CN103389624B - 曝光装置、曝光方法、器件的制造方法以及开口板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供曝光装置,具备把掩模的图案投影到基板的投影光学系统,边使经上述投影光学系统在上述基板上形成的投影区域的一部分在第1方向叠合,边使上述掩模和上述基板在与上述第1方向正交的第2方向同步移动,把上述图案转印到上述基板,特征是具备具有用于规定上述投影区域的开口的开口板;遮光上述开口的一部分,调整上述投影区域的上述第1方向的端部形状的调整部;取得上述投影区域所叠合的重叠区域的上述第1方向的宽度的取得部;控制部,根据上述取得部取得的宽度,决定上述投影区域的上述第1方向的端部形状,使得减少形成在上述基板上的照度分布的不均匀,控制上述调整部使上述投影区域的上述第1方向的端面为该所决定的形状。

Description

曝光装置、曝光方法、器件的制造方法以及开口板
技术领域
本发明涉及曝光装置、曝光方法、器件的制造方法以及开口板。
背景技术
在使用光刻技术制造液晶显示器件等时,使用把形成于掩模(原版)的图案经由投影光学系统投影到基板并转印图案的曝光装置。近年来,在曝光装置中,为了应对液晶显示器件的大型化、低价化,要求扩大能够通过扫描曝光进行曝光的面积(曝光区域)。
作为用于扩大曝光区域的技术,例如,在日本特开2009-237916号公报中提出了使用多个投影光学系统的所谓的连结曝光。连结曝光是通过把多个投影光学系统的各自形成的投影区域(即,多个投影区域)配置成使邻接的投影区域的一部分在与扫描方向正交的方向重叠,从而谋求扩大作为整体的曝光区域(的宽度)。
参照图9~图11,具体说明在日本特开2009-237916号公报中公开的技术。图9是表示曝光装置EA的整体结构的概略图。曝光装置EA具有保持掩模M的掩模载置台MST、保持基板P的基板载置台PST、用曝光用光EL照明掩模M的照明光学系统IL、把掩模M的图案的像投影到基板P的投影光学系统PL。投影光学系统PL如图9所示,包括7个光学系统模块PLa~PLg。曝光装置EA边在Y轴方向把各光学系统模块PLa~PLg形成的投影区域连结起来,即、边使其一部分叠合,边在X轴方向扫描,从而把掩模M的图案转印到基板P。
图10是表示配置在与掩模M或者基板P共轭的位置的遮光帘单元BU的结构的图。遮光帘单元BU具备对于光学系统模块PLa~PLg的各个设置的视场光阑FS、遮光帘BB。各光学系统模块PLa~PLg的基板P中的投影区域PRa~PRg由形成在对应的视场光阑FS中的开口K规定。遮光帘BB具有与开口K的某一条斜边平行的斜边,能够在X轴方向以及Y轴方向移动而遮蔽开口K的一部分。
在曝光装置EA中,例如,如图11所示,考虑把掩模M的图案PPA分割成部分图案PA和部分图案PB并转印到基板P的情况。这种情况下,能够由遮光帘单元BU使部分图案PA(转印到基板P的转印图案MA)和部分图案PB(转印到基板P的转印图案PB)的叠合区域、即边界BLA与边界BLB之间发生变化。这样使叠合区域发生变化的理由是因为在连结曝光中,如果没有根据掩模的图案控制叠合区域,则在转印到基板的图案中产生线宽差(不均匀)。
然而,本发明者专心研究的结果,发现了如下内容:在连结曝光中,如果不控制投影区域的叠合区域的宽度、即各投影区域的端部的形状,则由于掩模的图案将发生不均匀。参照图10,在日本特开2009-237916号公报中公开的技术对于在对把根据开口K所规定的投影区域PRa~PRg连结起来的区域整体进行分割并把掩模的图案转印到基板时不发生不均匀这一点是有效的。但是,如上所述,例如,如果对于投影区域PRa与投影区域PRb的叠合区域的宽度、即各投影区域的Y轴方向的端部的形状也不进行控制,则由于掩模的图案而发生不均匀。
发明内容
本发明提供有利于控制经由投影光学系统形成在基板上的投影区域的端部形状的曝光装置。
作为本发明的第一方面的曝光装置,具备把掩模的图案投影到基板的投影光学系统,该曝光装置边使经由上述投影光学系统形成在上述基板上的投影区域的一部分在第1方向叠合,边使上述掩模和上述基板在与上述第1方向正交的第2方向同步移动,把上述图案转印到上述基板,该曝光装置的特征在于,具有:开口板,具有用于规定上述投影区域的开口;调整部,对上述开口的一部分进行遮光,调整上述投影区域的上述第1方向的端部的形状;取得部,取得上述投影区域所叠合的重叠区域的上述第1方向的宽度;控制部,根据由上述取得部取得的宽度,决定上述投影区域的上述第1方向的端部的形状,以使得减少形成在上述基板上的照度分布的不均匀,并对上述调整部进行控制,以使得上述投影区域的上述第1方向的端面成为该所决定的形状。
