系统PLa～PLg对应的投影区域50a～50g扫描。由扫描的光检测器41可顺次计测各投影区域50a～50g的照度，及边界部51a～51l的照度Wa～W1(步骤S7)。

光检测器41的检测信号输出至控制装置CONT。控制装置CONT依据光检测器41的检测信号进行影像处理，检出各投影区域50a～50g及边界部51a～51l的形状及照度。然后，控制装置CONT将该些边界部51a～51l的照度Wa～Wl记存于记忆装置。

其次，依据光检测器41计测的边界部51a～51l的照度Wa～Wl，为使该些照度Wa～Wl略成所定值且(|Wa-Wb|、|Wc-Wd|、|We-Wf|、|Wg-Wh|、|Wi-Wj|、|Wk-Wl|)成为最小，一边用光检测器41计测照度，一边对每一照明元件IMa～IMg各别驱动滤光器13(步骤S8)。

如此，可修正各光路的光束的光量。

此时，由光源1照射的光束，由半透明镜11将其一部份射入光检测器12，光检测器12检测入射光束的照度，检出的照度信号输出到控制装置CONT。因此，控制装置亦可依据光检测器12检出的光束的照度，控制滤光器驱动部14，使该照度维持所定之值，以调整各光路的个别光量。

控制装置CONT，依据扫描的光检测器41检测的曝光光的光量有关的情报，推求各个边界部51a～511的位置(步骤S9)。

亦即，依据扫描的光检测器41的检测信号，控制装置CONT，推求对所定的坐标系统的各边界部51a～51l的形状，再依该推求的形状，求得各边界部51a～51l在该所定的坐标系统的位置。具体地说，推求三角形状的边界部51a～51l之中，如前端位置或图心位置等代表性的指定位置。

此时，光检测器41的位置，可依据各驱动部对基准位置的驱动量推求。即，设定光检测器41的初期位置(待机位置)等为基准位置，可推求扫描的光检测器41对该基准位置移动的位置。控制装置CONT，依据光检测器41对基准位置的移动位置，推求各边界部51a～51l对基准位置的位置。

然后，控制装置CONT，在记忆装置记存各边界部51a～51l在所定坐标系统的位置。此时各投影区域50a～50g的相对位置也记忆了。

在遮蔽器30B退离光路的状态，进行各投影区域50a～50g光量调整及位置检测后，控制装置CONT依据记忆装置的情报，将遮蔽器30B配置在步骤S2设定的位置，在此状态进行曝光动作。然后，控制装置CONT用光检测器41检测相当于接续部48的投影区域50e的小区域KB的照度。

此处，小区域KB因遮蔽器30B，向-Y方向连续的衰减在感光基板P上的重复区域64的累积曝光量。

光检测器41的检测信号输出到控制装置CONT，控制装置CONT依据光检测器41的检测信号进行影像处理，检出小区域KB的形状及照度。以后，控制装置CONT，在记忆装置记忆该小区域KB的形状及照度Wkb。控制装置CONT再依据光检测器41检测的曝光的光量有关的情报，推求该小区域KB的位置及形状。所谓小区域KB的位置，乃指三角形小区域KB中的如前端位置或图心位置等代表性指定位置。

小区域KB的照度，位置及形状求得后，控制装置CONT，将遮蔽器30B退离光路同时配置遮蔽器30A于步骤S4设定的位置，在此状态进行曝光动作。控制装置用光检测器41检测相当于接续部49的投影区域50c的小区域KA的照度Wka(步骤S11)。

此处，小区域KA因遮蔽器30A，向+Y方向连续的衰减在感光基板P的重复区域64的累积曝光量。

光检测器41的检测信号输出到控制装置CONT，控制装置CONT，依据光检测器41的检测信号进行影像处理，检出小区域KA的形状及照度。然后，控制装置CONT，在记忆装置记忆该小区域KA的形状及照度Wkb。控制装置CONT再依据光检测器41检测的曝光的光量有关的情报，推求该小区域KA的位置及形状。所谓小区域KB的位置，乃指三角形的小区域KA中的如前端位置或图心位置，等代表性指定位置。

控制装置CONT，依据在步骤S10求得的小区域KB的照度Wkb，及在步骤S11求得的小区域KA的照度Wka，利用光检测器41一面计测照度，一面在照明元件IMc与IMc驱动滤光器13，使照度Wka与Wkb大略成所定之值，且使(|Wa-Wb|、|Wc-Wd|、|We-Wf|、|Wg-Wh|、|Wi-Wj|、|Wk-Wl|、|Wka-Wkb|)之值为最小(步骤S12)。

控制装置CONT，依据在步骤S10及S11检测的小区域KA及小区域KB的形状，进行该些小区域KA与KB的形状修正(步骤S13)。

例如，对前面检出的小区域KB的形状，后面检出的小区域KA的形状非如所望的形状时，或如在扫描曝光时未均一重复的场合，或小区域KA及KB形成的重复区64的宽度LK与各投影区域52a～52f的宽度，大幅差异的场合等时，需要驱动投影区域50e或投影区域50c对应的投影光学系统PLe或PLc的像移动机构19，倍率调整机构23、直角棱镜24、27以修正移位，变换比例，回转等的像特性(透镜校正)。

又，控制装置CONT，在投影区域50a～50g的各别形状不是所定的形状时，或邻的投影区域50a～50g间的重复区域52a～52f的宽度，因扫描曝光而变化的场合等，皆能够驱动各投影光学系统PLa～PLg的像移动机构19，倍率调整机构23、直角棱镜24、27以修正特性。控制装置CONT，将该些修正值记忆于记忆装置。

如上所述，进行包含接续部的投影区域50a～50g的校正(照度校正、透镜校正)后，进行实际曝光处理，控制装置CONT将罩幕M配置于曝光的光路上，同时经未图标的装载机在基板台PST和基板架PH装载感光基板P(步骤S14)。

进行第一次的扫描曝光，控制装置依据上述各项校正工程设定的设定值或修正值，依视野光圈20及遮光板40设定在扫描方向及非扫描方向具有所定的宽度的投影区域；同时驱动罩幕台MST，配合罩幕M的图案设定曝光EL照射的照射区域。然后，控制罩幕台MST的位置，使罩幕M的图案区域中至少第一次扫描曝光所用的分割图案46，能受到曝光EL的照射，同时，如图12说明的，使用在罩幕M形成的位置对合标记60B，调整遮蔽器30B的位置，使遮蔽器30B遮住投影区域50g对应的光路，以及遮蔽投影区域50e的一部份(步骤S15)。

再利用罩幕M的位置对合标记60B，将基板台PST上载置的感光基板P与罩幕M的位置对合(步骤S16)。

此处，在感光基板P的继续曝光区域，亦即相当于感光基板P的重复区域64的图案区域近傍，预先设有基板位置对合标记72。控制装置CONT，对合罩幕台MST载置的罩幕M的位置对合标记60B，与基板台PST上载置的感光基板P的位置对合标记72的位置，就可在感光基板P的曝光区域62对合罩幕M的分割图案46的位置曝光。

又，在罩幕M的位置对合标记60B与感光基板P的位置对合标记72位置对合之际，例如图13的模式图所示，由设在罩幕M上方的发光部75对罩幕位置对合标记60B照射校准光。照射在位置对合标记60B的校准光穿过罩幕M，经投影光学系统PL照射到感光基板P的基板位置对合标记72。然后，在基板位置对合标记72反射的反射光，再经过投影光学系统PL及罩幕M的位置对合标记60B，由设在罩幕M上方的受光部76检出。依据罩幕位置对合标记60B的反射光，及基板位置对合标记72的反射光，调整基板台PST的位置，使罩幕位置对合标记60B与基板位置对合标记72成为一致就可以。

另外，因感光基板P为玻璃基板，故可不需检测基板位置对合标记的反射光，例如在基板台设受光部76’，依据通过罩幕位置对合标记60B的光，与通过基板位置对合标记72的光，对合罩幕M与感光基板P的位置也可以。

此处，基板位置对合标记72，与罩幕位置对合标记同样地，在感光基板P的-X侧端部与+X侧端部的两个处所形成。该些+X侧及-X侧的罩幕位置对合标记60B，各别与+X侧及-X侧的基板位置对合标记72，预先对合好保存。依据该些位置情报进行扫描曝光，可提高曝光精度。