作为本发明的第二方面的曝光方法,边使由投影光学系统在基板上规定的投影区域的一部分在第1方向叠合,边使掩模和上述基板在与上述第1方向正交的第2方向同步移动,把图案转印到上述基板,其中,上述投影光学系统把上述掩模的上述图案投影到上述基板,该曝光方法的特征在于,具有:第1步骤,取得上述投影区域所叠合的重叠区域的上述第1方向的宽度;第2步骤,根据在上述第1步骤中取得的宽度,决定上述投影区域的上述第1方向的端部的形状,以使得减少形成在上述基板上的照度分布的不均匀,并进行控制,以使得上述投影区域的上述第1方向的端面成为该所决定的形状。
作为本发明的第三方面的器件的制造方法的特征是具有使用上述的曝光装置对基板进行曝光的步骤、以及显影曝光了的上述基板的步骤。
作为本发明的第四方面的开口板在曝光装置中使用,具有用于把投影区域规定为圆弧形状的开口,其中,上述曝光装置边使由投影光学系统在基板上规定的上述投影区域的一部分在第1方向叠合,边使掩模和上述基板在与上述第1方向正交的第2方向同步移动,把图案转印到上述基板,其中上述投影光学系统把上述掩模的上述图案投影到上述基板,上述开口板的特征在于,上述开口的上述第1方向的端部的形状是曲线形状。
本发明的进一步的目的或者其它的方面将根据以下参照附图说明的理想的实施方式而变得明确。
附图说明
图1是表示作为本发明的一个方面的曝光装置的结构的概略图。
图2A以及图2B是用于说明由图1表示的曝光装置进行的曝光处理(连结曝光)的图。
图3是用于说明使曝光区域叠合的重叠区域的连结宽度阶梯性变化的必要性的图。
图4是用于说明定义投影区域的端部的曲线形状的公式的图。
图5A以及图5B是表示图1所示的曝光装置的调整部的具体结构的一个例子的概略图。
图6A以及图6B是用于说明由图1所示的曝光装置进行的曝光处理(连结曝光)的图。
图7是表示具有用于截取出梯形形状的光的开口的开口板的图。
图8A以及图8B是表示图1所示的曝光装置的调整部的具体结构的一个例子的概略图。
图9是表示曝光装置的整体结构的概略图。
图10是表示图9所示的曝光装置的遮光帘单元的结构的图。
图11是用于说明图9所示的曝光装置中的连结曝光的图。
具体实施方式
以下,参照附图,说明本发明的理想的实施方式。另外,在各图中,对于相同的部件标注相同的参考编号,省略重复的说明。
图1是表示作为本发明的一个方面的曝光装置1的结构的概略图。曝光装置1边使经由投影光学系统形成在基板上的投影区域的一部分在第1方向(X轴方向)叠合,边使掩模和基板在与第1方向正交的第2方向(Y轴方向)同步移动,把掩模的图案转印到基板。换言之,曝光装置1是进行连结曝光的扫描型的曝光装置。
为了实现连结曝光,可以考虑以下的两个方法。第1方法是如现有技术那样,使用多个投影光学系统,对于这样的投影光学系统各自在基板上规定的多个投影区域使得邻接的投影区域的一部分重叠的方法。第2方法是使用1个投影光学系统,对于这样的投影光学系统在基板上规定的投影区域使其一部分针对每一次曝光处理都发生重叠(即,边把投影区域的一部分重叠边以等间距错开)的方法。第1方法和第2方法由于在实现连结曝光的方面功能上相同,因此在本实施方式中以第2方法为例进行说明。
曝光装置1具有照明光学系统10、开口板20、成像光学系统30、保持并移动掩模40的掩模载置台(未图示)、投影光学系统50、保持并移动基板60的基板载置台(未图示)。另外,曝光装置1具有调整部70、取得部80、控制部90。
照明光学系统10是用于使用来自光源的光对掩模40进行照明的光学系统。开口板20是用于从通过了照明光学系统10的光截取出具有预定形状的光的开口,在本实施方式中,具有用于规定经由投影光学系统50形成在基板60上的投影区域的开口202。成像光学系统30是用于使由开口板20截取出的光(即,通过了开口板20的开口202的光)在掩模40上成像的光学系统。掩模40具有应转印到基板60的图案(电路图案),被掩模载置台所保持,并配置在投影光学系统50的物体面。
投影光学系统50是把由照明光学系统10照明了的掩模40的图案(的像)投影到基板60的光学系统。投影光学系统50在本实施方式中包括:镜筒502、分别配置在镜筒502的入射侧以及出射侧的光学薄膜504a以及504b、弯曲反射镜506、凹面反射镜508、凸面反射镜510。由掩模40的图案衍射的光按照光学薄膜504a、弯曲反射镜506、凹面反射镜508、凸面反射镜510、凹面反射镜508、弯曲反射镜506、光学薄膜504b的顺序通过,在基板60上成像。曝光装置1由于是扫描型的曝光装置,因此通过在扫描方向(Y轴方向)扫描掩模40和基板60,从而把掩模40的图案转印到基板60。
基板60是被投影(转印)掩模40的图案的基板,被基板载置台所保持,配置在投影光学系统50的像面。在基板60中涂敷抗蚀剂(感光剂)。基板60包括玻璃板(液晶面板)、晶片、其它的基板。
调整部70对开口板20的开口202的一部分进行遮光,调整与经由投影光学系统50形成在基板60上的投影区域的扫描方向正交的方向(X轴方向)的端部的形状。关于调整部70的具体结构在后面详细说明。
取得部80在连结曝光中,取得与经由投影光学系统50形成在基板60上的投影区域被叠合的重叠区域的扫描方向正交的方向(X轴方向)的宽度(以下设为「连结宽度」)。连结宽度一般依据掩模40的图案(的形状)而被决定。因而,取得部80例如具有:存储在曝光装置1中使用的掩模40与连结宽度的对应关系的存储部、识别掩模40的识别部、根据识别部的识别结果而参照存储在存储部的对应关系来决定连结宽度的决定部。但也可以代替识别部,而使用用户输入在曝光装置1中使用的掩模40的输入部来构成取得部80。另外,也可以使用用户直接输入连结宽度的输入部来构成取得部80。
控制部90包括CPU、存储器,对曝光装置1的整体(曝光装置1的各部分)进行控制。换言之,控制部90控制把掩模40的图案转印到基板60、即对基板60进行曝光的曝光处理(在本实施方式中是连结曝光)。例如,控制部90根据由取得部80取得的连结宽度,决定与投影区域的扫描方向正交的方向(X轴方向)的端部的形状,以使得减少形成在基板60上的照度分布的不均匀。而且,控制部90控制调整部70,以使得与经由投影光学系统50形成在基板60上的投影区域的扫描方向正交的方向的端面成为所决定的形状。
参照图2A以及图2B,说明由本实施方式的曝光装置1进行的曝光处理、即连结曝光。图2A表示通过2次的扫描(连结2个投影区域)把掩模40的图案转印到基板60的情况,图2B表示通过3次的扫描(连结3个投影区域)把掩模40的图案转印到基板60的情况。另外,以下虽然说明扫描或者移动经由投影光学系统50形成在基板60上的投影区域,而实际上使基板载置台104移动。
参照图2A,在基板60上的转印区域60a中,经由投影光学系统50,被投影投影区域PRA,在作为扫描方向的Y轴方向扫描这样的投影区域PRA。但是,由于投影区域PRA的X轴方向的宽度比基板60的X轴方向的宽度小,因此仅在Y轴方向扫描投影区域PRA无法对基板60(转印区域60a)的整体进行曝光。因而,除了投影区域PRA的扫描以外,还通过在Y轴方向扫描使投影区域PRA在X轴方向移动了距离α而得的投影区域PRB,从而对基板60的整体进行曝光。
同样,参照图2B,在基板60上的转印区域60a中,经由投影光学系统50被投影投影区域PRC,在作为扫描方向的Y轴方向扫描这样的投影区域PRC。接着,在Y轴方向扫描使投影区域PRC在X轴方向移动了距离β而得的投影区域PRD。进而,通过在Y轴方向扫描使投影区域PRD在X轴方向移动了距离β而得的投影区域PRE,从而对基板60的整体进行曝光。
这样通过对于投影区域PRA以及PRB、或者投影区域PRC至PRE,边使其一部分叠合边在Y轴方向扫描,能够在基板60上的转印区域60a转印掩模40的图案。
另外,投影区域PRA以及PRB的各自的X轴方向的宽度(曝光宽度)相同,投影区域PRC至PRE的各自的曝光宽度相同。这是由于在Y轴方向扫描了投影区域PRA以及PRB、或者投影区域PRC至PRE时,使基板60的整体的照度(照射能量)成为恒定的缘故。但是,在投影区域PRA与投影区域PRB的重叠区域OR、投影区域PRC与投影区域PRD的重叠区域、以及投影区域PRD与投影区域PRE的重叠区域中,需要使连结宽度在Y轴方向阶梯性地变化。
参照图3,说明使投影区域叠合的重叠区域的连结宽度在Y轴方向阶梯性变化的必要性。在图3中,IDA表示投影区域PRA中的照度分布,IDB表示投影区域PRB中的照度分布。如果把照度分布IDA和照度分布IDB连结起来,则成为照度分布ID,在基板60的整体中成为均匀(即,没有照度不均匀)的照度分布。这里,在图2A中,由于开口板20的开口202是圆弧形状,因此投影区域PRA的X轴方向的端部EPA的形状以及投影区域PRB的X轴方向的端部EPB的形状成为曲线形状。换言之,控制部90把投影区域PRA以及PRB的各自的端部EPA以及EPB的形状决定为曲线形状,控制调整部70,以使得投影区域PRA以及PRB的各自的端部EPA以及EPB的形状成为曲线形状。