如上所述，进行罩幕M与感光基板P的位置对合，及罩幕M与遮蔽器30B的位置对合后，控制装置CONT对感光基板P进行第一次的扫描曝光处理(步骤S17)。

首先，将分割图案62(长度LA的部份)对应的部份曝光。此场合，投影光学系统PLf对应的照明元件IMf的照明快门6，受快门驱动部6a的驱动插入光路中，如图10所示，遮住了投影区域50f对应的照明光的光路。此时，照明元件IMa～IMe与IMg的照明快门6，开放着各光路。但，遮蔽器30B遮住投影区域50e的一部分，及投影区域50g的全部光路。由于遮光器30B，在投影区域50e形成有Y方向减光特性的小区域KB，对感光基板P设定包含周边电路61a与像素图案60的一部份的Y方向长度LA的曝光区域。

然后，向X方向同步移动罩幕M与感基板P，进行第一次的扫描曝光。如此，如图10所示，在感光基板P上曝光由投影区域50a、50b、50c、50d及投影区域50e的一部份设定的分割图案62。而且，由于遮蔽器30B设定的小区域KB，因扫描曝光在分割图案(曝光区域)62的-Y侧的一边形成的重复区域64，为向该分割图案62的-Y侧连续的衰减曝光量。

其次，为进行第二次的扫描曝光，进行基板台PST对准所定位置的位置对合(步骤S18)。

具体的方法为，将基板台PST向+Y方向的所定距离进步移动同时进行微调调整。

为进行第二次扫描曝光的基板台PST的位置对合，将在罩幕M的内接续部48对应形成的罩幕位置对合标记60A，与在感光基板P的内重复区域64对应形成的基板位置对合标记72的位置对合。控制装置CONT，如图13所示顺序说明，由发光部75对罩幕位置对合标记60A发射校正光，再依据该校正光透过投影光学系统照射在感光基板P的位置对合标记72的反射光，与罩幕位置对合标记60A的反射光，调整基板台PST的位置，使罩幕对合标记60A与基板位置对合标记72成为一致。

如上述，使用在罩幕M形成的罩幕位置对合标记60，与在感光基板P形成的基板位置对合标记72，在继续曝光之际对合接续部的位置，可提高决定的接续部位置的精度。

罩幕M与感光基板P的位置对合之后，控制装置CONT，将遮蔽器30B退离曝光EL的光路，同时使遮蔽器30A在Y方向移动，遮住投影区域50c的一部份，及投影区域50a的全部光路(步骤S19)。

此时的遮蔽器30A的与罩幕M的位置对合，亦如图12说明，可对罩幕位置对合标记60A重合遮蔽器30A的位置。在所定位置对合的遮蔽器30A，在投影区域50c的一部份，形成具有向Y方向减光特性的小区域KA。又，投影光学系统PLb对应的照明元件IMb的照明快门6，受快门驱动部6a的驱动插入光路之中，如图10所示，将投影区域50b对应的光路的照明光遮断。此时，照明元件IMa，IMc～IMg的照明快门6开放着各光路。此时，遮蔽器30A遮住投影区域50c的一部份及投影区域50a对应的光路，对感光基板P设定包含周边电路61b及像素图案60的一部份的Y方向长度LB的曝光区域。

如此，控制装置CONT，依据第一次扫描曝光的小区域KB形成的重复区域64(接续部48)，向+Y方向移动基板台PST，使第二次扫描曝光所投影曝光的小区域KA的接续部49与第一次扫描的接续部对合。

此处，在第二次扫描曝光的进步移动时，或在遮蔽器30A的向光路上配置时，控制装置CONT，依据校正时在记忆装置记忆的各设定值，修正值，可对感光基板P修正影像特性，或对遮蔽器30B的微调整。亦即可能调整影像特性(移动、变换比率、回转)使基于小区域KA的重复区域64与基于小区域KB的重复区域64成一致。

又，可以调整基板台PST的位置，使图案的重复区域64与重复区域以外各别曝光的照射量略成一致。即，各小区域KA及KB的各别的形状或光量在步骤S10～S13中预先检测，调整记存。控制装置CONT，依据记忆的各小区域KA、KB的形状或光量，进行微调整基板台PST的位置，使图案的重复区域64与重复区域以外(即区域62、63)的照度略成一致。具体的说，第一次的扫描曝光的小区域KB，与第二次扫描曝光的小区域KA，各别的在重复区域64的曝光照射量为如图14所示的照度分布。如为图14(a)所示的第一次扫描曝光的小区域KB与第二次扫描曝光的小区域KA，在重复区域64的曝光的合计照射量，较重复区域64以外的曝光照射量低的场合，调整基板台PST的位置，使加大重叠的重围，如图14(b)所示，可使全部位置的曝光的照射量略成一致(步骤S20)。

或者，驱动遮蔽器30，调整在重复区域64的曝光照射量，使重复区域64的曝光照射量与重复区域64以外的曝光照射量大略一致，也可以。如上述方法，可修正各光路光束的光量。

又，第二次扫描曝光时，遮蔽器30A在光路上的配置，因在校正时已预先设定好其所望的位置对基准位置的关系，故依据该设定值，移动遮蔽器30也可。

在第二次扫描曝光时，基板台PST的上步移动，不用基板位置对合标记72与罩幕位置对合标记60A也可以。此场合，基板台PST的上步移动，可依据校正时预先求得的情报上步移动。另外，亦可依据校正时求得的各小区域KA、KB的位置，移动基板台PST，亦即，在第一次扫描曝光投影曝光的重复区域64(接续部48)对应基准位置的位置关系已求出，第二次扫描曝光时，即设定基板PST的位置，使投影曝光的接续部49与该重复区域64成所定的位置关系。

然后，罩幕M与感光基板P向X方向同步移动，进行第二次扫描曝光(步骤S21)。

如图10所示，在感光基板P上，有由投影区域50c的一部份、50d、50e、50f、50g设定的分割图案63曝光。因遮蔽器30A设定的小区域KA，扫描曝光时在分割图案63(曝光区域)的+Y侧的边形成的重复区域64，有由该分割图案63边向+Y方向连续的衰减的光量分布，与第一次扫描曝光时形成的重复区域64重复，可获得所定的合成曝光量。

如上所述，完成用一片罩幕M，对比该罩幕大的感光基板P继续曝光(步骤S22)。

如以上说明，对由视野光圈20及遮光板40设定的图案影像(投影区域)，配置可在Y方向移动的遮蔽器30，就能够任意设定在罩幕M的图案的接续部(分割位置)48、49。因此，能够任意设定在感光基板P形成的图案的大小，能够高率制造任意的元件。

又，遮蔽器30被设成在非扫描方向移动，具有向照明光学系统IL的照射区域的周边，连续地衰减在图案接续部(重复区域)的累计曝光量的减光特性，故能设定接续部的曝光量为所望之值，可使重复区域64及重复区域64以外的曝光量一致。因此能进行精度良好的曝光处理。

又，遮光板40及遮蔽器30可分别对视野光圈20移动，因此能任意设定对感光基板P的曝光EL的投影区域50a～50g的大小或形状，故继续曝光之际，可提升接合精度或曝光量的均一化。

利用视野光圈20、遮光板40及遮蔽器30，将投影区域分割成复数的50a～50g，将该些投影区域接合曝光，形成所谓的多镜扫描型曝光装置，不仅保持良好的成像特性，且不需装置大型化就可形成大的图案。投影光学系统PL，由在扫描方向的直交方向并列的复数个投影光学系统PLa～PLg形成，复数的光学系统PLa～PLg之中，遮住所定的光学系统的光路，就能够容易地调整每次扫描曝光的投影区域。另外，在接合分割图案62、63之际，不需使用大型的罩幕M，能够在大型的感光基板P形成均一的图案。因此，能够防止装置的大型化及成本增大。

分割成复数的投影区域50a～50g的形状为梯形，故在继续曝光进行之际，接续部与接续部以外的曝光量，容易达成一致。

在罩幕M上，相当于继续曝光区域的接续部48、49，设有为与遮蔽器30位置对合的位置对合标记60A、60B，利用该些位置对合标记，能够精确对合遮蔽器30的位置。因此，能在重复区域60曝光所望的曝光量。

在感光基板P上，相当于继续曝光的区域64，亦设有与罩幕位置对合标记60A、60B位置对合的基板位置对合标记72，故罩幕M与感光基板的位置对合精良，可提高曝光精度，而且，为进行复数次的扫描曝光，在上步移动基板台PST时，亦使用位置对合标记60A、60B、72就可以，所以，可提升位置对合精度。

本实施例中，对投影区域50a～50g重复的边界部51a～51l的照度，进行计测、修正使略成一致，使接续部52a～52f的照度均一。再变更遮蔽器30或遮光板40的Y方向的位置，在分割图案62、63的重复区域64的照度，与其它区域照度相同，使图案全体用均一的曝光量曝光，可使图案的线条宽度在图案全面均一。因此，能提升曝光后的液晶元件的品质。