另外,在开口板20的开口202是圆弧形状的情况下,定义投影区域的X方向的端部的曲线形状的公式Y用以下的公式(1)来表示。其中,如图4所示,把与圆弧形状的开口202相对应地投影到基板60上的圆弧形状的投影区域的半径设为R,把这样的投影区域的曝光宽度设为2V,把投影光区域的Y轴方向的宽度设为T,把重叠区域的连结宽度设为T。
Y=R-(R2-X21/2+S/T(V-X)……(1)
在这里说明掩模40的图案与连结曝光的关系。掩模40的图案如果是即使连结宽度狭窄也不会发生照度不均匀那样的图案,则应重视与投影区域的扫描时间有关的节奏,如图2A所示,通过2次的扫描把掩模40的图案转印到基板60。但是,也考虑掩模40的图案是如果不扩大连结宽度则将发生照度不均匀那样的图案(例如,窄线宽的线和间隔的图案)的情况。在这样的情况下,如图2B所示,应该扩大连结宽度,通过3次的扫描把掩模40的图案转印到基板60。由此,即使掩模40的图案是易于发生照度不均匀的图案,也能够边抑制照度不均匀的发生,边高精度地把掩模40的图案转印到基板60。
参照图5A以及图5B,说明调整部70的具体结构的一个例子。调整部70例如包括配置在开口板20的遮光板702、致动器704、棒706。遮光板702是在Z轴方向具有厚度的薄板,具有使形状可变的端面702a。致动器704具有经由可伸缩的棒706而向遮光板702的端面702a施加力的功能。致动器704在本实施方式中,在固定了与开口202的Y轴方向的端部中的一端相对应的端面702a的位置的状态下,变更端面702a的形状(曲线形状)。具体地讲,各致动器704使遮光板702的端面702a的位置(即、连接了棒706的位置)独立地变化。由此,能够把投影区域的X轴方向的端部的形状变更(控制)成图2A表示的曲线形状(图5A)、图2B表示的曲线形状(图5B)。这时,由遮光板702的端面702a形成的曲线形状设为如上述的公式(1)所示那样。
参照图6A以及图6B,说明开口板20的开口202是梯形形状时的连结曝光。图6A表示通过2次的扫描(连结2个投影区域)把掩模40的图案转印到基板60的情况,图6B表示通过3次的扫描(连结3个投影区域)把掩模40的图案转印到基板60的情况。掩模40的图案如果是即使使连结宽度狭窄也不会发生照度不均匀那样的图案,则重视与投影区域的扫描时间有关的节奏,如图6A所示,通过2次的扫描把掩模40的图案转印到基板60。但是,在掩模40的图案是如果不扩大连结宽度就将发生照度不均匀那样的图案的情况下,如图6B所示,扩大连结宽度,通过3次的扫描把掩模40的图案转印到基板60。这里,把开口板20的开口202设为梯形形状,从通过了照明光学系统10的光截取出具有梯形形状的光。但是,如图7所示,即使开口板20的开口202是圆弧形状,通过在开口板20的后级进一步配置具有梯形形状的开口202A的开口板20A,也能够截取出具有梯形形状的光。
参照图6A,在基板60上的转印区域60a中,经由投影光学系统50被投影投影区域PRG,在作为扫描方向的Y轴方向扫描这样的投影区域PRG。但是,由于投影区域PRG的X轴方向的宽度比基板60的X轴方向的宽度小,因此仅在Y轴方向扫描投影区域PRG无法对基板60(转印区域60a)的整体进行曝光。因而,除了投影区域PRG的扫描以外,通过在Y轴方向扫描使投影区域PRG在X轴方向移动了距离α’而得的投影区域PRH,对基板60的整体进行曝光。
同样,参照图6B,在基板60上的转印区域60a中,经由投影光学系统50,被投影投影区域PRI,在作为扫描方向的Y轴方向扫描这样的投影区域PRI。接着,在Y轴方向扫描使投影区域PRI在X轴方向移动了距离β’而得的投影区域PRJ。进而,通过在Y轴方向扫描使投影区域PRJ在X轴方向移动了距离β’而得的投影区域PRK,对基板60的整体进行曝光。
这样通过边使投影区域PRG以及PRH、或者投影区域PRI至PRK的一部分叠合边在Y轴方向扫描,能够对基板60上的转印区域60a转印掩模40的图案。
另外,投影区域PRG以及PRH的各自的X轴方向的宽度(曝光宽度)相同,投影区域PRI至PRK的各自的曝光宽度相同。这里,在图6A以及图6B中,由于开口板20的开口202是梯形形状,因此投影区域PRG至PRK的各自的X轴方向的端部的形状成为直线形状。换言之,控制部90控制调整部70,以使得把投影区域PRG至PRK的各自的端部的形状决定为直线形状,使投影区域PRG至PRK的各自的端部的形状成为直线形状。这是因为在开口板20的开口202是梯形形状的情况下,如果把投影区域PRG中的照度分布和投影区域PRH中的照度分布连结起来,则在基板60的整体中成为均匀(即,没有照度不均匀)的照度分布的缘故。同样,如果把投影区域PRI中的照度分布、投影区域PRJ中的照度分布以及投影区域PRK中的照度分布连结起来,则在基板60的整体中成为均匀的照度分布。
参照图8A以及图8B,说明开口板20的开口202是梯形形状时的调整部70的具体结构的一个例子。调整部70例如包括:配置在开口板20的遮光板702、致动器704、棒706。遮光板702是在Z轴方向具有厚度的薄板,具有直线形状的端面702b。致动器704具有经由可伸缩的棒706向遮光板702的端面702b施加力的功能。致动器704在本实施方式中,在固定了与开口202的Y轴方向的端部中的一端相对应的端面702b的位置的状态下,使直线形状的端面702b移动。具体地讲,致动器704以与开口202的Y轴方向的端部中的一端相对应的端面702b的位置为旋转轴,使直线形状的端面702b旋转。由此,能够把投影区域的X轴方向的端部的形状变更(控制)成图6A表示的直线形状(图8A)、图6B表示的直线形状(图8B)。
这样,曝光装置1能够根据掩模40的图案(即,依据图案所决定的连结宽度),控制(调整)各投影区域的Y轴方向的端部的形状。因而,曝光装置1能够边抑制照度不均匀的发生,边高精度地把掩模40的图案转印到基板60,能够提供高生产能力且经济性良好、高品质的器件(半导体集成电路元件、液晶显示元件等)。另外,器件通过经由使用曝光装置1对涂敷了光敏抗蚀剂(感光剂)的基板(晶片、玻璃板等)进行曝光的工艺、显影被曝光了的基板的工艺和其它众所周知的工艺来进行制造。
以上说明了本发明的优选实施方式,而本发明当然不限定于这些实施方式,在其要旨的范围内能够进行各种变形以及变更。在本实施方式中,虽然通过调整部调整投影区域的端部的形状,但具有与通过调整部调整以后的投影区域的形状相对应的形状的开口的开口板也构成本发明的一个方面。例如,具有用于把投影区域规定为圆弧形状的、其端部的形状是曲线形状的开口的开口板构成本发明的一个方面。
以上参照例示性的实施方式描述了本发明,但是应当明确,本发明并不限于所公开的例示性的实施方式。以下的权利要求书被给予最宽的解释,使其包括所有类似的修改、等同的构造和功能。

Claims (10)

1.一种曝光装置,具备把掩模的图案投影到基板的投影光学系统,该曝光装置以使经由上述投影光学系统形成在上述基板上的投影区域的一部分彼此在第1方向叠合的方式,使上述掩模和上述基板在与上述第1方向正交的第2方向同步移动,把上述图案转印到上述基板,该曝光装置的特征在于,具有:
开口板,具有用于规定上述投影区域的开口;
调整部,对上述开口的一部分进行遮光,调整上述投影区域的上述第1方向的端部的形状;
取得部,取得上述投影区域所叠合的重叠区域的上述第1方向的连结宽度;
控制部,根据由上述取得部取得的连结宽度,决定上述投影区域的上述第1方向的端部的形状,以使得减少形成在上述基板上的照度分布的不均匀,并对上述调整部进行控制,以使得上述投影区域的上述第1方向的端部成为该所决定的形状。
2.根据权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,
上述开口是圆弧形状,
上述控制部把上述投影区域的上述第1方向的端部的形状决定为曲线形状。
3.根据权利要求2所述的曝光装置,其特征在于,
如果把与上述圆弧形状的上述开口相对应地在上述基板上规定的圆弧形状的上述投影区域的半径设为R,把上述投影区域的上述第1方向的宽度设为2V,把上述投影区域的上述第2方向的宽度设为S,把由上述取得部取得的连结宽度设为T,则定义上述曲线形状的公式Y用Y=R-(R2-X2)1/2+S/T(V-X)来表示。
4.根据权利要求2所述的曝光装置,其特征在于,
上述调整部包括:
遮光板,具有使形状可变的端面;
致动器,用于在固定了与上述圆弧形状的上述开口的上述第1方向的端部中的一端相对应的上述端面的位置的状态下,变更上述端面的形状。
5.根据权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,
上述开口是梯形形状,
上述控制部把上述投影区域的上述第1方向的端部的形状决定为直线形状。