在图9、图10中，重复区域64的Y方向长度LK，设定成与投影区域50a～50g的重复区域52a～52f同一长度。但，可变更遮蔽器30A(30B)的前端部的倾斜角，使分割图案62及63间的重复区域64的Y方向长度，与上述的重复区域52a～52f的Y方向长度不同，也可以。

又，在本实施例中，在分割图案62与分割图案63接合之际，在第一次扫描曝光时，用遮蔽器30B遮住投影区域50e的一部份，形成小区域KB；在第二次扫描曝光时，用遮蔽器30A遮住投影区域50c的一部份，形成小区域KA。使该些小区域KA、KB重叠，但形成小区域KA、KB的投影区域，在投影区域50a～50g中的任一个皆可以。即，复数次的扫描曝光在任意的投影区域，形成具有Y方向减光特性的小区域，可重叠该些小区域。尚且，照明快门6的可对任何光路遮光。

本实施例，第一次扫描曝光使用遮蔽器30B，第二次扫描曝光使用遮蔽器30A。但，如图15所示，第一次扫描曝光使用遮蔽器30B，第二次扫描曝光则不用遮蔽器，改用照明快门6遮住所定投影区域的光路也可以。又，图15中，第一次扫描曝光时，用照明快门6遮住投影区域50f对应的光路；第二次扫描曝光时，用照明快门6挡住投影区域50a、50b对应的光路。

上述实施例，为并列的复数的光路有七个，与之对应设置照明元件IMa～IMg，及投影光学系统PLa～PLg的构成。但，设置光路一个，照明元件及投影光学系统各一个的构成亦可。即，可适用于分成复数的扫描曝光，使罩幕的图案影像的一部份重复曝光的曝光方法及曝光装置。

再者，并列的复数个光路并不限于七个，例如六个以下或八个以上的构成也可以。

上述的实施例，检测投影区域的曝光的光量有关情报的光检测器41只设一个，但亦可设置复数个与基准位置的位置关系已知道的光检测器。可利用该些复数个光检测器同时检测各边界部51a～51l的照度Wa～Wl。此场合。能够高速检测各投影区域50a～50g及边界部51a～51l的照度，或边界部51a～51l的位置，可提高作业性能。

上述实施例为，在进行校正之际，用光检测器41检出照度，再依据该检出结果进行校正的构成。但在校正时，对实际的试验用感光基板进行曝光处理，计测形成的图案的形状，依据此计测结果进行校正亦可。

又，上述实施例，第一次扫描曝光完了后，为进行第二次扫描曝光的上步移动后的感光基板P的位置对合，使用在罩幕M形成的罩幕位置对合标记60，与在感光基板P形成的基板位置对合标记72。但在校正时，顶先设定上步移动的距离，再依据该设距离上步移动亦可。

又，液晶元件(半导体元件)为由复数的材料层堆积形成，例如在进行第二层以下的曝光处理时，因显像处理或各种热处理，感光基板P有变形的场合。此场合，只要在校正时推求感光基板P的比例等影像特性的变化量，算出修正值(偏移量)，再依据该修正值上步移动即可。再者，此场合亦如前述的情况，可依回转、移位等各影像特性的变化量，驱动遮蔽器30或遮光板40的位置设定投影区域，以进行继续曝光的控制。

又，上述实施例中，光源1只有一个，但光源1可不只一个每一光路各设一个，共设复数的光源，用光导引(light guide)设备等将复数的光源合成一个光束，再把光分配到各光路的构成也可以。此场合，不仅可排除光源光量的差异产生的不良影响，而且光源的一个消失亦仅降低全体的光量，可防止被曝光的元件成为不能使用。又，设置复数的光源1，在光束的合成、分配之际，照射的曝光的照射量，可用ND滤光器等可改变透过光量的滤光器，插入光路中，以调整成所望的照射量，控制各投影区域50a～50g的曝光的照射量亦可。

又，上述实施例中，投影区域50a～50g的形状为梯形，但，六角形、菱形或平行四边形也可用。只是，因使用梯形形状可使继续曝光容易安定地进行。

上述实施例为，用两次扫描曝光在感光基板P上将画面合成的构成，但并不以此为限，例如用三次以上的扫描曝光在感光基板P上合成画面的构成亦可。

又，上述实施例中，对投影光学系统PL用分成复数个(PLa～PLg)的设备说明，但，由图6可容易了解，由视野光圈20与遮光板40形成矩形缝隙(slit)的单透镜的投影光学系，或者非矩形，有圆弧缝隙的曝光区域的曝光装置也可适用。而且，利用第二遮光板30对曝光区域移动，可在位意的位置接合。