6.根据权利要求5所述的曝光装置,其特征在于,
上述调整部包括:
遮光板,具有直线形状的端面;
致动器,用于在固定了与上述梯形形状的上述开口的上述第1方向的端部中的一端相对应的上述端面的位置的状态下,使上述端面移动。
7.一种曝光方法,该曝光方法以使由投影光学系统在基板上规定的投影区域的一部分彼此在第1方向叠合的方式,使掩模和上述基板在与上述第1方向正交的第2方向同步移动,把图案转印到上述基板,其中上述投影光学系统把上述掩模的上述图案投影到上述基板,该曝光方法的特征在于,具有:
第1步骤,取得上述投影区域所叠合的重叠区域的上述第1方向的连结宽度;
第2步骤,根据在上述第1步骤中取得的连结宽度,决定上述投影区域的上述第1方向的端部的形状,以使得减少形成在上述基板上的照度分布的不均匀,并进行控制,以使得上述投影区域的上述第1方向的端部成为该所决定的形状。
8.一种器件的制造方法,其特征在于,具有:
使用权利要求1至6中的任意一项记载的曝光装置对基板进行曝光的步骤;以及
显影曝光了的上述基板的步骤。
9.一种曝光装置,具备把掩模的图案投影到基板的投影光学系统,该曝光装置以使经由上述投影光学系统形成在上述基板上的投影区域的一部分彼此在第1方向叠合的方式,使上述掩模和上述基板在与上述第1方向正交的第2方向同步移动,把上述图案转印到上述基板,该曝光装置的特征在于,具有:
开口板,具有用于规定上述投影区域的开口;
调整部,对上述开口的一部分进行遮光,调整上述投影区域的上述第1方向的端部的形状;
取得部,取得上述投影区域所叠合的重叠区域的上述第1方向的连结宽度;
控制部,根据由上述取得部取得的连结宽度,不改变曝光宽度地决定上述投影区域的上述第1方向的端部的形状,以使得减少形成在上述基板上的照度分布的不均匀,并对上述调整部进行控制,以使得上述投影区域的上述第1方向的端部成为该所决定的形状。
10.一种曝光方法,该曝光方法以使由投影光学系统在基板上规定的投影区域的一部分彼此在第1方向叠合的方式,使掩模和上述基板在与上述第1方向正交的第2方向同步移动,把图案转印到上述基板,其中上述投影光学系统把上述掩模的上述图案投影到上述基板,该曝光方法的特征在于,具有:
第1步骤,取得上述投影区域所叠合的重叠区域的上述第1方向的连结宽度;
第2步骤,根据在上述第1步骤中取得的连结宽度,不改变曝光宽度地决定上述投影区域的上述第1方向的端部的形状,以使得减少形成在上述基板上的照度分布的不均匀,并进行控制,以使得上述投影区域的上述第1方向的端部成为该所决定的形状。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6243616B2 (ja) * 2013-03-26 2017-12-06 キヤノン株式会社 露光装置および物品の製造方法
CN105511236B (zh) * 2016-02-29 2018-01-09 深圳市华星光电技术有限公司 光传导装置和曝光机
WO2017150388A1 (ja) * 2016-02-29 2017-09-08 株式会社ニコン 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、遮光装置、及び露光方法
JP2018010105A (ja) * 2016-07-13 2018-01-18 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、および物品製造方法
JP6771997B2 (ja) * 2016-08-24 2020-10-21 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、および物品製造方法
JP6734573B2 (ja) * 2019-03-22 2020-08-05 株式会社ニコン 露光装置、並びにディスプレイ及びデバイスの製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1419266A (zh) * 2001-11-12 2003-05-21 尼康株式会社 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
CN1448797A (zh) * 2002-04-02 2003-10-15 佳能株式会社 曝光装置
CN101286012A (zh) * 2007-04-13 2008-10-15 株式会社Orc制作所 投影曝光装置