图16标进行二次扫描曝光，将图案分割为三个分割图案Pa、Pb、Pc后合成之例。图16所示的复数的投影区域不是多鸟状，而是一列的配置形态。在曝光图案Pa时，用遮蔽器30B形成接续部80a；图案Pb曝光时，用遮蔽器30A及30B形成接续部80b及80c；图案Pc曝光时，用遮蔽器30A形成接续部80d。此处，在罩幕M的图案的周边，形成有特定的形状周期当做电路图案的周期图案81。罩幕M与遮蔽器30A、30B的位置对合标记60A、60B，在周期图案81的各边界部的相当的位置形成。如此的周期图案81要继续曝光的场合，从前，因配合各投影区域设定的接续部，接续部的位置不能任意设定，周期图案81继续曝光有因难；在本发明，利用可在Y方向移动的遮蔽器30，能够任意设定接续部的位置，所以能够使在感光基板P形成的复数的周期图案81a～81h，与对其配设的配线的线数(间距)一致，能够高精度进行继续曝光。

上述实施例中的遮蔽器30，在其前端部的X方向宽度向Y方向逐渐缩小，形成斜面的遮蔽体，但，只要在扫描时能将重复区域的Y方向的累积曝光量连续地衰减的形状皆可用，例如图17所示，X方向的宽度为向Y方向逐渐缩小形成复数的锯齿状也可以。此场合，锯齿部份的Y方向的形成范围，即为重复区域的Y方向长度LK。又，图17为照明快门6遮住投影区域50f对应的光路的状态。

上述实施例说明的，设于投影区域50a近傍的遮蔽器30A，与设于投影区域50g近傍的遮蔽器30B，为在Y方向互相对向配置。但如图18所示，两个能在Y方向移动的遮蔽器30C及30D，在X方向并列配置的构成也可以。此场合，在成二列配列的投影区域50a～50g中，遮蔽器30C对应-X侧配例的投影区域50a、50c、50e、50g设置；遮蔽器30D则对应+X侧配列的投影区域50b、50d、50f设置。由遮蔽器30C及30D各别在Y方向移动，遮住复数的投影区域之中的特定投影区域的光路，并且设定所定投影区域的大小与形状。此处，遮蔽器30C与30D的Y方向的移动，为同步移动构成亦可，独立移动的构成亦可。又，此场合亦可如图18的虚线所示，在遮蔽器30C及30D各别的Y方向的对向位置，配置可在Y方向移动的遮蔽器30C’及30D’。

在上述的实施例说明中，例如遮蔽器30A遮蔽投影区域30a对应的光路，而且设定投影区域30C的大小与形状，亦即一个遮蔽器30可跨越复数个投影区域的配置。但如图19所示，对复数的投影区域50a～50g各别对应的光路，分别配置可在Y方向移动的小型遮蔽器30的构成亦可(图19仅显示投影区域50e对应的遮蔽器30E)。要遮住特定投影区的光路时，例如要遮住投影区域50f及50g的光路时，可用该些投影区域50f及50g对应的光路的照明快门6遮光。

又，如图20所示，把投影区域50a～50g各别对应配置的可在Y方向移动的小型斜面遮蔽器30E，与可同时遮蔽复数个投影区域的大型平面矩形状的遮蔽器30F组合也可以。此处，遮蔽器30配置在感光基板P的表面近傍，对感光基板P及罩幕M大略共轭的位置，可依如Y方向的移动配置或退出投影光学系统PL与感光基板P之间。

图21为当做第二遮光板的遮蔽器的其它实施例之图，图21所示的遮蔽器30，为在玻璃基板设铬Cr的点图形(dot pattern)的遮光部份与透过部份之间，可连续的变化透过率的元件。遮蔽器30G为可Y方向移动的构造，设有遮住光线的遮光部77及依所定方透过率透光的透光部78。遮光部77，为在玻璃基板设不透光材料的铬膜，为透光率几乎为O％的区域。透光部78，为用不透光材料的铬的点，变化其密度在玻璃板蒸镀，从与遮光部77的交界部向前端部，连续地变化透过率为O～100％的区域。此处，透光部78的略点的大小，设定在曝光装置EX的解像限界以下。