CN101582377A (zh) * 2008-05-15 2009-11-18 松下电器产业株式会社 电子部件形成装置和利用其形成的电子部件及其制造方法
CN101836166A (zh) * 2008-01-09 2010-09-15 株式会社尼康 曝光方法及曝光装置
CN101939686A (zh) * 2008-02-08 2011-01-05 慧眼有限公司 对照相材料进行曝光的设备和方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001201867A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
JP2001209187A (ja) * 2000-01-25 2001-08-03 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP4482998B2 (ja) * 2000-02-03 2010-06-16 株式会社ニコン 走査露光方法および走査露光装置並びにデバイス製造方法
JP2003282412A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Ushio Inc 光照射装置
JP2004335864A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
KR101006435B1 (ko) * 2003-09-01 2011-01-06 삼성전자주식회사 노광 마스크, 이를 포함하는 노광 장치 및 이를 이용한표시 장치용 표시판의 제조 방법
TWI387855B (zh) * 2003-11-13 2013-03-01 尼康股份有限公司 A variable slit device, a lighting device, an exposure device, an exposure method, and an element manufacturing method
JP4822022B2 (ja) * 2005-02-25 2011-11-24 株式会社ニコン 露光方法および装置、ならびに電子デバイス製造方法
JP2007335849A (ja) * 2006-05-17 2007-12-27 Canon Inc 遮光装置および露光装置
JP5071385B2 (ja) * 2006-06-16 2012-11-14 株式会社ニコン 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP5063229B2 (ja) * 2007-07-12 2012-10-31 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP5294488B2 (ja) * 2009-12-03 2013-09-18 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1419266A (zh) * 2001-11-12 2003-05-21 尼康株式会社 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
CN1448797A (zh) * 2002-04-02 2003-10-15 佳能株式会社 曝光装置
CN101286012A (zh) * 2007-04-13 2008-10-15 株式会社Orc制作所 投影曝光装置
CN101836166A (zh) * 2008-01-09 2010-09-15 株式会社尼康 曝光方法及曝光装置
CN101939686A (zh) * 2008-02-08 2011-01-05 慧眼有限公司 对照相材料进行曝光的设备和方法
CN101582377A (zh) * 2008-05-15 2009-11-18 松下电器产业株式会社 电子部件形成装置和利用其形成的电子部件及其制造方法

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KR101626644B1 (ko) 2016-06-01
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