如此，在遮蔽器30G设光量分布调整用滤光器的透光部78，亦可图案像的重复区域，连续地衰减累积曝光量。因透光部78，为在玻璃基板蒸镀铬点的图形形成，光量分布的调整可在分子水准的优良精度进行，故在进行继续曝光之际，能够精确地调整重复区域的曝光量。

在上述各实施例中，为调整重复区域的光量分布，使用斜面遮蔽器或锯齿状遮蔽器，或具有所透过率分布的透光部78的遮蔽器，但亦可利用调整遮蔽器的光路方向的位置，调整重复区域的曝光量分布。即如图22(a)所示，把遮蔽器30由对罩幕共轭的位置移到离若干的位置(使散焦)，使通过遮蔽器30端部的曝光扩散，以所定的光量分布照射罩幕。此时的扩散光在罩幕上的宽度(即形成重复区域的宽度)LK，设照明光学系统IL的开口数为NA，在罩幕M上α的位置配置遮蔽器30的场合，为LK＝2×α×NA。如图22(b)所示，在宽度LK的光量分布为向Y方向连续地衰减状态。如此地，调整遮蔽器30在光路方向(Z方向)的位置，亦可形成有所望的宽度LK的重复区域。

本实施例的曝光装置EX，如不使用投影光学系统，改用与罩幕M及感光基板P密接，曝光罩幕M的图案的近接式曝光(proximityexposure)装置也可以。

曝光装置EX的用途，并不限用于在角型玻璃板曝光液晶显示图案的液晶用曝光装置。例如，在半导体晶圆曝光电路图案的半导体制造用的曝光装置，或制造薄膜磁气读取头的曝光装置皆可适用。

本实施例的曝光装置的光源，g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)之外，KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)、F₂激光(157nm)等皆可使用。

投影光学系统PL的倍率，不只等倍系统，缩小系统及放大系统的任一项皆可用。

投影光学系统PL，在使用准分子激光等的远紫外线的场合，玻璃材料使用石英或萤石等透过远紫外线的材料；使用F₂激光或X光线的场合，要用反射屈折系统或屈折系统的光学系统。

在基板台PST或罩幕台MST使用线性马达的场合，使用气堑承轴的空气浮上型或用洛伦兹力(Lorentz)或电抗力的磁气浮上型的任一项皆可以。又基板台或罩幕台，用沿引导部移动的型式或不设引导部的型式皆可以。

基板台或罩幕台的驱动装置使用平面马达的场合，使磁铁组及电枢组任一项的一方连接载台，磁铁组与电枢组的另一方设在载台的移动面侧就可以。

由基板台PST移动产生的反力，如日本专利特开平8-166475号公报所载的，利用框架元件机械的传至地板也可以。本发明的曝光装置也适用这样的构造。

罩幕台MST移动产生的反力，如日本专利特开平8-330224号公报所载的，利用框架元件机械的传至地板也可以。本发明也适用有这构造的曝光装置。

如上所述，本案实施例的曝光装置，能将本案权利要求所举的包含各构成要素的各种副系统，保持所定的机械性精度，电气性精度与光学性精度，组合制造。为确保该些各种精度，在该组合的前后，需进行对各种光学系统达成光学精度的调整；对各种机械系统达成机械精度的调整，对各种电气系统达成电气精度的调整。由各副系统组合成曝光装置的工程，包含各种副系统互相间的机械的连接、电气电路配线连接及气压管路的配管连接等。在该些各种副系统组合成曝光装置的工程之前，当然需先完成各个副系统的组合工程。各种副系统组成曝光装置的工程完成之后，再进行综合调整，以确保曝光装置整体的各种精度。又，曝光装置最好在有温度与清洁度等管理的清净室内制造。

半导体元件的制造，如图23所示，经进行元件的机能、性能设计的步骤201，依该设计步骤制造罩幕的步骤202，元件基材的基板制造步骤203，依前述实施例的曝光装置，将罩幕的图案在基板曝光的基板处理步骤204，元件组合步骤(句合切块工程、接合工程、包装工程)205，及检查步骤206等。发明效果

本发明，在视野光圈及第一遮光板设定的图案像，设置可在扫描方向的直交方向移动的第二遮光板，可任意在罩幕设定图案的接续部。因此，可任意设定在感光基板形成的图案的大小，能够以良好效率制造任意的元件。又第一及第二遮光板，可个别对视野光圈移动，可任意设定对感光基板的曝光的照明区域的大小或形状，故在继续曝光之际，能提升接合精度及曝光量的均一度。又，第二遮光板设成可在扫描方向的直交方向移动，有由向照明光学系统的照射区域的周边，连续地衰减在图案的重复区域的累积曝光量的减光特性，故能够设定接续部的曝光量成所望之值，使重复区域与重复区域以外的曝光量一致。因此，可进行精度良好的曝光处理，制造高品质的元件。

Claims (11)

1、一种曝光装置，具有照明光学系统可用光束照射罩幕，及罩幕台载置罩幕，以及基板台载置曝光该罩幕的图案的感光基板；该曝光装置可对前述光束同步移动罩幕及感光基板进行扫描曝光，并分成数次的扫描曝光，使该罩幕的图案像的一部分重复曝光地在该感光基板继续曝光该图案；其特征为具备：

视野光圈，用以设定该感光基板上被照明的图案像的扫描方向的宽度；

第一遮光板，可设定该图案像的与扫描方向直交的方向的宽度；

第二遮光板，可在与扫描方向直交的方向移动，设定该图案像的重复区域，同对向照射区域的周边，连续衰减重复区域的累积曝光量。

2、如权利要求1所述的的曝光装置，其特征为，上述视野光圈与第一遮光板及第二遮光板，形成的照明区域被分割成复数个。

3、如权利要求1所述的的曝光装置，其特征为，该些分割成复数个的照明区域的形状为梯形的开口。

4、如权利要求1所述的的曝光装置，其特征为，该第二遮光板为，在玻璃基板设遮光的图形，利用遮光部份与透光部份之间，连续的变化透过率的元件构成。

5、如权利要求1至4项中任一所述的的曝光装置，其特征为，配设投影光学系统，可将前述罩幕的图案像投影到感光基板，该罩幕与感光基板经该投影光学系统配置在共轭的关系位置，同时，上述的视野光圈与第一遮光板及第二遮光板，亦配置在对上述罩幕与感光基板共轭的位置。

6、一种曝光方法，在光束照射罩幕的同时，对该光束同步移动上述罩幕与或感光基板扫描曝光，并分成复数次扫描曝光使该罩幕的图案像的一部份重复曝光，在感光基板合成该图案的继续曝光方法，其特征为，包括：

用视野光圈设定在感光基板上照明的该图案像的扫描方向的宽度；

用第一遮光板设定该图案像的与扫描方向直交的方向的宽度；

将可在该图案像的扫描方向的直交方向移动，且能将上述重复区域的照射光量向照射区域的周边连续的衰减的第二遮光板，与前述继续曝光的区域对合设定第二遮光板位置。

7、如权利要求6所述的曝光方法，其特征为，在该罩幕的图案区域的相当于上述继续曝光区域的近傍，设有对合上述第二遮光板的位置的位置对合标记，利用该位置对合标记与第二遮光板的位置对合，以调整该第二遮光板的位置。

8、如权利要求7所述的曝光方法，其特征为，在该感光基板的图案区域的相当于上述继续曝区域的近傍，设有基板位置对合标记，在进行曝光时，使该基板对合标记与上述罩幕的位置对合标记对合。

9、一种元件制造方法，其特征为，使用如权利要求1至4中的任一所述的曝光装置，来制造一液晶元件。

10、一种元件制造方法，其特征为，使用如权利要求5所述的的曝光装置，来制造一液晶元件。

11、一种元件制造方法，用光束照射罩幕并对该光束同步移动该罩幕与玻璃基板进行扫描曝光的曝光装置，将该罩幕的图案的一部份接合合成，制造较该罩幕的连续图案区域更大的液晶元件的制造方法，其特征为：

将在玻璃基板的罩幕的图案的配置及进行接合的该图案的接续位置的情报，做为格式设定于该曝光装置；

对应该格式，叠合上述要曝光的罩幕的图案，设定曝光照射的照射区域，同时对在该照射区域的一边的上述接续位置设置的罩幕图案，对好接合曝光用的遮光板的位置并曝光它；

该曝光之后，将该玻璃基板向与扫描曝光方向直交的方向移动；

在该玻璃基板的曝光区域与一部份重复的位置，设定欲与曝光的罩幕图案合并照射曝光的照射区域，同时，对设于照射区域的一边的接合位置的罩幕的图案，对好接合曝光的遮光板的位并进行曝光。

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